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CORSO DI LAUREA IN SCIENZA DEI MATERIALI

LABORATORIO DI
FISICA DEI MATERIALI I

Edizione a.a 05/06

Prof. Stefano Sanguinetti

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 1


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di questa dispensa contattare
direttamente l’Autore.
Stefano Sanguinetti
Dipartimento di Scienza dei Materiali
Università di Milano Bicocca
Via Cozzi 53, 20125 Milano (Italia)
Tel. 0264485156
Email: stefano.sanguinetti@unimib.it
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 2
BIBLIOGRAFIA ESSENZIALE

C. Kittel:
“Introduzione alla Fisica dello Stato Solido”
Bollati Boringhieri

Mario Guzzi:
“Principi di fisica dei semiconduttori”
Editore Ulrico Hoepli (Milano, 2004)

D. Halliday, R. Resnick e K.S. Krane


“Fisica 2”
Casa Editrice Ambrosiana Milano

AA.VV.
“The Book of Photon Tools”
Oriel Instruments

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 3


semiconduttori

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SEMICONDUTTORI

ARGOMENTI

• DEFINIZIONE
• STRUTTURA CRISTALLINA
• STRUTTURA A BANDE
• PORTATORI INTRINSECI ED ESTRINSECI
• TRASPORTO
• EFFETTO HALL
• GIUNZIONE p-n
• ASSORBIMENTO OTTICO
• CELLA FOTOVOLTAICA

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SEMICONDUTTORI - DEFINIZIONE

Classificazione dei Solidi in base alla loro conducibilità σ a T ambiente

Metalli: σ 104 – 106 (Ω-1cm-1)


Isolanti: σ < 10-10 (Ω-1cm-1)

Tutti i materiali che hanno conducibilità intermedie fra 10-10 e 104 (Ω-1cm-1)
sono classificati come
Semiconduttori

Proprietà distintive dei Semiconduttori

• coefficiente di temperatura della resistività negativo


• trasporto di corrente a due portatori (+ e -)
• resitività varabile mediante inserzione di impurità
• resitività variabile mediante illuminazione con luce visibile

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STRUTTURA CRISTALLINA I

La maggior parte dei semiconducttori tecnologicamente utili ha una struttura cristallina


tipo diamante (Si - Ge) o, nel caso di composti, tipo zincoblenda.
In entrambi i casi si tratta di un reticolo fcc con base, occupato da atomi identici
(diamante) o dai due componenti il composto (zincoblenda).
La struttura è determinata dal tipo di legame interatomico, covalente fra orbitali ibridi sp3.

La struttura cristallina permette


Zincoblenda di arrangiare atomi con orbitali
direzionali sp3 (coordinazione
tetraedrica)

Principali semiconduttori
IV III-V
Si GaN
Ge GaAs
InP
InAs

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STRUTTURA CRISTALLINA II

Per semplicità di presentazione la struttura 3D del reticolo diamante/zincoblenda


viene usualmente rimappata in un reticolo quadrato 2D

Equivalente topologico 2D
Struttura 3D

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BANDE I

Dal punto di vista della struttura a bande, i semiconduttori presentano banda di valenza
(stati pieni) e banda di conduzione (stati vuoti) separate da un gap energetico.

Il gap nei semiconduttori è


di circa 1eV. Cristalli con
con gap energetico fra BV
e BC superiore ai 5 eV
sono isolanti

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BANDE II - MASSA EFFICACE
Un elettrone in un cristallo risponde a una forza esterna in modo
diverso da un elettrone libero a causa della presenza del cristallo
stesso che determina la dipendenza dell'energia dal momento k (a).

Il moto dell'e è descritto dalla velocità di gruppo (b) v =


dω 1 dE
g =
dk h dk
Il lavoro svolto dalle forze esterne sull’e è dato da:
F dt dk
dE = Fds = Fvg dt = dE quindi F =h
h dk dt
L’accelerazione dell’e, conseguente all’azione di F, sarà
dν g1 d 2 E dk 1 d 2 E
a= = 2
= 2 2
F
dt h dk dt h dk

Vi è quindi anche nel cristallo una costante di proporzionalità


fra a e F, anche se diversa dalla massa a riposo dell’e.
Tale costante assume il nome di massa efficace (c)
−1
d E 2
m = h  2 
* 2

 dk 
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 10
BANDE III

Una rappresentazione completa delle bande in


un cristallo deve tenere conto non solo della
presenza di bande di energia premesse e
proibite, ma anche della modificata dipendenza EBC(k)
dell’energia dal momento nei cristalli.

La conoscenza della struttura elettronica del


cristallo è contenuta nelle curve Ei(k), dove i è
l'indice di banda e k il vettore d'onda dell'elettrone.

EBVH(k)

EBVL(k)
Energia

EBVS(k)

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SEMICONDUTTORI – BANDE IV
Particolare importanza rivestono la posizione e la curvatura (collegata a m*) del minimo della
BC e del massimo della BV. Infatti, i portatori presenti nel cristallo, e o h, si accumulano in
corrispondenza di questi estremanti, le cui caratteristiche elettroniche determinano quindi il
comportamento elettronico del semiconduttore.
Inoltre, particolare importanza riveste la posizione relativa in k dei due estremanti. Nel caso
in cui i siano coincidenti in k il semiconduttore è detto a gap diretto. In caso contrario a gap
indiretto.

Gap Gap
diretto indiretto

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BANDE V
Si: gap indiretto - BV in Γ (punto k=(000))
BC nel punto X dello spazio reciproco (direzione (100))
Ge: gap indiretto - BV in Γ
BC nel punto L dello spazio reciproco (direzione (111))
GaAs: gap diretto - BV in gamma (punto k=(000))
BC in Γ

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ASSORBIMENTO OTTICO I

L'assorbimento di un fotone da parte di un elettrone


e
avviene conservando:
hν 1. energia: Eelettr. = hν
2. momento: hk/2π. = h/λ

In generale il momento trasferito dal fotone è molto


piccolo nella scala dei momenti elettronici cristallini.
Nel diagramma a bande l'assorbimento di un fotone ∆E=hν
da parte di un e della BV corrisponde a una
transizione verticale (k cambia di pochissimo) con
∆E=hν

Quindi, perché avvenga assorbimento, devono essere


presenti due stati elettronici con il medesimo vettor
d’onda e una differenza di energia pari a hν

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 14


ASSORBIMENTO OTTICO II

Nel caso in cui il minimo della BC

Energia
corrisponda in energia al massimo
della BV (gap diretto) l'energia minima hν
del fotone assorbito è pari a Eg
GaAs
Per energie del fotone più elevate, la
probabilità di assorbimento dipende dalla
densità di stati elettronici di partenza in Vettor d’onda k
BV e arrivo in BC. Tenendo conto di ciò,
la probabilità di assorbimento di un
fotone (π) da parte di un elettrone di

π (unità arbitrarie)
valenza dipende dall'energia hν del
fotone come:

π ∝ hν − E g 1.35 1.40 1.45 1.50 1.55

hν (eV)

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ASSORBIMENTO OTTICO III

Nel caso in cui il minimo della BC non corrisponda in


energia al massimo della BV (gap indiretto) l'energia
minima del fotone assorbito in una collisione e-fotone che
conservi energia e momento è maggiore di Eg. Infatti, dal transizione verticale a

Energia
momento che il minimo di BC e il massimo di BV non minima energia
hanno vettor d'onda identici, non è possibile conservare il
momento. hν
Sperimentalmente, però, anche i semiconduttori indiretti
assorbono fotoni di energia pari ad Eg. Si
Il momento mancante per poter fare una transizione dal
massimo di BV al minimo di BC viene fornita da fonone (hω)
(vibrazione reticolare). L'e deve, cioè, assorbire Vettor d’onda
contemporaneamente un fotone e un fonone di vettor d'onda
opportuno per effettuare la transizione. La medesima
transizione è permessa anche attraverso l'assorbimento di un

π (unità arbitrarie)
fotone e l'emissione di un fonone.

Emissione La probabilità di assorbimento, per


energie intorno a Eg, sarà pari a:
Energia

Assorb.
π ∝ N q (hν + hω − E g )2 (assorb) 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25 1.30 1.35

hν (eV)
+ ( N q + 1)(hν − hω − E g )
2
(emissione)
Vettor D'onda k
Nq rappresenta la densità di fononi Laboratorio Fisica dei Materiali I - 16
ASSORBIMENTO IV

La radiazione luminosa, attraversando uno


strato di spessore dx di un materiale, verrà in
parte assorbita a causa di collisioni fotone-
elettrone con conseguente eccitazione
I0 I0-dI elettronica su stati energeticamente più
elevati.
dx

La variazione dell’intensità dI del fascio luminoso è


proporzionale all’intensità luminosa incidente e allo
dI (ν ) = −α (ν ) I (ν )dx
spessore del materiale

Questo fa sì che, passando attraverso un


materiale di spessore d, l’intensità di luce
diminuisca secondo la legge:
I INT (ν , d ) = I i exp[− α (ν )d ]

ξ
α è detto coefficiente di assorbimento, ed è α (ν ) = π (ν )
proprorzionale alla probabilità di transizione π n(ν )ν

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ASSORBIMENTO V

Semiconduttori a

gap diretto:
CdS, GaAs, GaInAsAsP

gap indiretto
Si, Ge

Il coefficiente di assorbimento α è
proporzionale alla probabilità di
assorbimento π
α ( hν ) ∝ π ( hν )
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 18
SEMICONDUTTORI

Sperimentalmente, a bassa T, i
semiconduttori assumono valori
di σ < 10-10 (Ω
Ω-1cm-1)
[si comportano come isolanti]

Dal punto di vista della struttura a bande


semiconduttori e isolanti hanno una BV
completamente piena e una BC completamente
vuota separate da una zona proibita (gap).

L’unica differenza fra semiconduttori e isolanti è


data dal valore del gap energetico EG.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 19


LACUNE I

Ogni atomo di Si in nel cristallo ha 4 legami


covalenti con i suoi vicini. La BV è quindi piena,
Stati elettronici

la BC vuota. Gli elettroni sono in configurazione


bloccata (no conduzione).

Se estraiamo un elettrone dalla banda di valenza,


creiamo un legame covalente insaturo e una
lacuna all’interno della BV. L’elettrone estratto
lascia dietro di se una carica positiva e+.

Lo stato (o il legame) lasciato vuoto dall’estrazione


legami

dell’e- viene chiamata

LACUNA
E indicata con il simbolo h. La h ha carica postiva di
un e+.

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LACUNE II

Il legame insaturo (lo stato vuoto in


Stati elettronici

BV) può quindi essere riempito da


un elettrone proveniente da un
altro legame all'interno del cristallo
(stato di BV), permettendo quindi il
moto elettronico.

Anche se sono gli e a muoversi,


riempiendo di volta in volta il
legame insaturo (lo stato vuoto), il
moto totale può essere visualizzato
legami

come il moto della h all’interno del


cristallo.

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PORTATORI INTRINSECI I

Un e in BV, acquisendo una


quantità di energia pari a EG, può
passare in BC lasciando dietro di
sè una h.
Il processo può essere descritto
Energia
dalla seguente equazione
Termica
e + h ⇔ EG
L’energia EG necessaria può essere fornita dalle
vibrazioni reticolari del cristallo (temperatura).

Le coppie e-h generate per eccitazione termica sono


i portatori responsabili della conduzione elettrica in
semiconduttori intrinseci

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 22


PORTATORI INTRINSECI II

Secondo Boltzmann la probabilità


che un elettrone assorba un’energia
EG dal bagno termico del cristallo è
proporzionale a exp(-EG/kBT)
generando una coppia e-h.
La concentrazione di ni di e ed pi di
h è data quindi da: EG

k BT
ni pi ∝ e

Le coppie e-h dovute ad effetti termici


sono chiamate intrinseche, in quanto
presenti anche nel cristallo puro. La
EG
loro concentrazione è data da: −
2 k BT
ni = pi ∝ e
Si Ge GaAs
EG(eV) 1.12 0.66 1.42

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PORTATORI ESTRINSECI I

E' possibile introdurre portatori (e o h)


in un semiconduttore, e quindi variare
la sua resitività, mediante
l'introduzione di impurezze (droganti)
sostituzionali appartenenti a una
specie atomica differente da quella del
cristallo.

Nel caso di semiconduttori di tipo IV


(Si o Ge) i droganti sono di due tipi:

Donori: impurezze gruppo V (P o As),


introducono un e

Accettori:impurezze gruppo III (B),


introducono una h

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PORTATORI ESTRINSECI II

Donori: atomi gruppo V in semic. IV


DONORI Possiedono un elettrone in più rispetto a quelli necessari a
completare i 4 legami covalenti.

L’impurezza donore sostituzionale è


carica positivamente (carica +1e)
(carica ionica +5e con 4 elettroni di
legame a schermarla)

Il quinto elettrone di valenza è


debolmente legato all’impurezza da
forze Coulombiane.

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PORTATORI ESTRINSECI III

Accettori: atomi gruppo III in semic. IV


ACCETTORI Possiedono un elettrone in meno rispetto a quelli necessari
a completare i 4 legami covalenti.

L’impurezza accettore sostituzionale è


carica negativamente (carica -1e)
(carica ionica +3e con 4 elettroni di
legame a schermarla)

Il legame covelente insaturo costituisce


una lacuna debolmente legata
all’impurezza da forze Coulombiane

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 26


PORTATORI ESTRINSECI IV

Dal punto di vista della struttura a


bande, gli elettroni (e le lacune)
introdotti dalle impurezze si vanno
a porre su stati localizzati interni al
gap energetico nelle vicinanze
della BC (BV).

L’energia di legame ED (EA) è dovuta


all’attrazione Coulombiana con lo ione
carico di drogante

Il fatto che vi sia un’energia di legame


dell’e (h) fa sì che a T estremamente
basse questi siano legati all’impurezza
e non partecipino alla conduzione
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 27
PORTATORI ESTRINSECI V

NOMENCLATURA:

Un semiconduttore drogato con donori si dice di tipo n


I portatori maggioritari saranno gli e, i minoritari le h

Un semiconduttore drogato con accettori si dice di tipo p


I portatori maggioritari saranno le h, i minoritari gli e

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PORTATORI ESTRINSECI VI

Calcolo ED: l'energia di legame del sistema donore ed elettrone è equivalente ad quella di
un atomo di H, una volta che si sia tenuto conto delle variazioni imposte dalla presenza del
cristallo: differente costante dielettrica e massa elettronica (massa efficace).
EA può essere calcolata similmente

m0 e 4
E0 = − 2 2 = −13.6eV
2h ε 0
Atomo di H
ε 0h 2
r0 = − 2
= 0.53 A&
e m0
2
mn*e 4 mn*  ε 0 
ED = − 2 2 =   E0
Donore 2h ε m0  ε 
h 2ε ε m0
r= 2 * = r
* 0
e mn ε 0 mn

ED(Si)=0.12 eV; rSi=5Å


ED(Ge)=0.03 eV; rGe=16Å

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 29


PORTATORI ESTRINSECI VII

(in eV)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 30


AVVERTENZA

AVVERTENZA

Nelle prossime trasparenze si parlerà di Si drogato con


donori, ossia di tipo n (conduzione principalmente con e).

Tutte le deduzioni potranno essere applicate al caso di Si


drogato con accettori (tipo p) (conduzione dominata da h)
tenendo conto che:
1. La carica delle h è positiva
2. La massa efficace è differente
3. I fenomeni di collisione hanno sezioni d’urto differenti

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 31


PORTATORI ESTRINSECI VIII

B
A

All’aumentare della T in Si si ha:


a) Crescita di n dovuta alla
promozione degli e da drogante
(T< 100K)
n dipende da T attraverso un fattore di
b) Crescita di n dovuta a effetti
Boltzmann con un’energia di attivazione
intriseci (promozione e da BV a BC
pari ad ED a T molto basse ed a ED/2 per
– T> 500K)
T vicine al plateau.
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 32
PORTATORI ESTRINSECI IX

Ad una data T, la concentrazione di e è


dominata da effetti di tipo intrinseco
(processo B) o di tipo estrinseco
(processo A) a seconda del gap
energetico del semiconduttore

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 33


TRASPORTO I

Modello di Drude: tratta la conduzione considerando gli elettroni in un


conduttore equivalenti a un gas di particelle non interagenti
(teoria cinetica dei gas).
3
Assunzioni:
E cin = k BT
2
1. nessuna interazione e-e
2. collisioni istantanee con il cristallo che alterano la
velocità
3. la natura esatta del fenomeno di collisione non è
definita
4. L’effetto del cristallo è quello di modificare la massa
dell’elettrone (m*) L’e riemerge dalla zona di
collisione con la velocità
5. Il tempo medio fra le collisioni è τ
determinata dalla T del
6. gli elettroni si portano in equilibrio termico con il
cristallo. L’energia in eccesso
cristallo attraverso le collisioni
dovuta al lavoro del campo E
viene rilasciata al cristallo
J = −nev g durante la collisione.

Quando il trasporto elettrico è dovuto a un generico portatore di carica q J=nqvg


Laboratorio Fisica dei Materiali I - 34
TRASPORTO II

La velocità di gruppo degli e nel cristallo sottoposto a un campo elettrico E è


costituita da due termini
3kT
T v gT =
a) velocità termica vgT - a media v =0
g m*
b) velocità di deriva dovuta all'azione di E vgE - a media v gE ≡ vd ≠ 0
T
v g = vd + v g

Moto Termico Velocità di Deriva Moto Totale

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 35


TRASPORTO III

Equazione del moto di un e: dvd eE vd


=− * −
dt mn τ n

Accelerazione dovuta al campo elettrico


Termine di attrito dovuto alle collisioni

In condizioni stazionarie:
Sono le condizioni standard Mobilità:µn
per la misura di conducibilità eτ n vd = µ n E
dvd vd = − * E
=0 mn
dt
eτ n Mobilità nel modello di Drude
µn = − *
mn
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 36
TRASPORTO IV

Dato che:

eτ n
J = −nevd e vd = − * E
mn

ne 2τ n (J = σE )
J= *
E
m

ne 2τ n
Definizione di conducibilità nel σ=
modello di Drude
m*

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 37


TRASPORTO V

dvd eE v
Riprendiamo l’equazione di moto di un e in presenza di un campo E: =− * − d
dt mn τ n
Se ora spegniamo il campo E che ad un certo tempo t0,
da quel momento in poi l’equazione diventerà

dvd vd
E (t0 ) = Θ(t0 − t ) =−
dt τn
Con la condizione al contorno vd (t0 ) = ν 0

− ( t −t0 ) / τ n τn oltre al significato di tempo medio


vd (t − t0 ) = v0 e intercorrente fra due urti successivi può
essere interpretato anche come il tempo
caratteristico di rilassamento degli effetti di
campo E sugli e

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 38


TRASPORTO VI

Principali fonti di collisione

1) Impurità e difetti cristallini:

 Impurezze (anche droganti)


 Difetti di punto: vacanze o atomi interstiziali
 Difetti estesi: bordi di grano, dislocazioni

2) Vibrazioni reticolari (fononi)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 39


TRASPORTO VII
Semiconduttore
eτ n degenere. Non
Collisioni con impurezze:
µn = − * vale il modello di
mn conduzione
τcoll diminuisce all’aumentare della
conc. di impurezze

Nell’interpretare il grafico
bisogna tenere conto che i due
processi di collisione sono
entrambi attivi e indipendenti,
quindi:

1 1 1 T=300K
= +
τn τ imp τ fon

Se la concentrazione di impurezze è troppo bassa


la µ è dominata dalle collisioni con i fononi

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 40


TRASPORTO VIII

Semiconduttore “puro”
Collisioni con fononi:
τfon diminuisce all’aumentare della T

A causa del fatto che


entrambi i processi di

n impurezze
collisione sono attivi, a
parità di T, µ diminuisce
all’aumentare della conc. di
impurezze (l’effetto è
maggiore a basse T)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 41


TRASPORTO IX

ne 2τ n σ = −neµ n
σ= o
m*

Dipendenza σ (T)

Po
rt a
to r

n impurezze
Vi sono due fattori:

i in
1. n=n(T).

trin
2. τ = τ (T) [o, equiv. µ(T)]

se
c i
EG

2 k BT
Plateau estrinseco: qui la n di portatori è
ni = pi ∝ e
determinata dalla conc. di impurezze. Tutti gli e
sono in banda di conduzione.
Nel plateau la dipendenza della σ dalla T è
dovuta alle variazioni di τn
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 42
EFFETTO HALL I

Effetti di campo magnetico in un


cristallo percorso da corrente
B
Equazione del moto di un generico
portatore (e o h) di carica q (+e o –e)

dvd
* m * vd
m = qE + qvd × B −
dt τ

J
vd =
nq
Forza Coulombiana dovuta al
campo elettrico E (fornito dal
generatore) Sul portatore agiscono due forze,
Coulombiana e Lorenz, una nella
direzione del campo E (il portatore si
Forza di Lorenz, perpendicolare al moto dei
muove nella direzione imposta da E) e
portatori e al campo magnetico
l’altra perpendicolare sia ad E che a B

E,B e vd sono vettori !!!


Laboratorio Fisica dei Materiali I - 43
EFFETTO HALL II

Semplifichiamo il problema geometrico:


La corrente J fluisce lungo x
Il campo B viene applicato lungo z

In questo caso i
B portatori sono e

La forza di Lorenz spinge quindi i portatori a deviare la propria traiettoria e ad


accumularsi su un lato del materiale. Questo accumulo creerà un campo elettrico in
direzione y (Ey) che si opporrà all’ulteriore accumulo di portatori.
All’equilibrio Ey bilancerà la forza di Lorenz esercitata sui poratori dal campo B

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 44


EFFETTO HALL III

Partiamo dall’eq. del moto a cui


aggiungiamo la componente di Lorenz

dvd
* m * vd
m = qE + qvd × B −
dt τ

In condizioni stazionarie  dvd = 0 m *v d


 dt  E = − vd × B +
  qτ
J
E=
1 J σ
E=− J ×B+ J
nq σ vd =
nq

Il campo E ha quindi due J


componenti: Ex = Campo esterno
1. Parallela a J (quindi σ
diretta lungo x) JB
2. Perpendicolare a J e B Ey = Campo di Hall (indotto da B)
(diretta lungo y) nq
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 45
EFFETTO HALL IV

Il campo elettrico di Hall può essere riscritto:

JB
Ey = = RH JB
nq
1
RH = Il coefficiente di Hall RH ha segno concorde a
nq quello della carica del portatore ed è inversamente
proporzionale alla densità di carica
è detto coefficiente di Hall

Conoscendo RH e σ è possibili determinare la mobilità del cristallo.

 1 
RH σ =  (nqµ ) = µ H La mobilità così ricavata è detta
mobilità di Hall
 nq 
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 46
EFFETTO HALL V

Nei semiconduttori i le collisioni vengono alterate dalla presenza del campo magnetico.
La mobilità di Hall è quindi diversa da quella che determina la conducibilità per un fattore,
detto coefficiente di Hall (rH)

Si

µH =µnrH

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 47


METODO VAN DER PAUW I

semplicemente non semplicemente


Permette di misurare la conducibilità e la mobilità di connesso connesso
Hall di un campione piatto, sottile di forma arbitraria
ma semplicemente connesso.
Il metodo è adatto quindi a misurare le caratteristiche
dei wafer di silicio per micro-elettronica.

D
Condizioni per la validità del metodo:
1. Campione di spessore d<<D (D=dimensione
laterale media)
d
2. Dimensione contatti d<<D

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 48


METODO VAN DER PAUW II

a
RAB,CD Definisco resistenza equivalente RAB,CD il rapporto fra
la differenza di potenziale fra i contatti c e d e la
A corrente che fluisce fra a e b. Similmente definisco
d b una RBC,DA

c VC − VD VD − VA
V
RAC , BD = RBC , AD =
I AB I BC
RAC,BD e RBC,DA sono resitenze equivalenti (e non reali) in
quanto non misurano la resistenza al passaggio di corrente del
V materiale (i contatti di iniezione di I sono diversi da quelli di
a RBC,DA misura di V)

Tra le due esiste la relazione: ρ=1/σ


d resistività
b  πR AB ,CD d   πRBC ,DA d 
−  − 
 ρ   ρ 
c e +e =1
A

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 49


METODO VAN DER PAUW III

La resistività ρ del materiale risulterà:

πd RAB.CD + RBC , DA  RAB.CD 


ρ= f 
ln 2 2  RBC , DA 

La funzione f è tabulata
nell’articolo originale di
Van der Pauw

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 50


METODO VAN DER PAUW IV

La µH può essere calcolata misurando la variazione


della resistenza RAC,BD dovuta alla presenza di un
campo magnetico B applicato perpendicolarmente al
campione. La geometria dei contatti non è casuale,
dato che il campo di Hall è perpendicolare alla
b direzione della corrente e del campo B.

a
A d RAC , BD ( B) − RAC , BD (0)
c µH =
V B ρ
d B
Ricordare:
µ H = µrH

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 51


METODO VAN DER PAUW V

Errori del metodo:

a b c

∆ρ −d2 ∆ρ −d2 ∆ρ −d2


≈ ≈ ≈
ρ 16 D 2 ln 2 ρ 4 D 2 ln 2 ρ 2 D 2 ln 2
∆µ H − 2d ∆µ H − 4 d ∆µ H − 2 d
≈ 2 ≈ 2 ≈
µH π D µH π D µH πD

Gli errori dipendono dal rapporto d/D


(d questa volta non è lo spessore del wafer ma la quantità riportata in figura)
1. ∆ρ dipende quadraticamente da d/D
2. ∆µ dipende linearmente da d/D

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 52


GIUNZIONE P-N I

I semiconduttori drogati hanno impurità ioniche sostituzionali cariche


a) +e nel caso di donori
b) -e nel caso di accettori

Le cariche ioniche sono compensate dalla presenza di elettroni (donori) o


lacune (accettori)

Gli ioni carichi, essendo impurezze sostituzionali, sono in posizioni fisse


nel cristallo. Gli elettroni (o le lacune) introdotte dal drogaggio sono, a
T ambiente, cariche mobili,

Ioni donori elettroni Ioni accettori lacune

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 53


GIUNZIONE P-N II

Un cristallo ottenuto congiungendo un


semiconduttore n con uno p è
chiaramente un sistema fuori
equilibrio. Nella zona p vi è infatti un
eccesso di lacune, mentre nella zona
n un eccesso di elettroni. Fra le due
zone vi è quindi una differenza nel
potenziale elettrochimico Ψ. Questo
indurrà un flusso di e da n a p e un BC
flusso di h da p a n.
Ed
Ψ
Ea
BV

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 54


GIUNZIONE P-N III

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 55


GIUNZIONE P-N IV

Gli e che giungono nella regione p del cristallo


troveranno h con cui ricombinarsi (l’e in BC va
ad occupare lo stato vuoto in BV – ossia va a
saturare il legame insaturo corrispondente alla
h). La situazione inversa capita alle h che si
portano sul lato n della giunzione.

Si crea una zona all’interfaccia priva di portatori E


liberi e con carica spaziale fissa dovuta alle
impurità ionizzate (ZONA SVUOTATA).
Le cariche ioniche non schermate generano un
campo elettrico E che si oppone al flusso di e ed
h.
Dal punto di vista energetico la
differenza di potenziale indotta dal
campo elettrico generato dalle
BC cariche ioniche nude genera una
Ed differenza di potenziale che rende
Ψ Ψ identico sui due lati della
Ea
giunzione
BV
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 56
GIUNZIONE P-N V

Calcolo campo elettrico E e potenziale Φ

Data una distribuzione di carica ρ il potenziale


si calcola risolvendo l’equazione di Poisson
d 2φ ρ dE ρ
= − ossia − =
dx 2 ε dx ε
Nella regione n ρ = eND per x<xn
mentre in p ρ = -eNA per x>-xp

eN D
E ( x) = − ( xn − x ) ( 0 < x < xn )
ε
eN A
E ( x) = ( x − x p ) ( − x p < x < 0)
ε
Il valore minimo di E è raggiunto alla giunzione
− eN D xn
EM =
ε
Il fatto che il semiconduttore sia globalmente
neutro fa si che
N A x p = N D xn
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 57
GIUNZIONE P-N VI

Integrando il campo E si ottiene Φ

eN D
φ ( x) = φn − ( xn − x ) 2

eN
φ ( x) = φ p + A ( x − x p ) 2

La differenza di potenziale ai due capi


della giunzione (Φi= Φn- Φp) è

kT  N D N A 
φi = ln 2

e  ni 

ni è la conc. di portatori intrinseci (dipende da T!)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 58


GIUNZIONE P-N VII

Effetti di polarizzazione.
Non polarizzata

Collegando la giunzione p-n a un generatore di


tensione si ottengono i seguenti effetti:
a) se se applica il polo + del generatore alla zona p
della giunzione e il polo - a quella n (detta
Polarizzata diretta polarizzazione diretta) la differenza di
potenziale fra le due zone della giunzione
diminuisce e la zona svuotata si restringe
b) se se applica il polo + del generatore alla zona n
della giunzione e il polo - a quella p (detta
polarizzazione inversa) la differenza di
potenziale fra le due zone della giunzione
aumenta e la zona svuotata si allarga
Polarizzata inversa c) la caduta di potenziale applicata agli estremi del
cristallo avverrà interamente all'interno della
regione svuotata in quanto le zone n e p non
svuotate si comportano come conduttori

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 59


GIUNZIONE P-N VIII

POLARIZZAZIONE
INVERSA

POLARIZZAZIONE
DIRETTA

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 60


GIUNZIONE P-N IX
L'equilibrio di una giunzione p-n è dinamico. Vi Le correnti Jg e Jr coinvolgono sia
sono infatti due correnti, dette di generazione (Jg) e (Jng,Jnr) che h (Jpg,Jpr)
e di ricombinazione (Jr) che fluiscono all'interno
della giunzione la cui somma è nulla. Jr
BC
Jg: corrente di portatori minoritari (h da n→p
oppure e da p→n). È una favorita dal campo E Jg
di giunzione. I portatori coinvolti sono generati
termicamente nelle vicinanze della zona
svuotata.

Jr: corrente di portatori maggioritari (e da


n→p oppure h da p→n). È una corrente
attivata termicamente (i portatori acquisiscono p
dalla T l’energia necessaria a superare la n
barriera di potenziale)

All’equilibrio in assenza
J nr (0) = J ng (0)
BV
di polarizzazione J pr (0) = J pg (0)
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 61
GIUNZIONE P-N X

Le correnti dipendono dallo stato di polarizzazione della giunzione. In particolare:


1. Jg non viene influenzata dal potenziale applicato (gli elettroni generati termicamente sono
già tutti raccolti dal campo della giunzione)
2. Jr viene influenzata in quanto il potenziale elettrico applicato varia la barriera di potenziale
che i portatori dovranno superare.

Trattiamo solo h. Per V + ≡ ∆V in polarizzazione diretta p n


le correnti di e valgono
ragionamenti analoghi. V − ≡ ∆V in polarizzazione inversa

Polarizzazione diretta
∆V
Polarizzazione inversa
− J pg (V + ) = J pg (0)
J pg (V ) = J pg (0)
 e|V + | 
 e|V − |   
−   kT 
 
−  kT 
  J pr (V + ) = J pr (0)e
J pr (V ) = J pr (0)e

Fattore esponenziale dovuto alla statistica di Boltzmann. Indica che il processo che attiva Jpr è
attivato termicamente. In polarizzazione inversa l'innalzamento della barriera di potenziale
riduce il numero di h che possiedono, a una T, l'energia sufficiente a passare dal lato p a quello
n della barriera. La riduzione della barriera in polarizzazione diretta invece favorisce il passaggio
delle h da p a n incrementando la Jpr
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 62
GIUNZIONE P-N XI

Convenzione: ∆V positivo se applicato


La corrente totale circolante nella giunzione: in diretta, negativo se in inversa

J nr (0) = J ng (0) p n
J = J p + Jn J pr (0) = J pg (0)
= ( J pr − J pg ) + ( J nr − J ng )
eV / kT eV / kT
V
= J pr (0)e − J pg (0) + J nr (0)e − J ng (0)
= J pg (0)e eV / kT − J pg (0) + J ng (0)e eV / kT − J ng (0)
[ ][
= J pg (0) + J ng (0) ⋅ e eV / kT − 1 ]
Passando dalle J (densità di corrente) alle I (correnti):

[ ][ ] [
I = I pg (0) + I ng (0) ⋅ e eV / kT − 1 = I s e eV / kT − 1 ]
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 63
GIUNZIONE P-N XII

Crescita esponenziale in diretta


p n
V

Una giunzione p-n è anche detta Diodo

Curva caratteristica I-V del diodo ideale

[
I (V ) = I s e eV / kT − 1 ]

Is= corrente di saturazione


(è data dalla somma delle
correnti di generazione di e
e di h)

Saturazione in inversa
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 64
GIUNZIONE P-N XIII

Diodo Reale

diretta
[
I (V ) = I s (V ) e eV /ηkT − 1 ]
η=fattore di non-idealità
In diodi Si:
a) η≈2 per correnti deboli
inversa
b) η≈1 per correnti intense
Tiene conto degli effetti di
ricombinazione e generazione
termica nella zona svuotata

La corrente di saturazione IS
mostra una dipendenza dal
voltaggio applicato
Tensione di rottura del diodo

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 65


GIUNZIONE P-N XIV

Quando si illumina una giunzione p-n, i fotoni


di energia superiore a Eg vengono assorbiti e
creano nel cristallo coppie e-h libere. Il campo
E alla giunzione separa le coppie generate E
nella zona svuotata, riducendo la probabilità di
ricombinazione e spingendo gli e verso la
zona n e le h verso la zona p. Questo genera
una corrente concorde alla corrente di
generazione. Portatori generati fuori dalla
zona svuotata non producono alcun effetto in
quanto, non essendovi campo elettrico, si
ricombinano rapidamente.
h e
JL
L’illuminazione della giunzione produce quindi
una corrente anche in assenza di polarizzazione. J L || J g

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 66


GIUNZIONE P-N XV

La curva I(V) della giunzione viene quindi modificata:

[ ]
I = I s e eV / kT − 1 − I L

IL, la corrente generata dall’assorbimento


di fotoni nella zona svuotata della
giunzione, sarà proporzionale al flusso di
fotoni che illumina la zona svuotata (di
spessore d) e alla probabilità che questi
vengano assorbiti

IL ∝ Φ
I L ∝ [1 − exp(−αd )]

IL è anche detta corrente di corto circuito


(ISC), in quanto I=-IL quando V=0

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 67


GIUNZIONE P-N XVI

Una giunzione illuminata a circuito aperto genera una tensione,


detta tensione di circuito aperto (VOC) il cui valore si ottiene p n
ponendo I=0 nella curva I(V) della giunzione illuminata:
V
kT  I L 
VOC = ln + 1
e  Is 

VOC,ISC
VOC∝ logΦ
A circuito aperto I=0. Quindi, l’aumento della
corrente di generazione dovuto
all’assorbimento di luce viene compensato da
un identico aumento della Jr. Tale aumento è
causato dalla VOC, tensione dovuta ISC∝ Φ
all'accumulazione di carica fotogenerata
dovuta alle correnti di portatori minoritari.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 68


GIUNZIONE P-N XVII – CELLA FOTOVOLTAICA I

Dal momento che la curva I(V) della giunzione illuminata entra nel IV quadrante, la
giunzione collegata a un carico può generare potenza elettrica.

VOC

Vi,Ii
ISC Le celle fotovoltaiche utilizzano
V=RLI giunzioni p-n di struttura opportuna
per la conversione di energia
luminosa in energia elettrica.

La potenza generata da una giunzione illuminata,


chiusa su un carico R, è data dal prodotto Vi Ii

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 69


CELLA FOTOVOLTAICA II
Variando la RL si può ottimizzare la potenza elettrica estratta dalla cella. Questa sarà
massima per una scelta di RL dipendente dal tipo di cella e dalle condizioni di
illuminazione.
Quanto più la curva I(V) della giunzione nel IV quadrante è "squadrata", maggiore
sarà la potenza elettrica che è possibile estrarre (maggiore efficienza di conversione
potenza luminosa potenza elettrica). Il “Filling Factor” è appunto una misura di
quanto la curva nel IV quadrante sia approssimabile con un rettangolo.

PMax I SCVOC
η= = FF
Pin Pin

Pin è la potenza luminosa incidente

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 70


CELLA FOTOVOLTAICA III

CARATTERISTICHE

1. Basate su semiconduttori drogati


(giunzioni p-n)
2. Assorbono alcune frequenze (legate al
bandgap)
3. Trasferiscono gli elettroni (e le lacune) in
eccesso generando una corrente
continua
4. Rendimento ottimale: 25% ca., ma di
solito non supera il 15%

I SCVOC
Rendimento: η = FF
Pin
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 71
CELLA FOTOVOLTAICA IV
Solo una (piccola) parte dello spettro elettromagnetico ha l’energia adatta a promuovere
l’assorbimento

Grande lunghezza di penetrazione: Energia insufficiente a superare Eg


rilasciano poca energia

Lo spettro solare che raggiunge il suolo è


quello di un corpo nero a 5000-6000 C
modificato dall’assorbimento dell’aria

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 72


CELLA FOTOVOLTAICA V

Semiconduttori a gap minore


assorbono una maggiore quantità
fotoni generando una corrente più
elevata. Parte dell’energia viene
dissipata all’interno della banda. In
uscita ogni coppia e-h ha un’energia
proporzionale a Eg. Quindi, a parità di
corrente è possibile estrarre una
maggiore energia da semiconduttori
a più gap elevato. Il compromesso è
un semiconduttore a Eg≈1.4 eV

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 73


CELLA FOTOVOLTAICA VI

Una vera cella solare è costituita da diversi elementi

Semiconduttori usati

singolo cristallo
Si policristallino
amorfo
GaAs

CuInSe2

CdTe

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 74


spettroscopia

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 75


SPETTROSCOPIA

ARGOMENTI

• METODOLOGIE SPERIMENTALI IN
SPETTROSCOPIA OTTICA
• SORGENTI, MONOCROMATORI, RIVELATORI
• SPETTROFOTOMETRO E
SPETTROFLUORIMETRO

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 76


SPETTROSCOPIA I

La spettroscopia ottica permette:

a) Analisi spettrochimica: determinazione qualitativa e quantitativa


degli elementi (emissione, assorbimento ottico, microsonda)

b) Comprensione della struttura elettronica dei materiali degli atomi,


delle molecole e dei solidi

c) Determinazione di parametri fisici di atomi, molecole o cristalli


(temperatura, pressione, velocità, etc.) da larghezza o spostamento
(shift) delle righe spettrali

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 77


SPETTRO ELETTROMAGNETICO I

I confini fra le varie regioni sono arbitrari, tranne che per il visibile λVIS : 0.4 − 0.7 µm

λ : 10 −13 → 103 m c
ν=
Estremi spettro e.m.
21 5 λ
ν : 3 ⋅10 → 3 ⋅10 Hz
c = 2.998 ⋅108 m/s

hc 1.2395
Energia dei fotoni: E = hν = = eV
λ λ ( µm )

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 78


SPETTRO ELETTROMAGNETICO II

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 79


TECNICHE SPETTROSCOPICHE I

Le principali tecniche di spettroscopia ottica:

1. Riflessione
2. Trasmissione
3. Emissione (questa comprende luminescenza, Raman e Brillouin)

Le tre tecniche di spettroscopia ottica fanno uso di tre componenti ottici


principali, assemblati in opportuna configurazione dettata dalla
geometria della tecnica.

I principali componenti ottici sono:

1. Sorgente di luce
2. lenti, specchi, filtri e monocromatori
3. Rivelatore

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 80


TECNICHE SPETTROSCOPICHE II

SORGENTE
EMISSIONE

E
I ON
ANALISI e

Z
TRASPORTO

LA

O
PO e
RT
E

AS SI
RIV

TR NALI
A
CAMPIONE

ANALISI e
RIFLESSIONE TRASMISSIONE
TRASPORTO
ANALISI e
RIVELAZIONE TRASPORTO

RIVELAZIONE

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 81


TRASMISSIONE E RIFLESSIONE I

In un esperimento di trasmissione o riflessione si fa incidere


un fascio luminoso, di intensità I0 e lunghezza d'onda λ=c/ν,
sul campione. Parte del fascio verrà riflesso. Il rapporto fra
intensità luminosa riflessa e incidente è detta riflettività
I0 IT (R(ν)). La parte del fascio luminoso che entra nel materiale
può essere assorbita durante la sua propagazione da
eccitazioni interne al campione. In uscita dal campione
avremo un fascio luminoso trasmesso pari a I0*T(ν). T(ν). è
detta trasmittività.

d
IR La misura della quantità di luce trasmessa dal campione in
funzione di ν ci dà accesso al coefficiente di trasmissione α,
legato alla probabilità π di collisioni anelastiche e-fotone all'interno
del materiale. Infatti l’intensità luminosa trasmessa internamente
dal materiale sarà:
I INT (ν , d ) = I i exp[− α (ν )d ]
Anche le misure di riflettività danno accesso ad informazioni riguardanti π, anche se la sua
estrazione della probabilità da misure di riflessione risulta più complicata (uso della
relazione di Kramers-Kronig)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 82


TRASMISSIONE E RIFLESSIONE II

Nelle misure di trasmissione si studia la dipendenza della trasmittività in funzione di ν.

Infatti

I INT (ν , d ) = I iT (ν ) = I i exp[− α (ν )d ]
quindi

1  I i (ν )  1  1 
α (ν ) = ln  = ln 
d  I INT (ν )  d  T (ν ) 

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 83


TRASMISSIONE E RIFLESSIONE III

I0 IT
Misure di trasmissione e riflessione in incidenza normale
per campioni a facce piane e parallele sono influenzate
dalle riflessioni multiple

IR d

Indice di rifrazione

R(ν ) =
(1 − n(ν ) ) + k (ν )
2 2

(1 + n(ν ) ) + k (ν )
2 2

Coefficiente di estinzione
4πα (ν )
k (ν ) =
λ
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 84
TRASMISSIONE E RIFLESSIONE IV

Tenendo conto delle riflessioni multiple (ma trascurando interferenza – spessori X>>λ):
∞ ∞
I T = ∑ I Tn =∑ (1 − R 2 ) I 0 R 2( n −1) exp[−(2n − 1)αX ] =
n =1 n =1

= (1 − R ) I 0 ∑ R 2 n [exp(−αX )]
2 n +1
R[1 − exp(−2αX )]
2
=
n =0 IR = I0

1 − R 2 exp[−2αX ]
[
= (1 − R ) I 0 exp(−αX )∑ exp(−2αX ) R 2 =
2
]
n

n =0

(1 − R) 2 exp[−αX ]
= I0
1 − R 2 exp[−2αX ]

Se siamo in regioni di ν dove il materiale


I T = (1 − R ) 2 exp(−αX ) I 0
assorbe: (αX >> 1)
I R = RI 0

Vi è sempre un contributo dovuto alle perdite


per riflessione nelle misure di trasmissione
che deve essere corretto per ottenere α
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 85
TRASMISSIONE E RIFLESSIONE V

esempio: misure di trasmissione in un campione


contenente una molecola con 5 transizioni permesse

1.0
0.9
0.8
I0 IT 0.7
0.6
0.5

T
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Energia

La dipendenza di α dalla ν mi permette di α


determinare:
1. Energia delle transizioni permesse
2. Vita media dello stato (larghezza di riga
- ∆E∆t≈h) Energia
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 86
EMISSIONE

In un esperimento di emissione si porta il campione


in uno stato elettronico eccitato. Si misura quindi la
radiazione luminosa emessa. Questa corrisponderà
alle transizioni elettroniche permesse che vengono
seguite dall’elettrone durante il cammino di
diseccitazione.
Un modo per portare il campione su uno stato
elettronico eccitato è quello di far incidere sul
campione un fascio luminoso monocromatico di
energia sufficiente (hν) a portare il sistema su uno
stato elettronico eccitato (fotoluminescenza).

Emissione
La dipendenza dell’intensità di emissione
dalla ν permette di determinare:
1. Energia delle transizioni permesse
2. Vita media dello stato (larghezza di
riga - ∆E∆t≈h)

Energia
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 87
ECCITAZIONE DI FOTOLUMINESCENZA

Una tecnica “mista” trasmissione-emissione è


quella della eccitazione della fotoluminescenza.
In questa tecnica si monitora la dipendenza
dell’intensità di emissione di una riga nello
spettro di emissione in funzione della lunghezza
d’onda della radiazione incidente. Lo spettro
risultante sarà la convoluzione dello spettro di
assorbimento del materiale con la probabilità di
trasferimento dell’eccitazione dal canale di
assorbimento a quello di emissione

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 88


RAMAN

Effetto Raman: interazione anelastica del fotone con i


fononi (vibrazioni) del materiale che comporta l’emissione
o l’assorbimento di uno o più fononi.
La spettroscopia Raman permette
hνL±hωj/2π la misura dell’enrgia delle vibrazioni
hνL del materiale. Il fotone interagisce
però solo con un sottoinsieme dei
fononi del materiale con diverse
regole di selezione rispetto
all’assorbimento IR.
Energia del fonone emesso

stokes anti-stokes

ν=ω/2π
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 89
STRUMENTAZIONE PER SPETTROSCOPIA

La strumentazione necessaria per un esperimento di


spettroscopia ottica può essere classificata in tre
principali categorie:

1. Sorgenti luminose

2. Apparati di analisi

3. Rivelatori

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 90


SORGENTI LUMINOSE

Tipi di sorgenti:

a) Corpo nero
b) Lampade a filamento (anche alogene)
c) Lampade a scarica a bassa pressione
d) Lampade a scarica ad alta pressione
e) Laser

I fattori di merito della sorgente sono:


1. Luminosità
2. Estensione spettrale

Fattori riducenti la luminosità


1. Perdite per assorbimento (aria, finestre, ottiche rifrattive, filtri, etc.)
2. Perdite per riflessioni (limitabili con coating)
3. Specchi con efficienza < 100%

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 91


CORPO NERO

Il corpo nero è una cavità con foro a temperatura controllata


Uso: sorgente campione di intensità di illuminazione e di distribuzione
spettrale nota

8πν 2 hν
ρ (ν ) = 3
c exp(hν / kT ) − 1

Emissività (energia totale emessa) Massimo di emissione (legge di Wien):


legge di Stefan-Boltzman: λMAXT=j (j=2.884 10-3 m K)
B=σT4 (σ=5.6693 10-8 W m-2 K-4)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 92


LAMPADE A FILAMENTO

Spettro simile a quello di un corpo nero

a) Temperatura di esercizio ≈ 3000 K


b) Emissività (relativa al corpo nero) < 1

Uso: sorgente per misure di assorbimento e riflettività

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 93


LAMPADE A SCARICA A BASSA PRESSIONE
Queste lampade sono costituite da un'ampolla di
quarzo contenente vapori a bassa pressione di
una specie atomica e due elettrodi. Quando è
accesa, una scarica di elettroni passa fra l'anodo
e il catodo collidendo con gli atomi del vapore e
portando gli elettroni di valenza di questi su stati
eccitati. La conseguente diseccitazione
elettronica porta all'emissione di luce. Lo spettro
emesso è quello caratteristico della specie
atomica costituente il vapore.

Caratteristiche:
a) Spettro a righe (dipende dalla specie
atomica)
b) bassa emissività

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 94


LAMPADE AD ALTA PRESSIONE
Queste lampade sono costituite da un'ampolla di quarzo
contenente vapori di una specie atomica ad alta pressione. Date le
alte pressioni di esercizio della lampada, il passaggio di elettroni fra
gli elettrodi crea un plasma nella zona della scarica.

Caratteristiche:
a) Spettro tormentato
b) Alta luminosità
c) Emissione fino al vicino UV

Gas di riempimento: mercurio, xenon, deuterio, idrogeno

All’aumentare della
pressione nella lampada
si ha la transizione fra
l’emissione di tipo
atomico (a righe definite)
e quella di plasma
(spettro continuo e
tormentato)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 95


CONFRONTO EMISSIVITA’

alogena

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 96


SISTEMI DI ANALISI

Per l’analisi o la selezione della λ della luce emessa da sorgente/campione si


utilizzano principalmente i MONOCROMATORI, strumenti che utilizzano sistemi
dispersivi quali:

 Reticolo di diffrazione
 Prisma
Elemento dispersivo

Strumento di analisi
mediante elemento
Spettri emissione dispersivo (prisma o
reticolo)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 97


DISPERSIONE E POTERE RISOLUTIVO
La capacità di un sistema dispersivo di produrre spettri utili a misurare con precisione le
lunghezze d’onda è determinato da due proprietà:
1. La separazione angolare ∆θ tra righe spettrali che differiscono in lunghezza d’onda di
∆λ (dispersione)
2. La capacità di risolvere due righe spettrali di lunghezza d’onda media λ e
separazione ∆λ (potere risolutivo)
Sistema Bassa D
dispersivo Basso R

Alta D
∆θ Basso R
Dispersione: D=
∆λ

λ Bassa D
Potere risolutivo: R= Alto R
∆λ
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 98
RETICOLO DI DIFFRAZIONE

Parametri costruttivi del reticolo:


N = numero totale di solchi Equazione del reticolo:
Ordine del massimo
D = distanza fra i solchi
d sin θ = mλ m∈Z

m
D= R = Nm
d cos θ

ORDINI SUPERIORI

Il reticolo non crea una corrispondenza


univoca λ - θ. Infatti, ad una direzione θ di
diffrazione corrisponde un insieme di λ
corrispondenti ai diversi ordini di diffrazione
(m=1,2,3,...)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 99


PRISMA

Vantaggi del prisma: Svantaggi del prisma:

1. Mezzo semplice ed economico 1. Dispersione e potere risolutivo bassi


2. Non c’è sovrapposizione di ordini 2. Bassa luminosità
3. Basse perdite nel vicino UV 3. Non usabile nel lontano UV e nel vicino IR

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 100


MONOCROMATORI A RETICOLO I
FUNZIONAMENTO:
La luce da analizzare/selezionare viene
focalizzata sulla fenditura di ingresso.
Attraverso un sistema ottico (lenti e/o
specchi) la luce in ingresso viene quindi
inviata in fascio parallelo sul reticolo di
diffrazione. La luce diffratta viene quindi
raccolta da un secondo sistema ottico e
inviata alla fenditura di uscita. A seconda
dell'angolazione fra il fascio luminoso e il
reticolo verrà selezionata una differente λ

Schema monocromatore Czerny-Turner Parametri:


1. Lunghezza focale f (a parità di D
f del reticolo una f maggiore
fenditure
permette di separare meglio le
componenti spettrali)
Reticolo
2. Apertura (luminosità del sistema)
3. Larghezza delle fenditure δ (la sua
regolazione permette di variare la
banda passante del sistema)
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 101
MONOCROMATORI A RETICOLO II

Banda passante (BP): distanza minima ∆λ fra due righe spettrali che il
monocromatore è in grado di risolvere.

ξ
BP = δ ξ=costante
f ⋅D

Anche una luce monocromatica avrà in uscita dal monocromatore uno spettro
allargato di una quantità corrispondente alla BP.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 102


RIVELATORI I

Servono per trasformare un segnale luminoso in un segnale elettrico.

Principali rivelatori

• Rivelatori termici
• Fotoresistori
• Fotodiodi
• Tubi fotololtiplicatori

Parametri fondamentali:

1. Risposta spettrale
2. Detettività (rapporto segnale luminoso/elettrico)
3. Tempo di risposta

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 103


RIVELATORI II

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 104


RIVELATORI TERMICI

RIVELATORI A TERMOCOPPIA:
Termocoppia con una giunzione che
assorbe la luce
•Risposta spettrale piatta
•Bassissima detettività

PIROELETTRICI:
Sono costituiti da un condensatore con
all’interno un materiale la cui
polarizzazione dipende dalla T. Il
riscaldamento dovuto all’assorbimento di
luce modifica la polarizzazione del
materiale producendo una variazione della
capacità del condensatore (si misurano
solo variazioni –segnali modulati)
Risposta spettrale piatta
Bassissima detettività (un po’ meglio che
le termocoppie)
Laboratorio Fisica dei Materiali I - 105
FOTODIODI - FOTORESISTORI

FOTOCONDUTTORI
Sono materiali semiconduttori in cui
l’assorbimento di luce provoca una
variazioned i densità di carica libera e
quindi di conducibilità. Tipici materiali
sono PbS e PbSe.
•Risposta spettrale estesa nel NIR
•Discreta detettività

FOTODIODI
Sono giunzioni p-n di semiconduttori
opportuni. La misura dell’intensità
luminosa è data ISC della giunzione
(vedi trattazione fotocelle nella sezione
precedente)
Risposta spettrale limitata
Ottima detettività

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 106


FOTOMOLTIPLICATORI

Fra un dinodo e l’altro vi è una


FOTOMOLTIPLICATORI
differenza di potenziale ∆V
Il rivelatore è costituito da un
fotocatodo e da una serie di anodi
(dinodi) posti a differenze di potenziale
fisse uno dall’altro. Il fotone viene
assorbito dal fotocatodo generando un
fotoelettrone. Questo viene accelerato
verso il primo anodo dalla differenza di
potenziale ∆V, arrivando quindi sul
dinodo con una energia pari a e∆V. Se
∆V è sufficiente, l’urto dell’e strapperà
al dinodo un numero di elettroni (3-5).
Questi verranno accelerati dalla ∆V fra
il primo e il secondo dinodo, ripetendo
il processo. Si possono raggiungere
fattori di amplificazione di 6-8 ordini di
grandezza
•Risposta spettrale principalmente nel VIS e VUV
•elevata detettività

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 107


SPETTROFOTOMETRO DOPPIO RAGGIO I

RIVELATORE
REFERENCE R (λ ) : assorbimento del campione
Segnale "Sample": S S (λ ) = β S (λ )T (λ ) I (λ )
SELEZIONE λ CAMPIONE Segnale " Reference": S R (λ ) = β R (λ ) I (λ )
(MONOCROMAT.)
S S (λ ) β S (λ )
Rapporto q1 (λ ) = = T (λ )
S R (λ ) β R (λ )
RIVELATORE
SAMPLE Baseline : come q1 ma senza campione
SPECCHIO
SEMIRIFLETT. S S (λ ) β S (λ )
q2 (λ ) = =
S R (λ ) β R (λ )

Permette di misurare in contemporanea


I0(λ) e IT(λ) permettendo quindi avere in Quindi
uscita direttamente T(λ) q1 (λ )
T (λ ) =
Attenzione che i due cammini ottici e i q2 (λ )
due rivelatori non sono identici.
Bisogna calibrare il sistema (misura
baseline)

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 108


SPETTROFOTOMETRO DOPPIO RAGGIO II

Parametri fondamentali:

a) Campo spettrale (definisce gli estremi max e min in λ dove può


operare
b) Banda passante (risoluzione effettiva)
c) Tempo di risposta (τ - tempo caratteristico RC dell’elettronica di
amplificazione)
d) Velocità di scansione (è legata alla BP e al τ dalla relazione
V=BP/5 τ)
e) Accuratezza nella determinazione di λ
f) Riproducibilità in λ
g) Luce diffusa (imperfezioni nei reticoli etc possono diffondere luce
che va a costituire un background sulle misure)
h) Accuratezza e precisione nella misura delle intensità luminose

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 109


SPETTROFOTOMETRO DOPPIO RAGGIO III

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 110


SPETTROFLUORIMETRO I

RIVELATORE
REFERENCE Permette di selezionare indipendentemente la
lunghezza d’onda di eccitazione, mediante il
monocromatore di eccitazione e quella di
SELEZIONE λ emissione, mediante il monocromatore Di
CAMPIONE
ECCITAZIONE emissione. L’intensità luminosa emessa dalla
sorgente monocromaticizzata è monitorata dal
rivelatore di reference.
Permette di fare misure di fotoluminescenza,
SPECCHIO
SEMIRIFLETT.
eccitazione della fl e Raman

Spettri di fotoluminescenza:
SELEZIONE λ 1. Selezione λECC mediante monoc. ecc.
EMISSIONE 2. Scansione λEMI>λECC mediante monoc. emi.
Spettri di eccitazione della fotoluminescenza:
1. Selezione λEMI mediante monoc. emi.
RIVELATORE 2. Scansione λECC<λEMI mediante monoc. ecc.
SEGNALE
Spettri Raman:
1. Selezione λECC mediante monoc. ecc.
2. Scansione λEMI><λECC (stokes e antistokes)
mediante monoc. emi.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 111


SPETTROFLUORIMETRO II

Parametri fondamentali:

a) Campo spettrale (definisce gli estremi max e min in λ dove può


operare
b) Banda passante (risoluzione effettiva)
c) Tempo di risposta (τ - tempo caratteristico RC dell’elettronica di
amplificazione)
d) Velocità di scansione (è legata alla BP e al τ dalla relazione
V=BP/5 τ)
e) Accuratezza nella determinazione di λ
f) Riproducibilità in λ
g) Luce diffusa (imperfezioni nei reticoli etc possono diffondere luce
che va a costituire un background sulle misure)
h) Accuratezza e precisione nella misura delle intensità luminose

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 112


SPETTROFLUORIMETRO III

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 113


APPENDICE

sicurezza in
laboratorio

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 114


SICUREZZA IN LABORATORIO - I

Norme Generali

 Prima di iniziare l’attività sperimentale, é necessario assicurarsi


che le vie di fuga dal Laboratorio non siano impedite da ostacoli di
qualsiasi natura. Si deve procurare di mantenerle sgombre durante
la permanenza in Laboratorio (non spostare sedie, banchi,
materiale di imballaggio, borse o altro davanti alle porte anti-
panico).
 Lasciare libero l’accesso al telefono del Laboratorio (attivato solo
per chiamate interne al Dipartimento e per quelle di emergenza).
 In Laboratorio é vietato fumare. E’ anche vietato consumare cibi
e bevande.
 Non ingombrare i banchi da laboratorio con materiale
infiammabile. Mantenere sgombre e ventilate le apparecchiature
elettriche.
 Depositare i rifiuti negli appositi cestini.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 115


SICUREZZA IN LABORATORIO - II

Utilizzo della Strumentazione e del Materiale di Laboratorio

 Consultare il personale responsabile prima di utilizzare la strumentazione


di Laboratorio, in particolare prima di dar tensione alle apparecchiature
elettriche.
 Nei banchi di misure elettriche, disattivare i generatori di potenza prima di
apportare modifiche ai collegamenti elettrici.
 Non abbandonare sorgenti di calore (saldatori o riscaldatori alimentati) su
banchi incustoditi e riporli al loro posto solo dopo che si siano
opportunamente raffreddati.
 Rivolgersi al personale di Laboratorio per lo smaltimento di eventuale
materiale chimico.
 Ciascuno studente é responsabile della esecuzione dell’esperimento in
opportune condizioni di sicurezza. Al termine di ogni esperimento si deve
riporre con cura il materiale utilizzato, lasciando i banchi puliti e ordinati.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 116


SICUREZZA IN LABORATORIO - III

POTENZIALI FONTI DI RISCHIO

1. Circuiti elettrici

2. Radiazione luminosa

3. Trapani ed altri utensili

4. Campi magnetici

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 117


SICUREZZA IN LABORATORIO - IV

CIRCUITI ELETTRICI

1. Correnti anche piccole (circa 100 mA) che attraversano il corpo


possono provocare morte per folgorazione.
2. La resistenza del corpo dipende da molti fattori.
3. Fino a poche decine di volt non si corrono seri pericoli.
4. La tensione di rete (220 V AC) é pericolosa, ma usualmente non
accessibile se non si effettuano operazioni avventate (per esempio
aprire uno strumento!).
5. La protezione con interruttori differenziali (DI = 30 mA) é efficace
solamente tra fase e massa.
6. L'alta tensione é pericolosa se il generatore può erogare, anche
solo impulsivamente, correnti non piccolissime (vedi punto 1).

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 118


SICUREZZA IN LABORATORIO - V

RADIAZIONE LUMINOSA

Campo Spettrale : UV, VIS e NIR

UV : pericolosi anche a bassa densità (congiuntiviti ed eritemi)


Sorgenti : lampade al mercurio - lampade al deuterio

VIS e NIR : pericolosi per l'occhio ad alta densità,


per la pelle a densità molto alta
Sorgenti pericolose : laser

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 119


SICUREZZA IN LABORATORIO - VI

UTENSILI VARI e CAMPI MAGNETICI

1. Attenzione alle parti ad alta temperatura (saldatori, riscaldatori,


ecc...) per evitare ustioni.

2. Attenzione ai surriscaldamenti (di origine elettrica o eventualmente


meccanica) per evitare incendi.

3. Attenzione ai solventi usati per la pulizia: alcuni sono infiammabili.

4. Attenzione a non avvicinare oggetti metallici (utensili vari) al


magnete.

Laboratorio Fisica dei Materiali I - 120