Experimento de laboratorio 16

Amplificador de voltaje
con MOSFET

Objetivos varia~iones en las caracteristical entre tran-

sistores del mismo tipo.
It.. Medir loa voltajel de °lHrracion de cd de un 5. La retroalimentacion degenerativa de ca de
amplificador de voltaje con MOSFET. la resistencia. de fuente se puede eliminar
B. MOltrar cOmo funciona un amplificador de utilizando un capacitor de paso.
voltaje con MQSFET, Y detenninar au ga- 4. La ganancia de voltaje en un amplificador
nancia de voltaje. con MOSFET es una funcion de la trascon-
C. Medir I. relacion de fue entre 101 volt&jel ductancia (g".) del transistor y de la impe.
de la cOiDpuerta, la fuente y el dreaaje en dancia de carp.
un ampUficador de voltaje con MOSFET. 5. EI ampUficador de fuente comun con tdOS-
FET invierte la sdial.
Conceptql bisicol
I~fcwmacionpreliminar
1. Lo, amplificadores con MOSFET Ie deben
polarizar correctamenteo para estabilizar el Los MOSFETs de modo de empobrecimiento son II
circuito contra las variacionesde parametros muy semejantes a 105JFETs que ya Ie estudiaron I
en los tranaistores del mismo tipo.
I. La autopo1arizacion mediante °1aresistencia previamente. .La mayoria de IQsamplificadores de I
voltaje quellt~ MOSFETs de tipo de empo-
de fuente suministra derta correccion para brecimiento emn diseiiados en la misma manera i
I

I,
'1'

Ampli/iftldor de t1t1ltf1/eeon M08FET

+Voo c~ Con fuente de voltaje y resisten~ia de carga eo-

YtI' ,..
rreeto. se puede obtener buena gananeia. En efee.
lit.
to, por 10 general la ganancia de voltaje es mejor
".., en un circuito de polarizacion cero. Un corrimien-
v.. ,... to dado en VG5 erea un cambio mayor en ID
V..-t.... ,(:era de la polarizacion cero. Ya que la ganancia
. de voltaje es proporcional a la trasconductancia y

f~ VQ8 -t"","

¥III
esta es mayor cerca de la polarizaci6n cero, se 10'
gramaxima ganancia de voltaje.

La dificultad" con el circuito de la figura'g.l es

FIt.'.1 que np funciona apropiadamente con todos los
transistor~s. La corriente ID55 de drenaje de po-
que 105 amplificadores de voltaje con JFETs. Ge- larizacian eero para los MOSFETs del mismo tipo.
neralmente no es d~seable la' polarizacion fija de. J puede variar en un rango de tres a uno, 0 incluso
bido a la nceesidad de tener una fuente de pola. mas. En QUas. palabras, la corriente estatica del
rizacion por separado y debido a la variacion ex. cireuito sera impredictible segun' se utilicen otros
trema, entre los transistores, del mismo tipo. Por transistores.Idealmente, alrededor de la mitad del
10 general, se emplea derta forma de retroalimen. voltaje de la, fuente debe de caer a traves de R L ,
tacion 0 ajuste de polarizaciOn para estabilizar el 10 que no oeurre para transistores con valor ma-
punto de operacion del circuito. Una resistencia yor 0 Menor de ~D55,' ~n consecuencia, casi debe
de fuente representa una buena solueion al pro. dismarse el circuito expresamente alrededor de
blema de la polarizacion. Proporciona la retroali. cada transistor y en caso de que se necesite susti-
mentacion de cd para el funcionamiento estable tuir a- este, se puede tener que probar much os
del cireuito y forma una fuente economica de'" .transistores antes de encontrar una unidad ade-
polarizacion. <i-tuada,IC?,que explica la necesidad de tener dege.
neracion de cd.
Para valores limitados de IDss, se puede operar
un amplificador de MOSFET sin polarizaciOn.Ya Los MOSFETs de modo de enriquecimiento de-
que la eompuerta esm aislada, se elimina la, posi. hen estar! polarizados cuandose ope ran como
bilidad de eorriente de eompuerta para entrad~ amplifieadores lineales de voltaje. Por 10 normal
de senales pequenas. Algunos MOSFETscon bue. elstos dispositivos estan apagados y se debe aplicar
nas earacterfsticas de empobrecimiento.enriqucei. derta. polarizacion para establecer la corriente de
miento proporcionan buen rcn4imiento en el mo-.', drenaje operacioQ.. La figura 9.2 muestra el circui-
do .de polarizadon cero. La figu~ 9.1 mucstra un to para un amplificador de voltaje de, MOSFET
amplificador de voltaje de MOSFETque runeiona
con polarizacion cero. ' +VDD

Aunque la fuente de seiiales de la figura 9.1 ope. RL

ra' a la compuerta en forma positiva con respecto
a la fuente, no fluye eotriente de compuerta para D
niveles razonables de la senal de entrada; Las cur. S
vas earacteristicas del dispositivo muestran que el
transistor es capaz de funeionar tanto en el modo
de empobrecimiento como en el de enriqueci.
miento. Cuando la seiial va a negativo, se utiliza
f~ ....
el modo de empobrecimiento. Cuando Ia ,seiialva
a positivo se utiliza el modo de enriquecimiento. Fig. 9-2

8S
 """""'Ctldor . poI,. COli
MOSFEt

en modo de, enriquecimiento..\,RG es la resistencia 'VCC=15Vcd +

de polarizacion y normalmente tiene valor bastan.
R3
te elevado (10 a 47 megohms). Debido a una co- 1K
Iriente muy pequefia de compuerta, hay una C1
O.oz2l,tF
caida minima a traves de RG, 10 que quiere decir th
que el voltaje de compuerta es casi igualalvoltaje
de drenaje. La resistencia de carga se elige para
f ---,...+C2 SeJid8
En"'8d1
dar buena. operacion lineal, 10 cual ~dida que R4 ""'.F
. 110n I
I
aproximadamente la mitad del voltaje cae a traves
de ella. -
Lecturas complementarias Fi,. 9.3 \

Para mayor informacion sobre este tema, consulte

la bibliogtafia al final de es~e capitulo. ,dq...de pol3rizaci6nestabiliza la operacion del cir.
,.

Eq~ipo Y materiales I
cUito par~Pf\ramett'os de dispositivos que pueden
variar. extensamC"nte entre MOSFETs del mismo
tipo.
Fuente de energla 15 Vcd, 20mA CJ b) Ajuste el voltaje VDD de drenaje de la
Generador de AF fuente a 15Vcd.
Osciloscopio q c) Ajuste e! VO~ al rango de 15 volts cd y
YOM electronico micia VD (vqltajecde drenaje a tierra).
Sistema de capacitacion en electronica
Cl, C3 .: O.d22p.F V'\D ::;: , Vcd
C2 - 2Sp.F, Electrolitico'
Q1 -MOSFET, de canal N y
protecci6n de compueita, r:f d) lA que conclusion llega si VD mide 15
volts?
40841
R1 - 2.2Mn, 1W
R2 - 1S0kn, 1W '.., ............................................................
R3 - 1kn, 1W
R4 - IS0n, lW ..........................................................................

Tablero universal X, para experimentos .............................................................

Procedimiento """" """"" ...............................

\ :-
0 e) Ajus~e el YOM J en el rango de 1.5 volt
Objetivo A. Medir los voltajes de operacion de cd cd y mida Vs (voltaje de fuente a ,tierra).
de un amplificador de voltaje con MOSFET.
Vs ::;: Vcd
0 1. a) Conecte el circuito como se indica en la "
figura 9.3. Para impcdir daiio al MOSFET todavia a
no aplique energia ni conecte aun el capacitor de f), Mida VG (voltaje de compuerta a ti~ra).
paso C2. Ambas compuertas estan conectadas en-
tre si para simular un MOSFET de UDa'sola com.
V0 = Vdt;

puerta. En el circuito se utilizan dos tipos de po. 0 g) l Vs debe de SeI:igual a VGs, la polariza.
larizacion: de compuerta y de 'fuente; Este mcho. cion de compuerta a fuente?

86
T

"-
AmpU/lffldor de ."oltllje CO" M08Jl!ET

Explique su respuesta. '''''''''''''''''''''''''0''''''''''''''''''

0 c) Mida fa senal de salida de pica a pico en
el drenaje del ~mplificador utilizando el oscilos-
.. ... """"'" "''''
COpIO.
, .... eo
I = v pep
,
0 h) lComo determina VGS cuando se uti- 0 d) Calcule la ganancia de voltaje.
lizan polarizaciond combinadas de, compuerta y
fuente? Av = eoIe,
""""""""""""""""""""""""""""""'"'''''''''''''''' .
.., ........................

0
I) Calcule VGS para su circ~ito. ..'" ................... Av = '''' ........

Vas = Va - Vs
0 e) Conecte el capacitor electrol{tico de
or 25JlF C2 a traves de la resistencia R 4 de la fuen-
te. El extrema negativo del capacitor debe estar a
tierra. \
Vs - Vo
" ,..c..,.'

, ~. .!'~\~':.
.".-.: ',' 0 j), Mida la senal desalida de pica a pica.
... ........... Vas = ' Vcd eo = v pep

0 J) Indique si la cotnpuerta es negativa con 0 g) Calcule la ganancia de voliaje.

respecto a la fuente.
0 k)iEn cu.H modo esta operandosu circuito Av = eoIe,
ampljficador, el de empobrecimiento 0' el de enti-
"""" ............................................................
que(iimiento?

i"""""'''''''''''''''''''''''''''''''''''''''''' "'"''''''''''
. '''''''' "'" """"'" Av = .......

0 l) ,lQue efecto tiene la polarizaci6n de 0 h) Cuando se agrega el capacitor de paso de

compuerta en la impedancia de entrada del circui- la resistencia de fuente ique sucede a la ganancia
to?
de ~oltaje?

.. """"'"''''''''''''''''''''''''''''''''

0 I) lPor que el capacitor de paso de la resis-

Objetivo B. Mostrar como tuncio~ un amplifica-
tencia de fuente a~menta la ganancia del voltaje?
dor de voltaje con MOSFET, y detenninar su p-
nancia de voltaje.
"'''''''' ,... """''''''''''''r' .'...........

0 2. a) Ajuste el generador de AF par,auna ~it "'"'''''''''''' ~................................. , I

da de onda senoidala una frecuencia dt 1k.ij2. '" .

a b) Conecte el gener'\dor de AF a la f"ltrada , """""""""""'"'' """""'"''
J
del amplificador con MOSFET. Use el oscilosco-
I
pio para ajustar el nivel de salida del gene~dor;a 0 j) Suponga que la transconductancia del I

0.4 volts pico a pico. transistor es de 6000 micromhos, calcule la ga-

87

--

Amplificador de voltaje con MOSFET
nancia de voltaje esperada 'para este amplificador.
Primero cambie lo~ micromhos a mhos.
Av = 1m X RL
.. ... ....... Av = ....................
0 k) Compare 105 valores de !as ganan~
g) y j). lConcuerdan favorablemente? ......
Objetivo C. Medir la relacion de 'fase entre 101
voltajes de compuerta, fuente y drenaje de un am-
plificador
... de voltaje con MOSFET.
0 3. a) Quite eI capacitor de paso de laresisten-
cia de fuente C2 del circuito amplific:ador.
0 b) Use la entrada horizontal extema y la
. senal de prueba calibrada y calibre el amplific:ador
horizontal del osciloscopio para 0.25 Vfem . como
en los experimentos anteriores.
0./ c) Ajuste eI osciloscopio para deflexion va--
tICal d.. 0.(,1Vtcrr.. Use la punta de prucha multi-
plicadora XI0 y conecte la entrada del oscilosco-
pio a 1a compuerta del amplificador. De sa- ncce.
sarlo, reajuste la senal de entrada para 0.4 volts
pico a pico.
0 d) Conecte el capacitor C3 de 0.0221lF en
serie con la punta de entrada horizontal alosci-
loscopio. Use la otra punta del capacitor como
punta de prueba.
+++
,I Refentncll b I Compuena I dreneje cl CoInpuetu. tuen8
Fig. 9-4
0 e) Conecte el capacitor de acoplamiento
horizontal a la compuerta del ainplificador. ,Regia-
tre el trazo en la pantalla en (I) de 1a figUra 9...
0 f) Mueva el capacitor de acoplamiento h0-
rizontal al drenaje. Registre d trazo en b) de Ia
figura 9.4.
0 g) lA que conclusion Uega con rapccto a
la relacion de fase entre la compuerta y cldrcuajc
del amplificador?
, 88
TI'
c h) ,Mucvael capacitor de acop,1amientoho-
rizontal ala tcrmu.! de la fuente. Regimeel tra-
m en c) de Ja ragura9-4.
C ' i' I.A que condusionpuedeUegarcon res-
peett> a 1a re1adon de fue entre la eompuerta y
mente del ali1pn~or?..
~.'
.........................................
de C ,J) 51 Ie pua e1 drenaje 'a tiara y la ICiial
de salida se toma de la fuente, l.c6mo se identifi-
c:aa1amplific:ador? ~.............................
0 A) AjUlte todas !as fuentes de voltaje a
~ '
Rc.unacn
En este expcrirnento de laboratorio estudio como
funciona un amplificador de voltaje con MOSFET
de dma1 N. Primero midio 105voltajes de opera-
ciOri de cd. De SUIvalores de VG Y Vs, calculo
YG.. Encontro que en un amplificador de voltaje
con MOSFET que tiene polarizacion q,nto del
compuerta como de fuente Y con caraeterlsticas
de empobrcc:imientoy enrlquecimiento, VGS pue-
de ICtpositivo 0 negativo entre 101MOSFETsdel
mismo apo debido a !as variaciones de 101para-
mctl'Ol. Determmo que Ii YGS el positivo, d
punto de operaclon. de cd ad en d modo de en-
riquecimknt~,.y Ii VGS es negativo el punto de
opcraei6n de c.data en el modo deempobreci- ~
micnto en ate dispositivo de canal N. Tambien 1
aprendio que" polarizacion fija reduee la impe-
dancia de entrada del MOSFET. Luego aplic6 una
seftal de entrada. al amplifieador, midio el voltaje
de saIlda y ca1culo Ia ganancia de voltaje. Conee-
tando un capacitor de paso a traves de la resisten-
cia de fuente, dem08trO que Ie puecie lograr un
considerable aumento en 1a ganancia debido a la
reducdlm en la rctroalimentacion degenerativa.
OUcu1Ola (pnancia utUizando un valor dadQ de
I". y e1 valor real de RL' Relaciono el valor tea.
rico con el valor pr&cticode 1apIWlcia y eneon-
uo que ambos secomparan favorablemente. Por
. Ultimo, midio 1a relacilm de fase entre 101voltajes
de compuena. fuel}te y drenaje. Eneontroque d
voltajcde drenaje csd desfasado 180 grados con
), ~specto at voltajede entrada, y que 101 voltajes
de fuente y compuerta estan en fue.
\