Tarea 1- Caractersticas de dispositivos MOSFET.

Subtarea 1A) Voltaje de umbral y parmetros de proceso de dispositivo NMOS.

Fig.1 Circuito NMOS
Procedimiento.
a) Armar el circuito de la Fig.1 Pin 14 conectado a VDD y el pin 7 a Vss.
b) Ajustar el valor de VDD de 0 a 10 V DC.
c) Medir el voltaje VDS y la corriente ID y tabular los resultados en una tabla.
Lecturas tomadas para transistor pines 3,4,5,7.
TRANSISTOR NMOS
Vdd[V] VdS[V] Id[mA]
0 0.00 0.00
1 1.00 0.00
2 1.97 0.03
3 2.95 0.44
4 3.86 1.29
5 4.96 2.77
6 5.94 4.47
7 6.92 6.45
8 7.89 8.66
9 8.87 11.02
10 9.84 13.50
Tabla 1
Q1
VDD
CD4007
1
1
2
2
1
2
1
1
2
1 2
1
2
1
2
2
1
2
1
2

=
=
=

=
D
D
DS
D
D
DS
D
D
DS DS
D
D
DS
DS
DS
DS
D
D
i
i
V
i
i
V
Vt
i
i
Vt V Vt V
i
i
Vt V
Vt V
Vt V
Vt V
i
i
d) Graficar las mediciones obtenidas.










e) Calcular el valor del voltaje de umbral Vt y el parmetro de proceso K.
| |
| |
| |
| |
| |
| | | |
2
1
2
1
2
2
2
2
2
1
1
2
2
2
2
1
1
2
2 2
2
1 1
2
) ( ) (
) (
) (
) (
) (
) (
(

=
=
=
=
Vt V
Vt V
i
i
V V
i
V V
i
L
W
K
V V
i
L
W
K
V V
i
V V
L
W
K i
V V
L
W
K i
C K
V V
L
W
C i
DS
DS
D
D
t DS
D
t DS
D
t DS
D
t DS
D
t DS D
t DS D
OX n
t DS OX n D

Voltaje de umbral Vt

2
1
2
2
1
2
1
1
1
1
(
(
(
(

=
D
D
DS
D
D
DS
DS
D
i
i
V
i
i
V
V
i
L
W
K
| |
2
1
2
2
1
2
1
1
1
2
1
1
1
) (
(
(
(
(
(

=
=

D
D
DS
D
D
DS
DS
D
t DS
D
i
i
V
i
i
V
V
i
L
W
K
L
W
K
V V
i
Parmetro de proceso K.
Usando valores medidos de la tabla para NMOS.
Vds1= 4.96 V Id1=2.77mA Vds2=6.92 V Id2=6.45mA

V
x
x
x
x
i
i
V
i
i
V
Vt
D
D
DS
D
D
DS
22 . 1
1
10 77 . 2
10 45 . 6
92 . 6
10 77 . 2
10 45 . 6
96 . 4
1
3
3
3
3
1
2
2
1
2
1
=

2
2
3
3
3
3
3
/ 199 . 0
1
10 77 . 2
10 45 . 6
92 . 6
10 77 . 2
10 45 . 6
96 . 4
96 . 4
10 77 . 2
V mA
x
x
x
x
x
L
W
K =
(
(
(
(

2
1
2
2
1
2
1
1
1
1
(
(
(
(

=
D
D
DS
D
D
DS
DS
D
i
i
V
i
i
V
V
i
L
W
K
f) Son consistentes estos valores de Vt y K(W/L) con las mediciones de otros dos transistores
NMOS en el chip?
Lecturas tomadas para un segundo transistor pines 6, 7, 8.

Tomando los valores:

Vds1= 3.87 V Id1= 1.21mA
Vds2=5.94V Id2= 4.02mA



Tabla 2
V
x
x
x
x
i
i
V
i
i
V
Vt
D
D
DS
D
D
DS
35 . 1
1
10 21 . 1
10 02 . 4
94 . 5
10 21 . 1
10 02 . 4
87 . 3
1
3
3
3
3
1
2
2
1
2
1
=

Voltaje de umbral Vt




2
2
3
3
3
3
3
/ 190 . 0
1
10 21 . 1
10 02 . 4
94 . 5
10 21 . 1
10 02 . 4
87 . 3
87 . 3
10 21 . 1
V mA
x
x
x
x
x
L
W
K =
(
(
(
(

Parmetro de proceso K

Se observa que en ambas mediciones del NMOS existe consistencia en los valores de Vt y
K(W/L).
TRANSISTOR NMOS
Vdd[V] Vds[V] Id[mA]
0 0.00 0.00
1 1.00 0.00
2 1.97 0.03
3 2.95 0.43
4 3.87 1.21
5 4.97 2.53
6 5.94 4.02
7 6.92 5.73
8 7.90 7.63
9 8.88 9.64
10 9.86 11.76
Subtarea 1B) Voltaje de umbral y parmetros de proceso de dispositivo PMOS.


Fig.2 Circuito PMOS

Procedimiento.
a) Armar el circuito de la Fig.1 Pin 14 conectado a VDD y el pin 7 a Vss.
b) Ajustar el valor de VDD de 0 a 10 V DC.
c) Medir el voltaje VDS y la corriente ID y tabular los resultados en una tabla.
Lecturas tomadas para transistor pines 1,2,3.
TRANSISTOR PMOS
Vdd[V] VdS[V] Id[mA]
0.077 0.00 0
1 0.99 0.781
2 2.00 3.05
3 2.99 5.25
4 3.99 7.51
5 4.99 9.8
6 5.41 12.11
7 6.98 14.47
8 7.97 16.83
9 8.98 19.27
10 9.97 23.2
Tabla 3

VDD
Q2
CD4007
2
1
2
2
1
2
1
1
1
1
(
(
(
(

=
D
D
DS
D
D
DS
DS
D
i
i
V
i
i
V
V
i
L
W
K
d) Graficar las mediciones obtenidas.











e) Calcular el valor del voltaje de umbral Vt y el parmetro de proceso K.
Usando valores medidos de la tabla 3 para PMOS.
Vds1= 4.99 V Id1=9.8mA Vds2=5.41 V Id2=12.11mA

V
x
x
x
x
i
i
V
i
i
V
Vt
D
D
DS
D
D
DS
23 . 1
1
10 8 . 9
10 11 . 12
41 . 5
10 8 . 9
10 11 . 12
99 . 4
1
3
3
3
3
1
2
2
1
2
1
=

Voltaje de umbral




2
2
3
3
3
3
3
/ 69 . 0
1
10 8 . 9
10 11 . 12
41 . 5
10 8 . 9
10 11 . 12
99 . 4
99 . 4
10 8 . 9
V mA
x
x
x
x
x
L
W
K =
(
(
(
(

Parmetro K



f) Son consistentes estos valores de Vt y K(W/L) con las mediciones de otros dos transistores
NMOS en el chip?
Lecturas tomadas para un segundo transistor pines 6,13,14.

Tomando los valores:

Vds1=4.87V Id1= 8.88mA
Vds2=5.43V Id2= 12.19mA




Tabla 4

V
x
x
x
x
i
i
V
i
i
V
Vt
D
D
DS
D
D
DS
6 . 1
1
10 88 . 8
10 19 . 12
43 . 5
10 88 . 8
10 19 . 12
87 . 4
1
3
3
3
3
1
2
2
1
2
1
=

Voltaje de umbral Vt

TRANSISTOR PMOS
Vdd[V] VdS[V] Id[mA]
0.077 0.00 0
1 0.99 0.782
2 2.00 3.1
3 2.99 5.24
4 3.99 7.51
5 4.87 8.88
6 5.43 12.19
7 6.98 14.47
8 7.97 16.83
9 8.98 19.27
10 9.97 23.2
2
1
2
2
1
2
1
1
1
1
(
(
(
(

=
D
D
DS
D
D
DS
DS
D
i
i
V
i
i
V
V
i
L
W
K




2
2
3
3
3
3
3
/ 83 . 0
1
10 88 . 8
10 19 . 12
43 . 5
10 88 . 8
10 19 . 12
87 . 4
87 . 4
10 88 . 8
V mA
x
x
x
x
x
L
W
K =
(
(
(
(

Parmetro de proceso K


Se observa que en ambas mediciones del PMOS existe consistencia muy cercana en los
valores de Vt y K(W/L). Las diferencias se atribuyen a las condiciones de temperatura y la
precisin de los instrumentos de medicin a la hora de efectuar la prctica.