AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM

OBJETIVOS: a) analisar o funcionamento de um amplificador na configurao emissor comum; b) analisar a relao de fase entre a entrada e a sada de um sinal. INTRODUO TERICA Quando um transistor de um amplificador em emissor comum polarizado prximo ao centro da reta de carga CC, ao se acoplar um sinal na base, este sinal ser amplificado no coletor. O emissor comum tambm conhecido como emissor terra, visto que o emissor o terminal de referncia para a entrada e a sada do sinal. Uma das principais aplicaes do transistor a amplificao. Entendemos por amplificao o fato mediante o qual uma variao ocorrida na entrada de um circuito, aparece amplificada na sada. Aplicando-se esse conceito ao transistor, se provocarmos uma variao da polarizao de base, obteremos uma variao muito maior da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor. Geralmente, empregando o transistor como amplificador, as variaes da polarizao de base so provocadas pela aplicao de um pequeno sinal c.a. na entrada, que aparece na sada com seu valor ampliado, mas sendo um reflexo fiel da entrada. Definiremos a seguir alguns conceitos importantes: Entrada: malha qual se aplica um sinal proveniente de uma fonte que se deseja amplificar, como por exemplo, um microfone. Designada pelo subscrito i (do ingls: input) Sada: circuito do qual se obtm o sinal simplificado. Designa-se a sada pelo subscrito o (do ingls: output). Distoro: deformao no sinal de sada em relao entrada. Tenso de entrada: vi, tenso que aplicada na entrada para ser amplificada. Tenso de sada: vo, tenso alternada que se manifesta nos extremos da carga. Corrente de entrada: i, corrente que solicitada do gerador, pelo circuito de entrada. Corrente de sada: io, corrente alternada que circula pela carga.
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Impedncia de entrada: Zi, resistncia de entrada do amplificador, vista pelo gerador ou fonte de sinal.

Impedncia de sada: Zo, resistncia interna que apresenta vo se um outro dispositivo conectado sada do amplificador. Isto significa que o amplificador est sendo usado como fonte de sinal.

Ganho de tenso: Av, relaciona as tenses de sada e de entrada. Ganho de corrente: Ai, a relao entre as correntes de sada e de entrada.

Neste caso, referida exclusivamente ao transistor (no ao circuito associado a ele). Recebe o nome de beta de corrente alternada ( c.a.). Define-se como o coeficiente entre o incremento da corrente de coletor e o incremento da corrente de base.

c.a.

tambm chamada de hfe que no deve ser confundida com HFE.

Ganho de potncia: Ap, o coeficiente entre a potncia c.a. absorvida pela carga e a potncia absorvida pelo circuito de entrada do amplificador.

Relao de fase: defasagem que apresenta o sinal de sada em relao ao sinal de entrada. Configurao: denomina-se assim a disposio que apresenta o transistor frente ao sinal de entrada e ao sinal de sada, dependendo seu nome do terminal comum entrada e sada. Abordaremos nesta experincia a configurao emissor comum (E.C.), ficando outras configuraes para as prximas experincias. Geralmente um amplificador inclui capacitores, cuja funo oferecer fcil passagem aos sinais alternados e bloquear a corrente contnua. Na figura 1, temos em amplificador em emissor comum com polarizao por divisor de tenso na base, conhecido tambm como amplificador auto-polarizado.

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Para facilitar a anlise dos amplificadores, considera-se o circuito como sendo dois circuitos independentes: um para c.a. (corrente alternada) e outro para c.c. (corrente contnua). Na figura 2 temos um circuito equivalente para c.a.

Circuito equivalente c.a. a) Curto-circuita-se Vcc b) Consideram-se os capacitores como curtos-circuitos, uma vez que os mesmos tem a finalidade de facilitar a passagem de c.a. Na figura 3 temos o circuito equivalente para c.c.

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Circuito equivalente c.c. a) Curto-circuita-se vi b) Considerar os capacitores abertos, uma vez que apresentam resistncia infinita para c.c. OBS: Os valores das tenses e correntes em qualquer ponto do circuito, sero as resultantes da superposio (soma) das tenses e correntes c.c. e c.a. presentes, no mesmo instante, em cada um dos circuitos equivalentes. ANLISE: Impedncia de entrada: Como a tenso vi aplicada ao circuito paralelo formado por R1 e R2 e pelo transistor, devemos ento conhecer a resistncia que apresenta o transistor para a fonte de vi. O sinal de entrada vi aplicado ao circuito base-emissor, que formado por um diodo, cuja curva caracterstica mostrada na figura 4.

A polarizao do diodo base-emissor vem determinada pelo ponto Q, que implica numa corrente IE para uma tenso VBE. Ao aplicar-se vi , esta produz uma variao em torno desse valor de VBE; estas variaes apresentam um VBE ,que provoca variaes de IE = IE. A relao entre essas variaes chama-se RESISTNCIA DINMICA DO EMISSOR, ou resistncia de emissor para c.a.

Como IE e VBE podem ser exatamente vbe e ie , possvel escrever:

Note que o valor de ie depende da localizao do ponto Q, devido a no linearidade grfica e isto implica que re no constante para todas as polarizaes de base. Ainda nestas condies como o valor de vi pequeno, usual tomar como aproximao a resistncia dinmica de emissor:
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At aqui estamos obtendo a resistncia dinmica de emissor para c.a. Voltando para a figura 4, nota-se que o transistor s absorve do gerador uma corrente ib e estabelecendo uma aproximao ie = ic , temos:

Isto resulta que a impedncia de entrada do transistor ser hfe vezes maior do que re, isto :

Com a impedncia do transistor quantificada, a impedncia de entrada do circuito ser: (R1 em paralelo com R2 em paralelo com hfere) Como conveniente que zi tenha uma impedncia elevada para reduzir ao mnimo os efeitos da resistncia interna do gerador, R1 e R2 devem ter valores elevados. A impedncia de entrada desta configurao apresenta valores compreendidos entre 2k e 6k . Impedncia de sada: Semelhante ao caso anterior, devemos utilizar o circuito equivalente de c.a. para estudar a impedncia de sada. Nele observa-se que vo tomado pelo circuito paralelo formado por RC e pelo circuito coletor-emissor, pelo qual devemos analisar este ltimo. Veja a figura a seguir:

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Em condies de repouso, Q implica dois valores IC e VBE para IB. Mantendose IB constante provocamos variaes de IC equivalentes a IC. O coeficiente entre ambas determina a resistncia dinmica de coletor, que coincide com a impedncia de sada deste, a qual chamaremos de Zo(T) e ser:

fcil observar pela figura 5 que as variaes de VCE so muito maiores que as de IC e que, alm disso, aquelas so de valores muito superiores a esta, geralmente volts frente a miliampres. Isso d uma idia de quanto elevada a impedncia de sada do transistor. A concluses semelhantes chega-se quando se substitui o circuito coletoremissor por uma fonte de corrente quase ideal (impedncia interna muito alta), de valor ic , em srie com uma resistncia de valor re. Veja a figura 6.

Logo, a impedncia do circuito ser:

Como Zo(T) muito elevada frente a RC , podemos considerar como boa aproximao:

Ganho de tenso: Analisando o circuito equivalente da figura 6 e considerando ie = ic , temos: e, por outro lado: de onde:

e, finalmente:
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onde o sinal menos (-) indica que vo est defasada 180 em relao a vi. Ganho de corrente: O ganho de corrente, Ai , definido pela relao entre io e ii , isto :

Quando essa relao referida exclusivamente ao transistor, temos:

Quanto ao ganho de corrente do circuito, este ser diferente, uma vez que parte da corrente de entrada deriva-se atravs de R1 e R2, circulando pelo transistor somente ib. Como:

teremos:

Analisando a ltima frmula, podemos concluir que o resultado esperado, uma vez que: para um mesmo circuito, duas resistncias de carga distintas implicam um duas retas de carga diferentes e ganhos de corrente distintos, sendo menores quanto maior dor RC. Por outro lado, RC tambm determina a corrente de emissor, a qual influi sobre o valor da impedncia de entrada. Relao de fase: Veja na figura abaixo, as relaes de fase na configurao emissor comum.

Consideraes sobre os capacitores Ci e Co: Na anlise dos circuitos equivalentes, consideramos os capacitores de acoplamento Ci e Co como curtos-circuitos; para efeitos prticos podem ser considerados curtos-circuitos se no pior dos casos, suas reatncias s representarem
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10% da impedncia do circuito que a afetam. Logicamente as piores condies num dispositivo amplificador para as reatncias capacitivas so as baixas freqncias. Retornemos ao circuito da figura 1. Observa-se que Ci est em srie com Zi , portanto: de onde Ci tomando a freqncia menor (fmin) ser:

logo:

e, finalmente:

Para obter o valor de Co podemos seguir o mesmo critrio, o qual est em srie com Zo , logo:

Consideraes sobre o capacitor de desacoplamento do emissor (CE): Se estudarmos o circuito da figura 1 sem CE , ao se aumentar ou diminuir ib , aumenta ou diminui ie e portanto, surge uma tenso nos terminais de RE. Como as variaes da corrente de emissor so hfe vezes maiores do que as variaes de ib , a tenso de emissor provoca uma reduo elevada da tenso efetiva base-emissor vbe , com o que o ganho do amplificador v-se altamente reduzido. importante ver claramente que esta reduo produzida por ve , ou seja, o componente alternado na resistncia de emissor. O critrio para se calcular CE o mesmo adotado para se calcular Ci e Co , ou seja:

Quando a freqncia se eleva, XCE muito pequena, representando um curto virtual sobre RE , desta forma, a nica resistncia efetiva no circuito de emissor a prpria resistncia dinmica re. Uma vez que seu valor altamente instvel, o ganho de tenso ser altamente afetado. Diante desse fato, prefervel reduzir parte do ganho para se conseguir maior estabilidade do circuito. Geralmente isto conseguido derivando-se parcialmente RE, dividindo-se em duas, conforme ilustra a figura 8.
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Observa-se que RE est desacoplada para sinais alternados, enquanto que RE no o est. Com isto a resistncia total de emissor para corrente alternada ser: re + RE , conseguindo um duplo efeito: a) dar maior estabilidade ao circuito, diminuindo o ganho; b) aumentar a impedncia de entrada da base, porque aumentou a resistncia do circuito de emissor para c.a.

Distoro: Se o circuito da figura 1 trabalha prximo ao centro da reta de carga e o sinal vi tem uma amplitude relativamente pequena, previsvel que o circuito no apresente um sinal de sada distorcido. Existem basicamente trs tipos de distoro: DISTORO DE SADA POR SATURAO Se por qualquer circunstncia o ponto Q se desloca conforme indica a figura 9, os valores mais elevados de vi podem levar o transistor na regio de saturao, onde o coletor no segue as variaes do sinal de entrada e provoca um recorte nos valores mximos que deveria alcanar ic.

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DISTORO DE SADA POR CORTE Neste caso, conforme ilustra a figura 10, o ponto Q situa-se bem prximo do corte ou em alguns casos no corte. Desta forma, para valores mais negativos de vi o transistor entrar em corte, uma vez que vce no poder aumentar alm de VCE e IC ir a zero.

DISTORO DE ENTRADA A distoro de entrada deve-se ao fato da no linearidade da curva caracterstica IE x VBE , conforme ilustra a figura 11.

Se amplitude de vi pequena, o trecho da curva afetado pequeno, podendo assim ser considerado como uma reta nesse intervalo. Se vi elevada, a curvatura fica acentuada e ento ie no segue as variaes de vbe e a corrente de coletor tambm no seguir essas variaes.
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CONSIDERAES GERAIS: 1- Para obter sinais de sada sem distoro, conveniente que a corrente de coletor ic no tenha variaes superiores de 15% a 20% do valor esttico IC. 2- Os amplificadores de baixa freqncia (B.F.) tem como aplicao principal a amplificao de sinais de audiofreqncia (que a gama compreendida entre 10Hz a 18kHz). norma internacional efetuar as medidas de performance dos amplificadores de udio na freqncia de 1kHz. 3- A reta de carga tem uma influncia direta sobre os ganhos de tenso e de corrente do circuito. Uma resistncia de coletor de valor baixo implica numa inclinao acentuada da reta de carga e portanto, uma maior ganho de corrente e um menor ganho de tenso. Pelo contrrio, uma resistncia de coletor de valor elevado oferece resultados inversos aos expostos.

PARTE PRTICA
MATERIAIS NECESSRIOS 1- Gerador de udio ou gerador de funes 1- Voltmetro analgico ou digital 1- Osciloscpio 1- Fonte de alimentao 0 -20V 1- Mdulo de ensaios ELO - 1 1- Monte o circuito da figura 12. Abra Sw.

R1 = 3,3K (R22) R2 = 10K (R27) RC = 2,2K , 1/4W (R21) RE = 220 , 1/4W (R7) Ci = 22 F, 25V (C6)

Co = 33 F, 25V (C7) CE = 47 F, 25V (C8) T = BC107B ou BC 547B (T3) Vcc = 20V vi = gerador senoidal

2- Ajuste vi para 40mVpp a uma freqncia de 1kHz.

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3- Calcule a tenso c.c. na base, emissor e coletor e anote as respostas na tabela 1. 4- Calcule e anote a tenso c.a. na base, emissor e coletor, na tabela 1. Tabela 1: tenses c.c. e c.a. TENSES CC CA VB CALCULADO VE VC VB MEDIDO VE VC

5- Mea as tenses calculadas nos passos 3 e 4 e anote na tabela 1. 6- Com o auxlio de um osciloscpio de 2 canais observe simultaneamente as tenses de entrada e sada (vi e vo respectivamente). Desenhe as tenses de entrada e sada em papel milimetrado A4 observando os valores de pico a pico e eficaz, bem como a relao de fase entre essas tenses. 7- Com um voltmetro e um osciloscpio mea a tenso VE ( medir nos extremos de RE ) com Sw aberta e fechada e anote esses valores na tabela 2. CONDIES Sw aberta Sw fechada Tabela 2: tenses em RE Tenso c.c. Tenso c.a.

8- Compare as medies feitas em RE com e sem capacitor de desacoplamento ( CE ) e apresente concluses: _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ 9- Calcule os valores de Zi, Zo, Av, Ai e Ap e anote na tabela 3. Zi Zo Tabela 3 Av Ai Ap

10- Compare as tenses vi e vo medidas no passo 6 e determine o ganho de tenso Av. Av = ___________________ 11- No circuito da figura 12, suponha: RE aberto, R1 aberto, R2 aberto e CE em curto. Calcule VE , VC e VB e anote na tabela 4. Simule esses defeitos, mea as tenses e complete a tabela 4. Ao calcular e simular os defeitos, no se esquea de retornar posio original o componente cujo defeito foi anteriormente simulado. Tabela 4: simulao de defeitos
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DEFEITOS R1 aberto R2 aberto RE aberto CE aberto

VC

CALCULADO VE VB

VC

MEDIDO VE

VB

PROJETO: 12- No circuito da figura 12, determine o valor do resistor de coletor para produzir um ganho terico de 100, adotando valor comercial de resistncia. Calcule e mea as tenses listadas na tabela 5. Tabela 5: projeto CALCULADO VCE VC VE VB QUESTES: 1- Qual a re terica do amplificador da figura 12? _____________________________________________________________________ 2- Qual o ganho de tenso aproximado do amplificador da figura 12? _____________________________________________________________________ 3- O emissor do amplificador da figura 12 tem um pequeno ou nenhum sinal c.a., devido a existncia do: a) resistor de emissor b) capacitor de acoplamento na entrada c) capacitor de passagem do emissor d) fraco sinal de base 4- Os valores c.c. da polarizao do transistor no so afetados pela resistncia c.c. do gerador de sinal porque o capacitor de acoplamento de entrada: a) bloqueia a componente c.c. b) transmite a componente c.a. c) bloqueia a componente c.a. d) transmite a componente c.c. 5- O que ocorre com os valores de tenso c.c. do circuito quando o capacitor de acoplamento Co abre? E com os valores de c.a.? _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________
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MEDIDO

6- Explique os valores de tenso que voc obteve com o resistor RE aberto, no circuito da figura 12. _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ 7- Porque a configurao estudada nesta experincia chama-se emissor comum? _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ ____________________________________________________________________ 8- Explique porque pode-se considerar quando do levantamento do circuito equivalente da figura 12, como dois circuitos independentes, um para c.c. e outro para c.a. _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ _____________________________________________________________________ 9- O circuito da figura 13, possui os seguintes dados: VCC = 6V VC = 0,4VCC IC = 5mA VCE = 0,5VCC VBE = 0,6V = 100 I2 = 10.IB

Determine: VC VCE VE IB IE I2 V1 V2 I1 RC RE R1 R2 PRE PRC PC

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