Unidade 3

SEMICONDUTORES
Eg ~ 1 eV
EF
E=0

Concentrao de portadores de carga:

Para metais: eltrons de conduo (= n de eltrons de valncia por tomo) metais nCu= 9 x 1028 (m-3) em temperatura ambiente Para semicondutores: portadores de carga surgem apenas por agitao semicondutores trmica

Eltron pode saltar da banda de valncia para a banda de conduo por simples agitao trmica

Eltrons saltam da banda de valncia para a banda de conduo, gerando espaos vazios na banda de valncia
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BURACOS

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Semicondutor Intrnseco
e-

(BC)

Conduo eltrica em semicondutores:

EF +

(BV)

N(buracos) = N(eltrons)

= Si

2 tipos de portadores de carga: Eltrons na banda de conduo (BC) Buracos na banda de valncia (BV)
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SEMICONDUTORES: como varia a resistividade SEMICONDUTORES com o aumento da temperatura? Concentrao de portadores de

RESUMO:
Propriedade Metais (M) Semicondutores (S) Observaes
Portadores Eltrons de carga de conduo (n) Resistividade m Pequena = 2 ne Coeficiente d de >0 >0 temperatura dT diminui da com T resistividade 1 d n independe = dT de T Eltrons + Buracos Grande nM > nS

m = 2 ne
1 d = dT

carga (n) aumenta rapidamente com a temperatura (eltrons e buracos); Tempo de relaxao tem uma diminuio pequena frente ao aumento de (n)

M < S

d dT

<0 <0

DIMINUI com a temperatura

= coeficiente de temperatura da
resistividade NEGATIVO!

diminui pouco comparado ao aumento de n com T n aumenta de T

M > 0 S < 0

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Si = - 70 x 10-3 K-1

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Dopagem de Semicondutores
Objetivo: aumentar a condutividade do SC pela adio de uma pequena quantidade de outro material, denominado de dopante Semicondutor Intrnseco
e-

Semicondutor Extrnseco Tipo p (positivo): Portadores majoritrios: buracos (BV)

Dopagem substitucional: 1 tomo de Si substitudo por um tomo de B (valncia +3)
e-

eee+ e+ + eEF

EF + n(buracos) = n(eltrons)

b+

n(buracos) >> n(eltrons)

=B = Si

= Si
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Valncia do Si +4

Banda receptora (vazia) (recebe eltrons da banda de valncia)

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Semicondutor Extrnseco Tipo n (negativo): Portadores majoritrios: eltrons (BC)

Dopagem substitucional: 1 tomo de Si substitudo por 1 tomo de P (valncia +5)

e-

e+

e+

eEF

b+

b+

e-

=P = Si

n(buracos) << n(eltrons)

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Banda doadora (cheia de eltrons doa eltrons para a banda de conduo)

Carrier Concentration vs. Fermi Level and the doping of donor and acceptor impurities.

Carrier Concentration vs. Fermi Level and the Density of States

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Wafer de silcio (300 mm)

Semicondutores:
Juno p-n Diodo retificador Diodo Emissor de Luz (LEDs e OLEDs) Transistor

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Reviso: Semicondutores dopados

Juno p-n: DIODO

- diferena nas concentraes de buracos e eltrons gera um processo de difuso na juno entre os dois tipos de semicondutores. 1) movimento de portadores majoritrios: Buracos difundem do lado p para o lado n Eltrons difundem do lado n para o lado p 2) movimento de portadores minoritrios: Buracos difundem do lado n para o lado p Eltrons difundem do lado p para o lado n

A aplicao da teoria de bandas aos semicondutores do tipo n e tipo p mostra que nveis extras de energia so adicionados pelas impurezas. Tipo n: existem nveis de energia para os eltrons perto do topo do gap de energia, e estes eltrons podem ser fcilmente excitados para a banda de conduo. (tomos de impurezas: com 5 eltrons de valncia) Tipo p: buracos no fundo do gap de energia permitem que eltrons de valncia sejam excitados para este nvel, gerando buracos extras na banda de valncia. (tomos de impurezas: com 3 eltrons de valncia)
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- + - + - + +
Zona de depleo

+ +

Equilbrio: eltrons do material tipo-n preenchem os buracos do material tipo-p ao longo da juno entre as camadas, formando uma zona de depleo, onde temos cargas fixas e no h mais portadores de carga nesta regio.
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Zona de Depleo
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e buracos.
Como os pares de ons so gerados: lado n contm impurezas doadoras, quando o eltron passa para o lado p, esta impureza perde um eltron e vira um on positivo perto da juno, no lado n. No lado p, este eltron que passou, vai ocupar o buraco da impureza receptora e vai torn-la um ion negativo, perto da juno, mas no lado p. Estes ons acabam se atraindo e formando pares fixos, na juno, que chamada de zona de depleo!

Potencial de Contato Vo
Inibe corrente de difuso (gerada por portadores de carga majoritrios) No impede movimento dos portadores de carga minoritrios, que geram uma corrente chamada de corrente de deriva (sentido oposto a corrente de difuso) No equilbrio: ideriva = idifuso

V(x)

Vo
0 x

Zona de depleo age como uma barreira (resistncia alta)

impedindo a continuao da difuso dos eltrons.

estabelecida uma diferena de potencial Vo (potencial de

contato) atravs da juno.
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do = largura da zona de depleo idifuso ideriva

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Smbolo do Diodo

Polarizao do Diodo
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo (+) da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo (-) em contato com o material tipo n. Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo (+) no material tipo n e o plo negativo (-) no material tipo p, dizemos que a juno est com polarizao inversa (reversa).

Polarizao do Diodo
Significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.

Idealmente: chave fechada (R=0) LIGADO

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Idealmente: chave aberta (R=) DESLIGADO

Anlise dos circuitos com as duas polarizaes:

Juno pn no equilbrio (Vext = 0) p Vo idifuso
x do = largura da zona de depleo V(x)

Curva caracterstica para o diodo

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada (Vext) com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

ideriva

Polarizao Direta
Vext subtraido de Vo Diminui a barreira para portadores majoritrios Aumenta idifuso do diminui, ideriva = constante

Polarizao Inversa
Vext somado a Vo Aumenta a barreira para portadores majoritrios Diminui idifuso do aumenta, ideriva = constante

Aplicao

Diodo Retificador

Transforma tenso alternada em tenso contnua

rede eltrica: alternada aparelhos domsticos: contnua

ideriva

idifuso

idireta

idifuso

iinversa ideriva
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POTNCIA DE UM DIODO
Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P =U*I No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 PMAX = 250mW 1N4001 IMAX = 1A Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).

Tipos de diodos
DIODO ZENER - um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura.
o Seu comportamento o de um diodo comum quando polarizado diretamente.

o Quando polarizado inversamente ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura.

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REGULADOR DE TENSO COM ZENER

Diodo Emissor de Luz Light-emitting diode (LED) LightComo a juno pn emite luz? Eltron no fundo da banda de conduo cai num buraco no topo da banda de valncia: processo de recombinao eltron+buraco.
e-

Objetivo: manter a tenso sobre a carga constante e de valor Vz.

Clculo do resistor de carga RS: garante a corrente mnima para a carga:
EF

(BC)

Eg
+ (BV)

Energia liberada = Eg
garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX

Forma de calor: energia trmica, vibrao na estrutura Forma de radiao eltromagntica: luz Depende dos semicondutores utilizados: precisa de um grande nmero de recombinaes

Eg =

hc

LEDs comerciais: Ga-As-P proporo entre fsforo e arsnio ajusta a largura do gap (Eg) de modo a haver emisso no visvel
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OLEDs - Organic light-emitting diodes

LED que possui um composto orgnico como camada emissora de luz. Estes materiais orgnicos podem ser molculas numa fase cristalina, ou um polmero. OLEDs feitos com polmeros so bastante flexveis e leves. Possveis aplicaes: Monitores flexveis a baixo custo Fontes de luz Decoraes em paredes Roupas luminosas OLEDs tem sido usados para produzir displays para dispositivos eletrnicos portteis, como celulares, cmeras digitais e tocadores de MP3. Monitores maiores tem sido desenvolvidos, mas sua vida til ainda muito baixa (< 1000 horas).
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LEDs comerciais: Ga-As-P proporo entre fsforo e arsnio ajusta a largura do gap (Eg) de modo a haver emisso no visvel.
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SAMSUNG Electronics Develops Worlds First 40-inch a-Si-based OLED for Ultraslim, Ultra-sharp Large TVs 19 May 2005

Fotodiodo: inverso do LED

tipo de fotodetector: uma juno pn designada para responder a uma entrada tica. possuem uma "janela" ou uma conexo de fibra tica, responsvel por deixar a luz passar e incidir na parte sensvel do dispositivo. pode ser usado sem a "janela" para detectar raios ultravioleta ou raios-x. podem ser usados tanto na polarizao reversa quanto na polarizao direta. na polarizao direta, a luz que incide sobre o fotodiodo faz a corrente passar atravs do dispositivo (efeito fotoeltrico), e a base das clulas de captao de energia solar - alis, uma clula de captao de energia solar apenas um monte de grandes, e baratos, fotodiodos. so usados em controles remotos: pulsos de infravermelho so emitidos e recebidos por um fotodiodo na TV, so amplificados, transformados em sinais eltricos e podem ser usados para diferentes tarefas.
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Lasers Semicondutores (de Diodo)

Inverso de populao Emisso estimulada Juno pn maior nmero de eltrons na BC (lado n) do que na BV (lado p) Cavidade ressonante Faces dos cristais p e n devem ser planas e paralelas para que a luz seja refletida diversas vezes na juno Quando ocorre recombinao temos emisso de ftons que podem estimular outros eltrons a se recombinarem, emitindo mais ftons corrente grande na juno reao em cadeia laser Aplicaes: leitores e gravadores de CD e DVD ; sistemas de comunicao
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TRANSISTOR: dispositivo semicondutor com 3 terminais

Amplifica sinais
Porta G Dreno D Fonte S

Transistor de efeito de campo: FET eltrons vo de S para D: corrente IDS depende do campo eltrico produzido por uma tenso em G Diversos tipos de transistores: vamos discutir MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field - Effect Transistor)
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OBS: comprimentos de onda de laser de diodo tem largura de linha bem menor que os comprimentos de onda de um LED

MOSFET

MOSFET
Opera somente em dois estados: lgica binria circuitos eltricos digitais IDS 0 (porta aberta) 1 IDS = 0 (porta fechada) 0 Comutao rpida entre ON e OFF Comprimento: 500 nm (extremamente pequeno!) Composio: estrutura bsica - substrato: semicondutor tipo p - monocristal de Si fracamente dopado - ilhas so criadas no substrato com alta dopagem tipo n (fonte e dreno) - ligao entre F e D atravs de uma camada estreita (canal) tipo n - fina camada de SiO2 depositada sobre o canal - uma camada de metal depositada sobre o xido para fazer o papel de porta - camadas metlicas sobre a fonte e o dreno

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MOSFET: Como funciona ?

- inicial: S e substrato aterrados (V=0) G no ar (no est ligada a nenhuma fonte externa) - aplica-se uma tenso VDS entre fonte (S) e dreno (D) (+)

G S D

Applets para Semicondutores

http://jas.eng.buffalo.edu/

- eltrons se movem atravs do canal n de S D : corrente convencional IDS - liga-se uma fonte de tenso VGS entre porta (G) e fonte (S): terminal negativo (G) - isto cria um campo eltrico que repele os eltrons do canal n para p: alarga a zona de depleo diminui a largura de n (canal) diminui o nmero de portadores de carga aumenta a resistncia reduz IDS - para valores grandes de VGS , IDS = 0 portanto VGS pode ser usado para comutar o MOSFET em ON e OFF OBS: milhares de transistores e outros componentes eletrnicos, como capacitores, resistores formam um CHIP (basicamente material semicondutor); vrios CHIPS: circuitos integrados microeletrnica
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