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RENATO VIEIRA DIAS

SEMICONDUTORS DE POTNCIA

CAMPO GRANDE MS 2011

RENATO VIEIRA DIAS

SEMICONDUTORES DE POTNCIA

Trabalho apresentado disciplina de ELETRONICA DE POTNCIA do 3 semestre do curso de ELETROTCNICA orientado pelo professor Renato no Colgio MACE de Campo Grande MS.

CAMPO GRANDE MS 2011

SUMARIO

Semicondutores de Potncia ........................................................................................... 4 TIRISTORES .................................................................................................................. 5 Trava ideal a transistores............................................................................................. 5 Funcionamento ............................................................................................................ 5 Disparo dos tiristores .................................................................................................. 6 Funcionamento do UJT ............................................................................................... 7 Diodo de potncia ........................................................................................................... 7 Transistor bipolar ............................................................................................................ 8 SCR - Retificador controlado de silcio .......................................................................... 9 TRIAC .......................................................................................................................... 10 GTO .............................................................................................................................. 11 MOSFET de potncia ................................................................................................... 11 IGBT ............................................................................................................................. 12 SCS: .............................................................................................................................. 12 Diodo de quatro camadas: ............................................................................................ 13 Foto-SCR: ..................................................................................................................... 13 DIAC: ........................................................................................................................... 13 CONCLUSO .............................................................................................................. 14 BIBLIOGRAFIA .......................................................................................................... 15

Semicondutores de Potncia
Os semicondutores provocaram uma verdadeira revoluo na tecnologia da eletrnica. Nenhum aparelho eletrnico atual, desde um simples relgio digital ao mais avanado dos computadores, seria possvel sem os mesmos. Equipamentos industriais so certamente uma das suas principais aplicaes. Sem eles, aparelhos como inversores de freqncia no seriam viveis. E podem tambm substituir com vantagens dispositivos eletromecnicos, como rels e chaves magnticas. Observao: para cada tipo, mostrada a estrutura simplificada das camadas semicondutoras. Os sinais aps o tipo (n+, n-, p+, p-) no tm relao com cargas eltricas. Indicam a intensidade da introduo de impurezas (dopagem): sem sinal (dopagem mdia), (dopagem fraca), + (dopagem forte). A figura 1.1 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando limites (1994) para valores de tenso de bloqueio, corrente de conduo e freqncia de comutao.

Tiristores
So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, chaveando grandes cargas, como motores, eletroims, aquecedores, convertendo CA em CC, CC em CA e gerando pulsos de controle para outros tiristores.

Trava ideal a transistores

A estrutura semicondutora comum (com variaes) dos tiristores PNPN. A trava ideal um circuito que permite compreender o funcionamento dos tiristores. Fig 1

Fig 1

Funcionamento

No circuito, a base do transistor NPN alimentada pelo coletor do PNP, e vice-versa. No h inicialmente corrente de coletor alimentando o outro transistor, e ambos esto no corte. Mas se aplicarmos um pulso positivo na base do NPN, ou negativo na do PNP, o transistor ser ativado, fornecendo uma corrente amplificada na base do outro, que amplificar esta corrente fornecendo uma corrente ainda maior base do transistor que recebeu o pulso. O processo leva rapidamente os transistores saturao, fornecendo corrente somente limitada pela carga, o resistor.Fig 2

Fig 2

Uma vez disparada, a trava s se desliga quando a corrente for limitada a um valor a um valor mnimo, corrente de manuteno, que no permite manter os transistores na saturao. Isto pode ser conseguido desligando o circuito, ou curtocircuitando os emissores. A trava tambm pode ser disparada por avalanche, aplicando-se uma sobretenso entre os emissores, que inicia a ruptura em um dos transistores, alimentando a base do outro, o que leva saturao como no caso do pulso, anterior

Disparo dos tiristores

Os tiristores podem ser disparados de diversos modos: atravs de pulso, por ngulo de fase em CA e por CC. O disparo por CC usado em chaveamento de cargas por longos perodos, como lmpadas, calefatores, eletroims e motores, em sistemas de controle tipo liga-desliga e por ciclos. Nestes casos manter a alimentao de gatilho, apesar do consumo de energia desnecessrio e o aquecimento da juno, simplifica o circuito de comando. O disparo por ngulo de fase tpico de controle de luminosidade de lmpadas em CA (dimmer), e de velocidade de motores universais ou de CC. Nestes, a cada ciclo da tenso CA de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de atraso RC, e quando a tenso atingir a tenso necessria ao disparo do SCR ou TRIAC (mais a do DIAC, se estiver em srie), num dado ngulo de fase, o tiristor disparado. O processo se repete a cada ciclo (ou sericcola, em onda completa), e variando o valor do(s) resistor(es), varria-se a poro do ciclo em que alimentada a carga (ngulo de conduo do tiristor), variando a tenso mdia e eficaz, e a potncia na carga.

Estrutura do UJT

Simbolo

O disparo por pulsos o mais sofisticado e preciso, e o mais empregado. Usa um gerador de pulsos, freqentemente com transistor unijuno, UJT, que outro tiristor, constitudo de uma barra de material N, com uma poro lateral tipo P prxima do centro. A regio P o emissor, E, e os extremos da barra as bases 1 e 2, B1 e B2

Funcionamento do UJT

O UJT atua como uma trava ideal com a base do PNP polarizada por um divisor de tenso, que o efeito da barra N dividida pela regio P. Quando a tenso no emissor for 0.6 V acima da tenso fornecida pelo divisor, o PNP ativado, que polariza o NPN, disparando a trava. Quando a corrente cair abaixo do valor de manuteno, a trava se desliga.

Diodo de potncia

o mais simples dos semicondutores, usados sobretudo em processos de retificao.

Figura 01 Na Figura 01 deste tpico, a estrutura simplificada e a curva corrente x tenso. A corrente direta mxima limitada pela temperatura mxima da juno, ou seja, a temperatura acima da qual a juno destruda. A juno tambm pode ser danificada por uma tenso inversa maior que a mxima (Vrm na figura). Como todos os dispositivos prticos, a operao no se d de forma ideal. Supondo que a juno est conduzindo, se a tenso bruscamente invertida, as regies p e n ainda tero portadores minoritrios de carga e o diodo se comporta como um curto-circuito por um breve perodo de tempo.

Figura 02

Assim, h uma corrente no sentido inverso, conforme Figura 02, que pode provocar interferncias e perdas. Diodos rpidos ou ultra-rpidos tm esse fenmeno menos pronunciado, mas em geral a mxima tenso inversa menor.

Transistor bipolar

Transistores bipolares so bastante conhecidos e dispensam maiores comentrios.

Figura 01 Na Figura 01, a estrutura simplificada e grfico da corrente de coletor em funo da tenso coletor-emissor e tenso base-emissor. Para operaes de comutao, h problemas semelhantes aos dos diodos e, por isso, existem os tipos rpidos, que, tambm de forma similar, tm menor capacidade.

Figura 02 Para assegurar uma comutao mais rpida, o circuito deve forar uma corrente negativa na base, conforme grfico da Figura 02. O transistor Darlington um nico componente, mas equivalente a dois bipolares conforme Figura 03.

Oferece um ganho maior, com as desvantagens de uma maior queda de tenso e maior tempo de comutao.Transistores bipolares em geral tm a vantagem do baixo custo e, como desvantagens, o custo dos circuitos de controle e a limitao da velocidade de comutao. So usados, por exemplo, em ignio automotiva, reatores eletrnicos para lmpadas, deflexo horizontal de televisores e monitores de vdeo.

SCR - Retificador controlado de silcio

Tiristor o nome genrico para semicondutores de quatro camadas, dos quais os principais so os SRCs e os TRIACs.

Figura 01 Na parte superior da Figura 01 deste tpico, a estrutura, o circuito equivalente e o smbolo de um SCR. Na prtica, ele se comporta como um diodo retificador controlado pela porta. Mas o controle da porta no total. Ver na parte inferior da figura. Supondo que est diretamente polarizado, ao fechar a chave, um pulso de corrente aplicado na porta devido descarga do capacitor. E o SCR passa a conduzir de forma permanente, independente da porta. Para deixar de conduzir, a corrente na juno deve cair a zero, o que ocorre com correntes alternadas. Esse tipo de controle funciona devido a uma realimentao positiva, como pode ser deduzida pelo circuito equivalente.SCRs so componentes de baixo custo, mas o controle parcial pela porta e o trabalho com apenas um semiciclo limitam as aplicaes. Podem ser usados, por exemplo, para retificar e controlar uma tenso AC que alimenta um motor de corrente contnua.

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TRIAC

Figura 01 Desde que o SCR s conduz em um sentido, fica evidente sua limitao em circuitos AC, pois somente um semiciclo pode ser aproveitado. O TRIAC resolve essa limitao, sendo equivalente a dois SCRs ligados em oposio, conforme Figura 01 ao lado.O controle pela porta parcial como no SCR. A corrente controlada deve cair a zero para o cessar da conduo.

Figura 02 Um exemplo de controle dado na Figura 02.Enquanto os pulsos na porta so aplicados exatamente nos instantes de corrente de entrada nula, a sada igual entrada. Sem os pulsos, a sada nula.Nessa condio, pode funcionar como uma chave liga-desliga ou um controle tipo trem de pulsos.

Figura 03 Na Figura 03, os pulsos no deixam de ser aplicados, mas so defasados em relao aos instantes de corrente nula. Assim, os semiciclos so cortados, resultando numa potncia

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menor na carga. o controle por desvio de fase e empregado em dimmers para iluminao. Deve ser evitado para potncias altas, uma vez que as formas de onda deixam de ser senoidais, com a conseqente gerao de harmnicos.

GTO

Figura 01 GTO abreviao de Gate Turn Off Thysistor, ou seja, opera de forma similar a um SCR, mas pode ser cortado pela porta. No circuito da parte inferior da Figura 01 deste tpico, ao se comutar a chave para cima, a descarga do capacitor fornece um pulso positivo e o dispositivo conduz. Se a chave comutada para baixo, o pulso negativo proporcionado pelo indutor interrompe a conduo. A queda de tenso em um GTO em geral maior do que a de um SCR de mesma capacidade. GTOs so usados em aplicaes de altas tenses, elevadas correntes e baixas freqncias de comutao, como em trens eltricos.

MOSFET de potncia

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Na conduo o componente usa apenas portadores majoritrios de carga e, assim, a capacidade mxima definida pela taxa de dissipao de calor. Devido elevada impedncia entre porta e fonte, forma-se um capacitor entre elas e, portanto, o circuito simples de comutao no precisa de um capacitor como os anteriores. Basta uma bateria e chave conforme parte inferior da Figura 01 ao lado. MOSFETs de potncia podem operar com altas freqncias de comutao e requerem um mnimo de potncia dos circuitos de controle. Podem ser controlados diretamente por microprocessadores e, por isso, encontram aplicaes como controle de sistemas automotivos.

IGBT

IGBT abreviao de Insulated Gate Bipolar Transistor (transistor bipolar de porta isolada).Pode ser considerado como um transistor Darlington com um MOSFET como excitador e um bipolar como sada de potncia. Assim, o circuito de controle similar ao do MOSFET conforme tpico anterior e as caractersticas de comutao so parecidas com as do transistor bipolar. Apesar do maior custo em relao ao transistor bipolar, a maior simplicidade dos circuitos de controle pode resultar em um custo total menor. So usados em controles de motores e em ignio automotiva, ou seja, em aplicaes de baixas freqncias de comutao e altas tenses.

SCS:

um tiristor semelhante ao SCR, mas com dois terminais de disparo, correspondentes s bases dos transistores da trava ideal, gatilho de anodo, Ga, e g. de catodo, Gc, permitindo disparo por pulsos negativo ou positivo, respectivamente.

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No muito comum, sendo geralmente de baixa potncia. A sigla significa chave controlada de silcio (S de Switch)

Diodo de quatro camadas:

um tiristor de avalanche, sendo disparado com tenses de algumas dezenas de V. Seu dois terminais so o catodo e o anodo, no h gatilho. usado em geradores de pulso de disparo de SCR e osciladores dente-de-serra.

Foto-SCR:

Se expusermos a juno NP central da trava ideal luz, atravs de uma janela e lente, esta se comportar como um fotodiodo, fornecendo uma corrente de base ao transistor NPN, e disparando o SCR. Isto permite isolar o circuito de disparo, feito por um LED, do circuito de potncia.

DIAC:

Pode ser entendido como dois diodos Schokley em antiparalelo. O seu disparo ocorre quando se atinge a tenso de bloqueio em qualquer sentido, da ordem de 25 a 40 V. usado em geral para disparar o TRIAC, em circuitos de controle de tenso CA por ngulo de disparo. Sua estrutura PNP, e funciona como um transistor cuja base s alimentada quando se atinge a tenso de ruptura, o que leva saturao, caindo a tenso nos terminais para uns 0.2 V.

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CONCLUSO

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BIBLIOGRAFIA
http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_310.shtml

http://pt.wikipedia.org/wiki/Tiristor

http://pt.scribd.com/doc/14821552/UFES-Eletronica-de-Potencia-Semicondutores-depotencia

http://www.grupozug.com.br/ENGEL/Elet%20Potencia/cap1.pdf

http://pt.scribd.com/doc/1816529/Normas-ABNT-no-Word