Transistor de unin unipolar o de efecto de campo El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue

el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. NPN

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. [editar] PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo

Regiones operativas del transistor Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) ACTIVA DIRECTA : El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente ). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN : En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE : el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial I c ). 2. 3. ACTIVA INVERSA : Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP. 2. Se invierten todos los voltajes y corrientes Transistor PNP Transistor NPN Simbologa Polarizacin del transistor. El transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarn permitiendo o no el paso de la corriente como se sabe. El

Muy importante: No es un FET El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este

la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: n = intrinsic - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

disparo est dado por

standoff

radio

(dato

del

fabricante)

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. PUT: Caractersticas Importante: No es un UJT (transistor uniunin)

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT. fototransistor Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: 1. 2. 3. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

4. B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES 5. Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir 6. 7. 8. 9. 10. 11.
que: - La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y - La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente. Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario. La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por CD o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.

Patillas desconocidas un transistor NPN: 123 Tster en escala de diodos: Se sabe que los diodos en directa conducen, y en inversa no: Buscas una patilla con la punta positiva hasta que conduzca con las otras dos: aparentemente es la base: Supongamos que encuentras que la uno conduce con las otras dos: 1-2 Da un valor X 1-3 Da un valor ligeramente mayor Por lo tanto 2 es el colector, y 3 es el emisor ya que la regin de emisor es mayor y por lo tanto debe dar mayor caida de tensin (es decir mayor resistencia). A continuacin la contra prueba: Punta negativa en el 1, positiva en el 2 (diodo colector en inversa): no debe conducir Punta negativa en el 1, positiva en el 3 (diodo emisor en inversa): no debe conducir 2-3 No debe conducir de ninguna forma, ni directa ni inversamente. Si se cumplen todas las condiciones has indentificado el patillaje y comprobado el mismo. Se deben cumplir todas sin excepcin, nunca te dejes ninguna prueba, a veces parece que base-emisor est correcta, base colector est correcta, pero cuando haces la contraprueba te das cuenta de que tambin conducen, estando mal por lo tanto el transistor. En el PNP tan slo hay que invertir el razomiento expuesto. Aadir tambin que esa prueba con un tster no significa que el transistor est correcto. Mide su Beta que variar bastante de un transistor a otro. Tambin puede ocurrir que presente falsos contactos debido al aumento de temperatura, y eso con un tster no se puede detectar.

Electrodo Saltar a: navegacin, bsqueda

Las bateras comunes poseen dos electrodos. Un electrodo es una placa de membrana rugosa de metal, un conductor utilizado para hacer contacto con una parte no metlica de un circuito, por ejemplo un semiconductor, un electrolito, el vaco (en una vlvula termoinica), un gas (en una lmpara de nen), etc. La palabra fue acuada por el cientfico Michael Faraday y procede de las voces griegas elektron, que significa mbar y de la que proviene la palabra electricidad; y hodos, que significa camino.1

] nodo y ctodo en celdas electroqumicas Un electrodo en una celda electroqumica. Se refiere a cualquiera de los dos conceptos, sea nodo o ctodo, que tambin fueron acuados por Faraday. El nodo es definido como el electrodo en el cual los electrones salen de la celda y ocurre la oxidacin, y el ctodo es definido como el electrodo en el cual los electrones entran a la celda y ocurre la reduccin.

Cada electrodo puede convertirse en nodo o ctodo dependiendo del voltaje que se aplique a la celda. Un electrodo bipolar es un electrodo que funciona como nodo en una celda y como ctodo en otra. [editar] Celda primaria Una celda primaria es un tipo especial de celda electroqumica en la cual la reaccin no puede ser revertida, y las identidades del nodo y ctodo son, por lo tanto, fijas. El ctodo siempre es el electrodo positivo. La celda puede ser descargada pero no recargada. [editar] Celda secundaria Una celda secundaria, una batera recargable por ejemplo, es una celda en que la reaccin es reversible. Cuando la celda est siendo cargada, el nodo se convierte en el electrodo positivo (+) y el ctodo en el negativo (-). Esto tambin se aplica para la celda electroltica. Cuando la celda est siendo descargada, se comporta como una celda primaria o voltaica, con el nodo como electrodo negativo y el ctodo como positivo. [editar] Otros nodos y ctodos En un tubo de vaco o un semiconductor polarizado (diodos, condensadores electrolticos) el nodo es el electrodo positivo (+) y el ctodo el negativo (-). Los electrones entran al dispositivo por el ctodo y salen por el nodo. En una celda de tres electrodos, un electrodo auxiliar es usado slo para hacer la conexin con el electrolito para que una corriente pueda ser aplicada al electrodo en curso. El electrodo auxiliar esta usualmente hecho de un material inerte, como un metal noble o grafito. [editar] Electrodos de soldadura Vanse tambin: Soldadura por arco y Arco elctrico En la soldadura por arco se emplea un electrodo como polo del circuito y en su extremo se genera el arco elctrico. En algunos casos, tambin sirve como material fundente. El electrodo o varilla metlica suele ir recubierta por una combinacin de materiales diferentes segn el empleo del mismo. Las funciones de los recubrimientos pueden ser: elctrica para conseguir una buena ionizacin, fsica para facilitar una buena formacin del cordn de soldadura y metalrgica para conseguir propiedades contra la oxidacin y otras caractersticas. [editar] Electrodos de corriente alterna Para sistemas elctricos que usan corriente alterna, los electrodos son conexiones del circuito hacia el objeto que actuar bajo la corriente elctrica, pero no se designa nodo o ctodo debido a que la direccin del flujo de los electrones cambia peridicamente, numerosas veces por segundo. Son una excepcin a esto, los sistemas en los que la corriente alterna que se aplica es de baja amplitud (por ejemplo 10 mV) de tal forma que no se alteren las propiedades como nodo o ctodo, ya que el sistema se mantiene en un estado pseudo-estacionario. Los electrodos tambin son considerados varillas de metal cubiertas con sustancias adecuadas al tipo de soldadura. La medida de electrodos ms utilizada es de 2,50 x 350 y 3,25 x 350 mm. El primer nmero indica el dimetro del electrodo (1,5-2,5,etc.) y el segundo nmero la longitud total del electrodo.
Definicin: Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para elementos se miconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de las vlvulas electrnicas, incluyendo la amplificacin y la rectificacin. A continuacin vamos a observar algunos tipos de transistores: