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FIW362
Curso de Licenciatura em Fsica
Objetivos : Verificar, experimentalmente, o funcionamento de um transistor como chave. Teoria: Conforme a polarizao, um transistor pode operar em trs regies distintas, a de corte, a ativa, e a de saturao. Na regio ativa, o transistor utilizado, com a devida polarizao, como amplificador. Nas regies de corte e saturao, utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutao, conduzindo ou no. Nesta situao, o transistor utilizado, principalmente, no campo da eletrnica digital, sendo clula bsica de uma srie de dispositivos, normalmente agrupados dentro de circuitos integrados. Na figura abaixo, temos a curva da corrente de coletor em funo da corrente de base, mostrando o corte, a saturao e a regio ativa.
IC corte ICsat
ativa
saturao
IBsat
IB
Notamos que, se trabalharmos com uma corrente de base menor ou igual a zero, o transistor operar na regio de corte, ou seja, a corrente de coletor ser nula. Se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e valor limite (IBsat), operar na regio ativa, ou seja, com uma corrente de coletor, conforme o valor de (IC = IB). Para uma corrente de base acima de IBsat, operar na regio de saturao, ou seja, circular pelo coletor uma corrente limite (ICsat), imposta de acordo com a polarizao. Estas mesmas condies podem ser observadas na caracterstica IC = f(VCE) do transistor, onde onde podemos representar a reta de carga de um circuito de polarizao. A figura abaixo mostra essa caracterstica, bem como a reta de carga. A reta de carga obtida a partir da equao da malha de sada do circuito de polarizao, no caso para fins de chaveamento, utilizaremos o circuito de corrente de base constante. Escrevendo a equao da malha temos : VCC = RC IC + VCE Ou seja,
IC =
VCC VCE RC
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Para fins de amplificao, o ponto de trabalho ser localizado na regio ativa. Em operao com como chave, o ponto ser localizado na regio de corte ou na regio de saturao. O circuito da figura abaixo mostra a configurao bsica de um transistor, operando como chave.
RC RB VCC VS VE
Para o transistor operar na situao de corte, ou seja, como uma chave aberta, necessrio que o potencial VE seja menor que VBE ou nulo. Nesta situao, no circular corrente de coletor,sendo VS igual a VCC . Para o transistor operar na situao de saturao, ou seja, como chave fechada, necessrio que a diferena potencial VE seja maior do que VBE, dependendo do dimensionamento de RB. Nesta situao, a corrente de coletor ser mxima possvel, conforme o valor de RC, sendo VS igual a VCesat (no Maximo 0,3 V). Dimensionando RC e RB para saturao do transistor, temos : 1- clculo de RC
RC =
2- clculo de IBsat
VCC VCEsat IC
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I Bsat =
3 - clculo de RB
IC
sat
470 LED 1 2 catodo anodo anodo Simbologia de um LED catodo 5,6 k 12V
2- com a chave na posio 1, mea e anote no quadro abaixo, os valores de IB, IC, VBE e VCE. Repita as medies com a chave na posio 2, anotando os valores no mesmo quadro. Chave S Posio 1 Posio 2 Questes 1- No circuito da figura acima, modifique a posio do led para este acender quand a chave S for comutada para a posio 2 e apagar na posio 1. 2 No circuito da figura abaixo, sabendo-se que todos os resistores de base esto dimensionados para a saturao dos transistores, preencha o quadro abaixo, indicando a situao do led em funo da posio das chaves s1 e s2. 3- Dimensione RC e RB para o circuito da figura abaixo, de tal forma a saturar o transistor na mudana de nvel, conforme a caracterstica da tenso de entrada. 19 IB IC VBE VCE
Dados do transistor :VBE =0,7V; sat = 10 V; VCesat = 0,3 V Dados do projeto : IC = 10mA
RC RB 10V
VE (V) 5 0
VE
2 T(ms)
Referencias [1] Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica , F. G. Capuano e M. A. M. Marino. Ed. rica Datas de entrega do relatrio (no incio da prxima aula)
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