UNIVERSIDAD AUTNOMA DE CHIAPAS

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

Catedrtico: Vctor Manuel Mndez Ovando

Trabajo: Tipos de memorias: (RAM, ROM, Cach) Por: Coutio Coutio Jorge Luis 3to. Semestre; Licenciatura en Sist.Comp.

Tuxtla Gutirrez, Chiapas; 03 de Febrero del 2011

INTRODUCCIN

En este trabajo vamos a hablar acerca de las memorias principales que una computadora tiene y sus clasificaciones. Hay diferentes tipos de memorias que se identifican por la velocidad que tiene de almacenar los datos, conexin y su capacidad. Existen tres memorias que son: ROM RAM Memoria Cache Estas memorias trabajan dentro del CPU que es la Unidad de Proceso Central pero cada una tiene tareas y funcionamientos diferentes. En estas memorias se guardan todas las informaciones que entran al CPU y se almacenan.

Memorias principales de la computadora y su clasificacin

La memoria principal o primaria (MP), tambin llamada memoria central, es una unidad dividida en celdas que se identifican mediante una direccin. Est formada por bloques de circuitos integrados o chips capaces de almacenar, retener o "memorizar" informacin digital, es decir, valores binarios; a dichos bloques tiene acceso el microprocesador de la computadora. La MP se comunica con el microprocesador de la CPU mediante el bus de direcciones. El ancho de este bus determina la capacidad que posea el microprocesador para el direccionamiento de direcciones en memoria. En algunas oportunidades suele llamarse "memoria interna" a la MP, porque a diferencia de los dispositivos de memoria secundaria, la MP no puede extraerse tan fcilmente por usuarios no tcnicos. La MP es el ncleo del sub-sistema de memoria de un computador, y posee una menor capacidad de almacenamiento que la memoria secundaria, pero una velocidad millones de veces superior. Tipos: Hay tres tipos que son: 2. ROM: La memoria de slo lectura o ROM (acrnimo en ingls de read-only memory) es una clase de medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar -al menos no de manera rpida o fcil- y se utiliza principalmente
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para contener el firmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo. Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. Es una memoria solamente de lectura es totalmente inalterable sin esta memoria la maquina no arrancara. La memoria principal es la convencional que va de 0 a 640 Kb. Cuando la mquina arranca comienza a trabajar el disco y realiza un testeo, para lo cual necesita memoria, esta memoria es la convencional (ROM) y est dentro del mother (en el bios). Apenas arranca utiliza 300 Kb, sigue testeando y llega a ms o menos 540 Kb donde se planta. A medida de que comenzaron a haber software con ms necesidad de memoria apareci la llamada memoria expandida que iba de 640 Kb a 1024 Kb. Una vez que se utilizaba toda la memoria convencional se utilizaba la expandida que utiliza la memoria RAM. A medida que pasa el tiempo los 1024 Kb eran escasos y se cre la memoria extendida que va de 1024 Kb a infinito que es la memoria RAM pura. Se clasifica en 4 categoras que son: 2.1. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es elctrico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares, habitulamente Schottky, consiguiendo mayores velocidades. Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fbrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final). 2.2. EPROM: (EPROM son las siglas de Erasable Programmable ReadOnly Memory (ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection MetalOxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga, por lo que es ledo como un 1 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. 2.3. EEPRO Mson: las siglas de electrically-erasable programmable readonly memory (ROM programable y borrable elctricamente), en espaol o castellano se suele referir al hablar como E PROM y en ingls E-SquaredPROM. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y
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reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I C, SPI y Microwire. En otras ocasiones se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creadas por Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba in 1984 y fueron presentadas en la Reunion de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invencin y en 1988 lanzo el primer chip comercial del tipo NOR. 2.4. MEMORIA FLASH: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. La memoria flash es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un array de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basada en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra

puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin. 2.4.1. Memoria flash de tipo NOR: Cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multinivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electron injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Cabe destacar que las memorias flash estn subdividas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para reescribir su contenido despus.
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2.4.2. Memorias flash de tipo NAND: Basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles. En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficiente, lo que demuestra la necesidad imperiosa
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de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. 3. RAM: MEMORIA RAM o Memoria e acceso Aleatorio (Random es la Acces un Memory).Esta cajones donde memoria ordenan como

escritorio al igual que los escritorios tienen informacin, cuanto ms grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la informacin La importancia de esta memoria es tan grande que si est ausente la PC NO ARRANCA, Acta como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en la pantalla ni luces que se enciendan o apaguen. Para qu sirve: Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada momento Este es el lugar fsico donde debe trabajar el procesador cuando abrimos un programa sus instrucciones se copian automticamente en la memoria, y cuando cerremos el programa todo se borrara ( volatizara ) Tambin copia los trabajos que estamos haciendo en ese programa En la RAM se copian programas que coordinan el funcionamiento de la Pc: La primera parte de la RAM est reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos electrnicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber cmo manejar los dispositivos.

Se clasifican en 6 categoras que son:

 3.1. DRAM: (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. Este tipo de memoria se utilizan des los aos 80 hasta ahora en toda las computadoras Esta memoria tiene una desventaja hay que estimularla (Refresco) permanentemente porque se olvida de todo. Como se estimula: requiere un procesador que ordene el envi de cargas elctricas, a este tipo de memorias se lo conoce como memoria estticas Otras de las desventajas de esta memoria es que es lenta y la ventaja es que es barata. Obviamente al tener estas desventajas se le incorporaron distintas tecnologas para mejorarlas. Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacin DRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin de los mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD. La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buena conexin elctrica con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin. Los primeros mdulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no haba un estndar entre distintas marcas. Otros mdulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa Rambus. La necesidad de hacer intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estndares de la industria como los JEDEC.

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3.1.1. Mdulos SIMM: SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un formato para mdulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se insertan en zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras estn interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-21C. Formato usado en computadores antigua. Tenan un bus de datos de 16 o 32 bits. 3.1.2. Mdulos DIMM: DIMM son las siglas de Dual In-line Memory Module y que podemos traducir como Mdulo de Memoria en lnea doble. Son mdulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro. Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado. Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits. 3.1.3. Mdulos SO-DIMM: Las memorias SODIMM'(Small Outline DIMM) consisten en una
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versin compacta de los mdulos DIMM convencionales, contando con 144 contactos y con un tamao de aproximadamente la mitad de un mdulo SIMM. Dado su tamao tan compacto, estos mdulos de memoria suelen emplearse en laptops, PDAs y notebooks, aunque han comenzado a sustituir a los SIMM/DIMM en impresoras de gama alta y tamao reducido y en equipos de sobremesa y terminales ultracompactos (basados en placa base Mini-ITX). Los mdulos SO-DIMM tienen 100, 144 o 200 pines. Los de 100 pines soportan transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas ltimas se comparan con los DIMMs de 168 pines (que tambin realizan transferencias de 64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras gua, las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida a la de 144 pero ms desplazada hacia un extremo. Los SO-DIMM tienen ms o menos las mismas caractersticas en voltaje y potencia que las DIMM corrientes, utilizando adems los mismos avances en la tecnologa de memorias (por ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300(DDR2.533/667) con capacidades de hasta 2 GB y Latencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0). Asimismo se han desarrollado ordenadores en una sola placa SO-DIMM como el Toradex Colibri (basado en CPU Intel XScale y Windows CE 5.0) Usado en computadores porttiles. Formato miniaturizado de DIMM. FPM DRAM. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos esto comenz a usarse principios de os aos noventa y dio buenos resultados a estos mdulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnologa es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas.

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 3.2. EDO DRAM: Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tena la posibilidad de localizar un dato mientras transfera otro de diferencia de las anteriores que mientras transfera un dato se bloqueaba. Estas EDO SIMM eran de 72 pines

3.3. RDRAM: Es una memoria muy costosa y de compleja fabricacin y la utilizan procesador Pentim IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus mdulos se denominan Rimm de 141 pines y con un anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias, es posible que estas memoria sean retiradas del mercado por ser tan costosas.

3.4. SDRAM: Esta Memoria entro en el mercado en los aos 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la capacidad de trabajar a la misma velocidad de mother al que se conectan. Es tos mdulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente si instalo una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz.

3.5. DDR SDRAM: En este caso se consigui que pudiera realizar dos transferencia en una pulsacin o tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene una ventaja mas trabaja en sincrona con el bus del mother si este acelera la memoria tambin pero

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tiene una desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100.

3.6. SRAM: (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no require refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.

4. MEMORIA CACH o SRAM: La memoria cach es una clase de memoria RAM esttica (SRAM) de acceso aleatorio y alta velocidad, situada entre el CPU y la RAM; se presenta de forma temporal y automtica para el usuario, que proporciona acceso rpido a los datos de uso ms frecuente. La ubicacin de la cach entre el microprocesador y la RAM, hace que sea suficientemente rpida para almacenar y transmitir los datos que el microprocesador necesita recibir casi instantneamente. La memoria cach es rpida, unas 5 6 veces ms que la DRAM (RAM dinmica), por eso su capacidad es mucho menor. Por eso su precio es elevado, hasta 10 20 veces ms que la memoria principal dinmica para la misma cantidad de memoria. Es un conjunto de datos duplicados de otros originales, con la propiedad de que los datos originales son costosos de acceder, normalmente en tiempo, respecto a la copia en la cach. Cuando se accede por primera vez a un dato, se hace una copia en el cach; los accesos siguientes se realizan a dicha copia, haciendo que el tiempo de acceso medio al dato sea menor. La memoria cach trabaja igual que

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la memoria virtual, tenemos cach en el procesador, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria cach nos guarda la ubicacin (direccin) en el disco, cuando lo ejecut, y lo que hicimos con el programa. Es mucho ms rpida cuando ya usamos un programa Existen 3 tipos de memoria cach, los diferentes tipos de cach se organizan por niveles, formando una jerarqua. En general se cumple que, a mayor cercana a la CPU, se presenta mayor velocidad de acceso y menor capacidad de almacenamiento.

4.1. Cache L1: Conocido como cach interno, es el nivel ms cercano a la CPU (est en el mismo ncleo) con lo que el acceso se produce a la velocidad de trabajo del procesador (la mxima velocidad). Presenta un tamao muy reducido, en Intel (4 a 32 KB), en VIA/Cyrix (1 a 64 KB), en AMD (8 a 128 KB). Est dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice que es de 216 Kb. El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad que el micro con capacidades que van desde 28 hasta 264Kb.

Se subdivide en dos partes:

La primera parte es la cach de instruccin, que contiene instrucciones de la RAM que fueron decodificadas durante su paso por las canalizaciones.

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La segunda parte es la cach de informacin, que contiene informacin de la RAM, as como informacin utilizada recientemente durante el funcionamiento del procesador.

4.2. Cache L2 interno y externo: Se encuentra ubicada en la carcasa junto con el procesador (en el chip). La cach nivel 2 es un intermediario entre el procesador con su cach interna y la RAM. Se puede acceder ms rpidamente que a la RAM, pero no tanto como a la cach nivel 1. Conocido como cach externo, inicialmente se instalaba en la placa base (en el exterior de la CPU). A partir de los procesadores Pentium 4 vienen incorporado en el procesador (no precisamente en el ncleo). El nivel L2 apareci con el procesador Pentium Pro, es una memoria ms lenta que L1, pero de mayor capacidad. Los tamaos tpicos de la memoria cach L2 oscilan en la actualidad entre 256 KB y 4 MB. La primeras memoria cach estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es ms lento que el cach L1, mientras que el externo lo encontramos el mother. La computadoras que tienen las tres tecnologas de cach van a ser ms rpidas. 4.3. Cache L3: Se encuentra en algunas placas base, procesadores y tarjetas de interfaz. El procesador de Intel Itanium trae contenida en su cartucho al nivel L3 que soporta un tamao hasta de 4 MB, y el Itanium 2 tolera hasta 6 MB de cach L3. Algunos micro soportan un nivel de cach mas el L3 que est localizado en el mother. EL AMD 6k-3 soporta este cach. CONCLUSION

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Lo que le entend a este trabajo es que las computadoras trabajan con tres memorias principales que son: ROM RAM Memoria Cache Pero cada una funciona diferente eso depende de la capacidad y su tamao, estas se encuentra dentro del CPU. Las memorias con muy importantes porque en ellas se encuentran almacenadas muchos datos y porque si el CPU no tuviera memorias no funcionaria. La memoria principal es donde se guardan las informaciones y se almacenan hasta que el usuario lo requiera. En la memoria ROM tambin se almacenan informaciones pero no se puede modificar es una memoria de lectura por la cual es muy difcil modificar algo. La memoria RAM tambin almacena informaciones pero los ordena dependiendo su tamao para que as el microprocesador pueda encontrar la informacin ms rpido. Tambin almacena las instrucciones que debe ejecutar el microprocesador en cada momento. La Memoria Cache es una memoria de alta velocidad que almacena informacin se ubica entre el CPU y la RAM y esto hace que los datos se almacenen y se transfieran ms rpido, esta memoria hace una copia de los datos que son muy difciles de acceder.

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BIBLIOGRAFIA

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