60

3. TRANSISTORES BIPOLARES DE 1UNO (TB1)

INTRODUO

Depois de estudarmos o diodo de juno, que e o dispositivo de semicondutor mais
basico, vamos agora dedicar a nossa ateno aos dispositivos de semicondutor de trs
terminais, que so muito mais uteis, uma vez que podem ser usados em muitas
aplicaes, desde a ampliIicao de sinal ao projecto de circuitos logicos e de
memoria. O principio basico envolvido nestes dispositivos e a utilizao da tenso
entre dois terminais para controlar a corrente que Ilui no terceiro terminal. Deste
modo, um dispositivo de trs terminais pode ser usado para realizar uma Ionte
controlada que, como vimos no 1 Capitulo, e a base do projecto de um ampliIicador.
Alem disso, o sinal de controlo pode ser usado para Iazer variar a corrente do terceiro
terminal entre zero e um valor elevado, permitindo assim que o dispositivo Iuncione
como um interruptor.

Ha dois tipos principais de dispositivos de semicondutor de trs terminais: os
transistores bipolares de juno (TBJ) (Bipolar Junction Transistor - BJT) e os
transistores de eIeito de campo (TEC) (Field Effect Transistor FET). Os dois tipos
de transistores so importantes, cada um possuindo vantagens distintas e tendo areas
de aplicao especiIicas.

O transistor bipolar consiste de duas junes pn, construidas de Iorma especial e
ligadas em serie. A corrente e conduzida por electres e por lacunas, e dai a
designao bipolar.
O TBJ muitas vezes e reIerido como 'o transistor e e bastante utilizado tanto em
circuitos discretos como integrados, analogicos e digitais.


3.1 ESTRUTURA FISICA E MODOS DE FUNCIONAMENTO

A Iigura 3.1 mostra a estrutura simpliIicada de um TBJ. O transistor e constituido por
trs regies com diIerentes semicondutores: a regio do emissor (tipo n), a regio da
base (tipo p) e a regio do colector (tipo n). Um transistor assim constituido e
chamado de npn.









Figura 3.1
61
Um outro transistor em que o emissor e do tipo p, a base do tipo n e o colector do tipo
p e chamado de pnp. Este esta mostrado na Iigura 3.2.












Em cada semicondutor que constitui o transistor e ligado um terminal para o exterior,
designados de E (emissor), B (base) e C (colector).

O transistor consiste de duas junes pn, a juno emissor-base (JEB) e a juno
colector-base (JCB), habitualmente designadas simplesmente juno de emissor e
juno de colector. Dependendo da condio de polarizao (directa ou inversa) de
cada uma das junes, obtm-se diIerentes modos de Iuncionamento do transistor,
como se mostra na tabela 3.1.

Modo de
funcionamento
Polarizao 1EB Polarizao 1CB
Corte Inversa Inversa
Activo Directa Inversa
Saturao Directa Directa
Tabela 3.1

O modo activo e aquele em que o transistor e usado para Iuncionar como
ampliIicador. Em aplicaes de comutao (por exemplo, circuitos logicos)
utilizam-se os modos de corte e de saturao.


3.2 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR NO MODO ACTIVO

A Iigura 3.3 mostra o principio de Iuncionamento do transistor npn no modo activo.
So usadas duas Iontes de tenso externas para estabelecer as condies de
polarizao requeridas pelo Iuncionamento no modo activo. A Ionte de tenso J
BE

impe a base do tipo p um potencial mais elevado do que o do emissor do tipo n,
polarizando assim directamente a juno emissor-base. A tenso J
CB
, positiva, Iaz
com que o potencial no colector seja superior ao potencial da base, polarizando
inversamente a juno entre o colector e a base.
Figura 3.2
62
















Figura 3.3

O fluxo de corrente

A polarizao directa da juno base-emissor Iaz com que a corrente circule nessa
juno. A corrente provem de dois componentes: electres injectados no emissor para
a base e lacunas injectadas da base para o emissor. E desejavel que a primeira
componente (electres do emissor para a base) seja muito maior que a segunda. Isto
consegue-se Iabricando o transistor com o emissor muito mais dopado do que a base.

A corrente que Ilui na juno emissor-base constitui a corrente de emissor i
E
, como
indica a Iigura 3.3. O sentido de i
E
e de saida do transistor, que e o sentido do
movimento das lacunas e o oposto ao do movimento de electres, sendo a corrente i
E

a soma destas duas componentes. Contudo, como a componente de corrente dos
electres e muito maior que a componente de corrente de lacunas, a corrente de
emissor e dominada pelo Iluxo de electres.

A corrente de colector

A maior parte dos electres que vm do emissor para a base chegam perto da
Ironteira da juno colector-base, polarizada inversamente. Devido ao potencial do
colector ser mais positivo do que o da base (por v
CB
volts) esses electres que
chegam a juno colector-base vo ser atraidos para o colector. Os electres sero
apanhados ('colectados) para constituir a corrente de colector i
C
. Por conveno, o
sentido de i
C
e oposto ao do movimento dos electres; assim i
C
ira Iluir para dentro
do terminal do colector. A corrente do colector e dada por:


T BE
J v
S C
e I i
/
= (3.1)
63
Em que I
S
e a corrente de saturao e J
1
e a tenso termica.

A corrente de saturao e directamente proporcional a area da juno (isto e, ao
tamanho do transistor). Suponhamos dois transistores idnticos, excepto que um tem
uma area de juno de emissor, por exemplo, dupla da do outro. O primeiro tera uma
corrente de saturao igualmente dupla e conduzira uma corrente de colector dupla da
do segundo.

Uma observao importante e que o valor da corrente do colector i
C
e independente
da tenso v
CB
, isto e, desde que a tenso no colector seja maior que a tenso da base,
os electres que chegam ao lado do colector na juno colector-base Iormam a
corrente do colector.

A corrente de base

A corrente da base e constituida por duas componentes. A primeira componente, i
B1
,
e devido as lacunas injectadas pela base na regio do emissor. A segunda componente
da corrente, i
B2
, e devido as lacunas que so Iornecidas pelo circuito exterior para
substituir as lacunas perdidas por recombinao.

Pode-se demonstrar que a corrente total, i
B
i
B1
i
B2
, e dada por


T BE
J v S
B
e
I
i
/

= (3.2)

De (3.1) e (3.2) veriIica-se que a corrente de base e uma Iraco da corrente do
colector, isto e

C
B
i
i = (3.3)

O e constante para um determinado transistor. Nos transistores actuais npn, o valor
de situa-se na gama de 100 a 200, mas pode atingir valores to elevados como 1000
para dispositivos especiais.
Por razes que se tornaro mais claras mais adiante, a constante chama-se ganho de
corrente em emissor comum.

O valor de e essencialmente inIluenciado por dois Iactores: a largura da regio da
base do transistor e a dopagem relativa entre a regio da base e a regio do emissor.
Para obter um elevado a largura da base deve ser estreita e pouco dopada e o
emissor muito dopado. A partir daqui vamos assumir, se no Ior dito nada em
contrario, que o ganho e constante para um determinado transistor.

64
A corrente de emissor

Uma vez que a corrente que entra no transistor deve sair dele pode ser visto pela
Iigura 3.3 que a corrente do emissor i
E
e igual a soma da corrente do colector i
C
e da
corrente de base i
B
,

C B E
i i i + = (3.4)

Das equaes (3.3) e (3.4) obtemos


1

C E
i

i
+
= (3.5)


isto e
T BE
J v
S E
e I

i
/
1

+
= (3.6)

Alternativamente, podemos escrever a equao (3.5) da Iorma


E C
i i = (3.7)

em que a constante se relaciona com por


1

+
=

(3.8)

Assim, a equao (3.6) pode ser reescrita como


T BE
J v S
E
e
I
i
/

= (3.9)

Finalmente podemos usar a equao (3.8) para representar em Iuno de


1

(3.10)

A equao (3.8) mostra que e constante para um dado transistor e ligeiramente
inIerior a unidade. Por exemplo, se 100, ento a 0,99. A equao (3.10) mostra
que pequenas variaes em a correspondem a grandes variaes em . Isto tem uma
consequncia Iisica muito importante: transistores do mesmo tipo podem ter valores
muito diIerentes de . Por razes que veremos mais adiante, chama-se ganho de
corrente em base comum.


Exemplos.

65
Modelos equivalentes do transstor no modo activo

O modelo elementar de Iuncionamento do transistor no modo activo descrito atras
pode ser representado pelo circuito equivalente mostrado na Iigura 3.4 (a).





Figura 3.4








Nesse circuito, o diodo D
E
tem uma corrente inversa de saturao igual a I
s
/ ,
Iornecendo assim uma corrente i
E
relacionada com v
BE
de acordo com a equao 3.9.
A corrente da Ionte controlada, que e igual a corrente de colector, e tambem
controlada por v
BE
segundo a relao exponencial indicada. Este modelo e,
essencialmente, uma Ionte de corrente controlada por tenso, no linear.
Este modelo pode ser convertido num outro com Ionte de corrente controlada por
corrente como mostra a Iigura 3.4 (b), exprimindo a corrente da Ionte controlada
como I
E
. Note-se que este modelo e tambem no linear devido a relao
exponencial entre a corrente i
E
do diodo D
E
e a tenso v
BE
.
Neste modelo, se o transistor Ior visto como um circuito com uma entrada e uma
saida (um diporto), com a entrada entre o E e o B e a saida entre o C e o B (isto e, B e
um terminal comum a entrada e a saida), ento o ganho de corrente e . E por esta
razo que se chama ganho de corrente em base comum.

As Iiguras 3.5(a) e (b) representam outros dois modelos equivalentes que podem ser
usados para representar o Iuncionamento do TBJ para grandes sinais.
Figura 3.5
(a) (b)
66
O modelo da Iigura 3.5(a) e essencialmente uma Ionte de corrente controlada por
tenso. Contudo, o diodo D
B
conduz a corrente de base e, assim, a sua corrente de
saturao e I
S
/ , resultando a relao i
B
- v
BE
dada pela equao 3.2.
Exprimindo a corrente de colector como i
B
obtemos o modelo com Ionte de
corrente controlada por corrente da Iigura 3.5(b).
Neste modelo, observamos que, considerando o transistor como um circuito com uma
entrada e uma saida (um diporto), com a entrada entre o B e o E e a saida entre o C e
o E (isto e, E e um terminal comum a entrada e a saida), ento o ganho de corrente e
. E por esta razo que se chama ganho de corrente em emissor comum.

A estrutura dos transstores reais

A Iigura 3.6 mostra uma seco simpliIicada, mas mais realista, de um TBJ npn.
Note-se que o colector cerca a regio do emissor, tornando assim diIicil que os
electres injectados na camada Iina da base escapem de ir para o colector. Deste
modo, o resultante e muito proximo da unidade e o e elevado.



Figura 3.6





3.3 O TRANSISTOR PNP

O transistor pnp Iunciona de modo semelhante ao do transistor npn. A Iigura 3.7
mostra um transistor polarizado para Iuncionar em modo activo.















Figura 3.7
67

Aqui a tenso J
EB
polariza directamente a juno base-emissor, enquanto a juno
colector-base e polarizada inversamente pela tenso J
BC
.
Ao contrario do transistor npn, a corrente no transistor pnp e devida principalmente a
lacunas injectadas na base como resultado da tenso de polarizao directa J
EB
. Visto
que a componente da corrente do emissor correspondente aos electres injectados no
emissor pela base e muito pequena, devido a base ser muito pouco dopada, a corrente
de emissor e essencialmente uma corrente de lacunas.
Os electres injectados no emissor pela base constituem a componente dominante,
i
B1
, da corrente de base. Algumas das lacunas injectadas na base recombinam-se com
os portadores maioritarios da base (electres), perdendo-se assim. Estes electres so
substituidos pelo circuito exterior, originando a segunda componente da base, i
B2
.
As lacunas que conseguem atingir a Ironteira da regio de depleo da juno
colector-base so aceleradas pelo campo electrico ai existente e penetram no colector,
constituindo a corrente de colector.

Pode-se Iacilmente concluir da descrio anterior que as relaes corrente-tenso do
transistor pnp so idnticas as do transistor npn, substituindo v
BE
por v
EB
. O
Iuncionamento para grandes sinais do transistor pnp pode ser modelizado por
qualquer um dos quatro modelos equivalentes analogos aos representados nas Iiguras
3.4 e 3.5 para o transistor npn. A Iigura 3.8 apresenta, a titulo de exemplo, dois
desses modelos.



3.4 SIMBOLOS PARA CIRCUITOS E CONVENES

A Iigura 3.9 mostra os simbolos usados nos circuitos para representar os transistores
npn (a) e pnp (b). Nos dois simbolos o emissor e identiIicado por uma seta.
Figura 3.8
68
A polaridade do dispositivo, npn ou pnp, e indicada pelo sentido da seta. Este indica
o sentido normal da corrente do emissor e tambem o sentido da polarizao directa da
juno emissor-base.




Figura 3.9





A Iigura 3.10 mostra os transistores npn e pnp polarizados para Iuncionarem no modo
activo. O metodo de polarizao indicado, com duas Iontes DC, e meramente
simbolico. Veremos adiante esquemas praticos de polarizao.




Figura 3.10






A Iigura indica os sentidos verdadeiros das correntes do transistor. Vamos adoptar
por conveno como sentidos de reIerncia os verdadeiros, de modo que no
devemos encontrar valores negativos para i
E
, i
B
ou i
C
.
Note-se que as correntes Iluem de cima para baixo e que as tenses so mais altas em
cima do que em baixo.

Da analise que Ioi Ieita decorre que um transistor npn Iuncionara no modo activo se
J
BE
~ 0, isto e, J
B
> J
E
(juno de emissor polarizada directamente) e J
CB
0, isto
e, J
C
J
B
.
Se J
C
J
B
o transistor Iuncionara noutro modo de Iuncionamento, a saturao, que
estudaremos mais tarde.
De igual modo, para que o transistor pnp Iuncione no modo activo tera de ser
J
EB
~ 0, isto e J
E
> J
B
e J
BC
0, isto e, J
B
J
C
.


Exemplo

69
3.5 REPRESENTAO GRFICA DAS CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR

E muitas vezes util representar graIicamente as caracteristicas i-v do transistor.

3.5.1 i
C
f(v
BE
), i
B
f(v
BE
), i
E
f(v
BE
)

A Iigura 3.11 mostra a caracteristica i
C
- v
BE
para
um transistor npn. A curva e descrita por uma
relao exponencial idntica a relao i-v do
diodo, excepto que, no caso dos transistores, a
constante n e muito aproximadamente igual a 1.




As caracteristicas i
E
v
BE
e i
B
v
BE
so tambem exponenciais mas com diIerentes
correntes inversas de saturao, I
S
/ para i
E
e I
S
/ para i
B
. Visto que a constante da
caracteristica exponencial, 1/J
T
, e muito alta (- 40), a curva tem uma inclinao
bastante elevada.
Para v
BE
0,5 V considera-se i
C
desprezavel. Alem disso, na gama de correntes
usadas, v
BE
situa-se entre 0,6 e 0,8 V.
Por isso, ao realizar anlises rpidas, admitimos habitualmente v
BE
0,7 V, que e
semelhante a aproximao Ieita nos diodos com queda de tenso constante.

Para um transistor pnp, a caracteristica i
C
v
EB
e idntica a do transistor npn.


3.5.2 Efeito da temperatura

Tal como nos diodos de silicio, a tenso da
juno emissor-base diminui cerca de 2 mV
por cada aumento de 1C da temperatura,
considerando a corrente constante. A Iigura 3.12
mostra a dependncia da curva i
C
- v
BE
com trs
temperaturas diIerentes para um transistor npn.


3.5.3 i
C
f(v
CB
)

A Iigura 3.13 mostra a caracteristica de i
C
em Iuno de v
CB
para um transistor npn
Iuncionando no modo activo. Como se pode ver as curvas so horizontais,
conIirmando o Iacto de que o colector se comporta como uma Ionte de corrente
constante. Neste caso, o valor da corrente e controlado pela corrente de emissor
Fig. 3.11
Fig. 3.12
70
(i
C
i
E
), pelo que o transistor pode ser visto como uma Ionte de corrente controlada
por corrente.













Figura 3.13

3.5.4 i
C
f(v
CE
)

Na regio activa os TBJ mostram alguma dependncia da corrente de colector i
C

relativamente a tenso de colector.
Consideremos o circuito conceptual mostrado na Iigura 3.14(a). O transistor esta
ligado em conIigurao emissor comum e a sua v
BE
pode ser ajustada atraves da Ionte
de tenso de c.c. variavel J
BE
. Para cada valor de J
BE
, a curva caracteristica
correspondente i
C
- v
CE
pode ser medida ponto a ponto, variando o valor da Ionte de
tenso de c.c. variavel J
CE
e medindo a correspondente corrente de colector. O
resultado e a Iamilia de curvas caracteristicas mostradas na Iigura 3.14(b).


























Figura 3.14
71
Para valores baixos de v
CE
, como a tenso de colector se torna inIerior a da base, a
juno de colector Iica polarizada directamente, pelo que o transistor deixa o modo
activo e entra no modo de saturao.).
Na regio activa, as curvas caracteristicas so linhas rectas com uma ligeira
inclinao. De Iacto, quando extrapoladas, as linhas caracteristicas encontram-se num
valor negativo do eixo de v
CE
, em v
CE
- J
A
.
A tenso J
A
, um numero positivo, e um parmetro para um dado TBJ, com valores
tipicos na gama de 50 a 100 V. E chamada de tenso de Early.

A dependncia de i
C
com v
CE
pode ser levada em considerao, admitindo que I
S

permanece constante e incluindo o Iactor na equao de i
C
como segue:


|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE J v
S C
J
v
e I i
T BE
1
/
(3.11)

A inclinao no nula das rectas i
C
- v
CE
indica que a resistncia de saida tomada no
colector no e inIinita (ou seja, a Ionte de corrente controlada do colector no e
ideal), mas tem um valor Iinito dado por


1
constante

=
(
(

=
BE
v
CE
C
o
v
i
r (3.12)

Usando a equao 3.11 obtem-se

C
A
o
I
J
r (3.13)
em que I
C
e o nivel de corrente correspondente ao valor constante de v
BE
, no limite da
regio activa.
Raramente e necessario incluir a dependncia de i
C
com v
CE
no projecto e analise de
circuitos em corrente continua. No entanto, a resistncia de saida Iinita r
o
pode ter um
eIeito signiIicativo sobre o ganho de ampliIicadores com transistores.


3.6 ANLISE cc DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES

Estamos agora em condies de analisar alguns circuitos simples com transistores nos
quais apenas tenses continuas esto aplicadas. Nos exemplos seguintes, usaremos o
modelo de J
BE
constante, que e semelhante ao utilizado para o diodo de juno.
EspeciIicamente, assumiremos que J
BE
0,7 V, independentemente do valor exacto
da corrente.

Exemplos

72
3.7 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Para que um transistor Iuncione como ampliIicador, e necessario polariza-lo na
regio activa. O problema da polarizao e o de estabelecer uma corrente continua
constante no emissor (ou no colector). Esta corrente deve ser bem determinada e
insensivel as variaes de temperatura, valor de , etc. Este requisito resulta do Iacto
de o Iuncionamento do transistor como ampliIicador ser altamente inIluenciado pelo
valor da corrente de repouso (ou de polarizao).
Para compreender como o transistor Iunciona como ampliIicador, consideremos o
circuito da Iigura 3.15(a).














Como se pode ver, a juno de emissor esta polarizada directamente por uma tenso
continua J
BE
(bateria). A polarizao inversa da juno de colector e estabelecida
ligando o colector a outra Ionte de alimentao J
CC
atraves da resistncia R
C
. O sinal
de entrada a ser ampliIicado e representado por uma Ionte de sinal v
be
que se
sobrepe a J
BE
.

3.7.1 Condies de corrente contnua

Consideremos primeiro as condies de polarizao cc Iazendo o sinal v
be
igual a
zero. O circuito Iica reduzido ao da Iigura 3.15(b), e podemos escrever as seguintes
relaes entre as correntes e tenses cc:


T BE
J J
C
e I I
/
S
= (3.14)

C
B
I
I = (3.15)

C
E
I
I = (3.16)


C C CC CE C
R I J J J = = (3.17)
Figura 3.15
73
No modo activo, J
C
deve ser maior do que J
B
de um valor que permita oscilaes
com amplitudes razoaveis no sinal de colector e mantenha sempre o transistor na
regio activa.

3.7.2 A corrente de colector e a transcondutncia

Se aplicarmos um sinal v
be
, como se mostra na Iigura 3.15(a), a tenso instantnea
total base-emissor sera
v
BE
J
BE
v
be
(3.18)
e a corrente de colector


( ) ( ) ( )

/ / / /
T
J
be
v
T BE T be BE T BE
e e I e I e I i
J J
S
J v J
S
J v
S C
= = =
+
(3.19)

Usando a equao (3.14) vem


T be
J v
C
e I i
/
C
= (3.20)
Se v
be
J
T
, ento podemos utilizar a aproximao
T
be
J v
J
v
e
T be
+ 1
/
e ento

|
|
.
|

\
|
+
T
be
C C
J
v
I i 1 (3.21)

Esta aproximao e valida para v
be
10 mV e e reIerida como aproximao para
pequenos sinais.

Com esta aproximao a corrente total de colector, dada pela equao (3.21), pode
reescrever-se como

be
T
C
C C
v
J
I
I i + (3.22)

Logo, a corrente no colector e composta pela componente continua I
C
e pela
componente de sinal i
c


be
T
C
c
v
J
I
i = (3.23)

Esta equao relaciona o sinal de corrente de colector com o correspondente sinal de
tenso base-emissor. Pode reescrever-se como


be m c
v g i = (3.24)

em que g
m
e chamada de transcondutncia e e, portanto, dada por


T
C
m
J
I
g = (3.25)
74
Observa-se que a transcondutncia do TBJ e directamente proporcional a corrente de
polarizao do colector I
C
. Assim, para obter um valor constante de g
m
e necessario
um valor constante de I
C
.
A interpretao graIica de g
m
e dada pela Iigura 3.16 , em que e mostrado que g
m
e
igual a inclinao da curva caracteristica i
C
-v
BE
para i
C
I
C
(isto e, no ponto de
polarizao Q). Logo,

C C
I i
BE
C
m
v
i
g
=

= (3.26)

























A aproximao de pequeno sinal implica manter a amplitude do sinal suIicientemente
pequena, de modo que a operao Iique restrita ao segmento quase linear da curva
exponencial de i
C
-v
BE
. Aumentar a amplitude do sinal leva a corrente de colector a
ter componentes relacionadas no linearmente com v
be
.

A analise anterior sugere que, para pequenos sinais (v
be
J
T
), o transistor se
comporta como uma Ionte de corrente controlada por tenso. A porta de entrada desta
Ionte controlada esta entre a base e o emissor e a porta de saida entre o colector e o
emissor.

Figura 3.16
75
3.7.3 A corrente de base e a resistncia de entrada na base

Para determinar a corrente de base vista por v
be
, primeiro calcula-se a corrente de
base total i
B
usando as equaes (3.3) e (3.22)


be
T
C C
B
v
J
I i
i

1

I

C
+ = = (3.27)
logo

b B B
i I i + = (3.28)

em que I
B
e igual a I
C
/ e a componente de sinal i
b
e dada por


be
T
C
b
v
J
I
i

1
= (3.29)

Substituindo I
C
/J
T
por g
m
vem

be
m
b
v
g
i

= (3.30)

A resistncia de entrada para pequenos sinais entre a base e o emissor, vista da
base, e designada por r

e e deIinida por

b
be
a
i
v
r = (3.31)
Usando a equao (3.30) vem


m
a
g
r

= (3.32)

Desta Iorma r

e directamente proporcional a e inversamente proporcional a

corrente de polarizao I
C
. Substituindo g
m
pelo valor dado pela equao (3.25) e
I
C
/ por I
B
obtem-se uma expresso alternativa para r

B
T
a
I
J
r = (3.33)

3.7.4 A corrente de emissor e a resistncia de entrada no emissor

A corrente total de emissor i
E
pode ser determinada a partir de



c C C
E
i I

i
i + = = (3.34)

Assim i
E
I
E
i
e
(3.35)

76
Em que I
E
e igual a I
C
/ e a corrente de sinal i
e
e dada por


be
T
E
be
T
C C
e
v
J
I
v
J
I i
i = = =

(3.36)

A resistncia para pequenos sinais entre a base e o emissor, vista do emissor, e
deIinida por


e
be
e
i
v
r = (3.37)

Usando a equao (3.36) determinamos que r
e
, chamada de resistncia de emissor, e
dada por

E
T
e
I
J
r = (3.38)

A comparao com a equao (3.25) mostra que

m m
e
g g
r
1
=



A relao entre r

e r
e
pode ser determinada pela combinao das suas respectivas
deIinies dadas pelas equaes (3.31) e (3.37), como

e e b be
r i r i v = =


Logo
e
b
e
a
r
i
i
r =
donde
( )
e a
r r 1 + = (3.39)

3.7.5 Ganho de tenso A
v


Ate aqui estabelecemos que o transistor e excitado pelo sinal v
be
na base-emissor e
Iaz com que circule uma corrente proporcional, g
m
v
be
, no colector. Deste modo, o
transistor actua como uma Ionte de corrente controlada por tenso. Para obter a
tenso de sinal de saida, pode-se Iazer com que esta corrente percorra uma resistncia
de carga, como e Ieito na Iigura 4.15(a). Ento a tenso total de colector sera


v
C
J
CC
i
C
R
C
J
CC
(I
C
i
c
)R
C
(J
CC
I
C
R
C
) - i
c
R
C
J
C
i
c
R
C
(3.40)


Onde J
C
representa a tenso de polarizao do colector, e a tenso de sinal e dada por

v
c
- i
c
R
C
- g
m
v
be
R
C
(- g
m
R
C
) v
be
(3.41)
77
Assim, o ganho de tenso deste ampliIicador e

Ganho de tenso
C m
be
c
R - g
v
v
= (3.42)

Esta equao mostra que o ganho sera tanto mais estavel quanto a corrente de
polarizao do colector I
C
o Ior, uma vez que g
m
de pende de I
C
.

Exemplo


3.8 MODELOS EQUIVALENTES PARA PEQUENOS SINAIS

3.8.1 O modelo -hbrido

A Iigura 3.17(a) mostra um modelo do TBJ para pequenos sinais. Este modelo
representa o transistor como uma Ionte de corrente controlada por tenso e inclui
explicitamente a resistncia de entrada vista da base, r

O modelo obviamente da-nos i
c
g
m
v
be
e i
b
v
be
/r

. A corrente i
e
sera dada por

( ) ( )
e
be be
a
be
a m
a
be
be m
be
e
r
v
r
v

r
v
r g
r
v
v g
r
v
i
1
1 1 =
+
= + = + = + =

Um modelo de circuito de circuito equivalente, ligeiramente diIerente, pode ser
obtido expressando a corrente de da Ionte controlada (g
m
v
be
) em Iuno da corrente
de base i
b

g
m
v
be
g
m
( i
b
r

) ( g
m
r

) i
b
i
b


Figura 3.17
78
Isto conduz ao modelo equivalente alternativo da Iigura 3.17(b), onde o transistor e
representado por uma Ionte de corrente controlada por corrente, sendo i
b
a corrente de
controle.
Os dois modelos da Iigura 3.17 so verses simpliIicadas do que se chama de
modelo -hibrido.
O modelo -hibrido completo inclui componentes adicionais que modelam eIeitos de
2 ordem presentes no TBJ.

E importante notar que os circuitos equivalentes da Iigura 3.17 modelam o
Iuncionamento do TBJ num dado ponto de Iuncionamento. Isto deve-se ao Iacto de
que os parmetros g
m
e r

dependem do valor da corrente de polarizao I

C
, como se
indica na Iigura 3.17. Finalmente, embora os modelos tenham sido desenvolvidos
para um transistor npn, eles aplicam-se igualmente a transistores pnp.

3.8.2 O modelo em T

Embora o modelo -hibrido seja o modelo mais usado, para Iazer a analise para
pequenos sinais de circuitos com transistores, ha situaes em que um modelo
alternativo, representado na Iigura 3.18, e mais conveniente. Este modelo, chamado
de modelo T, e mostrado nessa Iigura em duas verses.



















O modelo da Iigura 3.18(a) representa o TBJ como uma Ionte de corrente controlada
por tenso, sendo v
be
a tenso de controlo. Neste caso, a resistncia entre a base e o
emissor, olhando do emissor, e explicitamente mostrada. Este modelo da-nos
obviamente i
c
g
m
v
be
e i
e
v
be
/r
e
. A corrente i
b
sera dada por


Figura 3.18
79
( ) ( )
( )

r
v
r
v

r
v

r
v
r g
r
v
v g
r
v
i
be
e
be
e
be
e
be
e m
e
be
be m
e
be
b

1 1
1 1 1 - =
+
= |
.
|

\
|
+
= = = =

Se, no modelo da Iigura 3.18(a), a corrente da Ionte controlada Ior expressa em
termos da corrente de emissor i
e


g
m
v
be
g
m
( i
e
r
e
) ( g
m
r
e
) i
e
i
e


obtem-se o modelo alternativo em T mostrado na Iigura 2.18(b), onde o transistor e
representado como um Ionte de corrente controlada por corrente em que i
e
e a
corrente de controlo.


3.8.3 Aplicao dos modelos equivalentes para pequenos sinais

A existncia de modelos equivalentes do TBJ para pequenos sinais torna a analise de
circuitos ampliIicadores com transistores um processo sistematico. O processo
consiste nos seguintes passos:

1. Determinar o ponto de operao cc do TBJ e em particular o valor da corrente I
C
;

2. Calcular os valores dos parmetros do modelo para pequenos sinais, g
m
, r

e r
e
;

3. Eliminar as Iontes cc substituindo cada Ionte cc de tenso por um curto-circuito e
cada Ionte cc de corrente por um circuito aberto;

4. Substituir o TBJ por um dos seus modelos equivalentes;

5. Analisar o circuito resultante para determinar as grandezas de interesse (por
exemplo, ganho em tenso, resistncia de entrada).


Exemplos













80
3.8.4 Introduo do efeito de Early no modelo -hbrido

Como vimos no paragraIo 3.5.4, o eIeito de Early traduz-se no Iacto de que a corrente
de colector depende, no so da tenso v
BE
, mas tambem da tenso v
CE
. A dependncia
de v
CE
pode ser modelada ligando uma resistncia em paralelo com a Ionte de
corrente controlada no modelo -hibrido, como mostra a Iigura 3.19.












A resistncia de saida r
o
Ioi deIinida na equao 3.12. O seu valor e dado por
r
o
- J
A
/I
C
, em que J
A
e a tenso de Early e I
C
a corrente de colector no ponto de
Iuncionamento. Note-se que, na Iigura 3.19, v
be
Ioi substituido por v

, como e mais
habitual.
Nos circuitos ampliIicadores em que o emissor esta a massa, r
o
aparece como uma
resistncia em paralelo com R
C
. Assim a tenso de saida Iica

v
o
- g
m
(R
C
//r
o
) v
be


Logo, o ganho Iica reduzido. Se r
o
~~ R
C
a reduo no ganho sera desprezavel e
podemos ignorar o eIeito de r
o
. Em geral, podemos desprezar r
o
se Ior maior do que
10 R
C
.

Quando o emissor no esta a massa, a incluso de r
o
no modelo complica a analise.
Faremos comentarios a respeito de r
o
e sua incluso ou excluso em varios circuitos
ao longo do nosso estudo.
Os modelos em T tambem podem ter em conta o eIeito de Early se a resistncia r
o
Ior
colocada entre o colector e o emissor.


3.9 ANLISE GRFICA

Apesar de ser pouco pratico para a analise e projecto de circuitos com transistores, a
analise graIica e, no entanto, util para compreender o Iuncionamento de um circuito
ampliIicador. Faamos por isso a analise graIica do Iuncionamento do circuito da
Iigura 3.20.
Figura 3.19
81




Figura 3.20






O circuito da base impe que
J
BB
v
i
R
B
i
B
v
BE
0 ,

ou seja
BE
B B
i BB
B
v
R R
v J
i
1

+
= ,

o que representa, para um dado valor de v
i
, uma relao linear entre v
BE
e i
B
. Esta
relao pode ser representada por uma recta de inclinao -1/R
B
, como mostra a
Iigura 3.21, para v
i
0. A corrente de polarizao da base, I
B
, e a tenso de
polarizao, J
BE
, correspondentes a v
i
0, so dadas pelas coordenadas do ponto de
interseco dessa recta com a curva caracteristica i
B
-v
BE
, como mostra a Iigura.






Figura 3.21









O circuito do colector impe tambem que

v
CE
J
CC
i
C
R
C


ou seja
CE
C C
CC
C
v
R R
J
i
1
=
82
o que representa uma relao linear entre v
CE
e i
C
. Esta relao pode ser representada
por uma recta, como se mostra na Iigura 3.22. Como R
C
pode ser considerada a carga
do ampliIicador, a recta de inclinao -1/R
C
chama-se de recta de carga.
O ponto de polarizao cc, ponto quiescente Q, e o ponto de interseco da recta de
carga com a curva i
C
-v
CE
correspondente a corrente de base I
B
. As coordenadas do
ponto Q do as componentes continuas da corrente de colector I
C
e da tenso
colector-emissor J
CE
.















Note-se que, para que o transistor Iuncione como ampliIicador, o ponto Q deve estar
na regio activa e, alem disso, deve estar localizado de modo a permitir uma excurso
razoavel do sinal de saida, quando se aplica um sinal de entrada v
i
.

Como exemplo, a Iigura 3.23(a) mostra a situao quando se aplica um sinal a
entrada v
i
com uma Iorma de onda triangular, sobreposto a uma tenso continua J
BB
.
Para cada valor instantneo de J
BB
v
i
(t) pode desenhar-se uma recta de inclinao
-1/R
B
. Esta 'recta de carga instantnea intersecta a curva i
B
-v
BE
num ponto cujas
coordenadas nos do os valores instantneos de i
B
e de v
BE
correspondentes ao valor
particular de J
BB
v
i
(t). A Iigura mostra as rectas correspondentes a v
i
0 e v
i
nos
seus valores de pico positivo e negativo. Se a amplitude de v
i
Ior suIicientemente
pequena para que o ponto de Iuncionamento instantneo esteja limitado a um
segmento quase linear da curva i
B
-v
BE
, ento os sinais resultantes i
b
e v
be
sero
triangulares, como mostra a Iigura. Assim, a construo graIica da Iigura 3.23(a)
pode ser usada para determinar o valor instantneo de i
B
correspondente a cada valor
de v
i
.
A Iigura 3.23(b) mostra que o ponto de Iuncionamento se deslocara ao longo da recta
de carga de inclinao -1/R
C
a medida que i
B
Ior assumindo os valores instantneos
determinados pela Iigura 3.23(a). Por exemplo, quando v
i
esta no seu pico positivo,
i
B
i
B2
(Iigura 3.23(a)), o ponto de operao instantneo no plano i
C
-v
CE
estara na
Figura 3.22
83
interseco da recta de carga com a curva correspondente a i
B
i
B2
. Deste modo,
podemos determinar as Iormas de onda de i
C
e de v
CE
e, portanto, das componentes
do sinal i
c
e v
ce
, conIorme mostrado na Iigura 3.23(b).









































Figura 3.23
a)
b)
84
3.10 POLARIZAO DE TRANSISTORES EM CIRCUITOS DISCRETOS

Como ja Ioi reIerido antes, o objectivo da polarizao e o de estabelecer uma corrente
constante no emissor do TBJ. A corrente tem de ser calculavel, previsivel e insensivel
as variaes de temperatura e as grandes variaes no valor de encontradas em
transistores do mesmo tipo. Uma outra considerao importante e a localizao do
ponto de polarizao no plano i
C
- v
CE
para proporcionar a maxima excurso do sinal
de saida.

3.10.1 Circuito de polarizao com uma fonte de alimentao nica

O circuito da Figura 3.24(a) mostra a conIigurao mais usada para polarizar um
transistor ampliIicador quando se dispe apenas de uma Ionte de tenso. A tecnica
consiste em alimentar a base do transistor com uma Iraco da tenso J
CC
atraves do
divisor de tenso com R
1
e R
2
. Alem disso, uma resistncia R
E
e ligada ao emissor.





Figura 3.24








A Figura 3.24(b) mostra o mesmo circuito com o divisor de tenso substituido pelo
equivalente de Thevenin,


CC BB
J
R R
R
J
2 1
2
+
= (3.43)


2 1
2 1
R R
R R
R
B
+
= (3.44)

A corrente I
E
pode ser determinada escrevendo-se a equao de KirchoII para a
malha base-emissor-massa (L) e utilizando a relao I
B
I
E
/( 1), obtendo-se


) 1 /( + +

B E
BE BB
E
R R
J J
I (3.45)
85
Para que I
E
seja insensivel as variaes da temperatura e as variaes de , projecta-
se o circuito de modo a satisIazer as duas condies seguintes:


BE BB
J J >> (3.46)


) 1 (

+
>>

B
E
R
R (3.47)

A condio 3.46 assegura que pequenas variaes em J
BE
, devido as variaes de
temperatura, sero desprezadas pelo valor muito maior de J
BB
. No entanto, um valor
elevado de J
BB
signiIica que R
E
I
E
deve ser elevado. Interessa tambem que J
CE
seja
elevado para proporcionar uma grande excurso do sinal (sem que o transistor
sature). Interessa ainda I
C
R
C
elevado para que o ganho em tenso seja elevado. Como

R
E
I
E
J
CE
I
C
R
C
J
CC

A Iorma de conciliar os trs requisitos e ter as trs parcelas aproximadamente iguais:

R
E
I
E
- J
CE
- I
C
R
C
- 1/3 J
CC


A condio 3.47 torna I
E
insensivel as variaes de e pode ser satisIeita escolhendo
um valor pequeno para R
B
, o que se consegue escolhendo valores pequenos para R
1
e
R
2
. No entanto, baixos valores destas resistncias originam um maior consumo de
corrente da Ionte de alimentao e uma reduo da resistncia de entrada (se o sinal
de entrada Ior aplicado a base), que e a soluo de compromisso para esta parte do
circuito. Na pratica, costuma escolher-se R
1
e R
2
de maneira que a sua corrente se
situe entre I
E
e 0,1I
E
.

A resistncia R
E
no emissor estabiliza a corrente de emissor e, portanto, a de colector.
Admitamos que, por qualquer razo, a corrente de emissor aumenta. Como
consequncia, aumenta a queda de tenso em R
E
e, portanto, aumenta tambem J
E
. Se
a tenso da base Ior essencialmente determinada pelo divisor R
1
, R
2
, o que e o caso se
R
B
Ior pequena, o aumento de J
E
resultara num consequente decrescimo de J
BE
.
Este, por sua vez, reduz a corrente de colector (e de emissor), isto e, uma variao
oposta a inicialmente admitida. Assim, R
E
realiza realimentao negativa que
estabiliza a corrente de polarizao.


Exemplo





86
3.10.2 Circuito de polarizao com duas fontes de alimentao

Com duas Iontes de tenso, pode usar-se uma conIigurao de polarizao mais
simples, como mostra a Iigura 3.25.

Escrevendo a equao da malha L obtem-se


) 1 /( + +

B E
BE EE
E
R R
J J
I (3.48)

Esta equao e equivalente a equao 3.45, excepto que J
EE

substitui J
BB
. Por isso, as condies 3.46 e 3.47 tambem se
aplicam neste caso. Note-se que se pode dispensar a resistncia R
B

se o transistor Ior usado com a base ligada a terra (isto e, na
conIigurao base comum que estudaremos adiante). Por outro
lado, se o sinal Ior aplicado a base, a resistncia R
B
e necessaria.

3.10.3 Circuito de polarizao com resistncia entre a base e o colector

A Iigura 3.26(a) mostra um circuito de polarizao alternativo simples, apropriado
para os ampliIicadores na conIigurao de emissor comum.






Figura 3.26






A analise deste circuito esta mostrada na Iigura 3.26(b), para o qual podemos
escrever

BE
E
C E
BE B B C E CC
J
I
R I
J R I R I J

1


+
+
+ =
+ + =

Portanto, a corrente de polarizao do emissor e dada por


) 1 (

+ +
=
/ R R
J - J
I
B C
BE CC
E
(3.49)

Figura 3.25
87
Para obter um valor de I
E
insensivel a variao de , Iaz-se R
B
/ ( 1) R
C


De notar, no entanto, que o valor de R
B
determina a excurso de sinal permitida no
colector, visto que


1

+
= =

B
E B B CB
R
I R I J (3.50)

A estabilidade da polarizao neste circuito e obtida devido ao eIeito de
realimentao negativa da resistncia R
B
. Se I
C
aumentar (devido a alterao dos
parmetros do transistor), J
CE
diminui, o que Iaz diminuir I
B
, uma vez que


7 , 0

B
CE
B
R
J
I

= (3.51)

e, consequentemente, I
C
tambem diminui.

3.10.4 Circuito de polarizao usando uma fonte de corrente

O TBJ pode ser polarizado usando uma Ionte de corrente, como
mostra a Iigura 3.27.

Este circuito tem a vantagem de a corrente de emissor ser
independente dos valores de e de R
B
. Assim, R
B
pode ter um valor
elevado, permitindo um aumento na resistncia de entrada na base,
sem aIectar a estabilidade de polarizao. A Ionte de corrente
constante pode ser Iacilmente implementada usando outro transistor,
como veremos mais tarde.



3.11 CONFIGURAES DE AMPLIFICADORES COM TB1 DE UM
UNICO ANDAR


3.11.1 A configurao universal

Vamos estudar as trs conIiguraes basicas de
ampliIicadores com TBJs: os circuitos de emissor
comum (EC), de base comum (BC) e de colector
comum (CC). Para permitir uma comparao entre
as caracteristicas das trs conIiguraes, vamos
usar o circuito da Iig. 3.28, do qual podemos
derivar cada uma das montagens, pelo que este
pode ser considerado um amplificador universal.

Fig. 3.27
Fig. 3.28
88
Neste esquema so usados trs condensadores de valor elevado, C
1
C
2
e C
3
,
respectivamente ligados a base, ao emissor e ao colector. Estes condensadores so
usados para ligar os terminais do transistor a Ionte de sinal, a uma resistncia de
carga ou a massa. Como os condensadores bloqueiam a componente cc, estas
ligaes no aIectam a polarizao do transistor, o que e a maior vantagem do
acoplamento capacitivo. O maior inconveniente e a necessidade de usar grandes
condensadores, o que limita o circuito ao uso de componentes discretos. No entanto,
os resultados so semelhantes quando se usa acoplamento directo, como e o caso nos
circuitos integrados.

3.11.2 A banda de mdias frequncias

Na analise que se segue considera-se que os condensadores C
1
, C
2
e C
3
tm valores
muito altos (idealmente inIinitos). Assim, os condensadores comportam-se como
curto-circuitos para pequenos sinais alternados e no tero eIeito sobre o ganho do
ampliIicador.
Veremos mais tarde que o eIeito do valor Iinito dessas capacidades e o de reduzir o
ganho as baixas Irequncias. O ganho do ampliIicador tambem diminui quando a
Irequncia se torna muito elevada. Este eIeito e devido a Ienomenos Iisicos nos
transistores que so modelados por capacidades internas.

Assim, a analise que vamos Iazer supe que a Irequncia do sinal e suIicientemente
alta para que os condensadores possam ser considerados curto-circuitos, mas
suIicientemente baixa para que as capacidades internas dos transistores possam ser
ignoradas. A esta gama de Irequncias chama-se banda de mdias frequncias.

3.11.3 O amplificador em emissor comum (EC)

A conIigurao do ampliIicador em emissor comum obtem-se a partir do circuito da
Iig. 3.28 ligando-se o terminal Y a massa, o terminal X a Ionte de sinal e o terminal Z
a resistncia de carga, resultando o circuito da Iig. 3.29(a).

O condensador C
2
liga o emissor a massa. A porta de entrada do ampliIicador EC e
entre a base e o emissor e a porta de saida e entre o colector e o emissor. O emissor e
assim um terminal comum entre a entrada e a saida, dai o nome de amplificador em
emissor comum ou amplificador de emissor terra.

De notar que, enquanto os condensadores C
1
e C
3
servem para acoplar a Ionte de
sinal e a carga ao TBJ, respectivamente, o condensador C
2
serve para curto-circuitar
o emissor a massa para as Irequncias do sinal. Assim, a corrente de sinal circula
directamente atraves de C
2
para a massa, no passando pela resistncia R
E
. Por isso, o
condensador C
2
e habitualmente designado por condensador de bypass ou
condensador de contorno.

89
Anlise do circuito

Substituindo o TBJ pelo seu circuito equivalente do modelo -hibrido, resulta o
esquema da Iigura 3.29(b).

A resistncia de entrada, R
i
, e determinada por observao do circuito, obtendo-se

r R R
B i
// = (3.52)

Para R
B
~~ r

vem

r R
i
(3.53)

Para determinar a resistncia de saida, R
o
, Iazemos v
s
0. Ento v

0 e g
m
v

0

Assim
o C o
r R R // = (3.54)

Para circuitos com componentes discretos, R
C
r
o
, donde


C o
R R (3.55)

A transcondutncia de curto-circuito, G
ms
, e dada por


m
m
R
i
o
ms
g
v
v g
v
i
G
L
=

= =
=

0
(3.56)

resultando o modelo de circuito equivalente como um ampliIicador de
transcondutncia da Iig. 3.29(c).

A Iraco de v
s
que aparece em r

e v

dada por


s B
B
s
R r R
r R
v
v
+
=

//
//
(3.57)

O sinal de saida, v
o
, e dado por

( )( )
L o C m o
R r R v g - v // //

= (3.58)

O ganho de tenso entre a base e o colector e

( )
L o C m
o
R r R g -
v
v
// // =

(3.59)

Combinando as equaes 3.57 e 3.59, temos que o ganho de tenso do circuito, A
v
, e

( )
s B
B
L o C m
s
o
s
o
v
R r R
r R
R r R g -
v
v
v
v
v
v
A
+
= = =

//
//
// // (3.60)

90


Figura 3.29
91
Para R
B
~~ r

, esta expresso pode ser simpliIicada, obtendo-se

( )
s
L o C m v
R r
r
R r R g - A
+

// // (3.61)

Substituindo g
m
r

temos


( )
s a
L o C
v
R r
R r R
- A
+
=
// //

(3.62)

Esta expresso indica que, para valores elevados de R
s
, o ganho e altamente
dependente de valor . Esta dependncia diminui para baixos valores de R
s
, e no
ponto extremo, para R
s
r

, o ganho e independente de , Iicando

( )
L o C m v
R r R g - A // // (3.63)

Sendo tambem R
C
r
o
, podemos escrever

( )
L C m v
R R g - A // (3.64)

O ganho de corrente do ampliIicador EC, A
i
, e dado por


( )
( )
L
B
L o C m
B
L o
i
o
i
R
r R
R r R g -
r R v
R v
i
i
A


//
// //
// /
/
= = = (3.65)

Sem resistncia de carga R
L
e considerando R
C
r
o
, chega-se Iacilmente a


B
i
R r
- A
/ 1
1

+
(3.66)

e, quando R
B
~~ r

, - A
i
(3.67)

que e um resultado que no surpreende, uma vez que e o ganho de corrente em
curto-circuito do proprio TBJ.

Em concluso, o ampliIicador EC pode ser projectado para proporcionar ganhos
substanciais de tenso e corrente, resistncias de entrada de valor moderado e
resistncia de saida de valor elevado (uma desvantagem). Em ampliIicadores de
varios andares de ganho elevado, a maior parte do ganho em tenso e habitualmente
obtida utilizando-se um ou mais andares EC. Mais tarde veremos que o ampliIicador
EC, no entanto, possui uma resposta em Irequncia relativamente pobre.

Exemplos
92
3.11.4 O amplificador em emissor comum com uma resistncia no emissor (EC+ R
e
)

Consideremos agora um circuito que diIere do anterior pela incluso de uma
resistncia no percurso do sinal, entre o emissor e a massa, como mostra a Iigura
3.30(a). Esta resistncia pode originar mudanas signiIicativas nas caracteristicas do
ampliIicador e, por isso, pode ser utilizada pelo projectista do circuito para o ajustar
aos requisitos do projecto.

Anlise do circuito

Para analisar o ampliIicador da Iig. 3.30(a) substituimos o TBJ pelo seu modelo
-hibrido, como mostra a Iigura 3.30(b). V-se que a resistncia de saida r
o
liga a
saida a entrada do ampliIicador. Isto destroi a natureza unidireccional do
ampliIicador e complica a sua analise. No entanto, devido ao alto valor de r
o
, o seu
eIeito sobre a resistncia R
i
de entrada do ampliIicador e sobre a transcondutncia
G
ms
pode ser

desprezado. No entanto r
o
tem importante sobre a resistncia de saida
tomada no colector (R
oc
na Iig. 3.30(b)).

- Resistncia de entrada

Desprezando r
o
no circuito equivalente resulta o circuito da Iigura 3.30(c). A
resistncia de entrada, R
i
, e determinada por observao do circuito, obtendo-se


ib B i
R R R // = (3.66)

Onde R
ib
e a resistncia de entrada vista da base,

b
b
ib
i
v
R = (3.67)
onde v
b
v
i
. Pela observao do circuito podemos escrever

r
v
i
b
= (3.68)

e

v
r
g
r
v
v g i
a
m m e
|
|
.
|

\
|
+ = + =
1
(3.69)

Ento

v
r
g R v i R v v
a
m e a e e a b
|
|
.
|

\
|
+ + = + =
1
(3.70)

Sendo

r
g
m
= e ( )
e
r r 1 + =

, temos
e a
m
r r
g
1

1
= +

Substituindo na equao 3.70 vem
93


Figura 3.30
94









|
|
.
|

\
|
+ =
e
e
a b
r
R
v v 1 (3.71)

Combinando as equaes 3.67, 3.68 e 3.71 obtem-se


|
|
.
|

\
|
+ =
e
e
a ib
r
R
r R 1 (3.72)

O que indica que, a incluso de R
e
resulta num aumento da resistncia de entrada
na base por um factor 1 + R
e
/r
e


Sendo ( )
e
r r 1 + =

resulta da equao 3.72,

( ) ( )
e e ib
R r R + + = 1 (3.73)

A qual diz que a resistncia total vista pela base ( + 1) vezes a resistncia total no
circuito do emissor. Esta e uma regra geral.

A resistncia de entrada R
i
e ento

( ) ( ) [ ]
e e B i
R r R R + + = 1 // (3.74)


(e)
Figura 3.30
95
- Resistncia de sada

Pela Iigura 3.30(b) tiramos que a resistncia de saida e dada por


oc C o
R R R // = (3.75)

onde R
oc
e a resistncia vista do colector do TBJ. A Iigura 3.30(d) mostra um circuito
para a determinao de R
oc
. Nessa Iigura, v
s
0 e uma Ionte de corrente de teste i
x

esta ligada ao colector. Se a tenso no colector Ior v
x
, ento


x
x
oc
i
v
R = (3.76)
A corrente atraves de r
o
e g
m
v

i
x
e a corrente que entra no no do emissor e i
x
.
Entre o emissor e a massa ha dois caminhos em paralelo: atraves de R
e
e de
r

(R
s
// R
b
). Como habitualmente R
e
r

(R
s
// R
b
) , a maior parte da corrente i
x

circula atraves de R
e
, resultando
v
e
i
x
R
e
(3.77)

A corrente atraves da malha r

(R
s
// R
b
) e i
x
R
e
/ |r

(R
s
// R
b
)|. Temos assim


( )
B s
e x
R R r
r R i
v
// +
=

(3.78)

Finalmente, a tenso entre o colector e a massa, v
x
, pode ser dada por

( )
e o m x x
v r v g i v + =

(3.78)

Substituindo o valor de v

dado pela eq. 3.78, o de v

e
dado pela eq. 3.77 e
considerando a deIinio da equao 3.76, obtem-se


( )
e
B s a
a e m
o oc
R
//R R r
r R g
r R +
(

+
+ = 1

Habitualmente R
e
r
o
, donde podemos desprezar R
e
, Iicando


( )
(

+
+
B s a
a e m
o oc
//R R r
r R g
r R 1 (3.79)

Observa-se assim que a resistncia R
oc
aumentada pelo factor entre parntesis,
relativamente configurao de emissor comum sem R
e
.

Substituindo o valor de R
oc
na eq. 3.75 obtem-se


( )
C
B s a
a e m
o C o
R
//R R r
r R g
r R R 1 //
(

+
+ = (3.80)
96
- Ganho em tenso

Para determinar o ganho em tenso, em primeiro lugar calcula-se o ganho entre a
base e o colector, v
o
/v
b
. Do circuito equivalente e desprezando r
o
, obtem-se

v
o
- (R
C
// R
L
) g
m
v

(3.81)

Da eq. 3.71 obtemos
e e
e
b
R r
r

v
v
+
=

(3.82)

Substituindo na eq. 3.81 o valor de v

dado pela eq. 3.82 e considerando tambem a

relao g
m
/ r
e
, obtem-se


( )

//
e e
L C
b
o
R r
R R

v
v
+
=

(3.83)

Considerando - 1 , temos
//
e e
L C
b
o
R r
R R

v
v
+
= (3.84)

Esta relao indica o seguinte: o ganho em tenso entre a base e o colector igual
relao da resistncia total do circuito de colector com a resistncia total do
circuito de emissor. Esta relao e geral e aplica-se a qualquer circuito de
ampliIicao com TBJ em emissor comum, com ou sem resistncia de emissor.

O ganho do ampliIicador sera dado por


s
b
b
o
s
o
v
v
v
v
v

v
v
A = = (3.85)

Sendo
s i
i
s
b
R R
R
v
v
+
= (3.86)

e R
i
dado pela eq. 3.74, obtem-se


( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
s e e B
e e B
e e
L C
s
o
v
R R r // R
R r // R
R r
//R R o

v
v
A
+ + +
+ +
+
= =
1
1
(3.87)

Considerando R
B
~~ ( ) ( )
e e
R r + + 1 e / (1) obtem-se


( ) ( ) ( )
s e
L C
s e e
L C
s
o
v
R R r
//R R
R R r
//R R

v
v
A
+ + +
=
+ + +
= =
1 1

(3.88)

O que mostra que o ganho mais baixo que o do EC sem R
e
, devido a parcela
( 1)R
e
no denominador da expresso anterior (comparar com a eq. 3.62) mas
menos dependente de . No caso de ( ) ( )
e e
R r + + 1 ~~ R
s
o ganho Iica independente
de e igual a
97

e e
L C
s
o
v
R r
//R R

v
v
A
+
= =

(3.89)

- O ganho em corrente

O ganho de corrente do ampliIicador, A
i
, e dado por


( )( ) [ ] ( )
( )( ) [ ]
L
e e B
b
o
e e B b
L o
i
o
i
R
R r R
v
v
R r R v
R v
i
i
A
+ +
=
+ +
= =
1 //

1 // /
/

(3.90)

Usando a eq. 3.84 obtem-se


( )( ) [ ]
L
e e B
e e
L C
i
R
R r R
R r
R R
A
+ +
+
=
1 //

//
-

(3.91)

Considerando R
B
~~ ( ) ( )
e e
R r + + 1 e / (1) obtem-se


//
-
L
L C
i
R
R R
A

(3.92)

Se R
C
~~ R
L
-
i
A (3.93)

- A transcondutncia de curto-circuito

A transcondutncia de curto-circuito G
ms
obtem-se, desprezando r
o
, por


i
m
R
i
o
ms
v
v g
v
i
G
L

= =
=0
(3.94)

Sendo v
i
v
b
e utilizando a eq. 3.71, Iica


( ) re R
g
G
e
m
ms
/ 1+

= (3.95)

Portanto a transcondutncia reduz por um factor de (1 + R
e
/r
e
) relativamente
configurao em emissor comum sem R
e
.

Em resumo, a incluso da resistncia de emissor num ampliIicador EC resulta num
aumento da resistncia de entrada do ampliIicador, mas o ganho em tenso diminui.
No entanto, o ganho e menos dependente do valor de . Veremos tambem mais tarde
que a resposta em alta Irequncia melhora signiIicativamente.
A resistncia de emissor R
e
introduz uma realimentao negativa no circuito do
ampliIicador. E essa realimentao negativa que da origem a todas as caracteristicas
observadas.

Exemplos
98
3.11.5 O amplificador em base comum (BC)

O ampliIicador de base comum pode ser derivado do circuito universal da Iig. 3.28,
obtendo-se o circuito da Iigura 3.31(a).



































Do ponto de vista de pequeno sinal, a base esta ligada a terra, a Ionte de sinal de
entrada e acoplada ao emissor e o sinal de saida e obtido no colector. Como a base
(aterrada) e o terminal comum entre a entrada e a saida, o circuito e chamado de base
comum.

(b)
Figura 3.31
99
Neste caso, a analise do circuito e mais simples recorrendo ao modelo equivalente T
do transistor, como mostra a Iigura 3.31(b). A resistncia r
o
do TBJ no esta
representada, uma vez que se pode mostrar, por meio de simulaes com computador,
que esta tem um eIeito desprezavel no Iuncionamento do ampliIicador em base
comum.

A inspeco do circuito mostra que a resistncia de entrada R
i
e



e E i
r R R // = (3.96)

Como quase sempre R
E
~~ r
e
, ento


e i
r R (3.97)

Como r
e
e relativamente baixa (~ 25 para uma corrente de polarizao de ~ 1 mA),
concluimos que a resistncia de entrada do amplificador BC baixa.

Da Iigura 3.31(b) tiramos que a tenso de saida v
o
e dada por


v
o
- i
e
(R
C
// R
L
) (3.98)

Do lado da entrada do circuito tiramos

v
e
- r
e
i
e
(3.99)

Pelas duas equaes anteriores obtemos o ganho do emissor para o colector



e
L C
e
o
r
R R
v
v //
= (3.100)

que pode ser lido como a razo entre a resistncia total do circuito de colector e a
resistncia total vista do emissor para a base, multiplicada por .

Sendo g
m
/ r
e
vem
L C m
e
o
R R g
v
v
// = (3.101)


Sendo
s E e
E e
s
e
R R r
R r
v
v
+
=
//
//
(3.102)

o ganho total em tenso do circuito sera


//
// //

s E e
E e
e
L C
s
e
e
o
v
R R r
R r
r
R R
v
v
v
v
A
+
= = (3.103)

Sendo R
E
~~ r
e
e R
s
~~ r
e
o ganho Iica
100


s
L C
v
R
R R
A
//
= (3.104)

Sendo R
E
~~ r
e
e para valores muito baixos de R
s
obtem-se

//
//

L C m
e
L C
v
R R g
r
R R
A = = (3.105)

Note-se que, ao contrario do EC, o amplificador BC no inversor, isto e, a saida
esta em Iase com a entrada.

O ganho em corrente sera dado por


L
E e
e
L C
L
i
e
o
i i
o
i
o
i
R
R r
r
//R R
R
R
v
v
/R v
/R v
i
i
A
//

L
= = = = (3.106)

Sendo R
E
~~ r
e
e R
L
0, obtem-se

= =
e
e
i
o
i
i
i -
i
i
A (3.107)

que e o ganho de corrente de curto-circuito em base comum.

Assim, o ampliIicador base comum Iornece um ganho de corrente que e menor que
um, mas muito proximo da unidade.

A resistncia de sada do ampliIicador BC e

R
o
R
C
(3.108)


Por causa da resistncia de entrada muito baixa, o circuito de ampliIicao em BC so
por si no e atraente como ampliIicador de tenso. A sua aplicao mais adequada e
como isolador de corrente (buffer), aceitando um sinal de entrada de corrente de uma
Ionte de corrente com baixa resistncia de entrada (~ r
e
) e Iornecendo uma corrente
praticamente igual (embora ligeiramente inIerior) no colector, com uma impedncia
de saida muito elevada ( inIinita se excluirmos R
C
).
A maior vantagem do circuito BC e a sua excelente resposta em Irequncia, como
veremos mais tarde.

Exemplos



101
3.11.6 O amplificador em colector comum (CC) ou seguidor de emissor

A conIigurao de colector comum pode ser derivada do circuito universal da Iig.
3.28, obtendo-se o circuito da Iigura 3.32(a).





































Nesta conIigurao, para pequenos sinais, o colector Iica ligado a terra, o sinal de
entrada e aplicado a base e a saida e obtida no emissor. Como, para pequenos sinais,
o colector Iica ligado ao ponto comum (terra) e e, por isso, o terminal comum entre a
entrada e a saida, o circuito chama-se de colector comum.
Figura 3.32
102

Substituindo o TBJ pelo seu modelo equivalente -hibrido resulta o circuito
equivalente da Iigura 3.32(b). Neste caso, a resistncia r
o
do TBJ pode inIluenciar
signiIicativamente o desempenho do ampliIicador e, portanto, deve ser incluida na
analise. Repare-se que r
o
aparece em paralelo com R
E
e R
L
. Por isso, este circuito
pode ser visto como uma verso simpliIicada (R
C
0) do ampliIicador em emissor
comum com resistncia de emissor (em que R
e
r
o
//R
E
//R
L
).

A resistncia de entrada e o paralelo da resistncia de polarizao R
B
com a
resistncia equivalente olhando da base para o emissor, R
ib
,

R
i
R
B
// R
ib
(3.109)

Sendo ( ) ( ) [ ]
L E o e
b
i
//R //R r r R 1 + + = (3.110)

vem ( ) ( ) [ ]
L E o e B i
//R //R r r R R 1 // + + = (3.120)

Note-se que R
i
ser muito grande devido ao factor ( + 1). Esta e uma importante
caracteristica do ampliIicador de colector comum. Na verdade, a aplicao mais
importante desta conIigurao e ligar uma Ionte com resistncia R
s
elevada a uma
carga de baixa resistncia, R
L
, sem atenuao signiIicativa do sinal.

Se R
B
Ior suIicientemente grande para poder ser ignorada, a expresso da resistncia
de entrada simpliIica-se para

( ) ( ) [ ]
L E o e ib i
//R //R r r R R 1 + + = (3.121)

e se tambem R
L
(R
E
// r
o
), obtem-se

( ) ( ) ( )
L L e i
R r R r R 1 1 + + = + +

(3.122)

A transmisso da fonte de sinal para a base do transistor e dada por


( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
s L E o e B
L E o e B
s i
i
s
b
R //R //R r r R
//R //R r r R
R R
R
v
v
1 //
1 //

+ + +
+ +
=
+
=

(3.123)

O ganho de tenso da base para o emissor e dado por


e L E o
L E o
b
o
r R R r
R R r
v
v
// //
// //

+
= (3.124)

103
Como r
e
e habitualmente pequena, v
o /
v
b
1. Assim, a tenso de saida no emissor
segue a tenso de entrada na base, dai o circuito tambem se chamar de seguidor de
emissor.

Combinando as duas expresses anteriores, obtem-se o ganho de tenso global do
circuito,


s i
i
e L E o
L E o
s
b
b
o
v
R R
R
r R R r
R R r
v
v
v
v
A
+ +
= =
// //
// //
(3.125)

Note-se que o ganho em tenso inferior a um, sendo no entanto muito prximo
de um, devido ao valor elevado de R
i
e baixo de r
e
.

O ganho em corrente e dado por

L
i
L
i
e L E o
L E o
L
i s
s i
i
e L E o
L E o
L
i s
s
o
i s s
L o
i
o
i
R
R
R
R
r R R r
R R r
R
R R
R R
R
r R R r
R R r
R
R R
v
v
R R / v
/R v
i
i
A

// //
// //


// //
// //

) (

+
=
=
+
+ +
=
+
=
+
= =
(3.126)

Se R
L
(R
E
// r
o
) e R
B
~~ R
ib
, R
i
e dada aproximadamente pela equao 3.122 e o
ganho em corrente torna-se aproximadamente igual a ( + 1).


Para determinar a resistncia de saida do ampliIicador colector comum, R
o
, Iaz-se
v
s
0 e aplica-se uma Ionte de tenso de teste v
x
no terminal de saida (emissor),
como se mostra na Iigura 3.33.















Figura 3.33
104
A resistncia
x
x
o
i
v
R = sera igual a R
o
(R
E
// r
o
//R
ie
)

em que R
ie
e a resistncia equivalente olhando do emissor para a base e sera
i
v
R
x
ie
= . Uma vez que i - i
b
i
b
- ( 1) i
b
e
( )
-
B s
x
b
//R R r
v
i
+
=

obtem-se
( )
1

+
+
=

B s
ie
//R R r
R (3.127)

que nos diz que, olhando do emissor para a base, vemos a resistncia total do
circuito da base dividida por ( + 1). Este e um resultado geral e importante e e o
inverso da regra de reIlexo de resistncia, isto e, as resistncia so reIlectidas do
circuito do emissor para o da base multiplicando-as por ( 1) e do circuito da base
para o do emissor dividindo-as por ( 1).

A resistncia de sada sera ento dada por


( )
|
.
|

\
|
+
+
=
1
// //

B s
o E o
//R R r
r R R (3.128)

Normalmente, R
ie
e muito menor que R
E
e R
o
, permitindo a aproximao


( )
1

+
+

B s
o
//R R r
R (3.129)

que pode ser escrita na Iorma


( )
1

+
+ =

B s
e o
//R R
r R (3.130)

Se R
B
Ior grande, temos ainda


1

+
+ =

s
e o
R
r R (3.131)

Assim, concluimos que o seguidor de emissor exibe uma resistncia de sada
baixa, caracteristica desejavel num ampliIicador isolador.

Em resumo, o seguidor de emissor tem uma elevada resistncia de entrada,
resistncia de saida baixa, ganho de tenso mais baixo que a unidade, mas proximo
do unitario e um ganho de corrente elevado.

Este circuito e adequado para ligar uma Ionte de sinal com elevada resistncia interna
a uma resistncia de carga de baixo valor. A sua baixa resistncia de saida torna-o util
105
como ultimo andar de um ampliIicador de varios andares em que o objectivo do
ultimo deles no e aumentar o ganho de tenso, mas Iornecer uma baixa resistncia
de saida.


Como apenas uma Iraco do sinal de entrada aparece entre a base e o emissor, o
seguidor de emissor exibe uma operao linear para uma ampla Iaixa de amplitudes
do sinal de entrada. Ha, no entanto, um limite superior imposto ao valor da amplitude
do sinal dado pelo corte do transistor. Para calcular esse limite, consideremos um
sinal sinusoidal aplicado a entrada do seguidor de emissor. Quando a entrada Ior
negativa, a saida v
o
tambem o sera e a corrente em R
L
circulara da massa para o
emissor. O transistor entrara em corte quando essa corrente se tornar igual a corrente
que passa em R
E
.
Designando por
`
e
J o valor de pico da tenso de sinal do emissor para o qual
ocorre o corte, podemos escrever


L

e
E
EE

e E
R
J
R
J J - J
=
+
(3.132)

Donde se obtem
/ 1


L E
EE E

e
R R
J J
J
+
+
= (3.133)

O valor correspondente da amplitude de v
s
pode obter-se de


v

s
A
J
J = (3.134)

Aumentar a amplitude de v
s
acima deste valor origina que o transistor entre em corte,
pelo que os picos negativos da saida sinusoidal sero cortados.


Exemplos