Universidad de Panam

Facultad de Informtica, Electrnica y Comunicacin

Parcial Investigativo Electrnica Digital I Tema: Transistores MOSFET y BJT

Elaborado por: Solineth Batista

Fecha: 3 de julio de 2011

Profesor: Julio Arcia

INTRODUCCIN
Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrnica en la actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre. Por esto es fundamental el manejo del concepto de circuito integrado, no slo por aquellos que estn en contacto habitual con este, sino tambin por las personas en general, debido a que este concepto debe de quedar inmerso dentro de los conocimientos mnimos de una persona, esta la razn por la cual iniciamos el informe planteando este concepto. A travs de la historia nos hemos podido percatar de las muchas maneras que existen para disear un circuito lgico electrnico, desde los primeros circuitos que conformaron las antiguas mainframes basados en relevadores hasta los das de las workstations, es precisamente la invencin del diodo semiconductor y el transistor bipolar de unin lo que hiso posible la aparicin de las mismas, contribuyendo no solo a la reduccin de su tamao, sino a aumentar su rapidez y capacidad. Por otro lado, la revolucin cada vez ms distribuida del uso de computadoras y de experimentar la cantidad de oportunidades que nos ofrecan, el objetivo era poder fabricar dispositivos ms fciles de manejar y transportar, buscbamos construir microcomputadores, y esto lo hace posible una vez ms la maravilla de la electrnica, mejor conocida como circuito integrado que permiti que diodos, transistores y otros componentes estuvieses reunidos en un solo chip, haciendo los computadores mucho mejores. Con la aparicin del circuito integrado, se introdujeron las primeras familias lgicas de los circuitos integrados, una familia lgica es una coleccin de diversos chips de circuitos integrados que tienen caractersticas similares en sus entradas, salidas y circuitera interna pero realizan diferentes funciones lgicas. Entre las familias lgicas de mayor xito podemos citar la TTL perteneciente a la familia lgica bipolar (de unin), esta es en realidad, una familia de familias lgicas que son compatibles con cada una de las otras pero que difieren en velocidad. Para cualquier profesional de las ciencias de la computacin ha de ser muy importante reconocer los procesos intervinientes en el desarrollo histrico de los sistemas informticos, teniendo en cuenta que esto tambin fue posible por el desarrollo microelectrnico.

CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES Los circuitos digitales estn construidos invariablemente con circuitos integrados. Un circuito integrado (abreviado CI) es un cristal semiconductor de silicn, llamado pastilla, que contiene componentes elctricos tales como transistores, diodos, resistencias y condensadores. Los diversos componentes estn interconectados dentro de la pastilla para formar un circuito electrnico. Las compuertas digitales de circuitos integrados se clasifican no solamente por su operacin lgica, sino por la familia de circuitos lgicos especficos a la cual pertenecen. Cada familia tiene un circuito electrnico bsico propio, mediante el cual se desarrollan funciones y circuitos digitales ms complejos. El circuito bsico en cada familia es o una compuerta NAND una NOR. Las compuertas electrnicas usadas en la construccin de circuitos bsicos se usan para determinar el nombre de la familia lgica. Hay muchas familias lgicas de circuitos integrados digitales que han sido introducidos comercialmente. Aquellas que han alcanzado buena popularidad se listan a continuacin: TTL Lgica de transistores (transistor-transistor logic) ECL Lgica de acoplamiento de emisor (emitter-coupled logic) MOS Semiconductor de xido de metal (metal-oxid semiconductor) CMOS semiconductor de xido de metal complementario (complementary metal_oxide semiconductor) 2 I L Lgica de inyeccin integrada (integrated_injection logic). Otras son: RTL Lgica de transistor y resistencia (resistor-transistor logic) DTL Lgica de transistores y diodos (diode-transistor logic) La TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y es comnmente la familia lgica ms popular. La 2 ECL se usa en sistemas que requieren operaciones de alta velocidad. Lo MOS e I L se en circuitos que requieren alta densidad de componentes y la CMOS se usa para sistemas que requieren bajo consumo de poder. RTL y DTL, tienen solamente significado histrico, ya que se usan muy raramente en nuevos diseos. La RTL fue la primera familia comercial que fuera usada extensamente. Se incluye aqu porque presenta un punto de partida til a la hora de explicar las operaciones bsicas de las compuertas digitales. Los circuitos DTL han sido reemplazados gradualmente por TTL. De hecho, la TTL es una modificacin de la compuerta DTL. Tomando en cuenta los componentes de un circuito integrado, prestaremos especial atencin a los transistores. El nombre de transistor procede de la condensacin de dos vocablos ingleses, transfer y resistor, y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos terminales est controlada por una seal aplicada al tercer terminal. Entre los transistores ms utilizados incluimos en nuestro informe el transistor de juntura bipolar (BJT), es el transistor familiar de juntura NPN o PNP. En contraste, el
transistor de efecto de campo (FET), se dice que es unipolar. La operacin del transistor polar depende del flujo de dos tipos de portadores: electrones y huecos. Un transistor unipolar depende del flujo de un tipo de portador mayoritario que pueden ser electrones (canal n) o huecos (canal p). Las primeras cinco familias lgicas listadas 2 previamente, RTL, DTL, TTL, ECL e I L, usan transistores bipolares. Las otras dos familias lgicas MOS y CMOS usan un tipo de transistor unipolar llamado transistor de efecto de campo semiconductor de xido de metal, abreviado MOSFET o MOS como apstrofe.

TRANSISTORES MOSFET ANTECEDENTES: Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del silicio. EL TRMINO MOSFET: Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el transistor de juntura de efecto de campo (JFET) y el semiconductor de xido de metal (MOS). El primero se usa en circuitos lineales y el ltimo en circuitos digitales, debido a esto enfocaremos de aqu en adelante nuestra atencin en el. Los transistores MOS pueden ser fabricados en menor rea que los transistores bipolares y se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n (canal n). Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p (canal p).

Las reas de difusin se denominan fuente (source), drenaje o drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta (gate). La estructura bsica de un transistor MOS se muestra a continuacin en la siguiente imagen.

Estructura bsica del transistor MOS

FUNCIONAMIENTO: El MOS de canal p consiste de un sustrato ligeramente inyectado con material de silicn de tipo n. Dos regiones se inyectan fuertemente por difusin con impurezas tipo p para formar la fuente y el drenaje. La regin entre las dos secciones de tipo p sirve como canal. La puerta es una placa metlica separada por el canal mediante un dielctrico aislado de dixido de silicn. Un voltaje negativo (con respecto al sustrato) en la puerta causa un campo elctrico inducido en el canal, lo cual atrae los portadores de tipo p del sustrato. A medida que aumenta la magnitud del voltaje negativo en Ia puerta; la regin debajo de ella acumula ms portadores positivos, aumenta la conductividad y la corriente fluye de la fuente al drenaje, siempre y cuando haya una diferencia de voltaje entre esos dos terminales. Hay cuatro tipos bsicos de estructuras MOS. El canal puede ser del tipo p n dependiendo de si los portadores en su mayora deban ser hueco o electrones. El modo.de operacin puede ser por enriquecimiento o empobrecimiento (depletion), dependiendo del estado del canal con cero voltajes de puerta. Si el canal al comienzo est ligeramente inyectado con impurezas tipo p (canal difundido), el canal de conduccin se produce con un voltaje cero de puerta y el dispositivo se dice que opera en el modo de empobrecimiento. En este modo la corriente fluye a no ser que el canal este empobrecido por un campo aplicado a la puerta. Si la regin por debajo de la puerta se deja sin carga inicialmente, el canal debe ser incluido por el canal de la puerta antes de que la corriente fluya. As, la corriente del canal es enriquecida por el voltaje de la puerta y tal dispositivo se dice que opera en el modo de enriquecimiento. La fuente es el terminal a travs del cual la mayora de los portadores entran la barra. El drenaje es el terminal a travs del cual la mayora de los portadores dejan la barra. En un MOS de canal p, el terminal fuente se conecta al sustrato y el voltaje negativo se aplica al terminal de drenaje. Cuando el voltaje de puerta est por encima del voltaje de umbral Vt (cerca de -2 V), no fluye corriente en el canal y el camino del drenaje a la fuente es como un circuito abierto. Cuando el voltaje de puerta es suficientemente negativo por debajo de Vt, se forma un canal y los portadores tipo p fluyen de la fuente al drenaje. Los portadores tipo i son positivos y corresponden a un flujo de corriente positivo desde la fuente al drenaje. En el MOS de canal n, el terminal fuente est conectado al sustrato y se aplica un voltaje positivo al terminal de drenaje. Cuando el voltaje de la puerta est por debajo del voltaje de umbral Vt (cerca de 2V) no fluye corriente en el canal. Cuando el voltaje de puerta es suficientemente positivo sobre Vt para formar el canal, los portadores de tipo n fluyen de Ia puerta al drenaje. Los portadores tipo

N son negativos, los cuales corresponden a un flujo de corriente positivo de drenaje a fuente. El voltaje umbral puede variar entre 1 y 4V dependiendo del proceso particular usado. Los smbolos grficos de los transistores MOS se muestran en la siguiente imagen:

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P El smbolo aceptado para el tipo de empobrecimiento es aquel con lneas interrumpidas entre la fuente y el drenaje. En este smbolo, el sustrato puede ser identificado y se muestra conectado a la fuente. Se usar un smbolo alterno que no incluye el sustrato; en este smbolo, se coloca la flecha en el terminal fuente para mostrar la direccin del flujo de corriente (desde la fuente al drenaje en el canal p y desde el drenaje a la fuente en el canal n). Debido a la construccin simtrica de la fuente y el drenaje, el transistor MOS puede ser operado como un dispositivo bilateral. Aunque se opera normalmente, de manera que los portadores fluyen de fuente al drenaje, hay circunstancias en que es conveniente permitir un flujo de portadores del drenaje a la fuente. Una ventaja del dispositivo MOS es que puede ser usado no solamente como un transistor sino como una resistencia. Una resistencia se obtiene del MOS polarizando permanentemente el terminal de puerta para conduccin. La relacin del voltaje fuente drenaje a la corriente del canal determina el valor de la resistencia. Diferentes valores de resistencias pueden ser construidas durante la fabricacin, fijando la longitud y anchura del canal del dispositivo MOS. Los tres circuitos lgicos que usan dispositivos MOS aparecen a continuacin:

a) INVERSOR

b) NAND

c) NOR

Para un MOS de canal n, el voltaje de suministro Vdd es positivo (cerca de 5 V) para permitir que la corriente positiva fluya del drenaje a la fuente. Los dos niveles de voltaje son una funcin del voltaje de umbral Vt. El nivel bajo es cualquier valor entre cero y Vt y el nivel alto vara entre Vt y Vdd. Las puertas de canal n usan comnmente lgica positiva. Los circuitos MOS de canal p usan voltaje negativo para Vdd para permitir que fluya Ia corriente positiva desde Ia fuente al drenaje. Los dos niveles de voltaje son ambos negativos por encima y debajo del voltaje de umbral V t. Las compuertas de canal p usan generalmente lgica positiva. EI circuito inversor mostrado en la figura (a) usa dos dispositivos MOS. Q1 acta como la resistencia de carga y Q2 como un dispositivo activo. La resistencia de carga MOS tiene su puerta conectada a Vdd mantenindola as en su estado de conduccin. Cuando el voltaje de entrada est bajo (por debajo de Vt), Q2 se pone en corte. Como Q1 est siempre conduciendo, el voltaje de salida est cerca de Vdd. Cuando el voltaje de entrada es alto (cerca de Vt), Q2 conduce. La corriente fluye desde Vdd travs de la resistencia de carga Q1 y luego Q2. La geometra de dos dispositivos MOS debe ser tal que la resistencia de Q2, cuando est conduciendo es mucho menor que la resistencia de Q1 para mantener la salida Y a un voltaje por debajo de Vt. La compuerta NAND mostrada en la figura (b) usa transistores emisores. Las entradas A y B deben ser ambas altas para que todos los transistores conduzcan y causen que la salida se ponga alta. Si cualquier entrada es baja, el transistor correspondiente se pone en corte y la salida ser alta. De nuevo, la resistencia en serie formada por dos dispositivos MOS activos debe ser menor que la correspondiente a la resistencia carga MOS. La compuerta de NOR, mostrada en la figura (c), usa transistores en paralelo. Si cualquier entrada es alta, el transistor correspondiente conduce y la salida es baja. Si todas tas las entradas son bajas, todos los transistores activos estarn en corte y la salida ser alta. MOSFET complementado: CMOS Los circuitos MOS complementados obtienen ventaja del hecho de que ambos dispositivos de canal n y p pueden ser fabricados en el mismo sustrato. Los circuitos CMOS consisten de ambos tipos de dispositivos MOS interconectados para formar funciones lgicas. El circuito bsico es el inversor, que consiste de un transistor de canal tipo p y un transistor de canal tipo n, como en la siguiente imagen.

(a) INVERSOR (CMOS) El terminal de la fuente del dispositivo de canal p est en Vdd, y el terminal de la fuente del dispositivo de canal n est a tierra. El valor de Vdd puede estar entre +3V y +18V. Los dos niveles de voltaje son 0V para el nivel bajo y Vdd para el nivel alto. Para comprender la operacin del inversor se deber repasar el comportamiento del transistor MOS anteriormente visto: El MOS de canal n conduce cuando su voltaje de puerta a fuente es positivo. El MOS de canal p conduce cuando su voltaje de puerta a fuente es negativo. Cualquier tipo de dispositivo se pone en corte cuando su voltaje de puerta a fuente es cero.

Considere ahora la operacin del inversor. Cuando su entrada es baja ambas puertas estn en potencial cero. La entrada est en -Vdd con respecto a la fuente del dispositivo de canal p y a 0V con respecto a la fuente del dispositivo de canal n. El resultado es que el dispositivo de canal p se active y el dispositivo de canal n se ponga en corte. Bajo estas condiciones hay un camino de baja impedancia desde Vdd hasta la salida y un camino de impedancia muy alta desde la salida hasta tierra. Por tanto el voltaje de salida se acerca al nivel alto Vdd bajo condiciones normales de carga. Cuando la entrada es alta, ambas puertas estn en Vdd y la situacin se invierte: el dispositivo de canal p situacin se pone en corte y el de canal n conduce. El resultado es que la salida se aproxima al nivel bajo de 0V. En cada caso un transistor est conduciendo mientras que el otro est en corte. Debido a que un transistor siempre se pone en corte, la disipacin de potencia dc del circuito CMOS es extremadamente baja, del orden de10 nW. El mayor drenaje de potencia ocurre cuando el circuito CMOS cambia de estado. La lgica CMOS se especifica usualmente para una sola operacin de suministro en un rango de 5V 15V, pero algunos circuitos pueden operar a 3V o a 18V. El operar los CMOS con grandes valores de suministro de voltaje produce una mayor disipacin de potencia. El tiempo de retardo de propagacin disminuye y el margen de ruido mejora con el aumento de voltaje de suministro de potencia. El retardo de propagacin del inversor es cerca de 25 ns. El margen de ruido es usualmente cerca del 40% del valor del voltaje de suministro Vdd. Las ventajas del CMOS: Disipacin baja de potencia Excelente inmunidad al ruido Alta densidad de empaque y Un amplio rango de voltajes de suministro, Io hacen un fuerte contendor como norma popular para una familia de circuito digital. Otras dos compuertas bsicas CMOS son: NAND y NOR

(b) NAND CMOS

(c) NOR CMOS

Una compuerta NAND de dos entradas consiste de dos unidades tipo p en paralelo y dos unidades tipo n en serie, como se muestra en la figura (b). Si todas las entradas estn altas, ambos transistores de canal p
estn en corte y ambos transistores de canal n en conduccin. La salida tiene una impedancia baja- con respecto a tierra y produce un estado bajo. Si cualquier entrada es baja, el transistor asociado de canal n se pone en corte y el transistor asociado de canal p conduce. La salida se acopla a Vdd y pasa al estado alto. Las compuertas NAND de mltiples entradas pueden formarse colocando nmeros iguales de transistores de tipo p y tipo n en paralelo y serie respectivamente en un arreglo similar al mostrado en la figura (b). Una compuerta NOR de dos entradas, consiste de dos unidades de tipo n en paralelo y dos unidades de tipo p en serie, como se muestra en la figura (c). Cuando todas las entradas estn bajas, ambas unidades de canal p estn en conduccin y ambas unidades de canal n en corte. La salida se acopla a Vdd y pasa al estado alto. Si la entrada es alta, el transistor asociado de canal p se pone en corte y el de tipo n se activa. Esto conecta la salida a tierra causando una salida de bajo nivel.

APLICACIONES DE LOS MOSFET:

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

VENTAJAS DE LOS MOSFET: La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos (MOS complementado), debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

TRANSISTORES BJT ANTECEDENTES: El transistor bipolar fue descubierto en diciembre de 1947 por Bardeen, Brattain y Shockley en los Laboratorios Bell, cuando intentaban realizar un amplificador de estado slido basado en lo que ms adelante se denominara transistor MOS. Ese descubrimiento fue seguido casi inmediatamente de la teora que explicaba su funcionamiento, y condujo a una revolucin tecnolgica que signific la desaparicin, en pocos aos, de la tecnologa de las vlvulas de vaco, que hasta entonces haba proporcionado soporte fsico a los circuitos electrnicos. El transistor bipolar, mejor conocido como BJT, es uno de los dispositivos ms utilizados en los circuitos electrnicos. El trmino bipolar es debido al hecho de que la corriente es transportada por portadores de ambas polaridades: electrones y huecos. El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector. Hay dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP, cuyas denominaciones responden a su estructura bsica, la cual se esquematiza en la figura siguiente.

Estructura, smbolo y sentido positivo de las corrientes del transistor bipolar. a) PNP b) NPN

El transistor bipolar tiene dos uniones PN: una entre el emisor y la base la unin emisora y otra entre la base y el colector la unin colectora. En el smbolo de estos transistores se incluye una

flecha en el terminal del emisor, que apunta siempre en el sentido de P a N, y sirve para identificar el tipo de transistor. Los sentidos de las corrientes indicadas en la figura anterior se consideran positivos. Estos sentidos se basan en la asignacin al emisor del sentido de la corriente de su smbolo de P a N, y a la base y al colector de los derivados de la suposicin de que la corriente de emisor es la suma de la corriente de base ms la corriente de colector. TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR: PNP: El transistor de unin bipolar PNP con las letras "P" y "N" se refiere a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROUNIN (TBH): es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

FUNCIONAMIENTO: En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones. CONTROL DE TENSIN, CARGA Y CORRIENTE: La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. REGIONES OPERATIVAS: Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima). En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib).

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES RTL (RESISTOR-TRANSISTOR LOGIC) Fue la primera familia lgica en aparecer antes de la tecnologa de integracin. Pertenece a la categora de familias lgicas bipolares, o que implican la existencia de dos tipos de portadores: electrones y huecos. Este tipo de red, presenta el fenmeno denominado acaparamiento de corriente que se produce cuando varios transistores se acoplan directamente y sus caractersticas de entrada difieren ligeramente entre s. En ese caso uno de ellos conducir antes que los dems colocados en paralelo (acaparar la corriente), impidiendo el correcto funcionamiento del resto.

En la siguiente imagen, se representa, a modo de ejemplo, una puerta lgica NOR y su correspondiente circuito electrnico en lgica RTL.

NOR (RTL) En ella se puede apreciar como en serie con la base de cada uno de los transistores se ha colocado una resistencia de compensacin (Rc) de un valor lo suficientemente elevado para que la reparticin de corrientes sea lo ms igualada posible y no se produzca el fenmeno antes descrito. Esta disposicin de circuito presenta el inconveniente de que con la adicin de la resistencia Rc aumenta el retardo de conmutacin, al tener que cargarse y descargarse a travs de la misma la capacidad de entrada de los transistores aunque, por otra parte, tiene la ventaja de un mayor factor de salida (fan-out). Por ello en el diseo de estos circuitos es necesario un compromiso entre factor de salida y retardo de conmutacin. Valores normales son, un factor de salida de 4 5, con un retardo de conmutacin de 50 nanosegundos. Por otra parte, tiene una inmunidad al ruido relativamente pobre. El margen de ruido de la tensin lgica 0 a la tensin del umbral es de unos 0.5 voltios, pero de la tensin lgica 1 a la tensin de umbral es de solamente unos 0.2 voltios. Es posible mejorar el tiempo de propagacin aadiendo un condensador en paralelo con cada una de las resistencias Rc, con lo que obtendramos una nueva familia lgica, que se denominara RCTL. Sin embargo, el elevado nmero de resistencias y condensadores dificulta la integracin por lo que tanto esta tcnica, como la RTL, no se utiliza en los modernos diseos aunque pueda an encontrarse en equipos muy antiguos. La aparicin de los circuitos DTL, con su mayor velocidad e inmunidad al ruido signific el fin de los circuitos RTL. DTL (DIODE-TRANSISTOR LOGIC) Con este tipo de familia se construyen, principalmente, las puertas NAND y NOR. Recordemos que ambas son una combinacin entre una puerta NOT y una puerta AND u OR. La familia DTL se construye con una puerta de diodos y otra RTL.

La familia lgica DTL, la cual incorpora dos tecnologas de diodos y RTL Analicemos, en primer lugar, cmo se construye una puerta NOT o inversora. El circuito transistor de la ilustracin siguiente presenta un inversor para lgica positiva, donde consideraremos un nivel bajo de 0,2

V. correspondiente a la tensin colector-emisor del transistor utilizado y un nivel alto igual a la tensin de alimentacin Vcc. Si en la entrada hay un 0 lgico, es decir, su tensin es de 0,2 V, el transistor se encontrar a corte, y en la salida tendremos un 1. Si por el contrario, la tensin en la variable de entrada es Vcc, el transistor pasar a saturacin y en la salida tendremos un 0 lgico.

La puerta inversora con tecnologa RTL, donde el transistor hace de inversor A la hora del diseo de los inversores hay que tener en cuenta ciertas caractersticas del transistor: La tensin de polarizacin inversa de la unin de emisor no debe sobrepasar la de ruptura emisor-base (normalmente indicada por el fabricante). Ganancia de corriente en continua. Como sta disminuye con la temperatura, el circuito debe disearse para que el transistor permanezca en saturacin aun a las temperaturas ms bajas que puedan darse.

Para el clculo de la curva de transferencia de una puerta DTL se utiliza su circuito equivalente, de dos diodos en oposicin y dos uniones base - emisor La corriente inversa de saturacin de colector aumenta aproximadamente el 7% por C, por lo que no es posible despreciar el efecto de esta corriente para temperaturas elevadas. Ya hemos visto cmo funciona la puerta AND en la lgica de diodos, y ahora analizaremos el modo en que actan conjuntamente ambas tecnologas, esto es, unidas en la familia DTL.

Para la fabricacin de circuitos integrados con tecnologa DTL es necesario sustituir la resistencia y el condensador en paralelo por dos diodos en serie, D y D' Si cualquier entrada est conectada a nivel bajo su diodo correspondiente (D1, D2 o D3) derivar a tierra la corriente que pasa por la resistencia R1. En este caso, la tensin en el nodo de cualquiera de los diodos viene fijada por el nivel bajo de entrada ms la cada de tensin del diodo correspondiente. Cuando esta tensin es inferior a tres cadas de diodo el transistor de salida pasar a corte. Basta con que una de las entradas est a nivel bajo para que esto ocurra. Si el resto de las entradas se encontrara a nivel alto, lo nico que sucedera es que los diodos correspondientes dejaran de conducir, ya que la tensin de sus nodos est fijada por el diodo de la entrada que conduce y la tensin de los ctodos sera superior a la de los nodos quedando polarizados inversamente. En resumen, podamos decir que, estando a nivel bajo cualquiera de las entradas, el transistor de salida pasar a corte y la tensin de su colector estar a nivel alto. Slo cuando todas las entradas estn a nivel alto conducir el transistor y la tensin de su colector ser baja, siendo la salida un 0 lgico. El condensador C que se coloca en paralelo con R2 es para mejorar la respuesta transitoria del inversor. Este condensador colabora en la eliminacin de la carga de saturacin almacenada en la base cuando la seal pasa abruptamente de un estado lgico al otro. Recordemos que un transistor no puede salir de saturacin hasta tanto esta carga no abandone la regin de base. El tiempo necesario para eliminar esta carga de saturacin se denomina tiempo de almacenamiento. Como casi todas las puertas lgicas se fabrican en circuitos integrados, y en algunos casos los valores elevados de resistencias y condensadores no nos lo van a permitir, y como los transistores y diodos son extraordinariamente baratos de fabricar, la puerta que hemos descrito con resistencia y condensador en la base del transistor Q1, se modifica de manera que R2 y C se sustituyen por diodos. El funcionamiento es anlogo al descrito en prrafos anteriores. Estas puertas se pueden mejorar todava ms si sustituimos el diodo D por un transistor Q2, tal como se indica en la ilustracin siguiente. Cuando Q2 est conduciendo se encuentra en su regin activa y no en saturacin. Esta conclusin se obtiene a partir del hecho de que en la resistencia R2 la corriente est en la direccin de la polarizacin inversa de la unin del colector del transistor Q2. Como la corriente del emisor de este transistor alimenta la corriente de base de Q1, ste est excitado por una corriente de base mucho mayor que el transistor del circuito anterior con dos diodos. Tomando transistores con iguales caractersticas para uno y otro circuito se observa claramente que este ltimo circuito tiene una corriente de colector mucho mayor y, por lo tanto, una capacidad de salida o fan-out mayor.

Para mejorar las puertas DTL, con respecto a su capacidad de salida, se sustituye uno de los diodos por un transistor TTL (TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIC) El circuito lgico de saturacin ms rpida es el de la puerta lgica transistor - transistor o TTL. Esta familia est sustituyendo rpidamente a las DTL debido a que, como veremos ms adelante, tiene mejor inmunidad al ruido, menor retraso de propagacin y permite ms funciones. Pero, ambas lgicas, son compatibles en un mismo sistema electrnico digital.

Desarrollo de la transformacin de la entrada de la familia DTL a la TTL Al tratar de disminuir la capacidad parsita, existente en las DTL, se originaron una serie de cambios en la configuracin de los semiconductores que componen la familia TTL. Una primera reduccin de la capacidad parsita del conjunto de los diodos de entrada se consigue con la estructura que podemos observar en la figura siguiente. En efecto, la capacidad de la unin N-P, inversamente polarizada, ser menor cuanto menor sea el rea de la unin.

Los diodos de entrada de la puerta DTL se transforman en un transistor multiemisor en la TTL

La principal diferencia de la lgica TTL con la DTL consiste en la sustitucin del grupo de diodos por un transistor multiemisor. ste, adems, nos producir una ms rpida extraccin de cargas de la base del transistor de salida durante la saturacin. Dada la importancia de esta familia, analizaremos con ms detalle los parmetros que caracterizan a estos circuitos lgicos, as como las distintas variaciones que sobre ella existen. Puertas TTL bsicas

Circuito estndar de una puerta NAND con tecnologa TTL El transistor Q1 es el multiemisor que responde a cambios de niveles lgicos en las entradas, realizando la funcin de un conmutador que suministra corriente a la base de Q2 en unos casos, y en otros retira la carga almacenada en la base de Q2 y la capacidad existente entre el colector de Q1 y el substrato. Obsrvese que la tensin en la base del transistor Q1 no exceder de 2,1 voltios, ya que si se ve el circuito desde la base de Q1 a masa consta de tres uniones: base - colector de Q1, base - emisor de Q2 y Q3. Si las tensiones que aplicamos a los emisores de Q1 fueran un nivel alto, el transistor Q4 estar a corte, porque la tensin de colector del transistor es insuficiente para hacer conducir a la unin baseemisor de Q4 en serie con D. El transistor Q3 estar saturado, dependiendo de la carga que tenga la puerta. En esta situacin, Q1 est funcionando en modo inverso, es decir, la unin base permanece polarizada directamente, mientras que la base lo hace inversamente. Una de las ventajas de las TTL es su rapidez. Veamos cmo influye el transistor multiemisor en este aspecto. En la situacin presentada anteriormente, Q2 estaba saturado teniendo, por tanto, cargas almacenadas en su base. Por otra parte, la capacidad parsita de colector de Q1 a substrato estar cargada a un cierto potencial. Supongamos que provocamos una transicin de un nivel alto a uno bajo en los emisores de Q1, que pasarn a tener una tensin baja, por lo que la unin base-emisor de Q1 queda polarizada en sentido directo, con lo que se provoca el paso de una considerable corriente de colector en Q1 que, rpidamente, descarga a la capacidad parsita y retira las cargas almacenadas en la base de Q2, pasndolo a corte en un tiempo muy pequeo. Una vez almacenada esta situacin, Q1 permanece conduciendo una pequesima corriente por su colector. Si las entradas se encuentran todas a nivel bajo, el transistor Q2 trabaja como amplificador saturable, dando dos tensiones en oposicin de fase en colector y emisor. Su misin es suministrar corriente alternativamente a las base de Q3 y Q4. El transistor Q2 conmuta rpidamente y apenas contribuye en el retardo total de la puerta. Q3 es el transistor de salida, diseado para poder derivar a masa la corriente saliente de las entradas de otras puertas TTL a las que se aplica un 0 lgico cuando Q3 est saturado; la resistencia R3 tiene como misin retirar la carga almacenada en la base de Q3 cuando ste tiene que pasar de saturacin a corte. Respecto a la etapa de salida que forman conjuntamente Q4, D y Q3, denominada "totem - pole", ofrece las siguientes ventajas:

Al funcionar Q4 como seguidor de emisor, la impedancia que se ve desde la salida de la puerta hacia adentro es bastante baja, lo que permite que el circuito TTL pueda funcionar con cargas capacitivas a notable velocidad. La misin de D es evitar que Q4 conduzca cuando Q3 est saturado, ofrecindole una alta impedancia de carga de colector. Durante las transiciones de un estado a otro, especialmente cuando Q3 pasa de saturacin a corte; ya que este es un proceso ms lento que la puesta en conduccin de Q4, existe un intervalo de tiempo, de varios nanosegundos, en que tanto Q3 como Q4 conducen, ofreciendo un camino de baja impedancia visto desde la tensin de alimentacin, Vcc. La funcin de D se puede resumir diciendo que minimiza el consumo de potencia. Optimizacin del diseo Continuando con el diseo de una puerta TTL veamos como tienen que ser las resistencias que acompaan a los transistores. La resistencia R1 se optimiza para que la disipacin sea baja sin afectar excesivamente a la velocidad de conmutacin. Si R1 es muy pequea, las corrientes salientes de los emisores de Q1 seran mayores, habra ms disipacin de potencia y la capacidad de salida permitida ("fan-out") a la puerta excitadora de las TTL sera menor. Sin embargo, si R1 se hace demasiado elevada, la corriente de base de Q2 sera menor, y la constante de tiempo con que se cargara la capacidad de colector de Q1 sera mayor, por lo que disminuira la velocidad. La resistencia R2 determina la corriente de base de Q3 cuando ste est en saturacin. Respecto a R4 sirve, al igual que D, para limitar la disipacin de potencia durante los transitorios, as como para evitar un paso excesivo de corriente en caso de cortocircuito en la salida, cuando est a nivel alto. Existe la posibilidad de que uno o varios de los emisores de Q1 estn a nivel alto y otros a nivel bajo. La situacin, en cuanto a la funcin lgica realizada por la puerta, es la misma que cuando todos los emisores estn a nivel bajo. Es suficiente que una de las entradas se encuentre a nivel bajo para que los transistores Q2 y Q3 estn a corte, con lo que la salida permanecer a nivel alto.

Las puertas NOR tienen un funcionamiento analgico a las NAND, diferencindose por el diseo de su circuito La puerta analizada, como hemos podido comprobar, es una NAND. Si estudiramos una puerta NOR, como la de la figura que se presienta, el razonamiento de su funcionamiento sera anlogo al aplicado anteriormente. Resumiendo, podramos decir que cuando una de las dos entradas est a nivel alto, conduce el correspondiente transistor Q2A o Q2B, se satura Q3 y queda cortado el transistor Q4, producindose un nivel 0 a la salida.

Si las dos entradas tienen un estado 0, los transistores Q2A, Q2B y Q3 estn cortados, mientras que conduce el transistor Q4, por lo que la salida ser un 1 lgico. Existen varios tipos de puertas TTL, dependiendo del uso que se les quiera aplicar dentro de nuestros circuitos digitales; estas variaciones se desarrollan en el presente curso.

Circuito integrado con varias puertas NAND y tecnologa TTL ECL (EMITTER-COUPLED LOGIC) Pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnologa bipolar; es la ms rpida disponible dentro de los circuitos de tipo MSI. A pesar de su limitada utilizacin, se trata de unas de las familias lgicas de ms raigambre, y rancio abolengo, dentro de las tecnologas digitales. Incluso se podra decir que dentro de la electrnica en general, pues el par diferencial, en el que se basa la familia, domina ampliamente los circuitos integrados analgicos. Como familia bipolar que es, el margen de ruido no es bueno. En este caso no slo es reducido en margen a nivel bajo, sino que tambin lo es el margen a nivel alto. Esto es consecuencia de la reducida excursin lgica. Y la razn es que para conseguir velocidad deben variar poco los valores de tensin. El principio que gua a la familia es tratar de evitar a toda costa que los transistores que configuran el circuito entren en saturacin. Por lo que las conmutaciones sern entre corte (o casi corte) y conduccin. Por lo tanto siempre vamos a tener transistores conduciendo, con lo que el consumo es continuo. Es decir no slo hay picos de corriente en las transiciones, sino que siempre tendremos un consumo apreciable en el circuito. Por otro lado la presencia de corrientes significativas en el circuito en todo momento, hace que el fan-out sea bueno. Es la forma de lgica ms rpida, ya que los dispositivos activos se las arreglan para trabajar fuera de la saturacin. Tambin se hace aun mucho ms rpida haciendo que las variaciones de seal lgicas sean aun menores (Dt=800mV), eso hace que el tiempo de carga y descarga de C de carga y parasitas sean aun menores... El circuito ECL se basa en el uso de un interruptor de direccin de corriente, que se puede construir con un par diferencial, que se polariza con un voltaje Vr y de corriente I cte. Ambos. La naturaleza diferencial del circuito lo hace menos susceptible a captar ruido. Existen 2 formas conocidas, la ECL 100k y la ECL 10K, la 100k es ms rpida pero consume mayor corriente. La estructura ECL se basa en un par diferencial (Q1-Q2 y Q3) en el que una rama se conecta a una tensin de referencia, que determina el umbral ALTO / BAJO y la otra rama con n transistores en paralelo a las n entradas. Del diferencial se pueden obtener simultneamente dos salidas con la salida y la salida negada y muy bajo jitter entre ellas. Estas salidas se llevan, finalmente, a sendos seguidores de emisor para proporcionar ganancia en corriente y el fan-out adecuado, que en muchos casos pueden alimentar lneas de 50 directamente. Es comn la presencia de pines de alimentacin separados para estos ltimos transistores ya que, a diferencia del par diferencial, su corriente vara con la seal si no

estn los dos transistores conectados a impedancias iguales. Alimentndolos separadamente se evita que estas variaciones alcancen el par diferencial. Esta estructura produce simultneamente la salida OR / NOR: cualquier entrada a nivel alto provoca que el emisor de Q5 pase a nivel alto y el de Q6 a nivel alto. Por comparacin, la estructura TTL slo produce la funcin NAND. A diferencia de otras tecnologas (TTL, NMOS, CMOS), la ECL se alimenta con el positivo (Vcc) conectado a masa, siendo la alimentacin entre 0 y -5'2V, habitualmente. Algunas familias permiten que VEE sea -5V, para compartir la alimentacin con circuitos TTL.

Circuito tpico de una puerta de la familia ECL 10,000 de Motorola. Adems de las familias lgicas ECL I, ECL II, ECL III, ECL10K y ECL100K, la tecnologa ECL se ha utilizando en circuitos LSI: Matrices lgicas Memorias (Motorola, Fairchild) Microprocesadores (Motorola, F100 de Ferranti) Para mejorar las prestaciones de la tecnologa CMOS, la ECL se incorpora en ciertas funciones crticas en circuitos CMOS, aumentando la velocidad, pero manteniendo bajo el consumo total.

I2L (INTEGRATED INJECTION LOGIC) Es una familia de circuitos digitales construidos con transistores de juntura bipolar de colector mltiple (BJT). Cuando se introdujo su velocidad era comparable a los TTL adems de que casi eran de tan baja potencia como los CMOS, Volvindose ideal para su uso en circuitos integrados VLSI. Aunque los niveles lgicos son muy cercanos entre si (Alto: 0.7 V, Bajo: 0.2 V), I2L tena una alta inmunidad al ruido debido a que operaba por corriente en vez de voltaje. El corazn de un circuito I2L es el inversor de colector abierto y emisor comn. Tpicamente, un inversor consiste en un transistor NPN con el emisor conectado a tierra y la base alimentada por una corriente entrante. La entrada se suple por la base ya sea por una corriente aplicada (nivel lgico bajo) o una condicin de alta impedancia (alto nivel lgico). La salida de un inversor es el colector. Adems, el colector puede ser un puente que podra ir a tierra (nivel lgico bajo) o una condicin de alta impedancia (nivel lgico alto) Para entender cmo opera el inversor, es necesario entender el flujo de corriente, Si la corriente que alimenta es desviada a tierra (nivel lgico bajo), el transistor se apaga y el colector se queda abierto (nivel lgico alto). Si la corriente aplicada no est desviada a tierra debido a que la entrada est en alta impedancia (nivel lgico alto), la corriente aplicada fluye a travs del transistor al emisor, conmutando al transistor, y permitiendo entrar a la corriente por la salida del inversor (nivel lgico bajo), esto hace que la salida del inversor nicamente deje entrar la corriente o ponerse en alta impedancia pero no ser una fuente de corriente. Esto vuelve seguro conectar las salidas de inversores mltiples juntos para formar

una compuerta AND. Cuando las salidas de dos inversores estn alambradas, el resultado es un compuerta NOR de dos entradas debido a que la configuracin (NOT A) AND (NOT B) es equivalente a NOT (A OR B).

Esquema simplificado de un inversor I2L.

APLICACIONES de los BJT: Son los ms utilizados, constituyendo un pilar de la tecnologa actual, as como la conocemos, entre sus aplicaciones: Amplificador de pequea seal. Amplificador de gran seal o potencia (por ejemplo 2N3055) actualmente existen ms BJTs de alta potencia que FETs. Como switch, enciende y apaga rpidamente. Utilizado altamente en aplicaciones anlogas y digitales, solo lo superan los FETs por su alta impedancia de entrada, sin embargo, este puede destruirse por esttica.

CONCLUSIONES

Los transistores FET realizan la funcin de control de la corriente, comn a todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales. Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres terminales. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenaje en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente. Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposicin similar a la de los bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica. En poca reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnologa de fabricacin de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geomtrica de sus diferentes regiones semiconductoras. Se emplean en amplificadores de potencia as como en conmutacin, haciendo la funcin de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen. Existen mltiples diferencias entre los transistores BJT y MOSFET. El transistor BJT es controlado por corriente, puede manejar altas frecuencias y potencias, adems es utilizado para interruptores, amplificadores y las comunicaciones.

RECOMENDACIONES

Afianzar el concepto de circuito integrado tomndolo en cuenta como punto de partida para conocer a fondo la base sobre la cual se fundamentan los transistores Aclimatarse con las familias lgicas que dependen del funcionamiento de los transistores de efecto de campo y bipolares de unin. Tomar en cuenta el papel crucial que acapara conocer debidamente las compuertas lgicas NAND, NOR, etc y los principios de algebra booleana. Estudiar el tema tratado anteriormente permite reconocer con mayor exactitud el funcionamiento de los sistemas computacionales actuales y su proceso de fabricacin. Describir profundamente los transistores tratados y sus familias lgicas permite lidiar con conceptos que a pesar del avance tecnolgico permanecen constantes en el tiempo como la lgica combinacional. El diseo digital es una rama interdisciplinaria cuyo estudio resulta necesario para profesionales de la informtica y la electrnica, por tanto es beneficioso describir a detalle el papel de los componentes electrnicos del circuito integrado.

BIBLIOGRAFIA

Lgica Digital y Diseo de Computadores Morris Mano Diseo Digital: Principios y Prcticas John Wakerly http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/default3.asp http://www.edicionsupc.es/ftppublic/pdfmostra/EE05505M.pdf http://www.mastermagazine.info/termino/4308.php http://www.angelfire.com/la/SEMICONDUCTORES/fla.html http://es.wikipedia.org/wiki/Resistor-transistor_logic