Mtodos de Fabricao de Micro e Nano Sistemas Autor: Dr.Claudio Roberto Cutrim Carvalho.

(Material Auxiliar para estudo )

Existem dois mtodos conhecidos de construo de micro e nano objetos: o primeiro deles conhecido como o mtodo de baixo para cima (MBC) e o segundo como o mtodo de cima para baixo (MCB). O mtodo baixo para cima uma tcnica baseada na manipulao de molculas e tomos construo de objetos (mais complexos que os existentes em estado original) ou dos elementos que compem tal objeto. A abordagem do MBC vem sendo mais explorada pelos qumicos e bilogos moleculares. Neste caso, o MBC envolve o desenvolvimento de dispositivos baseados em protenas e molculas com propriedades de se auto-construir ou de se rearranjar (self-assembler) semelhana da natureza (exemplo, DNA)[40, 41]. Por sua vez, a abordagem do MCB comea a partir de padres gerados em larga escala e progride at as dimenses desejadas por intermdio da reduo das dimenses laterais do padro inicialmente gerado, em geral determinado por um fator de 10. As tcnicas aplicadas para a fabricao de dispositivos microeletrnicos (abordagem de cima para baixo) tm sido usadas para a produo em massa de micro e nano estruturas (podendo alcanar at 100 nm, equivalente a 500 tomos de silcio enfileirados). Dentre as tcnicas mais utilizadas, destaca-se a fotolitografia [40, 4].

3.1. A tecnologia da fotolitografia

Pode-se dizer que a fotolitografia basicamente uma extenso da fotografia. No obstante, a fotolitografia parte do processo fotolitogrfico para obter um negativo fotogrfico do padro

desejado. Este negativo chamado de mscara (ou master), ento usado para copiar o padro no interior dos metais e materiais semicondutores. Uma vez obtido o negativo, pode-se estabelecer vrias cpias a partir deste. A fotolitografia uma tcnica muito usada para fabricar chips de computadores e demais dispositivos microeletrnicos. A tecnologia da fotolitografia pode ser refinada para fazer at nanoestruturas. Porm, caso se quisesse alcanar as nano medidas, o mtodo da fotolitografia se tornaria mais caro e tecnicamente mais difcil [8, 1]. 3.1.1. Esquema da tcnica de fotolitografia

A tcnica da fotolitografia pode ser visualizada esquematicamente na figura 3.1. Neste diagrama, podem ser feitas as seguintes observaes: a) H um filme fino de xido de silcio sobre uma bolacha de silcio. Neste caso desejado que algumas partes do filme de SiO2 sejam seletivamente removidas; b) construda uma mscara com o desenho ou padro que se quer desenvolver (baseado em cromo e vidro) e depositado um polmero foto-sensvel, chamado de fotoresiste, sobre a bolacha de silcio; c) ocorre exposio luz UV ou raio-X;

d) h dois tipos de fotoresiste: o positivo e o negativo; quando a luz atinge o positivo ele fica
fraco e pode ser extrado seletivamente aps tratamentos qumicos especficos; e) simultaneamente o fotoresiste negativo se torna resistente, no local onde foi exposto a luz; e f) a extrao por solues qumicas fica restrita a zonas no expostas a radiaes.

A exposio luz por Ultra Violeta (UV) ou Raio-X, poder reproduzir zonas expostas e no expostas a radiao, conforme o padro da mscara. Com efeito, pode-se obter zonas modificadas e

outras no modificadas para conformao final por tratamento qumico, que eliminar a poro mais fraca do fotoresiste (Ver figuras 3.2 e 3.3).

Figura 3.1: Tcnica fotolitogrfica Fonte: http://www.dbanks.demon.co.uk/ueng/plith.html, consulta: 28/05/2003. Autor: Dr.Claudio Roberto Cutrim Carvalho. (Material Auxiliar para estudo no para cpia)