Mestrado Profissional em Mecatrnica EAM 3091

Daniel Cleyton Moreira

Circuito para transmisso de dados por fibra tica

Florianpolis, Agosto de 2011 1/13

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INTRODUO ..................................................................................................................................3 IDENTIFICAO ..............................................................................................................................3 2.1 FONTES DE LUZ ...........................................................................................................................3 2.2 RECEPTORES DE LUZ OU FOTODETECTORES.................................................................................4 2.2.1 Fotodiodos ..........................................................................................................................4 2.2.2 Fototransistores ..................................................................................................................7 2.3 AMPLIFICADORES .........................................................................................................................8 2.3.1 Fototransistor Darlington ....................................................................................................9 2.3.2 Amplificador Operacional com fotodiodo............................................................................9 2.3.3 Amplificador Operacional com fototransistor....................................................................11

PROTTIPO ...................................................................................................................................11 3.1 3.2 DIMENSIONAMENTO DO CIRCUITO GERADOR ................................................................................11 CONSTRUO E SIMULAO DO CIRCUITO ...................................................................................12

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CONCLUSO .................................................................................................................................13 FONTE DE DADOS ........................................................................................................................13

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1 Introduo
O objetivo deste trabalho apresentar uma soluo prpria de gerao de sinal ptico para ser entregue em uma fibra tica. Alguns elementos que no esto diretamente envolvidos neste processo sero apresentados para agregar conhecimento nesta rea que to promissora. Evidentemente existem centenas de solues venda no mercado, porm o foco aqui desenvolver o conceito presente nestas tecnologias levando em considerao alguns princpios apresentados na disciplina EAM3091 do curso de Mestrado Profissional em Mecatrnica do IFSC. Para leitura deste material necessrio conhecimento bsico de diodos e transistores.

2 Identificao
Dois ramos da cincia so bem evidenciados na construo de sistemas de transmisso de dados por fibra tica, a tica e a eletrnica. A primeira ser responsvel pela transmisso e a segunda pelo processamento e tratamento da informao. A Figura 1 nos d uma idia dos subsistemas envolvidos.

Figura 1 Subsistemas envolvidos. (Fonte 3) As caixas Fonte de Luz, Fotodetector e Amplificador da Figura 1, sero analisadas.

2.1 Fontes de Luz

Atualmente o mercado nos oferece uma gama enorme de componentes para gerao de sinais ticos. Eletronicamente os mais interessantes so o diodo emissor de luz (LED) e o diodo laser (LD). A operao nestes elementos se d atravs da regio de polarizao direta. O leitor lembrar que, em uma juno pn diretamente polarizada, portadores minoritrios so injetados atravs da juno e difundidos nas regies p e n. Os portadores minoritrios em difuso recombinamse, ento, com os portadores majoritrios. Tal recombinao pode ser feita de modo a levar emisso de luz. (Fonte 4, p. 192). Os lasers tm a vantagem em sistemas de comunicao, pois oferecem alta potncia nos acoplamentos ticos e alta freqncia de corte, chegando a extrapolar os 10G bps. Por este motivo a maioria dos projetos optam por esta tecnologia . O grande desafio nos projetos controlar o joelho de variao de corrente em relao intensidade luminosa, onde a intensidade da corrente muito baixa.

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Figura 2 Relao sada luminosa versus corrente. (Fonte 1) A Figura 2 nos mostra como comportamento usual desses componentes. Podemos ento entender que aps determinada intensidade de corrente (ITH), a curva se comporta essencialmente de forma linear.

2.2 Receptores de Luz ou Fotodetectores

Tecnicamente os receptores mais conhecidos so os fotodiodos e os fototransistores. Eles tm a funo de captar um sinal tico e converter num sinal eltrico. Funcionam basicamente como transdutores de energia tica para eltrica.

2.2.1 Fotodiodos
Com a grande variedade de aplicaes, os diodos evoluram como receptores de luz para atenderem os mais diversos requisitos. Segundo notas tcnicas da Hamamatsu (Fonte 5), existem cinco tipos de fotodiodos fabricados a partir de Si, dois de GaAsP e outros dois de GaP. O controle de corrente neste tipo de tecnologia se d atravs da polarizao reversa, atuando basicamente com a corrente de fuga. usual utilizar desta forma devido caracterstica linear da corrente em relao intensidade luminosa que no ocorre na polarizao direta. O completo entendimento veio a partir de experimentos onde se percebeu que focando a incidncia luminosa na regio de depleo em diodos polarizados reversamente, correntes de fuga apareciam com maior intensidade.

Figura 3 Experimento de incidncia de luz na regio de depleo. (Fonte 2) Resumidamente podemos encontrar a seguinte classificao segundo Hamamatsu (Fonte 5): Tipo Difuso Planar: Revestimento de SiO2 aplicado ao redor da juno PN. Isto d uma caracterstica de baixa corrente reversa.

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Figura 4 Difuso Planar. (Fonte 5) Tipo Difuso Planar de Baixa Capacitncia: a verso de alta velocidade do Tipo Difuso Planar. Ele faz uso da alta pureza e alta resistncia do material do tipo N para aumentar a camada de depleo, aumentando assim a capacitncia. Segundo experimentos o tempo de resposta diminui cerca de dez vezes.

Figura 5 Difuso Planar de Baixa Capacitncia. (Fonte 5) Tipo PNN+: Com baixa resistncia do material N+, a fabricao realizada de tal forma a deixar espessa a regio, com o objetivo de aproximar a divisa NN+ da regio de depleo. Com isto a sensibilidade s radiaes infravermelhas diminui, sendo ideal para radiaes com baixo comprimento de onda.

Figura 6 PNN+. (Fonte 5) Tipo PIN: a verso melhorada do tipo Difuso Planar de Baixa Capacitncia. Ele faz uso de uma camada extra I de alta resistncia entre a camada P- e a camada N para melhorar ainda mais o tempo de resposta.

Figura 7 PIN. (Fonte 5) Tipo Schottky: Uma fina camada de Au espalhada por cima do material do tipo N para formar um efeito semelhante juno PN do diodo Schottky. Desde que a distncia com a camada de fora seja bem pequena, a sensibilidade s radiaes ultravioletas alta.

Figura 8 Schottky. (Fonte 5) Tipo Avalanche: Com a polarizao reversa aplicada juno PN e com a formao de um alto campo eltrico interno, partculas de fton sero aceleradas e colidiro com
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outras partculas, que tambm ficaro aceleradas e assim colidiro sucessivamente uma nas outras. O resultado um sinal eltrico amplificado. Este mecanismo ideal para a deteco de baixos nveis de luz.

Figura 9 Avalanche. (Fonte 5) Analisando a Figura 10, a relao corrente versus tenso de um fotodiodo qualquer sem incidncia luminosa dada pela curva 1. No entanto podemos perceber que com o aumento da incidncia luminosa a corrente de fuga aumenta substancialmente e de forma linear para uma faixa de tenso desde a saturao reversa at VOC (Curvas 2 e 3).

Figura 10 Curva tenso x corrente. (Fonte 5) Detalhando o experimento mostrado na Figura 3, pode-se realizar a comprovao da veracidade das curvas apresentadas na Figura 10. Primeiramente faz-se um curto em um fotodiodo dando os seguintes passos: Passo 1: Sem nenhuma fonte de luz mede-se a corrente. Nesta situao teremos uma corrente e tenso nula. Passo 2: Com uma pequena fonte luminosa, medimos a intensidade da corrente. Perceberemos um leve sinal Isc no sentido do catodo para o anodo para uma tenso nula. Passo 3: Com o incremento da fonte luminosa perceberemos ento a elevao da corrente para Isc`, tambm no sentido do catodo para o anodo. Passo 4: Abrindo-se o circuito teremos evidentemente corrente nula, porm uma tenso VOC positiva anodo-catodo.

Variaes de temperatura influenciam razoavelmente nas curvas, bem como rudos, carga e a tenso de saturao reversa. Portanto adequado analisar o datasheet do componente escolhido para realizao de um projeto.

2.2.2 Fototransistores
Assim como os fotodiodos apresentados na seo 2.2.1, os transistores tambm podem ser construdos como sensores ticos. O modo mais intuitivo de se pensar em sua construo seria
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colocar um fotodiodo para polarizar um transistor qualquer. A Figura 11 nos deixa uma idia do que foi exposto anteriormente.

Figura 11 Fototransistor a partir de um fotodiodo. (Fonte 2) evidente que a construo da maioria dos componentes exclui o fotodiodo com o objetivo de diminuir custos. Em sua grande maioria, os fototransistores so bipolares do tipo NPN com uma larga regio de base para aumentar a sensibilidade luz e assim operar com a base desconectada. O funcionamento muito semelhante ao fotodiodo, pois o incremento da incidncia de luz aumenta a corrente de fuga, diminuindo assim a tenso do coletor em relao ao emissor. A diferena que aqui a corrente de fuga amplificada (devido tenso positiva no coletor) e acontece de P (base) para N (emissor).

Figura 12 Fototransistor. (Fonte 2) A sensibilidade se d sempre em relao corrente DC (coletor), ento dependendo da aplicao se configuram resistores conectados no coletor, no emissor ou at mesmo na base. Segundo notas tcnicas da FAIRCHILD (), os fototransistores podem ser classificados de trs maneiras, emissor e coletor comum e fototransistor com conexo na base.

Figura 13 Emissor comum. (Fonte 6)

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Figura 14 coletor comum. (Fonte 6)

Figura 15 Conexo na base. (Fonte 6) Nos circuitos apresentados na Figura 13 e Figura 14 eles podem operar como chave ou amplificao. Operando como amplificador significa que conforme o incremento da intensidade luminosa haver o incremento da tenso de sada, at um limite que determina a saturao. Este modo usual em aplicaes onde se deseja comparar a intensidade luminosa, como exemplo lmpadas que aumentam a luminosidade ao anoitecer. Operando em modo chave significa que a sada estar desligada (corte) ou ligada (saturada) em resposta luz. Muito usual em sistemas de transmisso digital, deteco de presena/ausncia, etc. Chamando a corrente oriunda do coletor de ICC e os resistores RC e RE de RL, idealmente podemos projetar a operao da seguinte forma: Amplificao: VCC > RL x ICC, implica VCE > 0. Chave: VCC = RL X ICC , implica em VCE = 0.

Tipicamente o resistor RL, em modo chave ficar maior ou igual a 5 K . No circuito apresentado na Figura 15, h a conexo de um resistor RBE de alta impedncia apenas para prevenir que baixa intensidade de luz ou rudos afetem no incremento da tenso de sada.

2.3 Amplificadores
Como vimos na seo 2.2, vrios componentes podem fazer a deteco do sinal tico. No entanto nem sempre o sinal captado tem qualidade ou potncia suficiente para ser fornecido a outro circuito de tratamento. Para resolver o problema descrito anteriormente necessitamos dar ganhos ao sinal para a completa sensibilidade. A seguir veremos algumas tcnicas utilizadas.

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2.3.1 Fototransistor Darlington

A tcnica aqui est em utilizar um fototransistor acoplado com um transistor NPN. Este simplesmente amplificar a corrente do emissor do fototransistor, que estar fornecendo corrente em sua base. A Figura 16 mostra esta configurao.

Figura 16 Fotodarlington (Fonte 2)

2.3.2 Amplificador Operacional com fotodiodo

Para o completo entendimento desta tcnica faremos primeiramente uma breve recapitulao de amplificadores operacionais. A anlise ser realizada considerando condies ideais, Figura 17.

Figura 17 AmpOp Ideal. (Fonte 4) Em um amp op ideal suposto que nenhuma corrente de entrada seja drenada; ... E sobre o terminal de sada 3? ... a tenso entre o terminal 3 e o terra ser sempre igual a A(v2 v1)... deve ter um valor de ganho A muito alto ou mesmo infinito. (Fonte 4, p. 58, 59) Com a descrio acima podemos evoluir para uma aplicao muito comum destes amplificadores, a configurao inversora.

Figura 18 Configurao inversora. (Fonte 4) Analisando a Figura 18, teremos agora um novo ganho, chamado G, onde G = vo/vi, vi a tenso da fonte e vo a tenso de sada. Como o estudo continua focado numa situao ideal, ento o ganho A ainda existe e deve ser muito alto. Sabemos ainda que vo = A (v2 v1), ento observamos que:

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v2 v1 = vo/A Equao 1 Equao para amp op ideal. Sendo A muito alto, ento: v2 v1 = 0, ou seja v2 = v1 Podemos ento concluir que existe uma tenso nula na entrada 1 da Figura 18, pois a entrada 2 est aterrada. Diz-se ento que esta tenso nula um terra virtual ou dependendo da tenso em 2 um curto-circuito virtual. Um curto-circuito virtual significa que qualquer tenso presente em 2 automaticamente aparecer em 1 pelo fato de o ganho A ser infinito. (Fonte 4, p. 59) Sabendo disso, ento podemos encontrar a corrente sobre R1 (que a mesma sobre R2) e cham-la de I1: I1 = (vi v1)/R1, como v1 = 0, temos: I1 = vi /R1 Equao 2 Corrente de malha fechada. Por fim, podemos definir vo, pois: v1 vo = I1xR2 ou 0 vo = (vi/R1) x R2 ficando: vo/vi = - R2/R1 Equao 3 Ganho de malha fechada. Tendo em mos todos esses conceitos podemos agora estudar o funcionamento do amplificador operacional em conjunto com um fotodiodo. Como a operao de um fotodiodo (seo 2.2.1) se d atravs de correntes de fuga, que variam conforme a intensidade luminosa, e sobre uma tenso praticamente nula, podemos fazer a seguinte configurao mostrada na Figura 19.

Figura 19 Fotodiodo com Amp op. (Fonte 8) Observando a Figura 19 podemos concluir que com o terra virtual, a tenso na entrada negativa ser nula. Fazendo o equacionamento semelhante ao que foi realizado para a Figura 18, podemos partir que: v1 vout = IR1 x R1 onde v1 = 0, IR1 = -Ip, segue: 0 vout = -Ip x R1, ento: vout = Ip x R1

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Equao 4 Fotodiodo com Amp op.

Figura 20 Tenso de sada versus corrente reversa de fotodiodo. Podemos concluir a partir da Figura 20 que para um resistor R1 grande, podemos ter valores considerveis de vout, j que conforme a Figura 3 temos baixas intensidades de correntes reversas.

2.3.3 Amplificador Operacional com fototransistor

A anlise para esta situao exatamente a mesma realizada na seo 2.3.2. A nica diferena que o fototransistor precisa de um potencial (-V na Figura 21) para conseguir escoar a corrente do coletor em direo ao emissor.

Figura 21 Fototransistor com Amp op. (Fonte 8)

3 Prottipo
O objetivo deste tpico colocar em prtica o principal objetivo deste trabalho. Para tal ser elaborado um circuito no Proteus-ISIS para gerao de um sinal ptico de alta freqncia.

3.1 Dimensionamento do circuito gerador

Como vimos na seo 2.1 os diodos lasers precisam ser projetados para irradiar luz a partir de certo nvel de corrente. Ento temos que fazer um projeto que na regio de corte fornea uma corrente menor que a do joelho apresentado na Figura 2. Quando existe sinal tico temos que ento dimensionar a corrente para trabalhar perto do limite do laser, para garantir potncia. Para este prottipo utilizaremos o laser HFE 4090-321 (Fonte 8). Ele possu uma corrente mxima de 20mA e uma corrente de joelho de 5mA chegando velocidades aproximadas de 1GHz. A tenso de polarizao direta fica em torno de 1.8V. Para comandar utilizaremos o amplificador OPA637 (Fonte 10), que consegue operar com uma corrente de sada de 45mA e com uma freqncia de at 100MHz. Uma das informaes mais importantes a taxa de variao na sada, muito conhecida como Slew Rate. Com ela faremos o projeto de velocidade que o circuito suportar para este componente. Observamos ento taxa de variao tpica de 135V/us. Se desejarmos trabalhar com altas tenses na sada, mais demorado ser o tempo de elevao. Fazendo uma regra de trs bsica onde se deseja trabalhar com 2V de sada, temos: Tempo de subida = (2x10-6)/135, resultando em 14.8x10-9s.
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Equao 5 Tempo de subida Com isto podemos determinar o nosso perodo. Para tal temos que deixar uma folga razovel, pois o slew rate tambm valer para a descida. Deixaremos cerca de 10 vezes. Ento temos um perodo de aproximadamente 150x10-9s ou 150ns. A freqncia ser de aproximadamente 6.6MHz. Resumindo temos: T= 150ns F= 6.6MHz

Como o OPA637 precisa de +-11V de alimentao, ento no uma boa idia trabalhar em modo de comparao, pois a sada ficaria ao redor destes valores, o que limitaria enormemente a banda de 6.6MHz calculada anteriormente. Um alternativa seria trabalhar com pulsos de 2V na entrada positiva, jogando a entrada negativa na sada, basicamente seria fazer uma operao de buffer.

Figura 22 Operao de buffer Observando a Figura 22 poderamos entrar com um sinal de 0 at 2V de baixa potncia sem muitos problemas. Esta operao tambm muito conhecida como seguidora de sinal. Para finalizar precisamos projetar a o resistor de limitao de corrente para o laser. Como j comentado anteriormente a corrente mxima de operao de 20mA. Como temos o desejo de operar com mxima potncia tica, ento utilizaremos este valor em nossos clculos. Para uma tenso de 2V, aplicando a lei de Ohm, temos a resistncia de 100 . Vale observar que o laser tem uma resistncia de 20 , ento o resistor pode ser substitudo por um de 80 caso o leitor deseje montar o laser em srie num circuito fsico.

3.2 Construo e simulao do circuito

A Figura 23 nos mostra como ficou o que foi exposto na seo 3.1.

Figura 23 Circuito gerador

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Podemos observar na Figura 23 o resistor R2 com impedncia de 1M . H necessidade de se fazer isto para no deixar a corrente sair por um curto direto ao terra quando h tenso na entrada positiva. Neste momento, ainda no conseguimos analisar a principal caracterstica, a corrente de sada.

Figura 24 Corrente de sada A Figura 24 nos mostra o comportamento da corrente. Podemos perceber uma certa distoro, porm o valor mximo da corrente est bem controlado. Interessante que no h offset no sinal. Isto muito bom para facilitar a deteco do sinal ptico no outro lado da fibra.

4 Concluso
A completa compreenso das tecnologias empregadas em sistemas pticos se daria atravs de um projeto fsico envolvendo todos os elementos apresentados na Figura 1. Porm este trabalho trouxe a oportunidade de estudar um pouco mais sobre o assunto e entender algumas caractersticas de componentes eletrnicos que apenas so desvendados com a prtica. Com o incremento cada vez maior e incessante por velocidade, seja na transmisso de dados, no tratamento da informao e at mesmo em nossas aes cotidianas, fica claro o grau de importncia que este tipo de desenvolvimento traz. O alvo inicialmente proposto foi atingido, porm evidente que no podemos cessar o estudo, muitos outros detalhes tcnicos esto envolvidos e so eles que agregam valor e conhecimento em nossa sociedade.

5 Fonte de Dados
Fonte 1: Intersil, Application Note AN 140.0, 2005. Fonte 2: http://www.electronics-tutorials.ws/io/io_4.html Fonte 3: Keylly Eyglys, http://www.dca.ufrn.br/~eyglys/std/aula_trasmissao_otica.pdf Fonte 4: Sedra, Adel S.; Smith, Kenneth, C. Microeletrnica. So Paulo: MAKRON Books, 2000. Fonte 5: Hamamatsu, Photodiode Technical Information. Fonte 6: FAIRCHILD: Application Note AN-3005, 2002. Fonte 7: http://en.wikipedia.org/wiki/Operational_amplifier Fonte 8: SHARP, Application Note Optoelectronics, 1999. Fonte 9: Honeywell, 31VSCEL datasheet. Fonte 10: Burr-Brown, OPA637 datasheet.
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