UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

DISEO DE UN AMPLIFICADOR FUENTE COMN CON CARGA ACTIVA

Carlos Miguel Avendao Lpez, Jos Julin vila Arias, Orlando Antonio Navarro Moncada Presentado a: ING. JAVIER MIER

RESUMEN: En esta prctica se estudi el diseo de un

circuito amplificador fuente comn con carga activa y se compar con el amplificador fuente comn convencional. Adems se calcul un nuevo parmetro del transistor NMOS que modela el efecto cuerpo, el gamma.

La ganancia que propone la gua que se debe obtener es de 10 [V/V] para lo cual se realiz el respectivo diseo fijando la tensin VCC en 10 [V] y el V0 en 5 [V] y con la ecuacin de corriente en el dren para saturacin del transistor 1 y la ganancia del amplificador obteniendo los siguientes resultados y de all se obtuvo la tensin de compuerta y fuente para polarizar el transistor, ( )( ( ) ( ) ( )( ))

1
-

OBJETIVOS
Analizar el comportamiento de un amplificador fuente comn con carga activa. Verificar las condiciones de operacin del transistor actuando como amplificador fuente comn con carga activa.

INTRODUCCIN
De aqu se obtuvieron los siguientes valores para el diseo, [ ] [ ]

En este laboratorio se desea analizar el comportamiento de un amplificador fuente comn con carga activa implementado con transistores tipo N y tipo P, analizando sus principales caractersticas y ventajas. Adicional se estudiara la polarizacin del amplificador fuente comn con un espejo de corriente tipo P el cual posee una resistencia de salida muy elevada, por tal razn estos amplificadores alcanzan tensiones ms grandes que los amplificadores implementados con cargas pasivas (resistencias). Esta configuracin posee 3 transistores 2 tipo P utilizados en el espejo de corriente y un tipo N como amplificador fuente comn.

Como la corriente de dren del transistor 1 es la misma del transistor 2, utilizando la ecuacin de corriente en del dren del transistor 2 para saturacin se obtuvo el valor de la tensin fuente-compuerta, ( )( [ ] Ahora se tom la tensin de fuente-compuerta calculada anteriormente para conocer el valor de tensin en el dren del transistor 3 que equivale a la misma tensin de compuerta del transistor 2 y as se calcul el valor de la resistencia, ) ( ( )( ))

DESARROLLO DE LA PRCTICA

El circuito propuesto para la prctica se ilustra en la Figura 1 el cual es un amplificador fuente comn con carga activa.
VCC VCC

M3

M2

Vo M1 R

De las dos ecuaciones anteriores se obtuvo el valor de la resistencia para el diseo,

Vi

Figura 1. Amplificador fuente comn con carga activa.

[ ]

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto El circuito implementado para el desarrollo experimental se muestra en la Figura 2,
VCC VCC

M1 ppMOS VCC

M2 ppMOS

V1 10 R1 761.8578

M3 nnMOS V2

Figura 4. Funcin de transferencia.

0 0

4.2976

0
V3

Los valores utilizados para la prctica as como los medidos durante la experiencia fueron los siguientes, [ ] [ ]

VOFF = 0 VAMPL = 100m FREQ = 1k

0
Figura 2. Circuito implementado en la prctica.

[ ] [ [ ] ]

Se midi con el osciloscopio la onda de entrada y de salida respectivamente para observar su funcionamiento y amplificacin,

Durante el desarrollo experimental se vari el valor de la amplitud de la onda de entrada Vin y se registr el valor pico a pico de la onda de entrada y salida para obtener el comportamiento de la ganancia a medida que aumentaba la amplitud de la onda de seal de entrada estos resultados fueron consignados en la siguiente Tabla 1, Tabla 1. Vout [V] 1.6 2.12 2.44 2.8 3.12

Vin [mV] 200 250 300 350 400

AV [V] 8 8.48 8.13 8 7.8

Se realiz el montaje en OrCAD con los valores calculados en el diseo y se simulo obteniendo las siguientes capturas y valores de CD del circuito, [ ]
Figura 3. Onda de entrada y salida.

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto Terico 10 5.67 5.27 761.8 Simulado 10.68 5.26 5.26 761.8 Experimental 8.65 5.43 5.27 758

Ganancia VSG [V] ID1 [mA] R [k]

Adicionalmente a la prctica realizada, se tuvo que obtener valores experimentales para calcular el parmetro gamma del transistor tipo N que se necesita para la siguiente prctica. Los resultados medidos fueron los siguientes, VSB 1
Figura 5. Onda de entrada y salida.

VT 2,577 3,161 3,577

VT0 1,47 1,47 1,47

1,5 2

Se realiz la respectiva simulacin para variaciones de la amplitud de la onda de seal de entrada obteniendo la siguiente imagen y valores de ganancia,

Utilizando la ecuacin correspondiente al voltaje umbral cuando existe efecto cuerpo se calcul el gamma para los diferentes datos obtenido, ( )

Calculando el promedio de los valores obtenido se obtuvo el valor de gamma,

OBSERVACIONES

Una de las ventajas de utilizar una fuente de corriente implementada espejos de corriente le brinda el amplificador una mayor ganancia de tensin debida a la resistencia de salida del espejo de corriente.
Figura 6. Onda de salida para variaciones de amplitud en onda de seal de entrada.

CONCLUSIONES

Color Verde Rojo Azul Amarillo Morado

Vin [mV] 200 250 300 350 400

Vout [V] 2.1355 2.669 3.1625 3.4984 3.1716

Av [V/V] 10.68 10.67 10.54 9.995 7.929

Se calcul la respectiva ganancia de la Figura 5 utilizando los cursores del PSpice para obtener el valor pico a pico de cada onda y as obtener la respectiva ganancia obteniendo el siguiente valor, [ ]

En la Tabla 2 se adjunta los valores obtenidos en cada uno de los mtodos utilizados en el estudio del amplificador fuente comn con transistor NMOS, Tabla 2.