El transistor UJT o de uni-unin El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con

tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b esta constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

(12.10)

en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.

Figura 12.21. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) smbolo.

Funcionamiento de un UJT El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 12.22 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a

su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Figura 12.22. Caractersticas elctricas de un UJT.

Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

(12.11) donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte.

En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

El transistor monojuntura (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. Desde el punto de vista del funcionamiento, no hay similitud entre el emisor de un UJT y el emisor de un transistor bipolar. En realidad, los nombres de las terminales obedecen a su funcionamiento interno, el cual considera la accin de los portadores de carga, pero el funcionamiento interno del dispositivo no es de importancia para nosotros. Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor denominado voltaje de pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una pequea cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el circuito E a B1 es prcticamente un cortocircuito, y la corriente fluye instantneamente de un terminal a otro. En la mayora de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT rpidamente regresa al estado de CORTE. El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.1 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

Figura 1

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.3. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.3b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Figura 2 Oscilador de relajacin con UJT

RT (resistencia de carga de CT): De ellos depende la frecuencia de oscilacin. UJT: Proporciona el impulso VOB1 a la puerta del SCR. R1: Proporciona un paso a la corriente de base del UJT (IBB) antes de dispararlo. Evita que IBB circule por la puerta del SCR produciendo un disparo indeseado. Valor: El necesario para que VGK este por debajo de la mnima tensin de disparo. R2: Estabiliza el funcionamiento del dispositivo frente a aumentos de temperatura.

Calculo de RT: Se calcula a partir de la caracterstica del UJT (figura de en medio) en la que representan las 2 rectas de carga correspondientes a los valores limites de RT.

Periodo de oscilacin TD: Sabiendo que toff=tiempo de carga de C y ton=tiempo de descarga, aplicamos logaritmos a la ecuacin de carga C: ecuacin de la constante de tiempo. Como: , obteniendo la

Calculo de R1:

Calculo de R2: Su valor no es critico y suele estar entre 100 y 330 . Calculo de VOB1: A partir de la grfica se relaciona la tensin de salida con la capacidad del condensador para una determinada resistencia de R1

No es un UJT (transistor uniunin)

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT. Enlaces relacionados Divisin de tensin Ley de Ohm Resistencias en serie JEDEC: Cdigo normalizado de semiconductores