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Francisco Javier Ramirez Fernandez

Escola Politcnica da Universidade de So Paulo


Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos
Projeto e Fabricao de Sensores
Integrados e Micro-Sistemas
Introduo
Tecnologia Planar
Sensores Integrveis
Micro-Sistemas
Concluses
Sumrio
Introduo
Tecnologia Planar
Circuitos Integrados
Transistores
Amplificadores operacionais
Reguladores de Tenso
Interface CMOS para Sensores
Sensores
Temperatura
Magnticos
Hidrognio
Gases
Radiao
Implantao de H
2
Silcio Poroso
MEMS
Sensores Integrveis
Instrumentao
Redes de Sensores
IEEE 1451
Sistemas Embarcados
Temperatura Timpnica
Classificador de Aromas
Nariz Eletrnico
Espectrometria de Massa
Cromatografia Gasosa
Reconhecimento de Imagens
SIM
Micro-Sistemas
Matrizes Neuro-Eletrnicas
Nanotecnologia
Silcio Poroso
NEMS
Sistemas Auto-Organizados
Introduo
Perspectiva Histrica
Tecnologia Planar
Sensores Integrveis
Microssistemas
Concluses
Introduo
Perspectiva Histrica
1945: Shockley monta Laboratrio de Microeletrnica
1947: Bardeen e Brattain Transistor de contato (Patente USA 2,524,035)
1950s: Shockley se estabelece em Silicon Valley
1957: Noyce funda Fairchild
1958, J. Kilby, fabrica primeiro Circuito Integrado na Texas Instrument,
Tecnologia Planar
Tecnologia Planar
Circuitos Integrados
Transistores
Amplificadores operacionais
Reguladores de Tenso
Interface CMOS para
Sensores
Transistor
Processos de Fabricao
Controle do Processo de Fabricao
Caracterizao Eltrica da Tecnologia
Parmetros Eltricos
Parmetros ligados R
[]BA
Efeitos Bidimensionais
Introduo
Perspectiva Histrica
Tecnologia Planar
Transistor
Processos de Fabricao
Controle do Processo de Fabricao
Caracterizao Eltrica da Tecnologia
Parmetros Eltricos
Parmetros ligados R
[]BA
Efeitos Bidimensionais
Sensores Integrveis
Microssistemas
Concluses
Tecnologia Planar
[ [[ [ ] ]] ] jE NO x , S
[ [[ [ ] ]] ] [ [[ [ ] ]] ] , S = , h S NO FE

n
n

/D Q
/D Q
=
2
ie
ib
B BA
E E
NO
| || |
. .. .
| || |

\ \\ \
| || |

Q
Q
=
BA
E
NO
Base
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

i
m
p
u
r
e
z
a
s

[

N
/
c
m
3
]
Profundidade [ m]
Coletor
Emissor
Q
BA
N
E
N
B
N
C
X
jE
X
jB
Transistor Processos de Fabricao
Transistores BC e BF Transit Semicondutores 1976
Dissertao F.J. Ramirez-Fernandez - EPUSP 1978
dx
L
x
erfc N = Q
E
x
o
je
SE E
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |

[ [[ [ ] ]] ] [ [[ [ ] ]] ]
B BA jE BA
L , Q S x , Q S = == =
( (( ( ) )) ) dx x/L - exp N - Q = Q
2
xje
o
B
SB TB BA

X
jB
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

i
m
p
u
r
e
z
a
s

[

N
/
c
m
3
]
Profundidade [ m]
Coletor
Base
Emissor
Q
BA
N
E
N
B
N
C
X
jE
Controle do Processo de Fabricao
PEE 5860 :Processos bsicos de fabricao de circuitos integrados
Base
X
jE
X
jB
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

i
m
p
u
r
e
z
a
s

[

N
/
c
m
3
]
Profundidade [ m]
Coletor
Emissor
Q
BA
N
E
N
B
N
C
10
21
10
18
10
16
Emissor
N
++
Base Coletor
P N
Caracterizao Eltrica da Tecnologia
[ [[ [ ] ]] ] [ [[ [ ] ]] ] , S = , h S NO FE
[ [[ [ ] ]] ] jE NO x , S

Q
Q
=
BA
E
NO

R
R
=
[_]E
[_]BA
NO
B
E B
2
i
SO
Q
A D n q
I = == =
V
EB
[mV]
ln I
C
[A]
I
S
500
700
I
K
ln I
C
[A]


mx
1}
U n
V
{exp I I
T
BE
SO C
= == =
B
C
FE
I
I
no = h
Parmetros Eltricos
I
C

mx
Ic
I
B
Parmetros ligados R
[]BA
Transistor JFET S-Eletroacstica SID/Telebras
Tese Doutorado F.J. Ramirez-Fernandez - EPUSP 1986
Efeitos Bidimensionais
C
R
C
L
C
B
FE
I
I
+
I
I
+
I
I
=
h
1
col. base emissor
reg 3 emissor
base
coletor
reg 4 reg 2 reg 1
PEE 651 : Projeto de Circuitos Analgicos
Tese Doutorado F.J. Ramirez-Fernandez - EPUSP 1986
} 1
U
V
{exp
I
I
1
I
I
T
EB
Ecrit
C
S
C

+ ++ +
= == =
NO
BA [_]
T
ECC

W R
L U 12
I = == =

BA
HIB
Q
= I
)
qv
J
- (N
E
q
=
dx
dE
C
c
Efeitos Bidimensionais

mx
ln I
C
[A]
I
C


mx
Emissor
Base
Coletor
Tese Doutorado F.J. Ramirez-Fernandez - EPUSP 1986
Circuitos Integrados de Potncia - CIPOT
Sensores Integrveis
Sensores
Temperatura
Magnticos
Hidrognio
Gases
Radiao
Sensores Integrveis
Instrumentao
Redes de Sensores
IEEE 1451
Sistemas Embarcados
Temperatura Timpnica
Classificador de Aromas
Nariz Eletrnico
Espectrometria de Massa
Cromatografia Gasosa
Reconhecimento de Imagens
Introduo
Tecnologia Planar
Sensores Integrveis
Sensores de temperatura
Sensores magnticos
Sensores pticos
Sensores qumicos
Microssistemas
Concluses
Sensores Integrveis
PSI 2614 Introduo aos Transdutores
PEE 5799 :Sensores integrados
Sensor de Temperatura
sendo :
n e : constantes
V
GO
: potencial de band gap
Extrapolado para T = 300
o
K
T
U
GO
V - (T)
BE
V
exp

CT
C
I = == =
-n
B
T
T - V V
GO G
= == =
T
G
3 2
i
U
V
- exp T n
Dependncia de V
BE
da Temperatura em um Transistor Bipolar
Considerando os parmetros que definem I
S
e I
C :
V
G
: potencial do Band Gap do Material da Base
.
.
. .
0 50 100 150 200 250 300 350 400
0
0.5
1
1.5
1.161
0
400 0 T
Sensor de Temperatura
P
T
A
T
C
T
A
T
Vref
Temp
U,volts
1.12V
Vdd=1.2V
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |
+ ++ +
) )) )
` `` `




+ ++ + = == =
r
T
T
TLn -
r
T - T
q
k
m) - ( T -
q
r
kT
m) - (
GO
V (T)
BE
V
r
r BE
r
GO
T
) (T V - m) - (
q
kT
V

+ ++ +
= == =
Controle do Tempo de Recuperao Reversa-t
rr
Dissertao Nori F. EPUSP 1992
t
rr
= Tempo de recuperao reversa
I
RM
= Corrente Reversa Mxima
Fotodiodo Lateral P-I-N
Regio
Regio
de
de
depleo
depleo
Difuso
Difuso
Drift
Drift
n
+
p
+
Luz incidente
Al
Nmero de eletrons liberados/s : G
G = n
a
= (1-R) n
i
(1-e
- d
)
Efficincia Quntica:
n
n
- -
(1000
(1000

-
-
cm)
cm)
Substrato Si
Substrato Si
25 m @ -5V
80 m @ -30V
Top view
Single-Photon Avalanche Diode
Bias: Acima da Ruptura
Geiger-mode: Dispositivo TRIGGER
Ganho: infinito sem significado
Foto Diodo Avalancha
Bias: Incio da Ruptura
Linear-mode: um Amplificador
Ganho: limitado < 1000
APD SPAD
FotoDiodo Avalancha
Diodo reach-through McIntyre
Diodo Haitz
Fototransistor
(a) Proposta do Transistor Bipolar de Juno como Neurnio (vBJT).
(b) Smbolo do vBJT.
Sensor Retina Humana
Sensor Retina Humana
Dissertao Pereira M. EPUSP 1995 [ IEEE Circuits & Devices May 2001, pp 20-32]
i
ph
= q/hc
i
ph
= q/hc
Viso
Camadas conetadas da vizinhana
Sensores Magnticos
Efeito Hall Suhl 1879 Fora de Lorentz
F = eE + e [ v x B ]
F = eE + e [ v x B ]
Bipolar
CMOS
Dissertao Galeazzo E. EPUSP 1993
Sensores Qumicos - Pd-MOSFET
Absoro de um gs afeta a funo trabalho do metal
cataltico da Porta do MOSFET
Dissertao Baratto G. EPUSP 1993
Micro-Sistemas
Micro-Sistemas Integrados
Nariz Eletrnico
Redes Neurais Artificiais
Confiabilidade
Matrizes Neuro-Eletrnicas
Micro-Sistemas
Nanotecnologia
Silcio Poroso
NEMS
Materiais Nanoestruturados
Sistemas Auto-Organizados
Micro-Sistemas
Introduo
Tecnologia Planar
Sensores Integrveis
Micro-Sistemas
Nariz Eletrnico
Redes Neurais Artificiais
Confiabilidade
Silcio Poroso
Matrizes Neuro-Eletrnicas
Nanotecnologia
Materiais Nanoestruturados
Sistemas Auto-organizados
Concluses
PEE 655 : Microeletrnica embarcada
PEE 5859 :Mtodos experimentais no desenvolvimento de sensores integrveis
PEE 5878 :Mecanismos de Falha e Confiabilidade de dispositivos Semicondutores e Circuitos Integrados.
Nariz Eletrnico
0 10 20 30 40 50 60 70
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
No inativado
E
r
r
o

R
M
S

/

S
e
n
s
o
r
e
s

(
V
)
Nmero de Sensores
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
Inativado
E
r
r
o

R
M
S

/

S
e
n
s
o
r
e
s

(
V
)




Grfico do erro RMS dividido pelo nmero de
sensores contra o nmero de sensores.
Dissertao Castilho D. EPUSP 1996 - Tese Baratto G. EPUSP 1998 - Dissertao Barriga M. EPUSP 1998
Dissertao Gasparetti A. EPUSP 1998
Enhanced Selectivity of Sensors Array for Brazilian Brandy Classification. Computational Intelligent and Applications, 1999.
Enhanced Response Time of a Portable Gas Sensor. Qumica Analtica, 1999.
Sensores Atuadores
Dissertao - Ramirez A EPUSP 1995
Dissertao - Prager O EPUSP 1997

Rede Neural com arquitetura de


Rede Neural com arquitetura de
multicamada e algoritmo de
multicamada e algoritmo de
treinamento backpropagation.
treinamento backpropagation.
A rede neural constituda por as sinapses e neurnios A rede neural constituda por as sinapses e neurnios
elaborados em blocos de circuitos VLSI. elaborados em blocos de circuitos VLSI.
M
3
M
1
M
2
M
4
M
5
M
6
V
XR
V
X
V
WR
V
W

STORE
Linhas
de
soma
V
DD
Sinapse
eletrnica
V
BB
V
DD
V
IN
-
V
IN
+
V
SS
V
OUT
Classe
AB
Neurnio de entrada
eletrnico
-
+
V
RF
M
RF2
M
RF1
V
DD
V
S
S
I
j,1
I
j,i
I
j,M
V
Lin,j
2-estgios
op amp Estgio buffer
de sada
Resistncia de
realimentao
V
R2
V
R1
V
R1
V
R2
V
SS
V
DD
V
LIN,j
V
TH_P
V
SIG,j
V
TH_N
Neurnio de sada
eletrnico
Tese Ramirez A. EPUSP 1999
Tese Chavez F EPUSP 2004
Transistor
es PMOS
Transistor
es NMOS
Transistor
es PMOS
Transistor
es NMOS
Multiplicador
Sinapse
Chaves
Capacitor
Multiplicador
Esquemtico
Esquemtico
Simulao
Leiaute
Leiaute
Confiabilidade: Interface para Sensor de O
2
Dissertao Perez M. EPUSP 1994
IEEE JOURNAL OF SS CIRCUITS, VOL. SC-16, N. 6(1981) pp.677
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50
-15
-10
-5
0
0h
1h
2h
4h
8h
e
t
c
h

d
e
p
t
h


[

m
]
X [m]
Wheatstone bridge test structure to study the TMAH effects on the
aluminum metallization. The bridge consists of two opposite out of
four aluminum resistors non-covered by passivation films (open to
etching solution) and two out of four resistors protected by
passivation layers
Silicon etch profile vs. etch time. Etching solution is
the 10% TMAH with 1.5 mol/l silicon. The etching
was performed at 80
o
C.
Confiabilidade - Ps-Processamento
A new "palafitas" technique for better mechanical
isolation of the active zone of the chip from the rest
of the package. 120 m deep cut lines made at the
chip bottom side (50 m line width at every 200 m).
Manic D., Series in Microsystems ISSN 1438-0609 Vol 8, pp. 70 131, (2000)
Proc. ICMP99, V1 , pp. 81-84 (1999)
Silicio Poroso
Dissertao Salcedo W. EPUSP 1994
Photonic Band Structure of Periodic-Like Porous Silicon. Qumica Analtica Elsevier, 1999.
Influence of Laser Excitation on Raman and Photoluminescence Spectra and FTIR Study of Porous Silicon Layers. Brazilian Journal of
Physics, 1999.
Optical Properties Modulation of Porous Silicon Layers for Optoelectronic Application. Proceedings of SPIE, 2000.
Sensores de Gs com Silicio Poroso
Silicio Poroso 60%
Porous Silicon (10 m)
p type Si substrate (290 m)
Aluminum (500 nm)
Aluminum (500 nm)
Wire
Porous Silicon (10 m)
p type Si substrate (290 m)
Aluminum (500 nm)
Aluminum (500 nm)
Wire
20 25 30 35 40 45 50 55 60
2
3
4
5
6
7
8
(
)
Ramirez-Fernandez F. J. et al. . Photoluminescence Quenching Effect On Porous Silicon Films For Gas Sensors Application.
Spectrochimica Acta, 2004.
Ramirez-Fernandez F. J. et al. . Nano-Composite of Porous Silicon and Organic Dye Molecules for Optical Gas Sensor and Lasing Medium.
Physica Status Solidi C, 2004.
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
0
1
2
3
4
2
9
2
4
: PS sample as formed
: PS sample after 1 day of aging
: PS sample after 20 days of aging
: PS sample after 145 days of aging
: PS sample after 160 days of aging
A
b
s
o
r
p
t
i
o
n

(
u
.
a
.
)
Wavenumber (cm
-1
)
Espectro FTIR do PS
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
Before the first electric test with ethanol vapor)
After the first electric test with ethanol vapor)
After several eletric test with acetone vapor)
Si-O
x
; Si-O-Si
S
i
-
H
2
;

O
2
S
i
H
C
=
O
C
-
H
C
-
H
2
O
H
S
i
-
O
-
S
i
S
i
-
H
;

S
i
-
H
2
S
i
O
x
S
i
-
O
-
S
i
;

O
-
S
i
H
x
S
i
-
C
H
3
C
-
H
3
O
3
S
i
-
H
A
b
s
o
r
p
t
i
o
n

(
a
.
u
.
)
Wavenumber (cm
-1
)
Envelhecimento Ensaios eltricos com vapores
10k 100k 1M 10M
100
1k
10k
100k
1M
After desorption,
in vacuum environment
Ethanol vapor (100%)
and Device D2
and Device D11
and Device D12
Z
(
i
m
a
g
i
n
a
r
y

p
a
r
t
)

i
n

e
t
h
a
n
o
l

(
o
h
m
s
)
Frequency (Hz)
10k 100k 1M 10M
10
100
1k
10k
100k
and Device D2
and Device D11
and Device D12
After desorption,
in vacuum environment
Ethanol vapor (100%)
(
Z

(
r
e
a
l

p
a
r
t
)

i
n

e
t
h
a
n
o
l

(
o
h
m
s
)
Frequency (Hz)
Caractersticas Eltrica
Environment: Acetone vapors
Environment: Ethanol vapors
10k 100k 1M 10M
10
100
1k
10k
100k
Acetone vapor (100%)
After desorption,
in vacuum environment
and : Device D2
and : Device D11
and : Device D12
Z
(
r
e
a
l

p
a
r
t
)

a
c
e
t
o
n
e

(
o
h
m
s
)
Frequency (Hz)
10k 100k 1M 10M
100
1k
10k
100k
1M
After desorption,
in vacuum environment
Acetone vapor (100%)
and : Device D2
and : Device D11
and : Device D12
Z
(
i
m
a
g
i
n
a
r
y

p
a
r
t
)

i
n

a
c
e
t
o
n
e

(
o
h
m
s
)
Frequency (Hz)
Slope = s parameter
Parmetro s na faixa de 20% to 100% em etanol e acetona.
Modelamento dos Sensores de Gs
0 20 40 60 80 100
-0,25
-0,50
-0,75
-1,00
-1,25
-1,50
Z(real)
s
; =2f
: Devi ce D2
: Devi ce D11
: Devi ce D12
"
s
"

p
a
r
a
m
e
t
e
r

(
f
r
o
m

Z
(
r
e
a
l
)
)
Acetone concentration in aqueous solution (%)
0 20 40 60 80 100
-0,25
-0,50
-0,75
-1,00
-1,25
-1,50
Z(real)
s
; =2f
D2real
D11real
D12real
"
s
"

p
a
r
a
m
e
t
e
r

(
f
r
o
m

Z

(
r
e
a
l
)
)
Ethanol concentrati on in aqueous solution (%)
D2 D11 D12
-0,4
-0,6
-0,8
-1,0
: vacuum
; ; ; :100% ethano
; : 50% ethanol, 50% water
: 20% ethanol, 80% water
: 100% acetone
:50% acetone, 50% water
:20% acetone, 80% water
"
s
"

p
a
r
a
m
e
t
e
r

c
a
l
c
u
l
e
d

b
y
s
l
o
p
e

o
f

l
i
n
e
a
r

f
u
n
c
t
i
o
n

o
f

Z
(
r
e
a
l
)
Devices
Z (real) 2 f
s
Micromechanical Structures Development for Chemical Analysis: Study Of The Porous Silicon as Adsorbent. Proceeding of SPIE, 1999.
Tese Galeazzo E. EPUSP 2000.
Gas Sensitive Porous Silicon Devices: Responses To Organic Vapors. Sensors And Actuators B-Chemical, 2003.
Funcionalizao do Silcio Poroso
Dislocamento nas franjas de interferncia
Tese Salcedo W. EPUSP 1998
High Resistivity Layers Obtained By Hidrogen Ion Implantation. Brazilian Journal Of Physics, 1997.
Natural Oxidation of Porous Silicon. Brazilian Journal Of Physics, 1997.
Structural Characterization of Photoluminescent Porous Silicon With FTIR Spectroscopy. Brazilian Journal of Physics, 1997.
Enhancement of the Raman Phonon Spectra of Porous Silicon Films by H+ Ion Implantation. Vibrational Spectroscopy, 2004.
Optical image of PS multilayer in the wall region.
Raman spectra in the sub-regions of wall region
Multicamadas Espectro Raman
Polarization Effects on The Raman And Photoluminescence Spectra of Porous Silicon Layers. Journal of Raman Spectroscopy, 1999.
Changes in the Porous Silicon Structure Induced By Laser Radiation. Journal of Raman Spectroscopy, 2001.
Silicon Plates
Tese: A.- Lammel G. EPFL 2000; B.- Shwaizer S. EPFL 2001
A
B
Micro-Sistemas Integrados
Estrutura Cristalina do Silicio
Diferentes densidades de tomos nos planos cristalogrficos do Si
(111) (100) (110) (111)
X
Y
Z
- Estrutura cristalina cbica Diamante
Corroso: preferencial/anisotropica
Patente Ramirez-Fernandez J. Galup C. 1999
Corroso Isotrpica
Bulk Si
Microestruturas de Corpo
Corroso Anisotrpica
(100)
(
1
1
0
)
(100)
Corpo do Si
(
1
1
1
)
EDP (Ethylene diamine, pyrocatechol) [NH
2
(CH
2
)
2
NH
2
, C
6
H
4
(OH)
2
]
KOH (Hidroxido de Potsio),
TMAH (Tetra-methyl Ammonium Hydroxide: (CH
3
)
4
NOH)
Monocrystaline 2 m-wide vertical wall made on Si. Amplification of the corner area.
Microestruturas
X
Y
Z
(111) (100) (110) (111)
Tese Peres H. EPUSP 2003
Etch: NH
4
F + HNO
3
+ gua
Mask: photoresist
Profile smooth
Soluo: KOH (7M), a 75
o
C
Mscara de SiO
2
, com alinhamento a 45
o
Etch: lateral / vertical = 1.28
Vertical wall
Matriz Neuroeletrnica
Microestructuras
Caractersticas:
Profundidade: 10 a 250 m.
Comprimento: 100 a 500 m.
Seo: em V; trapezoidal; suave.
Eletrodos: material, tamanho.
Passivao: SiO
2
, polyimida.
diode
resistor
Depth: 36 m
Verso:
1. Eletrodos com control de temperatura
2. Diferentes sees transversais
3. Vrios eletrodos:
4. Matriz de 100 eletrodos
5. Polyimida, silicio, SU-8.
MEA em placa de circuito impresso
Prottipos MEA
Algorithms for Pattern Recognition in Images of Cell Cultures. Proceeding of SPIE, 2000.
Identification of Neuritic Branching in Dissociated Cell Cultures. Mathematics and Computers in Science and Engineering, 2001.
Probing Neuronal Excitability in Culture with Multielectrode Arrays. Mathematics and Computers in Science and Engineering, 2001.
Pt black
PANI
50m
50m
contatos: PANI+Pt preta or Pt preta sobre ouro.
( )
( )
Z
K s
=

2
2 10
14 1


f
Impedncia x Frequncia
Sendo
s = electrode rea eletrodo [m
2
],
= coef. capacitance versus freq.,
K=coef.capacitance/cm
2
interface eletrodo/eletrolito.
Au in NaCl 0,9%: =0,366 e K=4950.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
NaCl a 0,9%
(n=80)
L-15 modificado
(n=50)
Pt sobre PANI
Pt sobre ouro
0 1000 2000 3000 4000 500
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
100m
2
200m
2
400m
2
I
m
p
e
d

n
c
i
a

[
k
]
Frequncia [Hz]
I
m
p
e
d

n
c
i
a

[
k

]
Frequncia [Hz]
Cultura de Neurnios na
Matriz Planar
Dissociao das clulas em cultura.
eletrodes com clulas.
Integrated Sensors and Microsystems for Biological and Environmental Applications. Physica Status Solidi C, 2004.
Aquisio e estmulo
0 . 0 0 . 5 1 . 0 1 . 5 2 . 0 2 . 5 3 . 0 3 . 5 4 . 0
- 6
- 4
- 2
0
2
4
6
E s t m u l o a p l i c a d o :
t r e n s d e 1 0
p u l s o s b i f s i c o s .
T
e
n
s

o

[
m
V
]
T e m p o [ s e g ]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2. 5 3.0 3.5 4. 0
-6
-4
-2
0
2
4
6
Estmulo aplicado:
trens de 10
pulsos bif sicos.
T
e
n
s

o

[
m
V
]
Tempo [seg]
0 . 0 0 . 5 1 . 0 1 . 5 2 . 0 2 . 5 3 . 0 3 . 5 4 . 0 4 . 5 5 . 0 5 . 5 6 . 0
- 6
- 4
- 2
0
2
4
6
b u r s t s
S t i m u l u s a r t i f a c t
E
x
t
r
a
c
e
l
l
u
l
a
r

a
c
q
u
i
r
e
d

s
i
g
n
a
l

[
m
V
]
T i m e [ s e c ]
Deteco e identificao de potenciais
Tese Peixoto N. EPUSP 2001
H
+
I.I. Silicio Poroso
Remoo do Si Poroso
Processo HI-PS
MEMS
Dissertao Peres H EPUSP 1996
Tese Peres H. EPUSP 2003
Porous Silicon Patterned By Hidrogen Ion Implantation. Sensors And Actuators B - Chemical, 2001.
Silicon cantilevers Silicon cantilevers
MEMS
Pontes e
Pontes e
Membranas
Membranas
Coluna cromatogrfica
Nariz Eletrnico Integrado
Frente Gradiente
Verso
8 nm
2 nm
300
O
C
350
O
C
Sensores de Gs a SnO
2
Dissertao Stolf R. EPUSP 2001 - Dissertao Oliveira R. EPUSP 2002 - Dissertao Mendes W. EPUSP 2003
Ramirez-Fernandez F.J., et al. Gas Sensor Pattern Recognition using MEM in Noise Analyzes. The 11
th
International Symposium on
Olfaction and Eletronic Nose. 2005.
Ramirez-Fernandez F.J, et al. Committee Machine for the Calorific Power Classification of GLP Gas, The 11
th
International Symposium
on Olfaction and Eletronic Nose. 2005.

C
ar
G
gas
G + ++ + = == =
SnO
2
dopado com 1% mol de Ni
Sensores de Gs com SnO
2
Espectro FTIR de SnO
2
-Ni
1380 1375 1370 1365 1360
2,22
2,23
2,24
2,25
2,26
2,27
2,28
2,29
2,30
2,31
2,32
Sp. IR Time Exposition Relative Area
(a) After of adsortion of SO
2
x 10 min. 1.0264
(b) After of desortion with ar x 2 min. 0.4293
(c) " " " " " x 3 min. 0.4185
(d) " " " " " x 4 min. 0.2876
(e) " " " " " x 8 min. 0.003
(f) " " " " " x 10 min. 0.001
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
(a)
A
B
S
O
R
B
A
N
C
E
(cm
-1
)
Filmes Nanomtricos dopados com Ni
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
0,75
0,80
0,85
0,90
0,95
1,00
slope:
(R/R
0
)/conc = 0.0058 ppm
-1
-

R
/
R
o
SO
2
Concentration (ppm)
Resposta do Sensor de SnO
2
ao SO
2
Tin Oxide Nanometric Films Doped With Nickel For Sulphur Dioxide Environment Monitoring. Physica Status Solidi C, 2004.
MEMS : Pedestais de Si
Silicon Micromechanical Structures Fabricated By Electrochemical Process. IEEE Sensors Journal, 2003
Nano-Agulhas de Silicio
Aplicaes:
. AFM sensor . AFM sensor tips tips
. . Probes or electrodes Probes or electrodes for extracelular for extracelular stimulation stimulation
. . Field emitter Field emitter
HI- PS Technique For MEMS Fabrication.Sensors and Actuators A - Physical, 2004.
Perspectiva Histrica
1959 Richard Feynman profere a famosa palestra "There's Plenty of Roomat the Bottom
1968 Y. Cho and J. Arthur - Laboratrios Bell desenvolvem uma tcnica que deposita camadas atmicas
em uma superfcie: a epitaxia molecular
1974 N. Taniguchi cria a palavra "nanotecnologia
1981 G. Binnig e H. Rohrer criam o Scanning Tunneling Microscope", e recebem o Prmio Nobel de
Fsica em 1986.
Nanotecnologia - Nanomateriais
Nanotecnologia
Engenharias
Qumica
Medicina
Biologia
Fisca
Informtica
ImagemSEM da estrutura 3D de poliestireno obtida
sobre substrato SiO
2
on a 65
o
C e 0.86wt%.
Estrutura 3D de poliestireno
Sistemas Auto-Organizados
Polystyrene
spheres
deposited
Oven
becker
Polystyrene
spheres
monodispersion
Glass
substrate
Polystyrene
spheres
deposited
Oven
becker
Polystyrene
spheres
monodispersion
Glass
substrate
Formao de Monocamadas:
Temperatura setup: 50
o
C
Concentrao da disperso: 0.22 wt%
Figure 7. SEM images of (a) Monolayer structure of polystyrene micro-spheres
obtained with a 0.22wt% monodispersion at 50
o
C, and (b) Metallic mask obtained by
the structure (a) after the total removal of spheres. Images (a) and (b) were 10,000
times magnified.
Monocamada organizada
(a)
(b)
Ramirez Fernandez, F. J. et al. Self-Assembled Polystyrene Micro-Spheres Applied for Photonic Crystals and Templates Fabrication.
No prelo em Journal of Integrated Circuits and Systems - 2005.
Sistema Auto-organizado
Ramirez Fernandez, F. J. et al. Self-Assembled Systems Obtained By Chemical and Electrochemical Techniques
for Photonic Crystal Fabrication.; No prelo Microelectronics Journal 2005
400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
0
20
40
60
80
100


Vidro - ref
V50
V60
V70
V80
V90
T
r
a
n
s
m
i
t

n
c
i
a

(
%
)
Comprimento de Onda (nm)
Espectro de Transmitncia ptica
Esferas de poliestireno sobre substrato de silcio
Sistemas Auto-organizados
Eletroqumicamente controlados
xido de Alumnio
Silcio amorfo
Concluso
Nano Pontes de Si
C .- Nanotechnology 15 No 5 (May 2004) L5-L8
Concluso
Sistema no Chip
Sistema no Chip
Fotodetector Multi-sensitivo
Ward-Syrzycki
Non-overlapping receptive fields. Fotodetector Multi-sensitivo Ward-Syrzycki
Retina de Silcio
Arquitetura de Mahowald.
Filtro Gaussian Kobayashi -
Rede resistiva