UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRICA Y ELECTRNICA

SEGUNDO INFORME PREVIO Caracteristica Exponencial

INTEGRANTES:
DOCENTE:

Vargas Daz Luis Elmer

20030058-A

ING. Utrilla

FECHA: SECCION:

17/05/2011 EE443M HORA 2-5 pm

2011-I

OBJETIVO: Adquirir conocimiento sobre los circuitos con caracterstica exponencial, diseando de manera ptima la fuente de corriente, la eleccin de dispositivos complementarios. Afianzar nuestros conocimientos de las bobinas FI, esta vez en alta frecuencia. PROCEDIMIENTO: 1. Disear la fuente de corriente (IDC = 0.5mA) as como tambin la polarizacin de base del circuito mostrado en la Fig1.
V C C

R R

T X 1

1 R 1 5 k

3 1 n

0
M R F 5 0 1 C A

C 1

2 0 u

R R

2 I 1

I D

( 0

. 5

Fig. 1 La fuente de corriente sera:

I D C
R p

2 R c

2 2

3 Q 2 2 N 2 1

2 2

Se observa que la fuente IDC, crea un espejo de corriente I= IDC =0.5mA, esto como condicin de problema. Para nuestro diseo usaremos fuentes de VEE= - 6V y VCC= 6V. De la figura podemos calcular:
V EE Vbe Rc + Rp

I DC =

Rc + Rp =
T and om o

( 6 0.6 )V
0.5mA

Rc + Rp =10 .8 K

R = 5 K p

(Resistencia del potencimetro)

E ntonces : R =5.8 K c

(Resistencia en serie) Usando transistores con =hfe=100, ayudndonos del DataSheet se puede sacar la corriente IB=5A, para diseo se toma 10 veces la corriente IBASE multiplicado por el hfe, esto dara una corriente igual a 0.5mA (esta es la corriente que pasa por R1 y R2)
VCC = I * 0.2 + VCE 1 + VCE 2 V EE VCC + V EE I * 0.2 = VCE 1 + VCE 2 VCE 1 +VCE 2 = 11 .8V

5.8 = 11 .6 K 0.5mA R1 + R 2 = 11 .6 K R1 + R 2 =
V BE 1 + VCB 2 I * ( R1 + R 2 ) = 0 VCB 2 = I * ( R1 + R 2 ) V BE 1 Finalmente : VCE 1 = 6V VCE 2 = 5.8V VCB 2 + V BE 2 = 5.8V VCB 2 = 5.2V

Con estos datos procedemos a hallar R1 y R2.

Elija un valor adecuado para CA sabiendo que la frecuencia mnima de trabajo es de 300Hz.

Haciendo el anlisis en pequea seal, el grfico se muestra para esta etapa.

Z = jXa + hib = hib

Se observa, para alterna la impedancia Z debe ser solamente reactiva.

Para:
Xa < hib <

Para base comn:

hib = 21 .6

Entonces:
1 < 21 .6 < w * Ca Ca >> 24 .5uF
1 << 21 .6 2 * * f * Ca

Ca >>

1 = 24 .5uF 2 * * 300 * 21 .6

2. Determine una expresin general para VA, VB y Vo en resonancia, asumiendo los datos de la bobina y QT alto. (Los datos del transistor son conocidos). Para determinar las expresiones de cada uno de estos puntos en razn a la seal de entrada se presenta el circuito siguiente.

DATOS:
R = 200 RL =1K R p = QT *W0 * L

Definiendo las variables:

Rt = hob // R L ( n 2 / n1) // Rp
2

X C = 1 / wC /( n 2) 2 = (n 2) 2 / wC Z L = R + X L = R + wL

Tenemos:
1 / Z = 1 / Rt + wC /( n 2) 2 + 1 /( R + wL ) Z =

( R + wL ) R * ( n 2) + wL * ( n 2) + Rt * ( w 2 * LC + wRC ) + Rt ( n 2) 2
2 2 2

[ Rt * (n2)

Del circuito se calcula: Va = Z * h fb * Ie (1)

Vi (t ) hrb * Vc = (hib + jXc ) * Ie Ie =

[Vi (t ) hrb * Vc ] (2)

hib

La ecuacin (2) en (1):

Va = Z * (h fb / hib ) * [Vi (t ) hrb * Vc ] Donde : Va = Vc Va + Z * (h fb / hib ) * [ hrb * Va ] = Z * (h fb / hib ) * Vi (t ) Entonces

(3) De las ecuaciones (2) y (3):

[ ] Vb = R * [h fb / hib ] * [Vi (t ) hrb * [ Z * h fb /( hie + Z * h fb * hrb )]] * Vi (t ) Vb = R * [h fb / hib ] * Vi (t )[1 hrb * Z * h fb /( hib + Z * h fb * hrb )]
Vb = R * h fb / hib * [Vi hrb * Vc ] Tenemos : Va = Vo * (n 2 / n1) Vo = (n1 / n 2) Z * h fb * Vi (t ) /( hie + Z * h fb * hrb )

3. Calcular Gm(x) para valores de la tabla N2. SQ. Vt = 25 mV . Tambin debemos considerar que el lmite aproximado para que una seal sea considerada como pequea seal es 25mV, esto por los clculos. Y pasado este valor de seal de entrada se considera gran seal, para el clculo slo se toma valores que estn en tabla dependiendo del valor de la x, calculada. Esos datos son factores que tenemos que multiplicar en el procedimiento. Se consideran los valores: Vi = 50, 70, 100, 200, 300 y 350mV
Para : V 1 = 50 mV I V 1 50 0.5mA = = 2 g m = DC = = 0.02 1 Vt 25 Vt 25 mV Grfico : x= G m ( 2 ) / g m = 0.698 G m ( 8) = 0.698 * 0.02 = 0.01936 1 G m ( 8) = 19 .36 m1

Para : V 1 = 100 mV V 1 100 x= = =4 Vt 25

Gm ( 4 ) = 8.6m1

gm =

Gm ( 4 ) / g m = 0.43 Gm ( 4 ) = 0.43 * 0.02 = 0.0086 1

I DC 0.5mA = = 0.021 Luego: Vt 25mV

Para : V 1 = 200 mV I V 1 200 0.5mA = = 8 g m = DC = = 0.02 1 Vt 25 Vt 25 mV Grfico : x= G m ( 8) / g m = 0.23 G m ( 8) = 0.23 * 0.02 = 0.0046 1 G m ( 8) = 4.6m1 Para : V 1 = 300 mV I V 1 300 0.5mA = = 12 g m = DC = = 0.02 1 Vt 25 Vt 25 mV Grfico x= Gm (12 ) / g m = 0.18 Gm (12 ) = 0.18 * 0.02 = 0.0036 1 Gm (12 ) = 3.6m1 Para : V 1 = 350 mV I V 1 350 0.5mA = = 14 g m = DC = = 0.02 1 Vt 25 Vt 25 mV Grfico : x= Gm (14 ) / g m = 0.16 Gm (14 ) = 0.16 * 0.02 = 0.0032 1 Gm (14 ) = 3.2m1

4. Para De la pregunta: Tenemos que:

x=

encuentre una expresin general para V0(t)

G (10 .4 ) 260 mV = 10 .4 m = 0.2 25 mV gm

G m (10 .4 ) = 0.19 * 0.02 = 0.0038 1 G m (10 .4 ) = 3.8m1

o Para hallar V :
Vo ( x) = Vcc + Gm * ( Rp + 200 ) * [ 260 * cos ( wo / ) t ] 1 M1