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Apparato per la misura delleffetto Hall in un semiconduttore drogato P a varie temperature

Introduzione L'effetto Hall importante nello studio delle caratteristche dei materiali perch permette di misurare direttamente la concentrazione dei portatori di carica liberi ed il segno della loro carica sia nei metalli che nei semiconduttori. E altres tecnologicamente importante perch sta alla base del funzionamento dei moderni sensori per misure di campo magnetico. Leffetto Hall essenzialmente una manifestazione della forza di Lorentz F che agisce su ogni carica elettrica q che si muova con velocit v in un campo magnetico B. ! ! ! F = qv ! B

Consideriamo un tratto di conduttore di forma parallelepipeda (figura 1) immerso in un campo magnetico B uniforme diretto secondo lasse z, percorso da una corrente elettrica di intensit Ix secondo x. Nei metalli la corrente elettrica trasportata solo da elettroni. Nei semiconduttori invece i portatori di carica elettrica possono essere sia elettroni che lacune. In un semiconduttore puro la densit di elettroni n e di lacune p la stessa, nei semiconduttori drogati invece si ha n>>p (in materiale di tipo N) oppure p>>n (in materiale di tipo P). Nel caso di metalli o semiconduttori drogati quindi importante solo un tipo di portatori di carica (per elettroni q=-e , e per lacune q=+e).

Figura 1: Geometria delleffetto Hall: la forza di Lorentz FL sulle cariche in moto (sia di segno positivo che negativo) si sviluppa nella direzione indicata

Gli elettroni acquistano una velocit di deriva vd = Ex sotto leffetto del campo elettrico Ex (e nel verso contrario ad esso). La forza di Lorentz FL = q vd B, agisce sugli elettroni nel verso delle y negative e quindi essi tendono ad accumularsi sulla faccia del campione perpendicolare allasse y e posta verso chi guarda la figura 1. Questo accumulo di cariche porta alla formazione di una differenza di potenziale VH fra le due facce del campione perpendicolari allasse y, e quindi di un campo elettrico EH (campo di Hall) tale che la forza elettrica qEH sia uguale ed opposta alla forza di Lorentz: EH = vd B. Conviene perci definire il coefficiente di Hall come RH = EH/(JxB). Ricordando che Jx = -envd (oppure Jx = +epvd)si ha : RH = vdB/(Jx B) = -1/(en) [oppure = +1/(ep)] a seconda che si tratti di lacune o di elettroni.

[1]

In conclusione la misura di RH ci d direttamente la concentrazione n dei portatori liberi ! ! ! ed il loro segno (se si in grado di stabilire la direzione dei vettori B, J, E H . Nel ricavare la formula (1) si assunto che le velocit di tutti i portatori siano identiche. Se si tiene conto che in realt c una distribuzione statistica delle velocit e dei tempi medi di collisione si arriva ad una espressione che differisce dalla (1) per un fattore numerico r che pu assumere valori da 3/8 1.18 a 2 : RH = r /(n q) Il coefficiente di Hall dei semiconduttori di molti ordini di grandezza maggiore di quello dei metalli, dato il numero molto minore dei portatori di carica liberi. Per questo motivo l'esperimento con i semiconduttori pi facile: richiede correnti di polarizzazione dei campioni solo dell'ordine dei mA e d tensioni di Hall gi dell'ordine dei mV misurabili direttamente senza la necessit di grande amplificazione. Per ottenere RH occorre misurare VH, Ix , B e lo spessore t del campione dato che : RH = EH/(BJx) = (VH/s)/(BIx/ts) = VH t/(B Ix) [2] E importante notare che il verso della forza di Lorentz Lorentz non dipende dal segno del portatore e agisce quindi nello stesso verso sia per portatori negativi che per portatori positivi. L'espressione generale di RH, valida nel caso generale (cfr. Appendice) in cui si abbiano sia elettroni che lacune con concentrazioni rispettivamente n e p e mobilit e e h : p 2 ! n 2 h e [3] RH = r e( p h + n e )2 che si riduce alla [1] non appena p>>n o n>>p. Per un semiconduttore abbastanza drogato H coincide, a meno del fattore numerico r, con la mobilit di deriva dei portatori maggioritari H = R H

r (e p h) = r h pe

Poich aumentando la temperatura si creano molti portatori intrinseci, cio coppie elettrone-lacuna, un campione drogato P, che a temperatura ambiente d un RH positivo, a temperature pi alte d un RH decrescente che pu diventare zero e cambiare di segno, dal momento che il rapporto tra le mobilit b=e /h maggiore di 1 (vale circa 1.5). Ci non avviene con un campione drogato N. Dalle misure di RH e della resistenza in funzione di T si possono ottenere stime di molti parametri. Dai valori di R si passa facilmente alla conducibilit elettrica: = l/(RS), dove l la lunghezza ed S la sezione del campione, ed al coefficiente di Hall Il prodotto RH, noto come mobilit di Hall, coincide col valore h = 0.19 m2V-1s-1 della mobilit di deriva delle lacune a temperatura ambiente moltiplicato per r 1.2.

Dalla relazione [3] si vede che quando RH =0 (punto di inversione, che avviene in zona intrinseca) si ha nb2=p, ove p=Na+N e n=N, indicando con N la densit di coppie in zona intrinseca. La conducibilit al punto di inversione vale o = e(ne+ph ) = e(Ne+[Na+N]h)= e[N(e+h)+ Nah] = eh [N(b+1)+ Na]. Se invece si estrapola la conducibilit dalla regione estrinseca (ove la densit di portatori costante N= Na) si ottiene il valore e = e ph = eNa h. Per estrapolare la conducibilit (o il suo reciproco, resistivit ) si pu assumere una legge di potenza per la mobilit del tipo (T)= cost T, con esponente negativo, da determinarsi sperimentalmente. Il valore della conducibilit e estrapolato dalla zona estrinseca, una volta stimata h, fornisce una stima di Na = e/eh . Inoltre si ha Na/N= b2-1. Con qualche rielaborazione si ottiene per il rapporto o/e=e/o = b/(b-1) , relazione che consente di ricavare dai dati sperimentali il valore di b=Re/(Re-Ro). Dal valore di b si ottiene poi una stima della densit N di portatori intrinseci al punto di inversione (zona intrinseca) N = Na /(b2-1). Campioni e disposizione dei contatti Conviene operare con campioni di Ge (in forma di lamina parallelepipeda) perch sul Ge si possono saldare a stagno i contatti necessari. Il campione di semiconduttore posto entro una scatola di rame (cella di misura = ambiente isotermo) che pu essere inserita fra le espansioni polari di un magnete. Sul campione sono saldati 7 fili nella configurazione mostrata in figura 2. I contatti 1 e 2 (le cui tensioni sono misurabili alle boccole indicate con TP1 e TP2) servono per misurare la d.d.p. V=RI ai capi del campione (tecnica di misura a quattro fili) in modo da poter ottenere la resistenza elettrica R. ( necessario usare un amplificatore con ingresso differenziale la cui uscita riferita a massa e pu quindi essere letta da qualsiasi interfaccia).

Figura 2: Schema a blocchi

I contatti 3 e 4 (TP3 e TP4) servono a far passare la corrente prodotta dal circuito generatore di corrente costante descritto in figura 3.

Figura 3: Schema del generatore di corrente costante e degli amplificatori differenziali

Il contatto 7 (TP5) il punto di riferimento per la misura della d.d.p. di Hall ed i punti 5 e 6 sul lato opposto vanno ad un potenziometro P il cui cursore centrale (TP6) viene usato per ottenere il bilanciamento della d.d.p. di Hall in assenza di campo magnetico. Per minimizzare gli offset degli amplificatori OP07 si cortocircuitano gli ingressi e si minimizzano le tensioni in uscita (VR VH) mediante i trimmer R28 e R38. Quindi, posto

il campione lontano dal campo magnetico, si minimizza luscita del canale VH aggiustando il potenziometro Balance (Figura 3). Inserendo il campione nel campo magnetico si pu valutare (ed eventualmente cambiare) il valore del guadagno di entrambi i canali di amplificazione, confrontando la tensione VH con la d.d.p. tra TP5 e TP6.

Figura 4: Frontale della scatola di controllo

Il guadagno dei due canali (VR e VH) pu essere variato agendo sia sulla resistenza che controlla il guadagno del differenziale (INA114: G=1+50k/RG) e che pu essere dimezzata mediante i commutatori (jumpers) J1 e J3, sia agendo sui potenziometri R22 e R32, che controllano il guadagno del secondo stadio non invertente (OP07). Il guadagno complessivo di ciascun canale pu variare tra 4 e 135. Laccesso ai vari potenziometri consentito da fori nella lastra in plexiglass sul coperchio della scatola di controllo (figura 5).

Figura 5: La scheda del circuito di controllo: laccesso ai potenziometri consentito da fori nella protezione in plexiglass

La corrente misurabile come caduta di tensione ai capi della resistenza Ri da 100 ohm: Vi = I Ri. Questa la tensione ad una estremit del campione, misurabile al test point TP3. Laltra estremit si porta alla tensione Vo = -I Rx= -(Rx/Ri)Vi (misurabile al test point TP4): essa deve restare (in modulo) minore della tensione di alimentazione (15V), altrimenti loperazionale AD841 satura e smette di regolare la corrente.

Il valore ottimale della corrente di polarizzazione un compromesso tra la necessit di generare segnali (VR e VH sono proporzionali a I) non troppo piccoli, e quella di non eccedere nella dissipazione sul campione per effetto Joule (proporzionale a I2). La necessit di usare una configurazione a 4 contatti per una corretta misura della resistenza del campione pu essere evidenziata misurando la caduta di potenziale tra i contatti 3 e 4 (TP3 e TP4) (come si farebbe con un normale ohmetro che opera con soli due contatti) e tra i contatti 1 e 2 (TP1 e TP2) (come si fa in questo apparato): si noter che il secondo valore notevolmente inferiore al primo (nel quale la caduta di tensione attraverso i contatti non trascurabile, dato che i contatti 3 e 4 sono percorsi dalla corrente di polarizzazione).Dato che la differenza di potenziale tra i contatti 1 e 2 misurata da un voltmetro ad alta impedenza (INA114) , la corrente attraverso i contatti trascurabile e di conseguenza anche la caduta di tensione attraverso di essi).

Misure di VH e di resistenza In presenza di campo, ruotando il campione di 180 gradi (che equivale a invertire la direzione di B) si deve trovare per VH un valore uguale in modulo ma di segno opposto. Il valore del campo magnetico prodotto da due magneti permanenti montati su supporto a C pu essere variato cambiando la lunghezza del traferro (uno dei dischi magnetizzati su supporto scorrevole), e misurato mediante gaussmetro in funzione della lunghezza del traferro (figura 6).

Figura 6: Il dispositivo a vite per variare la lunghezza del traferro

In mancanza di un gaussmetro si pu usare la curva di calibrazione data in figura 6, insieme al polinomio interpolante. Si pu verificare che la tensione di Hall VH proporzionale a I e a B (figura 4), e calcolare il coefficiente di Hall RH = VH t/ (I B) (t lo spessore del campione) e da questo la concentrazione dei portatori liberi.

Utilizzando linterfaccia LabPro con software LoggerPro, si possono registrare coppie di valori in modalit semi-automatica (Events with entry Mode): fissata la corrente I nel campione, si pu variare la distanza tra i magneti agendo sulla vite (e si legge il valore di B con il gaussmetro) linterfaccia acquisisce il valore di VH e chiede di digitare il valore letto di B. Invece a valore fisso di B si pu acquisire normalmente in funzione del tempo la coppia di valori I e VH, mentre si agisce sul potenziometro R29 (prelevando con una sonda la tensione Vi alla boccola TP3 e registrandone il valore diviso per 100 su una colonna calcolata e con una seconda sonda la tensione VH e registrandone il valore diviso per il guadagno in una seconda colonna calcolata) . Piccole deviazioni dalla linearit che si possono osservare per i valori pi elevati della corrente di polarizzazione possono essere dovute all'autoriscaldamento del campione ed al fatto che RH diminuisce rapidamente al crescere della temperatura. Deviazioni dalla linearit a valori di campo magnetico elevato sono invece spiegabili derivando una approssimazione al secondo ordine di RH (Appendice 1) .

Figura 7: Tensione di Hall in funzione di I (B=4.5 kGauss), e di B (I=3 mA).

L'acquisizione dati, a corrente e campo magnetico costanti, al variare della temperatura pu essere fatta usando un canale per leggere la d.d.p. ai capi del campione, un secondo per leggere la d.d.p. di Hall ed il terzo per leggere la tensione della termocoppia, La temperatura della cella di misura deve essere variata lentamente nel tempo in modo da poter registrare i valori di VH e di V=RI in condizioni di quasi equilibrio. Inizialmente la si raffredda immergendo in un dewar di azoto liquido il gambo di alluminio avvitato sotto la cella di misura. Raggiunta la temperatura di circa -120 oC si toglie l'azoto liquido residuo e si eseguono misure campionate mentre la temperatura cresce. Quando la temperatura del campione si avvicina alla temperatura ambiente si comincia a scaldare facendo passare corrente nella resistenza elettrica avvolta attorno alla base in alluminio della cella di misura.

La corrente di riscaldamento va fatta crescere lentamente, fino ad un massimo di circa 200 gradi centigradi, mediante il circuito di controllo (figura 8). Tutta lescursione termica richiede un tempo dell'ordine di unora. E opportuno iniziare a scaldare ad erogando una piccola corrente al riscaldatore (potenziometro di controllo ruotato tutto in senso antiorario), per evitare che laccensione del riscaldatore possa disturbare lamplificatore contenuto nel sensore a termocoppia: un LED rosso, posto sulla scatola fissata al giogo che porta i magneti, in tal caso si accende, e si deve spegnere il riscaldatore e riaccenderlo con piccola corrente. Il LED si accende anche in caso si interrompa la giunzione di termocoppia.

Figura 8: Regolatore di corrente del riscaldatore

La temperatura si misura mediante una termocoppia Fe-Costantana (tipo J, standard americano) amplificata mediante l'integrato AD594. Questo un amplificatore dotato anche di circuito di compensazione delle variazioni di temperatura ambiente (in sostituzione della giunzione fredda in ghiaccio fondente) che d in uscita una tensione all'incirca proporzionale alla temperatura centigrada con costante di proporzionalit di 10 mV/oC La curva di risposta di AD594 presentata in figura 9 insieme al polinomio di 5 grado che meglio la interpola.

Figura 9: taratura AD594 con polinomio del V ordine

Risultati tipici Il campione utilizzato ha uno spessore t= 0.5 mm , larghezza w= 10mm e lunghezza l= 15mm. Un esempio dell'andamento della d.d.p. di Hall e della resistenza, in un campione polarizzato con corrente di 3 mA ed immerso in un campo di 0.42T, riportato in figura 10. (La resistenza calcolata tenendo conto che il guadagno del canale VR stato settato al valore Gr=20).

Figura 10: VH e R in funzione della temperatura

In figura 11 riportato landamento del parametro RH in funzione di T, ricavato dai dati di figura 10.

Figura 11: RH in funzione della temperatura

Il logaritmo della resistenza in funzione di 1/2kT (ove k=8.617x10-5 eV/K la costante di Boltzmann) riportato in figura 12. Dalla pendenza di questo grafico nella zona intrinseca si ricava il valore dell'ampiezza della banda proibita (energy gap) estrapolato linearmente a T=0 K, da confrontare con il valore noto per il Ge (Ego = 0.78 eV, cfr. Appendice 2).

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Figura 12: log(R) vs. 1/2kT

Appendice 1: RH nel caso di cristalli poco drogati e campi magnetici elevati Lequazione del moto dei portatori di carica (F=ma) si pu scrivere:
" dv v % ! ! m$ + ' = qE + qv ( B # dt ! &

ove la carica q vale e per lacune o elettroni e si tiene conto del tempo medio tra due collisioni () e della forza di Lorentz. In condizioni stazionarie laccelerazione nulla e di conseguenza per le componenti di velocit lungo lasse x (direzione della corrente Ix e campo di spazzolamento Ex) si ha rispettivamente per elettroni e lacune (B diretto lungo lasse z): e" e" ! ! v e x = ! Ex ! v # B = ! e Ex ! ev e yB m m v hx = h Ex + hv h x B componenti lungo lasse y si hanno analoghe relazioni:

(A1)

dove =e/m la mobilit (con indice e per elettroni e h per lacune), e per le

ve y = ! e Ey ! eve x B vh y = h E y + h vh x B

(A2)

La densit di corrente lungo x (Jx = e vhxp evexn ) pu quindi essere scritta:

! e( p h + n e )E x + e p 2 " n 2 BE y h e

J x ! e( p h + n e ) Ex + e p hv hy " n e vey B !

(A3)

dove abbiamo approssimato le velocit nella direzione y solo come vy yEy , trascurando qui cio la componente dovuta alla forza di Lorentz. Tenendo conto che Ey<<Ex, per piccoli valori del campo magnetico B la (A3) approssimabile come:
J x ! e( p h + n e ) E x

(A4)

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In condizioni di densit di corrente trascurabile lungo y (impedenza elevata dello strumento che legge la tensione di Hall Vy) vale la relazione : J y = epvh y ! enve y = 0 che, introducendo le definizioni delle velocit vhx e vex , diventa: J y = ep h E y + h vh x B ! en(! e Ey ! ev e x B) = 0

e( ph + ne )E y + e p h vh x + n ev ex B = 0

Qui, esplicitando Ey si ottiene:


Ey = B

( p v

( p h + n e )

h hx

+ n ev e x

(A5)

Questa relazione si semplifica, nellipotesi che si possano ancora approssimare le velocit solo come vx xEx (cio trascurando la correzione di Lorentz per piccoli valori del campo magnetico B) in:
Ey

( p !B

( p h + n e )

2 h

" n 2 ) e

Ex

(A6)

e il coefficiente di Hall RH risulta allora essere: Ey p 2 ! n 2 h e RH = ! " J x Bz e ( p h + n e ) 2

(A7)

Lespressione (A7) vale solo per piccoli valori di B. Altrimenti si deve tener conto di termini del secondo ordine, ad esempio introducendo la dipendenza da B della densit di corrente lungo x, utilizzando nella (A7) la definizione (A3) per Jx invece che la (A4). In tal caso il coefficiente di Hall, diventa dipendente dal valore di B , e tende a saturare a valori elevati :
2& # # 2 2 & p2 " n2 ( E y % ph " ne % h e ( RH (B) = ! B E / Be %( p h + ne ) + B 2 (E = BJ x % ( p h + n e ) x ( ( ph + ne ) ( x % % ( $ ' $ '

( p
2

2 h

" n2 e

e ( p h + n e )

2& # p 2 " n2 ( % h e 2 %1+ B 2( % ( p h + n e ) ( $ '

RH (B = 0) 1 + kB 2

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Appendice 2: Andamento di Eg con la temperatura Lampiezza della banda proibita dipende dalla temperatura, e per il germanio i dati sperimentali in letteratura sono bene interpolati dalla seguente funzione: Eg (T)= 0.742- 4.810-4T2/(T+235) (eV) Questa funzione pu essere approssimata, nella regione di alte temperature, da una relazione lineare del tipo Eg (T)= A+BT, ove la costante A il valore di Eg estrapolato 0 linearmente a T=0: Eg = A = 0.78 eV

Dato che nella zona intrinseca (alte temperature) in un semiconduttore drogato la resistenza dipende dalla temperatura come exp{+Eg/(2kT)}, il grafico di ln(R) vs. 1/2kT 0 una retta di pendenza Eg Cenni storici Edwin Herbert Hall scopr quello che poi venne chiamato effetto Hall nel 1879 mentre lavorava alla sua tesi di dottorato in fisica. Il dottor Hall cercava di capire se la resistenza elettrica di una bobina fosse influenzata dalla presenza di un magnete. Dopo mille tentativi e fallimenti alla fine scopr che il campo magnetico modifica le linee equipotenziali in un conduttore che trasporta corrente. Questo effetto corrisponde alla tensione (VH) perpendicolare alla direzione della corrente elettrica nel conduttore. I sensori di campo magnetico ad effetto Hall Leffetto Hall rimase una curiosit di laboratorio fino a met del secolo scorso, dato il piccolo valore di RH per i materiali fino ad allora conosciuti. Con lavvento della 13

tecnologia dei semiconduttori (in particolare dei composti III-V) divenne facile misurare tensioni di Hall con valori molti ordini di grandezza superiori rispetto ai valori ottenibili con i metalli, e comparvero cos i primi sensori magnetici ad effetto Hall. I materiali pi usati a questo scopo sono stati antimoniuro di indio (InSb), arseniuro di indio (InAs) e arseniuro di gallio (GaAs). I sensori GaAs hanno grande sensibilit ma anche elevato rumore. I sensori InSb hanno grande sensibilit, basso rumore ma coefficiente termico dellordine 1%/C. I sensori InAs hanno sensibilit inferiore ma piccolo coefficiente termico e basso rumore. Per questo motivo la maggior parte dei moderni sensori Hall sono fatti di InAs. Precauzioni Luso di campi magnetici elevati, come quelli prodotti dai potenti magneti permanenti in dotazione richiede qualche precauzione. Si deve evitare di avvicinare troppo ai magneti qualsiasi oggetto magnetizzabile (orologi, cellulari, cacciaviti), pena la magnetizzazione permanente delloggetto in questione. Evitare di svitare completamente la ghiera di regolazione del traferro: quando i due magneti permanenti vengono a contatto risulta difficile staccarli, data la grande forza con cui essi si attraggono. Riferimenti bibliografici C.L.Chin e C.R.Westgate, The Hall Effect and Its Applications, Plenum Press, NY, 1979 http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Ge/reference.html A. C Melissinos , J. Napolitano, Experiments in Modern Physics, Academic Press, 2003

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