Lezione 16

7/11/2022

Argomenti
• condensatore piano riempito di dielettrico.
• Condizioni di continuità sull’interfaccia fra due dielettrici.
• Energia elettrostatica in presenza di un dielettrico.
• Caso del condensatore piano riempito con due dielettrici ad interfacce parallele
alle armature e sua rigidità dielettrica.
• Caso del condensatore piano parzialmente parzialmente riempito di dielettrico.
• Caso della sfera conduttrice carica circondata da guscio sferico dielettrico.
• Calcolo del campo elettrico di un cilindro uniformemente polarizzato.

Figura 16.1. Condensatore piano completamente riempito di dielettrico.

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 91

Condensatore piano riempito di un dielettrico perfetto omogeneo

Consideriamo il sistema rappresentato in Fig. 16.1 e indichiamo con r la costante

dielettrica relativa del dielettrico che riempie completamente lo spazio fra le due
armature.
Poiché ∆V = ∆V0 /r , a parità di carica Q sulle armature, ritroviamo subito che

Q r Q
C= = = r C0 .
∆V ∆V0

Alternativamente, dal teorema di Coulomb D ~ = −σ k̂ (le linee di campo vanno

dall’armatura superiore a quelle inferiore), da cui segue che

~
~ = D = − σ k̂
E
 
e che
~ = − r − 1 σ k̂ .
P~ = 0 (r − 1)E
r
Pertanto
ρP = −∇ · P~ = 0 ,
sulla superficie inferiore del dielettrico
r − 1 r − 1
σP = P~ · n̂2 = − σ k̂ · n̂2 = σ
r r

e su quella superiore si ha una densità di carica di segno opposto (k̂ · n̂1 = −1).
Sull’interfaccia dielettrico-armatura si ha quindi la carica totale
σ
± (σ − σP ) = ± .
r
Ne segue che la “carica equivalente” su un’armatura è Q/r e che il condensatore
equivalente (senza il dielettrico fra le armature e posto alla differenza di potenziale
∆V ) ha proprio capacità C0 .

Condizioni di continuità sull’interfaccia fra due dielettrici

Nel caso in cui il dielettrico non occupi tutto lo spazio permeato dal campo elettrico, si
avranno delle interfacce fra dielettrici diversi (ed eventualmente il vuoto). Se i dielettrici
sono perfetti ed isotropi, all’interno di ciascuno di essi continuano a valere le Eq. (15.8).
Tuttavia i campi incontrano delle discontinuità sulle superfici di separazione e le lore derivate
non sono definite. Sulle interfacce, non possiamo scrivere le equazioni di Maxwell in forma
differenziale, ma è possibile dimostrare che valgono le formulazioni integrali (relative al
flusso del vettore spostamento e alla circuitazione del campo elettrico). Per risolvere il
problema generale dell’elettrostatica, occorre dunque specificare le condizioni di raccordo
per il campo elettrico e/o per il vettore spostamento, mentre lontano dalle interfacce continua
a valere e ad essere utilizzabile l’equazione di Poisson.
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Figura 16.2. Sinistra: superficie per l’applicazione del teorema di Gauss al vettore spostamento
in prossimità dell’interfaccia fra due dielettrici; l’altezza del cilindro è da intendersi molto minore
del raggio di base. Destra: circuitazione del campo elettrico in prossimità dell’interfaccia fra due
dielettrici; i segmenti brevi del cammino di integrazione sono da intendersi di ordine superiore al
resto del cammino.

In assenza di cariche libere localizzate, per una superficie S che racchiuda un tratto di
interfaccia fra due dielettrici,

~ =0
ΦS (D) (16.1a)
~ 6= 0
ΦS (E) (16.1b)

poiché in generale ci attendiamo una densità di carica di polarizzazione superficiale non

nulla. Analogamente, considerando un cammino chiuso che racchiuda un tratto di interfaccia,
in generale
I
~ · d~` = 0
E (16.2a)
I
~ · d~` 6= 0 .
D (16.2b)

Con riferimento al pannello sinistro in Fig. 16.2, si ha che, a meno di ordini superiori a dS,

~ ≈D
0 = ΦS (D) ~ 1 · n̂1 dS + D
~ 2 · n̂2 dS = (D⊥1 − D⊥2 )dS = 0 ∀dS ,

da cui
D⊥1 = D⊥2 , (16.3)
ossia, per dielettrici perfetti isotropi,

r1 E⊥1 = r2 E⊥2 . (16.4)

Con riferimento al pannello destro in Fig. 16.2, invece, a meno di ordini superiori a d~`
I
0= ~ · d~` ≈ E
E ~ 1 · d~` + E ~ = (Ek1 − Ek2 )d` = 0
~ 2 · d` ∀d` ,

da cui
Ek1 = Ek2 , (16.5)
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ossia, per dielettrici perfetti isotropi,

r2 Dk1 = r1 Dk2 . (16.6)

Ponendo tan θ1 = Ek1 /E⊥1 e tan θ2 = Ek2 /E⊥2 per le tangenti che i campi formano
con la direzione normale all’interfaccia, dalle condizioni di continuità in Eq. (16.3) e in
Eq. (16.5), per dielettrici perfetti isotropi si trova

tan θ1 r1
= . (16.7)
tan θ2 r2

Tale relazione prende il nome di legge di rifrazione delle linee di forza del campo
elettrico.

Energia elettrostatica in presenza di un dielettrico

La modifica della capacità di un condensatore in presenza di un dielettrico suggerisce che

vada rivisitata anche l’energia elettrostatica se si è in presenza di un dielettrico. Infatti, a
parità di carica Q, per C > C0 risulterà U = Q2 /(2C) < Q2 /(2C0 ) = U0 .
Consideriamo la definizione generale U = 12 V ρ(~r)V (~r)dτ . Il potenziale V (~r) in-
R

contrato nell’assemblare la distribuzione di carica è determinato anche dalle cariche di

polarizzazione presenti nei dielettrici; tuttavia la distribuzione da assemblare riguarda le
sole cariche libere (quelle di polarizzazione sono già nei dielettrici). Dunque:

1 1 ~ dτ = 1 1
Z Z Z Z
U= ρ(~r)V (~r)dτ = ∇ · DV ~ )dτ −
∇ · (DV ~ · ∇V dτ =
D
2 V 2 V 2 V 2 V
1 1
I Z
= VD ~ · n̂dS + D~ · Edτ
~ .
2 ∂V 2 V

Per una distribuzione di carica localizzata, l’integrale di superficie finale va a zero per il
volume di integrazione che si estende all’infinito [si veda la discussione relativa all’Eq. (8.2)]
e dunque
1
Z
U= ~ · Edτ
D ~ , (16.8)
2 R3

ovvero la densità di energia elettrostatica in presenza di un dielettrico è data da

1~ ~  1 D2
u= D · E = E2 = . (16.9)
2 2 2 
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Condensatore piano riempito con due dielettrici ad interfacce parallele alle armature

Si consideri il condensatore piano con armature di area S alla differenza di potenziale

V . L’intercapedine fra le due armature è completamente riempita da due lastre
di materiali dielettrici (perfetti ed isotropi) di spessori diversi d1 e d2 e costanti
dielettriche relative r1 ed r2 . Si vuole calcolare la capacità del condensatore e le
densità superficiali delle cariche di polarizzazione.
Indicando con Q il valore assoluto della carica sulle armature, si ha che esse presenta-
no la densità di carica superficiale σ = Q/S. Per determinare la capacità C = Q/V ,
occorre trovare l’espressione per V , la quale si può ricavare come integrale del campo
elettrico fra le due armature. Data la simmetria del sistema, E ~ (e D)
~ sono ortogonali
alle armature e alle varie interfacce. Essendoci continuità in D⊥ e sfruttando il
teorema di Coulomb,
~1 = D
D ~2 = D~ = σn̂ = Q n̂ .
S
Dunque per entrambi i materiali (i ∈ {1, 2})

D Q
Ei = = .
i 0 ri S
Queste relazioni permettono di calcolare
Z S+
~ · d~` = E1 d1 + E2 d2 = Q d1 d2
 
V = E + ,
S− 0 S r1 r2

da cui risulta la capacità elettrica

r1 r2
C = 0 S .
d1 r2 + d2 r1
Ne segue che la carica libera totale sulle armature è
r1 r2
Q = CV = 0 SV .
d1 r2 + d2 r1
Infine, sulle interfacce con le armature si ha una densità di carica superficiale di
polarizzazione il cui modulo è data da
ri − 1 Q
σP i = Pi = 0 (ri − 1)Ei = ,
ri S
mentre sull’interfaccia fra i due dielettrici la densità superficiale di carica di
polarizzazione è
r1 − r2 Q r1 − r2
σP = σP 1 − σP 2 = = 0 V .
r1 r2 S d1 r2 + d2 r1
Si noti che se i materiali sono identici, non si ha carica di polarizzazione sull’inter-
faccia fra essi: d’altronde tale composizione è equivalente ad una singola lastra di
dielettrico con spessore d1 + d2 che non può presentare cariche superficiali al proprio
interno.
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Rigidità dielettrica del precedente condensatore piano

Consideriamo nuovamente il condensatore dell’esempio precedente e supponiamo

che i materiali non possano sopportare campi superiori ad ER1 = 107 V/m ed
ER2 = 2 · 107 V/m al proprio interno. Se il campo interno supera il valore di
rigidità elettrica, si realizzano scariche elettriche nel materiale che lo deteriorano
irrimediabilmente. [Un’analogo meccanico è l’allungamento massimo di una molla,
oltre il quale essa viene danneggiata permanentemente.]. Il valore limite del campo
elettrico associato al deterioramento del dielettrico è detto rigidità elettrica.
Per d1 = 5 mm, r1 = 2, d2 = 7 mm ed r2 = 4, determinare il valore massimo di
V tale che il condensatore non venga danneggiato.
Si ha che
Q CV r2 V r1 V
E1 = = = ed E2 = ,
0 r1 S 0 r1 S d1 r2 + d2 r1 d1 r2 + d2 r1
da cui i vincoli

d1 r2 + d2 r1 3.4 · 10−2 · 107

V < VR1 = ER1 = = 85 kV
r2 4
d1 r2 + d2 r1 3.4 · 10−2 · 2 · 107
V < VR2 = ER2 = = 340 kV .
r1 2
In conclusione V < 85 kV.

Figura 16.3. Condensatore piano parzialmente riempito di dielettrico.

Caso del condensatore piano parzialmente parzialmente riempito di dielettrico

Si consideri un condensatore piano con armature rettangolari di lati a e b a separazione

d. Fra esse si introduce un blocco di materiale dielettrico di costante dielettrica
relativa r e spessore d (Fig. 16.3). Si determini la forza che agisce sul dielettrico
durante l’inserimento, se si opera a carica costante.
La forza agente è data dal gradiente del potenziale elettrico: essendo lo spostamento
in una direzione, conterà la sola derivata rispetto ad x. Dunque occorre determinare
la capacità del sistema poiché U = Q2 /(2C), se si opera a carica costante. Il campo
elettrico nella porzione vuota e in quella riempita di dielettrico è ortogonale alle
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armature: nell’interfaccia fra il vuoto e il dielettrico vi è continuità fra i due campi,

essendo essi completamente tangenti alla normale all’interfaccia:

E1 = E2 .

D’altra parte, essendo le armature equipotenziali,

Ei d = ∆Vi = ∆V

dove l’indice i vale 1 (2) quando si riferisce alla porzione di condensatore con il
vuoto (dielettrico) a separare le armature. Dal teorema di Coulomb

0 E1 = D1 = σ1
0 r E2 = D2 = σ2

ossia
∆V
σ1 = 0 E1 = 0
d
σ2 = r σ1 .

Infine

σP = P = 0 (r − 1)E2 = 0 (r − 1)E1 = (r − 1)σ1 = σ2 − σ1 .

Avendo caratterizzato completamente i campi e le distribuzioni superficiali di carica,

determiniamo l’espressione per la carica libera presente sulle armature:

Q = σ1 S1 + σ2 S2 ,

dove S1 = bx ed S2 = (a − x)b sono le superfici di armatura rispettivamente non

esposte ed esposte al dielettrico. Ne segue che

Q 0 S1 0 S2 0 b 0 b
C= = + = [x + r (a − x)] = [r a + x(1 − r )] ,
∆V d d d d
ovvero il condensatore è un sistema di due condensatori in parallelo.
L’energia elettrostatica del sistema è pertanto

Q2 Q2 d 1
U= C= ,
2C 20 b x + r (a − x)

da cui
∂U Q2 d 1 − r
Fx = − = .
∂x 20 b [x + r (a − x)]2
Essendo r > 1, la forza è orientata verso le x decrescenti e pertanto favorisce
l’inserimento del dielettrico. D’altronde il dielettrico comporta un aumento della
capacità che a sua volta comporta una diminuzione dell’energia potenziale.
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Sfera conduttrice carica circondata da guscio sferico dielettrico

Sia R1 il raggio di una sfera conduttrice di carica Q circondata da un guscio sferico

dielettrico di raggio interno R1 e raggio esterno R2 e sia tale dielettrico omogeneo,
isotropo e di costante dielettrica relativa r . Determinare il campo elettrico, il
potenziale e le distribuzioni di cariche sulle due superfici.
Data la simmetria sferica della sorgente e dell’intero sistema, il campo elettrico E~e
~
il vettore spostamento elettrico D sono diretti radialmente. Pertanto sono ortogonali
~ è continuo e
alle 2 superfici sferiche di raggi R1 ed R2 . Di conseguenza, il vettore D
partiamo da esso. All’interno della sfera conduttrice i campi sono nulli. Esternamente
ed essa, per il teorema di Gauss,
1
D(r ≥ R1 ) = Q,
4πr2
per cui
1 Q
E(R1 ≤ r < R2 ) = ,
4π0 r r2
1 Q
E0 (r > R2 ) = ,
4π0 r2
dove il pedice 0 indica che tale espressione vale nel vuoto, non nel dielettrico. Il
potenziale V (r) è una primitiva di tale campo vettoriale radiale, pertanto:

1 Q
V (R1 ≤ r ≤ R2 ) = + C1 ,
4π0 r r
1 Q
V (r ≥ R2 ) = + C2 .
4π0 r
Imponendo la condizione al contorno V (∞) = 0 e la condizione di continuità per
V (r = R2 ), si ha

C2 = 0
1 Q 1 Q r − 1 Q
C1 = − = .
4π0 R2 4π0 r R2 4π0 r R2
In particolare, quindi
Q 1 r − 1
 
V (R1 ) = + .
4π0 r R1 R2

Avendo un vettore di polarizzazione proporzionale a ~r/r3 , ρP = −∇ · P~ = 0 nel

dielettrico poiché, come visto in precedenza, ∇ · (~r/r3 ) = 0. Sulle interfacce, invece:

r − 1 Q r − 1
σP (R1 ) = −P (R1 ) = −0 (r − 1)E(R1 ) = − 2 =− σ
r 4πR1 r
r − 1 Q
σP (R2 ) = P (R2 ) = 0 (r − 1)E(R2 ) = .
r 4πR22

Si osservi che σP (R1 ) 6= σP (R2 ), ma che

|Q1 | = 4πR12 |σP (R1 )| = 4πR22 |σP (R1 )|R12 /R22 = 4πR22 |σP (R2 )| = |Q2 | .

La carica di polarizzazione è la stessa (in modulo) sulle due superfici.

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Calcolo del campo elettrico lungo l’asse di un cilindro uniformemente polarizzato

Un cilindro di raggio di base R ed altezza L è costituito da materiale dielettrico ed è

polarizzato in modo uniforme con vettore P~ parallelo al suo asse. Calcolare il campo
elettrico nel centro del cilindro.
Essendo il vettore uniforme, ρP = −∇ · P~ = 0 e comparirà esclusivamente una
densità superficiale di carica di polarizzazione data da σP = P~ · n̂. Tale densità è
nulla sulla superficie laterale dove P~ è ortogonale alla normale alla superficie n̂ ed è
in modulo pari al modulo di P~ sulle superfici di base. Dunque il cilindro polarizzato
in questo modo è equivalente ad un sistema costituito da due dischi con densità di
carica superficiale +|σP | = P e −|σP | = −P .
Poniamo l’origine del sistema di coordinate al centro del cilindro e valutiamo il
potenziale elettrostatico nei punti interni. Calcoliamo il potenziale dovuto al disco
superiore in un punto dell’asse (−L/2 < z < L/2):
Z 2π Z R
1 r|σP |
VSup (z) = + dθ dr r 2 =
4π0 0 0

r2 + − L2 +z
2 R
s
|σP | L

=+ r2 + − +z  =

20 2 
0
s 
2
|σP | 
 
L  L


=+ R2 + − + z − − + z  =
20 2 2
s 
2
|σP |  L L
  
=+ R2 + − + z + − +z  ,
20 2 2
s 
2
|σP |  L L
  
VInf (z) = − R2 + +z − +z  .
20 2 2

Per il principio di sovrapposizione, il potenziale totale che ne risulta è

s s 
2 2
|σP |  L L
 
V (z) = − R2 + − + z − R2 + +z + 2z 
20 2 2

e pertanto
 

~ = −∇V = − ∂V k̂ = − |σP |  r
 − L2 + z L
2 +z

E − r 2 + 2 k̂ .

∂z 20   2 
R2 + − L2 + z R2 + L2 + z

In particolare

|σP | 2L P L
   
~
E(0) =− 2− √ k̂ = − 1− √ k̂ .
20 2
4R + L2 0 4R2 + L2