O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica

a na dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. O termo vem de transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo d-se o nome de ganho de sinal. INVENO O transistor de silicio e germanio foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone por Bardeen e Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Fsica em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de juno bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca. Os transistores bipolares passaram, ento, a ser incorporados a diversas aplicaes, tais como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rdios transistorizados. Mas a indstria norte-americana no adotou imediatamente o transistor nos equipamentos eletrnicos de consumo, preferindo continuar a usar as vlvulas termoinicas, cuja tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os rdios portteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala mundial. No houve muitas mudanas at ento. Nessa poca, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor Transistor de Efeito de Campo formado por Metal, xido e Silcio) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construo dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e conseguiram a operao de um transistor MOS. Nessa poca, os transistores MOS eram tidos como curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.

A grande vantagem dos transistores em relao s vlvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, trs resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir da, via-se a possibilidade de criao de circuitos mais complexos, utilizando integrao de componentes. Isto marcou uma transio na histria dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das vlvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criao de circuitos complexos, integrados. Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um dispositivo vivel para circuitos digitais integrados. Nessa poca, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito at o fim da dcada de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sdio Na como o principal causador dos problemas de estado de superfcie e comearam a surgir solues para tais problemas. No incio da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) j ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de eliminao de estados de superfcie nos transistores NMOS. Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lanava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfcie e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integrao. O domnio da tecnologia MOS dura at o final dos anos 70. Nessa poca, o NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potncia (que alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS comeava a ganhar espao. A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricao de circuitos, por volta do ano 2000.

IMPORTANCIA O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios. conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhes de

transistores, juntamente com outros componentes como resistncias e condensadores. Por exemplo, o microprocessador Cell do console Playstation 3 tem aproximadamente 234 milhes de transistores, usando uma arquitetura de fabricao de 45 nanmetros, ou seja, a porta de controle de cada transistor tem apenas 45 milionsimos de um milmetro. Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para tarefas no-mecnicas. Visto que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle, hoje frequente e muito mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhes de transistores e um programa de computador apropriado para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, tm substitudo quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos sistemas de controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva eletrnica, desde os computadores aos carros. Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a informao. Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar rapidamente informaes digitais, mais e mais esforos foram postos em tornar toda a informao digital. Hoje, quase todos os meios na sociedade moderna so fornecidos em formato digital, convertidos e apresentados por computadores. Formas analgicas comuns de informao, tais como a televiso ou os jornais, gastam a maioria do seu tempo com informao digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa pequena frao de tempo.

FABRICAO Os materiais utilizados na fabricao do transistor so principalmente o Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns xidos. Na natureza, o silcio um material isolante eltrico, devido conformao das ligaes eletrnicas de seus tomos, gerando uma rede eletrnica altamente estvel. Atualmente, o transistor de germnio no mais usado, tendo sido substitudo pelo de silcio, que possui caractersticas muito melhores. O silcio purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em seus tomos. O material cortado em finos discos, que a seguir vo para um processo chamado de dopagem, onde so introduzidas quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio. O Silcio realiza ligaes covalentes de quatro eltrons. Quando adicionamos uma impureza com 3 eltrons na ltima camada, faltar um eltron na ligao covalente, formando os buracos e caracterizando a pastilha como pastilha P. Quando adicionamos uma impureza com 5 eltrons na ltima camada, vai sobrar um eltron na ligao covalente com o silcio. Esses eltrons livres tm pouca interao com seu tomo, ento qualquer energia fornecida o faz sair, sendo assim um eltron livre (assim se forma a pastilha N, que tem esse nome por ter maior nmero de eltrons livres). A pastilha P tem menos eltrons livres e mais "buracos" e a Pastilha N tem mais eltrons livres que buracos. No

podemos dizer que a pastilha P positiva nem que a pastilha N negativa, porque a soma total de eltrons igual soma total de prtons. Quando unimos a pastilha P e a pastilha N, os eltrons livres em excesso na pastilha N migram para a pastilha P e os buracos da pastilha P migram para a pastilha N. Deste modo a pastilha P fica negativa e a pastilha N fica positiva. Isto o diodo. O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P (unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN. Cientistas portugueses do Centro de Investigao de Materiais (Cenimat) da Faculdade de Cincias e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa, conseguiram fabricar pela primeira vez transistores com papel.[1]. Essa equipe de investigadores foi liderada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.

CARACTERISTICAS O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor ou por hfe, que dado pela expresso iC = iB x

iC: corrente de coletor iB: corrente de base B: beta (ganho de corrente de emissor)

Configuraes bsicas de um transistor: Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC), cada uma com suas vantagens e desvantagens. Base comum (BC)

Baixa impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

Alta impedncia(Z) de entrada. Baixa impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de tenso igual a um.

Emissor comum (EC)

Mdia impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180. Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

Os transistores possuem diversas caractersticas. Seguem alguns exemplos dos parmetros mais comuns que podero ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:

Tipo: o nome do transistor. Pol: polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP. VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta. VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor. IC: corrente mxima do coletor. PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar Hfe: ganho (beta). Ft: freqncia mxima. Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao dos terminais.

Existem tambm outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo (transistores FET, de Field Effect Transistor); neste caso, o controle da corrente feito por tenso aplicada porta.