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Balasto Electrnico
Balasto Electrnico.
Ctedra: Electrnica de Potencia
Titular de la Ctedra: Ing. Carlos Espinosa Jefe de Trabajos Prcticos: Ing. Daniel Graff Ayudante: Ing. Oscar Lopetegui
Grupo 7
Alex Arrigo Alejandro Di Franco
Electrnica de Potencia
Balasto Electrnico
ndice 1. Objetivo 2. Introduccin 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 3 Informe 3.1 Diagrama esquemtico de conexin 3.2 Diseo y clculo de los componentes 3.2.1 Clculo de Cp y Cs 3.2.2 Clculo de Cboot 3.2.3 Clculo de C5, C6 y R2 3.2.4 Clculo del tiempo de conmutacin entre frecuencias 3.3 Lista de componentes 3.4 Costo de los materiales ms importantes 3.5 Mediciones 4 Desarrollo Terico 4.1 Caractersticas elctricas del IRF740 4.2 Topologa semipuente 4.3 Descripcin del Driver Diagrama en bloques Fase de Precalentamiento Fase de Ignicin Fase de Rgimen permanente Circuito Resonante RLC
Electrnica de Potencia
Balasto Electrnico
1 - Objetivo
Disear un balasto electrnico de bajo costo capaz de manejar lmparas fluorescentes.
2 - Introduccin
Las lmparas de descarga son fuentes de energa luminosa cuya luz es producida por la energa radiante generada por la descarga de un gas. La mayora de las lmparas de descarga funcionan en serie con un dispositivo que limita la corriente. Este circuito auxiliar, llamado normalmente balasto, limita la corriente a un valor determinado para cada lmpara. El balasto, en otras palabras, ser el encargado de proporcionar la tensin de arranque y funcionamiento en rgimen permanente de la lmpara. En las siguientes figuras se muestran los dos balastos tradicionales utilizados en alimentacin de lmparas de descarga. Por un lado, el balasto ms simple y consiste en una inductancia electromagntica colocada en serie con la lmpara. Aunque estos balastos son econmicos y de bajo costo, presentan el inconveniente de una baja regulacin ante fluctuaciones de la red. Por ejemplo, una fluctuacin del 5% de la tensin de red provoca una variacin de la potencia entregada a la lmpara de un 10%. Por lo tanto este balasto no es recomendado en aquellas lneas cuya tensin de red flucte por encima del 10%. trabajando en alta frecuencia. En el caso del autotransformador de potencia constante el dispositivo consiste de una reactancia de elevado valor junto con un condensador que est situado en serie con la lmpara. El uso de un condensador proporciona una mayor estabilidad en cuanto a las variaciones de potencia que se provocan cuando varia la tensin de la red.
Como ejemplo podemos decir que para variaciones de un 5% de la tensin de red producen una variacin del 2% de la potencia entregada a la lmpara. Este balasto se utiliza cuando la tensin de red flucta por encima del 5%. Aunque el balasto electromagntico presenta gran simplicidad y bajo costo, stos tienen que trabajar a frecuencia de red y por ello presentan elevado peso y gran volumen as como bajo rendimiento. Por ello los balastos electrnicos de alta frecuencia son utilizados hoy en da para la alimentacin de lmparas de descarga. Comparado el balasto tradicional electromagntico con el electrnico, este puede proporcionar mayor rendimiento, control de la potencia de salida, larga vida a la lmpara y volumen reducido.
Electrnica de Potencia
Balasto Electrnico
En este informe se presenta un balasto electrnico con un circuito de potencia que usa una configuracin semipuente con transistores del tipo mosfet. El circuito integrado cumple las funciones de driver, manejando las partes baja y alta del semipuente y las operaciones de precalentamiento, ignicin y rgimen permanente de la lmpara. La frecuencia de operacin en rgimen permanente es de 43 KHz de modo tal que no interfiere con las comunicaciones del tipo infrarojo (32 36 KHz). Mantenindose por debajo de los 50 KHz (3 armnico < 150 KHz), proporciona una mejor caracterstica RFI. Para una operacin confiable del sistema y una vida til mas larga de la lmpara, primero el tubo es precalentado a niveles de corriente y tensin apropiados que luego resulta en una menor tensin de encendido y por lo tanto en un menor estrs elctrico para dicho tubo.
Puente
220V
Rectificador
Semipuente + Circuito LC
Lamp
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0 =
1 LxC
Z = R 2 + (L
1 2 ) C
Cuando la frecuencia es igual a la resonancia, la impedancia cae a un mnimo: Z = R El factor de calidad del filtro es:
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Q=
L
R
Durante las fases de precalentamiento y de ignicin se puede asumir que la resistencia de la lmpara es infinita resultando un circuito serie LC. Una vez que la lmpara ha iniciado su ignicin la R empieza a disminuir, el sistema se vuelve de bajo Q. La corriente que fluye a travs de la lmpara es principalmente dependiente del valor del inductor.
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3 - Informe
3-1 Diagrama esquemtico de conexin
Valores adoptados Tanto el tubo como la inductancia estaban disponibles por lo que usamos los mismos y a partir de ellos realizamos el diseo. Tubo Philips TLD 15W/54 Cuyas caractersticas principales son: Tensin del tubo Corriente del tubo 51 Vef 0,34 A
Inductancia
1,5mHy (adoptada)
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3-2-1 Clculo de Cp y Cs
I
L
ICP CP
ICP
ITUBO
VTUBO
Cp
Itubo Vtubo.2. . f
Cp
Cp 24,67nf
f = 2
1 l.Cp.Cs Cp + Cs
2
Consideraciones para Cs Para tener en vaco toda la tensin de cebado en el condensador Cp, el condensador Cs debe ser mayor que el Cp. Tomamos
Cs = 10.Cp
Balasto Electrnico 1
f =
= 2
10.Cp.l 11
Cp =
Valor que cumple con la condicin 1 Por lo tanto, los valores adoptados son
Cp = 10nf y Cs = 0,1f
3-2-2 Clculo de Cbs (C7)
Cbs
VCC = 15,6v
VDS (ON ) 0v
I LK = 50 A
QG = 63nc
Cbs
QLS = 20nc
Adoptamos
fpc = 2. f
Durante el rgimen estable las condiciones del driver imponen que:
f =
1 1,38.( R2 + 75).(C 5 + C 6 )
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fpc =
1 1,38.( R2 + 75).C 6
Adoptar fpc = 2. f es adoptar que C 5 = C 6 El fabricante del IR2153 impone las siguientes condiciones
Adoptamos
C 5 = C 6 = 470 pf
Y calculamos R2
R2 =
Dado que necesitamos con esta resistencia poder ajustar la frecuencia, colocaremos un preset y para evitar dejar accidentalmente a la misma en 0, lo hacemos en serie con una resistencia fija de valor superior al valor mnimo indicado por el fabricante. Por lo tanto
Vc = Vcc.(1 e
V R ( t ) = Vcc.e
t R .C
t R .C
Vcc R.C i (t ) = .e R
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De 1:
R.C =
t Vc(t ) ln 1 Vcc
Vcc = 15,6v
Vc(t ) = 0,65v
t = 5seg Tomamos un tiempo grande para que el mismo sea independiente de que C4 se haya descargado o no
Con estos valores:
R.C =
Adoptamos
C 4 = 220f y R 4 = 560k
3-3 Lista de componentes
tem C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 Cp Cs D1 x 4 D2 Entrada F1 IC1 L1 Q1 Q2 Q3 Q4 R1 R2 R3 R4 R5 T1 Valor 0,1f 47f 100f 220f 470pf 470pf 47f 10nf 0,1f 1N54008 UF4007 Bornera 3 Polos Fusible IR2153 1,5mHy 2N3906 2N3904 IRF740 IRF740 56K 5,6k + Preset 30K 560K 22K 22K Filtro de Lnea Porta fusible Comentarios 250v Electroltico 400v Electroltico 50v 50v Multicapa Multicapa polister 50v 2kv 400v
PNP NPN
1 Watt
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Categoria DIODOS
Descripcin DIODO RAPIDO 1A 1000V 75ns DIODO RECTIFICADOR 3A1000V PNP SW 40V 0.2A 0.310mW NPN 0.2A 40V SWITCH CANAL N 10A 400V 125W RDS0.55
TRANSISTORES
IRF740
TO-220
1.80
1.60
N/A
IR2153
1.30
N/A
1.15
Excepto para el IR2153, en todos los dems casos la fuente es el listado de precios actualizado al 1 de Septiembre de Dicomse Doblas 1126, Capital Federal. Para el IR2153 es de Radio Aceto Uruguay 356, Capital Federal
3-5 Mediciones
Nota: Habiendo calculado cada componente segn se indic en prrafos anteriores, al trabajar con el circuito se quem la inductancia. Ante la imposibilidad en ese momento de conseguir otra de igual valor, se reemplaz la de 1,5mHy por una de 0,8mHy. Con este nuevo valor de inductancia, y un nuevo valor de capacidad para el tanque, la nueva frecuencia de rgimen permanente fue de 52 Khz siendo la de precaldeo de 103Khz. Con el osciloscopio se obtuvieron las formas de onda de tensin y de corriente de las mediciones en distintos partes del circuito segn detalle adjunto
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500 mA pp, medido con el osciloscopio 450 mA ef, medido con multmetro rms
310 Vpp
= 51%
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3-5-7 Ids
190mA ef Medidos con multmetro true rms. Tsw(on) = 480 nseg Tiempo muerto entre pulsos Tsw(off) = 600 nseg 700nseg
3-5-8 Vgs
Igs = 4,6 mAef (medidos con multmetro true rms) Vgs (on) = 10Vpp Vgs (pl) = 4,5 Vpp
Corriente entregada por la fuente de alimentacin Is= 196 mAef (medidos con multmetro true rms)
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4- Desarrollo terico
4-1 Caractersticas elctricas del transistor Mosfet IRF740
OFF
ON
Dinmico
Switching ON
Switching OFF
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TswON = 480ns
Id = 537mA( pp)
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La tensin de alimentacin del circuito de control estar en funcin de la tensin que necesitan los Mosfet para asegurar que cuando se activan, entran en la zona hmica o de saturacin respectivamente. El valor adoptado, que asegura la operacin, es de 15,6v Una caracterstica muy importante de los circuitos de control es la tensin que soporta el pin Vs. Cuando Q1 est en ON y Q2 en OFF, en este terminal se tiene respecto de masa la tensin del puente (311v). La tensin Vbs (Vb Vs) alimenta al driver que excita el transistor de la parte alta del semipuente. Esta alimentacin tiene que estar en el rango de 10 a 20 v para asegurar que el transistor puede entrar en zona hmica. La tensin Vbs es una tensin flotante que se expresa tomando como referencia Vs. Cuando se pretende poner en ON a Q1 la tensin en Ho respecto de masa tomar un valor superior a los 311v. Idealmente toma el valor
V HO = 311v + VGS ( ON )
Hay muchos mtodos para conseguir esta tensin pero el mtodo comn a todos los circuitos integrados es mediante la tcnica del bootstrap donde la alimentacin est formada por un diodo Dbs y un capacitor Cbs. El mtodo tiene como principal ventaja la sencillez y bajo costo. Los inconvenientes estn impuesto por el proceso de carga del capacitor. Estos son que el tiempo que est conduciendo Q1 es limitado porque depende del tiempo que tarda en descargarse Cbs y que la frecuencia mxima de trabajo se limita por el tiempo que dura la carga del dicho condensador. El circuito Bootstrap opera de la siguiente forma Durante el tiempo que el transistor Q1 est en OFF, y el transistor Q2 est en ON, el condensador Cbs se carga a un valor de tensin aproximadamente de Vcc . La carga es muy rpida porque la constante de tiempo es muy pequea, de valor aproximado
c = Cbs ( Rdson2 + Rd bs )
Donde Rd bs es la resistencia en directa del diodo Dbs.
Cuando Q2 pasa a OFF y se desea que Q1 pase a estado ON, el diodo Dbs queda polarizado en inverso (tal como se puede observar en la siguente figura). Con la tensin almacenada en Cbs durante el estado anterior, se polariza al driver superior del circuito de control con el que se excita a Q1, de tal forma que ste pasa a estado ON.
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f =
Rt estar dado por una resistencia fija ms una variable que permita ajustar la frecuencia de oscilacin. Otras caractersticas son: Genera los pulsos de control (RT y CT) Tabla Tensin del bus de continua 600 V Corriente para manejar el circuito de puerta de los Mosfet 200/420mA Ofrece seal de control digital para cortar pulsos de salida sobre el pin CT. Posee un diodo Zener de 15,6v entre Vcc y COM
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Nota: El D1 es un diodo de Bootstraping que viene incorporado en el IR2153D. En el caso del IR2153(S) es externo
Indicar si el circuito se auto protege o no frente a los siguientes casos sobre la carga: cortocircuito, ausencia del tubo, si el filamento se rompe y si el tubo se rompe pero los filamentos quedan intactos. En caso de no cumplir que modificacin introducira en el circuito. Bibliografia: AN1543/D Electronic Lamp Ballast Design On Semiconductor AN1576 Reduce Compact Fluorescent Cost Motorola AN98091 CFL 13W demo PCB with UBA2021 Philips IR2151 Self-Oscillating Half-Bridge Driver International Rectifier DT98-1 Variable Frequency Drive using IR215x International Rectifier A New Procedure For High-Frequency Electronic Ballast Design International Rectifier AN978 HV Floating MOS-Gate Driver ICs Inverter Basics.htm Inverter Basics diseno_puentesH.pdf International Rectifier Power designers