Sei sulla pagina 1di 9

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004 ENINVIE – UAZ 2004 Encuentro de Investigación en Ingeniería Eléctrica Zacatecas, Zac, Marzo 4 —5, 2004

en Ingeniería Eléctrica Zacatecas, Zac, Marzo 4 —5, 2004 1 Aplicación de Vidrios Fosfatos Dopados con

1

Aplicación de Vidrios Fosfatos Dopados con nanocristales Semiconductores en Sensores de Temperatura y Voltaje de Fibra Óptica.

Claudia Sifuentes Gallardo Laboratorio de Procesamiento Digital de Señales, Programa de Comunicaciones y Electrónica Unidad Ingeniería Eléctrica, UAZ, ZACATECAS ZAC-98000. TEL: +(492)9239407, ext. 1518, correo-e: cgsifuen@cantera.reduaz.mx

Yuri O. Barmenkov Centro de Investigaciones en Óptica, A. C., Centro de investigaciones en Óptica, A. C. León, Gto.-37150. TEL: +(477)7731017, ext. 240 correo-e: yuri@cio.mx

Resumen — Se reporta el uso de vidrios dopados con nanocristales semiconductores como elementos sensibles en sensores de fibra óptica para medir temperatura y voltaje. Los vidrios dopados con nanocristales semiconductores son de gran interés para ser usados en sensores debido a que presentan propiedades activas para sensar parámetros físicos de interés tales como la temperatura y el voltaje. La sensibilidad a la temperatura y al voltaje de estos materiales depende del tamaño y la concentración de las impurezas. Se presentan los prototipos de los sensores y se analiza la linealidad de la respuesta.

Abstract — The use of CdSe-nanocrystallite doped phosphate glass as a senssing element in fiber optic sensor for temperature and voltage is reported. Glasses doped with semiconductor nanocrystallite are of interest for use them in sensors since they demostrate active properties to sense physical parameters such as temperature and voltage. Sensitivity to temperature and voltage changes of these materials depends of size and concentration of semiconductors impurities. The sensors prototype are presented and linearity in the respuest is analysed.

Palabras clave — Vidrios dopados con nanocristales semiconductores, sensores de temperatura, sensores de voltaje, fibras ópicas dopadas.

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

I.

INTRODUCCIÓN

64

L os sensores de fibra óptica producen mínima perturbación a los parámetros que se desea

monitorear, son pasivos, inmunes a la interferencia electromagnética, por esto son de gran

interés en numerosas aplicaciones en la ciencia, en la enseñanza y en la industria.

Algunas de las aplicaciones potenciales más excitantes de los semiconductores para propósitos ópticos y electrónicos resultan del hecho de que el crecimiento de estos materiales puede manipularse para producir nuevas combinaciones de estos, con dimensiones extremadamente pequeñas. Los nanocristales semiconductores incrustados en vidrios producen materiales cuyas propiedades ópticas y electrónicas se desvían substancialmente de las del material bulto[1].

La muy rápida respuesta no-lineal de estos vidrios los hace adecuados para su uso en optoelectrónica como medio activo para láseres de estado sólido y generación de segundo armónico, como medio de almacenamiento en memorias ópticas permanentes y temporales, en moduladores ópticos y dispositivos de conmutación óptica, y como elementos sensibles para sensores de fibra óptica. Entre los materiales disponibles se ha encontrado que los vidrios fosfatos son más flexibles que los silicatos, estos vidrios son adecuados para las síntesis de vidrios dopados con semiconductores con buenas cualidades ópticas, con alta concentración de nanocristales, y adecuados para la formación de fibras ópticas dopadas con nanocristales. El comportamiento de los nanocristales no ha sido estudiado por completo, y se tienen que resolver varios problemas para su aplicación práctica. Entre los parámetros importantes a considerar está la estabilidad del material ante campos electromagnéticos muy fuertes para estimar el intervalo de aplicaciones potenciales como sensores de voltaje y de campo eléctrico. En particular, se sabe que la temperatura de fusión de los nanocristales incrustados en una matriz de vidrio es mayor que la correspondiente a un material semiconductor en bulto. Esta propiedad y la dependencia de la temperatura del desplazamiento de la curva de absorción los hace adecuados para su uso como elementos sensibles en sensores de temperatura de fibra óptica[2].

II. VIDRIOS FOSFATOS DOPADOS CON NANOCRISTALES SEMICONDUCTORES

En este trabajo se utilizaron matrices de vidrio de fosfato P 2 O 5 -Na 2 O-ZnO-AlF 3 -Ga 2 O 3 dopado con CdSe. La ventaja de los sistemas de vidrios de fosfato es que son más flexibles en comparación con los sistemas de vidrios silicatos, lo cual permite incrementar la concentración de semiconductores en comparación con los vidrios silicatos de 0.1 wt.% hasta 1.0 - 1.2 wt.%; esto debido a la mejor solubilidad de los compuestos del tipo II-VI en las matrices de vidrio de fosfato y a la baja volatilidad de los chalcogenidos durante la síntesis del vidrio. Lo anterior se debe a la baja temperatura de síntesis del vidrio de fosfato (~1200ºC) comparativamente con los silicatos (~1500ºC). Al aumentar las concentraciones de semiconductores en los vidrios de fosfato se producen muchos más núcleos en comparación con los silicatos y a una distribución de tamaño más angosta de los cristales semiconductores que se crecieron. Estas características de los vidrios de fosfatos proveen una curva de absorción óptica más nítida[3].

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

65

Después de un rápido enfriamiento el vidrio sintetizado se enfría fuera de equilibrio termodinámico, entonces el sistema pasa a ser una solución sólida sobresaturada de semiconductor en el vidrio. El subsecuente recocido del vidrio conduce a la fase de descomposición de la solución sólida sobresaturada de semiconductor y las no uniformidades microscópicas del vidrio son precursoras de la aparición de los núcleos de nanocristales. El recocido del vidrio provoca su color característico. El color depende de la temperatura y la duración del recocido, así como el tamaño de los nanocristales[4,5].

En la preparación de estos materiales, una matriz de vidrio de fosfato es dopada con compuestos de cadmio, selenio, azufre y plomo (comúnmente CdO, Se y S). Bajo condiciones térmicas adecuadas ( a temperaturas típicas de 1100 a 1200 ºC) los materiales Cd, Se y S se dispersan a través del vidrio en forma de iones aislados para formar una solución altamente saturada dentro de la matriz de vidrio. Como en el caso análogo de la solución acuosa la disminución de temperatura de esta solución saturada reduce la solubilidad del los materiales Cd, Se y S incrementando su tendencia a precipitarse para formar cristales de CdSe x S 1-x . Las temperaturas típicas de precipitación y crecimiento para cristales están dentro del rango de 400-440ºC. A menores temperaturas las solubilidades de los materiales componentes de los cristales es aún baja; sin embargo, los coeficientes de difusión de los materiales también se reducen en gran medida y el crecimiento de los cristales no puede ocurrir en períodos normales de tiempo. En la preparación de las muestras el fundido inicial se enfrió rápidamente de 1200ºC a temperatura ambiente removiendo rápidamente las muestras del horno. Bajo tales condiciones de preparación se obtiene un vidrio transparente en el que ha ocurrido una nucleación y crecimiento del cristal despreciables. Así, todo el proceso de cristalización para estas muestras ocurre en la segunda etapa de calentamiento a una temperatura definida, permitiendo un estudio sistemático del proceso de crecimiento[6] .

La matriz de vidrio fosfato se sintetizó a una temperatura de aproximadamente 1150°C. Después de la fase de sintetizado del vidrio, éste se enfría rápidamente fuera del punto de equilibrio termodinámico. Por medio de mediciones de microscopía electrónica de transmisión se encontró que la concentración de los dopantes es igual a 1.2 wt.%. Esta concentración es aproximadamente 1.5 órdenes de magnitud mayor que en un vidrio silicato fabricado convencionalmente. El vidrio es transparente después de la fase de sintetizado [7]. En la Fig.1 se presenta la imagen de vidrios dopados con nanocristales de CdSe obtenido por medio de TEM. Los nanocristales presentan una distribución caótica, el tamaño de los nanocristales es de 6 nm.

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

66

Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004 66 Figura 1. Imagen de nanocristales de CdSe

Figura 1.

Imagen de nanocristales de CdSe en vidrios de fosfato obtenidos por medio de TEM. El tamaño del cristal es de alrededor de 6nm.

III. SENSOR DE TEMPERATURA

Como elemento sensible se utilizó una placa de vidrio fosfato dopada con CdSe, de espesor de 0.6mm. La concentración de CdSe fue de 0.9wt%, que se determinó utilizando un microanalizador de sonda electrónica (electron probe microanalyzer). Se formaron nanocristales con un diámetro promedio de 6nm (menor que el tamaño del excitón del CdSe) mediante el tratamiento térmico de la placa para desplazar la línea de absorción a 635nm. El diámetro de los nanocristales se midió mediante microscopía electrónica de transmisión.

Para el arreglo experimental se utilizó, como fuente de luz, un LED acoplado por fibra con control de temperatura a 635nm con un ancho espectral de alrededor de 30nm y una potencia de

salida de 40

con un diámetro de núcleo de 50 m. Para colimar la luz de la fibra se pegó uno de sus extremos pulido a una lente de índice gradiente con pegamento óptico (Poxipol). La placa sensora se colocó entre dos lentes de índice gradiente. Para colectar la luz de la placa y transmitirla a la cabeza sensora y al esquema de detección se utilizó una segunda fibra multimodal con un núcleo de 300 m de diámetro. La cabeza sensora se montó sobre un enfriador/calentador Peltier para permitir cambiar la temperatura en un rango de –20 a 140°C. Todos los elementos de la cabeza sensora (fibras, placa de vidrio dopada con semiconductor y las lentes gradientes) se unieron con pegamento para formar una unidad y así tratar de evitar movimientos que desalinearan las fibras que transportan la señal. El arreglo del sensor se muestra en la Fig. 2.

Peltier cooler / heater 3 3 2 2 1a 1b LED 4
Peltier cooler / heater
3
3
2
2
1a
1b
LED
4

Spectrum -

sensitive

Photodetector

Figura 2. Arreglo experimental del sensor.

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

67

Las mediciones de temperatura se hicieron en un intervalo de 0°-150°C. El intervalo de mediciones fue limitado debido a la degradación del polímero que cubre a la fibra óptica. La Fig. 3 muestra el desplazamiento que sufre el espectro de transmisión del cristal conforme aumenta la temperatura con respecto del tiempo. También se puede ver en esta figura que cada curva muestra un crecimiento lineal en el rango de longitud de onda de 625 a 645 nm. A tales temperaturas la longitud de onda del láser corresponde a la parte más lineal de las curvas de absorción.

0.8 1.00 0.6 0.75 0.4 0.50 Spectrum density, a.u. 0.2 0.25 0.0 0.00 610 620
0.8
1.00
0.6
0.75
0.4
0.50
Spectrum density, a.u.
0.2
0.25
0.0
0.00
610
620
630
640
650
660
Transmittance

Wavelength, nm

Figura 3. Corrimiento del espectro de transmisión con respecto a la temperatura para una muestra recocida 120 min. Las líneas sólidas corresponden a la transmitancia, las curvas corresponden a las temperaturas de 10°C, 35°C, 67°C, 80°C, 116°C, 140°C de izquierda a derecha. La línea punteada corresponde al espectro del LED.

.

En la Fig. 4. se ilustra la señal detectada como una función de la temperatura en el rango de 0°- 150°C. Se puede ver que la señal de salida es prácticamente lineal en el rango de las temperaturas medidas. Se utilizó un esquema simple de detección de intensidad directa. No se observaron cambios en las curvas de absorción al calentar la muestra a una temperatura de 410°C durante 24 horas por lo que esta temperatura es la temperatura de recocido del cristal. Teniendo un recubrimiento adecuado de la fibra, el rango de temperaturas que se pueden medir pueden aumentar hasta 370°C.

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

68

Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004 68 Figura 4. Señal detectada en función de

Figura 4. Señal detectada en función de los cambios de temperatura.

IV. SENSOR DE VOLTAJE

Se sabe que el efecto de electroabsorción y el efecto de electrorefracción asociados con estructuras de baja dimensiones es mucho mayor que en un material bulto, lo que apunta hacia nuevos dispositivos de muy baja energía. Las modificaciones de la absorción óptica debida a campos eléctricos se conoce como efecto. Franz-Keldish. Este efecto predice que el campo aplicado causa un ensanchamiento hacia las bajas energías del espectro de absorción. El corrimiento hacia el rojo de las curvas resulta en un incremento de la absorción óptica del material, esto es en semiconductores bulto.

Las propiedades ópticas se modifican también cuando se aplica un campo eléctrico a un material semiconductor de bajas dimensiones. La electroabsorción de nanoestructuras al aplicar campos paralelos al plano de las capas es cualitativamente similar a la esperada en un semiconductor bulto. Pero los efectos de aplicar un campo perpendicular a las capas son diferentes. Cuando se desprecia la interacción coulombian entre el electrón-hueco al aplicar un campo paralelo a la capas, la electroabsorción se puede describir como el efecto Franz-Keldish de confinamiento cuántico. Cuando se toma en cuenta la interacción coulombiana la electroabsorción se describe por el modelo conocido como efecto Stark de confinamiento cuántico.

En el experimento se utilizó una placa de vidrio fosfato dopada con CdSe como elemento sensible, con las mismas características que la que se utilizó en el sensor de temperatura. El arreglo experimental se puede ver en la Fig. 5. Para las mediciones se utilizó un láser He-Ne con una longitud de onda a 633 nm, con una potencia de salida de 1mW. Al empezar, el haz láser se divide en dos para tener un haz de referencia y el haz que contendrá la información. Se utilizó un trasformador de 2 A y 1500 V, el cual se conecta al elemento sensible de forma que el voltaje se aplica perpendicularmente a las capas. El haz objeto pasa por la placa de vidrio, mientras se va variando el voltaje con el transformador, para observar los cambios de voltaje se utiliza un

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

69

multímetro. El haz objeto con la información es colectado por un detector estándar, mientras el haz de referencia es colectado por otro detector; los dos detectores se encuentran conectados a un osciloscopio y/o a un analizador espectral. En el osciloscopio se comparan las señales del haz de referencia y el haz objeto para determinar los cambios en las señales conforme aumenta el voltaje.

los cambios en las señales conforme aumenta el voltaje. Figura 5. Diagrama esquemático para medir el

Figura 5. Diagrama esquemático para medir el voltaje AC aplicado a una muestra de vidrios dopados con nanocristales de CdSe.

En la Fig. 6 se pueden ver los cambios de las curvas de emisión con respecto del voltaje, esto utilizando un analizador espectral. Los corrimientos son hacia las bajas energías.

Con los resultados que se obtuvieron se puede ver que la respuesta es lineal con respecto de los cambios de voltaje.

por la fuente de voltaje con la

que se contaba. Con un fuente más potente de al menos 5000 V y un láser con longitud de onda de

emisión más cerca del infrarrojo, se pueden obtener resultados aún más satisfactorios.

Las mediciones preliminares en esta

etapa

estuvieron

limitadas

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

70

Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004 70 Figura 6. Corrimiento del espectro de transmisión

Figura 6. Corrimiento del espectro de transmisión con respecto del voltage aplicado.

V.

CONCLUSIONES

Se ha presentado el prototipo de un sensor de fibra óptica con un esquema de detección de intensidad directa muy simple, basado en un vidrio de fosfato dopado con nanocristales semiconductores de CdSe como elemento sensible. Este material presenta corrimientos lineales de las curvas de absorción con respecto de la temperatura. Se realizaron mediciones de las curvas de absorción de del materiales en un rango de temperaturas de 0°-150°C. En este rango de temperatura el proceso es completamente reversible.

Basándose en el efecto Franz-Keldish de confinamiento cuántico se presenta el fundamento teórico y el arreglo experimental de un sensor de voltaje de fibra óptica. Para este trabajo se han realizado sólo las primeras mediciones con las que se han obtenido resultados positivos, se espera como trabajo futuro terminar las mediciones hasta 5000V.

RECONOCIMIENTOS Este trabajo fue realizado gracias al apoyo otorgado por CONACYT .

REFERENCIAS

C. Sifuentes, Y. O. Barenkov, A. N. Starodumov, V. N Filippov, A.A. Lipovskii, “Application of CdSe-nanocrystallite-doped glass for temperature measurements in fiber sensors”, Opt Eng., pp. 2182–2186. (2000).

[2] Yu. O. Barmenkov and A. N. Starodumov, “Temperature fiber-sensor based on semiconductor-nanocrystallite-doped phosphate

[1]

glassesAppl. Phys. Lett. 23, 4, 541(1998). Lipovskii A. A. and Kolobkova E. V., "Hole spectrum in CdS quantum dots", Proc SPIE, vol. 2968, 114-118(1996). Rodden W. S., Ironside C. N. and Sotomayor Torres C. M., "A study of the growth of CdSe x S 1-x crystallites within a glass matrix", 1839-1842 (1994). Lipovskii A. A. Kolobkova E. V, Petricov V. D., “ Growth and Optical Properties of CdS x Se 1-x nanocrystals embedded in a novel phosphate glass", Journal of Material Science, 34, 887-890(1999).

x Se 1 - x nanocrystals embedded in a novel phosphate glass", Journal of Material Science,
x Se 1 - x nanocrystals embedded in a novel phosphate glass", Journal of Material Science,

[5]

[3]

[4]

ENINVIE Encuentro de Investigación en IE, 4—5 Marzo, 2004

71

[6]

Norris D. J. and and Bawendi M. G., "Measurement and assignment of the size-dependent optical spectrum in CdSe quantum

[7]

dots",Physical Review B Vol 53, Nº24 338-346. Parck S. H., Morgan R. A., Hu Y. Z., Lindberg M, Koch S. W., and Peyghambarian N, "Nonlinear optical properties of quantum-

[8]

confinen CdSe microcrystallites", J. Opt. Soc. Am. B, Vol 7, Nº 10, 2097-2105 (1990). Miller D. A. B., Chemla D. S., Schmitt- Rink, “Relation betwwen electroabsortion in bulk semiconductors and in wuantum wells:

[9]

The quantum-confined Franz-Keldysh effect.” Phys. Rev. B 33, pp 6976-6982 (1986). Miller D. A. B., Chemla D. S., Schmitt- Rink, “Electroabsortion of highly confined sistems: Theory of the quantum-confined Franz- Keldysh effect. In semiconductors quantum wirws and dots” , Appl. Phys. Lett. 52(25), pp 2154-2156 (1988).