ENINVIE Encuentro de Investigacin en IE, 45 Marzo, 2004 ENINVIE UAZ 2004 Encuentro de Investigacin en Ingeniera Elctrica Zacatecas, Zac,

, Marzo 4 5, 2004

Aplicacin de Vidrios Fosfatos Dopados con nanocristales Semiconductores en Sensores de Temperatura y Voltaje de Fibra ptica.
Claudia Sifuentes Gallardo Laboratorio de Procesamiento Digital de Seales, Programa de Comunicaciones y Electrnica Unidad Ingeniera Elctrica, UAZ, ZACATECAS ZAC-98000. TEL: +(492)9239407, ext. 1518, correo-e: cgsifuen@cantera.reduaz.mx

Yuri O. Barmenkov Centro de Investigaciones en ptica, A. C., Centro de investigaciones en ptica, A. C. Len, Gto.-37150. TEL: +(477)7731017, ext. 240 correo-e: yuri@cio.mx

Resumen Se reporta el uso de vidrios dopados con nanocristales semiconductores como elementos sensibles en sensores de fibra ptica para medir temperatura y voltaje. Los vidrios dopados con nanocristales semiconductores son de gran inters para ser usados en sensores debido a que presentan propiedades activas para sensar parmetros fsicos de inters tales como la temperatura y el voltaje. La sensibilidad a la temperatura y al voltaje de estos materiales depende del tamao y la concentracin de las impurezas. Se presentan los prototipos de los sensores y se analiza la linealidad de la respuesta. Abstract The use of CdSe-nanocrystallite doped phosphate glass as a senssing element in fiber optic sensor for temperature and voltage is reported. Glasses doped with semiconductor nanocrystallite are of interest for use them in sensors since they demostrate active properties to sense physical parameters such as temperature and voltage. Sensitivity to temperature and voltage changes of these materials depends of size and concentration of semiconductors impurities. The sensors prototype are presented and linearity in the respuest is analysed. Palabras clave Vidrios dopados con nanocristales semiconductores, sensores de temperatura, sensores de voltaje, fibras picas dopadas.

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I. INTRODUCCIN

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os sensores de fibra ptica producen mnima perturbacin a los parmetros que se desea monitorear, son pasivos, inmunes a la interferencia electromagntica, por esto son de gran inters en numerosas aplicaciones en la ciencia, en la enseanza y en la industria.

Algunas de las aplicaciones potenciales ms excitantes de los semiconductores para propsitos pticos y electrnicos resultan del hecho de que el crecimiento de estos materiales puede manipularse para producir nuevas combinaciones de estos, con dimensiones extremadamente pequeas. Los nanocristales semiconductores incrustados en vidrios producen materiales cuyas propiedades pticas y electrnicas se desvan substancialmente de las del material bulto[1]. La muy rpida respuesta no-lineal de estos vidrios los hace adecuados para su uso en optoelectrnica como medio activo para lseres de estado slido y generacin de segundo armnico, como medio de almacenamiento en memorias pticas permanentes y temporales, en moduladores pticos y dispositivos de conmutacin ptica, y como elementos sensibles para sensores de fibra ptica. Entre los materiales disponibles se ha encontrado que los vidrios fosfatos son ms flexibles que los silicatos, estos vidrios son adecuados para las sntesis de vidrios dopados con semiconductores con buenas cualidades pticas, con alta concentracin de nanocristales, y adecuados para la formacin de fibras pticas dopadas con nanocristales. El comportamiento de los nanocristales no ha sido estudiado por completo, y se tienen que resolver varios problemas para su aplicacin prctica. Entre los parmetros importantes a considerar est la estabilidad del material ante campos electromagnticos muy fuertes para estimar el intervalo de aplicaciones potenciales como sensores de voltaje y de campo elctrico. En particular, se sabe que la temperatura de fusin de los nanocristales incrustados en una matriz de vidrio es mayor que la correspondiente a un material semiconductor en bulto. Esta propiedad y la dependencia de la temperatura del desplazamiento de la curva de absorcin los hace adecuados para su uso como elementos sensibles en sensores de temperatura de fibra ptica[2].

L I

II. VIDRIOS FOSFATOS DOPADOS CON NANOCRISTALES SEMICONDUCTORES

En este trabajo se utilizaron matrices de vidrio de fosfato P2O5-Na2O-ZnO-AlF3-Ga2O3 dopado con CdSe. La ventaja de los sistemas de vidrios de fosfato es que son ms flexibles en comparacin con los sistemas de vidrios silicatos, lo cual permite incrementar la concentracin de semiconductores en comparacin con los vidrios silicatos de 0.1 wt.% hasta 1.0 - 1.2 wt.%; esto debido a la mejor solubilidad de los compuestos del tipo II-VI en las matrices de vidrio de fosfato y a la baja volatilidad de los chalcogenidos durante la sntesis del vidrio. Lo anterior se debe a la baja temperatura de sntesis del vidrio de fosfato (~1200C) comparativamente con los silicatos (~1500C). Al aumentar las concentraciones de semiconductores en los vidrios de fosfato se producen muchos ms ncleos en comparacin con los silicatos y a una distribucin de tamao ms angosta de los cristales semiconductores que se crecieron. Estas caractersticas de los vidrios de fosfatos proveen una curva de absorcin ptica ms ntida[3].

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Despus de un rpido enfriamiento el vidrio sintetizado se enfra fuera de equilibrio termodinmico, entonces el sistema pasa a ser una solucin slida sobresaturada de semiconductor en el vidrio. El subsecuente recocido del vidrio conduce a la fase de descomposicin de la solucin slida sobresaturada de semiconductor y las no uniformidades microscpicas del vidrio son precursoras de la aparicin de los ncleos de nanocristales. El recocido del vidrio provoca su color caracterstico. El color depende de la temperatura y la duracin del recocido, as como el tamao de los nanocristales[4,5]. En la preparacin de estos materiales, una matriz de vidrio de fosfato es dopada con compuestos de cadmio, selenio, azufre y plomo (comnmente CdO, Se y S). Bajo condiciones trmicas adecuadas ( a temperaturas tpicas de 1100 a 1200 C) los materiales Cd, Se y S se dispersan a travs del vidrio en forma de iones aislados para formar una solucin altamente saturada dentro de la matriz de vidrio. Como en el caso anlogo de la solucin acuosa la disminucin de temperatura de esta solucin saturada reduce la solubilidad del los materiales Cd, Se y S incrementando su tendencia a precipitarse para formar cristales de CdSexS1-x. Las temperaturas tpicas de precipitacin y crecimiento para cristales estn dentro del rango de 400-440C. A menores temperaturas las solubilidades de los materiales componentes de los cristales es an baja; sin embargo, los coeficientes de difusin de los materiales tambin se reducen en gran medida y el crecimiento de los cristales no puede ocurrir en perodos normales de tiempo. En la preparacin de las muestras el fundido inicial se enfri rpidamente de 1200C a temperatura ambiente removiendo rpidamente las muestras del horno. Bajo tales condiciones de preparacin se obtiene un vidrio transparente en el que ha ocurrido una nucleacin y crecimiento del cristal despreciables. As, todo el proceso de cristalizacin para estas muestras ocurre en la segunda etapa de calentamiento a una temperatura definida, permitiendo un estudio sistemtico del proceso de crecimiento[6] . La matriz de vidrio fosfato se sintetiz a una temperatura de aproximadamente 1150C. Despus de la fase de sintetizado del vidrio, ste se enfra rpidamente fuera del punto de equilibrio termodinmico. Por medio de mediciones de microscopa electrnica de transmisin se encontr que la concentracin de los dopantes es igual a 1.2 wt.%. Esta concentracin es aproximadamente 1.5 rdenes de magnitud mayor que en un vidrio silicato fabricado convencionalmente. El vidrio es transparente despus de la fase de sintetizado [7]. En la Fig.1 se presenta la imagen de vidrios dopados con nanocristales de CdSe obtenido por medio de TEM. Los nanocristales presentan una distribucin catica, el tamao de los nanocristales es de 6 nm.

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Figura 1. Imagen de nanocristales de CdSe en vidrios de fosfato obtenidos por medio de TEM. El tamao del cristal es de alrededor de 6nm.

III. SENSOR DE TEMPERATURA Como elemento sensible se utiliz una placa de vidrio fosfato dopada con CdSe, de espesor de 0.6mm. La concentracin de CdSe fue de 0.9wt%, que se determin utilizando un microanalizador de sonda electrnica (electron probe microanalyzer). Se formaron nanocristales con un dimetro promedio de 6nm (menor que el tamao del excitn del CdSe) mediante el tratamiento trmico de la placa para desplazar la lnea de absorcin a 635nm. El dimetro de los nanocristales se midi mediante microscopa electrnica de transmisin. Para el arreglo experimental se utiliz, como fuente de luz, un LED acoplado por fibra con control de temperatura a 635nm con un ancho espectral de alrededor de 30nm y una potencia de salida de 40 con un dimetro de ncleo de 50m. Para colimar la luz de la fibra se peg uno de sus extremos pulido a una lente de ndice gradiente con pegamento ptico (Poxipol). La placa sensora se coloc entre dos lentes de ndice gradiente. Para colectar la luz de la placa y transmitirla a la cabeza sensora y al esquema de deteccin se utiliz una segunda fibra multimodal con un ncleo de 300m de dimetro. La cabeza sensora se mont sobre un enfriador/calentador Peltier para permitir cambiar la temperatura en un rango de 20 a 140C. Todos los elementos de la cabeza sensora (fibras, placa de vidrio dopada con semiconductor y las lentes gradientes) se unieron con pegamento para formar una unidad y as tratar de evitar movimientos que desalinearan las fibras que transportan la seal. El arreglo del sensor se muestra en la Fig. 2.

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P elt ier c o ole r / h eat er 3 3 S pe ct ru m s en s it iv e P h o to d ete cto r LED 1a 2 2 1b 4
Figura 2. Arreglo experimental del sensor.

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Las mediciones de temperatura se hicieron en un intervalo de 0-150C. El intervalo de mediciones fue limitado debido a la degradacin del polmero que cubre a la fibra ptica. La Fig. 3 muestra el desplazamiento que sufre el espectro de transmisin del cristal conforme aumenta la temperatura con respecto del tiempo. Tambin se puede ver en esta figura que cada curva muestra un crecimiento lineal en el rango de longitud de onda de 625 a 645 nm. A tales temperaturas la longitud de onda del lser corresponde a la parte ms lineal de las curvas de absorcin.

0.8

1.00

Spectrum density, a.u.

Transmittance

0.6

0.75

0.4

0.50

0.2

0.25

0.0 610

620

630

640

650

0.00 660

Wavelength, nm
Figura 3. Corrimiento del espectro de transmisin con respecto a la temperatura para una muestra recocida 120 min. Las lneas slidas corresponden a la transmitancia, las curvas corresponden a las temperaturas de 10C, 35C, 67C, 80C, 116C, 140C de izquierda a derecha. La lnea punteada corresponde al espectro del LED. .

En la Fig. 4. se ilustra la seal detectada como una funcin de la temperatura en el rango de 0150C. Se puede ver que la seal de salida es prcticamente lineal en el rango de las temperaturas medidas. Se utiliz un esquema simple de deteccin de intensidad directa. No se observaron cambios en las curvas de absorcin al calentar la muestra a una temperatura de 410C durante 24 horas por lo que esta temperatura es la temperatura de recocido del cristal. Teniendo un recubrimiento adecuado de la fibra, el rango de temperaturas que se pueden medir pueden aumentar hasta 370C.

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Figura 4. Seal detectada en funcin de los cambios de temperatura.

IV. SENSOR DE VOLTAJE Se sabe que el efecto de electroabsorcin y el efecto de electrorefraccin asociados con estructuras de baja dimensiones es mucho mayor que en un material bulto, lo que apunta hacia nuevos dispositivos de muy baja energa. Las modificaciones de la absorcin ptica debida a campos elctricos se conoce como efecto. Franz-Keldish. Este efecto predice que el campo aplicado causa un ensanchamiento hacia las bajas energas del espectro de absorcin. El corrimiento hacia el rojo de las curvas resulta en un incremento de la absorcin ptica del material, esto es en semiconductores bulto. Las propiedades pticas se modifican tambin cuando se aplica un campo elctrico a un material semiconductor de bajas dimensiones. La electroabsorcin de nanoestructuras al aplicar campos paralelos al plano de las capas es cualitativamente similar a la esperada en un semiconductor bulto. Pero los efectos de aplicar un campo perpendicular a las capas son diferentes. Cuando se desprecia la interaccin coulombian entre el electrn-hueco al aplicar un campo paralelo a la capas, la electroabsorcin se puede describir como el efecto Franz-Keldish de confinamiento cuntico. Cuando se toma en cuenta la interaccin coulombiana la electroabsorcin se describe por el modelo conocido como efecto Stark de confinamiento cuntico. En el experimento se utiliz una placa de vidrio fosfato dopada con CdSe como elemento sensible, con las mismas caractersticas que la que se utiliz en el sensor de temperatura. El arreglo experimental se puede ver en la Fig. 5. Para las mediciones se utiliz un lser He-Ne con una longitud de onda a 633 nm, con una potencia de salida de 1mW. Al empezar, el haz lser se divide en dos para tener un haz de referencia y el haz que contendr la informacin. Se utiliz un trasformador de 2 A y 1500 V, el cual se conecta al elemento sensible de forma que el voltaje se aplica perpendicularmente a las capas. El haz objeto pasa por la placa de vidrio, mientras se va variando el voltaje con el transformador, para observar los cambios de voltaje se utiliza un

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multmetro. El haz objeto con la informacin es colectado por un detector estndar, mientras el haz de referencia es colectado por otro detector; los dos detectores se encuentran conectados a un osciloscopio y/o a un analizador espectral. En el osciloscopio se comparan las seales del haz de referencia y el haz objeto para determinar los cambios en las seales conforme aumenta el voltaje.

Figura 5. Diagrama esquemtico para medir el voltaje AC aplicado a una muestra de vidrios dopados con nanocristales de CdSe.

En la Fig. 6 se pueden ver los cambios de las curvas de emisin con respecto del voltaje, esto utilizando un analizador espectral. Los corrimientos son hacia las bajas energas. Con los resultados que se obtuvieron se puede ver que la respuesta es lineal con respecto de los cambios de voltaje. Las mediciones preliminares en esta etapa estuvieron limitadas por la fuente de voltaje con la que se contaba. Con un fuente ms potente de al menos 5000 V y un lser con longitud de onda de emisin ms cerca del infrarrojo, se pueden obtener resultados an ms satisfactorios.

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Figura 6. Corrimiento del espectro de transmisin con respecto del voltage aplicado.

V. CONCLUSIONES Se ha presentado el prototipo de un sensor de fibra ptica con un esquema de deteccin de intensidad directa muy simple, basado en un vidrio de fosfato dopado con nanocristales semiconductores de CdSe como elemento sensible. Este material presenta corrimientos lineales de las curvas de absorcin con respecto de la temperatura. Se realizaron mediciones de las curvas de absorcin de del materiales en un rango de temperaturas de 0-150C. En este rango de temperatura el proceso es completamente reversible. Basndose en el efecto Franz-Keldish de confinamiento cuntico se presenta el fundamento terico y el arreglo experimental de un sensor de voltaje de fibra ptica. Para este trabajo se han realizado slo las primeras mediciones con las que se han obtenido resultados positivos, se espera como trabajo futuro terminar las mediciones hasta 5000V.

RECONOCIMIENTOS Este trabajo fue realizado gracias al apoyo otorgado por CONACYT .

REFERENCIAS
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Norris D. J. and and Bawendi M. G., "Measurement and assignment of the size-dependent optical spectrum in CdSe quantum dots",Physical Review B Vol 53, N24 338-346. Parck S. H., Morgan R. A., Hu Y. Z., Lindberg M, Koch S. W., and Peyghambarian N, "Nonlinear optical properties of quantumconfinen CdSe microcrystallites", J. Opt. Soc. Am. B, Vol 7, N 10, 2097-2105 (1990). Miller D. A. B., Chemla D. S., Schmitt- Rink, Relation betwwen electroabsortion in bulk semiconductors and in wuantum wells: The quantum-confined Franz-Keldysh effect. Phys. Rev. B 33, pp 6976-6982 (1986). Miller D. A. B., Chemla D. S., Schmitt- Rink, Electroabsortion of highly confined sistems: Theory of the quantum-confined FranzKeldysh effect. In semiconductors quantum wirws and dots , Appl. Phys. Lett. 52(25), pp 2154-2156 (1988).