Eletrnica Bsica

Aula01: Semicondutor Intrnseco

Bibliografia: Microeletrnica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrnica Vol 1 Malvino

A Eletrnica
Em cursos anteriores, Circuitos Eltricos em CC e CA, estudamos circuitos eltricos. Circuitos eltricos so constitudos de componentes passivos conectados entre por fios. Em um circuito eletrnico de alguma forma o fluxo de corrente pode ser controlado por outro dispositivo, chamado de ativo. De uma certa forma em circuitos eltricos temos dispositivos que controlam o fluxo da corrente, tais como chaves, potencimetros e outros. Em eletrnica a diferena que ao invs de usar fora mecnica para efetuar isso, usamos dispositivos eletrnicos par esse controle. Isto , a eletricidade controlando a eletricidade, essa a principal diferena entre esses dois mundos. A eletrnica fundamentada em dispositivos semicondutores, isto , dispositivos construdos a partir de um tipo de material chamado semicondutor.

Semicondutor Intrnseco
1.1- Introduo Como sabemos os materiais usados em eletrnica se classificam em condutores (Ex: cobre , alumnio, ferro, ouro, prata, etc) e isolantes (Ex: madeira, borracha, ar, vidro, etc), mas existe um outro tipo de material chamado de semicondutor (pois tem resistividade intermediaria entre condutor e isolante) que tambm largamente usado em eletrnica principalmente depois dos anos 50. Estes materiais ao contrario dos condutores tem a sua resistividade alterada quando fornecida algum tipo de radiao (trmica e luminosa principalmente). Devido s suas caractersticas esses materiais so usados construo de diodos, transistores, sensores, circuitos integrados e numa vasta gama de componentes eletrnicos. 1.2 - Semicondutor Intrnseco Que materiais so esses ? Quais as suas principais caractersticas ? Os primeiros semicondutores usados foram o Germnio (Ge) e o Silcio

(Si), mas outros semicondutores j esto sendo utilizados atualmente, como Arsenieto de Glio (AsGa) e outros. Daremos nfase ao estudo considerando os dois primeiros devido maior quantidade de informaes sobre os mesmos. Para entendermos as caractersticas de um semicondutor deveremos fazer uma analise do ponto de vista atmico (tomo). A fig01a mostra a estrutura de um tomo de Si, no qual podemos verificar que o mesmo tem 4 eltrons na camada de valencia (ultima camada). Como essa ultima camada que determinar as propriedades do Si, a partir de agora a s consideraremos o ncleo, positivo e os quatro eltrons da camada de valencia, fig01b

(a)

(b)

Fig01: Estrutura simplificada do tomo de Si

importante observar que o tomo neutro, pois o numero de eltrons igual ao numero de prtons. O Si um cristal, isto , o arranjo geomtrico dos tomos feito de forma regular e ordenada em todas as direes. No caso esse arranjo chamada de cbico, no qual cada tomo se liga com quatro tomos vizinhos atravs de ligaes chamadas de covalentes. A fig02 mostra esse arranjo. (Inicio) No esquecer que na realidade os tomos esto dispostos no espao em 3 dimenses.

Fig02: Estrutura cristalina do Si a 0K ( -273C) - O material se comporta como isolante

temperaturas prximas do zero absoluto (-273C ) o Si se comporta como um isolante porque no existem eltrons livres disponveis para a conduo. medida que a temperatura aumenta a energia que fornecida aos eltrons da ultima camada (camada de valncia ) suficiente para " quebrar" a ligao covalente fazendo com que os mesmos se tornem livres. O extraordinrio desse fenmeno que, alm do eltron que foi liberado, a ausncia desse eltron na ligao covalente pode se comportar como carga eltrica, e chamada de lacuna ou buraco. A fig03 mostra a mesma estrutura da fig02 considerando que algumas ligaes covalentes foram rompidas.A quantidade de energia necessria para quebrar uma ligao depende do semicondutor, no caso do Ge 0,72eV e para o Si 1,1eV, temperatura ambiente. (Inicio)

Fig03: Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0K ( acima de 273C ) - Gerao de pares eltron-lacuna
Se agora for aplicado um campo eltrico (tenso eltrica) ao cristal uma corrente eltrica aparecer. O mecanismo de conduo devido aos eltrons livres j conhecido, expliquemos como o mecanismo de conduo devido a uma lacuna. A fig04a mostra o cristal de Si sendo submetido a um campo eltrico. Os eltrons livres se deslocaro contra o campo eltrico, enquanto as lacunas se deslocaro no mesmo sentido do campo. Mas como isso acontece? A seqncia de figuras a seguir mostra como isso acontece. Na fig4a, num instante t1 temos um eltron livre (circulo preto) e a ausncia desse eltron na ligao covalente (circulo branco). (Inicio)
Instante t1

Fig04a: Cristal de Si submetido a um campo eltrico (tenso eltrica ) num instante t1.
Num instante t2 um eltron de valncia, caso tenha energia suficiente (quem est fornecendo essa energia a fonte externa ) poder ocupar a lacuna, mas ao fazer isso deixa uma lacuna, e assim sucessivamente. As fig04b e fig04c mostram essa seqncia. Ento tudo se passa com se uma carga positiva estivesse se deslocando para a direita do cristal, na realidade so eltrons de valncia que se deslocam no sentido contrrio. Observar que esses eltrons de valncia se transformam em eltrons livres quando entram no metal (no esquea o semicondutor est ligado bateria atravs de fios de cobre!!!). (Inicio)
Instante t2

Fig04b: Cristal de Si

submetido a um campo eltrico ( tenso eltrica ) num instante t2

Instante t3

Fig04c: Cristal de Si

submetido a um campo eltrico ( tenso eltrica ) num instante t3 (Inicio)

A corrente total no cristal ser a soma do fluxo de eltrons com o fluxo de lacunas: IT = Ie + I No caso de um semicondutor intrnseco (puro) o numero de eltrons por unidade de volume (n) igual ao numero de lacunas por unidade de volume (p): n = p =ni, ni a concentrao intrnseca do semicondutor.

Eletrnica Bsica
Aula02: Semicondutor Extrnseco
Bibliografia: Microeletrnica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrnica Vol 1 Malvino

Semicondutores Extrnsecos
O semicondutor visto anteriormente tem como principal caracterstica o fato da concentrao (numero de portadores por cm3) de eltrons livres ser igual de lacunas e o seu nmero ser altamente depende da temperatura. Um semicondutor extrnseco ter algumas de suas caractersticas eltricas (como por exemplo a condutividade) alterada se forem adicionadas impurezas com nveis de concentrao adequados.

Semicondutor Tipo N
O semicondutor tipo N obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas pentavalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Por exemplo adicionando-se o fsforo (P) o qual pentavalente (5 eltrons na camada de valncia), o mesmo substituir um tomo de semicondutor (Ge ou Si). Quatro dos seus eltrons sero compartilhados com quatro tomos vizinhos de Si enquanto o quinto eltron poder se tornar livre em temperaturas muito baixas sem que seja gerado lacuna.

(a)

(b)

Fig01: ( a ) tomo de fsforo ligado a quatro tomos de Si ( b ) quinto eltron livre, gera um on preso estrutura cristalina
Desta forma inicialmente s teremos eltrons livres como portadores de carga, por isso o material chamado de N e a impureza de doadora. Aumentando-se mais ainda a temperatura ser atingida uma temperatura para a qual sero gerados os pares eltron-lacuna. Os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios enquanto as lacunas so chamadas de portadores minoritrios. Se ND a concentrao de tomos da impureza, a concentrao de eltrons livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltronlacuna = taxa de recombinao de pares), nn0, ser dada por:

nn0 ND e a concentrao de lacunas ser calculada aproximadamente por:

(equao 1)

onde ni a concentrao intrinseca de pares eletron-lacuna, valendo 2,5x1013 cm-3 para o Ge e 1,5x1010 cm-3 para o Si a temperatura ambiente de 27C. Como ni depende da temperatura, significar que a concentrao de lacunas ser dependente da temperatura, porm como a concentrao de eltrons livres ser praticamente igual ND ento no depender da temperatura.

Semicondutor Tipo P
O semicondutor tipo P obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas trivalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo deste tipo de impureza o boro (B). Como o boro trivalente os seus trs eltrons de Valencia sero compartilhados com quatro tomos de Si, porm uma das ligaes no ser completada. Essa lacuna poder se comportar como um portador de carga positivo em uma temperatura muito baixa quando um eltron de valncia de um tomo vizinho se deslocar para ocupar aquela vaga.

(a)

(b)

Fig02: ( a ) tomo de boro ligado a quatro tomos de Si ( b ) a vaga (lacuna) preenchida por um eltron de valncia de um tomo prximo, gera um on negativo preso estrutura cristalina
Observe que o eltron que se desloca para preencher a vaga (lacuna) no livre. Do ponto de vista eltrico tudo se passa como se uma carga positiva de mesmo valor que a carga do eltron estivesse se deslocando no sentido contrrio ao movimento do eltron.

Desta forma inicialmente s teremos lacunas livres como portadores de carga, por isso o material chamado de P e a impureza de aceitadora. Aumentando-se mais ainda a temperatura ser atingida uma temperatura para a qual sero gerados os pares eltron-lacuna. As lacunas livres so chamados de portadores majoritrios enquanto os eltrons livres so chamados de portadores minoritrios. Se NA a concentrao de tomos da impureza aceitadora, a concentrao de lacunas livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltron-lacuna = taxa de recombinao de pares), pn0, ser dada por: pn0 NA e a concentrao de eltrons livres ser calculada aproximadamente por:

(equao 2)

Importante lembrar!! os materiais N e P so eletricamente neutros, as cargas livres so neutralizadas pelos ons presos estrutura cristalina.

Juno PN

 obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como existe uma diferena de concentrao de portadores de ambos os lados da juno, inicialmente haver uma difuso de eltrons livres do lado N indo para op lado P e ao mesmo tempo lacunas se difundiro do lado P para o lado N. A conseqncia disso que do lado N aparecero ons positivos no neutralizados e do lado P ons negativos no neutralizados fazendo aparecer uma regio que no tem cargas livres, por isso chamada de regio de depleo. Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se opor difuso de mais portadores majoritrios, lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por IDifuso na figura3. Caso algum portador minoritrio (aqueles gerados pela temperatura), eltron livre do lado P ou lacuna do lado N, se aproxime desta regio, ser acelerados pelo campo ai existente e passar para a outra regio. Esse fluxo representado na figura3 por IDeriva. Na figura3, aps o equilbrio, a soma das correntes atravs da juno zero.isto , IDeriva= IDifuso .

Fig03: Juno PN em aberto mostrando as duas correntes (difuso e de deriva)

Juno PN com Polarizao Reversa

Quando for aplicado uma tenso com a polaridade indicada na figura4, a largura da regio de depleo aumentar, aumentado a altura da barreira de potencial dificultando mais ainda a passagem dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. A nica corrente existente a corrente devido aos portadores minoritrios os quais dependem unicamente da temperatura, desta forma esta corrente tambm chamada de corrente reversa de saturao (Is) s depender da temperatura sendo da ordem de nA (Si) ou uA (Ge). Observe que essa corrente ajudada pelo campo eltrico que se estabelece na regio de carga espacial.

Fig04: Juno PN com polarizao reversa

Juno PN com Polarizao Direta

Quando for aplicado uma tenso com a polaridade indicada na figura5, a largura da regio de depleo diminuir, diminuindo a altura da barreira de potencial facilitando o deslocamento dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. Inicialmente toda a tenso estar aplicada diretamente na regio da juno, baixando a barreira de potencial, e a queda de tenso no material N e P desprezvel. A corrente controlada pela variao da altura da barreira. A medida que a corrente aumenta, a tenso externa se distribui entre o material e a barreira. A partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela resistncia direta do material (a corrente no diodo passa a ter um comportamento aproximadamente linear com a tenso). Colocando adequadamente terminais de contato em ambas as extremidades teremos um componente chamado de diodo de juno. Ateno !! No foi indicado, mas para limitar a corrente no circuito necessrio colocar em serie com o diodo uma resistncia hmica, caso contrrio a corrente pode aumentar em demasia destruindo o componente por efeito Joule. A corrente s aumentar efetivamente quando a tenso aplicada entre os terminais exceder aproximadamente de 0,6V a 0,7V( para diodo de Si), quando a barreira de potencial ser vencida.

direta

Fig05: Juno PN com polarizao

Observe que a corrente total atravs da juno (I) ser constituda de duas componentes, a corrente de saturao mais a corrente de difuso, sendo que a de difuso muito maior que a de saturao.Desta forma: I= ID - IS = ID A equao da corrente atravs da juno dada por:

onde Is a corrente reversa de saturao, V a tenso aplicada na juno, n vale aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si e VT uma constante que depende da temperatura valendo 26mV na temperatura ambiente (T=300 Kelvin). Se V for positivo e muito maior que 26mV, o diodo estar polarizado diretamente e nesse caso a expresso acima se reduz a: Se V for negativo e muito maior que 26mV (em modulo) o diodo estar polarizado reversamente e a expresso acima se reduz a:

http://www.standrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/passive /diode/diode.htm http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe .html

Curva Caracterstica do Diodo

O grfico a seguir mostra a corrente em funo da tenso aplicada em um diodo de juno para o caso de diodo de silicio (Si)

Fig06: Curva caracteristica de um diodo de Si Podemos notar que o grfico tem 3 regies:
1. Regio de polarizao direta: vd > 0 2. Regio de polarizao reversa: vd<0 3. Regio de ruptura: vd< -VBK

Polarizao Direta Em polarizao direta a expresso matemtica : (equao 3)

IS=corrente de saturao = constante para uma dada temperatura

(equao 4)

VT chamada de constante termica K= constante de Boltzmann T a temperatura absoluta (0K) q o valor da carga do eltron (q=1,6.10-19C) Substituindo os valores numericos das contantes na expresso resultar VT=25mV na temperatura ambiente (250C)

n=1 para diodos construidos em CI e 2 para diodos discretos Para V<0 e algumas vezes maior do que 25mV a expresso de id ser aproximadamente igual a -IS Regio de Ruptura VD <VBK=tenso de ruptura (Breakdown) Se o diodo consegue dissipar a potencia pode operar nessa regio o caso do Diodo Zener, caso contrario ocorre a destruio do diodo. Deve ser evitado operar prximo desta regio

Diodo de Juno
Um diodo um dispositivo construdo a partir de uma juno PN, portanto deixar que a corrente passe somente num nico sentido quando adequadamente polarizado (polarizao direta), bloqueando a corrente quando a polaridade da tenso inverter (polarizao reversa). Obs: No iremos detalhar a parte fsica do diodo, ficando a seu critrio

buscar essas informaes na bibliografia que adotada. A Fig01 mostra o diodo com a indicao dos dois terminais , anodo(A) e catodo (K), o simbolo, e o diodo em polarizao direta e polarizao reversa bem como aspecto fisico de diodos comerciais.

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

Fig01: ( a ) Aspectos construtivos ( b ) Smbolo ) ( c ) Diodo polarizado diretamente - ( d ) Diodo polarizado reversamente ( e ) exemplos de diodos comerciais

Diodo Polarizado Diretamente . Para o diodo conduzir, mesmo em polarizao direta, necessrio que a tenso da bateria seja de pelo menos 0,7V (para vencer a barreira de potencial). Em conduo um diodo apresenta uma queda de tenso de

aproximadamente 0,7V( diodo de Si). No circuito a seguir a corrente no circuito de aproximadamente 11,3mA.

Fig02: Circuito com o diodo polarizado diretamente

Diodo Polarizado Reversamente Com polarizao reversa a corrente no diodo ser muito baixa (da ordem de nA para diodos de Si), de forma que do ponto de vista prtico ser zero. Esta corrente reversa tambm chamada de corrente de fuga s depende de aspectos construtivos (dopagem) e da temperatura (dobra de valor para cada 10 graus de aumento na temperatura). Observe que quando polarizado reversamente toda a tenso da fonte cair entre os terminais do diodo, que dever ter capacidade para suportar essa tenso reversa, caso contrrio pode ocorrer um fenmeno chamado de avalanche o que pode levar destruio do diodo. Clique no circuito para obter o ARQUIVO

Fig03: Circuito com o diodo polarizado reversamente

Modelos (Circuitos Equivalentes) para o Diodo

Modelar um dispositivo eletrnico, usar componentes bsicos tais como resistncias, fontes de tenso. fontes de corrente e capacitncias para representa-lo, permitindo desta forma que possamos usar as leis de circuito para estuda-lo. O construtor de um simulador modela um componente eletrnico a partir das informaes fornecidas pelo fabricante do componente, desta forma ao simular um circuito os resultados sero semelhantes aos obtidos em um circuito real. Modelo 1 - Diodo Ideal O modelo mais simples do diodo considera-o como sendo uma chave que controlada pela tenso aplicada no diodo. Se a tenso positiva a chave fecha, se negativa a chave abre. O diodo se comporta de forma ideal. A figura a seguir mostra a curva caracteristica

Fig04: Curva caracterstica do diodo ideal

A figura a seguir mostra dois circuitos, com diodo e com a chave fechada representando o diodo. Como podemos notar existe uma diferena entre as duas medidas, mas o erro pode ser desprezado.

(a)

(b)

Fig05: ( a ) Circuito com diodo ( b ) circuito com o modelo simplificado (chave fechada) Arquivo MicroCap
A pergunta que fica : Podemos usar esse modelo sempre? Vamos responde-la considerando outro exemplo. Consideremos que a bateria do circuito da figura5 muda de valor, passando a valer1,5V. Resulta o circuito da figura6.

(a)

(b)

Fig06: ( a ) Circuito com diodo ( b ) circuito com o modelo simplificado inadequado Arquivo MicroCap
Observe que neste caso o erro entre as duas corrente de aproximadamente 100% . Neste caso no podemos mais usar o modelo da chave fechada para representar o diodo. devenos melhorar o modelo Modelo 2 - Bateria O modelo anterior pode ser melhorado considerando-se que ao conduzir o diodo pode ser substituido por uma bateria de 0,6V. Se a tenso aplicada no diodo for maior que 0,6V o diodo ser substituido por uma bateria de o,6V. Para uma tenso menor que 0,6V o diodo ser um circuito aberto.

Fig07: Modelo que considera a barreira de potencial

A figura a seguir mostra as medidas em um circuito com diodo e no circuito equivalente com a bateria de 0,6V substituindo o diodo.

(a)

(b)

Fig08: ( a ) Circuito com diodo ( b ) circuito com o modelo com bateria Arquivo MicroCap
Como podemos observar os valores so muito prximos. O modelo anterior pode ser melhorado mais ainda se substituirmos o diodo por uma bateria em serie com uma resistncia (resistncia CC do corpo do diodo) para v>0,6V. Modelo 3 - Bateria e Resistncia (modelo linearizado por trechos de retas) A figura a seguir mostra a curva caracterstica linearizada por dois trechos de reta.

Fig09: Linearizao da curva caracterstica

A figura a seguir mostra as medidas em um circuito com diodo e no circuito equivalente com a bateria de 0,6V em serie com uma resistncia de 50 Ohms substituindo o diodo.

Fig10: ( a ) Circuito com diodo ( b ) circuito com o modelo linearizado por trechos de reta Arquivo MicroCap
Observar que os resultados so muito prximos, desta forma o modelo a a ser adotado depende dos valores da bateria e da resistncia do circuito. Se a tenso da fonte for muito maior do que 0,6V podemos usar o modelo simplificado, caso contrario deve ser usado o penltimo ou o ultimo modelo. Determinao do Ponto Quiescente usando o Modelo O ponto quiescente pode ser determinado atravs do modelo.

Por exemplo, se usarmos o modelo 2 (bateria) a corrente pode ser estimada por:

Fig11: Determinando o ponto quiescente analiticamente usando o modelo de bateria arquivo Microcap

Determinao do Ponto Quiescente Atravs da Analise Grfica O ponto quiescente pode ser determinado graficamente se a curva caracterstica for conhecida. Na figura 11 a equao do circuito :

(a )

(b)

Fig12: ( a ) Determinando graficamente o ponto quiescente ( b ) detalhe

Experincia 01 - Diodo (Inicio) 1) Abra o arquivo ExpEG01 Microcap8 ou ExpEG01 Multisim2001 ou ExpEG01 Multisim9 identifique os circuitos da Fig01. Ative-os anotando as correntes e a tenso no diodo para as duas situaes indicadas. Polarizao direta

I(calc)=_________ I(med)=________ Polarizao Reversa IS(modelo)=_________ IS(Med)=________ Obs: IS(modelo) a corrente de fuga quer voc obtm quando d duplo clique no simbolo do diodo e entra no modelo. 1.1) Os arquivos a seguir so dois circuitos onde a fonte de alimentao (1,5V) da mesma ordem de grandeza da tenso de conduo do diodo (0,6V) Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo Simplificado Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo com Bateria Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo com Bateria e Resistencia (modelo linearizado) 1.2.) Os arquivos a seguir so dois circuitos onde a fonte de alimentao (100V) muito maior do que a tenso de conduo do diodo (0,6V) Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo Simplificado Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo com Bateria Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8 - Modelo com Bateria e Resistncia (modelo linearizado 2) Qual a sua concluso ?

Aplicaes Bsicas de Semicondutores

Retificadores
A maioria dos circuitos eletrnicos (celulares, videogames, rdios, TV,etc) necessita para o seu bom funcionamento que sejam alimentados com tenso continua (CC), e como a tenso disponvel nas tomadas alternada (CA), ser necessrio converter essa tenso CA em tenso CC. A fonte de alimentao CC completa consiste de um conversor CA/CC, tambm chamado de retificador, de filtro e por ultimo de regulador. Teoricamente a tenso na sada deve ser perfeitamente continua , mas na pratica existe uma ondulao ou riplle. Uma medida da eficincia desses circuitos dada pelo fator de ripple () definido como sendo: Para exemplificar consideremos a forma de onda da figura 13 que uma tenso continua de 8V na qual foi adicionada uma tenso senoidal de 1V de pico (V=8+1.sen(.t)).

Figura 13:Exemplificado o ripple

Para a forma de onda da figura 13 o ripple tem 1V de pico e 0,707V de valor eficaz como a tenso media (continua) vale 8V o fato de ripple vale:

Alm do fator de ripple existem outros parmetros para caracterizar uma fonte de alimentao: Eficincia ()

Fator de Forma (FF)

Fator de Pico (FP)

Retificador de Meia Onda

Em um retificador de meia onda somente o semi ciclo positivo aparece na carga, figura 13a. O secundrio do transformador na figura 13A fornece

uma tenso senoidal de valor de pico igual a Vep. Quando a tenso de entrada for maior do que 0,7V o diodo conduz e a tenso na carga ser igual a Ve - 0,7V. Quando a tenso de entrada for negativa o diodo corta (circuito aberto) e a tenso na carga ser igual a zero. As figuras 2.1b, 2.1b e 2.1c representam respectivamente a forma de onda no secundrio, na carga e no diodo. No circuito da Fig13a, no semiciclo positivo o diodo estar polarizado diretamente e, numa primeira aproximao, se comportar como uma chave fechada. portanto toda a tenso da fonte estar aplicada na carga. No semiciclo negativo o diodo estar polarizado reversamente, portanto o diodo estar cortado, se comportando como uma chave aberta.

(a)

(b)

(c)

(d)

Fig13: ( a ) Circuito retificador de meia onda - ( b ) Circuito equivalente no semi ciclo positivo - (c ) Circuito equivalente no semi ciclo negativo ( d ) Forma de onda na carga considerando diodo ideal.

Observe que o diodo s conduz quando a tenso de entrada positiva (semiciclo positivo), pois nessas condies o diodo estar polarizado diretamente. Para a forma de onda da sada interessa saber o seu valor mdio (valor contnuo - valor medido por um voltmetro para CC). Se o valor de pico da senide (vide curso de CA) de entrada VM, o valor mdio da tenso na carga ser dado por: VDC=Vpico/ A tenso mdia (VDC ) a tenso medida por um voltmetro CC. Para essa mesma forma de onda o seu valor eficaz (tenso medida por um voltimetro True RMS) dada por: VRMS =Vp/2 Se a amplitude da senoide for da ordem de grandeza da barreira de potencial a tenso na carga no comea no mesmo instante que a tenso de entrada, alem disso as amplitudes das duas tenses sero visivelmente diferentes. A figura a seguir mostra esse efeito. Neste caso no calculo ca tenso media e eficaz deve ser descontado 0,7V no valor de pico da tenso na carga.

Fig14: Formas de onda de entrada e sada quando a entrada da ordem de grandeza da barreira de potencial
O fator de ripple do circuito vale 1,21 ou 121% A seguir alguns dos dados obtidos de um manual de diodo que podem ser teis no projeto de uma fonte de alimentao, lembrando que para maiores informaes procurar o manual completo. Tabela I: Alguns valores limites para um diodo comercial
MAXUMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Caracteristicas Eltricas e mximos limites) SYMBOLS

1N4001 1N4002

1N4003 UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage (Mxima tenso de pico repetitive) Maximum Average Forward Rectified Current (Mxima corrente media)

VRRM

50

100

200

IAV

1,0

Por exemplo: Considere que no circuito da figura 13a 12V, e a carga de 100 Ohms. Para essa tenso o valor de pico vale: Vep=12x1,41=17V A tenso media na carga valer:

a tenso secundaria

A corrente media na carga valer:

Pode ser usado qualquer um dos diodos da tabela I, pois IAV=1A>ICC=26mA e VRRM=50V (mnimo)>17V Experincia02 - Retificador de Meia Onda 1) Abra o arquivo ExpEG02 MicroCap8 ExpEG02 Multisim2001 e identifique o circuito da figura a seguir. Ative o circuito e anote as formas de onda de entrada e na carga (1K) e os valores da tenso mdia (VDC) na carga e da corrente mdia (IDC) na carga. Compare com os valores tericos (calculados).

Fig15: Circuito retificador de meia onda

Tabela I Valores Calculados VDC IDC Valores Medidos VDC IDC

2) Concluses:

Aula04: Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

Bibliografia: Microeletrnica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrnica Vol 1 Malvino

Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo
A colocao de um capacitor em paralelo com a carga melhora o desempenho do circuito atravs da diminuio do ripple (flutuao da tenso ao redor de um valor mdio) e do aumento na tenso contnua (para um mesmo valor de tenso alternada). A Fig01 mostra uma forma de onda senoidal variando ao redor de um nivel DC (Offset).

Fig01: Forma de onda senoidal com ripple

Obs: Para um ripple pequeno (VRipple <<<< VP ) a expresso do ripple pode ser dada aproximadamente por :

onde VP o valor de pico da tenso alternada, C o valor do capacitor, f a freqncia do riplle (meia onda 60Hz e onda completa 120Hz), e R o valor da carga. A Fig02a mostra o circuito e a Fig02b a forma de onda na carga (RL).

(a)

(b)

Fig02: ( a ) Retificador de meia onda com filtro capacitivo ( b ) Formas de onda de entrada (azul) e saida (vermelho)b
Experincia 03 - Retificador Meia Onda com Filtro Capacitivo 1) Abra o arquivo ExpEg03 Multisim2001 ou ExpEg03 Multisim9 e identifique o circuito da Fig03 (Abaixo). Ative-o. Anote a forma de onda na carga, medindo o valor mdio da tenso (compare com o valor sem capacitor) e o ripple (coloque a chave de entrada em AC para medir s ripple) para a chave nas duas posies (C1 e C2).

Clique aqui para obter o arquivo MicroCap8

Fig03: Retificador meia onda com filtro capacitivo- circuito para a experincia 03
2) Medindo a Ondulao (ripple ) para diferentes valores de capacitor de filtro. Para cada valor de C mea a ondulao. Dica: coloque a chave de entrada em AC e escolha uma escala adequada de Volts/Div C1=20uF ripple (medido)= VDC (medido)= C2=500uF ripple (medido)= VDC(medido)= Lembre-se!! A expresso do ripple s vlida se o mesmo for muito menor do que o valor de pico da tenso senoidal. ripple (estimado) = ripple (estimado) =