O QUE UM TRANSISTOR JFET?

? O transistor de efeito de campo de juno, JFET, um dispositivo de trs terminais utilizado em vrias aplicaes, como: pr-amplificador de vdeo para cmeras de TV, estgios amplificadores de RF para receptores de comunicaes, instrumentos de medio, etc. e que realiza muitas das funes do transistor bipolar de juno (BJT). A sigla JFET significa Junction feld Effect Transistor (transistor de juno com efeito de campo). Este nome deriva do fato de que a maioria dos portadores de cargas fluindo atravs do Transistor so ou somente eltrons (corno no caso do transistor JFET com canal N) ou apenas lacunas (como no caso do transistor JFET com canal P). Ou seja, um tipo unipolar de transistor.

O material de tipo P chamado regio da porta e o material de tipo N chamado o canal deste transistor. A diferena entre os transistores JFET com canal N e com canal P que o fluxo de corrente atravs do transistor JFET canal P consiste de lacunas e no de eltrons. Mas, apesar dos portadores de carga dentro do transistor JFET do tipo P serem lacunas, a corrente do circuito externo ao transistor JFET consiste de eltrons. As trs partes ou os contatos deste transistor so chamados de fonte, porta e o dreno. Comparando estes trs elementos com aqueles de uma vlvula triodo, podemos assimilar: Fonte..Catodo PortaGrade Dreno...Placa Os contatos denominados de Dreno(D) so onde as cargas eltricas saem. As Fontes(S), por onde as cargas eltricas entram e o terminal Gate(G) o que faz o controle da passagem das cargas.

um dispositivo controlado por tenso. A corrente ID depende diretamente da

tenso VGS aplicada ao circuito de entrada, o contrrio dos transistores tipo BJT.

Simbologia:

Caractersticas mais Importantes do JFET: Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n necessrio que se produza uma polarizao reversa das junes da porta, provocando desta forma um aumento na regio de depleo destas junes e em decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de porta, e conseqentemente, alta impedncia. Curvas Caractersticas: O comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de transcondutnica.

Outras Caractersticas: Os transistores JFET apresentam menores ganhos em relao aos transistores BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica; geometricamente, os comparados com JFET tm dimenses menores quando os transistores BJT.

COMO ELE POLARIZADO? O JFET pode estar polarizado na zona hmica ou na zona activa. Quando o polarizamos na zona hmica, comporta-se como uma resistncia; na zona activa comporta-se como uma fonte de corrente. Em um transistor bipolar polarizamos diretamente o diodo base-emissor, porm, em um JFET, sempre polarizamos reversamente o diodo porta-fonte. Por causa da polarizao reversa, apenas uma pequenssima corrente reversa pode existir no terminal da porta. Como uma aproximao, a corrente de porta zero, isso implica que o JFET tem uma resistncia de entrada infinita. A realidade que IG no absolutamente zero, ento a resistncia de entrada no absolutamente infinita. Mas ela bastante alta. Um JFET tpico tem uma resistncia de entrada de centenas de megaohms. Num transistor JFET com canal N, a porta negativa e o dreno positiva e o dreno negativo. APRESENTE TRS EXEMPLOS DE POLARIZAO: Existem 3 processos bsicos de polarizar o FET: 1. Polarizao em tenso constante (VGS) 2. Polarizao em corrente constante (ID) 3. Auto-polarizao (ou polarizao de fonte) que tem a vantagem de s necessitar de uma fonte de alimentao. 1. POLARIZAO EM TENSO CONSTANTE (VGS): O esquema representado na figura abaixo (15a) mostra um circuito com J-FET, polarizado por divisor de tenso, semelhante ao usado para os transstores bipolares. positivo com relao fonte. E nos Transstores JFET com canal P so normalmente operados com a porta

Aplicando o teorema de Thvenin na gate do transstor, obtemos o circuito representado na figura 15 (b). Neste caso, o teorema de Thvenin sempre aplicvel, uma vez que desprezamos a corrente de gate. Por isso a corrente em R1 sempre igual corrente em R2. Ento temos:
R2 U G = U Th = ------------ U DD R1 + R 2

15(a)

15(b)

Analisando o circuito, obtemos:

U Th + U GS + R S I D = 0 I D = U Th U GS -----------------RS

Se UTH for muito maior do que UGS, a corrente de dreno ser proximadamente constante, mesmo para curvas de transcondutncia distintas, como mostra a figura 16. De referir que, para esta anlise simplificada, so conhecidos dois pontos do grfico, obtidos da equao anterior.

Figura 16

Para ID = 0

UGS=UTh

Para UGS = 0

ID = UTh RS

Tendo a curva de transcondutncia, podemos representar a recta, obtendo-se os pontos extremos de funcionamento do circuito ou s um ponto, no caso de termos uma curva.

2. POLARIZAO POR FONTE DE CORRENTE: Um dos problemas com que nos deparamos ao longo da anlise dos J-FETs o de encontrar uma forma de polarizao que permita, mesmo para variaes considerveis da tenso UGS, manter a corrente ID, aproximadamente constante. Se ligarmos source de um J-FET um transstor bipolar a funcionar desta forma, consegue-se que a corrente ID seja independente de UGS.

A corrente da fonte dado por: IE = U EE U BE RE

A figura acima mostra a polarizao de um J-FET utilizando duas alimentaes,sendo uma delas usada para polarizar o emissor do transistor bipolar, originando assim uma corrente de emissor praticamente constante, uma vez que funciona como fonte de corrente. Como o colector do bipolar est ligado source do J-FET, ento a corrente de dreno lD praticamente constante, qualquer que seja a tenso UGS, como se representa na figura abaixo.

3. AUTOPOLARIZAO

A figura abaixo mostra a polarizao do transstor utilizando apenas uma fonte de alimentao. A queda de tenso que se verifica na resistncia da fonte origina a polarizao inversa como se pode analisar, circulando na malha de entrada.

Como UGG = 0 V e como a corrente de gate desprezvel, obtm-se a seguinte equao:

U GS + R S I D = 0

Esta equao representa uma RS recta que passa na origem e tem um declive 1 / RS. Ento o P.F.R. ser dado pela interseco da recta com a curva de transcondutncia.Podemos calcular o P.F.R. utilizando a equao da recta de autopolarizao e a equao de transcondutncia.
2 ID = I DSS 1 U GS ------------U GS,corte e ID = U GS ----------RS

U GS

Resolvendo este sistema de duas equaes, obtemos dois resultados para quaisquer das grandezas em anlise, uma vez que so obtidas atravs de uma equao quadrtica. A soluo escolhida dever estar de acordo com o funcionamento do circuito, isto :

UP < UGS < 0 e 0< ID < IDSS

Utilizando a frmula resolvente ou uma mquina de calcular, obtm-se as duas solues para UGS e utilizando o valor correcto substitui-se numa das equaes iniciais e obtemos o valor de lD, ficando o P.F.R. calculado.Este processo matemtico muito trabalhoso, pelo que se tivermos a caracterstica de transferncia ( curva de transcondutncia ) dada pelo fabricante, podemos utilizar o processo grfico indicado a seguir:

O QUE UM TRANSISTOR MOSFET?

Desde o final de 1970, um tipo particular de FET, o transstor de efeito de campo com metal xido de semicondutor (MOSFET), tornou-se extremamente popular. Comparando com os BJTs, os transstores MOS podem ser feitos com dimenses muito pequenas (isto , ocupando uma pequena rea do silcio na pastilha do CI), e seu processo de manufactura relativamente simples. Alm disso, funes lgicas digitais e memrias podem ser implementadas com circuitos que usam exclusivamente MOSFETs ( isto , no h necessidade de resistncias ou dodos ). Por essas razes, a maioria dos circuitos integrados em escala muito alta de integrao (VLSI) so feitos actualmente usando-se a tecnologia MOS. Inclumos exemplos das pastilhas de microprocessador e de memria. A tecnologia MOS tem sido aplicada tambm extensivamente no projecto de circuitos integrados analgicos. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Existem dois tipos de transstores MOS: empobrecimento ou depleo (depletion) enriquecimento (enhancement) Os de tipo empobrecimento so anlogos aos JFET. Sem aplicao de qualquer tenso gate para uma tenso fixa de dreno, conduzem corrente mxima, que diminui ao serem aplicadas tenses gate. Dai que tambm sejam designados por autocondutores ou normally-on. Os do segundo tipo, designados por enriquecimento, no conduzem a uma tenso de gate nula. A amplitude da corrente aumenta por aumentos da tenso de gate. Analogamente, tambm so designados por autobloqueados ou normally-off . Nos dois tipos, o substrato pode ser tipo P ou tipo N. Quando o canal de tipo N assumem a designao de NMOS, e de PMOS quando tipo P (substrato tipo N). Se a impedncia de entrada de um Jfet no for suficientemente alta, podemos usar um Mosfet, tipo deplao como:

Como Buffer; Como Amplificadores GC; Baixo rudo; O mosfet tipo intensifiao amplamente usado como uma chave porque normalmente desligada.

SIMBOLOGIA: Tipo Depleo normalmente ligado:

Tipo Intensidade normalmente desligado

Fonte: Porque os eltrons livres entram no dispositivo nesse ponto. Dreno: Por onde os eltrons livres saem; Substrato ou corpo (o quarto terminal); Porta = gate - SiO2 = dixido de silcio = isolante (mesmo que vidro).

Particularidades dos Transistores MOSFET: 1) Altssima impedncia de entrada (no JFET por causa da polarizao

reversa, no MOSFET por causa da isolao promovida pelo xido); 2) Acmulo excessivo de cargas nas extremidades da finssima camada de xido de silcio, estabelecendo uma ddp que pode danific-la. necessrio manter os terminais do MOSFET em curto at o momento da insero do componente no sistema. 2. COMO ELE POLARIZADO? O MOSFET do tipo Depleo basicamente pode operar em ambos os modos: Depleo ou intensificao. Portanto, todos os mtodos de polarizao vistos para o JFET podem ser usados para polarizar um MOSFET do tipo depleo. Estes mtodos so: Polarizao da porta, autopolarizao, polarizao por divisor de tenso e polarizao por fontes de corrente. Alm de todos estes mtodos,o MOSFET do tipo depleo pode ser polarizado por outro mtodo conhecido por Polarizao zero. Para polarizar o MOSFET tipo intensificao, tambm so vlidos os mtodos de polarizao da porta e por divisor de tenso, visto anteriormente para o JFET, lembrando que a tenso da porta, neste caso, deve ser contrria do JFET, isto , para o MOSFET de canal N, a tenso da porta deve ser positiva em relao tenso da fonte. Alm destes dois mtodos, o MOSFET tipo fortalecimento permite um outro mtodo de polarizao conhecido como Polarizao por Realimentao do Dreno. 3. APRESENTE TRS EXEMPLOS DE POLARIZAO: POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO: Tendo j induzido um canal, aplicando uma tenso vDS positiva entre o dreno e a fonte, considerando, primeiramente, o caso em que vDS pequena (digamos, 0,1 ou 0,2V), a tenso vDS faz com que flua uma corrente iD no canal n induzido. Esta corrente constituda por electres que viajam da fonte para o dreno. A grandeza de iD depende da densidade de electres no canal, que, por sua vez, depende da grandeza de vGS. Concretamente, para vGS =

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Vt o canal est limiarmente induzido pelo que a corrente ainda muitssimo pequena. medida que vGS se torna maior do que Vt, mais electres so atrados para o canal. Podemos visualizar o aumento de portadores de carga como um aumento da profundidade do canal. De facto, a condutncia do canal proporcional tenso da porta em excesso (vGS - Vt). Decorre, assim, que a corrente iD ser proporcional a vGS Vt.

POLARIZAO COM REALIMENTAO DE DRENO PORTA: Liga-se uma resistncia RG, geralmente muito grande, entre o dreno e a porta de um MOSFET de enriquecimento. Como a corrente da porta praticamente nula, a tenso contnua da porta ser igual tenso contnua do dreno. Esta condio significa que o transstor funciona seguramente na regio de saturao (VGD = 0 < Vt) mas bvio que esta configurao no poder ser utilizada com transstores de depleo, incluindo JFETs. Para calcular o ponto de funcionamento esttico do circuito, consideremos as caractersticas iD-vGS do MOSFET. Para esse circuito, podemos escrever VDS = VDD - RD iD ou, equivalentemente, ID=VDD _ 1 .vDS RD RD

mais adequado determinar os valores de iD e de vDS no ponto de funcionamento resolvendo o sistema formado e pela equao que descreve o lugar geomtrico dos pontos vDS = vGS, i.e., iD = K (vDS - Vt)

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CIRCUITOS COM FETS EM CORRENTE CONTNUA: Projetando um circuito por forma que o transstor funcione com ID = 0,4 mA e VD = +1 V. O transstor NMOS tem Vt = 2 V, n Cox = 20 A/V2, L = 10 m e W = 400 m. Desprezando o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admitamos que = 0). O parmetro de condutncia K K = 1/2 (20) (400/10)= 400 mA/V = 0,4mA /V

Uma vez que VD = 1 V, o transstor est em saturao, usaremos a expresso da regio de saturao de iD para determinar o valor requerido para vGS, ID = K (VGS Vt) 0,4 = 0,4 (VGS - 2) Esta equao conduz a dois valores para VGS, 1 V e 3 V. O primeiro valor no faz sentido uma vez que menor do que Vt. Assim, VGS = 3 V. Nota-se que a porta est massa, logo a fonte deve estar a -3 V.

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BIBLIOGRAFIA

Site acessados entre os dias 19 de outubro e 22 de maro de 2011:

http://www.josematias.pt/Alunos/TextoTransistorJFET.pdf http://pasta.ebah.com.br/download/transistores-unipolares-jfet-mosfetdoc-2054 http://www.radiopoint.com.br/fet.htm http://www.almhpg.com/public/apostilas/tr_fet/fet.htm http://www.dee.feb.unesp.br/~alceu/Apostila%20EletrDig%20Parte %202.pdf http://www.getec.cefetmt.br/~luizcarlos/Tele/Receptor%20AM %20FM/Eletr%F4 nica%20Digital%203.doc http://www.universia.com.br/mit/6/6071/PDF/f02-lec17_val.pdf http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/E1_Cap5.pdf http://www.dee.ufcg.edu.br/~gutemb/Apostila%20Eletronica.pdf http://www.josematias.pt/Alunos/TextoTransistorJFET.pdf http://www.dee.feb.unesp.br/~alceu/Apostila%20EletrDig%20Parte %202.Pdf MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books, 1997.

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