(SD)Secure Digital es un formato de tarjeta de memoria flash desarrollado por Matsushita, SanDisk y Toshiba (luego asociadas en la SD CardAssociation) para

ser usado en dispositivos porttiles. Fue concebido para competir con las MemoryStick de Sony lanzadas en 1998. Es ampliamente utilizado en cmaras digitales, handhelds, PDAs, celulares, aparatos GPS y consolas de videojuegos. El nombre "Secure" (Seguro) proviene de la encriptacin por hardware agregada por Toshiba a las existentes tarjetas MMC, para calmar a la industria musical, preocupada por la facilidad de piratear msica con las tarjetas MMC (caracterstica comparable al MagicGate utilizado en las MemoryStick de Sony). De todas maneras esta caracterstica es raramente usada. Caractersticas generales de las tarjetas Secure Digital Las tarjetas Secure Digital estn basadas en las tarjetas MultiMediaCard (MMC), pero con considerables diferencias: * Las tarjetas SD no pueden insertarse al revs nunca, a diferencia de las MMC. * Las tarjetas SD son ms delgadas que las MMC. * Los contactos estn apartados bajo la superficie de la tarjeta (como las MemoryStick) para proteger del contacto con los dedos. Algunas versiones poseen una tab o marca en su lado izquierdo que permite habilitar o no la escritura en la tarjeta SD. Generalmente utilizan un sistema de archivospreformateado a FAT32. De todas maneras, la tarjeta puede ser reformateada a cualquier sistema soportado por el sistema operativo. No es necesaria la defragmentacin de la memoria, no se acelera la lectura-escritura de la tarjeta; de hecho, reduce su tiempo de vida til. Los nmeros de las tarjetas SD Las dimensiones de la tarjeta SD estndar son: 24 mm 32 mm 2.1 mm con 2 gramos de peso. Operan en voltajes de 2.7 y 3.6 V y poseen 9 pines. Las tarjetas SD card permiten almacenar de 6 MB a 2 GB, y 4 GB a 32 GB para las tarjetas SDHC. El cambio de formato para permitir almacenamiento superior a los 2 GB (el cambio a las SDHC), ha creado problemas de compatibilidad con dispositivos an tiguos que no pueden leer el nuevo formato. Esto es porque las tarjetas SDHC tienen el mismo tamao fsico y forma que las viejas, causando confusin en los consumidores. Existen diferentes velocidades disponibles para las tarjetas SD. La velocidad se mid e en mltiplos de 150 KB/segundo. Velocidad de 1x equivale a 150 KB/s. Las tarjetas SD bsicas tienen una velocidad de 6x (0,9 MB/seg)

Las tarjetas SD de alta velocidad alcanza los 66x (10 MB/seg), y las tarjetas de ms alta velocidad alcanzan los 150x o superior. Compatibilidades Las tarjetas miniSD y microSD pueden insertarse en los slots de las tarjetas SD comunes utilizando un simple adaptador pasivo. En tanto, con un adaptador activo, las tarjetas SD pueden ser usadas en slots de tarjetas CompactFlash y PC Card. Tambin existen lectores de tarjetas para que puedan conectarse a las computadoras a travs de los puertos USB, FireWire y puerto paralelo. Incluso hay adaptadores para que puedan ser ledas a travs de unidades de discos flexibles (adaptador FlashPath). El formato SD es lo suficientemente abierto como para que otras empresas puedan acceder al contenido de las tarjetas SD. De todas maneras el formato SD es menos abierto que los CompactFlash o las unidades de memoria flash USB, que pueden ser implementadas gratuitamente, pero requieren pagar licencia para asociar logos y marcas al producto. En cambio, SD es ms abierto que el MemoryStick de Sony, del cual no existen documentacin disponible. Otros tipos de tarjetas Secure Digital/MMC * miniSD * microSD * SDHC (Secure Digital High Capacity) * miniSDHC * microSDHC De otros fabricantes: * SD Plus: integra conector USB. * Eye-Fi: tarjeta SD con capacidades Wi-Fi. * CapacityDisplay: la empresa A-DATA anunci una tarjeta SD con pantalla propia que indica cunto espacio libre queda en la misma. * Gruvi: un raro tipo de microSD con caractersticas DRM extras. Definicin de memoria Smart Media SM proviene de ("Smart Media") y su traduccin significa multimedia inteligente. Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND arriba descrita, la cul est diseada para ser colocada como soporte de memoria en pequeos dispositivos electrnicos como cmaras digitales principalmente, las cules cuentan con una ranura especifica para ello. Compiti en el mercad o con otros formatos como tarjetas Compact Flash Microdrive. Pero fue desplazada. La tecnologa de memorias "Smart Media" ya ha sido descontinuada y es difcil encontrarlas nuevas en aparador.

Definicin de memoria flash - NAND Es una tecnologa desarrollada en la empresa Toshiba; se basa en celdas de memoria NAND de tipo no voltil. Este tipo de celdas permiten conservar guardada info rmacin sin necesidad de alimentacin elctrica hasta por 10 aos y dependiendo el tipo de chip instalado, soportan como mnimo 10,000 ciclos de escritura y borrado de datos. amemoria flash es una tecnologa de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa em pleada en los dispositivos pendrive. Generalidades Econmicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 12 para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pue den encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extincin, y de hasta 600 para la gama ms alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actu adores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0 s 1 s correspondientes. Actualmente (08 -08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraible. Otra caracterstica de reciente aparicin (30-9-2004) ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son: El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio.

Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos. Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware. Funcionalidades Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (FloatingGateAvalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG FloatingGate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin.
Dimensiones Dos tipos: 5 V y 3,3 V, segn su voltaje de alimentacin. Capacidad mxima: 128 MB. Medidas estndar: alto: 45mm, ancho: 37mm, grosor: 0,76mm. La SmartMedia era una de las primeras tarjetas de memoria ms pequeas y delgadas, se usaba como almacenaje de dispositivo porttil, para sacarla fcilmente y usarla en un PC. Fue popular en cmara digital, y en 2001 acaparaba la mitad de ese mercado. Fue respaldada por Fuji y Olympus, aunque el formato ya empezaba a tener problemas. No haba tarjetas mayores de 128 MB, y las cmaras compactas alcanzaron un tamao donde hasta las SmartMedia eran demasiado grandes. Toshiba cambi a tarjetas Secure Digital, y Olympus y Fuji a xD. SmartMedia qued sin apoyos en PDA, MP3, o libros electrnicos, como hallaron otros formatos. No tena capacidad ni flexibilidad. Consiste en un nico chip flash NAND metido en una delgada carcasa plstica (aunque algunas tarjetas de may or capacidad contienen mltiples chips enlazados). Carece de controlador integrado, lo que la mantuvo barata. Esta caracterstica caus problemas ms tarde, pues algunos dispositivos antiguos necesitaron actualizaciones de firmware para manejar tarjetas de mayor capacidad. Tambin hizo imposible el wearleveling automtico - proceso para evitar el desgaste prematuro de un sector mapeando las escrituras a otros sectores en la tarjeta. Una ventaja que mantiene sobre otros formatos es la capacidad de usarla en una disquetera de 3,5" con un adaptador FlashPath. Puede ser el nico modo de usar memoria flash en hardware muy viejo. El problema es que es muy lento: la lectura/escritura se limita a velocidades de disquete. Tienen dos formatos, 5V y 3,3V (a veces indicado como 3V). La carcasa difiere en la posicin de la esquina cortada. Muchos dispositivos SmartMedia antiguos slo soportan tarjetas de 5V, y muchos nuevos slo las de 3,3V; para proteger a stas de daarlas en dispositivos slo de 5V, el lector debe tener alguna seguridad mecnica (ej.: detectar el tipo de esquina) para no permitir su insercin, pero algunos lectores baratos no operan as, y las daaran. Se recomienda usar lectores de voltaje dual. Hay un adaptador de tarjetas xD a puerto SmartMedia, pero no encaja totalmente. Limita la capacidad de la tarjeta xD al usarse en tales adaptadores (a veces 128MB 256 MB).

Proteccin de copia Muchas SmartMedia incluyen el sistema ID . Estn as marcadas junto a su capacidad. Daba a cada tarjeta un nmero de identificacin nico para usar con sistemas de proteccin de copia. Nadie us este primitivo sistema DRM, excepto la compaa coreana Game Park en sus ttulos comerciales para la consola porttil GP32. Este sistema tambin se implement en las tarjetas XD ms recientes.

Memoria flash de tipo NOR En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi -nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el p aso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot -electrn injection. Para borrar (poner a 1 , el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheimtunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provo ca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques en teros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No ob stante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. Memorias flash de tipo NAND Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado . Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas , un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aun que tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras complet as. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50 -100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles. En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. Tarjetero flash Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas. Sistemas de archivos para memorias flash Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido. Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden exis tir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deber disear estos sistemas en funci n de la orientacin que se le quiera dar al sistema

Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (YetAnother Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft. Antecedentes de la memoria flash Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura. Memorias de slo lectura. ROM: (ReadOnlyMemory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. PROM: (ProgrammableReadOnlyMemory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Memorias de sobre todo lectura. EPROM (ErasableProgrammableReadOnlyMemory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). EEPROM (ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) DRAM (DynamicRandom Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. SRAM (StaticRandom Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras. Historia de la memoria flash La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PC, wireless, etc. Fue FujioMasuoka en 1984, quien invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si comercializ la primera memoria flash de uso comn.

Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conoc emos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 19 98, la compaa Rio comercializ el primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo. En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consola s, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande. Futuro El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste. En apariencia, esto no pareca muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash estaba todava lejos de alcanzar niveles preocupant es desde el punto de vista fsico. Pero con la aparicion del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PC es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un mercado que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares (despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la industria Gartner, avala todas estas ideas. Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente asequible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas

prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gr an capacidad, como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVD porttiles. La reduccin del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (ConcurrentVersionSystem) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas inalmbricos permitir unas condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial Brasilea, por citar una agen cia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (rover de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio . Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc. en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. En la actualidad TDK est fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb. La expansin de la memoria flash es infinita. En la actualidad (31/08/09) Kingston ha lanzado una memoria flash (DATATRAVELER 300) de una capacidad de 256 Gb la cual podra almacenar 51000 imgenes, 54 DVDs o 365 CDs Apple present el 20 de octubre del 2010 una n ueva versin de la computadora porttil MacBook Air en el evento denominado De vuelta al Mac (Back tothe Mac), en su sede general de Cupertino, en California (Estados Unidos). Una de las caractersticas ms resaltantes de este nuevo equipo es que no tien e disco duro, sino una memoria flash, lo que la hace una mquina ms rpida y ligera. Es como ninguna otra cosa que hayamos creado antes , dijo el director ejecutivo de Apple, Steve Jobs. La nueva MacBook Air viene en dos modelos: uno con pantalla de 13 p ulgadas y otro de 11. A travs de este equipo podr accederse al App Store y otros servicios. Segn David Cuen, un especialista consultado por la BBC Mundo, la memoria flash es una apuesta interesante pero arriesgada. La pregunta es: est el mercado preparado para deshacerse de los discos duros? Apple parece pensar que s .

Memoria USB Una memoria USB (Universal Serial Bus; en ingls USB flash drive) es un dispositivo de almacenamiento masivo que utiliza memoria flash para guardar la informacin que puede requerir. Se conecta mediante un puerto USB y la informacin que a este se le introduzca, puede ser modificada millones de veces durante su vida til. Estas memorias son resistentes a los rasguos (externos), al polvo, y algun os al agua que han afectado a las formas previas de almacenamiento porttil , como los disquetes, discos compactos y los DVD. En Espaa y Venezuela son conocidas popularmente como pendrives, en otros pases como Colombia, Honduras, Mxico y Guatemala son conocidas como memorias, en Per y Panam como "USB's" (pronunciado tanto en ingls como espaol) y en Costa Rica se les llama llave maya. Estas memorias se han convertido en el sistema de almacenamiento y transporte personal de datos ms utilizado, desplazando en este uso a los tradicionales disquetes, y a los CD. Se pueden encontrar en el mercado fcilmente memorias con capacidad que van desde 1GB hasta 256 GB; aunque resultan inconvenientes a partir de los 64GB por su elevado costo. Esto supone, como mnimo, el equivalente a 180 CD de 700MB o 91.000 disquetes de 1.44 MB aprox imadamente. Su gran xito le ha supuesto infinidad de denominaciones populares relacionadas con su pequeo tamao y las diversas formas de presentacin, sin que ninguna haya podido destacar entre todas ellas. El calificativo USB o el propio contexto permite identificar fcilmente el dispositivo informtico al que se refiere; aunque siendo un poco estrictos en cuanto al concepto, USB nic amente se refiere al puerto de conexin. Los sistemas operativos actuales pueden leer y escribir en las memorias sin ms que enchufarlas a un conector USB del equipo encend ido, recibiendo la energa de alimentacin a travs del propio conector que cuenta con 5 voltios y 2,5 vatios como mximo. En equipos algo antiguos (como por ejemplo los equipados con Windows 98) se necesita instalar un controlador de dispositivo (driver) proporcionado por el fabricante. GNU/Linux tambin tiene soporte para dispositivos de almacenamiento USB desde la versin 2.4 del ncleo. Historia Las primeras unidades flash fueron fabricadas por la empresa israelM-Systems bajo la marca "Disgo" en tamaos de 8 MB, 16 MB, 32 MB y 64 MB. Estos fueron promocionados como los "verdaderos reempl azos del disquete", y su diseo continu hasta los 256 MB. Los fabricantes asiticos pronto fabricaron sus propias unidades ms baratas que las de la serie Disgo. Modelos Anteriores de este dispositivo utilizaban bateras, en vez de la alimentacin de la PC Las modernas unidades flash ( 2009) poseen conectividad USB 3.0 y almacenan hasta 256 GB de memoria (lo cual es 1024 veces mayor al diseo de M-Systems). Tambin hay dispositivos, que aparte de su funcin habitual, poseen una Memoria USB como aditamento incluido, (como algunos ratones pticos inalmbricos) o Memorias USB con aditamento para reconocer otros tipos de memorias ( microSD, m2, etc. En Agosto de 2010, Imation anuncia el lanzamiento al mercado de la nueva lnea de USB de seguridad Flash Drive Defender F200, con capacidad de 1GB, 2GB, 4GB, 8GB, 16GB y 32GB. Estas unidades de almacenamiento cuentan con un sensor biomtrico ergonmico basado en un hardware que valida las coincidencias de las huellas dactilares de identificacin antes de acceder a la informacin. Entre su diseo destaca la gran resistencia al polvo, agua y a ser falsificadas; fuera de toda caracterstica fsica el dispositivo proporciona seguridad avanzada a travs de FIPS 140-2, encripcinAES de 256-bit nivel 3, autenticacin,

administracin y seguridad biomtrica; incluye tambin controles administrativos para gestionar hasta 10 usuarios y polticas de contraseas complejas y personalizadas. Memoria USB por dentro. Las memorias USB Son comunes entre personas que transportan datos de su casa al lugar de trabajo, o viceversa. Tericamente pueden retener los datos durante unos 20 aos y escribirse hasta un milln de veces. Aunque inicialmente fueron concebidas para guardar datos y documentos, es habitual encontrar en las memorias USB programas o archivos de cualquier otro tipo debido a que se comportan como cualquier otro sistema de archivos. Los nuevos dispositivos U3 para Microsoft Windows integran un men de aplicaciones, semejante al propio men de "Inicio", que permiten organizar archivos de imgenes, msica, etc. Para memorias de otros fabricantes tambin existen colecciones basadas en software libre (Freeware) como es el caso de PortableApps.com. La disponibilidad de memorias USB a costos reducidos ha provocado que sean muy utilizadas con objetivos promocionales o de marketing, especialmente en mbitos relacionados con la industria de la computacin (por ejemplo, en eventos tecnolgicos). A menudo se distribuyen de forma gratuita, se venden por debajo del precio de coste o se incluyen como obsequio al adquirir otro producto. Memoria SD de marca Kingston de 2 Gb. Habitualmente, estos dispositivos se personalizan grabando en la superficie de la memoria USB el logotipo de la compaa, como una forma de incrementar la visibilidad de la marca. La memoria USB puede no incluir datos o llevar informacin precargada (grficos, documentacin, enlaces web, animaciones Flash u otros archivos multimedia, aplicaciones gratuitas o demos). Algunas memorias c on precarga de datos son de slo lectura; otras estn configuradas con dos particiones, una de slo lectura y otra en que es posible incluir y borrar datos. Las memorias USB con dos particiones son ms caras. Las memorias USB pueden ser configuradas con la funcin de autoarranque (autorun) para Microsoft Windows, con la que al insertar el dispositivo arranca d e forma automtica un archivo especfico. Para activar la funcin autorun es necesario guardar un archivo llamado autorun.inf con el script apropiado en el directorio raz del dispositivo. [1] La funcin autorun no funciona en todos los ordenadores. En ocasiones esta funcionalidad se encuentra deshabilitada para dificultar la propagacin de virus y troyanos que se aprovechan de este sistema de arranque. Otra utilidad de estas memorias es que, si la BIOS del equipo lo admite, pueden arrancar un sistema operativo sin necesidad de CD, DVD ni siquiera disco duro. El arranque desde memoria USB est muy extendido en ordenadores nuevos y es ms rpido que con un lector de DVD -ROM. Se pueden encontrar distribuciones de Linux que estn contenidas completamente en una memoria USB y pueden arrancar desde ella (vase LiveCD). Las memorias USB de gran capacidad, al igual que los discos duros o grabadoras de CD/DVD son un medio fcil para realizar una copia de seguridad, por ejemplo. Hay grabadoras y lectores de CD -ROM, DVD, disquetera o Zip que se conectan por USB. Adems, en la actualidad, existen equipos de audio con entradas USB a los cuales podemos conectar nuestro pendrive y reproducir la msica contenida en el mismo.

Como medida de seguridad, algunas memorias USB tienen posibilidad de impedir la escritura mediante un interruptor, como la pestaa de los antiguos disquetes. Otros permiten reservar una parte para ocultarla mediante una clave. Fortalezas y debilidades A pesar de su bajo costo y garanta, hay que tener muy presente que estos dispositivos de almacenami ento pueden dejar de funcionar repentinamente por accidentes diversos: variaciones de voltaje mientras estn conectadas, por cadas a una altura superior a un metro, por su uso prolongado durante varios aos especialmente en pendrives antiguos Las unidades flash son inmunes a rayaduras y al polvo que afecta a las forma s previas de almacenamiento porttiles como discos compactos y disquetes. Su diseo de estado slido duradero significa que en muchos casos puede sobrevivir a abusos ocasionales (golpes, cadas, pisadas, pasadas por la lavadora o salpicaduras de lquidos). Esto lo hace ideal para el transporte de datos personales o archivos de trabajo a los que se quiere acceder en mltiples lugares. La casi omnipresencia de soporte USB en computadoras modernas significa que un dispositivo funcionar en casi todas partes. S in embargo, Microsoft Windows 98 no soporta dispositivos USB de almacenamiento masivo genricos, se debe instalar un driver separado para cada fabricante o en su defecto conseguir genri cos. Para Microsoft Windows 95 dichos drivers son casi inexistentes. Las unidades flash son una forma relativamente densa de almacenamiento, hasta el dispositivo ms barato almacenar lo que docenas de disquetes, y por un precio moderado alcanza a los CD en tamao o los superan. Histricamente, el tamao de estas unidades ha ido variando de varios megabytes hasta unos pocos gigabytes. En el ao 2003 las unidades funcionaban a velocidades USB 1.0/1.1, unos 1.5 Mbit/s o 12 Mbit/s. En 2004 se lan zan los dispositivos con interfaces USB 2.0. Aunque USB 2.0 puede entregar hasta 480 Mbit/s, las unidades flash estn limitadas por el ancho de banda del dispositivo de memoria interno. Por lo tanto se alcanzan velocidades de lectura de hasta 100 Mbit/s, realizando las operaciones de escritura un poco ms lento. En condiciones ptimas, un dispositivo USB puede retener informacin durante unos 10 aos. Las memorias flash implementan el estndar "USB massstoragedeviceclass" (clase de dispositivos de almacenamiento masivo USB). Esto significa que la mayora de los sistemas operativos modernos pueden leer o escribir en dichas unidades sin drivers adicionales. En lugar de exponer los complejos detalles tcnicos subyacentes, los dispositivos flash exportan una unidad lgica de datos estructurada en bloques al sistema operativo anfitrin. El sistema operativo puede usar el sistema de archivos o el es quema de direccionamiento de bloques que desee. Algunas computadoras poseen la capacidad de arrancar desde memorias flash, pero esta capacidad depende de la BIOS de cada computadora, adems, para esto, la unidad debe estar cargada con una imagen de un disco de arranque. Las memorias flash pueden soportar un nmero finito de ciclos de lectura/escritura antes de fallar, Con un uso normal, el rango medio es de alrededor de varios millones de ciclos. Sin embargo las operaciones de escrituras sern cada vez ms lentas a medida que la unidad envejezca. Esto debe tenerse en consideracin cuando usamos un dispositivo flash para ej ecutar desde ellas aplicaciones de software o un sistema operativo. Para manejar esto (adems de las limitaciones de espacio en las unidades comunes), algunos desarrolladores han lanzado versiones de sistemas operativos como Linux o aplicaciones comunes como Mozilla Firefox diseadas especialmente para ser ejecutadas desde

unidades flash. Esto se logra reduciendo el tam ao de los archivos de intercambio y almacenndolos en la memoria RAM. Consideraciones de uso El cuidado de los pen drive o memorias USB es similar al de las tarjetas electrnicas; evi tando cadas o golpes, humedad, campos magnticos y calor extremo. Antes de desenchufar la memoria del puerto USB es conveniente que el usuario notifique al sistema operativo ("Desmontar" en Linux o "Quitar el hardware con seguridad " desde el "Administrador de dispositivos" en Windows o "Expulsar" en Mac OS). En algunos sistemas la escritura se realiza en forma diferida (esto significa que los datos no se escriben en el momento) a travs de un ca ch de escritura para acelerar los tiempos de dicha escritura y para que el sistema escriba finalmente "de una sola vez" cuando dicho cach se encuentre lleno, pero si la unidad es retirada antes que el sistema guarde el contenido de la cach de escritura se pueden provocar discrepancias en el sistema de archivos existente en la memoria USB que podra generar prdidas de datos. Para reducir el riesgo de prdida de datos, la cach de escritura est desactivada en forma predeterminada para las unidades externas en los sistemas operativos Windows a partir de Windows XP, pero aun as una operacin de escritura puede durar varios segundos y no se debe desenchufar fsicamente la unidad hasta que haya finalizado completamente, de lo contrario, los datos a escribir se perdern. Aunque la memoria USB no sufra daos, los ficheros afectados pueden ser de difcil o incluso imposible recup eracin llegando en algn caso a ser necesario un borrado o formateo completo del sistema de ficheros para poder volver a usarla. Por lo que la extraccin hay que tener cuidado en la escritura, pero extraerlo en la lectura sera irrelevante En sistemas Windows (2000 ~ XP con Service Pack 2) con unidades de red asignadas, puede ocurrir que al conectar la memoria USB el sistema no le proporcione una letra previamente en uso. En ese caso , habr que acudir al administrador de discos (diskmgmt.msc), localizar la unidad USB y cambiar manualmente la letra de unidad.[2] En Windows XP, puede darse el caso de que si la memor ia USB no es desconectada utilizando la funcin de Extraccin Segura, Windows automticamente podra marcar dicho dispositivo como problemtico y deshabilitarlo, y se da el caso que dicha memoria puede utilizarse en otras computadoras pero no en la que est marcada como problemtica. Hay que ingresar al Administrador de Dispositivos y volver a habilitarla.[3]

Componentes internos de un llavero USB tpico 1 Conector USB 2 Dispositivo de control de almacenamiento masivo USB 3 Puntos de Prueba 4 Circuito de Memoria flash

5 Oscilador de cristal 6 LED 7 Interruptor de seguridad contra escrituras 8 Espacio disponible para un segundo circuito de memoria flash

Las partes tpicas de una memoria USB son las siguientes: Un conector USB macho tipo A (1): Provee la interfaz fsica con la computadora. Controlador USB de almacenamiento masivo (2): Implementa el controlador USB y provee la interfaz homognea y lineal para dispositivos USB seriales orientados a bloques, mientras oculta la complejidad de la orientacin a bloques, eliminacin de bloques y balance de desgaste. Este controlador posee un pequeo microprocesadorRISC y un pequeo nmero de circuitos de memoria RAM y ROM. Circuito de memoria Flash NAND (4): Almacena los datos. Oscilador de cristal (5): Produce la seal de reloj principal del dispositivo a 12 MHz y controla la salida de datos a travs de un bucle de fase cerrado (phase-lockedloop) Componentes adicionales Un dispositivo tpico puede incluir tambin: Puentes y Puntos de prueba (3): Utilizados en pruebas durante la fabricacin de la unidad o para la carga de cdigo dentro del procesador. LEDs (6): Indican la transferencia de datos entre el disposit ivo y la computadora. Interruptor para proteccin de escritura (7): Utilizado para proteger los datos de operaciones de escritura o borrado. Espacio Libre (8): Se dispone de un espacio para incluir un segundo circuito de memoria. Esto le permite a los fabricantes utilizar el mismo circuito impreso para dispositivos de distintos tamaos y responder as a las necesidades del mercado.

Tapa del conector USB: Reduce el riesgo de daos y mejora la apariencia del dispositivo. Algunas unidades no presentan una tapa pero disponen de una conexin USB retrctil. Otros dispositivos poseen una tapa giratoria que no se separa nunca del dispositivo y evita el riesgo de perderla. Ayuda para el transporte: En muchos casos, la tapa contiene una abertura adecuada para una cadena o collar, sin embargo este diseo aumenta el riesgo de perder el dispositivo. Por esta razn muchos otros tiene dicha abertura en el cuerpo del dispositivo y no en la ta pa, la desventaja de este diseo est en que la cadena o collar queda unida al dispositivo mientras est conectado. Muchos diseos traen la abertura en ambos lugares. Desarrollos futuros Las empresas de semiconductores estn haciendo un gran esfuerzo en re ducir los costos de los componentes mediante la integracin de varias funciones de estos dispositivos en un solo chip, esto produce una reduccin de la cantidad de partes y, sobre todo, del costo total. Actualmente se est tratando de desarrollar en dichos lugares los dispositivos flash a una velocidad mayor gracias al futuro puerto USB 3.0. Sin embargo, este dispositivo flash USB 3.0. est mejorado y alcanza una buena velocidad de transmisin debido a su nueva tecnologa. USB 3.0 Presentado en el ao 2008. Aunque est listo para su uso, es probable que pase entre uno o dos aos, para ser incluido en dispositivos de uso masivo, lo que sita la aparicin de productos con esta nueva especificacin a partir del ao 2009 o 2010. La principal novedad tcnica del puerto USB 3.0. ser que eleva a 4.8 gigabits/s la capacidad de transferencia que en la actualidad es de 480 Mb/s. Se mantendr el cableado interno de cobre para asegurarse la compatibilidad con las tecnologas USB 1.0 y 2.0. Si en USB 2.0 el cable dispone de cuatro lneas, un par para datos, una de corriente y una de toma de tierra, en USB 3.0 se aade cinco lneas. Dos de ellas se usarn para el envo de informacin y otras dos para la recepcin, de forma que se permite el trfico bidireccional, en ambos sentidos al mismo tiempo. El aumento del nmero de lneas permite incrementar la velocidad de transmisin desde los 480 Mb/s hasta los 4,8 Gb/s. De aqu se deriva el nombre que tambin recibe esta especificacin: USB Sup erspeed. La cantidad de energa que transporta un cable USB 1.x y 2.0 resulta insuficiente en muchas ocasiones para recargar algunos dispositivos, especialmente si utilizamos concentradores donde hay conectados varios de ellos. En USB 3.0, se aumenta la intensidad de la corriente de 100 miliamperios a 900 miliamperios, con lo que pueden ser cargados ms dispositivos o hacerlo ms rpido. Este aumento de la intensidad podra traer consigo un menor rendimiento energtico. Pero pensando en ello, USB 3.0 utiliz a un nuevo protocolo basado en interrupciones, al contrario que el anterior que se basaba en consultar a los dispositivos peridicamente. El aumento de lneas en USB 3.0 provoca que el cable sea ms grueso, un inconveniente importante. Si hasta ahora los cables eran flexibles, con el nuevo estndar estos tienen un grueso similar a los cables que se usan en redes Ethernet, siendo por tanto ms rgidos.

Afortunadamente, igual que pasa entre USB 1.1 y USB 2.0 la compatibilidad est garantizada entre USB 2.0 y USB 3.0, gracias al uso de conectores similares, cuyos contactos adicionales se sitan en paralelo, de forma que no afectan en caso de usar algn puerto que no sea del mismo tipo.