Diodos Semiconductores

Contenido:
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Diodo Semiconductor Clasificacin. Diodos Rectificadores. Caractersticas. Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento. Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento. Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P -N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin Dentro del amplio conjunto de mode los y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales. Diodos rectificadores El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto,

con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador. Caractersticas Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot). Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente. Diodos de seal Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos diodos son: - Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades de ste. Diodos de conmutacin Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Diodos de alta frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo.

Diodos zener Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son: - Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot). Diodos especiales Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV.
DIODOS Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada

e alta potencia) es n t bo e aco con oselectrodos: na l

ina como nodo, y n ctodo.

De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia el ctrica muy pequea.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambi n llamados vlvulas termoi nicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones reali adas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conducci n. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Historia

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a, xcept para tecnologas



  

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este ltimo tam in llamado diodo slido. Aunque el diodo semiconductor de estado slido se popula riz antes del diodo termoinico, am os se desarrollaron al mismo tiempo. En 873 rederick Guthrie descu ri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descu ri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posi le solamente en una direccin.

investiga a porque los filamentos de car n de las om illas se quema an al final del terminal positivo. El ha a construido una om illa con un filamento adicional una con una lmina metlica dentro de la

lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto solo suceda cuando la lmina esta a conectada positivamente. Edison diseo un circuito que reemplaza la om illa por un resistor con un voltmetro de DC. Edison o tuvo una patente para este invento en 88 . Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era pro a lemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison.

antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. leming patent el primer diodo termoinico en Britain el 6 de noviem re de

En 87 el cientfico alemn Karl erdinand Braun descu ri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 8

os rectificadores de ido de co re selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en

la dcada de los

3 .

El cientfico indio agdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 8

. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico

para la recepcin de seales inalm ricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de

pro aron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente ma or, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser arato fcil de o tener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un ca le ajusta le el mu nom rado igote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as o tener una seal ptima. Este dispositivo pro lemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de

 )

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cristal de silicio en

3 reci i una patente de ello el 2 de noviem re de 2

6. Otros e perimentos

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Apro imadamente 2 aos despus, ohn Am rose leming cientfico asesor de

arconi Compan

5 .

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Independientemente, el 3 de fe rero de 88

homas Edison re descu re el principio. A su vez, Edison

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En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de camino. [editar] Diodos

), que significa

termoinicos y de estado gaseoso

Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el nodo, el ctodo, y el filamento. Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente. En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos; se eligen estas substancias porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno act a como calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba caliente cuando la vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente en este caso es insignificante. En la mayora del siglo 0 los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas, rectificadores y potencia. Hasta el da de hoy, los diodos de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras elctricas, amplificadores de audio, as como equipo especializado de alta tensin. [editar] Diodo

semiconductor

illiam

ormacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e.

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos electrones), llamado semiconductor de

semiconductor tipo p. as terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional flu e del nodo al ctodo opuesto al flujo de los electrones, desde que los electrones tengan carga negativa).

corriente de difusin, estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a am os lados de la unin, zona que reci e el nom re de regin de got miento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a am os lados de la unin. Sin em argo, la acumulacin de iones positivos

electrones li res de la zona n con una determinada uerz de despl z miento, que se opondr a la corriente de electrones terminar detenindolos.

en la zona n

de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico E) que actuar so re los

Al unir am os cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p

5 9

tipo n,

una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva huecos), llamado

@ @

e ).

Al esta lecerse una

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p Esta diferencia de potencial VD) es de ,7 V en el caso del silicio

, V para los cristales de germanio.

a anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equili rio, suele ser del orden de

,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga

espacial es mucho ma or. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin e terna, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin direct o in ers . [editar]Pol

riz cin direct de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn. En este caso, la atera disminu e la arrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se de e conectar el polo positivo de la atera al nodo

dirigen hacia la unin p n.

decir que empuja a los huecos hacia la unin p n.

potencial en la zona de carga espacial, los electrones li res del cristal n, adquieren la energa

Cuando la diferencia de potencial entre los ornes de la atera es ma or que la diferencia de

El polo positivo de la atera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a

El polo negativo de la atera repele los electrones li res del cristal n, con lo que estos electrones se

del diodo

el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos o servar que:

n.

HGE P

G I

suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. [editar] Polari

aci

i versa de

diodo

Polarizacin inversa del diodo pn. En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que an eran neutros, al verse tes desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad ( electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia.

na vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, na vez

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen

formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente

siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad ( electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturaci n. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesa rios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.

o obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es

despreciable. [editar] Curva

caracterstica del diodo

urva caracterstica del diodo.

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, in crementando la corriente ligeramente,

Tensi n umbral, de codo o de partida (V ).

electrones de valencia, con lo que una vez que han electrones de valencia,

alrededor del % de la nominal. Sin em argo, cuando la tensin e terna supera la tensin um ral, la arrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen

grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Es la intensidad de corriente m ima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto oule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende so re todo del diseo del mismo.

Es la pequea corriente que se esta lece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn hueco de ido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de en la temperatura.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptur

Vr ).

Es la tensin inversa m ima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

ericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la

realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se de e al efecto avalancha; no o stante ha otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede de erse a dos efectos:

que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es ele vada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la anda de conduccin. Estos electrones li erados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia li erndolos a su vez. El

resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede e presarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est mu dopado, ser grande, del orden de 3

V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de

arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de

V o menores.

Para tensiones inversas entre producir por am os efectos.

6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede

d e

Efecto Zener diodos mu dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la

por tanto d sea pequeo, el campo elctrico

Efecto

l nch

diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn hueco

Corriente super ici l de ug s.

Corriente in ers de s tur cin Is ).

q pi

Corriente mxim

Ima ).

[editar] Modelos

matem ticos
i
illiam Bradford Shockley) que

El modelo matemtico ms empleado es el de S ockley (en honor a

permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:

   

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10
12

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de

El Voltaje trmico VT es aproximadamente

mV en 00K, una temperatura cercana a la temperatura

ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental). La ecuaci n de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna. Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no esta modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

on objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples

an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal. [editar] Tipos

de diodo semiconductor

A)

(para el silicio).

kl kj

Uno o varios wikipedistas estn trabajando actualmente en extender este artculo o seccin. Es posible que a causa de ello haya lagunas de contenido o deficiencias de formato. Si quieres puedes ayudar y editar, pero por favor antes de realizar correcciones mayores contctalos en sus pginas de discusin, o en la pgina de discusin del artculo para poder coordinar la redaccin.

terminal ctodo se indica pintando una franja blanca o negra. Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado po principios de r la mecnica cuntica y teora de bandas. Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1, V) y requeran de una gran disipacin de calor

Varios diodos semiconductores. Abajo:

n puente rectificador. En la mayora de los diodos, el

mucho ms grande que un diodo de silicio. a gran ma ora de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados C OS, que inclu en dos diodos por pin internos.

Diodo

l nch : Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en

inverso supera el voltaje de ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona ajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. os diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destru a. a diferencia entre el diodo avalancha el cual tiene un voltaje de reversa de apro imadamente 6.2V)

es que el ancho del canal del primero e cede la "li re asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. a nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.

de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de

cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. os diodos de cristal estn o soletos, pero puede conseguirse todava de algunos fa ricantes.

          

Diodo rectificador otodiodo

Diodo Gunn Diodo lser

Diodo p i n Diodo Schottk o diodo de arrera Schottk Diodo Shockle diodo de cuatro capas)

Diodo tnel o diodo Esaki Diodo Varicap o diodo varactor Diodo Zener o diodo esta ilizador

[editar]Aplicaciones

del diodo

Do lador de tensin

ectificador de media onda ectificador de onda completa ectificador en paralelo

Diodo emisor de luz

ED e I ED)

una parte de car n. El ca le forma el nodo

el cristal forma el ctodo. os diodos de

Diodo de crist l: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un ca le

muchos otros diodos

u uvu {

el diodo zener

  

Circuito fijador ultiplicador de tensin

Divisor de tensin

Clases de Diodos
Pondremos las diferentes clases de diodos que son ms comunes dentro de los circuitos electrnicos que podamos usar. - Diodos de unin. - Diodos de punta de contacto. - Diodo emisores de luz. - Diodo capacitivo (varicap). - Diodo Zener. - Diodo tnel. - Diodo Gunn. Diodos de unin: Los diodos de unin son los que hemos venido describiendo en esta seccin de diodos, es decir, el que consta de un cristal de germanio o de silicio, debidamente dopado, y tiene una form a cilndrica. Son diodos para baja potencia que se usan mucho como rectificadores de pequeos aparatos. A esta clase de diodo tambin se le conoce con el nombre de diodos de juntura. Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno de los smbolos electrnicos de los diodos, ello nos facilitar la comprensin de los esquemas, no slo los de de Areaelectronica.com, sino tambin cualquier esquema que necesiten entender. Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similiares a los diodos de unin y la nica diferencia es, en todo caso, el sistema de construccin que se ha aplicado. En la imagen se muestra un esquema de uno de estos elementos que consta de una pun ta de contacto en forma de muelle (1) que se hay conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En la parte baja, una base metlica hace de soporte y asegura la rigidez del conjunto. Exactamente igual que ocurre con los diodos de unin, el diodo de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente en un solo sentido. Diodos emisores de luz: Los diodos emisores tambin son conocidos con el nombre de LED (iniciales de su denominacin inglesa L ight Emitter Diode) que tienen la particularidad de emitir luz cuando son atravesados por la corriente elctrica. Como quiera que consiguen una luz bastante viva y, adems, con una mnima cantidad de corriente (del orden a algunas decenas de miliamperios). Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso fsico en el que

imitador

Esta ilizador Zener

desprenden fotones al volver a su rbita de valencia. La energa luminosa radiada puede ser de color verde si el elemento a sido tratado con galio -fsforo, o roja si lo sido con galio-arsenio. De hecho los galios son muy conocidos por la gran variedad de aplicaciones que se les a encontrado en todo orden de aparatos electrnicos. Diodo capacitivo (varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Diodo Zener: El diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y pa ra una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dipositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin rela tivamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin. Diodo Tunel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al prin cipio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin. Diodo Gunn: Este diodo tie ne caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin cont inua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Caractersticas tcnicas de los Diodos

Hasta aqu ya tenemos una idea del funcionamiento de un diodo; pero conviene que profundicemos un poco ms en los conceptos elctricos que determinan este funcionamiento. Para ello vamos a servirnos de la curva caracterstica tpi ca de un diodo semiconductor imaginario, tal como podemos ver en el grfico, el cual nos va a dar datos sobre el comportamiento de este componente electrnico. El comportamiento de los diodos es ms o menos similar al proporcionado por esa curva, pero los valores resultantes pueden cambiar segn la potencia del diodo. Pasemos a explicar el grfico entonces: En primer lugar tenemos la corriente en sentido directo (If) representada en miliamperios (mA) que es la corriente que puede circular por el diodo cuan do ste presenta la mnima resistencia. Por otra parte, en la linea horizontal derecha tenemos la escala de las tensiones directas (Vf) expresadas en voltios (V) a que puede ser sometido el diodo para el paso de la corriente. Todo eso contituye la caracterstica directa, es decir, el paso de la corriente en sentido de paso. Un diodo que tuviera las caractersticas representadas en este grfico, al aplicarle una tensin de 20 V ya dejara pasar unos 10 mA, pero entre 20 y 35 V se 'disparara' y dejara pasar ms de 60 mA. En la caracterstica inversa, que est representada por la izquierda y en la parte baja del grfico, se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de bloqueo. Obsrvese que aqu la tensin inversa (Vr) est en unidades de kilovoltios (kV), es decir, fracciones de 1000 V; y la intensidad (Ir) en fracciones mucho ms pequeas, de microamperios (uA), es decir, fracciones que equivalen a 1/1000000 de amperio. Para que la corriente acceda a pasar en sentido contrario en un diodo co mo el representado se precisara una tensin entre 500 a 600 voltios con lo cual se producira el paso de corrientes del orden de los 0,50 miliamperios. Los valores de la caracterstica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir).

Funciones de los Diodos

A primera vista parece que el diodo solamente podra tener la misin de ser un rectificador de corriente, del modo que se usa en el alternador. Pero los diodos sirven para ms cosas y existen, adems de los diodos llamados de superficie que son los caractersticos que acabamos de describir, otras formas y funciones para estos componentes electrnicos. A continuacin pondremos las funciones de los diodos con su respectiva explicacin. A. Como rectificadores: Este es el empleo ms corriente y al que ya hemos explicado.

B. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un sentido determinado, y nunca en sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un diodo. En la imagen vemos un ejemplo en donde se ha colocado un diodo entre un generador de corriente continua y la batera. El diodo no deja pasar la corriente de la batera al generador an cuado si lo hace desde el generador a la batera de modo que hace las v eces de un disyuntor sin contactos mviles ni degaste. C. Descarga: Puesto en derivacin en un circuito dotado de una fuente de autoinduccin, tal como se representa en la imagen, un diodo impide el paso de alguna corriente cuando el circuito est alimentado por una corriente exterior; pero permite el paso de una extracorriente de ruptura cuando el interruptor se abre. D. Otras variantes: Adems existen variedad de diodos con caractersticas especiales. As, los hay de disparo, que dejan pasar la corriente cuando se alcanza un determinado valor; los hay luminiscentes, termosensibles, etc. que efectan trabajos de regulacin y estabilizacin de circuitos.

Cdigo de designacin de Diodos Semiconductores

Para la identificacin de los diodos semiconductores se utiliza un cdigo que consta de dos letras seguidas de un nmero de serie: La primera letra distingue el material del semiconductor empleado. La segunda letra indica la aplicacin principal o aplicacin y construccin en el caso de que se prefiera una mayo r diferenciacin. El nmero de serie est formado por tres cifras para los dispositivos semiconductores diseados para aplicacin en aparatos de uso domstico, o por una letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores diseados para equipos profesionales. Daremos el significado de cada una de las letras que contituyen este cdigo para podernos orientar en el caso de tener que proceder a la sustitucin de algn diodo. Primera letra. Puede ser: A, indica que se utilizan materiales tales como el germa nio. B, indica que se utilizan materiales tales como el silicio. C, que se utiliza antimoniuro de indio o arseniuro de galio. Segunda letra. Puede ser: A, si se trata de un diodo que puede ser detector, de alta velocidad o mezclador.

B, si se trata de un diodo de capacidad variable (varicap). E, si se trata de un diodo tunel. Y, si se trata de un diodo rectificador. Z, si se trata de un diodo Zener regulador de tensin. Nmero de serie. Vara segn el fabricante y el modelo. Cuando hay tres cifras corresponde a modelos de aplicacin en aparatos domsticos. Cuando hay una letra y dos cifras se refiere al uso de aparatos profesionales.