Zakad Automatyki i Kriogeniki I-20

PODSTAWY ELEKTRONIKI

dr in. Artur JDRUSYNA

p. 103, bud. C-6, tel. 320-23-23 E-mail: artur.jedrusyna@pwr.wroc.pl Konsultacje:

dr in. Krzysztof TOMCZUK

p. 213, bud. C-6, tel. 320-29-62 E-mail: krzysztof.tomczuk@pwr.wroc.pl Konsultacje:

PODSTAWY ELEKTRONIKI
LITERATURA: elektroniki - P.Horowitz i W.Hill [2] "Ukady pprzewodnikowe" - U.Tietze i Ch.Schenk [3] "Ukady elektroniczne" - S.Seely [4] "Elektronika w zadaniach" - W.Ciyski [5] Wprowadzenie do elektroniki i energoelektroniki M. Kamierkowski, J. Matysik [6] Zasilacze i stabilizatory liniowe, M. Obszarny, AGH
[1] "Sztuka

Pojcia podstawowe
Napicie
Napicie UEB rnica potencjaw midzy punktami E a B, przy czym potencja VE jest dodatni wzgldem potencjau VB Przykad: UEB = 0,7 V UBE = - 0,7 V gdzie VE > VB Jednostka: [V] = [J] / [C] (volt = praca/adunek) Oznaczenie idealnego rda napicia staego na schematach

Sia elektromotoryczna E - napicie na odcinku obwodu zawierajcym rdo prdu, a nie zawierajcym rezystancji nazywamy

Potencja
Potencja VX - napicie wzgldem wsplnego punktu odniesienia 0 (masy) VX = UX0 (czsto uywa si ozn. UX)

Pojcia podstawowe
Prd
I

Prd elektryczny - uporzdkowany ruch adunkw. Natenie prdu I - ilo adunku dQ przepywajca przez przewodnik w jednostce czasu dt

I=
Jednostka: [A] = [C] / [s]

dQ dt

Kierunek przepywu prdu oznacza si strzak na przewodzie: umownie przyjmuje si, e prd jest dodatni, gdy strzaka jest skierowana od punktu bardziej dodatniego do punktu bardziej ujemnego. !!! Rzeczywisty kierunek przepywu elektronw jest przeciwny !!!
U1=IR1

Onaczenie idealnego rda prdu na schemacie

R1

E
Dla podtrzymania staej rnicy potencjaw konieczne jest istnienie zewntrznych si powodujcych rozdzia adunkw elektrycznych, czyli rde prdu. Prd elektryczny moe pyn tylko wzdu drogi zamknitej, ktra nazywa si obwodem elektrycznym.

I
R3

R2

U2=IR2

U3=IR3

Pojcia podstawowe
Rezystancja i prawo Ohma
Wspczynnik proporcjonalnoci R midzy napiciem i nateniem nazywany jest oporem lub rezystancj. Prawo Ohma:

R=U/I
Jednostka: []=[V]/[A]

Pierwsze prawo Kirchhoffa

Dla dowolnego wza sieci elektrycznej

I
i

=0

Drugie prawo Kirchhoffa

Dla obwodu zamknitego

IR
i

=E

Pojcia podstawowe
Twierdzenie Thevenina
Dowolny dwuzaciskowy ukad, skadajcy si z kombinacji rde napicia i rezystorw mona zastpi poczeniem szeregowym pojedynczego rezystora RT i pojedynczego rda napiciowego UT.

UT = UROZWARCIA RT = UROZWARCIA / IZWARCIA

Moc
Moc P - praca wykonana w jednostce czasu

P = UI
Jednostka: [W] = [J] / [s] = ([J] / [C]) ([C] / [s]) [W] = [V][A]

Korzystajc z prawa Ohma mona otrzyma zalenoci, ktre przydadz si np. przy okrelaniu mocy rezystorw: P = I2 R P = U2/R. Dla napi i prdw zmiennych P = U I wyraa moc chwilow

Pojcia podstawowe
Sygnay
Sygna sinusoidalny U = Umsint, gdzie: Um - amplituda, =2f pulsacja [rad/s], t czas [s], f czstotliwo [Hz], Przebieg sinusoidalny opisuj dwa parametry: amplituda Um i pulsacja . Inne parametry (substytuty amplitudy): warto midzyszczytowa Upp = 2 Um warto skuteczna: Usk = 0,707 Um dla dowolnego sygnau:

U SK

Przykad: Warto skuteczna napicia w sieci elektrycznej wynosi 230V (przebieg sinusoidalny o czstotliwoci 50Hz). Std amplituda tego napicia jest rwna 325V, a warto midzyszczytowa 650V.

1 2 = U (t )dt T0

Pojcia podstawowe
Sygnay
Sygna prostoktny Podobnie jak sygna sinusoidalny mona opisa dwoma parametrami - amplitud i pulsacj - z t rnic, e warto skuteczna dla fali prostoktnej jest rwna jej amplitudzie. Sygna prostoktny: zbocze narastajce, poziom wysoki, zbocze opadajce, poziom niski.

!!! Rzeczywisty ksztat sygnau prostoktnego jest daleki od ideau, gdy zbocza nie s prostopade !!!

Najczciej czas narastania czy opadania zboczy mieci si w granicach od kilku nanosekund (ns) do kilku mikrosekund (s) i mierzy si go jako czas narastania od 0,1 do 0,9 napicia sygnau.

Pojcia podstawowe
Sygnay
Sygna pioksztatny to sygna o przebiegu liniowym (napicie ronie lub opada ze sta prdkoci) powtarzany okresowo.

Impulsy Najczciej nie s to sygnay okresowe. Opisa je mona poprzez podanie amplitudy i szerokoci impulsu. W technice cyfrowej wystpuj czsto impulsy powtarzajce si okresowo, wtedy do opisu takiego sygnau naley doda czstotliwo oraz wspczynnik wypenienia (stosunek szerokoci impulsu do okresu powtarzania). Impulsy dzielimy na dodatnie i ujemne.

Skoki i szpilki s sygnaami, ktre zwykle nie maj praktycznego zastosowania w ukadach elektronicznych, nadaj si za to znakomicie do ich analizowania i opisu. .

Pojcia podstawowe
Logarytmiczny stosunek napi
Stosunek amplitud dwch sygnaw mona wyrazi w decybelach zgodnie ze wzorem: ku[dB]=20log10(U2/U1) gdzie U2 i U1 to amplitudy porwnywanych sygnaw.

ku 0,1 0,707 1 1,41 10 100 1000

ku [dB] -20dB -3dB 0dB 3dB 20dB 40dB 60dB

Elementy bierne RLC

Rezystory
Rezystory to elementy dwukocwkowe o waciwociach dajcych si opisa prawem Ohma.

a) metalizowany, b) drutowy, c) wglowy, d) drabinka rezystorowa, e) grubowarstwowy. Najwaniejsze parametry rezystorw: rezystancja znamionowa - podawana zwykle w , k lub M, tolerancja rezystancji (dokadno) - podawana w procentach, moc znamionowa - moc, ktr moe rezystor rozproszy, wspczynnik temperaturowy rezystancji TWR, napicie znamionowe.

Elementy bierne RLC

Szeregowe i rwnolege czenie rezystorw. Z prawa Ohma (R=U/I), wynikaj nastpujce waciwoci rezystorw: rezystancja zastpcza dwch rezystorw poczonych szeregowo wynosi: R=R1+R2 rezystancja zastpcza dwch rezystorw poczonych rwnolegle wynosi:

Dla dowolnej liczby rezystorw:

Z praktycznego punktu widzenia warto zauway, e wypadkowa rezystancja dwch rezystorw rnicych si znacznie od siebie jest w przyblieniu rwna, dla poczenia szeregowego tych rezystorw, rezystancji o wikszej wartoci, a dla poczenia rwnolegego tych rezystorw, rezystancji o mniejszej wartoci. Warto rwnie zauway, e rezystancja wypadkowa n rezystorw o takiej samej rezystancji R1, poczonych rwnolegle wynosi R=R1/n.

Elementy bierne RLC

Dzielnik napicia.

Napicie wyjciowe Uwy mona obliczy nastpujco: przez oba rezystory pynie taki sam prd I (o ile wyjcie nie jest obcione jak rezystancj), czyli napicie na R2, czyli wyjciowe jest rwne:

Elementy bierne RLC

Obcianie dzielnika napicia.

Zgodnie z twierdzeniem Thevenina: napicie na rozwartych zaciskach wyjciowych dzielnika (punkty A i B) jest rwne: U = UT = Uwe [R2 / (R1 + R2)] prd zwarcia dla dzielnika wynosi: Izw = Uwe / R1 Z powyszych zalenoci mona wyliczy rezystancj zastpcz dla ukadu Thevenina: RT = UT / Izw RT = (R1 R2) / (R1+ R2) Wida std, e rezystancja RT jest wypadkow rezystancj poczonych rwnolegle rezystorw R1 i R2. Ukad zastpczy Thevenina dla dzielnika skada si wic ze rda napicia: UT = Uwe [R2 / (R1 + R2)] poczonego szeregowo z rezystancj: RT = (R1 R2) / (R1+ R2)

Elementy bierne RLC

Obcianie dzielnika napicia.

Jeeli do dzielnika podczymy obcienie w postaci rezystora Robc, to znowu otrzymamy dzielnik napicia skadajcy si z rezystorw RT i Robc oraz rda napicia UT. Napicie na obcieniu Robc bdzie rwne: Uobc = UT [Robc / (RT+ Robc)] Jak wida z powyszego wzoru, aby obcienie nie zmienio w znaczcy sposb napicia wyjciowego dzielnika, musi by speniona zaleno Robc >> RT wwczas mona przyj, e Uobc = ~ UT = Uwe [R2 / (R1 + R2)] Przyjto, e aby powysze rwnanie byo spenione, musi by speniony warunek minimalny: Robc = 10RT = 10(R1 R2) / (R1+ R2) czyli rezystancja obcienia musi by przynajmniej 10 razy wiksza od wypadkowej rezystancji poczonych rwnolegle rezystorw dzielnika napiciowego. Warunek ten zapewnia, e zmiana napicia wyjciowego dzielnika pod wpywem obcienia bdzie mniejsza od 10% (warunek czsto stosowany w praktyce).

Elementy bierne RLC

Potencjometr - rezystor o zmiennej rezystancji, element o trzech kocwkach. Potencjometr peni funkcj regulowanego dzielnika napicia. Pooenie suwaka dzieli rezystancj potencjometru na dwie czci R1 i R2

Elementy bierne RLC

Kondensatory

Elementy bierne RLC

Kondensatory
Kondensator - element dwukocwkowy o waciwociach dajcych si opisa rwnaniem:

Q=C*U,
gdzie: Q -adunek [C], U -napicie na okadkach (kocwkach) kondensatora [V], C -pojemno kondensatora [F] Kondensatory s zbudowane z dwch przewodzcych elektrod (okadek) przedzielonych dielektrykiem (izolatorem). Kondensator jest elementem, ktry posiada zdolno gromadzenia adunku. Kondensator o pojemnoci C i napiciu U zawiera adunek Q na jednej okadce i przeciwnie spolaryzowany adunek -Q na drugiej okadce. Przykady konstrukcji kondensatorw staych:
a) zwijkowego, b) wielowarstwowego, c) pytkowego, d) rurkowego, e) SMD do montau powierzchniowego

Elementy bierne RLC

Kondensatory
Superkondensator - rodzaj kondensatora elektrolitycznego, ktry z uwagi na sposb konstrukcji wykazuje niezwykle du pojemno elektryczn w porwnaniu do klasycznych kondesatorw elektrolitycznych. Najwiksz zalet superkondensatorw jest bardzo krtki czas adownia w porwnaniu z innymi urzdzeniami do przechowywania energii (np. akumulatorami). Zastosowania superkondensatorw: rwnolegle rdo zasilania z innymi rdami energii, (np. ogniwami paliwowymi), w celu krtkotrwaego dostarczania mocy szczytowej, co pozwala na znaczne zmniejszenie rozmiarw caego ukadu (rozwizania testowane m. in. w prototypach samochodw hybrydowych i wspomaganiu zasilania robotw). awaryjne rdo zasilania (stosowane m.in. do wyj i zjedalni ewakuacyjnych w samolotach Airbus) rdo zasilania cigego w urzdzeniach o niewielkiej mocy (pami komputerowa, elektryczne szczoteczki do zbw).

Elementy bierne RLC

Kondensatory
Prd pyncy przez kondensator jest wprost proporcjonalny do szybkoci zmian napicia:

Jeli na kondensatorze o pojemnoci 1F napicie zmienia z prdkoci 1V/s, to przepywa przez niego prd o nateniu 1A. Najwaniejsze parametry kondensatorw: pojemno [F], [nF] lub [pF], tolerancja pojemnoci (dokadno) [%], napicie znamionowe [V], stratno (upywno), temperaturowy wspczynnik zmian pojemnoci.

Elementy bierne RLC

a) elektrolityczny, b) tantalowy, c) poliestrowy, d) ceramiczny, e) styrofleksowy.

Szeregowe i rwnolege czenie kondensatorw Dla dwch kondensatorw poczonych szeregowo wzr na pojemno zastpcz ma tak sam posta jak wzr na rezystancj zastpcz rezystorw poczonych rwnolegle:

Dla dwch kondensatorw poczonych rwnolegle wzr na pojemno zastpcz ma tak sam posta jak wzr na rezystancj zastpcz rezystorw poczonych szeregowo: C=C1+C2

Oglnie:

Elementy bierne RLC

Rozadowanie kondensatora w ukadzie RC Jeeli do kondensatora C naadowanego do napicia U0, zostanie w chwili t = 0 doczony rezystor R to:

kondensator bdzie si rozadowywa zgodnie z rwnaniem:

Gdzie: RC sta czasow , [][F] = [s]

Elementy bierne RLC

adowanie kondensatora w ukadzie RC. Kondensator C bdzie adowany prdem I ze rda o napiciu UWE wedug rwna:

ktre prowadz do rozwizania:

Po czasie t = 5RC napicie na kondensatorze osiga swoj kocow warto UWE z dokadnoci 1%.

Kondensator charakteryzuje si tym, e (dla sygnaw sinusoidalnych) napicie jest opnione w fazie wzgldem prdu o kt 90 stopni (inaczej: prd wyprzedza napicie o kt 90 stopni).

Elementy bierne RLC

Cewka indukcyjna
Cewka jest elementem zdolnym do gromadzenia energii w polu magnetycznym.

a) na rdzeniu toroidalnym, b) na rdzeniu walcowym Szybko zmian prdu pyncego przez cewk indukcyjn zaley od panujcego na niej napicia :

gdzie L - indukcyjno cewki w [H] (w praktyce najczciej H i mH) Zastosowanie rdzenia ma za zadanie zwielokrotni indukcyjno cewki.

Elementy bierne RLC

Transformator
Transformator - urzdzenie skadajce si z dwch silnie sprzonych ze sob uzwoje (pierwotnego i wtrnego), nawinitych na wsplnym rdzeniu. Jeli do uzwojenia pierwotnego zostanie doprowadzone napicie zmienne U1, to zmienia si bdzie tak samo strumie magnetyczny w rdzeniu, co spowoduje wyindukowanie napicia zmiennego U2 w uzwojeniu wtrnym. Napicie U2 bdzie miao taki sam ksztat jak napicie w uzwojeniu pierwotnym, a amplitud wprost proporcjonaln do przekadni transformatora:

gdzie: n - przekadnia transformatora, n1 - liczba zwojw w uzwojeniu pierwotnym, n2 - liczba zwojw w uzwojeniu wtrnym, Prd I2 pyncy w uzwojeniu wtrnym transformatora jest odwrotnie proporcjonalny do prdu I1 pyncego w uzwojeniu pierwotnym:

Godna uwagi jest jeszcze jedna waciwo transformatorw, jest to transformacja impedancji wedug poniszego wzoru:

gdzie: Z1, Z2 impedancje odpowiednio, po stronie pierwotnej i wtrnej transformatora, Jeli z2 bdzie mniejsze od z1 to transformator bdzie obnia napicie.

Elementy bierne RLC

Transformatory stosowane w ukadach elektronicznych to najczciej transformatory sieciowe. Transformatory sieciowe speniaj dwie podstawowe funkcje: - zmieniaj napicie sieciowe (230V, 50Hz) na nisze, - izoluj ukad elektroniczny od czci sieciowej.

Diody
Diody

Jeeli do anody diody doprowadzi si napicie dodatnie wzgldem katody czyli UAK > 0, to bdzie ona spolaryzowana w kierunku przewodzenia i prd popynie od anody do katody. W przypadku gdy napicie UAK < 0 dioda jest spolaryzowana zaporowo i prd przez ni nie pynie (w rzeczywistoci pynie tzw. prd wsteczny, ktry jest o kilka rzdw mniejszy od prdu przewodzenia). Jeeli napicie zaporowe przekroczy tzw. napicie przebicia, wtedy popynie prd porwnywalny z prdem w kierunku przewodzenia, co zwykle powoduje uszkodzenie diody (za wyjtkiem diody Zenera).

Diody
Charakterystyka diody

Charakterystyka diody ID = ID(UAK) Gdzie: ID - prd przewodzenia diody IFmax maksymalny prd przewodzenia diody IF prd przewodzenia UF napicie przewodzenia (okrelane przy IF = 0,1 IFmax) URmax napicie maksymalne w kierunku zaporowym Dla diody germanowej Ge napicie UF zawiera si w zakresie od 0,2V do 0,4V Dla diody krzemowej Si - od 0,5V do 0,8V. Teoretyczna charakterystyka diody:

Gdzie: IS - teoretyczny prd wsteczny, m - wspczynnik korekcyjny (1 do 2), UT - potencja elektrokinetyczny.

Diody
Potencja kinetyczny temperaturze normalnej (pokojowej) wynosi:

Typowe dane katalogowe diody germanowej i krzemowej: mUT=30 mV, IFmax=100 mA - dioda krzemowa IS=10 pA, - dioda germanowa IS=100 nA, mUT=30 mV, IFmax=100 mA.

Teoretyczne charakterystyki diody germanowej i krzemowej Z charakterystyki mona odczyta wartoci napicia przewodzenia UF dla prdu przewodzenia IF=0,1IFmax. Dla diody germanowej napicie przewodzenia jest rwne 0,35V, a dla diody krzemowej 0,62V.

Diody
Przeczanie diody

Wanym parametrem diody jest czas magazynowania adunku tm. Typowe wartoci czasu tm s rwne od ok. 10ns do 100ns (diody maej mocy) do rzdu s (diody duej mocy). Przy pracy diody w obwodach z sygnaami szybkozmiennymi powinien by speniony warunek tm << T (T okres sygnau szybkozmiennego).

Dioda Schottky'ego

Stosowana w ukadach z sygnaami o duej czstotliwoci. W diodzie Schottky'ego miejsce zcza p-n zajmuje zcze metal-pprzewodnik, ktre te ma waciwoci prostownicze (przepuszczanie prdu w jednym kierunku). adunek magazynowany w takim zczu jest bardzo may i dlatego typowy czas przeczania jest rzdu 100ps. Diody Schottky'ego maj mniejsze napicie przewodzenia (UF=0,3V) ni diody krzemowe.

Diody
Dioda Zenera

Dioda Zenera wykorzystuje t waciwo zcz p-n, ktra w przypadku zwykych diod jest zgubna - przekroczenie maksymalnego napicia wstecznego, przy ktrym prd bardzo szybko wzrasta. Maksymalne napicie wsteczne dla diod Zenera jest dokadnie okrelone i nazywane napiciem Zenera UZ. Stabilizacja na diodzie Zenera polega na tym, e duym zmianom prdu diody ID towarzysz bardzo mae zmiany spadku napicia UAK - przyjmuje si, e napicie na diodzie nie zmienia si i jest rwne napiciu Zenera UZ. Diody Zenara stosuje si do stabilizacji napi staych (dostpne s diody na napicia Zenera od 1,5V do 200V, przy czym im mniejsze UZ tym gorsza stabilizacja).

Najprostszy ukad stabilizacji napicia staego

Diody
Dioda jako prostownik Prostownik jest ukadem, ktry zamienia prd przemienny (pyncy w dwch kierunkach) na prd stay (pyncy w jednym kierunku).

Prostownik jednopowkowy

Diody
Prostownik dwupowkowy

Prostownik dwupowkowy w ukadzie mostkowym Dla dodatniej powki sinusoidy sygnau wejciowego prd (strzaki czerwone) popynie przez diod D1 do obcienia RL, dalej poprzez diod D3 do rda Ug. Dla powki ujemnej prd (strzaki niebieskie) popynie poprzez diod D4 do obcienia RL, a nastpnie poprzez diod D2 z powrotem do rda Ug. Poziome odcinki pomidzy powkami sinusoidy s spowodowane spadkami napi na przewodzcych diodach. Warto zauway, e w ukadzie mostkowym dla obu kierunkw sygnau wejciowego, z wejciem s poczone szeregowo dwie diody - dlatego aby prd zacz pyn do obcienia, napicie Ug musi by wiksze od podwojonego napicia przewodzenia diody (Ug>20.6V).

Diody
Prostownik w zasilaczu sieciowym Prostownik jednopowkowy i dwupowkowy w przedstawionych postaciach charakteryzuj due ttnienia napicia U. Aby otrzyma napicie stae rwnie co do wartoci, naley je wygadzi - w tym celu na wyjciu prostownika stosuje si filtr dolnoprzepustowy (najczciej kondensator elektrolityczny).

Zastosowanie prostownika mostkowego w zasilaczu sieciowym Filtrowanie polega na tym, e kondensator aduje si w czasie, gdy napicie prostownika przewysza napicie na kondensatorze, a rozadowuje si w czasie, gdy napicie prostownika spada poniej napicia na kondensatorze. Aby zapewni ma amplitud ttnie, warto kondensatora C dobiera si tak, aby by speniony warunek: RLC>>1/f gdzie: f - czstotliwoci ttnie (100Hz)

Diody
Aby obliczy przyblion warto midzyszczytow napicia ttnie mona wykorzysta zaleno: U = (I / C) t - dla prostownika jednopowkowego: t = T = 1/f - dla prostownika dwupowkowego: t = 0,5T = 0,5 (1/f) gdzie: T - okres napicia sieciowego (20ms), f czstotliwo napicia sieciowego (50Hz), Std zalenoci na napicia ttnie:

- dla prostownika jednopowkowego: - dla prostownika dwupowkowego:

Powysze wzory pozwalaj obliczy waciw warto pojemnoci dla kondensatora filtrujcego w zasilaczu sieciowym, przy zaoeniu dopuszczalnej wartoci napicia ttnie i maksymalnego prdu obcienia.

Diody
PRZYKAD: Obliczy jaki naley zastosowa kondensator filtrujcy w zasilaczu z prostownikiem jednopowkowym, tak aby warto ttnie napicia wyjciowego nie przekraczaa 1V, przy prdzie obcienia rwnym 20mA. Rozwizanie

Aby obliczy warto tego kondensatora naley skorzysta ze wzoru:

C = IL / (f U) = 0,020 / (50 1) [A/(HzV)] = 0,0004 [(FV/s)/(V/s)] = 400 F

Diody
PRZYKAD: Obliczy jaki naley zastosowa kondensator filtrujcy w zasilaczu z prostownikiem dwupowkowym, tak aby warto ttnie napicia wyjciowego nie przekraczaa 1V przy prdzie obcienia rwnym 20mA. Rozwizanie

Aby obliczy warto tego kondensatora naley skorzysta ze wzoru:

C = IL / (2f U) = 0,020 / 2(50 1) [A/(HzV)] = 0,0002 [(FV/s)/(V/s)] = 200 F

Diody
Prostownik dwupowkowy z kondensatorem filtrujcym Jeeli do wyjcia prostownika nie jest doczone obcienie RL (praca w biegu jaowym), to kondensator C zostaje naadowany w czasie dodatniej powki sinusoidy napicia u0(t) do wartoci maksymalnej biegu jaowego rwnej Uwy0 = 1,41 U0sk- 2 UD gdzie: UD - napicie przewodzenia diody, U0sk - warto skuteczna napicia uzwojenia wtrnego transformatora bez obcienia.

Zakadajc napicie ttnie 0,5V przy prdzie 1,5A obliczona warto pojemnoci kondensatora filtrujcego wyniesie C = 30000 F !, C = Iwy/(2fUtpp)

Diody
Ogranicznik diodowy PRZYKAD: Ukad ma za zadanie ograniczanie wzrostu napicia wyjciowego powyej napicia +4,6V

Na katodzie diody wystpuje napicie 4V (z dzielnika napicia). Jeeli napicie wejciowe wzronie powyej 4,6V to dioda zacznie przewodzi i na wyjciu ukadu napicie bdzie ograniczone do wartoci: Uwy= 4V + 0,6V = 4,6V Tak dugo jak dugo napicie wejciowe bdzie wiksze od 4,6V napicie wyjciowe bdzie ograniczone do tej wanie wartoci. Dla napi wejciowych mniejszych od 4,6V napicie na wyjciu bdzie rwne wejciowemu. Rezystory R2 i R3 musz mie tak warto aby ich rezystancja zastpcza (czyli rezystancja poczonych rwnolegle R2 i R3) bya maa w porwnaniu z rezystorem R1, gdy to pozwoli na zmniejszenie niestaoci rda napicia odniesienia opartego na dzielniku napicia (R2 i R3).

Tranzystory
Tranzystory bipolarne
Tranzystory s elementami aktywnymi - w odrnieniu od elementw pasywnych maj moliwo wzmacniania mocy (na wyjciu takiego elementu jest wytwarzany sygna o mocy wikszej ni sygna na jego wejciu)

Tranzystor jest elementem o trzech kocwkach (elektrodach) i suy do wzmacniania lub przeczania sygnaw.

Uproszczona struktura i symbol tranzystora npn

Uproszczona struktura i symbol tranzystora pnp

Tranzystory
Tranzystory bipolarne

1947 rok - odkrycie TRANZYSTORA przez Johna Bardeena i Waltera Brattaina w Bell Telephone Laboratories w USA.

1956 rok - zespoowa Nagroda Nobla dla J. Bardeena, W. Brattaina i W. Shockleya za odkrycie i opracowanie teorii tranzystora bipolarnego.

Tranzystory
Budowa i zasada dziaania

Zasada dziaania tranzystora bipolarnego od strony 'uytkowej' polega na sterowaniu wartoci prdu kolektora za pomoc prdu bazy. Prd kolektora jest wprost proporcjonalny do prdu bazy, wspczynnik proporcjonalnoci nazywamy wzmocnieniem tranzystora i oznaczamy symbolem hFE lub greck liter

Tranzystory
Stany pracy tranzystora

Rozrnia si cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: stan zatkania (odcicia): zcza BE i CB spolaryzowane s w kierunku zaporowym, stan nasycenia: zcza BE i CB spolaryzowane s w kierunku przewodzenia, Stany nasycenia i zatkania stosowane s w technice impulsowej, jak rwnie w ukadach cyfrowych. stan aktywny: zcze BE spolaryzowane w kierunku przewodzenia, za zcze CB zaporowo, Stan aktywny tranzystora jest podstawowym stanem pracy wykorzystywanym we wzmacniaczach; w tym zakresie pracy tranzystor charakteryzuje si duym wzmocnieniem prdowym (kilkadziesit-kilkaset). stan aktywny inwersyjny: BE zaporowo, CB w kierunku przewodzenia (odwrotnie ni stanie aktywnym). Stan aktywny inwersyjny nie jest powszechnie stosowany, poniewa ze wzgldw konstrukcyjnych tranzystor charakteryzuje si wwczas gorszymi parametrami ni w stanie aktywnym (normalnym), m.in. mniejszym wzmocnieniem prdowym.

Tranzystory
Ukady pracy tranzystora:
wsplnego emitera OE, wsplnej bazy OB, wsplnego kolektora OC,

Parametr Rezystancja wejciowa Wzmocnienie napiciowe Wzmocnienie prdowe Oporno wyjciowa

OC dua rwne jednoci due maa

OE rednia due rednie dua

OB maa rednie mniejsze od jednoci dua

Nr 1 2 3

Wzmacniacz o : Wzmocnienie napiciowe Wzmocnienie prdowe Przesunicie fazowe midzy sygnaem wejciowym i wyjciowym Pasmo przenoszenia

WSPLNYM EMITERZE due due 1800 mae

WSPLNYM KOLEKTORZE <1 due 00 rednie

WSPLNEJ BAZIE due <1 00 due

Tranzystory
Aby tranzystor znajdowa si w stanie aktywnym (normalnej pracy) to musz by spenione nastpujce warunki: dla tranzystora npn potencja kolektora musi by wyszy od potencjau emitera, dla tranzystora pnp potencja kolektora musi by niszy od potencjau emitera, zcze baza-emiter musi by spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a zcze kolektor-baza w kierunku zaporowym, nie mog zosta przekroczone maksymalne wartoci: IC, IB, UCE, UBE, moc wydzielana na kolektorze IC UCE, temperatura pracy.

UWAGA!
Analizujc diodowy model zastpczy tranzystora nie naley myli prdu kolektora z prdem przewodzenia zcza kolektor-baza, gdy jest ono spolaryzowane zaporowo, a pyncy prd kolektora jest wynikiem dziaania tranzystora. Prd kolektora IC i prd bazy IB wpywajce do tranzystora cz si w jego wntrzu i wypywaj w postaci prdu emitera IE.

Tranzystory
Jeeli tranzystor jest w stanie normalnej pracy, to prawdziwa jest zaleno:

IC = hFE IB = IB
gdzie hFE - wspczynnikiem wzmocnienia prdowego (nazywany rwnie bet ~ 50 do 300A/A).

Z zalenoci przedstawionej wyej wynika wana cecha tranzystorw jak jest sterowanie przez may prd wpywajcy do bazy duym prdem wpywajcym do kolektora.

Tranzystory
Charakterystyki tranzystora

Charakterystyka przejciowa

Charakterystyka wyjciowa

do wywoania duych zmian prdu kolektora IC wystarcz mae zmiany napicia baza-emiter UBE. punkt, w ktrym nastpuje zagicie charakterystyki wyjciowej nazywany jest napiciem nasycenia kolektor-emiter UCEsat. powyej napicia nasycenia UCEsat, prd kolektora IC prawie nie zaley od napicia UCE, dla tranzystora wspczynnik korekcyjny m 1, std wzr opisujcy charakterystyk przejciow ma posta: dla IC >> IC0

Tranzystory
Zmian prdu IC, wynikajc ze zmiany napicia UBE charakteryzuje parametr nazywany konduktancj przenoszenia w przd lub transkonduktancj:

aby obliczy gm naley zrniczkowa rwnanie opisujce charakterystyk przejciow [Tietze, Schenk]:

transkonduktancja jest proporcjonalna do prdu kolektora i nie zaley od indywidualnych waciwoci tranzystora. Zaleno prdu IC od napicia UCE jest charakteryzowana przez parametr nazywany rniczkow rezystancj wyjciow:

nachylenie charakterystyki przy wikszych IC ronie, a wic rezystancja wyjciowa rce maleje i w przyblieniu jest odwrotnie proporcjonalna do prdu kolektora IC, czyli

gdzie: UY - wspczynnik Early'ego - jego warto mona wyznaczy w drodze pomiarw rce (typowe wartoci UY wynosz od 80 do 200V dla tranzystorw npn i od 40 do 150V dla tranzystorw pnp)

Tranzystory

Charakterystyka wejciowa

Zaleno IC od IB

Zaleno od IC

Charakterystyk wejciow mona opisa rwnaniem: (w ktrym m 1)

Parametrem cile zwizanym z charakterystyk wejciow jest rniczkowa rezystancja wejciowa rbe:

Aby wyliczy jej warto naley zrniczkowa rwnanie opisujce charakterystyk wejciow:

prd IC jest w przyblieniu proporcjonalny do prdu bazy IC = IB. Poniewa IB(UBE) charakteryzuje m 1, std nie jest stae i zaley od IC maosygnaowy wspczynnik wzmocnienia prdowego: statyczny wspczynnik wzmocnienia prdowego

Tranzystory
Korzystajc ze wzorw na wspczynnik wzmocnienia prdowego i transkonduktancj gm mona wyprowadzi wzr na rezystancj wejciow rbe w postaci wygodnej do jej oblicze:

Parametry graniczne tranzystora Parametry graniczne te wartoci, ktre nie mog by przekraczane podczas pracy tranzystora: UEB0max - dopuszczalne napicie wsteczne baza-emiter UCB0max - dopuszczalne napicie wsteczne kolektor-baza UCE0max - maksymalne dopuszczalne napicie kolektor-emiter ICmax - maksymalny prd kolektora IBmax - maksymalny prd bazy Pstrmax - maksymalna dopuszczalna moc strat

Parametry ICmax, UCE0max, Pstrmax wyznaczaj dopuszczalny obszar pracy aktywnej, w skrcie SOA (safe operating area).

Tranzystory
Typowe parametry tranzystorw Tranzystory oprcz parametrw granicznych posiadaj rwnie kilka innych parametrw, ktre s podawane przez producentw na kartach katalogowych. W poniszej tabelce podane s parametry dla tranzystora maej mocy i dla tranzystora mocy.

Tranzystory
Tranzystor jako przecznik Po zaczeniu wcznika W: UBE = 0,6 V UR = 9,4 V std: IB = 9,4mA (I B = 0,94mA dla R = 10k) Dla = 100: IC = 940mA ? NIE! (IC = 94mA ? TAK) IC = 100mA (IC = 94mA) Uwaga: rezystancja zimnej arwki jest 5 do 10 razy mniejsza ni rozgrzanej Dla obcie indukcyjnych tranzystor musi by chroniony przez rwnolege doczenie diody do obcienia

+10V W zarwka 10V, 0.1A 1k

+Ucc

Tranzystory
Wtrnik emiterowy (ukad ze wsplnym kolektorem OC) Wyjciem ukadu jest emiter tranzystora Napicie wyjciowe: UE = UB 0,6V Brak rezystora w obwodzie kolektora

+Ucc

R
Impedancja wejciowa wtrnika emiterowego jest znacznie wiksza ni impedancja wyjciowa (transformacja impedancji) Zwe = (hFE + 1) ZOBC Jeli napicie na bazie zmienimy o UB to: UE = UB IE = (hFE + 1) IB Wtrnik emiterowy jest wzmacniaczem prdowym, nie ma natomiast wzmocnienia napiciowego (kU = 1)
Uwy

Uwe

Rc

Przykad:
Stabilizator napicia z diod Zenera i wtrnikiem emiterowym, zwikszajcym prd wyjciowy

Tranzystory
Wzmacniacze sygnaowe Przy braku rezystorw R1 i R2:
R1 C1
s. wejciowy s. wyjciowy

+Ucc

Konieczne jest zatem ustalenie punktu pracy wtrnika

Przykad: projekt wtrnika dla sygnaw w pamie od 20 Hz do 20 kHz, C2 zasilanie Ucc = +15V, prd spoczynkowy emitera IEs = 1 mA, hFE = 100. 1. Wybieramy warto UE tak, aby uzyska maksymaln amplitud napicia zmiennego na wyjciu, bez obcinania wierzchokw: R2 RE UE = 0,5 UCC = 7,5V 2. Obliczamy RE dla IEs Wtrnik emiterowy ze sprzeniem RE = 7,5V / 0,001A = 7,5k pojemnociowym 3. Dobieramy R1 i R2, ktre ustal potencja bazy (i emitera!) UB = UE + 0,6V = 8,1V Z dzielnika napicia: R1/R2 = 0,85 5. Obliczamy kondensator C2 (za. ROBC RE) Aby dzielnik by nieobciony: R1 || R2 << hFERE R1 || R2 0,1100 7,5k = 75k C2 = 1F dla ROBC = RE Skd R1 = 130k, R2 = 150k 4. Obliczamy kondensator C1 6. Zwikszamy wartoci pojemnoci C1 = 1 / (2f R) = 1,26 10-7 0,15F C1 = 0,5F, C2 = 3,3F dla f = 20Hz, R = (hFERE) || (R1 || R2) = 750k || 70k = 64k

Tranzystory
Wzmacniacze sygnaowe wzmacniacz ze wsplnym emiterem (OE)

+Ucc
1. Spoczynkowy prd kolektora ICs = 1mA - co wynika z potencjau bazy UB i wartoci RE
20V

R1 C1
1,6V

RC
10V

2. Potencja kolektora UC = UCC - URc = 20 10k1mA = 10V 3. Do bazy doprowadzamy napicie zmienne uB uE = uB Std iE = uE/RE = uB/RE = iC 4. Zmiana napicia na bazie powoduje zmian napicia na kolektorze uC = - iCRC = - uB(RC/RE) 5. Ukad jest wzmacniaczem napicia o wzmocnieniu kU = uWY/uWE = -RC/RE kU = -10000/1000 [V/V] = -10 [V/V]

C2

1,0V

R2

RE

Wzmacniacz ze wsplnym emiterem UCC = 20V R1 = 110k, R2 = 10k C1 = 0,1F, C2 = 1F RC = 10k, RE = 1k

Tranzystory
Prosta obcienia i punkt pracy tranzystora

Na podstawie II-go prawa Kirchhoffa:

UCC= URc+ UCE

podstawiajc URc = ICRc :

(RC rezystancja obcienia) UCC= IC RC+ UCE

skd zaleno midzy prdem kolektora IC a napiciem kolektor-emiter UCE:

mona opisa funkcj liniow postaci: y = -ax + b nazywa si prost obcienia

Tranzystory
prost obcienia przedstawia si na tle charakterystyk wyjciowych tranzystora, obliczajc pooenie dwch skrajnych jej punktw: dla IC = 0 i UCE = 0:

dla IC = 0: 0 = -UCE/RC + UCC/RC skd punkt A jest okrelony: UCE = UCC, IC = 0; dla UCE = 0: IC = UCC/RC, UCE = 0;

punkt P wyznacza punkt pracy tranzystora czyli prd kolektora IC oraz napicie UCE dla okrelonego prdu bazy IB. punkt pracy P moe porusza si po prostej obcienia od punktu A' do B' w zalenoci od wartoci prdu bazy IB (tranzystor jest elementem sterowanym prdem bazy) Punkty A i B nie s osigalne

Tranzystory
staoprdowy punkt pracy P tranzystora naley tak dobiera, aby zmiany sygnau sterujcego IB nie powodoway znieksztace sygnau wyjciowego (napicia na kolektorze).

jeeli punkt pracy bdzie zbyt blisko punktu B to przy np. sygnale sinusoidalnym mog by obcinane grne powki sinusoidy, z kolei jeli punkt P przesun w stron A, to dla tego samego sygnau mog by obcinane dolne (ujemne) powki sinusoidy.

Tranzystory
Przykad Wyznaczy (1) punkt pracy (okrelony przez wartoci staego prdu kolektora IC i napicia kolektor-emiter UCE) oraz okreli (2) maksymaln amplitud nieznieksztaconego napicia wyjciowego Uwy tranzystora pracujcego jako wzmacniacz w ukadzie wsplnego emitera,

uwzgldniajc nastpujce warunki: - napicie UBE wynosi 600mV, - prd zerowy kolektora ICE0 jest bardzo may i moe by pominity, - wspczynnik wzmocnienia prdowego = 50, - prd kolektora IC w obszarze aktywnym nie zaley od napicia UCE, - granic midzy stanem aktywnym, a stanem nasycenia tranzystora jest warunek UCB = 0.

Tranzystory
Rozwizanie (1) Stay prd bazy IB pynie od zasilania UCC przez rezystor R2 do bazy, stay prd kolektora IC pynie od zasilania UCC przez R1 do kolektora. Na podstawie II-go prawa Kirchhoffa oraz z Prawa Ohma mona obliczy: prd bazy IB = UR2/R2 UR2 = UCC - UBE IB = (UCC- UBE)/R2 = (10 - 0,6)/9400 = 0,001A = 1mA prd kolektora IC = IB IC = IB = 50 1 = 50mA napicia kolektor-emiter UCE = UCC - UR1 = UCC - (IC R1) = 10 [V] - (50 100) [mA ] = 10 [V] - 5000 [mV] = 5V Przy obliczaniu prdu kolektora zosta uyty wzr IC = IB, prawdziwy dla stanu aktywnego tranzystora, (zcze kolektor-baza spolaryzowane zaporowo UCB>0), czy tak jest faktycznie? UCB = UCE UBE = 5 [V] - 0,6 [V] = 4,4V skd wida, e warunek jest speniony tranzystor jest w stanie aktywnym. Punkt pracy tranzystora jest okrelony przez IC=50mA UCE=5V

Tranzystory
Rozwizanie (2) Podanie sinusoidalnego napicia wejciowego Uwe powoduje, e na sta warto prdu bazy IB=1mA nakada si skadowa zmienna. Punkt pracy P przesuwa si po prostej obcienia, co powoduje zmiany prdu kolektora IC i napicia UCE zgodnie z sygnaem wejciowym. Dla tranzystora znajdujcego si w stanie aktywnym i dla niewielkich zmian Uwe, ksztat skadowej zmiennej napicia na kolektorze naoonej na stae napicie UCE = 5V jest taki sam jak napicia wejciowego, Napicie wyjciowe (na kolektorze) rni si od wejciowego amplitud, ktra jest wiksza i jest odwrcone w fazie o 180 - dodatniej powce sinusoidy na wejciu odpowiada ujemna powka sinusoidy na wyjciu i odwrotnie.

Tranzystory
narastajcemu napiciu wejciowemu odpowiada zwikszanie prdu bazy IB ponad 1mA co powoduje proporcjonalne (IC = IB) a co za tym idzie zwikszanie w efekcie zwikszanie prdu kolektora IC

spadku napicia na rezystorze R1 (UR1 = ICR1) UCE = 5V (UC E = UCC - UR1)

spadek napicie na kolektorze UCE poniej wartoci

dla wikszych prdw bazy (w stosunku do IB) chwilowy punkt pracy przesuwa si w kierunku punktu B', co si wie ze zmniejszaniem napicia UCE, a dla mniejszych prdw bazy chwilowy punkt pracy przesuwa si w kierunku punktu A', co si wie ze zwikszaniem napicia UCE. aby uzyska maksymaln amplitud nieznieksztaconego napicia wyjciowego Uwy, punkt pracy P powinien si mieci w poowie zakresu zmian UCE (niebieska sinusoida).

Tranzystory
na kolektorze moe wystpi maksymalnie napicie (przy pominiciu prdu zerowego kolektora ICE0 i dla IB = 0) UCE = UCC = 10V wic moe si zwikszy o 5V minimalne napicie, jakie moe wystpi na kolektorze (jeszcze dla stanu aktywnego) wynosi: UCE = 0,6V wic moe si zmniejszy o 4,4V. Napicie wyjciowe moe mie bez znieksztace: dodatni amplitud rwn 5,0V oraz ujemn amplitud rwn 4,4V Optymalnym rozwizaniem jest wybranie punktu pracy, ktry bdzie spenia nastpujcy warunek UCE = 1/2(UCC+ UCEs) = 1/2(10 [V] + 0,6 [V]) = 5,3V Aby zaoony w treci przykadu punkt pracy pozosta bez zmian (IB = 1mA oraz IC = 50mA) mona zmodyfikowa warto rezystora R1: R1 = (UCC- UCE)/IC = (10 - 5,3)/50 [V/mA] = 94 Wwczas mona uzyska nieznieksztacone napicie wyjciowe o amplitudzie rwnej 4,7V. (bo UCE = UBE+ UCB, a UCB = 0)

Tranzystory
Ukad Darlingtona Ukad Darlingtona - ukad wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych o szczeglnie duym wzmocnieniu, w ktrym emiter tranzystora w stopniu wstpnym poczony jest galwanicznie z baz drugiego stopnia wzmacniajcego, a kolektory obu tranzystorw s poczone ze sob. Prd emitera pierwszego tranzystora rwny jest wic prdowi bazy drugiego, a prdy kolektorw obu tranzystorw sumuj si. Wspczynnik wzmocnienia Darlington ukadu jest iloczynem wspczynnikw wzmocnienia obu tranzystorw wchodzcych w skad ukadu:

Wad takiego ukadu jest podwyszone napicie polaryzacji bazy pierwszego tranzystora wzgldem emitera drugiego, ktre jest sum napi polaryzacji obu tranzystorw skadowych: VBE = VBE1 + VBE2 Typowy przykad to tranzystor typ 2N6282, ktry przy wzmocnieniu Darlington = 2400 pracuje przy prdzie kolektora (waciwie: sumie prdw obu kolektorw, przy czym prd kolektora pierwszego tranzystora jest pomijalnie may) rzdu 10 A. Ukad zosta opracowany w 1953 przez Sidneya Darlingtona (1906-1997), pracujcego w Bell Laboratories w USA

Tranzystory
Ukad Darlingtona

Tranzystor Darlingtona

Tranzystory
Tranzystory unipolarne FET (Field Effect Transistor) [1,2,5,7]

Dziaanie polega na sterowanym transporcie jednego rodzaju nonikw (elektronw lub dziur).

Sterowanie transportem tych nonikw odbywa si w czci tranzystora zwanej kanaem, za porednictwem zmian pola elektrycznego przyoonego do elektrody zwanej bramk (G).

Bramka jest odizolowana od kanau, a wic pomidzy ni a pozostaymi elektrodami tranzystora polowego rdem (S) oraz drenem (D) - wystpuje bardzo dua impedancja.

! Tranzystory polowe zalicza si je do najczciej stosowanych elementw dyskretnych, w wielu przypadkach

zajy obecnie miejsce tranzystorw bipolarnych

Tranzystory
Tranzystory unipolarne
Podzia: - zczowe (JFET - Junction Field Effect Transistor), oddzielenie bramki od kanau jest wykonane za porednictwem zaporowo spolaryzowanego zcza p-n. - z izolowan bramk (IGFET - Insulated Gate Field Effect Transistor), ktre dziel si na: - tranzystory MIS (Metal Insulator Semiconduktor - metal izolator pprzewodnik), MISFET, MOS (Metal Oxide Semicondauctor - metal tlenek pprzewodnik), MOSFET, - tranzystory TFT (Thin Film Transistor tranzystor cienkowarstwowy). bramka jest odizolowana od kanau cienk warstw izolatora, ktrym jest najczciej dwutlenek krzemu

Tranzystory
Tranzystory unipolarne

Tranzystory
Tranzystory unipolarne
Zasada dziaania

Jednorodny obszar pprzewodnika wystpujcy midzy drenem i rdem stanowi kana, przez ktry pynie prd i ktrego rezystancj mona zmienia przez zmian szerokoci kanau. Zmian szerokoci kanau uzyskuje si przez rozszerzenie lub zwenie warstwy zaporowej zcza p-n, a wic przez zmian napicia UGS polaryzujcego to zcze w kierunku zaporowym. Dalsze zwikszanie napicia UGS moe spowodowa poczenie si warstw zaporowych i zamknicie kanau - rezystancja kanau staje si bardzo dua Tranzystor JFET stanowi swego rodzaju rezystor sterowany napiciowo.

Tranzystory
Tranzystory unipolarne
Zasada dziaania tranzystora MOSFET z kanaem indukowanym typu n i podoem typu p.

W przypadku braku polaryzacji drenu i bramki (UDS=0 i UGS=0) nie wystpuje poczenie elektryczne pomidzy drenem i rdem nie ma kanau. Jeeli zaczniemy polaryzowa bramk coraz wikszym napiciem UGS>0, to po przekroczeniu pewnej wartoci tego napicia, zwanej napiciem progowym UP, dodatni adunek bramki spowoduje powstanie pod jej powierzchni warstwy inwersyjnej, zoonej z elektronw swobodnych o duej koncentracji - powstaje w ten sposb w warstwie inwersyjnej poczenie elektryczne pomidzy drenem a rdem.

Tranzystory
Tranzystory unipolarne

Przewodno tego poczenia zaley od koncentracji elektronw w indukowanym kanale, czyli od napicia UGS. Wielko prdu pyncego powstaym kanaem zaley prawie liniowo od napicia UDS. Zaleno ta nie jest jednak do koca liniowa, poniewa prd ten zmienia stan polaryzacji bramki, na skutek czego im bliej drenu, tym rnica potencjaw pomidzy bramk i podoem jest mniejsza, a kana pytszy. Gdy w wyniku dalszego zwikszania napicia UGS przekroczona zostanie pewna jego warto zwana napiciem odcicia UGSoff, lub warto napicia UDS zrwna si z poziomem napicia UGS, powstay kana cakowicie zniknie. Dla maych wartoci napicia dren-rdo tranzystor typu MOSFET stanowi liniowy rezystor, ktrego rezystancj mona regulowa za pomoc napicia bramka-rdo.

Tranzystory
Tranzystory unipolarne - parametry
Napicie odcicia bramka-rdo UGS(OFF) , czyli napicie jakie naley doprowadzi do bramki, aby przy ustalonym napiciu UDS nie pyn prd drenu. Napiecie progowe UP - napicie jakie naley doprowadzi, aby przez tranzystor popyn prd Prd nasycenia IDSS prd drenu pyncy przy napiciu UGS=0 i okrelonym napiciu UDS. Prd wyczenia ID(OFF) - prd drenu pyncy przy spolaryzowaniu bramki napiciem |UGS| > |UGS(OFF)| Rezystancja statyczna wczenia RDS(ON) - rezystancja midzy drenem a rdem tranzystora pracujcego w zakresie liniowym charakterystyki ID = f(UDS) przy UGS=0; Resystancja statyczna wyczenia RDS(OFF) - rezystancja midzy drenem a rdem tranzystora znajdujcego si w stanie odcicia Dopuszczalny prd drenu IDmax Dopuszczalny prd bramki IGmax Dopuszczalne napicie dren-rdo UDSmax Dopuszczalne straty mocy Ptot max Waciwoci wzmacniajce tranzystora okrela stosunek zmiany prdu ID do zmiany napicia sterujcego UGS nazywany konduktancj wzajemn (transkonduktancj) gm: Konduktancja drenu lub konduktancja wyjciowa:

Wspczynnikiem wzmocnienia napiciowego:

Tranzystory
Tranzystory unipolarne - parametry

Tranzystory
Tranzystory unipolarne - polaryzacja

W zalenoci od sposobu polaryzacji tranzystora unipolarnego, moe on pracowa w trzech rnych obszarach:

w obszarze odcicia - gdy |UGS| > |UP| , UDS -dowolne

w obszarze aktywnym - gdy |UGS| < |UP| i |UDS| <= |UDS SAT|

w obszarze nasycenia - gdy |UGS| < |UP| i |UDS| > |UDS SAT|

gdzie UDS nasycenia.

SAT

- napicie dren-rdo, dla ktrego nastpuje wejcie charakterystyki prdu drenu do obszaru

Tranzystory
Tranzystory unipolarne - charakterystyki
Przejciowa - zaleno prdu drenu (ID) od napicia bramka-rdo (UGS) przy staym napiciu dren-rdo (UDS). Charakterystyka ta dla rnych typw tranzystorw przedstawiona zostaa poniej.

Charakterystyka Wyjciowa - zaleno prdu drenu (ID) od napicia dren-rdo (UDS), przy staym napiciu bramka-rdo (UGS). Cay obszar charakterystyki wyjciowej mona podzieli na dwie czci: obszar nasycenia i obszar nienasycenia (liniowy). Na poniszym rysunku obszary te s rozdzielone niebiesk lini, ktrej ksztat przypomina parabol. W zakresie liniowym (nienasycenia) tranzystor unipolarny zachowuje si jak rezystor pprzewodnikowy. Prd ID ze wzrostem napicia UDS wzrasta w przyblieniu liniowo. W zakresie nasycenia napicie UDS bardzo nieznacznie wpywa na warto prdu drenu, natomiast bramka zachowuje waciwoci sterujce.

Tranzystory
Tranzystory unipolarne - zastosowania

Tranzystory polowe znajduj zastosowanie przede wszystkim wwczas, gdy jest wymagana bardzo dua rezystancja wejciowa elementu aktywnego. Dotyczy to zwaszcza wzmacniaczy o duej rezystancji wejciowej, woltomierzy i przecznikw sterowanych bezprdowo.

Ukady zasilajce
Zasilacze budowa [1,2,6]

Schemat blokowy zasilacza

Ukady zasilajce
Zasilacze wybr transformatora i zabezpieczenia

Projektujc zasilacz, nalee w pierwszym rzdzie okreli, z jakiego rda pobierana bdzie energia to umoliwi zdecydowa, czy jest potrzebny transformator, a jeli tak, to jakiego rodzaju. Transformator to element bierny sucy do zamiany przemiennych napi i prdw wejciowych na przemienne napicia i prdy wyjciowe z reguy o innej wartoci. Zamiana ta dokonuje si za porednictwem pola magnetycznego i przy spenieniu zasady zachowania energii (element idealny nie wykazuje strat). Oznacza to, e dysponujc okrelon moc na wejciu, nie moemy uzyska wikszej mocy na wyjciu. Podstawowymi parametrami transformatora s moc (wyraana w VA) i przekadnia, ktra definiuje stosunek napi i prdw po stronie pierwotnej (wejciowej) i wtrnej (wyjciowej):

(*)

gdzie Up i Ip - przebiegi po stronie pierwotnej, Uw i Iw - przebiegi po stronie wtrnej. Naley pamita, e producent podaje napicia po stronie pierwotnej i wtrnej wyraone w wartociach skutecznych.

Ukady zasilajce
Zasilacze wybr transformatora i zabezpieczenia

Napicie po stronie wtrnej naley dobiera tak, aby byo co najmniej rwne podanemu poziomowi napicia wyjciowego zasilacza (ta zaleno jest jeszcze modyfikowana przez ukady prostownika i filtra ttnie). W przypadku wydajnoci prdowej zasad jest, aby maksymalna wydajno prdowa bya przynajmniej 1,5 raza wiksza od zakadanego obcienia (takie zaoenie zapobiegnie ew. przegrzaniu i spaleniu transformatora. Oprcz tego warto zabezpieczy si przed spaleniem transformatora umieszczajc po stronie pierwotnej bezpiecznik (po stronie wtrnej przewanie istnieje inne zabezpieczenie). Jego warto mona obliczy ze wzoru (*) znajc prd obcienia i mnoc wynik przez kilkukrotny margines (przynajmniej 2-3x). Miejsce umieszczenia bezpiecznika jest wane zaleca si umieszczanie zabezpieczenia przed gwnym wycznikiem ze wzgldu na to, i istnieje ryzyko wystpienia przebicia pomidzy zerem a faz w obwodzie przecznika (dotyczy to urzdze przeczajcych jednoczenie dwa bieguny zasilajce).

Ukady zasilajce
Zasilacze wybr transformatora i zabezpieczenia

Ukady zasilajce
Zasilacze wybr transformatora i zabezpieczenia
Jeli chcemy uzyska pojedyncze napicie zasilajce, tj. mas i podany poziom wyjciowy Vout, to stosujemy klasyczny transformator z jednym uzwojeniem wtrnym bez odczepu. W przypadku, gdy istnieje potrzeba uzyskania napicia dodatniego i ujemnego wzgldem masy (w szczeglnym wypadku na napiciu symetrycznym) naley zastosowa transformator z jednym uzwojeniem wtrnym i odczepem lub kilkoma uzwojeniami wtrnymi, odpowiednio poczonymi (rys. b), aby utworzy wze stanowicy mas.

Ukady zasilajce
Zasilacze wybr transformatora i zabezpieczenia
Istnieje rwnie inny sposb uzyskania symetrycznego napicia bez koniecznoci uycia transformatora z odczepem lub kilkoma uzwojeniami wtrnymi. Na rysunku pokazano aplikacj z prostownikiem jednopowkowym, jednak ze wzgldu na nisk efektywno takie rozwizanie nie jest stosowane. Przy takiej konstrukcji prostownika niezbdnym elementem jest filtr ttnie.

Ukady zasilajce
Zasilacze parametry i rodzaje prostownikw
Dla projektanta zasilacza najwaniejszymi parametrami prostownikw s maksymalny prd przewodzenia i maksymalne napicie wsteczne. W przypadku tego pierwszego istnieje zasada, e mostek powinien przepuci prd przynajmniej 1,5x wikszy od zakadanego obcienia. Problem doboru maksymalnego napicia wstecznego prostownika wie si z zastosowanym filtrem ttnie.

Ukady zasilajce
Zasilacze parametry i rodzaje prostownikw
Najczciej w roli filtra ttnie wystpuje kondensator elektrolityczny o duej pojemnoci. W czasie poowy okresu napicia wtrnego, w ktrej amplituda jest dodatnia, napicie na diodzie D3 jest bliskie zeru. Jednak w trakcie trwania drugiej poowy, kiedy amplituda jest ujemna, na diodzie odkada si napicie rwne dwm wartociom szczytowym napicia wtrnego. Z tego powodu napicie rewersyjne powinno by przynajmniej 2,83x wiksze od wartoci skutecznej napicia po stronie wtrnej (przewanie stosuje si przelicznik 3,4x). W przypadku braku filtra ttnie stosuje si zwyke 20% margines bezpieczestwa, tj. napicie rewersyjne powinno by przynajmniej 1,7x wiksze od wartoci skutecznej napicia po stronie wtrnej. Ostatni wan rzecz, o ktrej naley pamita, jest wystpowanie pewnego spadku napicia na prostowniku, co powoduje, i na wyjciu mamy troch niszy potencja ni ten uzyskiwany przez uzwojenie wtrne transformatora. Parametry typowych mostkw prostowniczych

VRRM maksymalne powtarzalne napicie wsteczne VRMS maksymalne skuteczne napicie wejciowe VDC maksymalne stae napicie wsteczne I(AV) maksymalny redni prd przewodzenia VF napicie przewodzenia

Ukady zasilajce
Zasilacze filtrowanie ttnie
Ksztat napicia na wyjciu prostownika jedno lub dwupowkowego jest daleki od idealnej, poziomej linii.

Ukady zasilajce
Zasilacze filtrowanie ttnie filtr z kondensatorem
Zastosowanie kondensatora elektrolitycznego o odpowiednio duej wartoci zaraz za prostownikiem moe znacznie zredukowa ttnienia. Odpowiedni warto pojemnoci mona obliczy z gotowego wzoru zakadajc podany wspczynnik ttnie (zawsze poniej 10%):

gdzie: f to czstotliwo ttnie (50Hz dla prostownika dwupowkowego i 100Hz dla jed-nopowkowego), to zakadany wspczynnik ttnie, RL to warto rezystancji obcienia: RL=UO/IO. Istnieje rwnie bardziej praktyczna regua, ktra mwi, i na kady 1A prdu obcienia naley stosowa kondensator o pojemnoci co najmniej 1000F. Wanym krokiem jest dobr maksymalnego napicia roboczego kondensatora. Minimalny margines to 20% odchyu od amplitudy napicia (1,7x wartoci skutecznej).

Ukady zasilajce
Zasilacze filtrowanie ttnie filtr RC
Istniej urzdzenia o szczeglnej wraliwoci na wszelkiego rodzaju zakcenia w napiciu zasilajcym. W takich wypadkach stosowanie pojedynczego kondensatora jest czsto niewystarczajce (ze wzgldu na konieczno uycia ogromnej pojemnoci). Rozwizaniem moe by obwd filtrujcy RC.

Zapewnia on dalsz redukcj wspczynnika ttnie, jednak odbywa si to kosztem zwikszenia rezystancji szeregowej o warto R1, co ogranicza stosowanie tego ukadu do urzdze o niskim i staym poborze prdu (np. przedwzmacniacze akustyczne). Wartoci elementw dobiera si korzystajc ze wzorw: dla prostownika jednopowkowego,

dla prostownika dwupowkowego

Ukady zasilajce
Zasilacze filtrowanie ttnie

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
W nowoczesnych zasilaczach stosowane s prawie wycznie scalone stabilizatory napicia. Seria 78xx/79xx S to najprostsze trjkocwkowe stabilizatory o ustalonym napiciu wyjciowym okrelonym przez ostatnie dwie cyfry w oznaczeniu (05, 08, 10, 12, 15, 24). Ukady o numerach 78xx su do stabilizacji napi dodatnich wzgldem masy, a 79xx do ujemnych.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Kondensatory C2 i C3 su do zwierania wysokoczstotliwociowych zakce i s standardem w aplikacjach stabilizatorw naley je umieszcza jak najbliej wyprowadze ukadu (w sensie fizycznym, a nie topologicznym na schemacie). Dioda D1 stanowi zabezpieczenie przeciwko zbyt wysokiemu napiciu wyjciowemu taka sytuacja moe mie miejsce zaraz po wyczeniu zasilania. Wtedy dioda zaczyna przewodzi i odprowadza wsteczny prd z kocwki stabilizatora. Dioda D2 stosowana jest do protekcji przed zmian polaryzacji napicia na wyjciu stabilizatora. Rola poszczeglnych elementw obwodu stabilizatora 79xx jest analogiczna do obwodu 78xx.

Oprcz zewntrznych zabezpiecze stabilizatory posiadaj wbudowane ukady zabezpieczajce przed zwarciem na wyjciu oraz przegrzaniem. Podstawow wad takich stabilizatorw jest konieczno zapewnienia rnicy potencjaw pomidzy wejciem a wyjciem wynoszc co najmniej 3V. Przy braku spenienia tego warunku element nie bdzie dziaa. Maksymalna wydajno prdowa w zalenoci od obudowy moe wynie do 1,5A.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LM317/337 Stabilizatory cige LM317 i LM337 to podstawowe ukady o regulowanym napiciu wyjciowym odpowiednio, dodatnim i ujemnym wzgldem masy. Regulacj napicia wyjciowego uzyskuje si za pomoc rda referencyjnego 1,25V (pomidzy kocwk Adjust i Output) i dzielnika napicia zoonego z rezystorw R1 i R2. Wzr na VOUT dla ukadu LM317:

gdzie za R1 zazwyczaj przyjmuje si 240 , a IADJ jest pomijalnie mae. Analogicznie, dla ukadu LM337:

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LM317/337 Przykd zastosowania stabilizatorw LM317 i LM337 do ukadu z redukcj wspczynnika ttnie i zastosowaniem diod zabezpieczajcych. Dioda D2 jest to spowodowane umieszczeniem kondensatora C7 w obwodzie rda referencyjnego o wartoci 1,25V. Jej podstawow funkcj jest odprowa-dzanie prdw rozadowania kondensatora C7, natomiast sam element pojemnociowy suy do redukcji zakce w napiciu wyjciowym. Zabezpieczenia wewntrzne s takie same, jak w przypadku stabilizatorw 78xx/79xx - protekcja termiczna i przeciwzwarciowa. Rwnie minimalna rnica potencjaw pomidzy wejciem, a wyjciem wynosi 3V.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LDO W ukadach 78/79xx oraz LM317/337 napicie pomidzy wejciem, a wyjciem (tzw. Dropo-ut Voltage) musi wynosi co najmniej 3V. Poniej tej wartoci stabilizator w ogle nie za-dziaa, co jest podstawow wad tych elementw ze wzgldu na straty mocy nie nadaj si do zastosowania we wspczesnych urzdzeniach zasilanych bateryjnie. Tymczasem ukady LDO (Low Dropout Voltage) umoliwiaj spadek tego potencjau nawet do kilku-dziesiciu miliwoltw (np. MAX8563 56mV).

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LDO Jest to moliwe dziki zastosowaniu tranzystora PMOS jako elementu przepuszczajcego prd, ktry po przekroczeniu minimalnej wartoci Dropout Voltage staje si rezystorem o wartoci RDSON i przepuszcza napicie wejciowe na wyjcie z uwzgldnieniem spadku na RDSON (URDSON=IO*RDSON). Dziki temu nie musimy dba o odpowiedni wyso-ko potencjau wejciowego i jednoczenie obawia si strat mocy. Ta zaleta bezporednio wskazuje potencjalne zastosowanie zasilacze bazujce na bateriach, akumulatorach itp.

Jednym z bardziej rozbudowanych (i zarazem droszych) programowalnych stabilizatorw LDO jest ukad MAX667. Dostpny w obudowie DIP-8 posiada szereg interesujcych wej i wyj sterujcych, takich jak opcja wyczenia, sygnalizacji zuycia baterii i wyboru napicia wyjciowego z zakresu 3,5-16,5V. Rysunek przedstawia przykadow aplikacj tego sta-bilizatora.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LDO przykadowa aplikacja Regulacj napicia wyjciowego uzyskuje si podczajc dzielnik rezystorowy (R1, R2) SET, ktrego potencja ustalony jest na poziomie 1,22 V. Napicie wyjcio-we wyraa si wzorem:

Ze wzgldu na niski pobr prdu wejcia SET (ok. 10nA) wartoci rezystorw mog by znaczne - typowo R1 wynosi 1M . Gdy SET zostanie podczone bezporednio do masy, to napicie wyjciowe ustali si na poziomie 5V. Stabilizator MAX667 moe zosta wprowadzony w tryb czuwania poprzez podanie na wej-cie SHDN napicia wikszego ni 1,5V. W tym trybie wyjcie OUT jest odczone i pobr prdu ukadu spada poniej 1A.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LDO przykadowa aplikacja Bardzo uyteczn funkcj jest detekcja niskiego poziomu naadowania baterii. Jeli napicie na wejciu LBI spadnie poniej wartoci referencyjnej 1,22V, to tranzystor FET na rys. zostanie wczony i zewrze wyjcie LBO do masy. Zastosowanie dzielnika rezystorowego (R3 i R4) umoliwia regulacj poziomu napicia odniesienia zgodnie ze wzorem:

Podobnie jak dla wejcia SET, niski prd wejciowy LBI (ok. 10nA) umoliwia zastosowanie sporych rezystancji R3 i R4.

Ukady zasilajce
Zasilacze stabilizatory scalone
Stabilizatory cige LDO przykadowa aplikacja Ostatnim wanym wyprowadzeniem jest wyjcie DD (pin nr 1). Kocwka ta poczona jest z otwartym kolektorem wewntrznego tranzystora PNP i zwizana z funkcj detektora spadku napicia Dropout Voltage . Gdy rnica potencjaw pomidzy wejciem, a wyjciem spada poniej 300mV (co jest rwnoznaczne z kocem czasu ycia baterii), to tranzystor PNP zaczyna przewodzi. Podczenie wyprowadzenia DD poprzez rezystor o wartoci ok. 100k do masy umoliwia monitorowanie napicia Dropout Voltage przez zewntrzne obwody. Rysunek przedstawia inne zastosowanie wyjcia DD. Zasada dziaania powyszego obwodu jest nastpujca: spadek Dropout Voltage (np. na sku-tek rozadowania baterii) spowoduje odpowiednio obnienie potencjau VSET i napicia wyj-ciowego VOUT. Jest to konieczne, poniewa w przypadku, gdy ustalone VOUT zaczyna by wiksze od VIN, to stabilizator pobiera prd dochodzcy do 10mA jest to konsekwencja wewntrznej konstrukcji ukadu. Rozwizanie z rysunku zapobiega nadmierne-mu wzrostowi pobieranego prdu i umoliwia wykorzystanie baterii do granic moliwoci.

Ukady zasilajce
Zasilacze zabezpieczenia
Napicie wejciowe stabilizatora jest zawsze wysze od napicia wyjciowego. Gdyby doszo do przepicia, tj. przyoenia potencjau z wejcia na wyjcie, mogoby doj do uszkodzenia zasilanego urzdzenia (takie sytuacje zdarzaj si, gdy np. spalimy stabilizator). Aby unikn powanych konsekwencji stosuje si moduy zabezpieczajce podczone do wyjcia stabili-zatora. Jednym z prostych obwodw przeciwprzepiciowych jest ukad z diod Zenera i tyrystorem. Gdy napicie wejciowe przekroczy napicie Zenera, dojdzie do zaczenia (zwar-cia) tyrystora, co spowoduje przepalenie bezpiecznika F1.

Ukady zasilajce
Zasilacze sygnalizacja
W projektowanych urzdzeniach warto zastosowa sygnalizatory napi wyjciowych i przepalonych bezpiecznikw, poniewa w przypadku wystpienia awarii potrafi szybko wskaza lub wyeliminowa przyczyn ze strony obwodu zasilajcego. Typowy ukad wskanika napicia wyjciowego przedstawia rysunek. Elementem sygnalizacyjnym jest dioda LED D1 poczona szeregowo z rezystorem ograniczajcym prd R1. Warto rezystora naley dobra tak, aby przy znanym napiciu zasilajcym UO i napiciu przewodzenia diody UD przepywa przez ni prd ID z zakresu 10-15mA (dokadne wartoci znajduj si w kartach katalogowych producenta diody). Odpowiedni wzr opisujcy te zalenoci mona wyprowadzi za pomoc napiciowego prawa Kirchoffa:

Ukady zasilajce
Zasilacze sygnalizacja
W przypadku zasilaczy wysokonapiciowych sygnalizatorem s lampki neonowe, ktrych napicie pracy przekracza 67V (w zalenoci od typu). Schemat obwodu i sposb wyznacza-nia wartoci rezystora R1 jest taki sam, jak w przypadku wskanika z diod LED. Rysunek przedstawia obwody sygnalizatorw przepalonych bezpiecznikw dla napicia zmiennego i staego. Gdy bezpiecznik nie jest przepalony, zwiera obwd lampki neonowej (LMP1) lub diody LED i sygnalizator nie wieci si. Po przepaleniu bezpiecznika na jego zaciskach wystpi rnica potencjaw, o czym poinformuje zastosowany wskanik.

W obwodzie z rysunku zastosowano rezystor R3, aby zapewni kontakt z mas w przy-padku, gdy stabilizator ulegnie nietypowemu uszkodzeniu. W takiej konfiguracji:

Ukady zasilajce
Zasilacze chodzenie
Nadmierna temperatura jest jedn z gwnych przyczyn uszkodze elementw elektronicz-nych. Praktyka wskazuje, e zwikszenie temperatury pracy urzdzenia o 10oC powoduje skrcenie redniego czasu midzyawaryjnego (MTBF) o poow. W urzdzeniach o wysokiej wydajnoci prdowej i o duym poborze mocy musz by stosowane systemy chodzenia, aby nie przekroczy dopuszczalnej temperatury pracy wykorzystywanych elementw. Istniej trzy sposoby utrzymywania optymalnej temperatury pracy urzdze: 1. zastosowanie/poprawienie naturalnej wentylacji, 2. rozproszenie wikszej iloci ciepa za pomoc radiatorw, 3. zastosowanie aktywnego systemu chodzenia powietrzem lub wod.

KONIEC