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Entre los últimos desarrollos que empiezan a aparecer en el mercado están los LED de luz
ultravioleta que prometen de hacer lo mismo de los tubos BLB en muchísimas aplicaciones, con la
ventaja de que se pueden alimentar con pilas de pequeño tamaño, y el montaje de los LED en
bases estándar de bombillos miniatura (la serie PR, por ejemplo, un estándar consolidado en
linternas portátiles), y Edison E-14 y E27, para remplazar directamente los tradicionales bulbos de
115 o 230 V. Todos estos tipos para alumbrado, con base, llevan su resistencia incorporada. Los Tabla 1. Algunas longitudes de Ondas y colores
tipos de LED utilizados son en su mayoría de luz blanca, de alto poder luminoso, que se puede
incrementar ulteriormente poniendo en la misma base un racimo (cluster) más o meno grande del Longitud de
Material Onda (λ) Color de la Luz Vf Típico
LED. Este tipo de alumbrado representa una importante novedad por su característica del altísimo
rendimiento, o sea de bajísimo consumo (importante en caso de alimentación con batería); la casi GaAs:Zn 950nm Infrarrojo 1.4V
nula generación de calor; la inherente robustez (no explota o se daña al caer como ocurre con los GaAsP.4 660nm Rojo 1.6V
bombillos incandescentes y los tubos fluorescentes respectivamente) y la larguísima duración, que GaAsP.5 610nm Naranja 2.0V
puede llegar a las 100 mil horas, o sea más de 11 años de uso sin interrupción. Esto último particular
GaAsP.4 605-510nm Ambar 2.0V
es muy importante en el caso de instalaciones extensas y/o difícilmente alcanzables, donde el
costo de la mano de obra en la sustitución de elementos dañados incide en forma sustancial. Otra GaAsp.85:N 585nm Amarillo 2.4V
ventaja no pequeña de los LED respecto a otros tipos de alumbrado es el hecho que no emiten GaAsP 540-570nm Verde-Amarillo 2.4V
ninguna forma de disturbio ni sónico (que es típico de los balastros) ni de interferencia GaP:N 525nm Verde 2.4V
InGaN 495-505nm Turquesa 3.4V
La teoría InGaN 450nm Azul 3.6V
El fenómeno de la emisión de luz puede ser explicado con la teoría de la banda de GaN+SiC 400-405nm Purpura 3.4V
energía en los semiconductores. Un voltaje externo aplicado en la junción PN para su Temperatura
polarización directa excita los portadores mayoritarios (electrones), moviéndolos desde InGaN + YAG Blanco 3.6V
color 6500K
la banda de conducción del lado N a la banda de valencia del lado P. En el traslado los
electrones cruzan la brecha de energía Eg, cediendo este potencial en forma de calor y
+ VCC
de luz (fotones). Cada material semiconductor posee diferentes características de Eg, y
la longitud de onda (λ), o sea el color de la luz emitida por el LED, depende de la IF RL V -V
magnitud de Eg. Por ejemplo, el Arseniuro de Galio, GaAs posee un Eg de 1.35V y un λ R L= CC F
IF
Consideraciones Eléctricas (Operación en DC)
Mientras los bombillos incandescentes se definen por su voltaje, los dispositivos LED VF
Ecuación 1
dependiente de la corriente, por ser básicamente diodos. Cuando la alimentación se derive
de una fuente de voltaje constante, cada LED debe ser protegido conectándolo en serie con Fig. 1
una resistencia limitadora de corriente. Para el sencillo circuito de la figura 1, el valor de la
resistencia puede ser calculado según la ecuación 1: Los valores de VF e IF se encuentran en la hoja de
datos del dispositivo empleado.
Circuitos Activos
+ VCC
En el caso de circuitos activos, como en la figura 2, donde el LED se prende cuando el
transistor está “alto” (conduciendo), el valor de RL se calcula según la ecuación 2: IF RL