UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIDAD N° 4 – Transistores de efecto de campo

Tema: Transistor de Efecto de Campo de Juntura (JFET)

1- El termino efecto de campo hace referencia a que el dispositivo utiliza un campo

eléctrico para controlar la corriente del circuito sin necesidad de contacto directo entre
las cantidades controladoras y controladas.

2- Las diferencias entre los dispositivos JFET y el BJT:

- BJT (transistor de juntura bipolar): consiste en un semiconductor de tres capas donde
dos de ellas corresponden a un tipo y una intermedia del tipo contrario.
• Hay movimiento de dos portadores de carga, ellos son: electrones y huecos.
• Tipos: NPN y PNP.
• Con una corriente de entrada controla una de salida.
• Baja impedancia de entrada.
• Alta ganancia.
• Poco estables.
• Mayor sensibilidad a las variaciones.

- FET (transistor de efecto de campo): consiste en dispositivo de tres terminales similar al

BJT pero, controlado por tensión
• Hay movimiento de un solo portador de carga.
• Con una tensión de entrada se controla una corriente de salida.
• Tipos: canal P y canal N.
• Elevada impedancia de entrada.
• Baja ganancia.
• Mayor estabilidad que los BJT.
• Menor sensibilidad a las variaciones respecto al BJT.
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3-

JFET

FET
Decremental
MOSFET
Incremental

4- La construcción básica del JFET canal N consiste en mayor parte en una estructura
de material tipo N que forma un canal entre las capas interiores del material tipo P. La
parte superior del canal tipo N se encuentra conectada por un contacto tipo óhmico al
termina “Drenaje (D)”. El extremo inferior del mismo material se conecta por un contacto
óhmico al terminal “Fuente (S)”. Los dos materiales tipo P se encuentran conectados
entre sí y también al terminal “Compuerta (G)”.

5- El término representa a la corriente máxima de drenaje para un JFET y está

definida mediante las condiciones = 0V y >| |.

6- Para que se produzca el apagado del dispositivo JFET ( = 0) se deben dar la

siguiente condición: = , siendo el voltaje de estrechamiento.
Para que se produzca la región de ruptura, se deben alcanzar valores altos para . La
corriente de drenaje alcanza valores ilimitados.
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7- En esta región el canal conductor entre drenaje y fuente se comportan como una
resistencia RDS.
La RDS va aumentando a medida que se estrecha el canal, a consecuencia de la
polarización inversa producida por VGS.

La zona óhmica o lineal se sitúa cerca del origen, para 0< VDS <VP .

8- Las cantidades de entrada y salida de un JFET están relacionadas por medio de la

ecuación de Shockley:

9- Se puede trazar gráficamente la curva de transferencia de un JFET a través del

análisis de la ecuación de Shockley. Esto se hace dándole los siguientes valores a dicha
expresión:
• Para =0 tenemos un punto sobre el eje de correspondiente a .
• Para = tenemos que =0, obteniendo un punto sobre el eje de .

• Para = tenemos en la gráfica un valor de = .

A partir de estos tres puntos, se puede trazar la curva de transferencia del transistor de
forma aproximada.
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10- Los valores que aparecen en una hoja de datos son de apagado, el , etc.
Por ejemplo aquí debajo tenemos las distintas características del JFET BF245.

11- La distintas formas de polarizar un transistor JFET son:

• Polarización fija.
• Auto polarización.
• Polarización por divisor de voltaje.