POR DENTRO DO CIRCUITO INTEGRADO

Prof. Dr. João Antonio Martino

Professor Titular do PSI/EPUSP
martino@lsi.usp.br

A recente explosão no uso da tecnologia da informação e da comunicação sem fio

(wireless), tem sido surpreendente. Produtos como telefones celulares, câmeras digitais,
microcomputadores pessoais, sistemas de entretenimentos têm suas vendas ainda em
crescimento. Esta verdadeira revolução tecnológica foi viabilizada graças aos chamados
Circuitos Integrados.

Quando Jack Kilby trabalhava na Texas Instruments, e patenteou a invenção da

construção de um circuito eletrônico miniaturizado em 1959[1], mais tarde chamado de
circuito integrado (C.I.), jamais imaginava que poderia causar tamanho impacto na vida
cotidiana. Ele ganhou o Prêmio Nobel de Física no ano 2000 por esta contribuição.

1. HISTÓRICO : do Transistor ao Circuito Integrado

Uma das grandes invenções do século 20, o transistor, foi um resultado inesperado de
pesquisas realizadas em radares para os Estados Unidos e Grã-Bretanha durante a 2ª
Guerra Mundial. O que a Companhia Telefônica Bell Labs queria em 1945 era uma
alternativa de estado sólido para as frágeis, caras e consumidoras de potências
chamadas válvulas (Vacuum tubes).

O físico William Shockley, diretor do programa, e seus colegas Walter Brattain e John
Bardeen atingiram seu objetivo 2 anos e meio mais tarde, a 23 de dezembro de 1947
criando o Transistor de Contato Puntual.

Os transistores de contato puntual sofriam de um sério inconveniente, possuíam

características elétricas bastante variáveis. W. Shockley que não participou da 1ªpatente,
desenvolveu imediatamente uma versão melhorada, o Transistor de junção (1950).

A invenção foi um grande sucesso. O transistor de junção não era apenas mais estável e
confiável que seu predecessor mas era também muito mais simples e barato. Suas
primeiras aplicações comerciais surgiram em 1953. Inicialmente ele era um dispositivo
caro. Texas Instruments, um dos principais fabricantes, vendia transistores de germânio
de junção por US$ 96 cada, numa época em que as válvulas custavam US$ 1 ou menos.
Apesar disso, os transistores eram muito superiores, consumindo infinitamente menos
energia e não produzindo calor. Em meados da década de 50 eles já custavam US$ 2,50
e o primeiro rádio portátil a transistor, chamado Regency, era vendido a US$ 50,00.

Dispositivos discretos ocupavam muito espaço e em meados da década de 50 já se

procurava uma solução. No verão de 1958, um jovem engenheiro chamado Jack Kilby foi
trabalhar para a Texas Instruments, que já possuía uma grande reputação inovadora. Ele
trabalhava com uma técnica de micromódulos (dispositivos empilhados como pratos) e
imaginou se não era possível, ao invés de empilhar os componentes, fabricá-los em um
mesmo pedaço de material.
Seu primeiro protótipo (Figura 1 – patenteado em 1959) era um oscilador de
deslocamento de fase, um circuito simples que convertia CC em CA. Ao invés de utilizar
vários componentes discretos, ele o fabricou em uma fina tira de germânio com quatro
terminais de contato, mais o terminal de terra e sendo composto por um transistor, um
capacitor e três resistores. Tudo foi mantido junto por meio de uma cera.

Figura 1 : Primeiro Circuito Integrado – Oscilador de Deslocamento de fase

(Texas Instruments – 1959)

No final dos anos 50, fabricar um transistor já era um processo industrial de grandes
volumes, utilizando uma técnica de litografia conhecida como processo mesa. Esse
processo, no entanto, tinha inconveniente. A mesa estava sujeita tanto a contaminação
como acidentes e este processo não permitiria a fabricação de resistores.

Foi então que Jean Hoerni, um físico suíço e um dos fundadores da Fairchild, inventou um
processo onde ao invés de montar-se a mesa no topo do substrato de silício, ele
simplesmente a difundia na base, e a seguir o emissor nesta, cobrindo o dispositivo com
uma camada protetora. O resultado foi o processo planar, durável e confiável, o marco
que tornou possível a produção comercial de circuitos integrados.

Enquanto isso, Robert Noice, também da Fairchild, dava um passo importante na forma
de interconectar os microcomponentes do circuito integrado. Ele inspirou-se nas técnicas
que empregavam dióxido de silício como barreira para a difusão de impurezas. Dessa
forma, enquanto o processo de Jack Kilby utilizava pequeninos fios nas conexões entre os
componentes do circuito, o processo desenvolvido por Robert Noyce empregava trilhas de
alumínio ou ouro, que podiam ser aplicadas com a ajuda de máscaras e fotolitografia.

O primeiro circuito integrado lógico foi anunciado em março de 1961 pela Fairchild, e
consistia de um flip-flop de diâmetro de 1,5 mm (Figura 2 –1961).

Logo o primeiro amplificador operacional em uma pastilha, o µA 702, projetado por

Robert Widlar, foi uma pedra de toque na história dos circuitos integrados e um sucesso
comercial para a Fairchild. Ele é constituído de 12 transistores e 5 resistores ( Figura 3-
1964).

O µA 702 deu origem a um dos maiores sucessos da indústria de microeletrônica, o µ709

também projetado por Robert Widlar, talvez o amplificador operacional mais utilizado na
eletrônica. Milhões de µA709 foram vendidos e sua composição era de 14 transistores e
15 resistores. Ele é muito mais eficiente que o µA 702 (que tinha ganho de 7000),
possuindo ganho de 70.000. Antes de Widlar criá-lo, isso era tido como impossível. Ele foi
o carro chefe do setor até 1968, quando Fairchild introduziu o µA 741, uma pastilha que
continha seus próprios capacitores.

Figura 2 : Primeiro Circuito Integrado Planar Figura 3 : Primeiro Amplificador Operacional

Flip-Flop (Fairchild – 1961) (Fairchild – 1964)

Em 1970, a Fairchild produziu a primeira memória RAM estática de capacidade razoável,

a SRAM de 256 bits (Figura 4 – 1970) de dimensões de 2,5mm x 3,2mm. Projetada por
H.T. Chua, esse dispositivo podia reter no espaço de um único núcleo de ferrite (elemento
utilizado anteriormente para armazenar 1 bit), muito mais informação. Ela foi usada no
ILLIAC IV, um dos primeiros mainframes com memórias de estado sólido.
Em 1968, Robert Noyce, Gordon Moore e Andrew Groove saíram da Fairchild e montaram
sua imprópria firma, a Integraded Electronics (Intel). Em 1970, a Intel suplantou suas duas
verdadeiras competidoras (Texas Instruments, Fairchild) anunciando a primeira memória
RAM dinâmica (DRAM) de 1Kbit (1103), projetada por Joel Karp e Bill Regitz (Figura 5 –
1970). Ela provou a viabilidade das memórias semicondutoras e aumentou
significativamente o poder dos computadores.

Figura 4 : Primeira Memória Estática - SRAM Figura 5 : Primeira Memória Dinâmica - DRAM
(Fairchild – 1970) (Intel – 1970)
O primeiro microprocessador (Intel 4004) nasceu de um projeto de um fabricante de
calculadoras encomendado à Intel em 1969. Era um computador de uso geral constituído
de 4 pastilhas; uma ROM de 256 bits, uma RAM de 32 bits, um registrador de
deslocamento de 10 bits e um microprocessador de 4 bits. Ao invés de distribuir as
funções lógicas e aritméticas por várias pastilhas, Marcian e Holf, propuseram colocá-las
todas em um único circuito integrado.

Alguns meses após, outra firma pediu à Intel para projetar um conjunto de CI´s para um
terminal inteligente. A Intel sugeriu um microprocessador, só que deveria ser mais
poderoso que o 4004, precisando de 8 bits. Assim surgiu o Intel 8008 (Figura 6 – 1972),
projetado por Hal Feeney, Ted Holf, Frederico Faggin e Stan Mazer, com
aproximadamente 3.300 transistores MOS. Curiosamente ele foi rejeitado pela firma por
ser muito lento, e a Intel colocou-o no mercado aberto, onde foi um grande sucesso. As
dimensões da pastilha do 8008 era de 3mm x 4,3mm.

Figura 6 : Primeiro Microprocessador de 8 bits

( Intel – 1972)

2. EVOLUÇÃO DOS CIRCUITOS INTEGRADOS

O ingrediente desta revolução tecnológica é o rápido avanço na qualidade e

processamento de materiais, dispositivos e circuitos, em escala de integração cada vez
maior. Como exemplo, tem-se a evolução dos microprocessadores que em 1972 eram
constituídos por 3.300 transistores (Intel – 8008) e em 2002 por 42.000.000 de
transistores (Pentium 4, da Intel). A quantidade de componentes em um circuito integrado
dobrava a cada dois anos, aproximadamente, conforme constatou Gordon Moore[2]. A
figura 7 mostra a evolução da quantidade de transistores por circuito integrado (Chip) de
microprocessadores e memórias ao longo do tempo, mostrando o crescimento
exponencial descrita pela Lei de Moore.

Para esta evolução, as dimensões do transistor têm diminuído exponencialmente, como

pode ser visto na figura 8. Na figura 8 são também apresentadas as dimensões típicas de
elementos do cotidiano, para simples comparação.
A principal tecnologia de fabricação dos circuitos integrados, responsável por esta
revolução, é a Tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),
constituída por transistores de efeito de campo tipo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET
- Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) canal N (NMOSFET) e canal P
(PMOSFET).

Complexidade do Circuito Integrado

LEI DE MOORE (Gordon Moore – Intel)

Fonte : Intel

Figura 7 : Número de transistores por circuito integrado com o avanço da tecnologia[2]

Figura 8 : Dimensão mínima dos transistores por circuito integrado com o avanço da tecnologia[2]
3. TRANSISTOR MOSFET

O transistor MOSFET é o elemento básico constituinte de um circuito integrado CMOS. A

figura 9 mostra o perfil de um transistor MOSFET de canal N (NMOSFET).
A seqüência básica de fabricação de um NMOSFET é a seguinte:

• oxidação térmica do silício;

• fotolitografia para definição da região ativa (onde será construído o transistor);
• oxidação térmica do silício (SiO2) de porta;
• deposição de silício policristalino;
• dopagem degenerada do silício policristalino com fósforo;
• fotolitografia para definição da porta de silício policristalino;
• implantação de fósforo e/ou arsênio para dopagem das regiões de fonte e dreno (N+);
• deposição de óxido de silício
• fotolitografia para definição das aberturas de contatos;
• deposição de Alumínio;
• fotolitografia para definição do Alumínio.

Porta

Fonte Si-poli N+ Dreno

SiO 2 tox

N+ N+ Xj

Dopagem de Fósforo
e/ ou Arsênio
Si - P

Substrato
Figura 9. Perfil de um transistor NMOSFET
A figura 10 apresenta a foto de um transistor NMOSFET de porta de silício policristalino,
projetado e fabricado na Escola Politécnica da USP[3].

400 µm

Porta

300 µm

Dreno
Fonte

Si-Poli
[3]
Figura 10. Foto de um Transistor NMOSFET fabricado na Escola Politécnica da USP

O perfil de um transistor MOSFET canal P (PMOSFET) pode ser visto na figura 11.

Porta

Fonte Si-poli N+ Dreno

SiO 2 tox

N ++
P N ++
P Xj

Dopagem de boro
Fósforo
(BF2)
e/ou Arsênio
Si - N
P

Substrato
Figura 11. Perfil de um transistor PMOSFET
4. INVERSOR CMOS

Os circuitos CMOS são implementados por meio da associação dos transistores

NMOSFET e PMOSFET. Na figura 12 pode-se ver a foto de um circuito inversor CMOS,
projetado, fabricado e caracterizado na Escola Politécnica da USP[4].

a) b)

VDD
280 µm Vout

PMOSFET
VDD GND
Vin Vout

NMOSFET
Vin

420 µm

c)
Vin
Si-Poli
Vout
VDD GND
Metal
SiO2
(Isolante)

N+ P+ P+ N+ N+ P+

Si - N
Si - P

Figura 12. a) Foto de um Inversor CMOS fabricado na Escola Politécnica da USP[4]

b) Desenho esquemático de um inversor CMOS
c) Perfil de um inversor CMOS

Uma grande quantidade de componentes e circuitos é necessária à caracterização de

uma tecnologia de fabricação de circuitos integrados. A foto de uma pastilha típica (chip)
para o desenvolvimento de uma tecnologia CMOS pode ser vista na figura 13[4].
 Figura 13. Foto de um circuito integrado para o desenvolvimento de uma tecnologia CMOS, projetado e
fabricado na Escola Politécnica da USP[4]

5. TENDENCIAS FUTURAS

Com a constante diminuição das dimensões, diversos efeitos de canal curto apareceram
dificultando a utilização de estrutura planar de porta única dos transistores MOSFET
convencionais.

A estrutura apresentada na figura 14 é uma das principais candidatas a fazer parte da

próxima geração de transistores, a ser utilizada pela indústria, chamada de SOI FINFET.
É um transistor cujo canal é vertical (50 a 100nm), podendo apresentar duas ou três
portas, dependendo se o dielétrico na parte superior for espesso ou fino, respectivamente.

O aumento do número de portas (double gate ou triple gate) melhora muito o acoplamento
porta-canal, que minimiza os efeitos de canal curto, viabilizando transistores de até 10nm
de comprimento de canal.

A resistência parasitária de fonte/dreno (devido a suas reduzidas dimensões) pode ser um

problema potencial, sendo necessária a silicetação quase completa destas regiões (NiSi
por exemplo) para minimizar seus efeitos na degradação de corrente.

Para aumentar a capacidade de corrente por unidade de área, colocam-se os transistores

FINFETs em paralelo, o mais próximo possível, formando o que se chama de transistor de
múltiplos dedos (multi-finger).
O dielétrico de porta precisa ser composto de óxidos de metais (tipo HfO2) para se
evitar/minimizar a corrente parasitária de tunelamento através do óxido.

A camada de silício do canal pode ser dopada ou não. A tendência é utilizar camada sem
dopagem (manter a dopagem natural da lâmina que é por volta de 1015 átomos de
boro/cm3), para se evitar o problema de degradação da mobilidade causado pelo aumento
da dopagem, bem como a variação de tensão de limiar (VT) causada pela variação
estatística de dopantes no canal.

O eletrodo de porta precisa ser um metal (TiN, por exemplo), não só para evitar o
problema da depleção do silício policristalino, como também para ajustar a tensão de
limiar de ambos os transistores (NMOSFET e PMOSFET), pois com o canal fracamente
dopado, a tensão de limiar ficaria inadequada.

A fabricação, caracterização elétrica e modelagem dos transistores FINFETs para uso em

circuitos digitais e analógicos tem sido um dos focos de pesquisa em indústrias e
universidades[5] para a definição da próxima geração de circuitos integrados.

Porta

Dielétrico de porta
Dielétrico de porta
Fonte
Fonte

Dreno
Dreno
N+
N+ Metal

N+
N+

SiO 2

SiO2 Si -
P

Si-P

Figura 14. Vista em perspectiva de um Transistor SOI FINFET (candidato a próxima geração)
6. CONCLUSÃO

A revolução tecnológica provocada pela invenção do circuito integrado é extraordinária e

influencia a vida cotidiana em todos os níveis.

A capacidade de construir circuitos cada vez menores requer pesquisas multidisciplinares,

envolvendo praticamente todas as áreas das ciências exatas (Engenharia, Física,
Química e Matemática). Desta forma pode-se desenvolver processos de fabricação,
projetos de dispositivos/circuitos, caracterização elétrica e modelagem de componentes
integrados de dimensões micrométricas (microeletrônica) e nanométricas
(nanoeletrônica).

O Brasil tem desenvolvido pesquisas de alto nível nessa área, principalmente em centros
de pesquisas e universidades. Mas um país com dimensões continentais, precisa de mais
“massa crítica” para dar conta da infinidade de aplicações relacionadas às áreas de
microeletrônica e nanoeletrônica.

Referências

[1] Kilby, J. (Patente U.S. 3.138.743).

[2] Moore, G. E., Technical Digest International Electron Devices Meeting, 1995.

[3] Martino, J. A., “Proposta de uma seqüência simples de fabricação de circuitos

integrados digitais NMOS com carga em depleção e porta de silício policristalino”,
Dissertação de Mestrado, Escola Politécnica da USP, 1984.

[4] Martino, J. A., “Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimentos de porta de
2 µm”. Tese de Doutorado, Escola Politécnica da USP, 1988.

[5] Pavanello, M. A., Martino, J. A., Simoen, E., Rooyackers, R., Collaert, N. e Claeys, C.;
“Low Temperature Analog Operation of Triple Gate FinFETs with HfO2 Dielectrics and TiN
Gate Material", IEEE International SOI Conference, 2006.