Interfaces

e
precipitados

A.S.D’Oliveira
Interfaces entre fases nos sólidos

Coerente
Acomodação da deformação da rede Com deformação
Diferente composição Duas fases com diferente redes
mesma rede cristalinas

Semi-coerente Incoerente

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Interfaces entre fases nos sólidos

Efeito da energia da interface na morfologia do precipitado

Interface coerente de baixa energia em todas as faces do
precipitado (redes com a mesma orientação)
Precipitado e matriz com diferentes estruturas cristalinas –
interface semi-coerente

Redes com orientações aleatórias ou redes muito diferentes –

interface incoerente

Precipitados no contorno de grão – relação de orientação com os dois grãos

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Interfaces entre fases nos sólidos
Efeito da deformação na morfologia do precipitado
Precipitados coerentes: matriz e precipitado tem de deformar com magnitudes iguais
mas de sentido oposto; deformação depende da direção

Grande 

=0

Precipitados podem perder a coerência

Precipitados incoerentes com a matriz quando for energeticamente melhor a
– não se desenvolve deformação criação de interfaces semi-coerentes
devido a coerência mas apenas devido
a diferenças de volume

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Interfaces entre fases nos sólidos
Migração das interfaces -> Crescimento do precipitado
- controlado por difusão: com alterações na composição química
- controlado pela interface: sem alteração na composição química

Perfis de
composição na
interface

Força motriz
para a migração
da interface

Variação da composição química

decorrente da migração da interface;
Liga substitucional

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Interfaces entre fases nos sólidos

•Transformações Com Nucleação e Crescimento

Civis
Militares

•Transformações sem nucleação - Spinodal

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Aula 2

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Crescimento de precipitados

Crescimento controlado por difusão, em volume ou ao longo dos contornos: dimensão do

precipitado é proporcional a√tempo (tx de crescimento vai diminuindo com o tempo)
Crescimento controlado pela interface: dimensão é proporcional ao tempo (tx de
crescimento contante)

Morfologia do precipitado será determinada pela taxa de migração das interfaces

Crescimento lento; Crescimento rápido;

interface coerente interface incoerente

Fases com diferentes est. cristalinas ->

interfaces semi-coerentes de baixa
mobilidade que migram em função da
quantidade de “ledges’

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Crescimento de precipitados
Crescimento com interfaces incoerentes planar

Nucleação no contorno de grão -> interface incoerente planar

Interface incoerente controlada por difusão;

pode-se assumir equilibrio local na interface

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Crescimento de precipitados
Tx de crescimento irá depender do gradiente de concentração na interface

Zona de difusão

O gradiente de concentração diminui continuamente com o tempo, a medida que o

soluto (B) é retirado da matriz.
O Coeficiente de difusão relevante é o coeficiente de interdifusão de B em A

O espessamento do precipitado obedece uma lei parabólica

Para um dado intervalo de tempo a taxa de crescimento é proporcional a
saturação
Velocidade de crescimento é proporcional a√D/t

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Crescimento de precipitados

Efeito da temperatura e da composição na taxa de crescimento

velocity
Pequeno super-resfriamento -> Tx de crescimento baixa
(baixa supersaturação)

Grandes super-resfriamento -> Tx de crescimento baixa

(difusão lenta)

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Crescimento de precipitados

Precipitado cresce até um limite

Sobreposição de campos de difusão ->

crescimento desacelera até parar
(concentração da matriz=conc de equilíbrio)

Eliminação dos gradientes de

concentração de soluto na interface;
redistribuição completa do soluto

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Crescimento de precipitados

Precipitação nos contornos de grão – particulas isoladas em oposição a filmes

continuos

Crescimento de precipitados nos contornos de grão é mais rápido do que permito

pela difusão em volume

Crescimento contorno de grão alotriomorfico:

1. Difusão em volume do solute para o contorno de grão
2. Difusão do soluto ao longo dos contornos de grão até ao contorno do precipitado
3. Difusão ao longo da interface α/β permitindo espessamento do precipitado

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Crescimento de precipitados

Crescimento controlado por difusão de placas ou agulhas

(gradiente de concentração promove difusão)

Efeito da curvatura na ponta do precipitado

Para uma placa de espessura constante a
curvatra na ponta que avança permanece
constante e pequena

Esta morfologia decorre da interface ser coerente

e de dificil mobilidade em uma face mas
incoerente na ponta que avança

crescimento deverá linear

( em oposição ao crescimento parabólico)

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Crescimento de precipitados

Efeito Gibbs-Thomson

A curvatura na ponta do precipitado provoca um

aumento da energia livre na ponta do precipitado
em relação a energia livre da interface plana.

A medida que o raio de curvatura da ponta

diminiu,diminiu a tx de crescimento

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Crescimento de precipitados

Espessamento de precipitado tipo placa - Interfaces semi-coerentes com

migração restrita

Cada degrau é uma interface incoerente onde o átomo de soluto pode

facilmente ser incorporado

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Crescimento de precipitados
Crescimento de particulas

•Consequência do efeito Gibbs-Thomson – mesmo

quando a precipitação já terminou, existe uma
força motri para o aumento da dimensão das
Particulas de menor dimensão tem maior
particulas
solubilidade provocando um gradiente de
( particulas menores tem maior solubilidade concentração das particulsamenores para
que as particulas maiores) as maiores
•Conservação de massa – se uma particulas
aumenta em algum lugar no sistema outra terá de
diminuir
•Mecanismo de difusão – a dimensão média
aumenta com o tempo; particulas pequenas
diminuem até desapareer
•O crescimento/coalescimento tem inicio
imediatamente após a nucleação
•Tx de coalescimento é diretamente proporcional a
energia da interface, ~coeficientes de difusão e
solubilidades
•Coalescimento varia com o tempo na razão de t⅓
em oposição ao crescimento de grão t½

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Crescimento de precipitados

Impactos do coalescimento:

Exposição a alta temperatura resulta em precipitados grosseiros e

redução da resistência

Precipitados grosseiros diminuem a resistência ao crescmento de grão

O coalescimento é minimizados em sistemas com baixas energias de

interface e solubilidades

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