Ejercicios resueltos de tecnologı́a electrónica.

Boletı́n 4. Transistores unipolares.

7 de agosto de 2008

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Jun-94. En el circuito de la figura determinar:

a) Valor de Vb para el cual comienza a conducir Q2 .
b) Valor de Vb para el cual ID es máxima.
c) Valores de VDS en ambos casos.
VDD = 10V
2K
RD = 100Ω
40K
Vb Q1
1K Q2

Datos del BJT: β = 50; VBE = 0,7V ; Vγ = 0,5V ; VBESAT = 0,8V ; VCESAT = 0,2V
Datos del MOSFET: k = 0,5mA/V ; VT = 3V

Solución:

a) VB para que Q2 empiezce a conducir.

Q2 ON ⇒ VGS = VT = 3V

10 − 3
IC = = 3,5mA
2
IC 3,5
IB = = = 0,07mA
β 50

QueGrande.org 1 QueGrande.org
 IB + I1 IB
VCE = 3V
Vb
0,7V
I1

0,7V
I1 = = 0,7mA
1K
IB + I1 = 0,7 + 0,07 = 0,77mA

VB = 0,7 + 0,77 · 40 = 31,5V

b) Valor de VB para ID máxima.

IDmax ⇒ VGS = max ⇒ Q1 = OF F ⇒ VGS = VDD = 10V

VBE = Vγ = 0,5V

IB = 0
Vb
0,5V
I1

0,5
I1 = = 0,5mA
1
IB = 0

VB = 0,5 + 0,5 · 40 = 20,5V

c) Valores de VDS en ambos casos.

I) Q2 = OF F ⇒ VDS = VDD = 10V

II) ID = k(VGS − VT )2 = 0,5(10 − 3)2 = 24,5mA

VDS = 10 − 24,5 · 0,1 = 7,55V

VGS − VT = 10 − 3 = 7 ⇒ SAT

Feb-94. Obtener los puntos de trabajo para los transistores BJT y FET del circuito de la
figura:

QueGrande.org 2 QueGrande.org
 I1 RD = 470Ω

IB

RC = 100Ω

RS = 100Ω

Datos: IDSS = 4mA, VP = +2V , β = 100, VBE = −0,7V .

 VGS  2
  
Nota: ID = IDSS 1 − 
  , IB << I1 .
VP 
Solución:

RD = 470Ω
I1
0,8
VEC
G IB
S
RC = 100Ω
VGS

I2 IC
RS = 100Ω

VEB
I1 = = 1,49mA
0,470

IB << I1 ⇒ ID ≃ I1

 r  " r #
ID 1,49
VGS = V 1 − = −2 1 − = −0,78V
IDSS 4
0,78
I2 = = 7,8mA
0,1

I2 = ID + IC ⇒ IC = I2 − ID = 7,8 − 1,49 = 6,31mA

VEC = 6 − 6,31 · 0,1 + VGS = 4,59V = −VCE ⇒ VCE = −4,59V

VDS = (6 − 0,7) + VGS = 4,52V > (VGS − VP ) = −0,78 + 2

Nótese que VGS = VS .

QueGrande.org 3 QueGrande.org