Duplicadores / dobladores de voltaje de ½ onda

Los dobladores de voltaje producen el doble de tensión en DC (corriente directa) de la

que podría producir un rectificador común.
Se pueden implementar de dos diferentes maneras: de media onda y de onda completa y
en ambos casos la frecuencia de la tensión de rizado es la misma que la de la tensión
de entrada.
En el caso de la rectificación de onda completa en los rectificadores tradicionales, la
frecuencia de la tensión de rizado es el doble de la frecuencia de la tensión de entrada.
En el circuito doblador de tensión, la tensión que se aplica sobre losdiodos, es el doble, por
lo que estos deberán soportar el doble de tensión. La característica de tensión de
los capacitores dependerán del circuito en particular.
La ventaja del doblador de tensión de media onda es que tiene una línea, que es común a
la entrada y salida (ver el diagrama). Esta línea se puede tomar como común o tierra y se
puede conectar al chasis o base metálica del equipo que se desea alimentar.
El terminal de tierra o común debe estar bien identificado para no hacer una conexión
invertida que puede tener consecuencias desagradables. Si se hiciera así, el chasis o base
metálica del equipo estaría conectado al "vivo".
Funcionamiento del doblador de tensión de ½ onda.

- En el primer semiciclo negativo de la onda de entrada , el diodo D1 conduce permitiendo

el paso de la corriente por el capacitor C1, cargándose a una tensión igual al máximo valor
de tensión de la tensión de entrada.
Si la tensión de entrada es V, el valor pico de esta entrada es Vmax., entonces este
capacitor se carga a esta tensión. En este ciclo el diodo D2 no conduce.
- En el siguiente semiciclo de la tensión de entrada (semiciclo positivo), el diodo D1 está
polarizado en inverso y no conduce. El diodo D2 está polarizado en directo y la corriente
fluye pasando por el capacitor C1, el diodo D2 y el
capacitor C2.
En el inicio del semiciclo negativo, el capatidor C2
está descargado, pero C1 está cargado a Vmax (valor
pico de la tensión de entrada).
El capacitor C2 se cargará entonces al doble de la
tensión pico de la entrada, pues se suman ésta (la
tensión pico de entrada y la tensión acumulada que está en el capacitor C1.
Importante: En el diagrama se ha supuesto que la tensión de entrada es de 120 voltios
en CA (corriente alterna).
También se muestran valores de capacitores y diodos. Estos elementos cumplen el diseño
de una fuente de este tipo, pero el circuito no ha sido probado.
Tomar en cuenta las Notas adicionales en la segunda parte de este tutorial.
Para un diseño con alimentación de 220 / 240 voltios hay cambiar los capacitores por otros
con características de tensión mayores.

Duplicadores / dobladores de voltaje de onda completa

Diagrama de un duplicador de tensión de onda completa:

El circuito funciona de la siguiente manera:

- En el semiciclo positivo de las onda de entrada, se polariza endirecto el diodo D1 cargado
el capacitor C1 a una tensión a Vmax. (tensión de pico de la onda de entrada) y la
polaridad de la carga queda indicada con la polaridad que se ve en capacitor C1. En este
semiciclo D2 está polarizado en inverso y no conduce.
- En el semiciclo negativo, se polariza en directo el diodo 2 cargando el capacitor C2 a una
tensión a Vmax (tensión de pico de la onda de entrada) y la polaridad de la carga queda
indicada con la polaridad que se ve en capacitor
C2.
Al quedar los dos capacitores en serie, las
tensiones almacenadas en se suman, lográndose
el duplicador de tensión.
Este doblador de tensión se puede utilizar como
fuente bipolar (tiene tensión positiva y tensión
negativa), si se conecta tierra o el común en la
unión entre los dos capacitores.

Notas adicionales
El rizado: Para poder reducir el rizado de estas fuentes se puede incluir en su salida
un filtro RC (ver el diagrama) . La tensión de rizado dependerá de la carga que se tenga.

Si se demanda poca corriente (poca carga) el rizado es pequeño, si se aumenta la carga, el

rizado aumenta. En caso de que se tenga una carga grande se pueden incluir capacitores
de mayor valor.
Resistor limitador de corriente: En el momento en que estas fuentes son encendidas
(ON), la demanda de corriente es muy grande, por lo que se conecta en serie con
la entrada del circuito una resistencia de potencia (3W) de 10 ohmios (ver primer y
segundo diagramas).
Esta demanda de corriente se debe a que cuando el circuito se enciende los capacitores
están descargados y se comportan inicialmente como un corto circuito. La resistencia
asegura que la máxima corriente, en el encendido, no sea mayor a 17 amperios.
I = Vmax / 10 = 169.2 V / 10 = 16.92 Amperios
Donde: Vmax = Vpico = 120 x 1.41 = 169.2 voltios y R = 10 ohmios
El principio de un doblador de tensión se puede aplicar para un número cualquiera
de multiplicaciones de tensión y permite obtener fuentes de alta tensión de poco amperaje
sin dificultad.
importante: En el diagrama se ha supuesto que la tensión de entrada es de 120 voltios en
CA (corriente alterna). También se muestran valores de capacitores y diodos.
Estos elementos cumplen el diseño de una fuente de este tipo, pero el circuito no ha sido
probado. Para un diseño con alimentación de 220 / 240 voltios hay cambiar los capacitores
por otros con características de tensión mayores
 Otros Diodos
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Diodo avalancha

Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar

en inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa
alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de
conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico
incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia
los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia
liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es
incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión. La
aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra
sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la
tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será atravesado por la
corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto
del circuito será mínima; a efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al
incrementarse la tensión del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza
a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daños en los componentes
del circuito.

Fotodiodo

Símbolo del fotodiodo.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia

de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea
excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña
con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en
ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad

Principio de operación

Un foto diodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía
llega al diodo,excita un electrón dándole movimento y crea un hueco con carga positiva.
Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de
difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente. Fotodiodos de avalancha Tienen una
estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los
portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del
diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
Composición

Fotodiodo.
El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir
sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud
de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8
µm ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Longitud de onda (nm)
Silicio 190–1100 Germanio 800–1700 Indio galio arsénico (In Ga As?) 800–2600 sulfuro
de plomo <1000–3500 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el
campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos
requieren refrigeración por nitrógeno líquido. Antiguamente se fabricaban exposímetros
con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

Un diodo Gunn es un generador de microondas y no un rectificador como el común de

los diodos. Esta conformado por un semiconductor que genera el llamado “efecto Gunn”.
Usualmente se usan placas de [[arseniuro de galio (Ga As) a las cuales al aplicar una
tensión eléctrica (mayor a los 3,3 voltios/cm.) que presenta resistencia negativa.
Combinado con circuitos resonantes es utilizado para generar oscilaciones de muy alta
frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz.

Los diodos Gunn son parte esencial de la mayoría de los hornos microondas modernos.

Efecto Gunn

El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la
generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores. Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (Ga As) y el
Fósforo de Indio (InP) El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco
depende de los valores de tensión y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una plaquita delgada de
Arseniuro de Galio (Ga As), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo
esto bajo la condición de que la tensión en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una
cavidad resonante), se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como
oscilador. Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de
electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas
oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan
para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica la tensión continua.
Resistencia negativa El Arseniuro de Galio (Ga As) es uno de los pocos materiales
semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía
vacía más alta que la más elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o
totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica una tensión a la
plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (Ga As), los electrones, que el material tiene en
exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensión,
la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento típico y el gráfico tensión-
corriente es similar al que dicta la ley de Ohm. Funcionamiento de resistencia negativa:
Si a plaquita anterior se le sigue aumentando la tensión, se les comunica a los
electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones
saltan a una banda de energía más elevada, que normalmente esta vacía, disminuyen
su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevación de la tensión en
este elemento causa una disminución de la corriente. Eventualmente, la tensión en la
plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energía y
menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con la tensión. La
característica tensión contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel. La
aplicación más común es la del oscilador Jun

Diodo láser

El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos
láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD. Cuando un diodo
convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven
hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la banda
prohibida (véase semiconductor). Esta emisión espontánea se produce en todos
los diodos, pero sólo es visible en los diodos LED que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida
por el material circundante, y una energía de la banda prohibida coincidente con
el espectro visible; en el resto de diodos, la energía se disipa en forma de
radiación infrarroja. En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden
coexistir un breve tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de
forma que si un fotón con la energía apropiada pasa por casualidad por allí
durante ese periodo, se producirá la emisión estimulada (véase láser), es decir,
al producirse la recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia,
polarización y fase que el primer fotón. En los diodos láser, el cristal
semiconductor tiene la forma de una lámina delgada lográndose así una Los
 fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán repetidamente en dichas
caras estimulando a su vez la emisión de más fotones, hasta que el diodo
comienza a emitir luz láser, que al ser coherente debido a las reflexiones posee
una gran pureza espectral.

Diodo LED

Un LED, siglas en inglés de Light-EmittingDiode (diodo emisor de luz) es un dispositivo

semiconductor (diodo) que emite luz monocromática, es decir, de una sola longitud de
onda, cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente eléctrica. El color,
(longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construcción
del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible,
hasta el infrarrojo, recibiendo éstos últimos la denominación de IRED (Infra-Red
EmittingDiode). El funcionamiento físico consiste en que, un electrón pasa de la banda
de conducción a la de valencia, perdiendo energía. Esta energía se manifiesta en forma
de un fotón desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El
dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de plástico de
mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lámparas
incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es sólo por razones estéticas,
ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de
luz compuesta con diferentes partes, razón por la cual el patrón de intensidad de la luz
emitida puede ser bastante complejo [1]. Para obtener una buena intensidad luminosa
debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; el voltaje de operación va desde
1,5 hasta 2,2 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que debe circular por
él va desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40 mA para los otros
LEDs. A (p) C ó K (n) Representación simbólica del diodo LED El primer LED que emitía
en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak
en 1962.

Diodo PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da
nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por
una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). El
diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: • conmutador de RF • resistencia
variable • protector de sobretensiones • fotodetector Fotodiodo PIN El fotodiodo PIN es
uno de los fotodetectores más comunes, debido a que la capa intrínseca se puede
modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de frecuencia. Conmutador El
diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para
manejar alta potencia.

Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dipositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también
conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como “knee”, o
sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para
que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de
lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de
corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente. Funcionamiento A
frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo
Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en
lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los
diodos normales. Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor
“portador mayoritario”. Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) jugaran un
papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria
y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales,
con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. Características La alta
velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar
excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos
convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa
a partir de la cual el diodo conduce— de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una tensión
umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección
de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. La limitación más evidente
del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente
elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra
una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras
donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de
voltaje en directo permite poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es
en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador
no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

Diodo Shockley

Símbolo del diodo Shockley. El 4 en el interior del círculo hace referencia a las 4 capas.

Gráfica V-I del diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales
que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No
se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Está formado por cuatro capas de
semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La
característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia
(OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se
aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La
impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese
se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III
(Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la
corriente, mientras aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta
que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A). Vrb es la tensión inversa de
avalancha.

Diodo túnel

Símbolo del Diodo túnel

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce
el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto
intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia
negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una
fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los
portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica
importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de
voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están
relativamente libres de los efectos de la radiación.
Diodo Varicap

símbolo del diodo varicap

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su

funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en
una unión PN varie en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la
capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa
mínima tiene que ser de 1 V. La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en
la sintonía de TV, modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los
osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensión). En tecnología de
microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensión en el diodo, su
capacidad varía, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de
modo que refleja la potencia incidente.

Diodo Zener

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener
es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de
que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y
temperatura. Símbolo esquemático El diodo Zener se representa en los esquemas con el
siguiente símbolo: en cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna
en sus zonas P y N; al circular una corriente a través de éste se produce una pequeña
caída de tensión de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la
zona zener, un aumento en la corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El
incremento es muy pequeño, generalmente de una décima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente constante,
cuando están polarizados inversamente, en un amplio rango de intensidades y
temperaturas, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o
reguladores de la tensión tal y como el mostrado en la figura. Eligiendo la resistencia R
y las características del diodo, se puede lograr que la tensión en la carga (RL)
permanezca prácticamente constante dentro del rango de variación de la tensión de
entrada VS.
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cuál puede ser
su valor máximo y mínimo, después elegiremos una resistencia R que se adecue a
nuestros cálculos.

DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e
independiente de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Para
conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unión PN cuando se polariza
inversamente al llegar a la tensión de ruptura (tensión de zener), pues, la intensidad
inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destrucción del diodo por la
avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia
que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mínima de
250mW. Los encapsulados pueden ser de plástico o metálico según la potencia que
tenga que disipar.

Donde:

Rmin es el valor mínimo de la resistencia limitadora. Rmax es el valor máximo de la

resistencia limitadora. Vsmax es el valor máximo de la tensión de entrada. Vsmin es el
valor mínimo de la tensión de entrada. Vz es la tensión Zener. I Lmin? es la mínima
intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la carga es desconectable, I
Lmin suele tomar el valor 0. I Lmax? es la máxima intensidad que soporta la carga.
Izmax es la máxima intensidad que soporta el diodo Zener. Izmin es la mínima
intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de su zona zener o
conducción en inversa. La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los
dos resultados que hemos obtenido.

DIODOS RECTIFICADORES.- Su construcción está basada en la unión PN siendo su

principal aplicación como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio)
soportan elevadas temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy
baja y la corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden construir
diodos de pequeñas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando
así a los diodos termoiónicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento
indispensable en fuentes de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y
microscopios electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de
alimentación se utilizan los diodos formando configuración en puente (con cuatro diodos
en sistemas monofásicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se
fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseño de una placa de circuito
impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que
tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de este
valor el encapsulado es metálico y en potencias más elevadas es necesario que el
encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo
a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de
diodos integrados.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION.- La desactivación de un relé

provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro
el elemento electrónico utilizado para su activación. Un diodo polarizado inversamente
cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es
que la descarga de la bobina es más lenta, así que la frecuencia a la que puede ser
activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente diodo volante.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN

ALTERNA.- El diodo LED cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensión
cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda
la tensión se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

Características
del diodo Zener
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.

Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
características de polarización directa y polarización inversa), conducen siempre en el sentido de
la flecha.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si eldiodo zener se
polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificadorcomún.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus
terminales un voltaje constante.
En el gráfico se ve el símbolo de diodo zener (A - ánodo, K - cátodo) y el
sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa
Se analizará el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe
tomar en cuenta que cuando éste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en
sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Curva característica
del diodo Zener
Analizando la curva del diodo zenerse ve que conforme se va aumentando negativamente
elvoltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener(Vz),
el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores.
A esta región se le llama la zona operativa.
Esta es la característica del diodo zener que se aprovecha para que funcione comoregulador de
voltaje, pues el voltaje se mantiene practicamente constante para una gran variación de corriente. Ver
el gráfico.

¿Qué hace un regulador con Zener?

Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar
las variaciones de voltaje en la fuente de alimentación y/o las variaciones de corriente en la carga.
Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodozener),
el voltaje de salida no varía conforme varía la carga.
Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va
aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente.