Tutorato di ELETTRONICA

per ing. Biomedica

Firma convenzione
11 Maggio 2021
Politecnico di Milano e Veneranda Fabbrica
del Duomo di Milano
AulaProf.
Magna – Rettorato
Federica VILLA
Mercoledì
Alfonso 27 maggio 2015
INCORONATO
Esercizio 1 – MOSFET

RIN = 5 kΩ
RA = 7.5 kΩ
ROUT = 7.5 kΩ

CIN = 10 nF
COUT = 100 pF

MOSFET: VTn = |VTp| = 0.5 V, kn = |kp| = 0.2 mA/V2.

a) Calcolare VG per avere I1 = 0.2 mA in polarizzazione (IIN = 0 A). Calcolare

inoltre tutte le correnti e tutte le tensioni.

b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo di G (f) = VOUT (f)/IIN (f).
Esercizio 2 – MOSFET

R1 = 6 kΩ C1 = 100 nF
2
R2 = 4 kΩ C2 = 10 nF
R3 = 3 kΩ
R5 = 2.5 kΩ
R6 = 1 kΩ

Siano VT = 1 V, Kn = |Kp|= 1 mA/V2 i parametri dei transistor M1 ed M2.

a) Dimensionare R4 per avere Iout = 1mA. Calcolare tutte le tensioni e le correnti

in tutti i nodi.
b) Disegnare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento VOUT (f)/VIN (f).
c) Si può aumentare il guadagno di 5 volte aumentando la resistenza di 5 volte?
Motivare la risposta e proporre un altro metodo.