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UNITÀ

8 Transistori bipolari (bjt)

8.1 Transistore bjt

8.2 Caratteristiche del bjt
8.3 Retta di carico e punto di lavoro
8.4 Polarizzazione del bjt
8.5 Applicazioni dei bjt

Contenuti NA 8.1 bjt per piccoli segnali

multimediali NA 8.2 Parametri e valori dei bjt
NA 8.3 Sigle commerciali dei bjt
NA 8.4 Transistori a effetto di campo fet
NA 8.5 Configurazioni del jfet
NA 8.6 Parametri e sigle commerciali dei jfet
NA 8.7 I mosfet
LAB 8.1 Misure sui bjt

Prerequisiti > Fondamenti sui diodi

> Teoremi e principi delle reti elettriche

Competenze > Conoscenze

• Conoscere il funzionamento dei bjt
• Conoscere le principali applicazioni dei bjt
• Conoscere le configurazioni fondamentali dei bjt

> Abilità
• Riconoscere le diverse configurazioni dei bjt
• Saper dimensionare le reti di polarizzazione
• Saper calcolare le grandezze elettriche in gioco
• Saper leggere e interpretare i fogli tecnici

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transistore Il transistore o transistor (transfer-resistor = resistore di trasferimento) è un dispositivo che

ha la capacità di trasferire una variazione di corrente, da una resistenza di valore basso a
un’altra di valore più elevato, provocando un’amplificazione di corrente o di tensione.
È formato da due giunzioni di materiale semiconduttore che richiedono l’impiego di tre
barrette di silicio di tipo p o n oppure da un’unica giunzione. Nel primo caso si parla di
tecnologia bipolare (doppia giunzione) e i transistori sono denominati bjt (bipolar junction
transistor = transistori a giunzione bipolare), nel secondo caso invece si parla di tecnologia
unipolare (una giunzione) e i transistori sono denominati fet (field effect transistor = tran-
sistor a effetto di campo).
I transistori pertanto si possono distinguere, secondo la classificazione di fig. 8.1, in due
grandi famiglie:
— bjt;
— fet.
I transistori bjt a loro volta si suddividono in pnp e npn.
La famiglia dei fet invece si suddivide in due gruppi:
— jfet (junction FET = transistore a giunzione a effetto di campo);
— mosfet (metal oxide semiconductor FET = transistore metallo-ossido semiconduttore a
effetto di campo).
I jfet possono essere di tipo p e di tipo n, mentre i mosfet si suddividono in canale n,
denominati nmos e canale p, denominati pmos.
La differenza tra i transistori bjt e fet sta nel fatto che i primi basano l’effetto di ampli-
ficazione sul controllo delle correnti mentre i secondi creano l’effetto amplificatore sul
controllo delle cariche che transitano in una zona di semiconduttore drogato per effetto di
un campo elettrico controllato; pertanto l’effetto di amplificazione avviene sul controllo
delle tensioni.

fig. 8.1
Classificazione
TRANSISTORI
dei transistori.

BJT FET

pnp npn JFET MOSFET

NMOS PMOS

8.1 Transistore bjt

Il transistore bjt si utilizza fondamentalmente come amplificatore di segnali analogici e può
essere disponibile sia come componente discreto sia come componente integrato. Per i
segnali digitali invece esso assume mansioni di un interruttore elettronico on-off.
Il transistore bjt presenta tre reofori, denominati:
— base (B);
— collettore (C);
— emettitore (E).

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Transistori bipolari (bjt)

La base costituisce l’ingresso del dispositivo cui viene generalmente applicato il segnale da
amplificare. Il collettore rappresenta l’uscita insieme all’alimentazione del transistore.
L’emettitore di solito è il reoforo in comune (tra ingresso e uscita) e viene collegato a massa
(fig. 8.2a).
I bjt creano l’effetto amplificatore appunto mediante delle barrette di semiconduttori
diversamente drogati: la zona dell’emettitore è maggiormente drogata rispetto a quella del
collettore. Si è in presenza di una doppia giunzione p-n. Le tre barrette di silicio di tipo p
o n, drogate in modo diverso, si possono mettere insieme in modo alternativo, dando luogo
a dispositivi di tipo npn (fig. 8.2b) o pnp (fig. 8.2c). La zona centrale, più sottile e poco
drogata, costituisce la base (B) del transistore.
L’alimentazione del bjt si applica sempre al collettore, ma in modo diverso a seconda
che il bjt sia di tipo npn o pnp, ricordando la seguente regola.

Si individua la lettera centrale della sigla npn o pnp;

— se la lettera centrale è p si collega il collettore al polo positivo (+) della batteria
(ovviamente il polo negativo si collegherà all’emettitore);
— se la lettera centrale è n si collega il collettore al polo negativo (-) della batteria
(ovviamente il polo positivo si collegherà all’emettitore).

Poiché una giunzione pn rappresenta un diodo (vedi par. 7.1 e 7.2), la doppia giunzione del
transistore si può rappresentare tramite un modello di due diodi collegati nel modo raffi- fig. 8.2
gurato in fig. 8.2b e c.
Transistore:
Di seguito si prenderanno in considerazione soltanto i transistori npn, perché sono i più (a) simbolo;
utilizzati. Per quanto riguarda i transistori pnp si possono trarre le conclusioni in modo (b) tipo npn;
analogo tenendo presente che il verso delle correnti nel dispositivo è opposto. (c) tipo pnp;
(c) componenti.

Alimentazione
C C C
+VCC

C IC
OUT n n
Collettore
IB
p B p
B B
B
IN
Base
n n
IE
E Emettitore
E E E
(a) (b)

C C C

IC
p p
IB
n B n
B B

p p
IE

E E E
(c) (d)

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8.1.1 Principio di funzionamento

ESERCIZI Come accennato precedentemente, il transistore bjt può essere concepito come un model-
> 14-15, 17, lo costituito da una coppia di diodi tra loro collegati come mostra la fig. 8.2b. La condizio-
19, 21 ne di funzionamento in questo caso è data dalla polarizzazione diretta della giunzione
base-emettitore (B-E) e dalla polarizzazione inversa della giunzione base-collettore (B-C).
Nel transistore npn, gli elettroni passano per «diffusione» dall’emettitore verso la base.
Poiché nella base (zona p) ci sono molte lacune, gli elettroni che risultano minoritari si
ricombinano ma, dato che la base è una zona sottile, la maggior parte degli elettroni «sal-
tano» e si diffondono anche nel collettore prima di ricombinarsi con le lacune. La giunzio-
ne base-collettore è polarizzata inversamente (EC) per evitare il flusso di lacune verso i
collettore, mentre gli elettroni presenti nella zona di base si diffondono nel collettore grazie
al campo elettrico presente attorno alla giunzione (zona di svuotamento), dando così origi-
ne a una corrente debole chiamata corrente inversa C-B (ICBO). Il numero degli elettroni
che riesce a «saltare» la base e a giungere al collettore è proporzionale alla corrente che
passa attraverso la base. La variazione della corrente tra la base e l’emettitore (B-E) causa
la variazione del flusso di corrente tra emettitore e collettore (E-C), provocando l’amplifi-
cazione della corrente sul collettore.
amplificatori I bjt pertanto sono controllati in corrente e vengono definiti amplificatori di corrente in
di corrente quanto una piccola variazione della corrente di base si traduce in un grande flusso di elet-
troni tra emettitore e collettore.
In fig. 8.3 le correnti sono indicate, per convenzione, con verso opposto a quello degli
elettroni. Si nota che sia gli elettroni sia le lacune contribuiscono al passaggio di corrente.
Osservando le correnti in fig. 8.3b si può scrivere
IC = aIE + ICBO [8.1]
dove a è un valore compreso tra 0,98 e 1 e rappresenta il rapporto tra la parte degli elet-
troni che non si sono ricombinati in base e il numero totale di elettroni iniettati dall’emet-
titore.
Nella fig. 8.4a sono rappresentate le correnti nel transistore, assimilato a un nodo. Per il
primo principio di Kirchhoff, le correnti entranti sono uguali a quelle uscenti
IE = IB + IC [8.2]

fig. 8.3
Transistore npn: IC
(a) flusso delle
correnti; C
(b) rappresenta- Elettroni non
zione semplifi- RC ricombinati in base
cata delle IC
ICBO n Giunzione polarizzata
correnti. ICBO
+ Ricombinazione inversamente
EC
IB
B
p αIE
IB
Iniezione
delle lacune Giunzione polarizzata
RB n
direttamente

+
EB IE
IE E

Iniezione degli elettroni (a) (b)

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fig. 8.4
Transistore npn:
C (a) dispositivo
paragonato
IC
IC come un nodo
di correnti;
IB IB (b) rappresenta-
B zione del
guadagno
IB IC
IE hFE statico.
IE

(a) (b)

Dalla [8.1], trascurando ICBO, si ottiene

IE ≈ IC [8.3]
Di conseguenza dalla [8.2] si desume che IB è molto più piccola di IC
IC ≫ IB

La relazione fondamentale esistente tra la corrente del collettore e la corrente di base è

IC
hFE = __ [8.4]
IB

Il parametro hFE viene chiamato guadagno di corrente in continua (amplificazione) oppure guadagno
guadagno statico (fig. 8.4b). Tale valore è compreso di solito tra 50 e 500. La [8.4] afferma di corrente
in continua
dunque che una piccola corrente di base produce una elevata corrente nel collettore.

8.1.2 Equazioni fondamentali del bjt

Nella fig. 8.5 sono rappresentati i parametri elettrici di corrente e di tensione nel transisto-
re. Essi sono:
— VBE = tensione giunzione base-emettitore;
— VCB = tensione giunzione collettore-base;
— VCE = tensione giunzione collettore-emettitore;
— IB = corrente base;
— IC = corrente collettore;
— IE = corrente emettitore;
— RB = resistenza di base;
— RC = resistenza di collettore.
Facendo riferimento alla fig. 8.5a in cui la configurazione è detta a emettitore comune
(l’emettitore è comune sia al circuito d’ingresso sia a quello di uscita), le equazioni che
legano le varie grandezze tra loro sono:
— per il primo principio di Kirchhoff: IE - IB - IC = 0 [8.5]
— per il secondo principio di Kirchhoff (maglia): VCB - VCE + VBE = 0 [8.6] ESERCIZI
> 14-15,
Il transistore conduce corrente da C a E, se alla giunzione base-emettitore si applica una 18-19-20
tensione pari o superiore al valore di soglia (VBE = 0,7 V).

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fig. 8.5
Transistore npn +VCC
in configurazio-
ne a emettitore RC
comune: RC
(a) rappresenta- C
zione grandezze C IC
elettriche; VCB
(b) schema con IC +
(a) (b) RB IB VCC
polarizzazione B
delle giunzioni. RB IB VCE
B
VCE
+ VBE
VBB IE
VBE
IE E
E

maglia
maglia di ingresso di uscita

Facendo riferimento alla fig. 8.5b sono valide le seguenti relazioni:

LAB 8.1 — maglia di ingresso: VBB - RB ∙ IB - VBE = 0 [8.7]
Misure sui BJT
— maglia di uscita: VCC - IC ∙ RC - VCE = 0 [8.8]
Noti i valori di hFE e VBE = 0,7 V si possono determinare tutte le grandezze elettriche in gioco.

ESEMPIO 8.1
Facendo riferimento al circuito della fig. 8.5b, supponendo che:
VCC = 12 V; hFE = 100; RC = 1,2 kX; VBB = 5 V; RB = 680 kX
Si calcoli:
a) la corrente di base e del collettore;
b) le tensioni collettore-emettitore e collettore-base.

SOLUZIONE
Dalla [8.7] si può calcolare la corrente di base IB
VBB - VBE ________
5 - 0,7
IB = _________ = = 6,32 ∙ 10- 6 = 6,32 nA
RB 680 ∙ 103
Dalla [8.4] si può ottenere il valore della corrente sul collettore IC
IC = hFE ∙ IB = 100 ∙ 6,32 ∙ 10- 6 = 6,32 ∙ 10- 4 = 0,632 ∙ 10- 3 = 0,632 mA
Dalla [8.8] si ricava VCE
VCE = VCC - RC ∙ IC = 12 - 1,2 ∙ 103 ∙ 0,632 ∙ 10- 3 = 12 - 0,756 = 11,24 V
Infine la VCB si ricava dalla [8.6]
VCB = VCE - VBE = 11,24 - 0,7 = 10,54 V

8.2 Caratteristiche del bjt

ESERCIZIO Tra le varie caratteristiche del transistore bipolare, due sono quelle più importanti:
> 17 — caratteristica di ingresso o di base (rappresentazione di IB in funzione di VBE);
— caratteristica di uscita o di collettore (rappresentazione di IC in funzione di VCE).
Caratteristica di ingresso. Facendo ancora riferimento alla configurazione a emettitore
comune (fig. 8.5b), si può constatare che la caratteristica di ingresso IB-VBE coincide con la

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caratteristica di un diodo al silicio polarizzato direttamente, con tensione di soglia VBE ≃ 0,7 V.
Essa è rappresentata in fig. 8.6a ed è valida per tensioni VCE superiori a pochi decimi di
volt. La caratteristica dipende dalla VCE ma in modo trascurabile (all’aumentare della ten-
sione VCE le caratteristica si sposta lievemente verso destra) pertanto la caratteristica di
ingresso è da ritenersi quasi indipendente da VCE (VCE = costante).

Caratteristica di uscita. La caratteristica di uscita (fig. 8.6b) rappresenta la corrente del col-
lettore IC in funzione della tensione VCE, mantenendo costante IB. Le curve caratteristiche
di uscita IB-VBE sono diverse, ognuna ottenuta per un valore prefissato della corrente di base
IB; infatti, partendo dalla prima caratteristica, con IB = 20 nA costante, all’aumentare della
VCE, la IC aumenta rapidamente e in modo lineare da zero fino al ginocchio quindi rimane
pressappoco costante. Le curve della caratteristica sono indicate a temperatura ambiente e
poiché all’aumentare della temperatura aumenta IC tali curve vengono spostate verso l’alto.
La potenza dissipata dal transistore PD dipende maggiormente dal circuito della maglia potenza
di uscita, considerando trascurabile quella riferita alla maglia di ingresso, pertanto vale dissipata
dal transistore
PD = IC ∙ VCE [8.9]
Essa ovviamente è dipendente dalla temperatura. La potenza dissipata si trasforma il calo-
re e per questo si prevedono dei dissipatori (alette di raffreddamento).
Il costruttore fornisce il valore massimo di potenza dissipabile (PDmax) e un parametro
che tiene conto del decremento della potenza dissipata dal bjt, in base alla temperatura Tc
del contenitore (case); esso prende il nome di fattore di derating [mW/°C] e si calcola tra- fattore
mite la seguente espressione di derating
(derate factor)
PDmax - PD (Tc)
d.f. = ______________ [8.10]
Tc - Ta
dove:
— PDmax = (Tj - Ta) / Zja;
— PD (Tc) = potenza dissipabile alla temperatura considerata del contenitore;
— Ta = temperatura ambiente (25 °C);
— Zja = impedenza (o resistenza) termica giunzione-ambiente;
— Tj = temperatura massima di giunzione CE (valore massimo = 160°C).
La potenza erogata dall’alimentazione invece sarà potenza
erogata
PCC ≃ VCC ∙ IC dall’alimenta-
zione

IC (mA) IB = 100 μA
10
IB = 80 μA
IB(μA)

IB = 60 μA

VCE = cost. 5 IB = 40 μA
40 fig. 8.6
IB = 20 μA Caratteristica di
20 un transistore
bjt npn a
emettitore
VBE (V) 0 2 4 6 8
0 0,2 0,4 0,6 VCE (V) comune:
(a) di ingresso
(b) (base);
(a)
(b) di uscita
(collettore).

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fig. 8.7
Caratteristica di
trasferimento o IC(mA) IC (mA)
transcaratteri-
stica di un
transistore npn 10 10
a emettitore VCE = cost. VCE = cost.
comune:
(a) di corrente;
(b) di tensione. 5 5

ICE 0 ICB0
50 100 IB(μA) 0 0,2 0,4 0,6 VBE (V)
0,7
I'B
(a) (b)

Caratteristica di trasferimento o transcaratteristica.

— Caratteristica di trasferimento di corrente: rappresenta il legame fra la corrente del
collettore IC e la corrente di base IB; in questo caso si mantengono costanti i valori di
VCE (fig. 8.7a). La caratteristica risulta pressappoco lineare a eccezione della zona in cui
i valori della corrente di base sono elevati (> I′B) e pertanto non è più valida la [8.4]
ossia IC = hFE ∙ IB.
Si osserva che la caratteristica non passa per l’origine, ma per IB = 0 si ha IC = ICE0,
dell’ordine delle decine di nA, perché la giunzione base-emettitore e base-collettore
risultano polarizzate inversamente (ICE0 indica la corrente inversa tra C-E con IB = 0).
— Caratteristica di trasferimento di tensione: rappresenta l’andamento IC in funzione della
tensione VBE, considerando costanti i valori di VCE (fig. 8.7b). Anche in questo caso la
caratteristica non passa per l’origine ma per VBE = 0 si ha IC = ICB0 (corrente inversa tra
C-B con VBE = 0).

8.2.1 Zone di funzionamento

ESERCIZI Facendo riferimento alla caratteristica di uscita del bjt si distinguono tre zone diverse di
> 16, 20-21, 23 lavoro (fig. 8.8):
a) zona attiva;
b) zona di saturazione;
c) zona di interdizione.

Zona attiva o lineare (linear zone). Corrisponde alla zona centrale della caratteristica di
uscita dove, per la sua linearità, la corrente IC risulta pressappoco costante. Nella zona
attiva il bjt viene utilizzato come amplificatore di corrente, avendo un comportamento li-
neare. La condizione per far lavorare il transistore in questa zona si ottiene polarizzando
direttamente la giunzione base-emettitore e inversamente la giunzione base-collettore. Infatti,
facendo riferimento alla fig. 8.5b deve risultare:
— VBB > VBE;
— VBE = 0,7 V;
— IB e IC tra loro proporzionali: IC = hFE ∙ IB (con IC ≫ IB).

Zona di saturazione (saturation zone). Corrisponde a valori di VCE inferiori a qualche deci-
mo di volt per cui per variazioni della corrente IB non si hanno variazioni della corrente IC.
Nella zona di saturazione il transistore conduce e IC raggiunge il massimo valore. La con-
dizione per far lavorare il bjt in questa zona si ottiene polarizzando direttamente entrambe

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fig. 8.8
Zona di saturazione Zone di
IC(mA) funzionamento
IB = 100 μA di un transistore
10 npn a
emettitore
IB = 80 μA comune.

IB = 60 μA
ESERCIZIO
> 16

5 Zona attiva
IB = 40 μA

IB = 20 μA
Zona di interdizione

IB = 0
0 2 4 6 8 10 VCE(V)

le giunzioni (B-E e B-C). Infatti, facendo riferimento alla fig. 8.5b deve risultare:
— VBB > VBE;
— VBE > VCE;
— VBE = 0,8 V
— VCE = 0,2 V
— IC < hFE ∙ IB (non vale più la relazione fondamentale [8.4]).
Il bjt entra in «saturazione» quando la corrente di base cresce al punto che la circuiteria
esterna impedisce alla corrente di collettore di aumentare ancora.

Zona di interdizione (cut-off zone). Corrisponde alla caratteristica di IC = 0 che si ottiene per
valori di IB = 0. Nella zona di interdizione il bjt si comporta da circuito aperto; infatti non
è più valida la relazione fondamentale [8.4] e per la [8.8] VCE raggiunge valori molto alti
(VCE ≈ VCC). La condizione per far lavorare il transistore in questa zona si ottiene polariz-
zando inversamente entrambe le giunzioni (B-E e B-C). Infatti, facendo riferimento alla fig.
8.5b deve risultare:
— IB = 0 e IC = 0; ESERCIZIO
— VBB < VBE; > 23
— VBE ⭐ 0.
La tab. 8.1 riassume il funzionamento del bjt nelle tre zone.
tab. 8.1 Riassunto delle zone di funzionamento.

Zona di funzionamento Attiva Saturazione Interdizione

IC IC IB = 0
Condizioni correnti hFE = __ hFE > __ (non valida)
IB IB IC = 0
VBB > VBE VBB < VBE
VBB > VBE VBE > VCE VBE < VCE
Condizioni tensioni
VBE = 0,7 V [7.11] VBE = 0,8 V [7.12] VBE ⭐ 0 [7.13]
VCE = 0,2 V VCE ≈ VCC
Condizioni di polarizzazione delle giunzioni
Emettitore-base Diretta Diretta Inversa
Base-collettore Inversa Diretta Diretta oppure Inversa

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8.3 Retta di carico e punto di lavoro

Per determinare le correnti e le tensioni di polarizzazione del transistore si deve individua-
punto re il punto di lavoro sulle curve caratteristiche. Il punto di lavoro consente di individuare
di lavoro le tensioni e le correnti del bjt «a riposo», ossia in assenza di segnale. Per trovare il punto
di lavoro (Q) si deve tracciare sulla caratteristica di ingresso e di uscita la retta di carico,
in modo analogo a quanto visto per i diodi (vedi par. 7.3.4.).
Facendo riferimento al circuito della fig. 8.9a (bjt a emettitore comune), l’equazione della
maglia di ingresso è data dalla [8.7]. Si impostano le condizioni a vuoto con IB = 0 per indi-
viduare il punto d’intersezione con l’asse delle tensioni. Dall’equazione [8.7] si ottiene
VBB = VBE
Impostando invece le condizioni di cortocircuito con VBE = 0 si individua il punto d’inter-
sezione con l’asse delle correnti. Dall’equazione di ingresso si ha
VBB
IB = ____
RB
La retta di carico allora passerà dai punti (0; VBB) e e____
VBB
ESERCIZIO ; 0o come mostra la fig. 8.9b.
> 22 RB

fig. 8.9
(a) Circuito
transistore IB(μA)
a emettitore
comune; VBB
(b) punto di
RB Retta di carico
lavoro statico
in ingresso;
(c) punto di VCE = cost.
lavoro statico
in uscita. (b)

Punto di lavoro
IBQ Q
RC

C VBEQ VBB VBE (V)

IC
+
RB IB VCC
B IC (mA)
VCE IB = 100 μA
10
+
VBB VBE VCC
IE IB = 80 μA
RC
E

IB = 60 μA

(a) (c)
5 IBQ
Q
ICQ

IB = 20 μA

0 VCEQ VCC VCE (V)

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Si procede in modo analogo utilizzando l’equazione della maglia di uscita, data dalla [8.8],
facendo riferimento alla caratteristica di uscita. Si impostano le condizioni a vuoto con IC = 0
per individuare il punto d’intersezione con l’asse delle tensioni; tale impostazione impone la
condizione di interdizione del bjt (terminali C ed E aperti). Dall’equazione [8.8] si ottiene
VCC = VCE
Impostando invece le condizioni di cortocircuito con VCE = 0 si individua il punto d’inter-
sezione con l’asse delle correnti; tale impostazione impone la condizione di saturazione del
bjt (terminali C ed E in corto circuito). Dall’equazione di uscita si ha
VCC
IC = ____
RC
La retta di carico allora passerà dai punti (0; VCC) e e____
VCC
; 0o come mostra la fig. 8.9c.
RC
Poiché la caratteristica di uscita è costituita da una famiglia di curve per diversi valori
di IB il punto di lavoro deve essere individuato in corrispondenza del valore individuato in
ingresso ossia IBQ.
A seconda di dove si trova il punto di lavoro Q della caratteristica di uscita il bjt fun-
zionerà nella zona attiva, di saturazione o di interdizione.

8.4 Polarizzazione del bjt

Nei paragrafi precedenti si è trattato indirettamente il concetto di polarizzazione. La pola-
rizzazione, infatti, consiste nell’inserimento delle batterie e delle resistenze nel circuito di
bjt affinché esso lavori nella zona di amplificazione (zona lineare) per tutto l’intervallo di
tempo in cui il segnale è applicato all’ingresso del transistore. Esistono vari tipi di polariz-
zazione:
— fissa;
— automatica;
— automatica con partitore.

Polarizzazione fissa (fig. 8.10a). Si ricorda che per polarizzare il transistore in modo che possa
funzionare in zona attiva, si deve:
— polarizzare direttamente la giunzione B-E;
— polarizzare inversamente la giunzione C-B.
Si deve avere quindi il potenziale sul collettore (dunque fra collettore e massa) superiore
a quello che si ha sulla base (quindi fra base e massa). Per ottenere tali potenziali si devo-
no avere due alimentazioni una VBB che alimenta la giunzione di base e l’altra che alimen-
ta la giunzione di collettore VCC (vedi fig. 8.5b).
Le due resistenze, RC ed RB, con il loro valore, regolano rispettivamente il flusso di
corrente nel collettore IC e nella base IB.
Si può tuttavia evitare di usare due generatori, usandone soltanto uno (visto che entram-
bi sono collegati con il polo negativo a massa), adeguando i due valori delle due resistenze
per ottenere dei valori voluti sia per IC sia per IB. Si passa così al circuito equivalente di
fig. 8.10a.
Questo tipo di polarizzazione è poco usato nelle applicazioni in quanto introduce una
distorsione nell’amplificatore. Tale distorsione scaturisce dall’instabilità del punto di lavoro
Q a causa della temperatura che provoca un aumento di hFE e quindi un aumento di IC; ciò
a sua volta porterà a un ulteriore aumento della temperatura con conseguente aumento di
IC, spostando così il punto di lavoro verso la zona di saturazione (fenomeno di deriva o
fuga termica).

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Dispositivi elettronici analogici e fondamenti di Elettronica

ESERCIZI In questo caso le due equazioni, relative alle maglie di ingresso e di uscita, sono
> 14, 15, 16,
18, 19, 20, 21 VBE + RB ∙ IB - VCC = 0 [8.14]
VCE + RC ∙ IC - VCC = 0

fig. 8.10
Tipi di
polarizzazione
del bjt con una RC
sola
alimentazione: RC RB
(a) fissa;
C IC
(b) automatica; RB +
(c) automatica IB VCC
C IC B
con partitore + VCE
e rispettivo VCC
IB
circuito B
equivalente. VCE VBE E IE

VBE IE RE
E

(a) (b)

RC RC

RB1 C
IC
C IC
+ +
IB VCC VCC
RB IB
VCE B
VCE
B

IE +
VBB E
RB2 E
RE IE
RE

(c)

ESEMPIO 8.2
Dimensionare la rete di polarizzazione fissa supponendo di alimentare un transistore bjt
con VCC = 12 V, avente hFE = 100 e valori corrispondenti al suo punto di lavoro
ICQ = 5 mA e VCEQ = 6 V (di solito VCE vale la metà dell’alimentazione).

SOLUZIONE
Dalla relazione fondamentale del bjt si calcola IB
5 ∙ 10- 3
IC _______
IB = ____ = = 5 ∙ 10- 5 A = 50 nA
hFE 100
Dalla prima equazione della [8.14] si può calcolare il valore di RB, imponendo VBE = 0,7 V

VBE + RB ∙ IB - VCC = 0 0,7 + RB ∙ 50 ∙ 10- 6 - 12 = 0

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UNITÀ
Transistori bipolari (bjt)

12 - 0,7
RB = ________ = 0,226 ∙ 106 X = 226 kX ≃ 220 kX (valore commerciale)
50 ∙ 10- 6
In modo analogo, dalla seconda della [8.14] si calcola il valore di RC

VCEQ + RC ∙ ICQ - VCC = 0 6 + RC ∙ 5 ∙ 10- 3 - 12 = 0

12 - 6
RC = _______ = 1,2 ∙ 103 X = 1,2 kX (valore commerciale)
5 ∙ 10- 3
In conclusione la rete di polarizzazione sarà costituita dalle due resistenze con i valori com-
merciali sopra definiti. Con la rete di polarizzazione dimensionata in questo modo il tran-
sistore lavorerà in corrispondenza del punto di lavoro Q richiesto.

Polarizzazione automatica (fig. 8.10b). Poiché il lavoro del bjt deve rimanere stabile si esige
che le grandezze di uscita IC e VCE rimangano invariate durante il suo funzionamento. Si
ricorre quindi a una rete di polarizzazione identica a quella fissa ma con una resistenza RE
tra emettitore e massa che costituisce l’elemento stabilizzante. In seguito si chiarisce tale
concetto.
Le equazioni di ingresso e di uscita rispetto alla [8.14] diventano
VBE + RB ∙ IB - VCC + RE ∙ IE = 0 ESERCIZIO
[8.15] > 15
VCE + RC ∙ IC - VCC + RE ∙ IE = 0
Quindi dalla prima si ha
RB ∙ IB = VCC - VBE - RE ∙ IE
Da quest’ultima, approssimando IE ≈ IC, si ottiene
VCC - VBE - RE ∙ IC
IB = _________________
RB
Ora si supponga che IC aumenti a seguito di una variazione di IB; l’aumento della tempe-
ratura provoca un aumento di IE e quindi un aumento della tensione ai capi di RE. Dall’ul-
tima espressione si desume una diminuzione del numeratore con conseguente diminuzione
RB
di IB e quindi anche di IC. L’effetto stabilizzante di RE dipende fortemente dal rapporto ___ ;
RE
più tale rapporto risulta ridotto più efficace risulta l’effetto stabilizzante per ottenere un
migliore controllo della corrente IC tramite quella IB (controllo automatico). Il rapporto
diminuisce, diminuendo RB oppure aumentando RE. Se si agisce su RB aumenta la corrente
sulla base e pertanto quella sul collettore; questo comporterebbe lo spostamento del punto
di lavoro, rischiando di portare il transistore nella zona di saturazione. Se si agisce su RE si
provoca una maggiore caduta di tensione (c.d.t.) ai capi del transistore limitando l’effetto
di amplificazione.
Per ovviare a questo inconveniente si ricorre alla polarizzazione automatica con parti-
tore che tiene basso il valore di RB senza provocare l’aumento di IB.

Polarizzazione automatica con partitore (fig. 8.10c). Questa rete di polarizzazione è la più uti-
lizzata per i bjt. I valori delle resistenze del partitore RB1 ed RB2 si possono fissare in modo
da non spostare il punto di lavoro del transistore pur diminuendo il valore di RE a piacimen-
to. Il circuito equivalente, secondo Thèvenin, è riportato in fig. 8.10c in esso risulta
RB1 · RB2
RB = RB1 // RB2 = _________
RB1 + RB2
VCC
VBB = _________ · RB2 [8.16]
RB1 + RB2

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Dispositivi elettronici analogici e fondamenti di Elettronica

Pertanto, dall’esame della maglia di ingresso si ricava

VBB - RB ∙ IB - VBE - RE ∙ IE = 0
Si può diminuire il valore di RB riducendo, per esempio, il valore di RB2; così facendo
aumenterebbe la corrente in RB2 e quindi diminuirebbe IB = IRB1 - IRB2.
RB2
RB _________
Sostituendo nella [8.16] ____ =
RB1 RB1 + RB2
RB 1 ∙ RB 2
_________
RB =
R B 1 + RB 2
RB _________
____ B2 R
=
RB 1 RB 1 + RB 2
RB 2 RB
VBB = _________ ∙ VCC " VBB = ____ ∙ VCC
R B 1 + RB 2 RB 1
la tensione VBB può anche essere scritta come
RB
VBB = ____ · VCC [8.17]
RB1
La [8.16] e la [8.17] insieme alle seguenti condizioni empiriche, ci consentono di dimensio-
nare la rete di polarizzazione del bjt

*
RB
___
ESERCIZIO = 10 ÷ 20
> 18 RE
1
VRE = RE · IE ≈ ___ · VCC [8.18]
10
VRE
RE ≈ ____ ritenendo IE ≈ IC
IC

ESEMPIO 8.3
Dimensionare la rete di polarizzazione facendo riferimento alla fig. 8.10c, supponendo di
alimentare il bjt con VCC = 12 V e che sia hFE = 150 e IC = 10 mA.

SOLUZIONE
Dalla relazione fondamentale si può calcolare IB
10 · 10-3
IC ________
IB = ____ = = 0,067 · 10-3 A = 67 · 10-6 A = 67 nA
hFE 150
Dall’ultima equazione [8.18] si può ricavare il valore di RE
VRE ___ 1 1 1,2
RE ≈ ____ = · VCC · __ = ________ = 1,2 · 102 X = 120 X
IC 10 IC 10 · 10-3
RB
Impostando il rapporto ___ = 20 si trova il corrispondente valore RB = 20 · RE = 2,4 kX.
RE
VCC
Dall’equazione della maglia di uscita si può calcolare RC, impostando VCE = ____ =6 V
2
-3
VCE + RC · IC - VCC + RE · IE = 0 6 + RC · 10 · 10 - 12 + 1,2 = 0
12 - 6 - 1,2 ____
4,8
RC = __________ = -2 = 480 X (valore commerciale 470 X)
10 · 10-3 10
Dall’equazione della maglia di ingresso [8.16] si può risalire al valore VBB, facendo riferi-
mento al circuito equivalente della fig 8.10c e ricordando che VBE = 0,7 V
VBB - RB · IB - VBE - RE · IE = 0 VBB - 2,4 · 103 · 67 · 10-6 - 0,7 - 1,2 = 0 VBB = 1,74 V

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Transistori bipolari (bjt)

Infine dalla [8.17] si ottengono i valori di RB1 ed RB2

RB
VBB = ____ · VCC
RB1
RB 2,4 · 103
RB1 = ___ · VCC = _______ · 12 = 16,55 kX
VBB 1,74
RB1 · RB2
Sapendo che: RB = RB1 // RB2 = _________ si ricava il valore di RB2
RB1 + RB2
2,4 · 103 · 16,55 · 103 _________
RB · RB1 _________________ 39,72 · 103
RB2 = ________ = 3 3
= = 2,8 · 103 = 2,8 kX
RB1 - RB 16,55 · 10 - 2,4 · 10 14,15
Pertanto si è ottenuto:
— RB1 = 16,55 kX (valore commerciale 18 kX);
— RB2 = 2,8 kX (valore commerciale 2,7 kX).

8.5 Applicazioni dei bjt

Le numerose applicazioni in cui i transistori bipolari sono coinvolti si possono fondamen-
talmente classificare in modo generico secondo i seguenti modelli:
— bjt come interruttore digitale on-off;
— bjt per piccoli segnali;
— bjt come amplificatore;
— bjt come separatore d’impedenza.

8.5.1 bjt come interruttore digitale on-off

Quando il bjt viene usato come interruttore il punto di lavoro passa dall’interdizione (assen-
za di corrente nella base oppure corrente molto piccola) alla saturazione (corrente di satu- ESERCIZIO
razione della base). Infatti, il transistore, opportunamente polarizzato, può essere utilizzato > 23
come un interruttore aperto (off) o chiuso (on), regolando la corrente di base.
Considerando il circuito di fig. 8.11 si possono fare le seguenti considerazioni:
— interruttore OFF: quando la tensione di ingresso è Vin = VIL = 0 il transistore è interdetto
(circuito aperto) perché la tensione VBE è uguale a 0, non circola corrente nella base
(IB = 0) e nel collettore (IC = 0) e non essendoci alcuna c.d.t. sulla RC si ha Vout = VCE = VCC.
In questo caso sarà anche nulla la potenza dissipata (PD = 0);

fig. 8.11
+VCC bjt come
interruttore
digitale.
RL

Vin IC Vout
RB IB VCC
B Vout
VIH

Vin
E VCE = 0,2 V
VIL
t t

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