Isbn6476-2 Soluzioni1 A 13

"Elettronica di Millman 4/ed"
Jacob Millman, Arvin Grabel, Pierangelo Terreni
Soluzioni
Capitolo 1
Esercizio 1.14
La concentrazione n(x) indicata in figura può essere espressa come
⎧
⎨ n 0 − n(0)
x + n(0) = kx + n(0) per 0 < x < W
n(x) = W
⎩n per x > W
0
n 0 − n(0)
con k = <0
W
(a) In base all’Equazione 1.35, per E = 0 si ha
dn
Jn (x) = q Dn
dx
e, poiché la concentrazione di elettroni è funzione lineare di x, la densità di corrente
è costante:
q Dn k per 0 < x < W
Jn (x) =
0 per x > W
(b) Per Jn (x) = 0 l’Equazione (1.35) fornisce
dn Dn dn
Jn (x) = qμn n(x)E + q Dn =0 da cui E = −
dx nμn d x
Sostituendo VT = Dn μn (relazione di Einstein) e ricordando l’espressione dell’an-
damento di n(x) si ottiene
⎧
⎨− kVT per 0 < x < W
E= kx + n(0)
⎩
0 per x > W
n(x) Jn(x) ε(n)

x
n(0)
−VTk
n0 J0
n0
0 w x 0 W x
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2 Soluzioni
(c)
W W W
kVT
V =− E (x)d x = d x = VT ln[kx + n(0)]
0 0 kx + n(0) 0
n0
= VT [ln(n 0 ) − ln n(0)] = VT ln = VT ln(10−3 )
n(0)
= −3VT ln 10 = −173 mV
Esercizio 1.15
La corrente netta di elettroni è nulla; quindi in base all’Equazione (1.35)
dn Dn dn VT dn
Jn (x) = qμn n(x)E + q Dn =0 o E =− =−
dx nμn d x n dx
dove è stato fatto uso della relazione di Einstein VT = Dn μn . Poiché è E = −d V /d x,
si ottiene d V = VT dn/n e, integrando tra x1 e x2 ,
n2 n1
V21 = V2 − V1 = VT ln = −VT ln o n 1 = n 2 e−V21 /VT
n1 n2
Capitolo 2
Esercizio 2.3
(a) Imponendo I S (e V /ηVT −1) = 1 mA, con VT = kT /q = 25.8 mV alla temperatura
T = 300 K e per V = 0.7 V si ottiene, per la corrente di saturazione inversa,
I S = 1.31 nA. Sostituendo il valore di I S nell’equazione della caratteristica corrente-
tensione si ottiene, per V = 0.8 V I = I S (e V /ηVT − 1) = 6.92 mA. L’aumento di
corrente è pertanto di 6.92 − 1 = 5.92 mA.
(b) Con η = 1 e per corrente di 1 mA a 0.7 V si ricava I S = 1.65 fA; con questo
valore e per V = 0.8 V si ottiene I = 48.2 mA; la variazione di corrente è dunque di
48.2 − 1 = 47.2 mA.
Esercizio 2.5
(a) La retta di carico passa per il punto VD = 0, I D = 5 mA e ha un coefficiente
angolare di −1/1000 = −1 mS. Una ragionevole stima del punto di riposo porta a
ottenere I D Q = 4.4 mA e V D Q = 0.62 V.
(b) La corrente che scorre in R è I D Q e, dalla legge di Ohm, si ha V R = R I D Q =
4.4 V.
(c) PD = I D VT = 2.73 mW.
(d) Portare R al valore di 2 k determina il fatto che l’intersezione con l’asse I D
si sposta a 5/2 = 2.5 mA e il coefficiente angolare diviene −1/2000 = −0.5 m S.
L’intersezione con la caratteristica si ha per I D Q = 2.2 mA. Analogamente, quando
R = 5 k, l’intersezione con l’asse verticale si ha per I D = 5/5 = 1 mA e il
coefficiente angolare è −0.2 m S. Di conseguenza, si ha I D Q = 0.9 mA.
Esercizio 2.16
(a) Dall’osservazione diretta del circuito si ricava che i due diodi non possono con-
durre simultaneamente, in quanto si ha la conduzione di D1 per vu > V1 = 12 V
e l’interdizione di D2 per vu > V2 = 10 V. Pertanto, i tre possibili stati dei diodi
sono: D1 in conduzione e D2 interdetto, D1 interdetto e D2 in conduzione, entrambi
i diodi interdetti. Assumendo inizialmente D1 e D2 interdetti, il circuito diviene
Essendo entrambi i diodi dei rami aperti, nel circuito non scorre corrente e quindi
vu = vin . Per avere entrambi i diodi interdetti deve essere V1 < 0 e V2 < 0. In effetti,

Soluzioni 3
R R1 R2
−
+ V vu
1 + V2
−
+ + −
vin V1 12 V V2 10 V
− − + −
VD1 = vin − V1 e VD2 = −vin − V2 , per cui imponendo la condizione suddetta si

ottiene vin < V1 = 12 V e vin > −V2 = −10 V. Di conseguenza è dimostrato che,
per −10 V < vin < 12 V, entrambi i diodi sono interdetti.
Quando vin > V1 = 12 V, D1 è acceso e D2 spento e il circuito diviene
+
i
R R1
vu
D1
+ +
vin 12 V V1
− − −
Dalla II legge di Kirchhoff discende che
vin − V1 R1 R 2
i= e vo = R1 i + V1 = vin + V1 = vin + 4 V
R + R1 R + R1 R + R1 3
Quando invece è vin < −V2 = −10 V, D2 è acceso e D1 spento e il circuito diviene
+
i
R R2
vu
D2
+
−
vin 10 V V2
− + −
Dalla II legge di Kirchhoff si ricava
−V2 − vin R R2 2 10
i= e vu = −R2 i − V2 = − V2 + vin = vin − V
R + R2 R + R2 R + R2 3 3

4 Soluzioni
Si ha dunque
⎧
⎪ 10 2
⎪
⎪ − + vin [V] vin ≤ −10 V
⎨ 3 3
vo = vin −10 V < vin < 12 V
⎪
⎪
⎪
⎩4 + 2 vin [V] vin ≥ 12 V
3
La caratteristica di trasferimento complessiva del circuito è quindi
vu, V
17 1
3
12
Pendenza = 2
3
Pendenza = 1
−20 −10
12 20 vin, V
−10
Pendenza = 2
3
−16 2
3
Per −10 V < vin < 12 V si ha vu = vin . La tensione sinusoidale 20 sin ωt assume
valore 12 per ωt = sin−1 (12/20) 0.643 rad ( 37◦ ). In modo analogo, si ha che
il valore −10 è assunto per ωt = sin−1 (10/20) = 7π /6 (= 210◦ ). In conclusione, la
forma d’onda in uscita ha l’andamento riportato nella figura.
vu, V
17 1
3
12
7π/6 2π
0 37 π π ωt, rad
180
−10
−16 2
3
Esercizio 2.22
La prima conclusione che si può trarre è che i diodi non possono condurre contempo-
raneamente. Quando |vi | > |VZ + Vγ |, un diodo Zener conduce (in inversa) e l’altro
è polarizzato direttamente. Quando |vi | < |VZ + Vγ |, uno dei diodi è interdetto, non
scorre corrente e vu = vi . Quando la tensione d’ingresso raggiunge il valore VZ + Vγ
il circuito diviene quello rappresentato nella figura a pagina successiva.
Dalla II legge di Kirchhoff si ricava
vi − VZ − Vγ Rf R
i= e vu = i R f + Vγ + VZ = vi + (VZ + Vγ )
R + Rf Rf + R R + Rf
Per vi < −(VZ + Vγ ) si ottiene un circuito analogo a quello appena considerato, nel
quale però la polarità dei generatori VZ e Vγ deve essere invertita e la corrente scorre

Soluzioni 5
+
R
Rf i
+ + vu
vi Vγ
−
−
+
VZ
−
−
in verso opposto. Il procedimento da seguire è analogo a già quello presentato. La

caratteristica di trasferimento ha dunque l’andamento indicato nella figura.
vu
VZ + Vγ
Rf
Pendenza =
Rf + R
−(VZ + Vγ)
VZ + Vγ vi
−(VZ + Vγ)
Rf
Pendenza =
Rf + R
Capitolo 3
Esercizio 3.1
Le equazioni risolventi delle maglie che comprendono collettore-emettitore e base-
emettitore sono rispettivamente:
VCC = RC IC + VC E
VCC = R B I B + VB E
dalla seconda, con VB E = 0.7 V si ottiene I B = (VCC − VB E )/R B = 83 μA,

da cui IC = β F I B = 20.75 mA e di conseguenza, dalla prima equazione, VC E =
VCC − RC IC = 4.33 V.
Esercizio 3.15
Ovviamente il transistore è interdetto quando VI N < 0.7 V e in queste condizioni
V0 = VCC . Quando il transistore lavora in zona attiva (VI N > 0.7 V) sulla giunzione
base-emettitore si trova una tensione costante VB E = 0.7 V. In queste condizioni

6 Soluzioni
I B = (VI N − VB E )/R B e VU = VCC − RC IC = VCC − RC β F I B ; dunque
VI N − VB E
VU = VCC − RC β F = 22.5 − 15Vi [V]
RB
il diodo Schottky rimane interdetto fin quando VU non scende fino al valore di 0.3 V.
Nel punto limite di conduzione del diodo si ha VU = 0.3 V, da cui, sostituendo
nella (1) VU = 0.3 V, VI N = VCC /15 + 0.68 = 1.48 V. Dunque il diodo
Schottky comincia a condurre quando si ha VI N = 1.48 V. Per un ulteriore aumento
di VI N la tensione d’uscita si mantiene pari a 0.3 V e la corrente I nella resistenza
sul collettore rimane costante al valore (12 − 0.3)/2 = 5.85 mA. La corrente nella
resistenza R B ha invece il valore (VI N − 0.7)/10 [μA]. Dall’equazione del bilancio
delle correnti discende che I = I D + I B e IC = I D + 5.85 [mA]. Utilizzando la
condizione IC = β F I B , si possono ricavare i valori di I B e I D per qualunque valore
di VI N > 1.48 V.
Riassumendo si ha
⎧
⎪
⎨VCC VI N < 0.7 V
VU = 22.5 − 15Vi [V] 0.7 V < VI N < 1.48 V
⎪
⎩
0.3 V VI N > 1.48 V
L’andamento della caratteristica è riportato nella figura.

VU,V
VCC
0.3
0.7 VX VIN,V
Capitolo 4
Esercizio 4.3
(a) Essendo il transistore un PMOS si ha VD D = −9 V e
R2
VGG = VD D = −3 V
R1 + R2
Se si suppone che il MOS lavori nella zona di saturazione, per VG S = −2 V si ha
W
I D = −k (VG S − VT )2 = −0.2 mA
L
Siccome VG S + I D R S = VGG ,
VGG − VG S
RS = = 5 k
ID

Soluzioni 7
(b) Dall’equazione alla maglia che comprende drain e source deriva che
VD D − VDS − I D R S
RD = = 25 k
ID
(c)
W
I D = −k
(VG S − VT )2 = −0.2 mA
L
da cui VG S = −2.5 V. Quindi VGG = VG S + I D R S = −3.5 V. Dall’equazione
R2
VGG = VD D
R1 + R2
si ottiene infine R2 = 153 k.
Esercizio 4.4
(a) La curva di carico è mostrata in Figura 4.24b. Tuttavia, in questo caso, anche il
transistore Q1 è collegato come resistenza non lineare con VG S1 = VDS1 . Costruen-
do la caratteristica di resistenza di Q1 si ottiene l’intersezione tra le due curve per
V DS1 = 3 V e I D = 20 μA. Si ha dunque VU = VDS1 = 3 V.
(b) VDS2 = VD D − VU = 3 V. Questo risultato era prevedibile perché i due di-
spositivi si comportano come due resistenze uguali in serie e dunque la tensione di
alimentazione si ripartisce in ugual misura sui due transistori.
Esercizio 4.5
Siccome Q1 e Q3 sono uguali tra loro e hanno VG S1 = VG S3 , anche le loro cor-
renti di drain sono uguali. Q1 e Q2 sono collegati come resistenze non lineari ad
arricchimento e, essendo anch’essi uguali tra loro, ci si può aspettare che siano sot-
toposti alla stessa caduta di tensione (si veda appunto il Problema 4.4). Pertanto,
VG S1 = VDS1 = 3 V e I D1 = 20 μA = I D3 = IU . Applicando la seconda legge di
Kirchhoff si ottiene infine VU = VD D − R D IU = 5.8 V.
Esercizio 4.12
La caratteristica di trasferimento è espressa in forma generale dall’Equazione 4.4, che
descrive una parabola sul piano VG S − I D . Sostituendo al gruppo VD D , R1 ed R2 il
circuito equivalente di Thèvenin si ottiene
ID, mA
1 12
Pendenza = − + ID
RS RG
VDS
− RD
Q
IDQ
Retta + +
di polarizzazione VGG RS VDD
VGS, V − −
−5 VGSQ 0 VGG
dove
R2
VGG = VD D = 3.31 V e RG = R1 R2 = 73.5 k
R1 + R2

8 Soluzioni
L’applicazione della II legge di Kirchhoff alla maglia di gate porta
VGG − VG S
VGG = VG S + R S I D da cui ID =
RS
Questa equazione descrive la curva di polarizzazione. Con R S = 2 k, l’intersezione

con la caratteristica mutua si ha per VG S Q = −2.53 V e I D Q = 2.92 mA. La II legge
di Kirchhoff applicata alla maglia di collettore porta infine a scrivere
VDS Q = VD D − I D (R S + R D ) = 6.32 V
Esercizio 4.17
(a) Il modello equivalente per piccoli segnali è riportato nella figura.
rd id
G 1 G
gmvgs μvgs −
=
R1 R1 R2
rd
S S
RD
2 +
R2 RD
RS vγ i
RS
−
Ro Ro
dove il circuito è stato ridisegnato (a destra) sostituendo il gruppo rd e gm vgs con il

suo equivalente in tensione.
Per calcolare la resistenza vista Ro (vedi figura) è sufficiente applicare il gene-
ratore di corrente i, valutare la tensione v e calcolare il rapporto Ro = v/i. L’e-
quazione relativa alla maglia di drain è i d (R D + rd ) − μvgs + (i d + i)R S = 0, con
vgs = −(i d + i)R S . Sostituendo si ottiene
−R S (1 + μ)
i d [R D + rd + R S (1 + μ)] = −i R S (1 + μ) da cui i d = i
R D + rd + R S (1 + μ)

−R S (1 + μ)
v = (i d + i)R S = R S +1 i e
R D + rd + R S (1 + μ)
v R S (R D + rd ) R S (R D + rd )/(1 + μ) R D + rd
= Ro = = = RS
i R D + rd + R S (1 + μ) R S + (R D + rd )/(1 + μ) 1+μ
(b) Con μ = gm rd = 100 si ottiene
R D + rd
Ro = R S = 461
1+μ
(c) Con R D = 0 si ha
rd
Ro = R S = 425
1+μ

Soluzioni 9
Esercizio 4.23
Il modello è riportato nella figura seguente:
RG + +
rd1
+
vi vgs rd2 vu
gmvgs
−
− −
(a) Dall’Equazione (4.2), essendo gm = ∂ I D /∂ VG S , si ricava gm = 2k WL (VG S − VT );

ma
ID L
VG S − VT =
k W
Combinando le espressioni ricavate si ottiene infine

W
gm = 2 k IDQ
L
(b) Dal circuito equivalente è immediato ricavare vu = −gm (rd1 rd2 )vi .
Capitolo 5
Esercizio 5.2
(a) (b) (c) (d) (e)
La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quan-

to il transistore lavora nella zona attiva e quindi, essendo la sua corrente in base molto
piccola, si ha una tensione base-emettitore relativamente ridotta. La configurazione
rappresentata in e) (giunzione base-collettore) ha invece la tensione di breakdown più
alta, essendo essa uguale a BVC B O del transistore.
Esercizio 5.3
Dall’equazione (5.3) deriva
ρ
RS = ( /)
y
dove è
1
ρ= = 0.083 cm
(N D − N A )qμn
Di conseguenza si ottiene R S = 32.8 /.

10 Soluzioni
Esercizio 5.4
(a) Dall’Equazione (5.4): R = R S L/W deriva L = RW/R S = 2500 μm = 2.5 mm
(b) Utilizzando ancora l’Espressione (5.4) si ha W = L R S /R = 1 μm
Esercizio 5.6
Essendo
A
C= ε 0 εSi
W
segue
CW
A= = 0.323 mm2
ε 0 εSi
Capitolo 6
Esercizio 6.1
(a) Risolvendo l’Equazione (6.6) rispetto ad R e sostituendo i valori numerici si ha
β F VCC − VB E
R= = 18.3 k
βF + 2 IC
(b) in base all’Equazione (6.6), |IC | può essere espressa in funzione di |V B E |

come
β F VB E
|IC | =
βF + 2 R
Sostituendo i valori numerici (con |IC | = IC /100 = 5 μA) si ottiene
βF + 2
|V B E | = R|IC | = 93.0 mV
βF
e
|T | = |V B E |/(d VB E /dT ) = 42.3◦ C
La massima escursione di temperatura risulta pertanto di ±42.3◦ C.
Esercizio 6.9
Nell’ipotesi che sia β F 1, le correnti di base possono essere trascurate rispetto a
quelle di collettore; quindi
VB E1 + IC1 R1 = VB E2 + IC2 R2
VB E1 − VB E2 = IC2 R2 − IC1 R1
IC1 VB E1 − V B E2 IC1
= e(VB E1 −VB E2 )/VT , ovvero = ln
IC2 VT IC2
Di conseguenza
IC1
IC2 R2 − IC1 R1 = VT ln
IC2
e
IC1 R1 VT IC1
1− = ln
IC2 R2 IC2 R2 IC2
da cui
IC1 R2 VT IC1
= 1− ln
IC2 R1 IC2 R2 IC2

Soluzioni 11
Nota: Ponendo IC2 = IC1 , risulta R2 = R1 ; inoltre, dal momento che si è assunto che
le correnti di base sono trascurabili, è I R = IC2 e in base alla II legge di Kirchhoff,
IC2 = (VCC − VB E )/(R + R2 ).
Esercizio 6.19

W W
I D1 = k (VG S1 − VT )2 e I R = I D2 = k (VG S2 − VT )2
L 1 L 2
Poiché è VG S1 = VG S2 ,
I D1 (W/L)1
=
I D2 (W/L)2
Esercizio 6.21
(a) Utilizzando le Equazioni (6.31) e (6.32) si ha
IC Q h fe
gm = = 20 mS ed rπ = = 10 k
VT gm
Utilizzando le formule riportate in Tabella 6.1
RC h f e
da AV = − segue RC = 6 k
Rs + r π
(b) Per h f e = 200(1 + 0.6) = 320,
h fe RC h f e
rπ = = 16 k e AV = − = −107
gm Rs + r π
(c) Per h f e = 200(1 − 0.6) = 80,
h fe RC h f e
rπ = = 4 k e AV = − = −80
gm Rs + r π
Esercizio 6.24
Il circuito equivalente per l’amplificatore a base comune, con r0 → ∞ ed rb = 0 è
riportato nella figura.
ie
E gmvπ C +
ic
−
vπ vo
rπ RC
+
B −
Ro Ro'
ic
Per il guadagno in corrente A I = si ha
ie
rπ i e
i c = gm vπ , e vπ = −rπ (i e + gm vπ ) da cui vπ = −
1 + h fe

12 Soluzioni
e quindi
ic gm rπ h fe
=− =−
ie 1 + h fe 1 + h fe
Per valutare Ro , assumendo che i t sia fornita da un generatore di corrente,
gmvπ
− +
vr rπ it vt
+ −
si ottiene
i t = gm vπ vπ = −gm vπ rπ = −h f e vπ
che risulta soddisfatta solo per vπ = 0; pertanto
it = 0 ed Ro → ∞; Ro
= RC //Ro = RC .
Applicando in ingresso al circuito un generatore di tensione vs con resistenza interna

Rs , risulta
(1) vo = −gm vπ RC
rπ i e
(2) vπ = −rπ (i e + gm vπ ), ovvero vπ = −
(1 + h f e )
Quindi
h f e i e RC
vo = − = A I RC i e
(1 + h f e )
Applicando la II legge di Kirchhoff alla maglia d’ingresso si ha
−vs + i e Rs − vπ = 0
Sostituendo l’espressione di vπ e risolvendo rispetto a i e si ottiene

vs
(3) ie =
[Rs + rπ /(1 + h f e )]
Combinando quest’ultima con le Equazioni (1) e (2) si può ottenere l’espressione di

A V . Poiché è vs /i e = Rs + Ri , utilizzando ancora l’Equazione (3) si ricava
Ri = rπ /(1 + h f e ) 1/gm
Esercizio 6.26
Il circuito equivalente per piccoli segnali del generatore di Widlar è riportato nella
figura seguente. Si osservi che la tensione vπ1 insiste proprio ai capi del generato-
re gm vπ 1 , quindi vπ1 /gm vπ1 è una resistenza di valore 1/gm . La parte di circuito
racchiusa nel rettangolo tratteggiato equivale a una resistenza R X = Rro1 1/gm
rπ 1 1/gm .

Soluzioni 13
B1 B2
C2
vπ2 rπ2 ro2

+ −
vπ1 rπ1 gm2vπ2
−
R ro1
gm1vπ1
Ro
RE
La restante parte del circuito risulta quindi
B2 C2
+
vπ2 rπ2 ro2
gm2vπ2
−
RX E2
RE
Ro
È immediato riconoscere nello schema di figura uno stadio a emettitore comune con
resistenza di emettitore. Quindi Ro è la resistenza d’uscita di questo stadio con R X al
posto di Rs .

β o2 R E
Ro = ro2 1 +
R X + rπ2 + R E
Poiché rπ2 = h f e /gm2 = h f e VT /IC2 è una resistenza di valore elevato, essendo IC2
una “piccola” corrente (si ricordi che il circuito viene impiegato proprio per ottenere
sul carico “piccoli” valori di corrente), frequentemente risulta rπ2 (R X + R E ).
Quindi

β o2 R E
Ro ro2 1 + = ro2 (1 + gm2 R E )
rπ 2
Esercizio 6.34
(a) Essendo A V = −h f e RsR+h
C
ie
, per ottenere |A V | = 1010 si deve avere
|A V |
RC = (Rs + h ie ) = 25.25 k
h fe
h
(b) dai parametri forniti si ricava gm = rπf e = 200 mS e IC = gm VT = 5 mA.
Affinché il transistore sia polarizzato in regione attiva deve essere VCC = VC E +
RC IC e assumendo VC E = VC E,min = 0.3 V si ottiene VCC,min = 126.6 V.

14 Soluzioni
Capitolo 7
Esercizio 7.1
(a) I valori assunti da vu (t) per vari valori di ω0 t sono riportati nella tabella; il relativo
grafico della forma d’onda è mostrato nella figura
vu(V)
ω0t vu
rad V
1.5
0 −0.375
π/6 0.875 1
π/3 1.62
π/2 1.38
0.5
2π/3 0.492
5π/6 −0.250 4π/3 2π
π −0.375 0
π/3 2π/3 π 5π/3 ω0t(rad)
7π/6 −0.125
4π/3 −0.116 −0.5
3π/2 −0.624
5π/3 −1.24 −1
11π/6 −1.25
−1.5
(b) Esprimendo lo sfasamento in radianti, è possibile osservare che
π π
vu (t) = sin ω0 t − + sin 2ω0 t −
12 6

π π
= sin ω0 t − + sin 2ω0 t −
12ω0 12ω0
Dunque le componenti spettrali del segnale vu (t), oltre che entrambe amplificate di un
fattore 10, risultano sfasate in misura proporzionale alle relative frequenze e risultano
pertanto ritardate di una medesima quantità τ = π /(12ω0 ); quindi l’uscita risulta
non è distorta, ma semplicemente ritardata. Il grafico relativo coincide, a meno di una
traslazione lungo l’asse dei tempi, con quello della Figura 7.1 del testo.
Esercizio 7.2
Il circuito equivalente risulta
C
B C
+ +
Rs
rπ RL
Vπ
+ gmVπ Vo
vs
− −
−
E

Soluzioni 15
L’analisi nodale, utilizzando come variabili Vb e Vo , fornisce le seguenti equazioni

Vs 1 1
= Vb + + sC − Vo sC (7.1)
Rs Rs rπ

1
−gm Vπ = −Vb sC + Vo + sC (7.2)
RL
con Vπ = Vb (7.3)
Sostituendo l’Equazione (7.3) nella (7.2) e risolvendo il sistema si ottiene
Vo 1 − sC/gm
= A0
Vs 1 + s/ω H
dove, essendo h f e = gm rπ , è
h f e rπ
A0 = − e
Rs + r π
Rs + r π
ωH =
C[R L Rs + rπ (R L + Rs + gm R L Rs )]
Esercizio 7.3
Rs + Vπ − 1/sC
B rπ
+
RE' = RE ro
—
—
Vs
− gmVπ
L’analisi nodale, utilizzando come variabili Vb e Vo , fornisce le seguenti equazioni

Vs 1 1 1
= Vb + + sC − Vo + sC (7.1)
Rs Rs rπ rπ

1 1 1
gm Vπ = −Vb + sC + Vo + + sC (7.2)
rπ R
E rπ
con
Vπ = Vb − Vo (7.3)
Sostituendo l’Equazione (7.3) nella (7.2) e risolvendo il sistema si ottiene
Vo 1 + sCrπ /(1 + h f e )
= A0
Vs 1 + s/ω H
dove, essendo h f e = gm rπ , è
(h f e + 1)R
E
A0 = e
Rs + rπ + (h f e + 1)R
E
1
ωH =
Crπ (Rs + R E )/[Rs + rπ + R
E (h f e + 1)]


16 Soluzioni
Rs
1/sCμ
+
+
Vs rπ Vπ RC
1/sCπ gmVπ
−
− Zo'
Zo
Esercizio 7.8
(a) Il circuito equivalente alle alte frequenze di uno stadio a emettitore comune è il
seguente:
Posto R L = RC , l’espressione di A V H (s) fornita dall’Equazione (7.33) rappresenta
la tensione di Thèvenin VT h ai punti X -X . La corrente di cortocircuito Icc fra gli
stessi punti risulta
Icc = −gm Vπ + sCμ Vπ = −Vπ (gm − sCμ )
La prima legge di Kirchhoff, applicata al nodo Vπ (con l’uscita in cortocircuito)

fornisce

Vs 1 Rπ0 1
= Vπ + s(C π + C μ ) cioè Vπ = V s
Rs 0
Rπ Rs 1 + s Rπ (Cπ + Cμ )
0
con Rπ0 = rπ R S . Quindi

−Vs Rπ0 (gm −sCμ ) −Vs h f e (1−sCμ /gm )
Icc = Rs [1+s Rπ0 (Cπ +Cμ )]
= (Rs +rπ )[1+s Rπ0 (Cπ +Cμ )]
Z o
= VT h
Icc =
−h f e RC Vs (1−sCμ /gm ) 1
Rs +rπ · 0 C +R 0 C (1+g R )+C R ]+s 2 C C R 0 R
π π μ μ C μ π π C
=
1+s[Rπ m C
−h f e Vs (1−sCμ /gm ) 1
Rs +rπ · 0 (C +C )
1+s Rπ π μ
RC [1+s Rπ0 (Cπ +Cμ )]
= 1+s[Rπ0 Cπ +Rπ0 Cμ (1+gm RC )+Cμ RC ]+s 2 Cπ Cμ Rπ0 RC
L’espressione di Z o
può essere riorganizzata espandendo il denominatore e mettendo
in evidenza RC , per cui si ha
1 + s Rπ0 (Cπ + Cμ )
RC
sCμ (1 + gm Rπ0 + s Rπ0 Cπ ) RC Z o
Z o
= =
1 + s Rπ (Cπ + Cμ )
0 RC + Z o
RC +
sCμ (1 + gm Rπ + s Rπ Cπ )
0 0
(b) Per ro che assume valore finito, posto R L = RC ro , l’espressione di Z o

risulta
uguale a quella trovata al punto precedente, sostituendo RC con R L .
Esercizio 7.9
(a) I parametri del transistore sono: gm = 40 mS, rπ = 3.125 k e, secondo
l’Equazione (7.19),
gm
Cπ + Cμ = = 21.2 pF, da cui (con Cμ = 0.5 pF) Cπ = 20.7 pF
2π f T

Soluzioni 17
Inoltre
h f e RC
Av0 = − = −43.8
Rs + r π
Dalle considerazioni svolte al Paragrafo 7.5, si ricava
τ i = (Rs rπ )[Cπ + Cμ (1 + gm R L )] = 12.37 ns
e quindi
1 ωH
ωH = 80.8 Mrad/s da cui fH = = 12.87 MHz
τi 2π
(b) dal circuito equivalente a π ibrido, per s = jω H si ha
1 rπ
Z i ( jω H ) = rπ =
CM 1 + jω H rπ [Cπ + Cμ (1 + gm RC )]
Sostituendo i valori numerici si ottiene
|Z i ( jω H )| = 269 e ∠(Z i ( jω H )) = −1.48 rad ( −85◦ )
Esercizio 7.13
Il circuito equivalente è riportato nella figura seguente:
G S
Cgs = C2
RI rd
RS Cgs = C3
+ Cgd = C1 +
Vs μVgs
− −
D
Utilizzando le formula riportate in Tabella 6.4 si ha
μR S
Av0 = = 0.820
rd + R S (1 + μ)
Per determinare le resistenze viste, si fa uso del circuito della figura

o
R22
G S
rd
RI RS
+
o o
R11 μVgs R33
−
D
0 = R = 5 k, R 0 = R
= R R = 0.164 k.
Per cui risulta R11 I 33 o S o

18 Soluzioni
0 , sostituendo la parte destra della rete con il relativo circuito equivalente

Per R22
di Thèvenin, risulta VT h = μVgs R S /(R S + rd ) ed RT h = rd R S = 0.909 k.
Applicando un generatore di prova Vt tra i punti G ed S, la corrente erogata It risulta
RS
1+μ
Vt + VT h R S + rd
It = = Vt essendo Vgs = Vt
R I + RT h R I + RT h
Quindi
Vt R I + RT h
0
R22 = = = 1.066 k
It RS
1+μ
R S + rd
Cosı̀
a1 = R11
0
C gd + R22
0
C gs + R33
0
Cds = 15.7 ns ovvero
1
fH = 10.1 MHz
2πa1
Esercizio 7.15
Facendo uso delle formule riportate in Tabella 6.1 del testo si ha
h f e RC
AV 0 = − = −93.9
Rs + r π
Dalle considerazioni svolte al Paragrafo 7.5, si ricava
r π Rs
τ 1 a1 = [Cπ + Cμ (1 + gm RC )] = 35.625 ns da cui segue
r π + Rs
1
fH = = 4.47 MHz
2πa1
Esercizio 7.16
(a) Si osservi intanto che il blocco rappresentato all’interno del riquadro ombreggiato
rappresenta una amplificatore ideale di tensione con guadagno Av = 1 + Rb /Ra .
Pertanto nel circuito equivalente esso sarà sostituito con un generatore di tensione
controllato dalla tensione ai capi del condensatore C2 .
Per il calcolo della resistenza R110 , è immediato verificare che, essendo C un
2
circuito aperto, non scorre corrente in R2 e quindi la tensione Vx coincide con quella
ai capi della resistenza R1 . Rimane dunque un’unica maglia costituita da R1 , dal
generatore di prova (al posto di C1 ) e dal generatore controllato Av Vx . Detta It la
corrente erogata dal generatore di prova e Vt la sua tensione, si ha
Vt = R1 It − Av Vx e Vx = R1 It
Combinando queste due equazioni si ottiene
Vt
= R11
0
= R1 (1 − Av )
It
0 , considerando adesso C un circuito aperto risulta R 0 = R +
Per il calcolo di R22 1 22 1
R2 . Segue a1 = C1 R110 + C R 0 = C (R + R ) + R C (1 − A ).
2 22 2 1 2 1 1 v

Soluzioni 19
Per ricavare a2 = R112 R 0 C C è necessario calcolare R 2 con C cortocircuitato;

22 1 2 11 2
si osservi che questa scelta (in alternativa a quella che richiede il calcolo di R22 1 )
consente di semplificare il circuito, in quanto con C2 cortocircuitato si ottiene Vx = 0

e quindi scompare il generatore controllato. Cosı̀
2
R11 = R1 R2 e
R1 R2
a2 = (R1 + R2 )C1 C2 = R1 R2 C1 C2
R1 + R2
(b) In base alle condizioni poste è
Av = 2, a1 = 2RC + RC(1 − Av ) = RC, e a2 = R 2 C 2
Utilizzando la tecnica approssimata del polo dominante si ottiene

1 1 a1 1

| p 1 | = − = e
| p2 | = − =
a1 RC a2 RC
pertanto i poli appaiono essere coincidenti. Si osservi però che i due poli cosı̀
calcolati non sono distanti l’uno dall’altro.
(c) L’equazione caratteristica risulta
1 + a1 s + a2 s 2 = 1 + RCs + R 2 C 2 s 2
ovvero
1 + p + p2 avendo posto p = RCs
Le radici di questa equazione sono
√
1 3 1 √
p= ±j cioè s=− (1 ± j 3)
2 2 2RC
(d) L’approssimazione a polo dominante non è quindi valida. L’ipotesi | pi | = |ai−1 /ai |
è vera solo se i poli sono reali, mentre in questo caso risultano complessi. La con-
dizione | p1 | < | p2 | utilizzata per adottare le soluzioni approssimate | p1 | = |1/a1 | e
| p2 | = |a1 /a2 | è condizione necessaria ma non sufficiente.
Esercizio 7.20
Sostituendo
Av0 A v R2
Av (s) = in A V H (s) = −
1 + s/ωh R1 (1 + Av ) + R2
e mettendo in evidenza al denominatore il termine R1 (1 + Av0 ) + R2 si ottiene

l’Equazione (7.77). Dall’Equazione (7.77) risulta
[R1 (1 + Av0 ) + R2 ]
ω H = ωh
R1 + R2
Per Av0 1 è
Av0
ω H = ωh
1 + R2 /R1

20 Soluzioni
Capitolo 8
Esercizio 8.2
(a) Un amplificatore di corrente può essere realizzato disponendo in cascata un am-
plificatore transresistivo (convertitore corrente-tensione) e un amplificatore transcon-
duttivo (convertitore tensione-corrente).
+ + Io
Is Convertitore Vo1 Vi2 Convertitore RL
corrente - tensione corrente - tensione
Ria Roa − − Rib Rob
(b) La resistenza d’ingresso dell’amplificatore ottenuto coincide con quella del primo
stadio (amplificatore transresistivo), mentre quella di uscita è la resistenza d’uscita
dell’amplificatore transconduttivo. Dunque Ri = 50 ed Ro = 100 k. Il gua-
dagno di corrente Ai , con l’uscita in cortocircuito (R L = 0), può essere calcolato
utilizzando il circuito riportato nella figura.
Roa
Ii + +
+
Is Vo1 Vi2
Ria RmIi Rib GmVi2 Rob Io
−
− −
Rib
Ii = I s Vo1 = Vi2 = Rm Ii = 0.999 × 104 Ii . Io = G m Vi2 =
Rib + Roa
Rib Io
Gm Rm Ii = 999Ii . Dunque Ai = = 999.
Rib + Roa Ii
Esercizio 8.3
Un amplificatore di tensione può essere realizzato disponendo in cascata un amplifica-
tore transconduttivo (convertitore tensione-corrente) e un amplificatore transresistivo
(convertitore corrente-tensione) come è mostrato nella figura.
Io1 Ii2 +
+
Vs Convertitore Convertitore Vo2 RL
tensione - corrente corrente - tensione
−
Rib Rob Ria Roa −
Ri
La resistenza d’ingresso dell’amplificatore di tensione coincide con quella del primo

stadio (amplificatore transconduttivo), mentre la resistenza d’uscita sarà quella del-
l’amplificatore transresistivo. Dunque Ri = 50 k ed Ro = 50 . Il guadagno in
tensione Av a vuoto può essere calcolato operando come segue:
Rob
Ii2 = −Io1 = −G m Vs −0.1Vs .
Rob + Ria
Rob Vo2
Vo2 = Rm Ii2 = −Rm G m Vs −1000Vs . Dunque Av = −1000.
Rob + Ria Vs

Soluzioni 21
Roa
+ Io1 Ii2 +
+ +
Vs Vi1 Vo2
GmVi1 Rob Ria RmIi2 RL
− Rib −
− −
Esercizio 8.6
Nella figura è riportato il circuito equivalente per piccoli segnali dell’inseguitore di
source, con una scomposizione tra gate e source. Per questo circuito si ha

I p V p
ρ= = 0, Z p = Zi = =∞
Vs V p =0 I p Vs =0
Gli altri parametri sono

Vu
α = VVrs =1 γ = Vs V =0 =0
V p =0 p

Vr
A = VVup = gm (R S //rd ) β = Vu V =0 = −1
Vs =0 s
Infine
αA μR S
Af = +γ =
1 − βA rd + R S (1 + μ)
G
+
Vp
−
Zp
s
+ Vr − +
+
Vs gmVgs ra RS Vn
−
−
Esercizio 8.7
s
s
Ir
gmVgs ra RS Ig gmVgs ra RS Ip Yp Ig
Per la determinazione della resistenza d’uscita, dopo aver cortocircuitato l’ingresso

(la resistenza R è ininfluente ed è stata pertanto omessa), si può inserire un generatore

22 Soluzioni
di corrente di prova Ig in uscita e, effettuando una scomposizione come mostrato

nella figura, si trova che l’ammettenza Y p risulta in parallelo a Ig ; quindi siamo di
fronte a una reazione di tensione e il valore di Rout può essere determinato utilizzando
la (8.13). I parametri della scomposizione che interessano sono allora

Vp Ip
ρ= Ig I =0 =0 Y p = Yi = V p I =0 = 1
R S rd = 1
R
S
p g

Ir
Yb = 0 βA = I p I =0 = −gm R S
Cosı̀ infine
1 R S
Rout = =
(Y p + Yb )(1 − β A) 1 + gm R S
Esercizio 8.8
Per calcolare gli effetti del disturbo sull’uscita è possibile utilizzare il circuito, in
cui la sollecitazione è costituita dal generatore vn sul collettore e si è operata una
scomposizione tra gate e source.
Vp + rd
–
Zp
s
+ Vr − gmVgs
+ +
R RS Vn Vn
− −
In questo caso è

I p V p
ρ= = 0, Z p = Zi = =∞
Vn V p =0 I p Vn =0
Inoltre

Vr RS Vu RS
α = Vn V =0 =− γ = Vn V =0 = = −γ
p R S + rd p R S + rd

Vu Vr
A = V p V =0 = gm (R S //rd ) β = Vu V =0 = −1
n n
Dunque
αA RS 1 RS
Af = +γ =− =−
1 − βA rd + R S 1 + gm (R S rd ) rd + R S (1 + μ)
Sostituendo i valori dei parametri si ottiene A f = −19.6 × 10−3 , da cui, imponendo

A f VN M ≤ VU M segue VN M ≤ 1.02 V.

Soluzioni 23
Esercizio 8.12
Nella figura è riportato il circuito equivalente dell’amplificatore non invertente, con
l’indicazione del generatore d’ingresso Vs e una scomposizione utile ai fine del cal-
colo richiesto. Applicando le definizioni si trova

I p V p
ρ= = 0, Z p = Zi = = Ri
Vs V p =0 I p Vs =0
Inoltre

Vr Zp Ri
α= Vs V =0 = Z p +R1 (R2 +Ro ) = Ri +R1 (R2 +Ro ) = 0.999
p

Vu R1 (R2 +Ro )
γ = Vs V =0 = Ro
Ro +R2 · Z p +R1 (R2 +Ro ) = 16.4 × 10−6
p

Vu R2 +(R1 Z p )
A= V p V =0 = AV Ro +R2 +(R1 Z p ) = 0.984A V = 98.4 × 103
s
R1 Z p
Vr
β= Vu V =0 =− = −0.333
s R2 + R1 Z p
Dunque
αA
Af = + γ = 3.00
1 − βA
Si osservi che con la scomposizione operata, l’impedenza Z p viene a trovarsi in serie
al generatore Vs , evidenziando cosı̀ una reazione di tipo serie; la stessa scomposizione
può allora essere utilizzata anche per il calcolo della resistenza d’ingresso Rin . Alle
funzioni di taglio già calcolate va aggiunta
Z b = R1 (R2 + Ro ) = 0.672 k
Si ottiene cosı̀
Rin = (Z p + Z b )(1 − β A) = 32.8 G
+
+
Vp V Vi Ri
–p
− R2
+ Vr −
+
Zp Ro
+ +
Vs Ri AvVi Vu
– –
(b)
Capitolo 9
Esercizio 9.1
(a) Assumendo α = 1 e γ = 0, il guadagno del sistema reazionato può essere scritto
nella forma:
A(s)
A f (s) =
1 − β A(s)

24 Soluzioni
Per le alte frequenze risulta
Av0
1 + s/ωh Av0 1 Af0
A f H (s) = = =
Av0 1 − β Av0 1 + s/[ωh (1 − β Av0 )] 1 + s/ω H
1−β
1 + s/ωh
Av0
Af0 = = 83.3 ω H = ωh (1 − β Av0 ) = 1.88 × 106 rad/s
1 − β Av0
Quindi la nuova frequenza limite superiore di banda è f H = ω H /(2π ) = 300 kHz.

Alle basse frequenze si ha
Av0 s/ωl
1 + s/ωl Av0 s(1 − β Av0 )/ωl A f 0 s/ω L
A f L (s) = = =
Av0 s/ωl 1 − β Av0 1 + s(1 − β Av0 ) 1 + s/ω L
1−β
1 + s/ωl
ωl Av0
ωL = = 1.05 krad/s e ancora Af0 = = 83.3
1 − β Av0 1 − β Av0
Quindi la nuova frequenza limite inferiore di banda è f L = 167 Hz

(b) In assenza di reazione si ha
P G B = Av0 ( f h − fl ) = 24.5 MHz
Nel sistema reazionato si ha
P G B = A f 0 ( f H − f L ) = 25.0 MHz
Esercizio 9.2
(a) I due amplificatori in cascata hanno guadagno in bassa frequenza
A1 (s) A2 (s)
A f 1 (s) =
1 − β 1 A1 (s) 1 − β 2 A2 (s)
mentre per il circuito a singola reazione si ha
A1 (s)A2 (s)
A f 2 (s) =
1 − β A1 (s)A2 (s)
Uguagliando A f 1 e A f 2 per s = 0 si ottiene
a1 a2 a1 a2
=
1 − β 1 a1 1 − β 2 a2 1 − βa1 a2

Soluzioni 25
da cui, risolvendo rispetto a β,
β 1 a1 + β 2 a2 − β 1 β 2 a1 a2
β=
a1 a2
(b)
dAf1 a2
= e
d A1 (1 − β 2 a2 )(1 − β 1 a1 )2
A d A f 1 a1 a2 a1 1
S A1f 1 = = a1 a2 =
d A1 A f 1 (1 − β 2 a2 )(1 − β 1 a1 )2 1 − β 1 a1
(1 − β 1 a1 )(1 − β 2 a2 )
dAf2 a2
= e
d A1 (1 − βa1 a2 )2
A d A f 2 a1 a2 a1 1
S A1f 2 = = a1 a2 =
d A1 A f 2 (1 − βa1 a2 )2 1 − βa1 a2
(1 − βa1 a2 )
Sostituendo il valore di β ottenuto al punto a) si ottiene
A
A 1 1 S A1f 1
S A1f 2 = = =
1 − β 1 a1 − β 2 a2 + β 1 β 2 a1 a2 (1 − β 1 a1 )(1 − β 2 a2 ) 1 − β 2 a2
Poiché si ha |1 − β 2 a2 | > 1 (la reazione è negativa), si osserva che la reazione

globale dà luogo a una migliore desensitività delle due reazioni locali in cascata. (c)
Se è A1 = A2 e β 1 = β 2 , in bassa frequenza si ha
a12 a12
A f 1 (0) = e A f 2 (0) =
(1 − β 1 a1 )2 1 − βa12
Sostituendo nell’espressione di A f 2 (0) quella di β si trova
a12 a12
A f 2 (0) = = = A f 1 (0)
1 − 2β 1 a1 + β 21 a12 (1 − β 1 a1 )2
Dunque i due amplificatori reazionati hanno lo stesso guadagno in bassa frequenza.

Pertanto, poiché essi hanno la stessa risposta ad anello aperto e lo stesso valore del
prodotto guadagno-banda, hanno anche la stessa ampiezza di banda.
(d) La differenza tra i due sistemi è stata evidenziata nella risposta al punto (b).
Esercizio 9.4
Il fattore di riporto ha espressione
T0
T (s) =
(1 + s/ω1 )(1 + s/ω2 )(1 + s/ω3 )
e i relativi diagrammi di Bode sono riportati nella figura.

26 Soluzioni
|T| (dB) Φ(°) 0,01 01 1 10 100 1000 10.000

0,1 ω1 ω1 10 ω1 0,1 ω3 ω3 10 ω3
0,1 ω2 ω2 0,1 ω2 ω(rad/s)
86
80
60
−90
40
20
100 ω(rad/s)
0,1 ω1 1 10 ω2 ω3 1000
ωφ=102 Mrad/S
ωG=317 Mrad/S =100 Mrad/S
−270
Dai diagrammi si ricava ω G = 317 Mrad/s e ωφ = 100 Mrad/s. Per ω = ωφ è

T = 24 dB, da cui segue G M = −|T | dB = −24 dB. Per ω = ω G è ∠T −230◦ ,
da cui si ottiene φ M = −50◦ .
Esercizio 9.10
(a) I poli ad anello aperto hanno frequenze f 1 = 400 kHz ed f 2 = 1.6 MHz. Il mi-
nimo tempo di salita senza sovraelongazione si ha per k = 1, ovvero Q = 1/(2k) =
0.5.
Detto n = f 2 / f 1 , dalla (9.36)
√ √
n(1 + T0 ) f 1 f 1 (1 + T0 ) Q 2 ( f 1 + f 2 )2
Q= = segue T0 = − 1 = 0.563
n+1 f1 + f2 f1 f1
cioè T0 |dB = −5 dB.
Si osservi che quello ottenuto è un valore piuttosto basso per il guadagno d’a-
nello. Per ottenere una guadagno d’anello più elevato, con i relativi benefici, sarebbe
stato necessario avere una maggiore separazione tra i poli (cioè un valore maggiore
per n).
(b) Il tempo di salita può essere ricavato per esempio dalla Figura 9.18. La variazione
di y per x che varia tra il 10 % e il 90 % è
x2 − x1 = 0.64 − 0.1 = 0.54
Poiché è f 0 = Q( f 1 + f 2 ) = 1 MHz, si ha τ R F = t2 − t1 = (x2 − x1 )/ f 0 = 0.54 μs.

Per il sistema non reazionato risulta
√
f1 f2
Q min = = 0.4
f1 + f2
da cui k = 1/(2Q) = 1.25. Quindi siamo di fronte al caso di risposta sovrasmorzata.
Poiché è 4k 2 = 6.25 > 1, possiamo approssimare la risposta utilizzando una sola
costante di tempo, come nell’Equazione (9.33). Il tempo di salita τ R risulta
k
τ R = −2 (ln 0.1 − ln 0.9) = 0.874 μs
ω0
La piccola riduzione del tempo di salita, nel caso del sistema reazionato, è dovuta al
ridotto valore di T0 ; in ogni caso risulta τ R F τ R /(1 + T0 ).

Soluzioni 27
Esercizio 9.16
(a) Il circuito equivalente, assumendo CC Cμ è quello riportato nella figura:
CC
Rs
+
rπ Vs RC
Cπ gmVπ
+ −
Vs
−
Questo circuito è uguale a quello dello stadio a emettitore comune (ad alte frequenze),
in cui la capacità Cμ è stata sostituita con CC . Quindi, applicando il metodo delle
costanti di tempo, risulta
a1 = (R S rπ )Cπ + {(R S rπ ) + RC [1 + gm (R S rπ )]} CC = 3.9 μs
Dunque ω1 = 1/a1 = 256 krad/s ed f p1 = 40.8 kHz. Lo zero è ω z = gm /CC =

60 Mrad/s. Inoltre a2 = Cπ CC RC (R S rπ ) = 3.41 × 10−15 s2 e dunque ω2 =
a1 /a2 = 1.14 Grad/s.
(b) Senza la capacità di compensazione si ha
a1 = (R S rπ )Cπ + {(R S rπ ) + RC [1 + gm (R S rπ )]} Cμ = 91.36 ns
Dunque ω1 = 1/a1 = 10.9 Mrad/s ed f p1 = 1.74 MHz. Lo zero è ω z = gm /Cμ =

1.34 Grad/s. Inoltre a2 = Cπ Cμ RC (R S rπ ) = 68.2 × 10−18 s2 e dunque ω2 =
a1 /a2 = 1.34 Grad/s.
Capitolo 10
Esercizio 10.6
(a) Per soddisfare la I legge di Kirchhoff applicata al nodo comune alle due resistenze
R1 deve essere
IC1 + IC2 = α F I E E (1)
La II legge di Kirchhoff applicata alla maglia che comprende le due giunzioni base-
emettitore fornisce
−VD + VB E1 + |I E1 |R1 − |I E2 |R1 − VB E2 = 0 ovvero
VD = VB E1 − VB E2 + (R1 /α F )(IC1 − IC2 ) (2)

Poiché
IC1
= e(VB E1 −VB E2 )/VT (3)
IC2
risolvendo la (1) e la (3) si ottiene
α F IE E α F IE E
IC1 = e IC2 = (4)
1 + e−V /VT 1 + eV /VT
con V = VB E1 − VB E2 .

28 Soluzioni
Occorre adesso mettere in relazione V con VD . Dalla (4) si ha

1 1
IC1 − IC2 = α F I E E −
1 + e−V /VT 1 + eV /VT
eV /VT − e−V /VT
= α F IE E
2 + eV /VT + e−V /VT
Poiché inoltre
e x − e−x (e x/2 + e−x/2 )(e x/2 − e−x/2 ) (e x/2 − e−x/2 )
= = = tanh(x/2)
2 + e x + e−x (e x/2 + e−x/2 )2 (e x/2 + e−x/2 )
si ottiene
V
IC1 − IC2 = α F I E E tanh (5)
2VT
Sostituendo la (5) nella (2) si ottiene
V
VD = V + R1 I E E tanh
2VT
da cui, dividendo entrambi i membri per 2VT ,
V VD R1 I E E V
= − tanh (6)
2VT 2VT 2VT 2VT
Per |V /(2VT )| 1 si ha tanh(V /(2VT )) V /(2VT ), cosicché la (6) diviene
V VD R1 I E E V
= −
2VT 2VT 2VT 2VT
e quindi
VD
V = (7)
1 + R1 I E E /(2VT )
Per |V /(2VT )| 1 si ha tanh(V /(2VT )) → 1, e in questo caso la (6) fornisce
V = VD − R1 I E E (8)
sia la (7), sia la (8) indicano che per forzare una stessa corrente in uno dei transistori
occorrono valori più elevati di V D di quelli necessari per R1 = 0 (come nello stadio
standard a emettitori accoppiati, vedi Figura 3.48). Le caratteristiche di trasferimento
hanno andamento qualitativamente simile.
Si noti che il termine R1 I E E determina di quanto la VD deve essere maggiore (in
valore assoluto) di 4VT 100 mV per considerare che una delle correnti di collettore
sia praticamente nulla, mentre l’altra sia praticamente pari a α F I E E . Inoltre, dalla (6),
se VD = 0, poiché l’equazione x = k tanh x è soddisfatta solo per x = 0, si ha
IC1 = IC2 .
(b) Con VD = 0 si ha IC1 = IC2 = α F I E E /2, con α F = β F /(β F + 1). Pertanto
β F IE E
IC1 = IC2 = = 0.497 μA
βF + 1 2
Esercizio 10.11
Per risolvere il problema è conveniente utilizzare il principio di sovrapposizione degli
effetti, calcolando separatamente i contributi dovuti ai diversi generatori v1 , v2 , Vio ,
I B1 , I B2 .

Soluzioni 29
(a) Con I B1 = I B2 = 0 e Vio = 0 si ha

R2 R2 R2
vo1 = − v1 e vo2 = 1+ v2
R1 R1 R1 + R2
e combinando questi risultati come vo = vo1 + vo2 si ottiene
R2 R2
vo = (v2 − v1 ) = − (v1 − v2 )
R1 R1
(b) Con v1 = v2 = Vio = 0 e I B2 = 0 il modello circuitale è il seguente:

R2
I2
Y
−
νi VO
I1 +
IB1 X
R1
R2 R1
Le resistenze R1 ed R2 in parallelo non sono percorse da corrente, in quanto l’am-

plificatore operazionale ideale non assorbe corrente attraverso i terminali d’ingresso,
per cui il terminale d’ingresso non invertente si trova a potenziale nullo. In virtù del
cortocircuito virtuale è anche nullo, di conseguenza, il potenziale dell’ingresso in-
vertente ed è nulla tensione ai capi della resistenza R1 (sull’ingresso invertente), che
pertanto non è percorsa da corrente.
Dunque la corrente I B1 scorre tutta nella resistenza R2 collegata all’uscita e si
ottiene
VO,I B1 = R2 I B1
(c) Poiché non scorre corrente attraverso il terminale d’ingresso non invertente, la
corrente I B2 scorre tutta nel parallelo di R1 ed R2 , producendo una tensione V X =
−(R1 R2 )I B2 . Questa tensione agisce come la tensione d’ingresso di un amplifica-
tore non invertente (vedi figura), per cui si ha
R2
I2
Y
−
vi VO
I1
+
X
R1
IB2 R2 R1

R2 R2
VO,I B2 = V X 1+ = −(R1 R2 ) 1 + I B2 = R2 I B2
R1 R1

30 Soluzioni
(d) Con v1 = v2 = 0 e I B1 = I B2 = 0, il modello circuitale è il seguente:

R2
I2 + −
Vy −
+
Vio Vi VO
− +
+ X
V1 R1
− R2 R1
I1
Imponendo la condizione, Vi = 0 e osservando che le resistenze R1 ed R2 in parallelo

non sono percorse da corrente, si ottiene

R1 R2
V X = 0, Vio = V1 = VO , e VO = 1 + Vio
R1 + R2 R1
(e) Con v1 = v2 la tensione d’uscita è costituita dallo sbilanciamento totale. Dunque

R2 R2
VO = R2 I B1 − (R1 R2 ) 1 + I B2 + 1 + Vio =
R1 R1

R2
= R2 I B1 − R2 I B2 + 1 + Vio = 41.0 mV
R1
Si noti che con I B1 = I B2 , i contributi dovuti a questi due generatori si annullano
reciprocamente.
Esercizio 10.22
Se l’amplificatore ha guadagno finito Av l’uscita, ottenuta per sovrapposizione degli
effetti, vale
−R2 Av R4 Av (R1 + R2 )
Vo = V1 + V2
R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4 R1 (1 + Av ) + R2
Per V2 = −V1 , cioè con tensione differenziale VD = V1 − V2 = 2V1 (e quindi con
V1 = VD /2) si ha

−Av V1 R4 (R1 + R2 )
Vo = R2 +
R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4
Cosı̀
Vo −Av /2 R4 (R1 + R2 )
AD = = R2 +
Vd R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4
Essendo R1 /R2 = R3 /R4 , si ha
−Av R2
AD =
R1 (1 + Av ) + R2
Se V1 = V2 (cioè con una tensione a modo comune VC = (V1 + V2 )/2 = V1 = V2 ),
allora

Av V2 R4 (R1 + R2 )
Vo = −R2 + =
R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4

Av V2 R1 R4 − R2 R3
= =
R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4

−Av V2 R2 R3 − R1 R4
= = AC VC
R1 (1 + Av ) + R2 R3 + R4

Soluzioni 31
Se si verifica la relazione R1 /R2 = R3 /R4 si ottiene AC = 0 e CMRR→ ∞. Infatti

CMRR= A D /AC , per cui i risultati ottenuti forniscono anche
R2 R3 + 2R2 R4 + R1 R4
CMRR =
2(R2 R3 − R1 R4 )
Capitolo 11
Esercizio 11.5
Usando il principio di sovrapposizione degli effetti si ottiene:

1 1 1 1
Vu,2 (s) = − V2 (s) e Vu,1 (s) = 1+ V1 (s) = V1 (s)
RCs 1 + RCs RCs RCs
Dunque
1
Vu (s) = Vu,1 (s) + Vu,2 (s) = [V1 (s) − V2 (s)]
RCs
e
1
vu (t) = (v1 (t) − v2 (t)) dt
RC
Esercizio 11.9
Il circuito equivalente è il seguente
R3 +
R1 C2
C1 +
RVVi Vo
−
+
V1 R2
−
−
Vu = Av Vi (1)
R2 R2 C 2 s
Vi = Vx = Vx (2)
R2 + 1/C2 s 1 + R2 C 2 s
L’applicazione della I legge di Kirchhoff al nodo Vx fornisce
Vx − V1 Vx Vx − Vu
+ C1 sVx + + =0 (3)
R2 R2 + 1/C2 s R3
Sostituendo l’Equazione (2) nell’Equazione (1) si ottiene
A v R2 C 2 s
Vu = Vx (4)
1 + R2 C 2 s

32 Soluzioni
Ricavando da questa l’espressione di Vx in funzione di Vu e sostituendola nell’equa-

zione (3) si ottiene il risultato richiesto.
Esercizio 11.10
Il circuito in esame è il seguente
C2 R2
−
R1 Vx A
C1 +
+ +
V1
V2
−
−
La I legge di Kirchhoff applicata al nodo A richiede
Vu Vu
C1 sVx − ovvero Vx = − (1)
R2 R2 C 1 s
L’applicazione della I legge di Kirchhoff al nodo Vx fornisce
Vx − V1
+ C1 sVx + (Vx − Vu )C2 s = 0 (2)
R1
Sostituendo l’equazione (1) nella (2) e risolvendo si ottiene il risultato richiesto.
Esercizio 11.20
a) Si osservi la figura.
−
A1 +
vI + A2 vu
−
C
Durante il campionamento la tensione ai capi di C cambia sino a che si ottiene

vU = v I ; per questa condizione l’amplificatore di ingresso non eroga più corren-
te in C. Quando l’interruttore si apre, il condensatore mantiene la sua carica e la
tensione ai suoi capi rimane costante (e pari a vU ), sino al termine dell’intervallo
di campionamento. Questo dimostra che viene effettivamente svolta la funzione di
campionamento e tenuta.

Soluzioni 33
b) Si osservi la figura.
−
A1 + vu
vI + A2
−
C
R2
v'
R1
Durante il campionamento si ha v
= v I , da cui

v
R2
vU = (R1 + R2 ) = v I 1 +
R1 R1
Ciò corrisponde a un sistema di campionamento e tenuta con guadagno Av = 1 +

R2 /R1 .
c) Lo schema è quello riportato in figura.
R2
R1
vI −
+
+ vu
−
C
Capitolo 12
Esercizio 12.1
Operando una scomposizione tra gate e massa (ρ = 0, Z p = ∞) e per R R L , si
ottiene il circuito riportato in figura.
C C C
A
+
−
gmRLVp R R R Vr
+
−
B

34 Soluzioni
Le equazioni di maglia sono

1
−gm R L V p = R + I1 −R I2
sC
1
0 = −R I1 + 2R + I2 −R I3
sC
1
0 = −R I2 + 2R + I3
sC
Risolvendo questo sistema per I3 , si può valutare Vr = R I3 e β A = Vr /V p . Sosti-

tuendo RCs = jω N e riorganizzando i termini dell’espressione si ottiene l’Equazio-
ne (11.4).
Esercizio 12.12
a) Con riferimento alla figura, in condizione di riposo v2 = −V R e l’uscita del com-
paratore è a livello alto (vU = VO = VZ + VD ). A riposo, nel condensatore non
scorre corrente, quindi la tensione su R è nulla e v1 = 0. La tensione ai capi di C è
VO .
b) per t = 0, uno stretto impulso di trigger di ampiezza maggiore di V R porta v2
a un valore positivo per cui il comparatore commuta verso il livello basso vU =
−VO . Poiché la tensione ai capi del condensatore non può variare istantaneamente,
la variazione vU = −2VO si trasmette a v1 . Quindi v1 scende da 0 a −2VO , il
diodo risulta interdetto e la tensione sul condensatore ora varia esponenzialmente con
costante di tempo τ = RC dal suo valore iniziale VO verso il suo valore finale −VO .
Anche v1 varia con la stessa costante di tempo da −2VO a 0. Quando si verifica
v1 = v2 = −V R il comparatore commuta nuovamente a vU = VO . Tutto questo
richiede che sia trascorso un determinato tempo T , per cui il sistema ha generato un
impulso (negativo) di durata T .
c) Per t = T + , vU = VO e il diodo entra in conduzione e la costante di tempo di
recupero è τ f = R f C, in cui R f R è la piccola resistenza diretta del diodo.
d) Dopo l’applicazione dell’impulso di trigger
v1 (t) = −2VO e−t/τ e per t = T si ha v1 = −V R
Dunque
2VO
−V R = −2VO e−T /τ da cui T = RC ln
VR
Esercizio 12.13
a) Per il cortocircuito virtuale tra gli ingressi dell’amplificatore operazionale, la cor-
rente in R1 è I1 = VCC /R1 . Poiché l’A.O. non assorbe corrente, I1 va a caricare C1
e la tensione di uscita è una rampa la cui pendenza, negativa, è −VCC /(R1 C1 ). Si
ricava così
VCC Ts VCC Ts
VS = ovvero C1 = = 3 μF
R1 C 1 R1 VS
Dall’Equazione (11.49) si ricava
Vs
es = = 33.3 × 10−6 (= 0.0033%)
Av VCC
b) Il valore di C1 è proporzionale a Ts . Dal punto a) si ricava C1 = 3 pF. Poiché
invece l’errore nella pendenza non dipende da C1 , ancora dal punto a) si ricava es =
0.0033%.

Soluzioni 35
c) Il piccolo valore C1 = 3 pF ottenuto al punto b) risulta di difficile realizzazione

pratica, in quanto dello stesso ordine di grandezza della capacità parassita associata
allo stesso condensatore e ai collegamenti. Riducendo il valore di R1 si può ottenere
un valore convenientemente maggiore per C1 . Cambiando R1 da 1 M a 10 k (cioè
riducendola di un fattore 100), si ottiene per C1 un valore 100 volte più grande, cioè
C1 = 300 pF.
Capitolo 13
Esercizio 13.2
Per un segnale vi (t) = VM sin ωt, l’angolo di conduzione θ 1 = ωt1 è individuato
dalla relazione vi (t1 ) = Vγ , ovvero Vγ = VM sin ωt1 . Quindi θ 1 = sin−1 (Vγ /VM )
e, per simmetria, θ 2 = π − θ 1 . Questo conferma la (13.19). Inoltre
2π
1
I DC = i(ωt)d(ωt)
2π 0
Poiché però, all’interno di un periodo, la corrente i(t) è nulla per ωt ≤ θ 1 e per

ωt ≥ π − θ 1 , l’integrale diviene
π −θ 1 π−θ 1
1 1 VM sin(ωt) − Vγ
I DC = i(ωt)d(ωt) = d(ωt)
2π θ1 2π θ1 R f + RL
Integrando, si ottiene infine
VM π − 2θ 1 Vγ
I DC = cos θ 1 −
π (R f + R L ) 2π R f + RL
che è il risultato cercato.
Esercizio 13.6
(a) Quando il diodo conduce, assumendo trascurabile la tensione ai suoi capi, si ha
vo (t) = VM sin ωt; la corrente i(t) nel diodo è data dalla somma della corrente i L (t)
nel resistore di carico e della corrente nel condensatore i C (t). Quindi
vo dvo VM sin ωt
i = i L + iC = +C = + ωC VM cos ωt = I M sin(ωt + ψ)
RL dt RL
con
1
I M = VM + ω2 C 2 e ψ = tan−1 (ωC R L )
R 2L
(b) L’angolo di interdizione si trova imponendo i(t) = 0; si ottiene cosı̀ ωt1 +ψ = π,

da cui ωt1 = π − ψ.
Esercizio 13.7
(a) Ponendo Z 1 = R + Ls e Z 2 = L R (1/Cs) = R L /(1+ R L Cs) è possibile scrivere
le equazioni nodali del circuito nella figura

36 Soluzioni
R R sL VB
+
+
V1 C 1/sC 1/sC RL V2
− −

V1 1 1 1
= VA + sC + − VB
R R
Z1 Z1
1 1 1
0 = −V A + VB +
Z1 Z1 Z2
Risolvendo il sistema e considerando che si ha V2 = VB , si ottiene, valutando il
rapporto V2 /V1 per s = jω, l’espressione
V2
H ( jω) =
V1
RL
=
RL +2R −ω2 [LC(R + RL )+ R 2 R L C ]+ jω[C R(R +3R
2
L )+ L −ω
2 LC 2 R R
L]
(b) Le due componenti di interesse hanno pulsazioni ω = 0 e ω = ω0 = 754 rad/s.

Per la prima componente si ottiene
RL
H (0) = = 0.8
R L + 2R
e la componente continua in uscita è quindi V2,dc = H (0)V1 (0) = 39.6 V.

Analogamente il calcolo di H ( jω0 ) dà
H ( jω0 ) = H1 e jθ con H1 = 113 × 10−6 e θ = −4.42 rad ( −253◦ )
Cosı̀ √
4 Ve 2
V2 ( jω0 ) = H1 e j (π+θ )
3 π
La corrispondente funzione del tempo è allora
√ √
Ve 2 4 Ve 2
v2 (t) = H (0) − H1 cos(ω0 t + θ )
π 3 π
(c) Il fattore di ondulazione è

√
4 Ve 2 √
H1 / 2 4H1
r = 3 π√ = √ = 113 × 10−6
Ve 2 3 2H (0)
H (0)
π
Esercizio 13.8
(a) Operando nel dominio di Laplace e dette Z 1 (s) = R + R S + Ls e Z 2 (s) =
R L (1/Cs) = R L /(1 + R L Cs), si ottiene

Soluzioni 37
RS R
+ +
V1 RL V2
− −
V2 Z2
=
V1 Z1 + Z2
Ponendo s = jω si ha
V2 RL
H ( jω) = =
V1 R S + R + R L − ω LC R L + jω[L + C R L (R + R S )]
2
(b) Per ω = 0 si ha H ( jω) = H (0) = R L /(R S + R + R L ) √= 0.870, per cui la

Ve 2
componente continua della tensione in uscita è V2,dc = H (0) = 86.1 V. Per la
π
componente a frequenza f 0 si ha invece
H1 = |H ( j2π f 0 )| = 10.2 × 10−3 e θ = ∠(H ( j2π f 0 )) = −3.05 rad
e il termine corrispondente, nel dominio del tempo, ha espressione
√
4 Ve 2
v2, f0 (t) = − H1 cos(2π f 0 t + θ )
3 π
(c) Il fattore di ondulazione è
√
4 Ve 2 √
H1 / 2 4H1
r = 3 π√ = √ = 11.0 × 10−3
Ve 2 3 2H (0)
H (0)
π
Esercizio 13.9
(a) Procedendo come nel Problema 13.12 si ha
α = π − tan−1 (ω0 R L C) = 1.75 rad ( 100◦ ), ω0 = 2π f 0
(b)
√ 1
i(t) = 2Ve + ω20 C 2 sin(ω0 t + ψ) = Im sin(ω0 t + ψ)
R 2L
con

√ 1
Im = 2Ve + ω20 C 2 = 541 mA e
R 2L
ψ = tan−1 (ω0 R L C) = 1.40 rad ( 80◦ )
√
Quando il diodo conduce è vo (t) = Vm sin(ω0 t), con Vm = 2Ve = 56.6 V. Tra l’i-
stante di interdizione t1 e quello di conduzione t2 il condensatore di scarica attraverso
la resistenza di carico con costante di tempo τ = R L C, per cui
vo (t) = [Vm sin(ω0 t1 )]e−(t−t1 )/τ = [Vm sin(ω0 t1 )]e−(ω0 t−ω0 t1 )/(ω0 τ ) =
= [Vm sin(ω0 t1 )]e−(ω0 t−α)/(ω0 τ )

38 Soluzioni
Questo ramo di esponenziale interseca la sinusoide Vm sin(ω0 t) in ω0 t2 , che individua

l’angolo di conduzione (cut-in). Graficamente si trova che questo angolo vale circa
44◦ .
i1, mA
vo, V
500
i1
400
vo
300 60
200 40
100 20
0 0
44° 100° 224° 280°
cut-in cut-out
La corrente di picco nel diodo ha valore I p = I M sin(ω0 t2 + ψ) = 456 mA.

(c) Con C = C
= 75 μF si ha
ψ = tan−1 (ω0 RC
) = 1.51 rad ( 86.6◦ )
e l’angolo di interdizione è α = ω0 t1 = π − ψ = 1.63 rad ( 93.4◦ ). La corrente

i(t) ha valore massimo

√ 1
I M = 2Ve + ω20 C 2 = 1.60 A
R 2L
Quando il diodo conduce si ha vo (t) = Vm sin(ω0 t). Tra gli istanti t1 (interdizione) e
t2 (conduzione) si ha invece
vo (t) = VM sin(ω0 t1 )]e−(ω0 t−α)/(ω0 τ ) , (τ = RC

)
Anche in questo caso è possibile determinare graficamente l’angolo (ω0 t2 ) di accen-

sione del diodo; si ottiene così ω0 t2 = 1.04 rad ( 60◦ ). Il valore di picco della
corrente nel diodo è
i1, mA
vo, V
i1 80
800
νo 60
600
40
400
200 20
0 0
60° 93,4° 240° 273,4°
cut-in cut-out
I p = I M sin(ω0 t2 + ψ) = 890 mA

Soluzioni 39
Esercizio 13.13
(a) La corrente nella resistenza R1 è I1 = V R E G /R1 . Quindi

R2
VU = V R E G + R2 (I Q + I1 ) = I Q R2 + V R E G 1 +
R1
Vin 1 2 Vo
+
IQ VREG R1
−
3
R2
(b) La tensione tra i terminali 2 e 3 del regolatore (a) è V R E G . A causa del cor-
tocircuito virtuale agli ingressi dell’amplificatore operazionale, nel circuito c) ta-
le tensione appare direttamente ai capi di R1 . Trascurando la corrente in ingresso
all’amplificatore, si ottiene

VR E G R2
VU = V R E G + R2 = VR E G 1 +
R1 R1
Il vantaggio che ne consegue è l’indipendenza della tensione d’uscita dal valore della
corrente I Q .
Esercizio 13.14
(a) La corrente in R è VREG /R = 1 A, per cui I L = I Q + VREG /R = 1.01 A. Si noti
che I L è indipendente dal carico.
(b) È possibile utilizzare un amplificatore operazionale, come nel circuito c) del Pro-
blema 13.24, in cui R1 = R ed R2 è la resistenza di carico. Allora I L = VREG /R =
1 A, indipendentemente da I Q .
Esercizio 13.16
Si ottiene
i c = G 1 i b + G 2 i b2 =
= G 1 I1 cos ω1 t + G 1 I2 cos ω2 t + G 2 I12 cos2 ω1 t + G 2 I22 cos2 ω2 t
+2G 2 I1 I2 cos ω1 t cos ω2 t
Poiché 2 cos2 α = 1 + cos 2α e 2 cos α cos β = cos(α − β) + cos(α + β), i c com-

prenderà (oltre alle componenti spettrali già presenti in ingresso), una componente
continua e componenti a pulsazioni 2ω1 e 2ω2 (provenienti dai termini in cos2 ω1 e
cos2 ω2 ), e componenti a pulsazioni date dalla somma e dalla differenza delle pulsa-
zioni presenti in ingresso, derivanti dal termine in cos ω1 t cos ω2 t.
Analogamente è possibile dimostrare che se nella relazione dinamica sono presenti
termini proporzionali al cubo della grandezza in ingresso, allora in uscita si trove-
ranno componenti a pulsazione tripla di quelle in ingresso e a pulsazioni ω1 ± 2ω2 e
2ω1 ± ω2 .

40 Soluzioni
IC
Imax
Imax=Im Retta di carico

Q
ICQ
Im
Vm Vm
VCE
Imin=0
Imin ICEQ ICC=Vmax
Esercizio 13.18
(a) Si ha Imin = 0 e B2 = 0. Dall’equazione (13.61)
1
B2 = (Imax + Imin − 2IC ) = 0
4
Quindi Imax = 2IC . Dalla figura I M = IC e VM = 0.5(VCC − Vmin ) Dall’equazione
(13.73)
I M VM VM 1 VCC − Vmin
η= = =
2VCC IC 2VCC 4 VCC
1 VCC − Vmin VCC − Vmin
η% = 100 = 25
4 VCC VCC
(b) Se Vmin VCC , allora il rendimento percentuale tende al 25%. In altre parole, se
VC E(sat) VCC , si ha η = ηmax = 25%.

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"Elettronica di Millman 4/ed"

Jacob Millman, Arvin Grabel, Pierangelo Terreni

n(x) Jn(x) ε(n)

Copyright © 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

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VD1 = vin − V1 e VD2 = −vin − V2 , per cui imponendo la condizione suddetta si

Dalla II legge di Kirchhoff discende che

Dalla II legge di Kirchhoff si ricava

Copyright © 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

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in verso opposto. Il procedimento da seguire è analogo a già quello presentato. La

dalla seconda, con VB E = 0.7 V si ottiene I B = (VCC − VB E )/R B = 83 μA,

Copyright © 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

I B = (VI N − VB E )/R B e VU = VCC − RC IC = VCC − RC β F I B ; dunque

L’andamento della caratteristica è riportato nella figura.

Se si suppone che il MOS lavori nella zona di saturazione, per VG S = −2 V si ha

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L’applicazione della II legge di Kirchhoff alla maglia di gate porta

Questa equazione descrive la curva di polarizzazione. Con R S = 2 k, l’intersezione

dove il circuito è stato ridisegnato (a destra) sostituendo il gruppo rd e gm vgs con il

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(a) Dall’Equazione (4.2), essendo gm = ∂ I D /∂ VG S , si ricava gm = 2k WL (VG S − VT );

(a) (b) (c) (d) (e)

La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quan-

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(b) in base all’Equazione (6.6), | IC | può essere espressa in funzione di | V B E |

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Applicando in ingresso al circuito un generatore di tensione vs con resistenza interna

Sostituendo l’espressione di vπ e risolvendo rispetto a i e si ottiene

Combinando quest’ultima con le Equazioni (1) e (2) si può ottenere l’espressione di

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vπ2 rπ2 ro2

La restante parte del circuito risulta quindi

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(b) Esprimendo lo sfasamento in radianti, è possibile osservare che

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L’analisi nodale, utilizzando come variabili Vb e Vo , fornisce le seguenti equazioni

Sostituendo l’Equazione (7.3) nella (7.2) e risolvendo il sistema si ottiene

L’analisi nodale, utilizzando come variabili Vb e Vo , fornisce le seguenti equazioni

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Icc = −gm Vπ + sCμ Vπ = −Vπ (gm − sCμ )

La prima legge di Kirchhoff, applicata al nodo Vπ (con l’uscita in cortocircuito)

con Rπ0 = rπ R S . Quindi

(b) Per ro che assume valore finito, posto R L = RC ro , l’espressione di Z o

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τ i = (Rs rπ )[Cπ + Cμ (1 + gm R L )] = 12.37 ns

Sostituendo i valori numerici si ottiene

|Z i ( jω H )| = 269 e ∠(Z i ( jω H )) = −1.48 rad ( −85◦ )

Utilizzando le formula riportate in Tabella 6.4 si ha

Per determinare le resistenze viste, si fa uso del circuito della figura

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0 , sostituendo la parte destra della rete con il relativo circuito equivalente

Combinando queste due equazioni si ottiene

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Per ricavare a2 = R112 R 0 C C è necessario calcolare R 2 con C cortocircuitato;

consente di semplificare il circuito, in quanto con C2 cortocircuitato si ottiene Vx = 0

(b) In base alle condizioni poste è

Av = 2, a1 = 2RC + RC(1 − Av ) = RC, e a2 = R 2 C 2

Utilizzando la tecnica approssimata del polo dominante si ottiene

e mettendo in evidenza al denominatore il termine R1 (1 + Av0 ) + R2 si ottiene

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(b) in base all’Equazione (6.6), |IC | può essere espressa in funzione di |V B E |

con Rπ0 = rπ R S . Quindi

(b) Per ro che assume valore finito, posto R L = RC ro , l’espressione di Z o

τ i = (Rs rπ )[Cπ + Cμ (1 + gm R L )] = 12.37 ns

a1 = (R S rπ )Cπ + {(R S rπ ) + RC [1 + gm (R S rπ )]} CC = 3.9 μs

a1 = (R S rπ )Cπ + {(R S rπ ) + RC [1 + gm (R S rπ )]} Cμ = 91.36 ns