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ESTRUTURA E PROPRIEDADES DOS

MATERIAIS

DIFUSÃO ATÔMICA

Prof. Rubens Caram

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DIFUSÃO ATÔMICA

„ DIFUSÃO ATÔMICA É O MOVIMENTO DE MATÉRIA ATRAVÉS DA


MATÉRIA
„ EM GASES, LÍQUIDOS E SÓLIDOS, OS ÁTOMOS ESTÃO EM
CONSTANTE MOVIMENTO
„ EM GASES, MOVIMENTO É RELATIVAMENTE RÁPIDO
„ EM LÍQUIDOS, MOVIMENTO É MAIS LENTO QUE EM GASES
„ EM SÓLIDOS, MOVIMENTO É MUITO LENTO
„ DIFUSÃO ATÔMICA RESULTA DA VIBRAÇÃO DOS ÁTOMOS EM
TORNO DE POSIÇÕES DA REDE CRISTALINA
„ À MEDIDA QUE A TEMPERATURA É ELEVADA, O MOVIMENTO
ATÔMICO TORNA-SE MAIS INTENSO

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DIFUSÃO ATÔMICA

„ DIFUSÃO ATÔMICA EM PROCESSOS INDUSTRIAIS


CEMENTAÇÃO DE AÇOS

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DIFUSÃO ATÔMICA

„ DIFUSÃO ATÔMICA EM PROCESSOS INDUSTRIAIS


FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ MECANISMOS QUE POSSIBILITAM O MOVIMENTO ATÔMICO NO


ESTADO SÓLIDO DEPENDEM DA RELAÇÃO ENTRE RAIOS
ATÔMICOS DO SOLUTO E SOLVENTE

„ RAIO DO SOLUTO ≈ RAIO DO SOLVENTE

„ RAIO DO SOLUTO << RAIO DO SOLVENTE

„ RAIO DO SOLUTO ≈ RAIO DO SOLVENTE


(EM POSIÇÕES INTERSTICIAIS)

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ RAIO DO SOLUTO ≈ RAIO DO SOLVENTE

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ RAIO DO SOLUTO << RAIO DO SOLVENTE

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ RAIO DO SOLUTO ≈ RAIO DO SOLVENTE


(EM POSIÇÕES INTERSTICIAIS)

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ DIFUSÃO ATRAVÉS DE VAZIOS

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MECANISMOS DE DIFUSÃO

„ DIFUSÃO DE ELEMENTOS INTERSTICIAIS

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ORIGENS DA DIFUSÃO ATÔMICA

„ MOVIMENTO ATÔMICO É RESULTADO DA ENERGIA CINÉTICA DE


CADA ÁTOMO OU DA DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA

„ POUCOS ÁTOMOS COM ENERGIA MUITO PEQUENA


„ POUCOS ÁTOMOS COM ENERGIA MUITO ELEVADA
„ MUITOS ÁTOMOS COM ENERGIA PRÓXIMA À MÉDIA

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ORIGENS DA DIFUSÃO ATÔMICA

„ DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA DE ENERGIA EM DUAS TEMPERATURAS

„ TEORIA ESTATÍSTICA → NO DE ÁTOMOS EM DIFUSÃO, n:


n: NO DE ÁTOMOS COM E > EA
N: NO DE TOTAL DE ÁTOMOS
E
− A a: CONSTANTE

n= aNe KT K: 1,38 X 10-23 J/(átomo.K)


EA: ENERGIA NECESSÁRIA PARA DIFUSÃO
T: TEMPERATURA ABSOLUTA

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COEFICIENTE DE DIFUSÃO

„ A PARTIR DE ANÁLISES ESTATÍSTICAS, DEFINE-SE O COEFICIENTE


DE DIFUSÃO OU DIFUSIVIDADE:
D: DIFUSIVIDADE (m2/s)
Q
− DO: CONSTANTE DO SISTEMA (m2/s)
D = Do e RT
Q: ENERGIA DE ATIVAÇÃO DE DIFUSÃO (cal/mol)
R: CONSTANTE DOS GASES (1,98 cal/(mol.K)
T: TEMPERATURA ABSOLUTA (K)

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COEFICIENTE DE DIFUSÃO

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EXERCÍCIO

„ CALCULAR O COEFICIENTE DE DIFUSÃO DO CARBONO NO FERRO


A 500OC E A 1000OC.

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EXERCÍCIO

„ SABENDO-SE QUE O COEFICIENTE DE DIFUSÃO DE Mn NO Fe CFC É


8,4 X 10-17 m2/s A 1000OC E QUE A ENERGIA DE ATIVIDADE DO
MESMO É DE 4,7 X 10-19 J/ÁTOMO, CALCULAR:
„ CONSTANTE DO
„ COEFICIENTE DE DIFUSÃO DO Mn A 1200oC
„ QUANTAS VEZES AUMENTOU A DIFUSIVIDADE ENTRE 1000oC E
1200oC

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EXERCÍCIO

„ CALCULAR O COEFICIENTE DE AUTO-DIFUSÃO DA Ag A 500OC PELO


INTERIOR DO CRISTAL E PELO CONTORNO DE GRÃO.

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EQUAÇÃO DO FLUXO ATÔMICO

„ FLUXO DE ÁTOMOS (J) ENTRE DOIS PLANOS ATÔMICOS É


FUNÇÃO:
„ DISTÂNCIA ENTRE PLANOS
„ CONCENTRAÇÃO DE ÁTOMOS NOS PLANOS
„ ENERGIA DOS ÁTOMOS NOS PLANOS
„ O FLUXO J É DADO POR:
 ∂C 
J = −D 
 ∂x  t

„ ONDE:
„ D É O COEFICIENTE DE DIFUSÃO

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DIFUSÃO EM REGIME PERMANENTE

„ DIFUSÃO ATÔMICA EM REGIME PERMANENTE OCORRE QUANDO A


CONCENTRAÇÃO DE ÁTOMOS EM DIFUSÃO (C) VARIA COM A
DISTÂNCIA (x) E É CONSTANTE EM CADA PONTO, OU SEJA, É
CONSTANTE NO TEMPO
TANQUE DE AÇO DE PAREDES FINAS COM H EM ALTA PRESSÃO

 ∂C  ∂C ∆C C2 − C1
J = −D  = =
 ∂x  t ∂x ∆ x x 2 − x 1 R. Caram - 19
EXERCÍCIO

„ CONSIDERE UM TANQUE DE AÇO CONTENDO HIDROGÊNIO À


PRESSÃO DE 10 atm E VÁCUO NO LADO EXTERNO. SABENDO-SE
QUE A SOLUBILIDADE DO H NO AÇO A 10 atm É IGUAL A 10-2 g/cm3 E
O COEFICIENTE DE DIFUSÃO DO H NO AÇO É IGUAL A 10-5 cm2/s,
DETERMINAR O FLUXO DE H ATRAVÉS DE UMA PAREDE DE AÇO DE
1mm, EM g/cm2/s.

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DIFUSÃO EM REGIME TRANSIENTE

„ DIFUSÃO ATÔMICA EM REGIME


TRANSIENTE OCORRE QUANDO
A CONCENTRAÇÃO DE ÁTOMOS
EM DIFUSÃO (C) VARIA COM A
DISTÂNCIA (x) E COM O TEMPO
„ EM PROCESSOS INDUSTRIAIS É
IMPORTANTE CONHECER A
CONCENTRAÇÃO DE ÁTOMOS
EM DIFUSÃO (C) EM FUNÇÃO DA
DISTÂNCIA (x) E DO TEMPO (t)
OU C(x,t).
„ O FLUXO ATÔMICO EM REGIME
TRANSIENTE É DADO PELA 2a
LEI DE FICK
∂C ∂ 2C
=D 2
∂t ∂x
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SOLUÇÕES DA EQ. DE DIFUSÃO

„ SOLUÇÃO DA EQUAÇÃO DE DIFUSÃO ATÔMICA DEPENDE DO


TIPO DE PROCESSO EM QUESTÃO
„ EXSITEM DOIS PROCESSO UTILIZADOS NA INDÚSTRIA
METALÚRGICA, ONDE A DIFUSÃO ATÔMICA É OBSERVADA:
„ HOMOGENEIZAÇÃO DE FUNDIDOS
„ DURANTE A FUNDIÇÃO DE PEÇAS METÁLICAS PODE OCORRER
SEGREGAÇÃO DE SOLUTO EM TORNO DE RAMIFICAÇÕES
DENDRÍTICAS, O QUE RESULTA NO COMPORTAMENTO SENOIDAL
DA COMPOSIÇÃO. ESSA SEGREGAÇÃO É PREJUDICIAL AO
DESEMPENHO DO COMPONENTE E PODE SER ELIMINADO
ATRAVÉS DA DIFUSÃO ATÔMICA
„ CEMENTAÇÃO DE AÇOS
„ ALGUMAS APLICAÇÕES EXIGEM QUE UMA PEÇA TENHA DUREZA
SUPERFICIAL E ALTA TENACIDADE DE SEU NÚCLEO, COMO É O
CASO DE UMA ENGRENAGEM. ISSO PODE SER OBTIDO ATRAVÉS
DO TRATAMENTO DE CEMENTAÇÃO DE UM AÇO COM BAIXO
CARBONO.
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HOMOGENEIZAÇÃO DE FUNDIDOS
„ SE EXISTE UMA VARIAÇÃO SENOIDAL DE SOLUTO, ONDE A CONCENTRAÇÃO
MÉDIA É C, HAVERÁ MOVIMENTO DE ÁTOMOS DE REGIÃO RICAS EM SOLUTO
PARA POBRES EM SOLUTO.

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CEMENTAÇÃO
„ SOLUÇÃO É OBTIDA CONSIDERANDO QUE A DIFUSÃO ATÔMICA OCORRE EM
UM MEIO DEFINIDO COMO SEMI-INFINITO
„ SISTEMA É SEMI-INFINITO PORQUE
A CONCENTRAÇÃO EM x→∞ É MANTIDA
CONSTANTE AO LONGO DO PROCESSO.
„ CONCENTRAÇÃO INICIAL (CO)
É UNIFORME EM TODA A PEÇA
„ CONCENTRAÇÃO EM x=0
É CONSTANTE: C(0,t)=Cs

SOLUÇÃO DA EQ. DE DIFUSÃO É IGUAL A:

 x 
C(x, t ) = C S − (C S − C O ) erf  
 2 Dt 
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FUNÇÃO ERRO
„ DEFINIÇÃO
2 Z − u2 2  Z3 Z3 
erf (z ) = ∫0 e du = Z− + K
π π  3 × 1 ! 5 × 2 ! 

„ CARACTERÍSTICAS
erf(-Z)=-erf(Z) erf(-∞)=-1 erf(+∞)=+1 erf(-Z)=-erf(Z)
„ DERIVAÇÃO
∂erf (z ) 2 − Z2 ∂ 2 erf (z ) 4 − Z2
= e =− Ze
∂z π 2 π
∂z
„ FUNÇÃO ERRO COMPLEMENTAR
2 ∞ − u2
erfc(Z ) = 1 − erf (Z ) = ∫Z e du
π

„ REPRESENTAÇÃO GRÁFICA

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FUNÇÃO ERRO

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EXERCÍCIO
„ EM UM PROCESSO DE CEMENTAÇÃO DE UMA PEÇA DE AÇO 1020,
CALCULE O TEMPO NECESSÁRIO PARA QUE A 1 mm DA SUPERFÍCIE
SEJA ALCANÇADA A COMPOSIÇÃO DE 0,4% C. SUPONHA QUE A PEÇA
ESTÁ SENDO PROCESSADA A 980oC E A COMPOSIÇÃO NA SUPERFÍCIE
É DE 0,8% C.

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EXERCÍCIO
„ EM UM PROCESSO DE CEMENTAÇÃO DE UM AÇO 1015, A SUPERFÍCIE
DA PEÇA É TRATADA À CONCENTRAÇÃO DE 1,0% C E A 1000oC.
CALCULAR A COMPOSIÇÃO DA PEÇA EM UM PONTO SITUADO A 0,5mm
DA SUPERFÍCIE APÓS UMA HORA DE PROCESSAMENTO.

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