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Elettronica I

M.Borgarino

Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari


Università di Modena e Reggio Emilia
Agenda

• Richiami sui Dispositivi Elettronici non-lineari


• Polarizzazione
• Modelli Equivalenti al Piccolo Segnale
• Montaggi Elementari
• Stadio Cascode
• Specchi di Corrente
• Amplificatore Differenziale a Carico Semplice
• Amplificatore Differenziale a Carico Attivo
• Risposta in Frequenza
• La Retroazione in Elettronica
• Amplificatore Operazionale
• Amplificatore di Transimpedenza
Risposta in Alta Frequenza

Montaggio Collettore Comune


Montaggio Drain Comune
Parte 1
Montaggio a Collettore Comune (CC)

Valutazione dei condensatori


• Il condensatore Cp non hanno alcuna un’armatura connessa ad una
massa AC
• I condensatori sono interagenti
Montaggio CC: analisi tradizionale (1/8)

T1

T2

𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝜋 − 𝑉𝐼𝑁 1
𝑇1: + 𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝜋 𝑠𝐶𝜇 + 𝑠𝐶𝜋 + 𝑉𝜋 = 0
𝑅𝑆 𝑟𝜋
1
𝑇2: 𝑠𝐶𝜋 + 𝑉𝜋 + 𝑔𝑚 𝑉𝜋 = 𝑠𝐶𝐿 𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑟𝜋

B.Razavi
Fundamentals of Microelectronics
John Wiley & Sons, ISBN 978-0-471-47846-1
Montaggio CC: analisi tradizionale (2/8)

1
𝑠𝐶𝜋 + 𝑉𝜋 + 𝑔𝑚 𝑉𝜋 = 𝑠𝐶𝐿 𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑟𝜋

𝑠𝐶𝐿
𝑉𝜋 = 𝑉𝑂𝑈𝑇
1
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋

𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝜋 − 𝑉𝐼𝑁 1
+ 𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝜋 𝑠𝐶𝜇 + 𝑠𝐶𝜋 + 𝑉 =0
𝑅𝑆 𝑟𝜋 𝜋

1 1 1 𝑉𝐼𝑁
𝑉𝜋 + 𝑠𝐶𝜇 + 𝑠𝐶𝜋 + +𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑠𝐶𝜇 =
𝑅𝑆 𝑟𝜋 𝑅𝑆 𝑅𝑆
Montaggio CC: analisi tradizionale (3/8)
𝑠𝐶𝐿
𝑉𝜋 = 𝑉𝑂𝑈𝑇
1
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋
1 1 1 𝑉𝐼𝑁
𝑉𝜋 + 𝑠𝐶𝜇 + 𝑠𝐶𝜋 + +𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑠𝐶𝜇 =
𝑅𝑆 𝑟𝜋 𝑅𝑆 𝑅𝑆

𝑠𝐶𝐿 1 1 1 𝑉𝐼𝑁
+ 𝑠𝐶𝜇 + 𝑠𝐶𝜋 + 𝑉𝑂𝑈𝑇 +𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑠𝐶𝜇 =
1
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑟𝜋 𝑅𝑆 𝑅𝑆
𝑟𝜋
𝑠𝐶𝐿 𝑅𝑆
1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑅𝑆 + 𝑉𝑂𝑈𝑇 +𝑉𝑂𝑈𝑇 1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 = 𝑉𝐼𝑁
1 𝑟𝜋
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋

𝑅𝑆 1
𝑠𝐶𝐿 1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑅𝑆 + + 1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑉𝐼𝑁
1
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋
Montaggio CC: analisi tradizionale (4/8)
𝑅𝑆 1
𝑠𝐶𝐿 1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑅𝑆 + + 1 + 𝑠𝐶𝜇 𝑅𝑆 𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑉𝐼𝑁
1
𝑠𝐶𝜋 + + 𝑔𝑚
𝑟𝜋
𝑔𝑚 𝑟𝜋 ≫ 1

𝑅𝑆
𝑠 2 𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑅𝑆 + 𝑠 𝐶𝐿 1 + + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝑅𝑆 𝑔𝑚 + 𝑔𝑚
𝑟𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 ≅ 𝑉𝐼𝑁
𝑠𝐶𝜋 + 𝑔𝑚

𝑠𝐶𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 +1
𝑔𝑚
=
𝑉𝐼𝑁 𝑅 𝐶 𝑅 𝐶
𝑠 2 𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑆 + 𝑠 𝐿 1 + 𝑆 + 𝜋 + 𝐶𝜇 𝑅𝑆 + 1
𝑔𝑚 𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚
Montaggio CC: analisi tradizionale (5/8)

𝑠𝐶𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 +1
𝑔𝑚
=
𝑉𝐼𝑁 𝑅 𝐶 𝑅 𝐶
𝑠 2 𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑆 + 𝑠 𝐿 1 + 𝑆 + 𝜋 + 𝐶𝜇 𝑅𝑆 + 1
𝑔𝑚 𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚

𝑅𝑆 𝐶𝐿 𝑅𝑆 𝐶𝜋
𝑎 = 𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑏= 1+ + + 𝐶𝜇 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚
𝑠𝐶𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 +1
𝑔𝑚
1 = 2
𝑉𝐼𝑁 𝑎𝑠 + 𝑏𝑠 + 1
𝑎=
𝜔1 𝜔2 𝑔𝑚
𝜔𝑧 =
1 1 𝐶𝜋
𝑏= + 𝑠
𝜔1 𝜔2 𝑉𝑂𝑈𝑇 +1
𝜔𝑧
=
𝑉𝐼𝑁 𝑠 𝑠
+1 +1
𝜔1 𝜔2
Montaggio CC: analisi tradizionale (6/8)
Considerando i poli reali (b2-4a>0) ed il polo w1 inferiore di almeno
un’ottava rispetto ad w2 ovvero w2 >4w1:
1 1 1 1 1
𝑏= + ≅ 𝜔1 = =
𝜔1 𝜔2 𝜔1 𝑏 𝐶𝐿 1 + 𝑅𝑆 + 𝐶𝜋 + 𝐶 𝑅
𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚 𝜇 𝑆

𝐶𝐿 𝑅𝑆 𝐶𝜋
1 𝑏 𝑔𝑚 1 + + + 𝐶𝜇 𝑅𝑆
𝑟𝜋 𝑔𝑚
𝑎= 𝜔2 = =
𝜔1 𝜔2 𝑎 𝑅
𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑆
𝑔𝑚
Considerando i poli reali (b2-4a>0) ed il polo w2 inferiore di almeno
un’ottava rispetto ad w1 ovvero w2 >4w1:
1 1 1 1 1
𝑏= + ≅ 𝜔2 = =
𝜔1 𝜔2 𝜔2 𝑏 𝐶𝐿 1 + 𝑅𝑆 + 𝐶𝜋 + 𝐶 𝑅
𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚 𝜇 𝑆

𝐶𝐿 𝑅𝑆 𝐶𝜋
1 𝑏 𝑔𝑚 1 + + + 𝐶𝜇 𝑅𝑆
𝑟𝜋 𝑔𝑚
𝑎= 𝜔1 = =
𝜔1 𝜔2 𝑎 𝑅
𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑆
𝑔𝑚
Montaggio CC: analisi tradizionale (7/8)
Considerando i poli reali (b2-4a>0) e lo zero all’interno di un’ottava
si può stimare un’unica frequenza di taglio superiore fH:

1
𝑓𝐻 ≅
1 1 2
2 + 2 − 𝜔2
𝜔1 𝜔2 𝑧
Montaggio CC: analisi tradizionale (8/8)
In caso di poli coniugati complessi:

𝑠𝐶𝜋 𝑠𝐶𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 +1 +1
𝑔𝑚 𝑔𝑚
= 2 =
𝑉𝐼𝑁 𝑎𝑠 + 𝑏𝑠 + 1 𝑠 2 1 𝑠
+ +1
𝜔02 𝑄 𝜔0

Frequenza di risonanza
1 1
𝜔0 = =
𝑎 𝑅
𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋 𝑆
𝑔𝑚

Fattore di qualità
𝑅𝑆
𝑎 𝐶𝐿 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 𝐶𝜋
𝑔𝑚
𝑄= =
𝑏 𝐶𝐿 𝑅 𝐶
1 + 𝑆 + 𝜋 + 𝐶𝜇 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑔𝑚
Montaggio CC: impedenza di uscita (1/3)

𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑉𝜋 𝑔𝑚 +1 =− 𝐼𝑋 𝑉𝜋 𝑔𝑚 𝑅𝑆 − 1 = 𝑉𝑋 − 𝑅𝑆 𝐼𝑋
1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋

B.Razavi
Fundamentals of Microelectronics
John Wiley & Sons, ISBN 978-0-471-47846-1
Montaggio CC: impedenza di uscita (2/3)

𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑉𝜋 𝑔𝑚 +1 =− 𝐼𝑋
1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋

𝑉𝜋 𝛽 + 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 = −𝑟𝜋 𝐼𝑋

𝑉𝜋 𝑔𝑚 𝑅𝑆 − 1 = 𝑉𝑋 − 𝑅𝑆 𝐼𝑋
𝑟𝜋 𝐼𝑋
− 𝑔 𝑅 − 1 = 𝑉𝑋 − 𝑅𝑆 𝐼𝑋
𝛽 + 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝑚 𝑆

𝑟𝜋 − 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑟𝜋 + 𝛽𝑅𝑆 + 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝑅𝑆
𝐼𝑋 = 𝑉𝑋
𝛽 + 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋

𝑟𝜋 + 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝑅𝑆 𝑉𝑋
=
𝛽 + 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝐼𝑋
Montaggio CC: impedenza di uscita (3/3)

𝑟𝜋 + 𝑅𝑆 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝑅𝑆 𝑉𝑋 𝑟𝜋 + 𝑅𝑆 + 𝑗𝜔𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝑅𝑆
= 𝑍𝑂𝑈𝑇 𝜔 =
𝛽 + 1 + 𝑠𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝐼𝑋 𝛽 + 1 + 𝑗𝜔𝐶𝜋 𝑟𝜋

comportamento
capacitivo B.Razavi
Fundamentals of Microelectronics
John Wiley & Sons, ISBN 978-0-471-47846-1

comportamento
induttivo
E’ il caso più frequente.
Può dare luogo ad oscillazioni
con il carico capacitivo.
Montaggio Common Drain: analisi tradizionale (1/4)

BJT  MOSFET
𝑟𝜋 → ∞
𝑔𝑚
𝐶𝜋 → 𝐶𝑔𝑠 𝜔𝑧 =
𝐶𝑔𝑠
𝐶𝜇 → 𝐶𝑔𝑑

Considerando i poli reali (b2-4a>0) ed il polo w1 inferiore di almeno


un’ottava rispetto ad w2 ovvero w2 >4w1:
1 1 1 1 1
𝑏= + ≅ 𝜔1 = =
𝜔1 𝜔2 𝜔1 𝑏 𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑠
+ + 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑠
1 𝑏 + + 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝑎= 𝜔2 = =
𝜔1 𝜔2 𝑎 𝑅
𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 𝐶𝑔𝑠 𝑆
𝑔𝑚
Montaggio Common Drain: analisi tradizionale (2/4)

BJT  MOSFET
𝑟𝜋 → ∞
𝑔𝑚
𝐶𝜋 → 𝐶𝑔𝑠 𝜔𝑧 =
𝐶𝑔𝑠
𝐶𝜇 → 𝐶𝑔𝑑

Considerando i poli reali (b2-4a>0) ed il polo w2 inferiore di almeno


un’ottava rispetto ad w1 ovvero w2 >4w1:
1 1 1 1 1
𝑏= + ≅ 𝜔2 = =
𝜔1 𝜔2 𝜔2 𝑏 𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑠
+ + 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑠
1 𝑏 + + 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚
𝑎= 𝜔1 = =
𝜔1 𝜔2 𝑎 𝑅𝑆
𝐶 𝐶 +𝐶 +𝐶 𝐶
𝐿 𝑔𝑑 𝑔𝑠 𝑔𝑑 𝑔𝑠 𝑔𝑚
Montaggio Common Drain: analisi tradizionale (3/4)
Considerando i poli reali (b2-4a>0) e lo zero all’interno di un’ottava
si può stimare un’unica frequenza di taglio superiore fH:

1
𝑓𝐻 ≅
1 1 2
2 + 2 − 𝜔2
𝜔1 𝜔2 𝑧
Montaggio Common Drain: analisi tradizionale (4/4)
In caso di poli coniugati complessi:
BJT  MOSFET
𝑠𝐶𝑔𝑠 𝑠𝐶𝑔𝑠 𝑟𝜋 → ∞
𝑉𝑂𝑈𝑇 +1 +1
𝑔𝑚 𝑔𝑚
= 2 = 𝐶𝜋 → 𝐶𝑔𝑠
𝑉𝐼𝑁 𝑎𝑠 + 𝑏𝑠 + 1 𝑠 2 1 𝑠
+ +1
𝜔02 𝑄 𝜔0
𝐶𝜇 → 𝐶𝑔𝑑
Frequenza di risonanza
1 1
𝜔0 = =
𝑎 𝑅
𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 𝐶𝑔𝑠 𝑆
𝑔𝑚

Fattore di qualità

𝑅𝑆
𝑎 𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 𝐶𝑔𝑠
𝑔𝑚
𝑄= =
𝑏 𝐶𝐿 𝐶𝑔𝑠
+ + 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑆
𝑔𝑚 𝑔𝑚
Montaggio Common Drain: impedenza di uscita

1 + 𝑠𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑆 𝑉𝑋 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑆
= 𝑍𝑂𝑈𝑇 𝜔 =
𝑔𝑚 + 𝑠𝐶𝑔𝑠 𝐼𝑋 𝑔𝑚 + 𝑗𝜔𝐶𝑔𝑠

BJT  MOSFET
comportamento 𝑟𝜋 → ∞
capacitivo
𝐶𝜋 → 𝐶𝑔𝑠
𝐶𝜇 → 𝐶𝑔𝑑
B.Razavi
Fundamentals of Microelectronics
comportamento John Wiley & Sons, ISBN 978-0-471-47846-1
induttivo
E’ il caso più frequente.
Può dare luogo ad oscillazioni
con il carico capacitivo.

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