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Apéndice A

Modelo General a Gran Señal para el BJT: el modelo de Ebers-Moll (EM)

Las corrientes en cada juntura están dadas por las corrientes de diodo correspondiente:


iEF  I ES e vBE / VT  1 
iCR  I CS e vBC / VT
 1
(A-1)

donde iES e iCS son las corrientes de escala o saturación de emisor y colector respectivamente, si la
otra juntura está cortocircuitada. ICS > IES (factor de 2 a 50) por ser AC > AE .
Las corrientes que atraviesan la base llegan al otro terminal resultando en FiEF y RiCR siendo
F  1 y R del orden de 0,02 a 0,5. Existe una relación (libro de Harris, Gray y Searle, 1966) entre
los cuatro parámetros dada por,

FIES = RICS = IS (A-2)

Las corrientes terminales las podemos escribir como:

iE = iEF  RiCR
iC =FiEF  iCR (A-3)
iB =(1 F)IEF + (1 R)ICR

Si reemplazamos las ecuaciones A-1 en A-3 y con A-2, se obtienen las ecuaciones de Ebers-Moll
para un transistor npn (resultan idénticas para un pnp):

iE 
IS
F
e vBE / VT
 
 1  I S e vBC / VT  1 

iC  I S e vBE / VT  1   IS
R
e vBC / VT
1 
 
iB  1   F I ES e vBE / VT  1  1   R I CS e vBC / VT  1   (A-4)

iB 
IS
F
e vBE / VT
1   IS
R
e vBC / VT
1 
F R
donde, F  R  (A-5)
1  F 1  R

son las  directa e inversa respectivamente. Si bien  F suele ser grande,  R es muy pequeña (F >>
R). Por ejemplo, si R = 0,02 a 0,5 se tiene R = 0,02 a 1.

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.
iC C
. C

iC
vBC iCR FiEF
iB iB (ICS)
+
. + .
B B iEF RiCR
vBE (IES)
iE

.
E
iE
.
E
Figura A-1 Transistor npn con Figura A-2 Modelo de Ebers-Moll.
sus corrientes y voltajes de Las corrientes de escala de los
referencia. diodos de emisor y colector están
indicadas en paréntesis.

Modo Normal Activo

La juntura emisor y base está polarizada directamente; la de colector y base inversamente. La

palabra normal se utiliza para distinguir este modo de aquel en los papeles de las dos junturas se
intercambian (modo activo inverso). Como vBC es negativo y su magnitud mucho mayor que VT, las
ecuaciones A-4 se pueden aproximar como

 1 
iE 
F
IS
e vBE / VT

 1  I S 1 


 F 

 1 
 
iC  I S e vBE / VT  1  I S   1
R  (A-6)

I  1 1 
iB  S e vBE / VT  I S   
F  F R 

En cada una de estas tres ecuaciones podemos normalmente despreciar el segundo término del lado
derecho.

Modo Normal Saturado

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Consideremos el circuito de la Figura A-3. Supongamos que una corriente iB es inyectada en la base
y que su valor es suficiente para activar al transistor a saturación. Entonces la corriente de colector
será IC = forzadaIB, donde forzada <  F. Vamos a usar las ecuaciones de Ebers-Moll para hallar una
expresión de VCEsat.
En saturación ambas uniones o junturas están polarizadas directamente, por lo que VBE y VBC son
positivos y mucho mayores que VT. Entonces, eVBE / VT  1 eVCB / VT  1 que si las usamos en
A-4 y con iC = forzadaIB y iB = IB tenemos,

IS
I C  I S eVBE / VT  eVBC / VT   forzadaI B
R
IS IS A-7
IB  eVBE / VT  eVBC / VT
F R

Igualando en las dos anteriores y simplificando IS,

 1 1  1 VBC / VT
 forzada eVBE / VT  eVBC / VT   eVBE / VT  e A-8
 F R   R

Reacomodando,

  forzada  VBC / VT   R  1  forzada 

eVBE / VT 1  e   
  F   R  R 

Aplicando logaritmo natural a ambos miembros

VBE   forzada  VBC    1  forzada 

 ln 1     ln  R  
VT   F  VT  R  R 

Como VCE = VBE – VBC, tenemos

    1  forzada    
VCEsat  VBE  VBC  VT ln  R    ln 1  forzada 
   R R    F 
Luego queda,
 forzada  1
1
R
VCEsat  VT ln
 forzada A-9
1
F

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VCCVCC_CIRCLE

RC forzadaIB
 Figura A-3 Circuito en el que el
RB VBC transistor se puede operar en el
+ modo normal de saturación.
+
VCEsat
+
IB VBE



La tabla A-1 ilustra la ecuación A-9 para un caso típico. La Figura A-4 muestra un bosquejo
de la ecuación A-9. Como iC = forzadaIB e IB es constante, forzada es proporcional a iC, y la curva de
la Figura A-4 es simplemente la curva característica de salida para IB constante como parámetro. De
la tabla A-1 y la Figura A-4 vemos que el valor infinito de VCEsat obtenido con forzada =  F es una
indicación de que el transistor está en la frontera entre el modo de saturación y el activo. En la
Figura A-4 se ilustra más aún esto al mostrar la independencia de vCE con forzada en la región activa
normal. A medida que forzada se reduce, el transistor se mueve más hacia saturación, VBC aumenta y
VCEsat se reduce.
Finalmente, para forzada = 0, que corresponde a que el colector se encuentre en circuito abierto para
obtener un pequeño valor de VCEsat. Este último voltaje representa el voltaje de desnivel exhibido por
el transistor cuando se opera como interruptor. La A-9 subestima un poco el valor de VCEsat porque
no toma en cuenta las caídas de voltaje en el silicio de conexión de las regiones del emisor y
colector.

Tabla A-1 Voltaje de saturación para el caso  F = 100  R = 0,2

forzada 100 90 75 50 48 45 40 30 20 10 1 0

VCEsat (mV)  211 183 156 154 151 146 135 122 103 60 45

VCEsat

Figura A-4 Variación de VCesat con

forzada. La línea vertical obtenida
para forzada = F indica que el
transistor ha dejado el modo de
saturación y ha entrado en el modo
normal activo.
VCEapagado
forzada
0 F

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Modo Inverso

En la Figura A-5 se muestra un sencillo circuito en que el transistor se utiliza con su colector
y emisor intercambiados. Nótese que las corrientes indicadas, es decir, IB, I2 e I1, tienen valores
positivos. Entonces, como iC = I2 e iE = I1, tanto iC como iE serán negativas.
Como los papeles de emisor y colector están intercambiados, el transistor del circuito de la
Figura A-5 funcionará en el modo activo, inverso en este caso, cuando la juntura emisor base está
polarizada inversamente. En tal caso,
I1 =  R IB

Como R suele ser muy baja, normalmente tiene poco sentido operar el BJT en el modo inverso
activo; pero una aplicación de este modo de operación surge en la compuerta TTL (Transistor
Transistor Logic).
El transistor de la Figura A-5 se satura (esto es, opera en el modo inverso saturado) cuando la
juntura emisor base se polariza directamente (además de la juntura colector base). En este caso,

I1/ IB < R

Podemos usar las ecuaciones A-4 de Ebers-Moll para hallar una expresión para VECsat en este caso.
Esta expresión se puede obtener directamente de la ecuación A-9 como sigue: se sustituye forzada
por I2/ IB y luego se sustituye I2 por I1 + IB . El resultado es

1  I  1 
1   1  
 F  I B   F 
VECsat  VT ln (A-10)
 I  1 
1   1  
 I B   R 
De esta expresión se puede ver que el mínimo de VECsat se obtiene cuando I1 = 0. Este mínimo es
muy cercano a cero. Además, observamos que la condición I1/ IB < R tiene que satisfacerse para
que el denominador permanezca positivo. Ésta, por supuesto, es la condición para que el transistor
opere en el modo inverso saturado. Finalmente, vemos que como R suele ser muy baja, I1 tiene que
ser mucho menor que IB, con el resultado de que VECsat será muy pequeño. De hecho, ésta es la razón
usual para operar el BJT en el modo de saturación inverso. La desventaja del modo de saturación
inverso de operación es un tiempo de desactivación relativamente largo.
VCC_CIRCLE
VCC

RC I1
Figura A-5 Circuito donde el
transistor se usa en el modo inverso.
RB
VCC_CIRCLE
VI
IB I2

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Modelo alternativo para el de Ebers-Moll: modelo de Gummel-Poon en PSPICE

En la Figura A-6 se ilustra una forma alternativa, un poco más sencilla, del modelo de Ebers-Moll.
Ahí los diodos DBE y DBC tienen corrientes de saturación (IS/ F) y (IS/ R), respectivamente. Por lo
tanto, la corriente de base IB se puede escribir como

IS IS
iB  e vBE / VT  e vCB / VT (A-11)
F R
que es idéntica a la correspondiente en la ecuación A-4. La fuente de corriente controlada iT esta
definida por
 
iT  I S evBE / VT  1  I S evCB / VT  1   (A-12)

Observamos que iT representa la componente de corriente de iC e iE que aparece como resultado de

difusión de portadores minoritarios que atraviesan la base, o transporte de portadores que
atraviesan la base, lo que da a este modelo el nombre de modelo de transporte. Se puede encontrar
fácilmente que

iC  iT 
IS
R
e vBC / VT
1  iE  iT 
IS
F
e vBE / VT

1

dan una expresión idéntica a las correspondientes en la ecuación A-3. Entonces, el modelo de
transporte es exactamente equivalente al modelo de Ebers-Moll. Tiene la ventaja de identificar
explícitamente a iT y de usar un elemento menos de circuito, así como un parámetro menos que el
modelo de Ebers-Moll.
.
iC C

DBC
iB (IS/ R) Figura A-6 Modelo de transporte
del BJT npn. Este modelo es
exactamente equivalente al modelo
.
iT
de EM de la Figura A-2. Notese que
DBE
B las corrientes de saturación de los
(IS/ F) diodos estan paréntesis e IT esta
definida por la ecuación A-12.

iE
.
E

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