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Configuración Darlington

1. Introducción
2. Informe previo
3. Bibliografía

OBJETIVOS:
 Determinar las características de operación de un amplificador de corriente
transitorizado

Introducción
Transistor Darlington
Estructura interna, configuración de patillas, ganancia de corriente
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente.
Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= β x IB (Corriente de colector es igual a beta por la
corriente de base).
Entonces analizando el gráfico:

Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1)) se obtiene la ecuación final de
ganancia del transistor Darlington.

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor
corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (la ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (β = 100) conectados como un transistor Darlington y se
utilizara la fórmula anterior, la ganancia sería, en teoría: β2 x β1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una
ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy
pequeñas.
Muy importante:
La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la

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suma de las caídas de tensión de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor
del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

Informe previo
1. Mencione aplicaciones de la Configuración Darlington y algunos códigos de su versión de
Circuito Integrado.
 En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase consta de
dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las señales TTL
que les llegan, y otros elementos más.
 Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear un dispositivo que sea
capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington
 Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente continua.
 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las máquinas de pinball electromecánico. Una señal de la lógica de unos pocos
miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington, fácilmente cambia
un amperio o más a 50 V en una escala de tiempo medido en milisegundos, según sea necesario
para el accionamiento de un solenoide o una lámpara de tungsteno
 En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeñas.
Algunos códigos de circuitos integrados con configuración Darlington son: NTE2077,
NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.
El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220 como el de la figura.

La ganancia de corriente según las especificaciones del fabricante es de 1000, y la máxima corriente que
puede circular por el colector es de 5 A.
Además de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva un diodo adicional y un
par de resistencias con fines de protección.

SEMICONDUCTOR AVAILABILITY, DATA & STOCK

Part Number Description Manufacturer


Hitachi
2SD2213 Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Semiconductor

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Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic


2SD2220
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2222
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2242
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2242A
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2250
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2254
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2273
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2275
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2276
Darlington (Matsushita)
Panasonic
2SD2416 Silicon NPN epitaxial planer type darlington
(Matsushita)

Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic


2SD2420
Darlington (Matsushita)

Hitachi
2SD2423 Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Semiconductor

2. En el circuito de la fig. 2.1 calcular los puntos de reposo.

β1 = 100

β 2 = 100

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Análisis en CC
Se tiene el siguiente circuito equivalente:

De la figura anterior se tiene lo siguiente

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3. Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de entrada, impedancia de


salida.
Análisis en ca
Se tiene el siguiente circuito equivalente

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De la figura anterior se tiene lo siguiente

Hallando re1 y re2

Encontrando la relación i3 α ib1

i3 .R3 = ib1 .re1 .β1 +ib 2 .re 2 .β2


i3 .R3 = ib1 .β2.re 2 .β1 +ib 2 .re 2 .β2
i3 .R3 = 2.ib1 .β2.β1.re 2
2.ib1 .β2.β1.re 2
⇒i3 =
R3

hallando Ii = if

i f = i 3 + ib 1
2.ib1 .β 2.β 1.re 2
if = + ib 1
R3
 2.i .β 2.β 1.re 2 
i f = ib 1  b 1 + 1
 R3 
 2.r 1 
⇒ i f = ib1 .β 1.β 2. e 2 + 
 R3 β 1.β 2 

hay que tomar en cuenta que:

2.ib1 .β 2.β1.re 2
i3 + i c 2 = + β 2.ib 2
R3
2.i .β 2.β1.re 2
i3 + i c 2 = b1 + β 2.β1.i b1
R3
 2.r 
⇒ i 3 + i c 2 = β 2.β1.ib1 . e 2 + 1
 R3 

El voltaje de entrada Vg es:

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V g = i f .R f + ib1 .re1 .β1 + i b 2 .re 2 .β 2 + (i3 + i c 2 ).( R 2 || R1 || R E || R L )


V g = i f .R f + ib1 .re 2 .β 2.β1 + i b1 β1.re 2 .β 2 + (i3 + i c 2 ).( R 2 || R1 || R E || R L )
  2.r 1    2.r 
V g =  ib1 .β1.β 2. e 2 +  .R f + 2.ib1 .re 2 .β1.β 2 +  β 2.β1.i b1 . e 2 + 1 .( R 2 || R1 || R E || R L )
  R3 β1.β 2     R3 
 2.r 1   2.r  
⇒V g = ib1. β1.β 2. e 2 + .R f + 2.re 2 +  e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L ) 
 R3 β1.β 2   R3  

Hallando la impedancia de entrada Zi

 2.r 1   2.r  
i b1. β1.β 2. e 2 + .R f + 2.re 2 +  e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L ) 
Vg  R3 β1.β 2   R3  
Zi = =
if  2.r 1 
ib1 .β1.β 2. e 2 + 
 R3 β1.β 2 
 2.re 2 1   2.r  
 + .R f + 2.re 2 +  e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L ) 
 R3 β1 . β 2   R3  
Zi =
 2.re 2 1 
 + 
 R3 β1.β 2 
 2.r 
2.re 2 +  e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 
Zi = R f +
 2.re 2 1 
 + 
 R3 β1.β 2 
 1 1 
1 +  + .( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 2.re 2 
⇒ Zi = R f + = 7.26 MΩ
 1 1 
 + 
 R3 2.re 2 .β1.β 2 

Hallando io

(i3 + ic 2 ).( R 2 || R1 || R E )
i0 =
R1 + R 2 + R E + R L
(i3 + ic 2 ).( R 2 || R1 || R E ).R L (i3 + ic 2 ).( R 2 || R1 || R E || R L )
i0 = =
R L .( R1 + R 2 + R E + R L ) R L .( R1 + R 2 + R E )
 2.r 
β 2.β 1.ib1 . e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
⇒ i0 =  R3 
R L .( R1 + R 2 + R E )

El voltaje de salida es:

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V 0 = i 0 .R L
 2.r 
β 2.β1.ib1 . e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
V0 =  R3  .R L
R L .( R1 + R 2 + R E )
 2.r 
β 2.β1.ib1 . e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
V0 =  R3 
R1 + R 2 + R E

Hallando la ganancia de voltaje Av

 2.r 
β 2.β1.ib1 . e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 
V0 R1 + R 2 + R E
AV = =
Vg  2.r 1   2.r  
i b1. β1.β 2. e 2 + .R f + 2.re 2 +  e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L ) 
 R3 β1.β 2   R3  
 1 1 
 + .( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 2.re 2 
R1 + R 2 + R E
AV =
 1 1   1 1 
 + .R f + 1 +  + .( R 2 || R1 || R E || R L )
 R 3 2 .re 2 . β 1 . β 2   R 3 2 .re 2 
1
⇒ AV = = 0.99
  1 1  
  + .R f + 1 
  R3 2.re 2 .β1.β 2 
( R1 + R 2 + R E ). + 1
 1 1  
  + .( R 2 || R1 || R E || R L ) 
  R3 2.re 2  

Hallando la ganancia de corriente Ai

 2.r 
β 2.β1.ib1 . e 2 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 
i R L .( R1 + R 2 + R E )
Ai = 0 =
if  2.r 1 
ib1 .β1.β 2. e 2 + 
 R3 β1.β 2 
 2.re 2 
 + 1.( R 2 || R1 || R E || R L )
 R3 
⇒ Ai = = 598 .7
 2.re 2 1 
R L .( R1 + R 2 + R E ). + 
 R3 β1.β 2 

Hallando la impedancia de salida Zo


Volvemos a graficar el circuito colocado una fuente Vo en la salida, haciendo corto en Vg y retirando la
resistencia de carga RL:

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De la figura anterior se tiene las siguientes ecuaciones:

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4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3, C2, en el circuito de la fig. 3.1
La presencia de resistencias y de condensadores es para poder polarizar los transistores y de esta manera
poder trabajar en pequeñas señales para hacer el amplificador.

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La función del condensador es de retroalimentar al amplificador Darlington además el objetivo de


implementar en el circuito Darlington el R1, R2, R3 es para aumentar la impedancia de entrada y obtener
mayor ganancia de corriente. A pesar que la ganancia de voltaje tiende a disminuir.

Bibliografía
Teoría de Circuitos. R. Boylestad
http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/darlington.htm
http://roble.cnice.mecd.es/~jsaa0039/cucabot/darlington-intro.html
http://www.dialelec.com/112.html
http://www.pwrx.com/pages/poductos/diamond.html

Autor:
Rosmil Henry Díaz Zedano
henrydz_b@hotmail.com

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