Sei sulla pagina 1di 11

1

FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SOROCABA


TUTORIAL ORCAD CAPTURE CIS DEMO – PSPICE
APLICAÇÃO: POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES
Alunas: Jéssica Cristiane Magalhães Ierich SD091222
Vanessa Mieto Soares SD091239

1. Introdução
O transistor bipolar de junção é um dispositivo de três terminais
ligados a uma região interna formada por um cristal de material
semicondutor extrínseco, dividido em três partes, com características
construtivas e elétricas distintas, sendo duas de mesma polaridade P ou
N e a outra de polaridade contrária, isto é, o transistor bipolar pode ser
do tipo PNP ou NPN. Os terminais de um transistor bipolar são
denominados: emissor, base e coletor.

Figura 1 – Terminais do transistor e convenção utilizada para


tensões e correntes no transistor NPN e PNP [1].
Do emissor são emitidos os portadores de corrente, elétrons ou
lacunas, dependendo da polaridade do transistor, com o sentido de
atingirem o coletor onde serão coletados, passando através da região
de base, que tem a função de controlar o fluxo. O transistor tem
basicamente a função de controlar uma corrente de maior intensidade
entre emissor e coletor através da injeção de uma corrente de menor
intensidade na base.
Num circuito, o transistor pode funcionar como chave, como em
circuitos digitais, por exemplo, ou como amplificadores de tensão,
corrente ou potência. Tal dispositivo possui três regiões de operação
distintas:
2

• Região de corte: o transistor funciona de forma análoga a uma


chave aberta. Essa região de operação possui duas junções
polarizadas reversamente (polarização entre base e emissor e
entre base e coletor é reversa) e todas as correntes são nulas.
• Região de saturação: o transistor funciona de forma análoga a
uma chave fechada. Essa região de operação caracteriza-se
por duas junções polarizadas diretamente (polarização entre
base e emissor e entre base e coletor é direta). A tensão entre
coletor e emissor assume valor zero, V  0 (V  0,2V).

• Região Ativa: o transistor funciona como um amplificador. Essa


região caracteriza-se pelo chamado “efeito transistor”, que é o
efeito de transferência da corrente entre as duas malhas, base
emissor e base coletor. Apenas nessa região de operação a
equação
 · é válida.
Através de polarização do transistor podemos definir o modo de
operação. Polarizar um transistor significa fixar tensões e correntes
adequadas, dentro dos limites de operação desejados [1].
Para a análise das correntes do transistor, é necessário considerar
as seguintes relações entre as mesmas:
  
 - corrente de emissor.

  · 
- corrente de coletor.

 · - corrente de base.
Nas equações, α e β são fatores denominados de ganho de
corrente. Em especial o parâmetro β, presente na relação entre as
correntes
e é especificado, em dispositivos na prática, variando
tipicamente de 50 até 400, concentrando-se no meio da faixa. Para um
β de 200, a corrente de coletor é 200 vezes maior que a corrente de
base. O valor de β é determinado na folha de especificação do
transistor [2].

2. Familiarizando-se com as regiões de operação.

Considere o circuito mostrado na figura 2.


3

Figura 2 – Circuito com o transistor Q2N3904.

Calcular R  para I  15mA. Verificar se I  15mA é possível na


região ativa ou na região de saturação do transistor.
Conforme o observado na introdução, na região de saturação, a
tensão entre coletor e emissor é aproximadamente zero (V  0,2V).
Calculando a V do circuito acima, temos que:
A queda de tensão no R  é:
V  R  · I
V  780 · 15  10  11,7 V
Aplicando a Lei de Kirchhoff para tensões, observa-se que:
V ! V ! V  0
V  V ! V
V  15 ! 11,7  3,3 V
Assim, V # V $%&'%ÇÃ* , o transistor está operando na região

ativa, sendo válida a equação I  β · I (considere β=100).


I 15  10
I    150µA
β 100
Portanto, R  é dado por:
6 ! 0,7
R   35,3KΩ
150  10.
4

Para simular o circuito da figura 2 é necessário, conforme o


observado, fazer uma pequena adaptação para o correto
funcionamento da fonte V , ou seja, é necessário colocar uma fonte
do tipo VSRC DC=15, ligado ao terra (0/SOURCE) e a um Power
(VCC/CAPSYM), o qual chamaremos de +15. Este PWR é encontrado no

ícone da barra de ferramentas do OrCAD. No circuito, ligado ao R  ,


é necessário colocar outro PWR, também chamado de +15, para que o
software “entenda” que a fonte VSRC DC=15 está ligada ao circuito.
Após a construção do circuito no OrCAD, simular utilizando R   35,3k.
Na janela “Simulate Settings”, não é necessário alterar nenhum
parâmetro para simulação.

3. Minimização das Variações em β

Após a simulação do circuito proposto no item anterior,


verificamos que a corrente I sofreu uma alteração no seu valor. O
proposto teoricamente foi I  15mA, entretanto, o valor obtido após a
simulação no software foi I  18,97mA (ver figura 3).

Figura 3 - Valores obtidos após a simulação no ORCAD do circuito


proposto.
5

Observa-se que a variação em I é devida a variação do valor


de β do transistor. Calculando o β utilizado pelo software, tem-se que:
I  β · I
I
β
I
Pelo software:
I  18,97 mA.
I  148,7µA.
18,97  10
β  128
148,7  10.
Ao supormos que o β do transistor utilizado seja dado por 130 4
β 4 500, para minimizarmos as possíveis variações no valor da corrente
I com a variação desse parâmetro, é necessário utilizar um resistor em
série com o emissor do transistor, o R  . Este resistor deve ter um valor de
resistência baixo, como por exemplo, 160 Ω (figura 4).

Figura 4 - Circuito com Re (minimização de beta).

Pela análise da malha de base temos:

V  R  · I ! 0,7 ! R  5β  16 · I I  5β  16. I


6

V ! 0,7 ! 8R   5β  16R  9 · I  0

V ! 0,7
I 
R   5β  16R 

Considerando I  β · I , tem-se que:


β · 5V ! 0,76
I 
R   5β  16R 

Se R  : 5β  16R  , nesta condição, R  será desprezível. Como


critério prático, para um número ser muito menor que outro este deve
ser equivalente a 1/10 do outro maior. Assim é possível encontrar um
valor para R  :

β;<= · R  130 · 160


R    2080Ω
10 10

Assim, com o valor de R  desprezível, podemos considerar que a


corrente do coletor será dada pela seguinte equação:

V ! 0,7
I 
R

Como o valor de I foi fixado pelo exercício como 15 mA, o I é


dado por:

I 15  10
I    47,6µA
β;é?@A 315

Construindo e simulando o circuito da figura 4 no ORCAD, são


observados os seguintes valores mostrados na figura 5. Como é possível
notar, a corrente do coletor, fixada teoricamente como 15 mA, assume
um valor bem próximo, dado em 15,64 mA, mostrando que a variação
de β no circuito foi minimizada através da utilização de um resistor em
série com o coletor do transistor, resultando assim numa menor variação
do valor da corrente do coletor.
7

Figura 5 - Simulação utilizando o resistor Re

Agora, observe o seguinte circuito (figura 6):

Figura 6 - Determinando os valore de R1 e R2

No circuito acima, calcular os valores de R1 e R2 para fixar a


corrente do coletor I  12mA. Observe que o transistor utilizado no
circuito é o Q2N2222, o valor do parâmetro β para este transistor está na
8

faixa de 100 4 β 4 300, também observe que o circuito possui um resistor


R  , com um valor baixo de resistência, 100Ω, para garantir a
minimização da variação de I com a variação de β. Teoricamente,
para o cálculo de R1 e R2, utilizaremos o método de Thévenin. O circuito
será dividido na região onde estão os dois círculos, marcados na figura
6. Trabalharemos primeiro com a malha dos resistores R1 e R2,
considerando a alimentação de 12 V. Ao observarmos o circuito
aplicando Thévenin, verificaremos que:

Sobre a corrente I, presente na malha R1 e R2.

V
I
RB  R C

A Tensão de Thévenin é dada por:

V · RB
V&D  RB · I 
RB  R C

Após a simplificação do circuito, temos:

Ic

Ib

0,7V
Ie

Figura 7 - Circuito Simplificado.


9

Pelo critério prático utilizado no circuito anterior sobre


minimização de β, podemos calcular R &D da mesma forma que foi
calculado R  :

β;<= · R  100 · 100


R &D    1000 Ω
10 10

O valor de I é dado por:

I 12  10
I    60µA
β;é?@A 200

Analisando a malha de base, é possível encontrar o valor de V&D .

V&D ! I · R &D ! 0,7 ! I · R   0

Considerando I  5β  16 · I , calcula-se que: V&D  1,97 V.

Assim, pela equação encontrada para V&D , observamos que, se


multiplicarmos ambos os lados da equação por R2, têm-se:

V · RB V · RB
V&D  E R C · V&D  ·R
RB  R C RB  R C C

R C · V&D  V · R &D

V · R &D 12 · 1000


RC    6,09 KΩ
V&D 1,97

Com o valor de R2 é possível calcular R1 trabalhando com a


equação de R &D :

RB · R C
R &D 
RB  R C

R &D · 5RB  R C 6  RB · R C

R &D · RB  R &D · R C  RB · R C

R &D · R C  RB · R C ! R &D · RB

R &D · R C  RB 5R C ! R &D 6
10

R &D · R C 1000 · 6,09  10


RB  E RB   1,2 KΩ
R C ! R &D 6,09  10 ! 1000

Com os valores encontrados para RB e R C , simular o circuito da


figura 6, e verificar se a corrente do coletor foi fixada em 12 mA, como
foi pedido. Para simulação não há a necessidade de alteração de
nenhum parâmetro.

Após a simulação, obtiveram-se os seguintes valores:

Figura 8 - Simulação do circuito proposto.

Observou-se após a simulação com os valores calculados para RB


e R C que o valor dado para a corrente do coletor pelo software ficou
bem próximo do valor desejado. Isso se deve a minimização da
variação de I com a variação do parâmetro β, como no circuito
anterior a este. Assim, calculando os valores de RB e R C e utilizando o
resistor Re para minimização das variações em β, foi possível fixar o valor
de Ic em 12 mA, conforme requisitado.

4. Conclusão

O transistor, como já foi apresentado pode ser utilizado de


maneiras diversas, e estas devem ser utilizadas de forma que não
11

ocorram perdas no sistema e nem posteriores complicações no sistema


em funcionamento. O ORCAD é um programa que pode auxiliar na
simulação de circuitos que serão colocados em funcionamento, para
que este não apresente disfunções posteriores.

Quando um circuito não apresenta valor fixo na corrente do


coletor é necessário fazer a minimização da variação do parâmetro β,
assim a corrente é fixada através da utilização do resistor Re com
resistência baixa. Constatações, assim, são facilitadas ao simular o
circuito no ORCAD, este demonstrou que trabalhar com um resistor de
valor pequeno, o Re, em série com o emissor do transistor, facilita na
fixação de um valor para a corrente de coletor.

Em síntese, no estudo sugerido por esta apostila, foi possível


relacionar o teórico com o prático, visualizando situações envolvendo
transistores, entendendo melhor as relações entre correntes, tensões e
demais parâmetros do componente, trabalhando com variações destes
parâmetros e tentando fixar valores específicos dentro de determinados
circuitos transistorizados.

5. Referências

[1] GARCIA, Gilvan. Apostila Elementos de Eletrônica. p.37-p.42. 2009.

[2]BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de


Circuitos. 6 ed. Rio de Janeiro: LTC, 1998. p.80-p.88.