Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
COMPROBACION
4 DE SEMICONDUCTORES
Figura 1 - Circuito del multímetro como óhmetro.
Figura 2 - Prueba del diodo en sentido directo.
Figura 3 - Prueba del diodo en inversa.
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En el capítulo anterior explicamos los métodos básicos para la medición
de componentes pasivos, dejando para ésta oportunidad el detalle sobre las
pruebas de componentes activos tales como diodos, transistores bi-
polares, transistores unijuntura, transistores de efecto de campo, ti-
ristores triacs, circuitos integrados, etc.. En este caso indicaremos
como se mide el componente fuera del circuito, y como se debería
comportar cuando está debidamente polarizado. Como hicimos
oportunamente, primero haremos una explicación general para lue-
go completar el detalle en forma ordenada a título de guía.
Prueba de diodos
Debemos recordar que los diodos son componentes que condu-
cen la corriente en un solo sentido, teniendo en cuenta ésto, se pueden pro-
bar con un multímetro en la posición "óhmetro" ya que para hacer la prueba
de resistores, por él circula una pequeña corriente que suministra el
propio instrumento. En otras palabras, el multímetro como óhmetro no
es más que un microamperímetro en serie con una batería y una resis-
tencia limitadora tal como se muestra en la figura 1.
Cuando el terminal positivo de la batería del multímetro se conecta
en serie con el ánodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del ins-
trumento se conecta al cátodo, la indicación debe mostrar una baja re-
sistencia , mayor deflexión se conseguirá cuanto más grande sea el ran-
go, según se indica en la figura 2.
Al invertir los cables del óhmetro el diodo quedará polarizado en in-
versa por lo cual el instrumento acusará alta resistencia. En teoría la re-
sistencia inversa debería ser infinita, con lo cual la aguja del multímetro
no se debería mover, como lo sugiere la figura 3, pero en algunos diodos, es-
pecialmente los de germanio, cuando se los mide en rangos superiores
a R x 100 en sentido inverso, provocan una deflexión notable llegando
hasta un tercio de la escala, lo cual podría desorientar a los principian-
tes creyendo que el diodo está defectuoso cuando en realidad está en
buenas condiciones. Por lo tanto, para evitar confusiones la prueba de
diodos debe realizarse en el rango más bajo del óhmetro tal que al estar
polarizado en directa la aguja deflexione indicando baja resistencia y
cuando se lo polariza en inversa la aguja del instrumento casi no se
mueva, lo que indicará resistencia muy elevada. Si se dan estas dos con-
diciones, entonces,el diodo está en buen estado y se lo puede emplear
en circuitos.
Si al realizar ambas mediciones, el instrumento acusa muy baja resis-
tencia, significa que el diodo está en cortocircuito, en cambio si ambas lectu-
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Figura 4 - En los multímetros analógicos el borne positivo
corresponde al negativo de la batería.
Figura 5 - Prueba de un diodo zener.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
ras indican muy alta resistencia, es indicio de que el diodo está
abierto. En ambos casos se debe desechar el componente.
Note que con el multímetro puede encontrar el ánodo y el cáto-
do del elemento si es que no lo conoce, ya que en la indicación de
baja resistencia el terminal conectado al polo positivo de la batería
interna del multímetro corresponderá al ánodo y el otro terminal se-
rá entonces, el cátodo.La prueba es válida para la mayoría de los
multímetros analógicos en los cuales el negativo del "multímetro" co-
rresponde al terminal positivo de la batería interna, cuando el multí-
metro funciona como óhmetro, ésto se ejemplifíca en la figura 4.
El método aplicado es igualmente válido para todos los diodos
sin incluir los rectificadores de alta tensión empleados en televisores
transistorizados, como por ejemplo diodos de potencia para fuentes
de alimentación, diodos de señal, diodos varicap, diodos zener, etc.,
ya sean de germanio o de silicio.
Al hacer la prueba de un diodo zener, es necesario conocer la tensión de
estabilización, para ello se emplea un circuito que requiere de una fuente de
tensión variable cuya tensión sea mayor que la tensión de zener a medir, un
resistor de unos 330Ω ó 470Ω y un par de multímetros empleados como vol-
tímetros tal como se indica en la figura 5.
Para hacer la prueba deben seguirse los siguientes pasos:
1º) Arme el circuito de prueba asegurándose de ajustar la tensión de la
fuente al valor mínimo posible, por debajo de la tensión del zener.
2º) Conecte la fuente.
3º) Aumente la tensión de la fuente mirando simultáneamente los dos vol-
tímetros, se verá que ambas mediciones son iguales, ya que no circula co-
rriente por el zener y por lo tanto, no hay caída de tensión en el resistor de
470Ω, pues no se ha alcanzado la tensión de estabilización.
4º) Lentamente se sigue aumentando la tensión hasta que
aumente la indicación en V1 y permanezca constante la ten-
sión en V2. Cuando esto ocurre V2 está indicando la tensión
zener del diodo.
No se debe aumentar excesivamente la tensión de la fuen-
te, ya que podría sobrepasarse la máxima corriente que sopor-
ta el zener ocasionando la destrucción del mismo.
Prueba de transistores bipolares
En general los transistores están en buen estado o no sir-
ven, es muy raro que presenten condiciones intermitentes de
funcionamiento, salvo que existan falsos contactos en los ter-
minales o alguna anomalía media extraña. Esta razón hace que
la prueba de transistores sea sencilla con un óhmetro.
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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

Para probar un transistor se debe cono-

cer su polaridad, la ubicación de sus termi-
nales y la polaridad del multímetro emplea-
do como óhmetro.
Convengamos de aquí en más que en el
multímetro a usar como ejemplo, el termi-
nal marcado con (+) corresponde al negati-
vo de la batería interna.
Se deben comprobar primero las juntu-
ras base-emisor y base-colector del transis-
tor los cuales se comportarán como diodos,
es decir, cuando se polarizan en directa el
instrumento debe acusar baja resistencia y
en sentido inverso tendrá alta resistencia.
Un transistor NPN, con la punta roja del
óhmetro en el emisor y la punta negra en
la base, debe indicar baja resistencia y con
la punta roja en base y negra en emisor, la
Figura 6 - Prueba de las junturas de un transistor NPN. aguja no deflexionará indicando resistencia
elevada. El multímetro debe ser empleado en la escala más baja de resisten-
cia, tal como se muestra en la figura 6.
Con un sólo multímetro es suficiente, realizando las mediciones alternati-
vamente. La prueba es válida tanto para transistores de silicio como de ger-
manio.
El mismo procedimiento se emplea para los transistores PNP, las indicacio-
nes que deben obtenerse se muestran en la figura 7.
Si la medición de una juntura indica baja resistencia en ambos sentidos,
entonces dicha juntura está en cortocircuito. Si da una lectura de alta resisten-

Figura 7 - Prueba de las junturas de un transistor PNP.

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Figura 8 - Prueba de los terminales colector y emisor
de un transistor NPN.
Figura 9 - Identificación de la base de un transistor.
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cia en las dos direcciones, la juntura estará abierta.
La última prueba consiste en medir la resistencia entre colector y emisor, la
cual debe ser muy alta para cualquier conección de los terminales al multíme-
tro. Lo dicho se grafica en la figura 8.
En muchas ocasiones desconocemos cuales son los terminales de un tran-
sistor.El procedimiento que daremos es válido para cualquier transistor que
funcione correctamente:
Primero identificamos la base, para ello con el multímetro en R x 100 co-
locamos una punta del multímetro en un terminal y con la otra punta toca-
mos alternativamente los otros dos. Hacemos esto con los tres terminales, la
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Figura 10 - Segundo procedimiento para localizar la base
de un transistor.
Figura 11 - Identificación del emisor de un transistor.
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base será aquella en que la aguja haya deflexionado tanto si la restante punta
del multímetro está en un terminal como en el otro.
Para entender mejor el procedimiento, supongamos que el negativo (mar-
cado "+" en el multímetro) es el que usamos para hallar la base y se presen-
tan los casos mostrados en la figura 9.
Como en ningún caso de la figura la aguja deflexiona, invertimos las pun-
tas del instrumento; es decir, buscamos la base usando como punto común al
extremo positivo, tal como se muestra en la figura 10.
Una vez encontrada la base y, como en el ejemplo hizo falta colocar en el-
la la punta positiva para que haya deflexión cuando medimos con los otros
dos terminales, el transistor es NPN. Si se hubiese encontrado la base tenien-
do en ella la punta negativa el transistor sería PNP.
Por medio del multímetro podemos localizar el
emisor y el colector. Si conectamos el multímetro
entre colector y emisor y, por ejemplo, una resis-
tencia entre lo que creemos que es el colector y la
base, entonces el transistor estaría polarizado en
"polarización fija" y habría corriente de colector
que sería acusada por la aguja del multímetro.
Como la resistencia de base debe ser de un va-
lor alto, directamente podríamos utilizar los dedos
de nuestra mano como si fuese la resistencia de
polarización de la base.
Para localizar los terminales, elegimos una pati-
ta del transistor como emisor y la polarizamos co-
mo corresponde. Si ya sabemos que el transistor es
NPN, ponemos la punta negativa (marcada "+" en
el multímetro) en lo que supongo que es el emisor. La punta positiva la co-
nectamos al supuesto colector y con los dedos de la mano polarizamos entre
base y colector. El selector de escala debe estar en R x 100 , tal como se indi-
ca en la figura11.
Hecha la prueba, si la aguja deflexiona lo sufi-
ciente, el elemento elegido como emisor es real-
mente el emisor, en caso contrario será el colector.
Esta prueba es válida tanto para transistores
NPN como PNP, respetando las polaridades.
Proponemos ahora el armado de un sencillo pe-
ro eficaz instrumento teniendo en cuenta lo que
hemos aprendido hasta el momento. En este apara-
to con sólo colocar el componente bajo prueba en
un zócalo y con el movimiento de una llave, sabrá
de inmediato si el elemento está en buen estado o
no.
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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

La teoría de funcionamiento consiste en que el transistor bajo

prueba es parte de un pequeño amplificador que hará circular una
corriente de colector de unos 10mA a 15mA provocando el encendi-
do de un diodo emisor de luz. Con una llave se cambia la polaridad
de la batería para permitir la prueba de transistores NPN y PNP. La
prueba se realiza presionando un pulsador, el circuito se muestra en
la figura 12:
Los puntos B, E y C corresponden a la base (B), el emisor (E) y
el colector (C) del transistor que se desea probar, ya sea de silicio o
de germanio, NPN o PNP. Si el transistor es NPN, debe ubicarse la
llave inversora en posición "NPN", luego se pulsa S2 y debe encen-
derse el LED verde. Luego se pasa la llave S1 a posición "PNP" y se
vuelve a presionar S2 con lo que no se debe encender ningún LED.
Figura 12 - Probador de transistores. Si luego de colocar el transistor en el zócalo (E, B y C respectiva-
mente), colocar la llave inversora en posición NPN y presionar el pulsador no
se enciende el LED puede ocurrir que el transistor esté abierto o que no sea
NPN. Si al pasar la inversora a posición "PNP" y presionar S2 no se enciende
el LED, entonces el transistor no "sirve" pues está abierto, en cambio si se en-
ciende el LED rojo indica que se trata de un transistor PNP.
Si tanto para posición NPN como PNP de la llave inversora se encienden
los LEDs verde y rojo respectivamente, entonces el transistor está en cortocir-
cuito por lo cual no sirve.
Por lo sencillo del circuito puede armarse en una caja pequeña sobre un
circuito impreso o bien en puente de terminales para lo cual damos el esque-
ma de montaje en la figura13.
Existen otros probadores de transistores que se basan en principios de
funcionamiento distintos y dan una seguridad mayor sobre el estado del com-
ponente bajo prueba.
La limitación fundamental de es-
te probador está en la corriente de
fuga o inversa que pueden presen-
tar ciertos transistores (en especial
de RF), lo que hará encender los
dos LEDS aunque el componente
esté en buen estado. En ese caso
uno encenderá más que otro y en
esos casos vale la destreza del téc-
nico para saber reconocer la situa-
ción en que se encuentra.
Este práctico instrumento sirve
también para verificar el estado de
diodos conectando sus patitas a los
terminales "C" (correspondiente a
colector) y "E" (correspondiente a
Figura 13 - Armado del probador en puente de terminales. emisor). Al hacer la prueba, en una

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posición de la llave inversora deberá encender un LED y en la otra posición

no debe encender ninguno. Si en ambas posiciones de S1 encienden los LED
(rojo y verde alternadamente) el diodo está en cortocircuito y si no enciende
ninguno es porque está abierto.
En muchas ocasiones se debe comprobar el componente sin poder sacarlo
del circuito en que se encuentra, en tales casos pueden realizarse algunas me-
diciones con el multímetro que nos permitirán verificar si el componente fun-
ciona o no.
Muchas veces por no tener el circuito o por desconocer la función que
cumple el componente, no se sabe si el mismo está operando en su zona li-
neal, en el corte o en la saturación, pués si se supiera bastaría con medir la
tensión colector-emisor para tener una idea de su estado.
El tabla I resume las tensiones que deberían medirse entre colector y emi-
sor de un transistor de acuerdo con la clase de operación en que se encuen-
tra.
TABLA I

Estado Tensión a medir

Transistor al corte........................mínima = 90% de la tensión de fuente

máxima = tensión de fuente

Transistor en zona lineal.............mínima = 30% de la tensión de fuente

máxima = 70% de la tensión de fuente

Transistor saturado......................mínima = 0,5 volt

máxima = 20% de la tensión de fuente

Por ejemplo, si la tensión de alimentación o fuente de un circuito fuera de

Figura 14 - Cambio de polarización para saber el estado
de un transistor.
15 volt, cuando el transistor ope-
ra en su zona lineal debe tener
entre emisor y colector una ten-
sión comprendida entre 4 y
11volt. Si se midieran 0,8 volt es-
taría saturado y si tuviera 14 volt
estaría al corte.
Si no se midiera tensión algu-
na entre colector y emisor pue-
de ocurrir que el resistor de po-
larización de colector estuviera
cortado o, lo que es más proba-
ble, que el transistor estuviera
en mal estado, por lo cual hay
que reemplazarlo.
La tensión base-emisor debe
estar comprendida entre 0,5 y 0,9 volt para transistores de silicio y entre 0,1 y

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Figura 15 - Cómo llevar al estado de corte a un transistor.
Figura 16 - Prueba del sustrato de un transistor unijuntura.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
0,3 volt para transistores de
germanio.
El método más convincente
para saber si un transistor está
en buen estado o no, es com-
probar si reacciona a cambios
de polarización, cambiando por
ejemplo, el valor de algún re-
sistor. Una forma es disminuir
la resistencia de polarización
de base con lo cual aumentará
la corriente de base, tal como
sugiere la figura 14, también la
corriente de colector y, por en-
de, disminuirá la tensión colector-emisor.
Para disminuir la resistencia de base se coloca en paralelo con la ya exis-
tente otro resistor Rx, cuyo valor conviene que sea igual al primario. En el ca-
so de la figura 14 que estamos analizando, Rx debería ser de 22kΩ aunque su
valor no es crítico.
Otra prueba que se puede realizar es cortocircuitar la juntura base-emisor
con lo cual la indicación del voltímetro que mide la tensión colector-emisor
debe ser cercana a la tensión de fuente ya que con ésto llevamos el transistor
a la condición de "corte", tal como se muestra en la figura 15.
No se recomienda hacer mediciones de transistores de potencia en circui-
tos ya que una mala operación podría provocar una corriente excesiva que
podría destruir al componente. Es aconsejable que cuando quiera comprobar
un transistor de potencia (salida de audio, por
ejemplo) lo retire del equipo en que se encuentra.
Prueba de transistores unijuntura
Con el procedimento que describiremos se pue-
de determinar el estado general de un transistor
unijuntura, tomando como base el tipo más común
que es el 2N2646. Se puede detectar el estado del
sustrato y de la juntura. Para probar el estado del
sustrato se debe hacer lo siguiente:
a) Coloque el multímetro en la escala de resis-
tencia R x 10.
b) Calibre el multímetro como óhmetro.
c) Mida la resistencia entre las bases (B1 y B2)
del transistor unijuntura, tal como se especifica en
la figura 16 .
Si el valor medido está entre 2 kΩ y 10 kΩ, el
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Figura 17 - Medición directa de un transistor unijuntura.
abierto.
tocircuito.
que se comporta como un diodo común, se pueden seguir los mismos pasos
Figura 18 - Medición inversa de un transistor unijuntura.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
transistor unijuntura tiene el sustrato en buenas
condiciones.
Si la resistencia detectada es infinita o muy alta,
el sustrato está abierto.
Para verificar el estado de la juntura del transis-
tor se debe proceder de la siguiente manera:
a) Coloque el multímetro en el rango R x 10 .b)
Calibre el óhmetro.
c) Mida la resistencia en sentido directo entre la
base B1 o la base B2 y el emisor E, según lo mos-
trado en la figura 17.
d) Mida la resistencia en sentido inverso entre la
base B1 o la base B2 y el emisor E, tal como se
muestra en la figura 18.
Si en inversa se mide una resistencia infinita y
en directa una resistencia baja, el transistor está en
buenas condiciones.
Si la resistencia en las 2 mediciones es alta o infinita, el transistor está
Si la resistencia en las 2 mediciones es muy baja, el transistor está en cor-
Como entre el emisor y el sustrato que une las bases existe una juntura
de prueba que los explicados para estos
elementos.
Si se desean identificar los terminales de
un transistor unijuntura, puede proceder de
la manera que se explica a continuación:
a) Coloque la llave selectora del multí-
metro en el rango R x 10 .
b) Calibre el óhmetro.
c) Mida la resistencia entre todos los ter-
minales hasta encontrar dos en que el valor
medido sea el mismo en sentido directo e
inverso. Este par corresponde a las bases
B1 y B2, "aún no identificadas individual-
mente". El tercer terminal es el emisor.
d) Mida la resistencia directa entre el
emisor y los 2 terminales restantes. La resis-
tencia entre la base B1 y el emisor será ma-
yor que la resistencia entre la base B2 y el
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Figura 19 - Localización de los terminales
de un transistor unijuntura.
Figura 20 - Relación intrínseca de un transistor unijuntura.
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emisor, presentando los valores que se in-
dican en la figura 19.
En resúmen podemos afirmar lo si-
guiente:
Si la resistencia en los 2 sentidos está
entre 3 y 10 kΩ, el emisor es el terminal
restante.La resistencia es más baja entre el
emisor y la base B2 y más alta entre el
emisor y la base B1.
Para ampliar sus conocimientos, diga-
mos que la diferencia entre la base B1 y
emisor y la base B2 y emisor se debe a la
llamada "relación intrínseca", que varía en-
tre 0,45 y 0,8; esta relación indica en qué
punto del sustrato está localizada la juntura
de emisor, y, por lo tanto, las resistencias a
ambos lados de éste punto, tal como se vé
en la figura 20.
El punto está ubicado encima del me-
dio, y entonces la resistencia entre el emisor y la base B2 normalmente es
menor que la resistencia entre el emisor y la base B1.
Medición de RCSs y TRIACs
Los rectificadores controlados de silicio (RCS) y Triacs son reles electróni-
cos, es decir, conducen luego de ser excitada la compuerta.
Los RCSs se comportan como diodos ya que conducen la corriente en un
sólo sentido luego de aplicar una tensión positiva en compuerta respecto de
cátodo durante un instante. Mientras circule una corriente entre ánodo y cáto-
do superior a la de mantenimiento, el componente permanecerá activo por
más que haya desaparecido la corriente de disparo. Para que el RCS funcione,
la tensión de ánodo debe ser positiva respecto de la de cátodo.
Los Triacs se pueden considerar como RCSs bidireccionales ya que se
comportan como tiristores que conducen la corriente en ambos sentidos; aho-
ra la excitación de compuerta podrá ser tanto negativa como positiva.
La prueba se limita a la verificación de la juntura compuerta (gate) - termi-
nal principal 1 (MT1). Si el triac estuviera abierto o en corto, eventualmente
podemos tener una idea, situaciones especiales no podrán ser detectadas. Pa-
ra la prueba se deben seguir los siguientes pasos.
a) Coloque la llave selectora del multímetro en el rango: R x 1 o R x 10.
b) Calibre el óhmetro.
c) Mida la resistencia entre los terminales principales en sentido directo y
en sentido inverso (MT1 y MT2), haciendo referencia al circuito de la figura
21.
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Figura 21 - Prueba del estado de triacs.
Figura 22 - Otra prueba para saber el estado de triacs.
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d) Mida la resistencia directa e inversa entre
los terminales de compuerta (G) y principal 1
(MT1), tal como se muestra en la figura 22.
Se deduce lo siguiente:
Si la resistencia entre los terminales princi-
pales en una de las mediciones o en las dos es
baja, el triac está en corto. Si la resistencia en-
tre los terminales principales en las 2 medidas
es alta, el triac, en principio, está bien. Si la re-
sistencia en una de las mediciones entre com-
puerta (G) y MT1 es baja y en la otra es alta, la
compuerta está bien. Si en las 2 mediciones la
resistencia entre G y MT1 es alta o baja, el triac
puede estar abierto o en corto, respectivamen-
te.
Tenga en cuenta que en el mercado hay Tri-
acs de distintas corrientes y potencias por lo
cual aunque lo dicho pareciera indicar lo con-
trario, dos componentes que manejen la misma
capacidad de corriente pueden no resultar equivalentes. Es muy común en-
contrar un resistor de 1 kΩ entre G y MT1 de un TIC 226 con lo cual se es-
tandarizan sus características.
La resistencia directa entre G y MT1 de un TIC 226, en la escala R x 1 de
un instrumento de sensibilidad 50.000Ω/V es del órden de 60 Ω.
Los Triacs se pueden considerar como 2 RCSs en oposición conectados en
paralelo, por lo tanto el comportamiento espe-
rado para la prueba es semejante, debiendo ser
observada una baja resistencia entre G y MT1
con polarización directa.
Como en general las corrientes de disparo
son algo elevadas , variando entre 15mA y va-
rios cientos de mA, en ciertas ocasiones el mul-
tímetro no puede establecer condiciones de
disparo.
Si se desea probar la corriente de disparo o
la sensibilidad de estos componentes fuera del
circuito se necesita, además del medidor, una
fuente de alimentación. La prueba permite de-
terminar la corriente mínima necesaria para el
disparo de un RCS y también la corriente míni-
ma que podemos mantener entre ánodo y cáto-
do del RCS sin que se desconecte y sin excita-
ción en la compuerta luego de disparado. Para
medir la corriente de disparo de un RCS, deben
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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

seguirse los siguientes pasos:

a) Se arma el circuito de la figura 23 y
se conecta el multímetro en la escala de
corriente contínua de 50 mA o más.
b) Debe tenerse en cuenta la polaridad
de las puntas de prueba y el potencióme-
tro de la fuente debe estar en la posición
de mínima tensión.
c) La carga puede ser una lámpara de
12V x 5W.
d) Se gira lentamente el eje del poten-
ciómetro, notando el aumento de la co-
rriente de compuerta del RCS hasta el ins-
tante en que ocurre el disparo del RCS y la
lámpara se enciende. En ese momento, po-
demos leer directamente en el amperímetro
el valor de la corriente buscado. El circuito
empleado para la medición de la corriente
de disparo se muestra en la figura 24.
Se puede usar el mismo procedimiento
Figura 23 - Cómo medir la corriente de disparo
para medir la tensión para la cual se produce el disparo, en esta medición, el
de un RCS.
multímetro debe colocarse en la escala más baja de tensiones tal como se
muestra en la figura 25.
La tensión de disparo para los RCSs del tipo
TIC 106, por ejemplo es típicamente de 0,6 V,
pero puede variar entre 0,4 V y 1 V.
Para darle datos adicionales, digamos que la
corriente medida se denomina IGT (corriente de
disparo) y varía entre 50 y 200µA para los RCSs
del tipo TIC106.
El disparo también ocurrirá cuando la tensión
entre compuerta y cátodo alcance un determina-
do valor llamado VOT.
Expliquemos ahora como se mide la corrinte
de mantenimiento de un RCS.
Para que un RCS o un Triac permanezca acti-
vo, por él debe circular una corriente mínima de-
nominada corriente de mantenimiento. Un valor
menor al de la corriente de mantenimiento, que
circule entre ambos terminales principales del
Triac o a través de ánodo y cátodo de un RCS
hará que el componente vuelva a sus condicio-
Figura 24 - Circuito para la medición de la corriente nes de reposo.
de disparo. La corriente mínima de mantenimiento en RCSs o Triacs de baja potencia
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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

es de apenas algunas centenas de µA aun-

Figura 25 - Verificación de la tensión de disparo
de un RCS.
el RCS no mantiene la corriente entre ánodo y cátodo, si ésto ocurre aumen-
tamos ligeramente su valor girando un poco el potenciómetro P.
Figura 26 - Medición de la corriente de mantenimiento
de RCSs.
que para componentes de mayor tamaño,
puede alcanzar valores del orden de los
100 mA o más. Si se desea saber el valor de
esta corriente de mantenimiento se deben
seguir los siguientes pasos:
a) Se arma el circuito de la figura 26 y
se conecta el multímetro en la escala de co-
rrientes DC 10 mA.
b) Se coloca el potenciómetro de la
fuente en la posición de máxima resisten-
cia, inicialmente, y se pone en marcha el
circuito.
c) Abrimos el botón de disparo y obser-
vamos si ocurre el disparo del RCS, lo cual
es indicado por la subida de la corriente
medida por el multímetro.
d) Se activa el pulsador de disparo y si la corriente cae a cero, es porque
e) Conectamos el pulsador de disparo y verificamos si la corriente se
mantiene, o sea, si el RCS se mantiene co-
nectado. La corriente de mantenimiento se-
rá aquella para la cual se mantiene en el
RCS al soltar el pulsador.
La corriente de mantenimiento se deno-
mina IH (holding current) o corriente de
enganche, y es la corriente mínima que el
RCS puede controlar en funcionamiento
normal. Por debajo de este valor, el RCS no
puede mantenerse disparado. Para los RCSs
del tipo TIC 106, esta corriente varía entre
3 y 10 mA. Un RCS de mayor corriente, co-
mo el TIC 116 o el TIC 126 tienen corrien-
tes de mantenimiento entre 40 y 70 mA.
Para la prueba de tales RCSs, el poten-
ciómetro en serie con el multímetro debe
tener su valor pequeño y ser de alambre.
En muchas ocaciones es necesario conocer
los terminales de un RCS o un Triac, si no
se tiene un manual de componentes apro-
piado, puede averiguarlo procediendo de
la siguiente manera:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en la escala más baja de

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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

resistencias: R x 1 generalmente.
b) Calibre el instrumento.
c) Mida la resistencia entre terminales, tomándolos
de a 2 patitas hasta encontrar un par que tenga baja re-
sistencia (100Ω o menos). El terminal que quedó fuera
de esta medición es el ánodo. Los 2 terminales que
fueron usados en esta medición son el cátodo (K) y la
compuerta (G), sin poder identificarlos hasta el mo-
mento.
d) Coloque la punta de prueba positiva al terminal
identificado como ánodo y la negativa en uno de los
otros dos terminales. Cortocircuite momentáneamente
los terminales que se cree que son compuerta y cáto-
do, tal como se ejemplifica en la figura 27. El instru-
mento debe indicar baja resistencia.
e) Si al deshacer el cortocircuito, la aguja permane-
ce en baja resistencia, o sea, el RCS se mantiene dispa-
rado, entonces el terminal que está libre es la com-
puerta (G).
Figura 27 - Cómo identificar los terminales de un RCS. f) Si al deshacer el cortocircuito, la aguja vuelve a indicar alta resistencia,
entonces el terminal libre es el cátodo. Para asegurarse conéctele la punta de
prueba negativa y rehaga la prueba para comprobar el disparo. Debe ocurrir
lo indicado en el ítem e).
Una vez encontrada la baja resistencia, el terminal sobrante es el ánodo.
Conectamos la punta positiva al ánodo y la negativa al supuesto cátodo. Si
ésto es correcto, el dispositivo se disparará.
Si no se consiguiera el disparo de ningún modo, el RCS puede no tener
características que permitan la prueba, o podría ocurrir que esté defectuoso.
Si bien la disposición de los RCSs más comunes, como los de la serie 106,
es bien conocida, pueden aparecer otros tipos con configuraciones diferentes.
En estos casos, se puede aplicar la prueba de identificación anterior, ya que
son de pequeñas dimensiones y sus corrientes de disparo también son bajas.
Esta prueba no revela la capacidad de corriente del RCS y tampoco su
tensión máxima.
En definitiva, si se hacen las pruebas mencionadas y no se tiene seguridad
sobre el buen funcionamiento del dispositivo, conviene verificar si el mismo
funciona correctamente o no. Podemos probar principalmente los RCSs de la
serie 106 como los MCR 106, C 106, TIC 106 e IR 106 con tensiones máximas
de trabajo entre 20 y 400 V. La prueba determina el estado de las junturas y
también permite verificar las condiciones de disparo. Comencemos por indi-
car los pasos a seguir para la medición de las junturas:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en las escalas más bajas de re-
sistencias: R x 1 generalmente.

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Figura 28 - Verificación del estado de RCSs.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
b) Calibre el óhmetro.
c) Identifique los terminales del óhmetro y haga las siguientes mediciones
de resistencias:
Resistencia directa e inversa entre ánodo (A) y cátodo (K).
Resistencia directa e inversa entre cátodo (K) y compuerta (G).
Resistencia directa e inversa entre ánodo (A) y compuerta (G).
Los pasos mencionados se ilustran en la figura 28.
La resistencia directa entre compuerta y cátodo de-
be presentar bajo valor. Todas las demás resistencias
medidas deben ser altas.Si la resistencia entre ánodo y
cátodo es baja, el RCS está en corto.Si la resistencia en-
tre compuerta y cátodo es alta, el RCS está abierto.
En la escala R x 1 de un multímetro de 50.000 Ω/V
la resistencia directa de la juntura compuerta-cátodo
tiene un valor comprendido entre 10 y 100 Ω; para
multímetros de otras sensibilidades es conveniente que
realice pruebas previas con componentes en buen esta-
do para asegurarse de los resultados obtenidos.
Los valores de resistencia medidos en las junturas
de un RCS dependen tanto de la sensibilidad del instru-
mento como de su tensión de operación. Lo importan-
te a tener en cuenta es que la baja resistencia existe y
debe ser inferior a 1 kΩ para cualquier RCS.
Resta ahora verificar si el dispositivo dispara correc-
tamente o no. Son muchos los procedimientos que
pueden hacerse efectivos para la prueba del disparo de
un tiristor con el empleo de un multímetro, pasemos a
describir uno de ellos:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en el
rango de más baja resistencias: R x 1 generalmente.
b) Calibre el instrumento.
c) Conecte la punta de prueba positiva al ánodo y
la negativa al cátodo del RCS bajo prueba.
d) Lea la resistencia y luego provoque el disparo
cortocircuitando momentáneamente los terminales en-
tre ánodo y compuerta tal como se indica en la figura
29. Anote el valor de la resistencia medida.
Si la resistencia medida, que inicialmente era muy
alta, cae a un valor bajo (entre 40 y 50 Ω) permane-
ciendo así, incluso después de quitado el cortocircuito,
el RCS está en buen estado, o sea, en condiciones nor-
males de disparo. Cortocircuite el ánodo y el cátodo del mismo modo y la re-
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Figura 29 - Forma de probar el disparo de un RCS.
Figura 30 - Prueba del estado de FETs.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
sistencia debe volver al valor inicial. Si la resis-
tencia no cae a cero en el momento en que se
establece el cortocircuito, el RCS no se dispara
y por lo tanto no está en condiciones de uso.
Si la resistencia cae a cero, pero vuelve a in-
finito cuando se quita el cortcircuito, el RCS tie-
ne problemas de disparo.
Para RCSs de mayores corrientes de disparo,
la corriente que es capaz de suministrar el óh-
metro no es suficiente para permitir el disparo.
Para el TIC 106, C 106, MCR 106 esta prueba es
válida en instrumentos comunes. Para RCSs de
mayor potencia, es posible que no se produzca
el disparo y su mantenimiento, e incluso puede
producirse el disparo pero no el mantenimien-
to. Antes de efectuar la prueba debe verificar
en el manual del RCS la corriente mínima de disparo de mantenimiento, y vea
si en la escala usada, su óhmetro puede proveerla.
No siempre los valores de resistencia medidos no corresponden a los valo-
res que realmente el RCS va a presentar en el circuito. Generalmente, hay una
tensión constante a través del RCS de alrededor de 2V. De este modo, divi-
diendo los 2V por la corriente que conduce, podemos calcular su resistencia
usando la ley de Ohm.
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Figura 31 - Identificación de los terminales de un
transistor de efecto de campo.
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Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores
Prueba de transistores de efecto de campo
( FET )
Para probar los transistores de efecto de campo se su-
giere seguir los siguientes pasos:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en la escala
más baja de resistencias: R x 1 generalmente.
b) Calibre el instrumento.
c) Identifique los terminales del FET y haga las siguien-
tes mediciones, tomando como referencia las indicaciones
dadas en la figura 30:
Mida la resistencia directa e inversa entre drenaje (D) y
fuente (S).
Mida la resistencia directa e inversa entre compuerta
(G) y drenaje (D).
Cuando la resistencia directa e inversa entre drenaje y
fuente son del mismo orden ,alrededor de 200 Ω para el
MPF 102 y valores próximos para otros tipos, el canal tiene continuidad.
Cuando la resistencia entre compuerta (G) y drenaje (D) polarizadas direc-
tamente, es del orden de 60 Ω o menos e infinita con polarización inversa, el
FET tiene la juntura G-D en buen estado. Caso contrario el FET está defectuo-
so.
Por ejemplo, si la resistencia entre drenaje y fuente es muy alta o infinita,
el transistor está abierto.Si la resistencia es muy baja o nula entre compuerta y
drenaje (con polarización directa e inversa), el transistor tiene elevadas fugas
o está en cortocircuito.
Con estas pruebas, también se puede determinar si el FET es de canal N o
canal P, para ello tenga en cuenta lo siguiente:
a) Si la resistencia de la juntura compuerta-drenaje es baja con polariza-
ción directa (polo (+) a G y polo (-) al D), el FET es de canal N.
b) Si la resistencia de la juntura compuerta-drenaje es alta con polarización
directa (polo (+) a G y polo (-) a D), el FET es de canal P.
Para identificar los terminales del dispositivo proceda de la siguiente ma-
nera:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en el rango menor de resisten-
cias: R x 1 ó generalmente.
b) Calibre el instrumento.
c) Mida las resistencias en sentido directo e inverso de los terminales. Si se
encuentra un par en el que la resistencia directa e inversa es la misma, el ter-
cer terminal, es decir, el que no se usó en esta prueba, es la compuerta (G).
Los otros 2 terminales corresponden a drenaje (D) y fuente (S). En FETs, co-
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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

mo el MPF 102, estos terminales son intercambiables, ya que se pueden inver-

tir sin inconvenientes en la mayoría de las aplicaciones. Si en un circuito el
funcionamiento no fuese el esperado, basta con efectuar la inversión de los
terminales. Para efectuar las pruebas mencionadas puede referirse a la figura
31.
Como los FETs son sensibles a las descargas estáticas de tensiones eleva-
das que pueden dañarlos, en las pruebas no se los puede tomar con las ma-
nos directamente si trabaja sobre alfombras o usa zapatos de suelas aislantes,
ya que las suelas aislantes acumulan cargas estáticas en el cuerpo de la perso-
na, las cuales pueden dañar el componente.

Prueba de fototransistores
Un fototransistor es un transistor bipolar que normalmente conduce cuan-
do se le hace incidir luz. Para la prueba de las junturas se debe seguir el mis-
mo procedimiento explicado para transistores bipolares. La prueba se especi-
fica en la figura 32.
Por ser un dispositivo activado por luz,debemos saber ahora qué corriente
circula por el transistor en función de la intensidad de la luz que recibe. Esta
prueba no permite obtener resultados concretos pero sí dá una idea de la
sensibilidad del fototransistor. Debe seguir los siguientes pasos:
a) Coloque la llave selectora del multímetro en el mayor rango de resisten-
cias: R x 1 K o R x 10 K.
b) Calibre el óhmetro.

Figura 32 - Prueba de fototransistores.

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 Capítulo 4 - Comprobación de Semiconductores

c) Ponga la punta de prueba (+) al colector y la

(-) al emisor para transistores NPN, y a la inversa
para transistores PNP, tal como se muestra en la fi-
gura 33.
d) Haga incidir luz en la parte sensible del tran-
sistor y luego póngalo en la sombra. Anote las re-
sistencias medidas.
Si al no estar iluminado la resistencia medida es
de 5 a 20 veces mayor que la resistencia en la luz,
el fototransistor se encuentra en buen estado.Si no
hay variación de resistencia tanto en la oscuridad
como en la claridad, el transistor puede estar daña-
do o bien puede estar conectado en forma inco-
rrecta. Para un fototransistor como el BPW42 la va-
riación de resistencia en las condiciones
mencionadas, medida con un multímetro de 50.000
Ω/V en la escala R x 10 k, es de 10 kΩ a 500 kΩ,
la iluminación fué una lámpara de 100 W a 2 m de
distancia. Los valores dependen mucho del instru-
mento y del tipo de fototransistor probado.
Figura 33 - Prueba de un fototransistor.
De esta manera culminamos este capítulo recordándole que los dados son
solo algunos conceptos de los componentes más empleados y que nos servi-
rán como base para la medición de distintas etapas electrónicas.

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