Universidad Autónoma de Ciudad Juárez

Instituto de Ingeniería y Tecnología

Maestría en Ingeniería Eléctrica

Dispositivos Electrónicos Avanzados

MIE 0005-07
Dr. Ambrosio Lázaro Roberto Carlos

Tarea 4: Problemas Unión P-N

Por:

Juan Luis Ibarra Domínguez

107821

Marzo 8, 2011 Cd. Juárez Chih.

 8 de Marzo de 2011 [TAREA 4: PROBLEMAS UNION P-N]

Problema 1: a) Calcular el potencial inter-construido (Vbi), el ancho de la región de

agotamiento y el máximo campo, en una unión abrupta P-N de silicio con
una densidad de dopado de Na=8x1015 átomos/cm3 y Nd=1017 átomos/cm3.
Asume un voltaje inverso de 5V.

Respuesta:

El potencial inter-construido según Sze para semiconductores no degenerados es:

El ancho de la región de agotamiento en equilibrio térmico para un lado de una unión

abrupta es:

Y cuando se aplica un potencial a la unión el potencial electrostático total a través de la

unión es , para voltaje directo es positivo y para voltaje inverso V es negativo.

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El máximo campo existente esta dado por:

b) Repite el inciso a) para una polarización externa de 0V y para un voltaje

aplicado directo de 0.3V respectivamente, compara y comenta ambos
resultados.

Respuesta para 0V:

El máximo campo existente esta dado por:

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Respuesta para 0.3V:

El máximo campo existente esta dado por:

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Comentarios: Entre mayor sea el potencial aplicado (más positivo), más

estrecho se hace la región de agotamiento y por lo tanto W. Tambien el
campo máximo en x=0 se hace más reduce al incrementar el voltaje
aplicado.

Problema 2: Calcular la capacitancia de la unión (bajo polarización cero) para el

ejemplo del problema 1 y también calcular Cj para los valores de 5V de
voltaje inverso y a 0.3V de voltaje directo. Asume un área de la unión de
2x10-5 cm2. Comprar ambos resultados y comenta.

RESPUESTA

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Comentarios: A mayor voltaje aplicado (mas positivo) y reducirse W, se incrementa la

capacitancia de unión, esto es lógico ya que se reduce la distancia entre
los dipolos (placas)

Problema 3: Calcule el voltaje de ruptura para la unión PN del problema 1, si el campo

critico es de Ecrit=4x105 V/cm.

Problema 5: Para una unión abrupta de silicio ideal tipo P-N con Na=1017 cm-3 y ND=1015
cm-3.
A) calcular Vbi a 250, 300, 350, 400, 450 y 500K con tus calculados realiza
una grafica Vbi vs T (MatLab)
B) Comenta tus resultados en términos de diagramas de energía de bandas
C) Encuentra el ancho de la capa de agotamiento y el máximo campo a
voltaje cero para T=300K.

RESPUESTA :
A)

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0.9

0.8

0.7

0.6
Vbi (V)

0.5

0.4

0.3

0.2
250 300 350 400 450 500
Temperatura (k)

B)

C)

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Problema 6: Considera una unión abrupta PN de silicio con un dopado constante (sin
compensar) en cualquier lado de la unión. El diodo esta hecho de
materiales tipo-P que muestra un valor de 2Ω-cm y un material tipo-n con
un valor de 0.5Ω-cm en el cual el tiempo de vida de los portadores
minoritarios son τn=10-6 seg τp=10-8 seg. Respectivamente. Asumir T=300K
A) Calcular las densidades de portadores minoritarios (Jn y Jp) en los
extremos de la región de deserción cuando el voltaje aplicado es 0.6V
(23kT/q)

B) Dibuja las componentes de las densidades de corriente de electrones y

huecos como una función de la distancia en ambos lados de la unión para el
voltaje aplicado en a)

C) calcular la localización del plano (por ejemplo el valor de x) para el cual

las densidades de corriente y huecos son iguales en magnitud, para voltaje
aplicado en a).

RESPUESTA:
De Sze, Semiconductor devices physics and Technology, 2nd Edition, pp. 51-55

P-type: 2Ω-cm para concentración 5e14cm-3 y movilidad 4.9e2 cm2/Vs

N-type: 0.5Ω-cm para concentración 4e15cm-3 y movilidad 1.5e3cm2/Vs

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Problema 7. Determine la concentración de dopado tipo N conociendo las siguientes

especificaciones para una unión P-N.

Dados

RESPUESTA:

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Verificar en Silvaco los resultados, tendrán que construir la unión con las concentraciones
indicadas, aplicarle voltaje y verificar, al ancho W y el campo E.

Problema 9: Una unión P+-N de un solo lado de silicio a 300K esta dopada con
Na=1019cm-3. Diseña la unión de manera que Cj=0.85pF a VR=4V.
Comprueba en Silvaco tus cálculos, de tal forma que construya la unión con
las concentraciones que obtuviste.

Si asumimos un área de 10e-4cm2

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