SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

DISTRIBUCIÓN EN EQUILIBRIO DE HUECOS Y ELECTRONES

- La distribución (con respecto a la energía) de electrones en la

banda de conducción está dada por la densidad de estados
cuánticos permitidos y la probabilidad de que un estado sea
ocupado por un electrón.

n(E)=gc(E)·fF(E)

gc: densidad de estados cuánticos en la banda de conducción

- La distribución (con respecto a la energía) de los huecos en la banda

de valencia está dada por la densidad de estados cuánticos en la
banda de valencia, multiplicada por la probabilidad de que un estado
no esté ocupado por un electrón.

p(E)=gv(E) · [1-fF(E)]

gv: densidad de estados cuánticos en la banda de valencia

Para determinar el equilibrio térmico en la concentración de electrones y

huecos es necesario determinar la posición de la energía de Fermi con
respecto al inferior de la banda de conducción y a la parte superior de la
banda de valencia.

Un semiconductor intrínseco ideal es un semiconductor puro, sin átomos de

impurezas y sin efectos de red en el cristal. Dado que T=0K, todos los
estados de energía de la banda de valencia están llenos con electrones y
todos los estados de energía de la banda de conducción están vacíos de
electrones. La energía de Fermi, entonces, se encuentra entre Ec y Ev. (la
energía de Fermi no es necesariamente una energía permitida)

Conforme la temperatura se incrementa arriba de 0K los electrones ganan

energía térmica. Algunos electrones de la banda de valencia ganarán
suficiente energía como para saltar a la banda de conducción. Al ir saltando
los electrones de la banda de valencia a la banda de conducción, un estado
vacío o hueco se crea en la banda de valencia. Por lo tanto, en un
semiconductor intrínseco, los electrones y los huecos son creados en pares
por la energía térmica, de modo que el número de electrones en la banda
de conducción es igual al número de huecos en la banda de valencia.
Por lo tanto, para obtener igual concentración de electrones y huecos, la
energía de Fermi debe encontrarse en la mitad del espacio entre éstas
(bandgap) cuando las masas efectivas de los electrones y los huecos son
iguales.

Si la masa efectiva de los electrones y los huecos no es exactamente igual,

entonces las funciones de densidad de estados gc(E) y gv(E) no serán
simétricas en la mitad de la banda (bandgap).

El nivel de Fermi para el semiconductor intrínseco cambiará ligeramente del

centro del bandgap de energía para obtener igual concentración de huecos
y electrones.

Figura 1. Semiconductor Intrínseco

La concentración de electrones en equilibrio térmico en la banda de

conducción es:

Nc: densidad efectiva de la función de estados en la banda de conducción.

- Para una temperatura de 300K, si la masa efectiva es igual a la masa

del electrón:

Nc= 2.5x1019cm-3.

** Si la masa efectiva es diferente a la masa del electrón el valor de

Nc cambia. **

La concentración de huecos en equilibrio térmico en la banda de valencia

es:

Nv: densidad efectiva de la función de estados en la banda de valencia.

 - Para una temperatura de 300K, si la masa efectiva es igual a la masa
del electrón:

Nv= 1019cm-3.

** Si la masa efectiva es diferente a la masa del electrón el valor de

Nv cambia. **