Ejercicios resueltos de tecnologı́a electrónica.

Boletı́n 3. Transistor bipolar.

18 de agosto de 2008

All text is available under the terms of the GNU Free Documentation License

Copyright c 2008 Santa (QueGrande.org)

Permission is granted to copy, distribute and/or modify this document under the terms of the GNU Free
Documentation License, Version 1.2 or any later version published by the Free Software Foundation; with
no Invariant Sections, no Front-Cover Texts, and no Back-Cover Texts. A copy of the license is avaliable
at http://www.gnu.org/licenses/fdl.html

8. Si el transistor de silicio de la figura tiene un valor mı́nimo de β = hF E de 30 y si

ICBO = 10nA a 25oC:
a) Hallar Vo para Vi = 12V y demostrar que Q está en saturación.
b) Hallar el valor minimo de R1 para que el transistort del aparatado a) esté en la
región activa.
c) Si R1 = 15kΩ y Vi = 1V , hallar Vo y demostrar que Q está en corte.
d) Hallar la temperatura máxima a la cual el transistor del apartado c) permanece
en corte seguro (VBE e IE nulas)
+12V

RC = 2k2

Vo
R1 = 15kΩ
Vi Q

R2 = 100kΩ

-12V

Solución:

a) Hacemos Thévenin entre B y masa:

QueGrande.org 1 QueGrande.org
 R1 = 15kΩ
B
R2 = 100kΩ
I
Vi

-12V

100 · 15
RT = = 13,04K
100 + 15
Vi − (−12) Vi + 12
I= =
R1 + R2 115
Vi + 12 20Vi − 36
VT = · 100 + (−12) =
115 23
Vi = 12V

VT (Vi = 12V ) = 8,87V

+12V

RC = 2k2
C Vo
RT = 13K04 
Q VBESAT = 0,8V
SAT
B VCESAT = 0,2V
E
VT = 8,87V

Vo = 0,2V

8,87 − 0,8
IB = = 0,62mA
13,04
12 − 0,2
ICSAT = = 5,36mA
2,2
βmin IB = 30 · 0,62 = 18,6mA > 5,36mA = ICSAT ⇒ Q SAT.

b) R1 mı́nima para Q ACT.

QueGrande.org 2 QueGrande.org
 +12V

RC = 2k2
C β = 30
Vo
R1 B

 VBESAT = 0,8V
Vi Q QSAT /ACT. VCESAT = 0,2V
IR! IB 
ICSAT = βIB
R2 E
IR2

-12V

ICSAT 5,36
IB = = = 0,1787 mA
β 30
0,8 − (−12)
IR2 = = 0,128 mA
100
12 − 0,8
R1 = = 36,52 KΩ
0,3067

c) V1 = 1V ; Q CORTE
+12V
IC = 0

RC = 2k2
C Vo = 12V
RT = 13K04
B
IB = 0
E
VT = −0,69V

VBE = −0,69V > Vγ = 0,5V ⇒ Q OFF

d) Vγ = 0 (corte estricto)

+12V

RC = 2k2
C
13,04K ICBO

B
ICBO
E
VT = −0,69V

VBE = ICBO · 13,04 − 0,69 = 0

QueGrande.org 3 QueGrande.org
 ICBO = 0,053 mA

T = 148,7o C

Feb-96. En el circuito de la figura, determinar:

a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la po-
sición 1, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la
posición 2, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posición 1 a la 2 después de permanecer elevado tiempo en la 1.
VCC = +15V

C = 1µF
1 2
RB = 2K Vo

DZ RE = 1K


 VZ = 4,7V
DZ IZ min = 1mA
RZ = 0Ω



 Vγ = 0,5V
VBE = VBE SAT = 0,7V

BJT

 VCESAT = 0V
β = 200


Solución:

a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Rég. permanente)

VCC = +15V

RB = 2K Vo

0,7V DZ RE = 1K

Vo = VCC = 15V

QueGrande.org 4 QueGrande.org
 Suponemos que DZ está en Zéner y el BJT en activa:

VCC = +15V
IRB

RB = 2K Vo
IB

IZ IE
0,7
RE = 1K

15 − 4,7
IRB = = 5,15mA
2
VE = VB − VBE = 4,7 − 0,7 = 4V

4V
IE = = 4mA
1kΩ
VCE = 14 − 4 = 11V

VCE > VCESAT ⇒ No está en saturación.

 
IC
IC ≃ IE IB =
β
IRB >> IB ⇒ IRB ≃ IZ > 1mA ⇒ DZ en Zéner

b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Rég. est. perm.)

VCC = +15V

RB = 2K Vo
IB

0,7 IE
RE = 1K

Suponemos que DZ está en Zéner y el BJT en saturación:

IC = 0; BJT = sat → VCE = VCE SAT = 0V

4,7 − 0,7
IE = IB + IC = IB = = 4mA
1
Vo = VCESAT + VE = 0 + 4 = 4V

QueGrande.org 5 QueGrande.org
 15 − 4,7
IRB = = 5,15mA
2
IZ = IRB − IB = 5,15 − 4 = 1,15mA > IZ min


1ms
c) Vo para t = , si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
10seg.
dv(t)
i(t) = C
dt
1
· i(t) · dt
C
1 t0
Z Z t0
i(t) · dt = dv(t) = V (t0 ) − V (0) = V (t0 )
C 0 0

Suponiendo que el transistor BJT está en activa:

IC = βIB = cte.
t0
1 1 1
Z
V (t0 ) = i · dt = · i · t0 = IC t0
C 0 C C
4 · 10−2 · 10−3
Vo (t = 1ms) = VCC − V (t0 = 1ms) = 15 − = 11V
10−2
4 · 10−2 · 10
Vo (t = 10s) = VCC − V (t0 = 10s) = 15 − < 0 ⇒ BJT sat ⇒
10−6
Vo (t = 10s) = 4V

Sep-93. En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50

y β2 = 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V .
b) Valor mı́nimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funciona-
miento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V

RE = 10KΩ

T2
R1 = 20K
Vi T1
Vo
R2 = 80K RC = 10K


 IC1 = β1 IB1
T1 = VBE1 = 0,7V
IE1 = (1 + β1 )IB1


QueGrande.org 6 QueGrande.org
 
 IC2 = β2 IB2
T2 = −VBE2 = 0,7V
IE2 = (1 + β2 )IB2


Solución:

a) Pto. trabajo / Vi = 10V

Thévenin en la base de T1 :
1600
R1 RT = R1 k R2 = = 16KΩ
100

⇔ R2 80
Vi R2 VT = Vi = 10 · = 8V
R1 + R2 100

VCC = 30V
IE2
10K
IC1 = IB2
T2

16 IC2
T1
IB1 Vo
IE1 + IC2

Ecuación malla base T1

0,8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + β2 )IB1 +
β2 β1 IB1 )RC

((Es un montaje Darlington en el sentido de que β = β1 · β2 ))

Para Vi = 10V :

8 = IB1 · 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) · 10

IB1 = 0,693µA

IC1 = β1 · IB1 = 0,0346mA = IB2

IC2 = β2 · IB2 = 0,693mA

Malla de colector de T2

QueGrande.org 7 QueGrande.org
 VCC = IE2 · RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) · RC

VEC2 = . . . = 15,45V ⇒ Activa.

VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V ⇒ Activa, suposición correcta.

b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto. func.


 IC1 = βIB1
T1 → SAT ⇒ VCE1 = 0,8V
VBE1 = 0,8V


Malla colector T1 :
VCE = (1 + β2 )β1 · IB1 · RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1 )IB1 + β1 β2 IB1 ] · RC

30 = 21 · 50 · IB1 · 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] · 10

IB1 = IB1 SAT = 1,385µA

IC1 SAT = IB1 SAT · β = 0,0692mA

IC2 = βIB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE SAT 1 = 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V

0,8Vi = IB1 · RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2 ) · RC

Vi = 19,22V

QueGrande.org 8 QueGrande.org