Dispense Microstrisce

A09
74
Ernesto Limiti
Elettronica
delle microonde
Adattamento, amplificatori
a piccolo segnale e oscillatori
Copyright © MMVII
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via Raffaele Garofalo, 133 A/B

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ISBN 978-88–548–0853–9
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I edizione: febbraio 2007

Indice
Prefazione 11
Introduzione 15
1 Linee di trasmissione 21
1.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2 Impedenza caratteristica e costante di propagazione . . . . . 25
1.3 Onde progressive e regressive . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.4 Impedenza di ingresso di una linea . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5 Casi notevoli per l’impedenza di ingresso di una linea . . . . . 33
1.6 Coefficiente di riflessione lungo una linea . . . . . . . . . . . 36
1.7 Carta di Smith . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.7.1 Carta di Smith delle impedenze . . . . . . . . . . . . 42
1.7.2 Carta di Smith delle ammettenze . . . . . . . . . . . . 43
1.7.3 Comportamento in frequenza di circuiti semplici . . . 47
1.7.4 Carta di Smith per carichi attivi . . . . . . . . . . . . 51
1.8 Carta di Carter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
1.9 Linee di trasmissione a microstriscia . . . . . . . . . . . . . . 57
1.9.1 Discontinuità a microstriscia . . . . . . . . . . . . . . 64
1.10 Linee di trasmissione coplanari . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
1.11 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2 Reti a due porte lineari, rappresentazioni e proprietà 75

2.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2.2 Rappresentazioni per reti lineari . . . . . . . . . . . . . . . . 76
2.2.1 Trasformazioni tra rappresentazioni . . . . . . . . . . 78
2.2.2 Proprietà delle rappresentazioni . . . . . . . . . . . . 80
5
6 INDICE
2.3 Rappresentazioni di reti autonome . . . . . . . . . . . . . . . 90

2.4 Rappresentazione a parametri di diffusione . . . . . . . . . . 94
2.4.1 Proprietà della rappresentazione di diffusione . . . . . 98
2.4.2 Rappresentazione di diffusione per reti notevoli . . . . 101
2.4.3 Rappresentazione di trasmissione di diffusione . . . . 102
2.4.4 Rappresentazione di diffusione per reti autonome . . . 103
2.4.5 Conversioni tra rappresentazioni a due e tre porte . . . 105
2.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
3 Adattamento di un carico 111

3.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.2 Adattamento ad elementi concentrati . . . . . . . . . . . . . 114
3.2.1 Connessioni di bipoli concentrati . . . . . . . . . . . . 114
3.2.2 Connessioni in serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
3.2.3 Connessioni in parallelo . . . . . . . . . . . . . . . . 118
3.2.4 Sintesi della rete di adattamento a singola cella . . . . 120
3.2.5 Derivazione analitica . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.2.6 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . 142
3.3 Adattamento ad elementi distribuiti . . . . . . . . . . . . . . 145
3.3.1 Connessioni in serie ed in parallelo . . . . . . . . . . . 145
3.3.2 Adattamento con una sola linea . . . . . . . . . . . . 147
3.3.3 Sintesi della rete di adattamento con linea e stub . . . 148
3.3.4 Derivazione analitica con linea e stub . . . . . . . . . 155
3.3.5 Sintesi della rete di adattamento con linea e quarto
d’onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
3.3.6 Derivazione analitica con linea e quarto d’onda . . . . 160
3.3.7 Adattamento a doppio stub . . . . . . . . . . . . . . . 161
3.3.8 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . 166
3.4 Commenti conclusivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
3.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
4 Adattamento a banda larga 177

4.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.2 Limitazioni di Bode-Fano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.3 Adattamento a Q costante concentrato . . . . . . . . . . . . . 181
4.4 Adattamento a Q costante distribuito . . . . . . . . . . . . . 187
4.5 Adattamento a minima variazione di impedenza . . . . . . . 191
INDICE 7
4.6 Adattamento a quattro elementi . . . . . . . . . . . . . . . . 194

4.7 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
5 Dispositivi attivi per alta frequenza 201

5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.2 Dispositivi attivi a microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
5.2.1 MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
5.2.2 HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.2.3 HBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
5.3 Layout dei dispositivi attivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
5.4 Modelli a parametri di scattering . . . . . . . . . . . . . . . . 216
5.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
6 Stabilità e guadagni di una rete a due porte 221

6.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
6.2 Trasferimento di potenza ad un carico . . . . . . . . . . . . . 222
6.3 Stabilità di reti lineari a due porte . . . . . . . . . . . . . . . 229
6.3.1 Cerchi di stabilità dell’ingresso e dell’uscita . . . . . . 230
6.3.2 Condizioni di stabilità . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
6.3.3 Fattore di stabilità per reti passive, reciproche e senza
perdite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
6.3.4 Derivazione alternativa del criterio di stabilità . . . . 237
6.3.5 Criteri di stabilità alternativi . . . . . . . . . . . . . . 240
6.4 Stabilità di modo dispari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
6.5 Il guadagno di una rete a due porte . . . . . . . . . . . . . . 245
6.5.1 Guadagno di inserzione . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
6.5.2 Attenuazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
6.5.3 Guadagno operativo o guadagno in potenza . . . . . . 249
6.5.4 Guadagno disponibile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250
6.5.5 Guadagno di trasduzione . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.5.6 Guadagni unilaterali . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
6.5.7 Adattamento simultaneo coniugato di una rete a due
porte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
6.5.8 Cerchi a guadagno operativo costante . . . . . . . . . 259
6.5.9 Cerchi a guadagno disponibile costante . . . . . . . . 263
6.5.10 Guadagno stabile coniugato . . . . . . . . . . . . . . 266
6.5.11 Massimo guadagno stabile . . . . . . . . . . . . . . . 268
8 INDICE
6.5.12 Cerchi ad adattamento costante . . . . . . . . . . . . 270

6.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
7 Amplificatori lineari, definizioni e caratteristiche 277

7.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
7.2 Classificazione e parametri degli amplificatori . . . . . . . . . 279
7.2.1 Banda passante ed andamento in frequenza . . . . . . 279
7.2.2 Adattamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
7.2.3 Fattore di rumore e minimo segnale rivelabile . . . . . 286
7.3 Effetti delle non linearità . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
7.3.1 Test a singolo tono e compressione del guadagno . . . . 290
7.3.2 Efficienza ed efficienza aggiunta . . . . . . . . . . . . 293
7.3.3 Test a due toni ed intermodulazione . . . . . . . . . . 295
7.3.4 Range dinamico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
7.3.5 Compressione AM/AM e conversione AM/PM . . . . . 300
8 Amplificatori di guadagno 303

8.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
8.2 Amplificatori di guadagno ad anello aperto . . . . . . . . . . 305
8.2.1 Scelta del punto di lavoro . . . . . . . . . . . . . . . . 308
8.2.2 Schemi di polarizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . 310
8.2.3 Reti di stabilizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
8.2.4 Stabilizzazione mediante reazione . . . . . . . . . . . 321
8.2.5 Progetto delle reti di adattamento . . . . . . . . . . . 325
8.2.6 Adattamento per reti condizionatamente stabili . . . . 330
8.2.7 Progetto della rete di adattamento interstadio . . . . . 333
8.3 Amplificatori reazionati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 335
8.4 Amplificatori bilanciati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
8.5 Amplificatori distribuiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
8.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
9 Rumore ed amplificatori a basso rumore 359

9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360
9.1.1 Rumore Termico (Johnson noise) . . . . . . . . . . . . 360
9.1.2 Densità di potenza del rumore termico . . . . . . . . . 362
9.1.3 Rumore Shot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 364
9.1.4 Rumore Flicker e Rumore 1/f . . . . . . . . . . . . . . 364
INDICE 9
9.2 Grandezze caratterizzanti il rumore nei bipoli . . . . . . . . . 365

9.2.1 Resistenza, conduttanza e temperatura equivalente di
rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366
9.2.2 Connessioni di bipoli rumorosi . . . . . . . . . . . . . 368
9.3 Grandezze caratterizzanti il rumore nelle reti multiporta . . . 370
9.3.1 Temperatura equivalente, fattore e cifra di rumore . . . 371
9.3.2 Temperatura equivalente di un attenuatore . . . . . . 373
9.3.3 Temperatura di rumore di sistema . . . . . . . . . . . 374
9.4 Rappresentazioni per reti a due porte rumorose . . . . . . . . 376
9.4.1 Derivazione dei parametri di rumore delle reti lineari
a due porte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
9.4.2 Parametri di rumore delle reti lineari a due porte . . . 383
9.4.3 Cascata di reti due porte rumorose . . . . . . . . . . . 386
9.4.4 Misura di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 387
9.5 Amplificatori a basso rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . 389
9.5.1 Tecnologie per dispositivi attivi a basso rumore . . . . 390
9.5.2 Prestazioni di rumore dei dispositivi attivi . . . . . . . 391
9.5.3 Progettazione di stadi amplificatori a basso rumore . . 398
9.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404
10 Oscillatori a microonde 407

10.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
10.2 Classificazione degli oscillatori . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
10.3 Parametri degli oscillatori a microonde . . . . . . . . . . . . . 410
10.4 Il rumore di fase degli oscillatori . . . . . . . . . . . . . . . . 415
10.5 Risonatori a microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422
10.5.1 Risonatori dielettrici . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
10.5.2 Risonatori a YIG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426
10.5.3 Risonatori a varactor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428
10.6 Condizioni di oscillazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430
10.6.1 Condizioni di oscillazione per la connessione di bipoli . 430
10.6.2 Condizioni di oscillazione per reti multiporta . . . . . 432
10.7 Condizioni di innesco delle oscillazioni . . . . . . . . . . . . . 437
10.7.1 Innesco per la rappresentazione impedenza o
ammettenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
10.7.2 Innesco nella rappresentazione di diffusione . . . . . . 442
10.7.3 Condizioni di innesco su carta di Smith . . . . . . . . 447
10 INDICE
10.7.4 Stabilità delle condizioni di oscillazione . . . . . . . . 449

10.7.5 Stabilità delle oscillazioni in forma grafica . . . . . . 452
10.8 Progettazione di oscillatori a microonde . . . . . . . . . . . . 456
10.8.1 Scelta del dispositivo e topologia della reazione . . . . 458
10.8.2 Selezione della terminazione per la porta di ingresso e
di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462
10.9 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 467
A Equivalente serie e parallelo per ammettenze e

impedenze 471
B Grafi di flusso per l’analisi di circuiti 475
C Temperature di rumore SSB e DSB di un mixer 481
Elenco delle figure 485
Elenco delle tabelle 499

Prefazione
La riforma degli studi universitari, l’introduzione del sistema dei

crediti e la trasformazione in moduli didattici compatti hanno avuto
un profondo impatto sia sulle modalità di insegnamento che su quelle
di apprendimento degli studenti.
La didattica frontale è ora concentrata in cicli intensivi e impone
una cadenza di valutazioni, intervallate a prove in itinere, forse troppo
serrata e che, in ogni caso, non lascia molto spazio all’approfondimento
e alla riflessione, da sempre alla base del processo di apprendimento e
di comprensione profonda per ogni disciplina. Malgrado questo, il siste-
ma attuale consente una più rapida formazione di figure professionali,
una maggiore efficienza del sistema didattico e sicuramente comporta
la necessità di utilizzare al meglio i tempi della didattica, sia frontale
che personale.
I supporti didattici, sia cartacei che di tipo multimediale, devono
cosı̀ rappresentare la risorsa di base per affrontare la sfida dell’appren-
dimento.
Questo testo nasce quindi per sopperire ad una carenza che, negli
anni passati, si è cercato di colmare utilizzando dispense, trasparenze
e materiale didattico di varia natura. Nel suo complesso comunque
tale materiale non può surrogare l’unitarietà di un testo appositamente
pensato per il determinato insegnamento, soprattutto se l’argomento è,
per sua natura, multidisciplinare.
L’elettronica delle microonde è infatti una disciplina relativamente
giovane, troppo spesso pensata come appendice dei corsi di fisica, di
elettromagnetismo o di telecomunicazioni. In realtà molteplici sono le
competenze, nessuna delle quali totalizzante, che concorrono a formare
il necessario substrato sul quale innestare i circuiti ad alta frequenza,
i loro metodi di progetto e i relativi metodi di analisi.
11
12 Prefazione
La riforma universitaria ha, di fatto, fornito l’impulso ad una forma-

zione specialistica più profonda, sin dai corsi di primo livello, creando
cosı̀ la necessità, per i corsi di elettronica delle microonde, di ricreare
al loro interno quelle competenze di base in precedenza diffuse.
Questo testo vuole quindi essere introduttivo ad un percorso for-
mativo specialistico orientato verso l’alta frequenza, diventando cosı̀ il
riferimento del corso di metodi per l’elettronica delle microonde, pri-
mo modulo dell’indirizzo di alta frequenza della Laurea Magistrale in
Ingegneria Elettronica dell’Università di Roma Tor Vergata.
Per tale motivo in questo testo sono trattati, senza la pretesa di com-
pletezza o di rigore formale ma funzionali all’obiettivo formativo, argo-
menti quali le linee di trasmissione e la carta di Smith, come pure vie-
ne data una sommaria descrizione dei dispositivi attivi a tre terminali
peculiari dell’elettronica delle alte frequenze.
Particolare rilievo viene dato all’adattamento di un carico, preferen-
do l’approccio grafico affiancato comunque a quello analitico. A tal pro-
posito si ritiene particolarmente importante l’acquisizione della neces-
saria familiarità con gli strumenti funzionali all’adattamento, familia-
rità che risulta poi alla base della comprensione profonda e immediata
dei metodi di progetto successivamente illustrati.
Ci si sofferma poi sulle proprietà di stabilità di reti a due porte li-
neari come derivanti dalla loro rappresentazione a matrice di diffusio-
ne, alla base della progettazione di amplificatori lineari, ai quali vie-
ne dedicato un intero capitolo. Vengono successivamente introdotte le
grandezze caratterizzanti la rumorosità dei dispositivi, necessarie al
progetto di amplificatori a basso rumore.
Il capitolo conclusivo si sofferma sugli oscillatori a microonde, sia
introducendone i parametri caratteristici che dettagliando le condi-
zioni necessarie per l’innesco delle oscillazioni, per passare infine ad
accennare ai metodi di progetto.
Il materiale esposto in questo testo è decisamente più ampio di
quanto strettamente necessario a coprire le esigenze di un modulo di-
dattico di circa 50 ore frontali (5 crediti formativi). Si ritiene però che la
presenza di argomenti non trattati o semplicemente accennati durante
la didattica frontale possa essere di stimolo e di incentivo ad un appro-
fondimento personale. Tale è il caso del rumore di fase negli oscillatori,
della derivazione analitica delle condizioni di stabilità incondizionata
e di altre sezioni, volutamente inserite per fornire, a chi lo desiderasse,
spunti di riflessione.
Si è cercato di corredare i capitoli di una serie di esercizi, allo scopo
Prefazione 13
di fornire un metro di auto-valutazione delle tecniche e dei concetti

descritti, evitando di ricorrere a domande a risposta multipla, troppo
spesso utilizzate per saggiare la preparazione.
Questo testo vuole cosı̀ essere il primo contributo di una serie de-
dicata a coprire le esigenze dei corsi universitari del settore dell’elet-
tronica per le alte frequenze, coprendo, oltre ad argomenti di base, la
progettazione di amplificatori a piccolo segnale e di oscillatori.
Mi permetto di ringraziare anticipatamente chi vorrà segnalarmi
gli inevitabili errori contenuti nel testo, peraltro alla sua prima com-
parsa, con la speranza che non siano in tale quantità da pregiudicarne
l’efficacia.
Roma, 10 Novembre 2006
Ernesto Limiti
Introduzione
Il termine microonde ed onde millimetriche viene utilizzato generi-

camente per indicare quella gamma di frequenze della radiazione elet-
tromagnetica le cui lunghezze d’onda vanno da qualche centimetro fino
al millimetro. La convenzione generalmente adottata è di localizzare
questo intervallo da 300 MHz (lunghezza d’onda pari a 1 m) a 300 GHz
(1 mm).
Tale ampia gamma di frequenze viene poi ulteriormente suddivisa
in bande, la cui denominazione varia a seconda dell’applicazione. Nella
comune pratica industriale è invalso l’uso della denominazione mutua-
ta da applicazioni radar, che designa ciascuna banda utilizzando let-
tere, come riportato nella Figura 1, nella quale sono riportate anche
denominazioni alternative.
L’elettronica delle microonde vuole quindi studiare le topologie, i
metodi di analisi e di progetto, le diverse configurazioni e i sistemi elet-
tronici che generano, rivelano ed elaborano segnali in queste gamme di
frequenza. L’elettronica di più bassa frequenza è basata sull’ipotesi che
le dimensioni dei componenti costituenti un circuito siano molto più
piccole della lunghezza d’onda propria dei segnali che devono elabora-
re. Si parla difatti di dimensioni elettriche per evidenziare tale rappor-
to. Sotto questa ipotesi i componenti possono considerarsi puntiformi
rispetto al segnale e danno cosı̀ luogo a circuiti a costanti concentrate o
0-dimensionali.
Quindi le dimensioni dei componenti devono, per verificare tale ipo-
tesi, essere confrontate con la lunghezza d’onda della radiazione elet-
tromagnetica, che, come noto, può determinarsi semplicemente dalla:
c c0 3 · 108 1
λ= =√ ≈√ 9
[m] = 0, 3 · √ [m]
f εr · f εr · 10 · fGHz εr · fGHz
15
16 Introduzione
A Gamma di Denom.
Frequenza NATO
frequenze RADAR
MF
250 MHz 1.2 m A HF

VHF
500 MHz 60 cm B
750 MHz 40 cm C
1 GHz 30 cm UHF
2 GHz 15 cm D L
E 3 GHz
3 GHz 10 cm S
4 GHz 7.5 cm F
5 GHz 6 cm G
6 GHz 5 cm C
7 GHz 4.3 cm H
8 GHz 3.75 cm SHF 1 cm 30 GHz
9 GHz 3.33 cm I X 33 GHz
10 GHz 3 cm 12 GHz
Q
J Ku 50 GHz
18 GHz
20 GHz 1.5 cm K
30 GHz V
26.5 GHz
K Ka
40 GHz 0.75 cm 75 GHz
L W
60 GHz 0.5 cm
110 GHz
80 GHz 0.375 cm M
EHF mm D
100 GHz 0.3 cm
1 mm 300 GHz
300 GHz
Figura 1: Denominazione delle bande di frequenza secondo differenti

convenzioni.
in cui εr è la costante dielettrica relativa del mezzo nel quale il segnale

si propaga.
All’aumentare della frequenza tale ipotesi comincia a non essere più
valida. Il limite (peraltro convenzionale) è intorno a pochi GHz, nella
parte bassa della gamma delle microonde. Oltrepassato tale valore le
dimensioni dei componenti rappresentano una frazione non trascurabi-
le della lunghezza d’onda del segnale e hanno quindi effetto sullo stes-
Introduzione 17
so, dovendo di conseguenza essere rappresentati mediante elementi a

costanti distribuite (circuiti mono-dimensionali). Anche le dimensioni
trasversali rispetto alla direzione di propagazione del segnale devono
essere tenute in conto, descrivendo cosı̀, in definitiva, il comportamen-
to del circuito con relazioni tridimensionali, quali le equazioni di Max-
well. Paradossalmente, se si aumenta ancora la frequenza, fino ad in-
teressare l’infrarosso o il visibile, le dimensioni dei circuiti diventano
molto più grandi della lunghezza d’onda ed è cosı̀ possibile semplificare
(ovviamente se il problema da analizzare lo permette) utilizzando rela-
zioni relativamente meno complesse, quali ad esempio l’analisi propria
dell’ottica geometrica.
Nella gamma di frequenze propria delle microonde comunque, le
dimensioni dei circuiti e dei sistemi elettronici sono confrontabili con
quelle dei segnali che si trovano ad elaborare. Tale circostanza compor-
ta una serie di conseguenze sulle metodologie e più in generale sugli
strumenti di analisi e di sintesi. In particolare:
• I circuiti elettronici, in special modo quelli non lineari, andranno

studiati con metodi di analisi dedicati, che uniscano l’efficacia dei
metodi nel dominio della frequenza (nel dominio dei fasori se si
vuole), con la robustezza dei metodi nel dominio del tempo. È il
caso delle tecniche di analisi basate sul bilanciamento armonico
(harmonic balance) per l’analisi dello stato stazionario nei circuiti
non lineari.
• I componenti elettronici andranno descritti con rappresentazio-

ni che tengano in conto la loro natura distribuita; non sempre
infatti è possibile ricorrere a descrizioni a costanti concentrate,
soprattutto in presenza di reti con strutture non uniformi lungo
la direzione di propagazione.
• Grazie alla loro natura tridimensionale (o almeno bidimensiona-

le), i componenti elettronici hanno in genere un numero maggiore
di gradi di libertà rispetto agli stessi a più bassa frequenza, dando
origine da un lato ad una maggiore complessità ma consentendo
dall’altro una estrema versatilità di progetto.
• L’effetto di elementi sistematicamente trascurati a bassa frequen-

za è molte volte decisivo. È il caso dei parassiti, ossia di tutti
quegli elementi, schematizzabili con componenti concentrati o di-
stribuiti, inseriti non intenzionalmente ma conseguenza di opera-
zioni di montaggio o di caratteristiche della tecnologia. Si pensi
18 Introduzione
ad esempio ai fili di interconnessione dei circuiti con le reti di ali-

mentazione o ai contenitori degli stessi circuiti, i cui effetti sul
funzionamento sono spesso determinanti se non opportunamente
tenuti in conto nella fase progettuale.
• I metodi di caratterizzazione e di misura in generale devono te-

nere in conto delle dimensioni dei circuiti, utilizzando quindi sia
tecniche di accesso che strumentazione dedicata alla modellistica
accurata del componente sotto misura.
Complessivamente quindi, sia la fase di modellistica che quelle di

progettazione e di misura di un circuito o di un componente a microon-
de sono intrinsecamente più delicate che per un corrispondente com-
ponente a più bassa frequenza. Vengono cosı̀ a rendersi necessarie
competenze mutuate dalla teoria dei campi elettromagnetici per l’a-
nalisi delle strutture guidanti e delle discontinuità, dalla fisica elet-
tronica per il funzionamento e l’ottimizzazione dei dispositivi a semi-
conduttore utilizzati, dall’elettrotecnica per le rappresentazioni delle
reti. Tali competenze formano la base dalla quale partire per applica-
re le metodologie e le tecniche proprie dell’elettronica allo studio e alla
progettazione di sistemi complessi.
Questo sforzo viene comunque premiato dall’opportunità di svilup-
pare gli elementi chiave, spesse volte abilitanti, delle più moderne ap-
plicazioni. Molteplici sono infatti i settori nei quali l’elettronica del-
le microonde fornisce un apporto decisivo. Senza avere la pretesa di
esaustività, basti pensare alle comunicazioni wireless, tra le quali an-
noverare le telecomunicazioni spaziali, a lunga distanza, la telefonia
senza fili e cellulare, i sistemi di comunicazione personale, le reti loca-
li (WLAN), le telecomunicazioni aeree, marittime e satellitari e molte
altre. Oltre ai sistemi di comunicazione senza fili non si possono non
ricordare i sistemi radar (per difesa o aeroportuali, per meteorologia
o assistenza alla navigazione), i sistemi di supporto alla navigazione
(GPS, collision avoidance), i sistemi di telerilevamento (per meteorolo-
gia o monitoraggio del suolo, per controllo delle emissioni), i sistemi di
identificazione (per sicurezza, controllo di accesso, per tolling ed altri),
il broadcasting (radio AM e FM o televisivo anche satellitare), i sistemi
sensoriali e l’investigazione dello spazio profondo (in radioastronomia).
Tutto questo a cui si aggiungono una serie di applicazioni in settori
assolutamente decisivi quali la medicina (trattamenti di ipertermia ad
esempio) o il trattamento dei cibi (sterilizzazione o cottura) o dei ma-
teriali e molti altri ancora. In estrema sintesi, i settori applicativi so-
Introduzione 19
no molto diversificati e per ciascuno di questi l’elemento a microonde

riveste spesso un ruolo centrale.
L’elettronica a microonde è essenzialmente integrata, ossia realizza-
ta mediante circuiti in cui esiste un livello di integrazione che, sebbene
non raggiunga i livelli dell’elettronica dei circuiti numerici, necessita
di tecnologie avanzate.
Un circuito integrato a microonde può essere essenzialmente realiz-
zato seguendo due approcci differenti: ibrido e monolitico. Nel primo
caso l’elemento a semiconduttore, sia esso attivo o passivo, viene in-
tegrato assieme ad altri componenti discreti (condensatori, resistori o
altro) su un substrato tipicamente dielettrico, sul quale vengono rea-
lizzate le metallizzazioni per interconnessioni con l’ingresso e l’uscita
del segnale e assemblate le alimentazioni. Nella Figura 2 è mostrato
un esempio di circuito realizzato su allumina, con piste di interconnes-
sione dorate e componenti attivi e passivi connessi per incollaggio o
tramite microfili (wire bonds).
Figura 2: Esempio di circuito ibrido (Alenia Spazio).
Nel caso dei circuiti monolitici invece, sia gli elementi attivi che pas-
sivi che quelli di interconnessione vengono tutti realizzati, con tecniche
fotolitografiche, sul medesimo substrato a semiconduttore (Figura 3).
Quale che sia la tecnologia prescelta, comuni sono, nel progetto di
un circuito, le metodologie di sintesi sia della parte passiva che di quel-
la attiva, della rete di adattamento per il trasferimento di potenza ad
un utilizzatore e delle condizioni ottime di lavoro di un transistore uti-
lizzato sia come amplificatore che come generatore di segnale, ossia
come oscillatore.
20 Introduzione
Figura 3: Vista al microscopio di una parte di circuito monolitico.
In questo testo si focalizzerà l’attenzione, dopo aver fornito le neces-

sarie nozioni di base, sul progetto di circuiti passivi di adattamento, di
amplificatori a piccolo segnale e di oscillatori. In estrema sintesi quin-
di ci si limiterà a studiare gli elementi attivi lineari di un sistema a
microonde o quantomeno, come nel caso degli oscillatori, a individuare
tecniche di sintesi basate su una rappresentazione lineare.
Si giungerà cosı̀ ad individuare le metodologie di progettazione per
amplificatori lineari, elemento fondamentale di elaborazione, sia nella
forma di semplice blocco di guadagno che di amplificatore a basso ru-
more e si individueranno i principi di funzionamento e i metodi lineari
per il progetto di un oscillatore a microonde.
Capitolo 1
Linee di trasmissione
Indice del capitolo

1.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2 Impedenza caratteristica e costante di propagazione . . . . . . 25
1.3 Onde progressive e regressive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.4 Impedenza di ingresso di una linea . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5 Casi notevoli per l’impedenza di ingresso di una linea . . . . . 33
1.6 Coefficiente di riflessione lungo una linea . . . . . . . . . . . . . 36
1.7 Carta di Smith . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.7.1 Carta di Smith delle impedenze . . . . . . . . . . . . . . 42
1.7.2 Carta di Smith delle ammettenze . . . . . . . . . . . . . 43
1.7.3 Comportamento in frequenza di circuiti semplici . . . . 47
1.7.4 Carta di Smith per carichi attivi . . . . . . . . . . . . . 51
1.8 Carta di Carter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
1.9 Linee di trasmissione a microstriscia . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.9.1 Discontinuità a microstriscia . . . . . . . . . . . . . . . 64
1.10 Linee di trasmissione coplanari . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
1.11 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
1.1 Introduzione
In questa sezione si affronteranno le proprietà di base e verranno in-
trodotti gli strumenti necessari allo studio delle strutture trasmissive
a microonde ed onde millimetriche.
21
22 1. Linee di trasmissione
A bassa frequenza, due elementi di un circuito vengono connessi

tramite un conduttore, di solito a sezione uniforme, nel quale la corren-
te risultante viene a scorrere anch’essa in maniera uniforme su tutta
la sua sezione.
All’aumentare della frequenza operativa, la corrente tende a con-
centrarsi sempre di più alla superficie del conduttore, e l’intensità dei
campi che generano tale corrente decade esponenzialmente a partire
appunto dalla superficie. Questo fenomeno, denominato effetto pelle,
viene quantitativamente valutato dalla profondità di penetrazione∗ δs ,
grandezza che risulta essere una funzione della frequenza operativa:
Ã !1/2
1
δs = (1.1)
πf µσ
in cui µ e σ rappresentano rispettivamente la permeabilità magnetica

e la conducibilità del metallo di interconnessione.
Il risultato di questo effetto è da un lato l’aumento delle perdite per
dissipazione nel metallo, che presenta una sezione efficace minore e
quindi una resistenza complessiva maggiore. Dall’altro, la percentuale
di campo elettromagnetico che tende a propagarsi utilizzando effetti
radianti sarà maggiore all’aumentare della frequenza. Per tale motivo,
al crescere della frequenza operativa, la propagazione guidata viene
affidata a strutture formate da sistemi di conduttori e dielettrici chiusi
(shielding).
In generale, una struttura guidante è un sistema di conduttori, im-
mersi in un mezzo dielettrico omogeneo o meno, sagomato in maniera
da consentire la propagazione di un’onda elettromagnetica contenente
un’informazione (o più in generale a cui è associata una certa potenza)
in una direzione preferenziale. Risulta chiaro da tale definizione che gli
elementi di base costituenti la struttura devono essere necessariamen-
te due, ovvero metalli e dielettrico† . I primi hanno funzione di guida e
supporto dei campi elettrico e magnetico associati alla radiazione elet-
tromagnetica, mentre il secondo, eventualmente l’aria o il vuoto, è il
mezzo propagativo nel quale i campi sono immersi e viaggiano. Il siste-
ma di conduttori adottato e la qualità dei metalli utilizzati per la sua
realizzazione vanno a determinare essenzialmente le perdite dovute ad
∗
Definita come la distanza dalla superficie alla quale l’intensità del campo si è
ridotta di un fattore 1/e.
†
Ci si riferisce al termine dielettrico intendendo con questo indicare un sistema
di dielettrici, di tipo omogeneo o meno. Non ci si limita quindi soltanto al caso di un
singolo dielettrico.
Introduzione 23
effetto Joule e gli effetti di autoinduzione connessi, mentre il sistema

dielettrico prescelto determinerà sia le perdite dovute alla propria con-
ducibilità non nulla che gli effetti capacitivi legati alla geometria della
struttura trasmissiva.
Ci si occuperà nel seguito soltanto di propagazione guidata, ossia
di propagazione che avviene in una struttura guidante, tralasciando la
propagazione in spazio libero (comunemente indicata come propagazio-
ne in tratta radio).
Se si analizza la struttura trasmissiva partendo dalle equazioni di
Maxwell, si può derivare che un sistema composto da X conduttori ed
un dielettrico omogeneo supporta X − 1 modi di propagazione di tipo
TEM (transverse electromagnetic∗ ) o, se il dielettrico è non omogeneo,
di tipo quasi-TEM † . Una caratteristica fondamentale dei modi TEM
o quasi-TEM è quella di non presentare frequenze di taglio inferiori,
ossia essi si propagano a partire dalla continua, a differenza dei modi
non-TEM, per i quali esiste una frequenza di cut-off al di sotto della
quale non è ammessa propagazione.
Le strutture che ammettono modi di propagazione di tipo TEM am-
mettono anche modi di superiori, che però non vengono mai utilizzati
per la propagazione o in genere il trasferimento di potenza, per il quale
si preferisce far operare la struttura in modalità monomodale. In de-
finitiva quindi, nella data struttura trasmissiva verrà a propagarsi un
solo modo, preferibilmente di tipo TEM se ammesso, a cui è demandato
il compito di trasferire l’informazione.
Le possibili combinazioni di sistemi di conduttori e dielettrici che
danno luogo a strutture trasmissive sono ovviamente in numero mol-
to elevato, differenziandosi non soltanto per i metalli e dielettrici uti-
lizzati, ma anche per la forma e la geometria degli stessi. Sono sta-
te concepite cosı̀ numerose strutture guidanti, ciascuna caratterizzata
da peculiarità che ne suggeriscono l’utilizzazione a seconda del tipo di
applicazione considerata.
Nella Figura 1.1, a mero titolo di esempio, ne sono indicate alcune
tra quelle più comunemente utilizzate.
Nella coppia di colonne di destra sono elencate le strutture guidan-
ti utilizzabili nei circuiti integrati a microonde, mentre nella coppia di
sinistra sono indicate quelle utilizzate principalmente per interconnes-
∗
In questi modi di propagazione, il campo elettromagnetico è completamente tra-
sversale alla direzione di propagazione; in altri termini, sia il campo elettrico che
quello magnetico sono normali alla direzione di propagazione.
†
In questo caso, esistono componenti del campo nella direzione di propagazione,
che rappresentano però deviazioni di entità minore rispetto al caso TEM.
er
Linea bifilare Stripline
er
er
Microstriscia
Guida ridged Microstriscia
Cavo coassiale sospesa
er er
Guida rettangolare Guida dielettrica Slotline
Fin-line
er er er
Guida coplanare Image line
Guida dielettrica
Guida circolare
circolare
Figura 1.1: Strutture guidanti a microonde.
sione tra diversi circuiti già disposti nei loro alloggiamenti o sempli-
cemente per il trasporto di energia e più raramente nella costruzione
diretta di circuiti per l’elaborazione complessa del segnale.
Tra tutte le strutture indicate, senza dubbio quelle maggiormente
diffuse per la realizzazione di circuiti integrati a microonde sono nel-
l’ordine la microstriscia (microstrip) e la guida d’onda coplanare (co-
planar waveguide), sulle cui caratteristiche propagative ci si soffer-
merà brevemente nel seguito. Per ora si anticipa che entrambe sup-
portano modi di tipo quasi-TEM ∗ (uno per la microstriscia e due per la
guida d’onda coplanare) e sono quindi analizzabili, in prima approssi-
mazione, utilizzando il formalismo mutuato dalle linee di trasmissione
ed evitando quindi il ricorso alla soluzione diretta delle equazioni di
Maxwell.
In questa sezione quindi si introdurrà il formalismo delle linee di
trasmissione, i parametri utilizzati per la loro caratterizzazione e le
caratteristiche peculiari delle stesse. Verrà poi derivata e descritta
la carta di Smith, in seguito utilizzata per la soluzione di problemi
di adattamento sia con elementi a costanti concentrate che distribuite,
∗
In entrambi i casi i modi supportati sono di tipo quasi-TEM poiché il dielettrico è
non omogeneo: sia per la microstriscia che per la guida coplanare esiste un dielettrico
vero e proprio che supporta meccanicamente i metalli, al di sopra del quale si ipotizza
essere l’aria (e quindi un secondo dielettrico).
Impedenza caratteristica e costante di propagazione 25
I(z) Rdz Ldz I(z+dz)
+ +
V(z) Gdz Cdz V(z+dz)
- -
Figura 1.2: Cella unitaria di una linea di trasmissione uniforme e

indefinita.
oggetto di successivo approfondimento. Verranno infine sommariamen-

te descritte, al termine del capitolo, le caratteristiche propagative sia
della microstriscia che della guida d’onda coplanare.
1.2 Impedenza caratteristica e costante di pro-

pagazione
Si consideri un tratto di linea di trasmissione∗ di lunghezza infini-
tesima dz, caratterizzato dai quattro parametri primari:
R, L, G, C (1.2)
che vengono denominati rispettivamente resistenza serie (Ω/m) e in-

duttanza serie (H/m), conduttanza parallelo (S/m) e capacità parallelo
(F/m) per unità di lunghezza della linea.
Tali parametri primari tengono in conto e schematizzano effetti fi-
sici che di fatto si presentano lungo una linea. In particolare, la re-
sistenza per unità di lunghezza rende conto delle perdite ohmiche dei
conduttori, mentre la conduttanza per unità di lunghezza schematiz-
za le perdite dovute ad eventuali isteresi, la conducibilità residua del
mezzo in cui sono immersi i conduttori e le eventuali perdite per radia-
zione. L’induttanza per unità di lunghezza rende conto dei fenomeni
auto-induttivi dei conduttori, mentre quelli capacitivi sono evidenziati
dalla capacità per unità di lunghezza. Un tratto di linea infinitesimo è
quindi rappresentabile come in Figura 1.2.
∗
Da questo punto in poi il termine linea di trasmissione indicherà un sistema
di conduttori che supporta propagazione monomodale di tipo TEM (o quasi-TEM),
indipendentemente dalla geometria adottata.
Essendo il tratto di linea di lunghezza infinitesima, è possibile ap-

prossimare al primo ordine ottenendo:
I (z + dz) ∼
= I (z) + dI (z)
(1.3)
V (z + dz) ∼
= V (z) + dV (z)
Applicando le leggi di Kirchhoff alla maglia e al nodo della rete in
Figura 1.2 e supponendo di essere in regime armonico, si ottiene:
(
V (z) + dV (z) = V (z) − (R + jωL) · dz · I (z)
(1.4)
I (z) + dI (z) = I (z) − (G + jωC) · dz · V (z)
ossia,

 dV (z)

 = − (R + jωL) · I (z) = −Z · I (z)
dz
(1.5)

 dI (z) = − (G + jωC) · V (z) = −Y · V (z)

dz
ove ω = 2πf è la pulsazione angolare e si sono definite
∆
Z = (R + jωL)
impedenza (serie) per unità di lunghezza della linea e
∆
Y = (G + jωC)
ammettenza (parallelo) per unità di lunghezza della linea.
Il sistema di equazioni (1.5) può essere posto nella forma consueta
(detta Equazione dei Telegrafisti):
 2
 d V (z)

 = Z · Y · V (z) = γ 2 · V (z)
dz 2
(1.6)
 2
 d I (z) = Z · Y · I (z) = γ 2 · I (z)

dz 2
avendo definito la costante di propagazione della linea, γ:
∆
γ 2 = Z · Y = (R + jωL) · (G + jωC) = (α + jβ)2 (1.7)
Come si nota dalla stessa definizione, la costante di propagazione
è una quantità in generale complessa, formata da una parte reale α,
detta fattore di attenuazione (misurato in Neper/m o in dB/m) e da una
parte immaginaria β, detta fattore di propagazione.
Impedenza caratteristica e costante di propagazione 27
Il fattore di attenuazione è legato alle perdite nella struttura, deter-

minate da resistenza e conduttanza per unità di lunghezza. L’effetto di
queste è separabile, tanto che si possono introdurre le due attenuazioni
dovute ai conduttori αc , ed al dielettrico αd :
α = αc + αd (1.8)
Dalla (1.6) si ottengono le due soluzioni per V (z) e I (z) nella forma:
V (z) = V + · e−γz + V − · eγz

(1.9)
I (z) = I + · e−γz + I − · eγz
Le costanti di integrazione (V + , V − ) e (I + , I − ) non sono tra loro
indipendenti; infatti, dalla prima delle (1.5) si ha:
1 dV (z) 1 ¡ ¢
I (z) = − · = − · −γ · V + · e−γz + γ · V − · eγz (1.10)
Z dz Z
da cui le soluzioni nella forma:
V (z) = V + · e−γz + V − · eγz

γ (1.11)
I (z) =· (V + · e−γz − V − · eγz )
Z
Se si definisce l’impedenza caratteristica della linea, ZC (o in manie-
ra equivalente l’ammettenza caratteristica YC ), come:
s s
1 ∆ Z Z R + jωL
ZC ≡ = = = (1.12)
YC γ Y G + jωC
si ottiene, per la corrente lungo la linea, l’espressione:
¡ ¢
I (z) = YC · V + · e−γz − V − · eγz (1.13)
Le due grandezze γ (costante di propagazione) e ZC (impedenza
caratteristica) vengono denominate costanti secondarie della linea.
È possibile cosı̀ caratterizzare una linea di trasmissione in base alle
sue costanti primarie o alle sue costanti secondarie: in ogni caso una
coppia di grandezze complesse.
È interessante osservare che nel limite di bassa frequenza (ossia
per ω → 0 ), la costante di propagazione e l’impedenza caratteristica
diventano entrambe reali:
p
ZC |ω basse ≈ R/G ∈ < (1.14)
√
γ|ω basse ≈ R·G ∈ < (1.15)
e quindi la linea si comporta semplicemente come un sistema di condut-
tori con perdite, nel quale non c’è che una attenuazione al progredire
del segnale lungo lo stesso.
Al contrario, nel limite di alta frequenza, ossia per ω → ∞:
p
ZC |ω alte ≈ L/C ∈ < (1.16)
R G · ZC √
γ|ω alte ≈ + + jω · L · C (1.17)
2 · ZC 2
Quindi in questo caso la costante di propagazione è complessa ed è
possibile propagazione del segnale, come si vedrà nel seguito.
La parte reale della costante di propagazione, ossia l’attenuazio-
ne, è cosı̀ dovuta sia alla resistenza che alla conduttanza per unità di
lunghezza.
Si tenga però presente che entrambe tali quantità sono funzioni del-
la frequenza: in particolare, per l’effetto pelle, la prima aumenta con la
radice della frequenza, mentre la seconda è tipicamente una funzione
lineare della stessa.
Molto spesso, per quantificare le perdite nel dielettrico, si preferisce
utilizzare la tangente dell’angolo di perdita∗ tan δ, che per un dielettrico
caratterizzato da una conducibilità finita σd è fornita dalla
σd
tan δ = (1.18)
ω²
Se si considera il campo di frequenze intermedio tra i due estremi
di bassa ed alta frequenza accennati, si possono ottenere le seguenti
espressioni:
s
1−j R
ZC |ω intermedie ≈ √ · (1.19)
2 ωC
1+j √
γ|ω intermedie ≈ √ · ωRC (1.20)
2
nella derivazione delle quali si è assunta trascurabile la conduttanza
per unità di lunghezza (come in pratica avviene a tali frequenze).
∗
Formalmente tale quantità è il rapporto tra parte reale ed immaginaria della
permeabilità del mezzo con perdite.
Onde progressive e regressive 29
Si noti che nel caso di alta frequenza, nel quale normalmente le

linee di trasmissione utilizzate nei circuiti a microonde vengono ad es-
sere impiegate, l’impedenza caratteristica è puramente reale (1.16), di-
ventando tale dalla situazione a frequenze intermedie in cui la parte
immaginaria è invece di valore comparabile (1.19).
La transizione tra i due comportamenti segna cosı̀ la demarcazione
di utilizzabilità in frequenza della data struttura trasmissiva.
1.3 Onde progressive e regressive

La soluzione della (1.6), nel tempo ed in regime armonico, può essere
posta nella forma:
© ª ©£ ¤ ª
V (z, t) = Re V (z) · ejωt = Re V + · e−γz + V − · eγz · ejωt =
nh i o
= Re V + · e−(α+jβ)·z + V − · e(α+jβ)·z · ejωt =
n o n o
= Re V + · e−αz · ej(ωt−βz) + Re V − · eαz · ej(ωt+βz) =
¯ ¯
= ¯V + ¯ · e−αz · cos (ωt − βz + ϕV + ) +
¯ ¯
+ ¯V − ¯ · eαz · cos (ωt + βz + ϕV − )
(1.21)
Le due parti della soluzione possono essere interpretate come onde

di tensione che si propagano rispettivamente nella direzione +z e −z:
infatti, per mantenere la fase costante al crescere del tempo, ci si deve
muovere in un caso nella direzione delle z positive, nell’altro in quella
delle z negative (Figura 1.3).
t1 t1
t2 t2
t3 t3
z z
+ -
V V
Figura 1.3: Onde di tensione progressive e regressive lungo la linea.
Considerando la sola parte progressiva (V + ), la distanza che si deve

percorrere, per t fissato, per riottenere la stessa fase, cioè un periodo

spaziale, è definita come lunghezza d’onda λ:
β · (z2 − z1 ) = 2π = βλ
⇓
(1.22)
2π
λ=
β
La velocità di fase, vph , ovvero la velocità alla quale si muove una
superficie equifase, è data da:
dϕ dz
=ω−β· = ω − β · vph,progr = 0
dt dt
⇓ (1.23)
ω
vph,progr =
β
per l’onda progressiva e
dϕ dz
=ω+β· = ω + β · vph,regr = 0
dt dt
⇓ (1.24)
ω
vph,regr = −
β
per la parte regressiva.
In generale, la parte immaginaria della costante di propagazione,
β, è una funzione non lineare della frequenza (della pulsazione ω), e la
velocità di fase è cosı̀ funzione essa stessa della frequenza.
In questo caso la linea è detta dispersiva, in quanto, se si considera
un segnale con diverse componenti in frequenza, queste viaggeranno
con velocità di fase diversa, dando cosı̀ origine ad un segnale distorto.
Particolarizzando la soluzione ottenuta al caso senza perdite, si ot-
tiene:
R=G=0
 ⇓
s

 L
 (1.25)
ZC = ∈<
C

 √ √

γ = jω · LC ∈ = ⇒ α = 0, β = ω · LC
Nel caso di strutture omogenee e senza perdite, con propagazione

Impedenza di ingresso di una linea 31
di tipo TEM, è possibile dimostrare (direttamente dalle equazioni di

Maxwell) che si ha sempre:
√
γ = j · β = jω · µ² (1.26)
e quindi una velocità di fase costante e coincidente con la velocità di
propagazione delle onde elettromagnetiche nel mezzo considerato, dan-
do cosı̀ origine ad una linea non dispersiva:
ω 1 1
vph = =√ =√ = c = cost (1.27)
β µ² LC
È possibile definire poi una velocità di gruppo vg data da:
" #−1
∆∂β (ω)
vg = (1.28)
∂ω
A riguardo di tale parametro, si può dimostrare abbastanza facil-
mente che se si considera un segnale modulato in ampiezza, con in-
formazione quindi contenuta nell’inviluppo, quest’ultimo viaggia nella
linea proprio alla velocità di gruppo.
Nel caso appena accennato di assenza di perdite, le due velocità
di fase e di gruppo coincidono con quella di propagazione delle onde
(piane) elettromagnetiche nel mezzo in cui sono immersi i conduttori
della linea.
Nel caso di mezzi dispersivi si tenga presente che la velocità di fase
può risultare maggiore di quella della luce nel mezzo, ma si ricordi
che tale velocità non rappresenta una quantità fisica ma puramente
geometrica.
Se si vogliono variare le caratteristiche propagative di una linea,
non se ne può variare liberamente la geometria: infatti, ciò varierebbe
una delle due grandezze primarie (L o C) ma la rimanente varierebbe
in maniera inversa, mantenendo cosı̀ costante il prodotto.
Si deve quindi variare separatamente L o C, aggiungendo ad esem-
pio elementi concentrati induttivi opportunamente distanziati (pupi-
nizzazione) o capacitivi (krarupinizzazione).
1.4 Impedenza di ingresso di una linea

Si supponga ora di considerare una linea di trasmissione di lun-
ghezza finita l e di terminarla su un carico di impedenza ZL , come in
Figura 1.4.
Zin ZC , g ZL
-l 0
z
Figura 1.4: Tratto di linea di trasmissione terminato su un carico.
L’obiettivo è determinare il valore dell’impedenza di ingresso Zin .

Tensione e corrente sulla linea sono date da:
V (z) = V + · e−γz + V − · eγz

(1.29)
I (z) = YC · (V + · e−γz − V − · eγz )
Con la scelta di coordinate effettuata, il carico impone che sia:
V (0) V + + V −
Z (0) = = + · ZC ≡ ZL (1.30)
I (0) V −V−
Definendo il coefficiente di riflessione del carico, Γ (0), come rapporto

tra onda riflessa e incidente di tensione sul carico:
ZL
V − 1− ẐL − 1
∆ ZC
Γ (0) = + = − = (1.31)
V ZL ẐL + 1
1+
ZC
avendo definito l’impedenza normalizzata:
∆ ZL
ẐL =
ZC
All’ingresso della linea di trasmissione si avrà:

Casi notevoli per l’impedenza di ingresso di una linea 33
V (−l) V + · eγl + V − · e−γl

Z (−l) = = ZC · + γl =
I (−l) V · e − V − · e−γl
³ ´ ³ ´
1 + ẐL · eγl − 1 − ẐL · e−γl
= ZC · ³ ´ ³ ´ =
1 + ẐL · eγl + 1 − ẐL · e−γl
¡ γl ¢ ¡ ¢
e − e−γl + ẐL · eγl + e−γl
= ZC · =
(eγl + e−γl ) + ẐL · (eγl − e−γl )
sinh (γl) + ẐL · cosh (γl)
= ZC · (1.32)
cosh (γl) + ẐL · sinh (γ)
Se si suppone che la linea sia senza perdite, ossia γ = jβ:
¡ jβl ¢ ¡ ¢
e − e−jβl + ẐL · ejβl + e−jβl
Zin = Z (−l) = ZC · =
(ejβl + e−jβl ) + ẐL · (ejβl − e−jβl )
j · sin (βl) + ẐL · cos (βl)
= ZC · =
cos (βl) + j · ẐL · sin (βl)
ẐL + j · tan (βl)
= ZC ·
1 + j · ẐL · tan (βl)
ZL + j · ZC · tan (βl)
= ZC · (1.33)
ZC + j · ZL · tan (βl)
ovvero:
ZL + j · ZC · tan (βl)
Zin = ZC · (1.34)
ZC + j · ZL · tan (βl)
Si noti che se la (1.34) viene scritta in termini di ammettenza, si
ottiene la medesima dipendenza funzionale:
YL + j · YC · tan (βl)
Yin = YC · (1.35)
YC + j · YL · tan (βl)
1.5 Casi notevoli per l’impedenza di ingresso di

una linea
Verranno analizzati di seguito dei casi notevoli per la (1.34).
• Se la lunghezza del tratto di linea è pari ad un multiplo di λ/2,

ossia se si ha:
λ λ
l = 0, , λ, . . . , k · k∈= (1.36)
2 2
si ottiene facilmente dalla (1.34):
Zin = ZL (1.37)
Quindi, aggiungendo un tratto di linea con lunghezza multipla di
λ/2, se la linea è senza perdite, non si cambia l’impedenza di ingresso.
Ovviamente, visto che la lunghezza d’onda è funzione della frequenza,
questo risultato è valido ad una frequenza singola (o a multipli interi
della stessa).
• Se la lunghezza del tratto di linea è un multiplo dispari di λ/4,

ossia se:
λ 3λ 5λ λ
l = 0, , , , . . . , (2k + 1) · k∈= (1.38)
4 4 4 4
allora
ZC2 1
Zin = ossia Ẑin = (1.39)
ZL ẐL
Tale proprietà è alla base della realizzazione del trasformatore a
quarto d’onda, elemento di base con il quale effettuare l’adattamento
di impedenza, come si vedrà meglio in seguito.
• Se il carico è un cortocircuito (ZL = 0):
Zin = j · ZC · tan (βl) (1.40)

L’impedenza di ingresso è in questo caso puramente reattiva ed ha
l’andamento della tangente trigonometrica (Figura 1.5).
Il medesimo comportamento si ottiene se l’impedenza di carico è un
circuito aperto (ZL = ∞), caso per il quale si ha:
Zin = −j · ZC · cot (βl) (1.41)

Casi notevoli per l’impedenza di ingresso di una linea 35
3l / 2 l
l/4 l/2 l
Figura 1.5: Andamento della reattanza di ingresso di una linea chiusa

su un cortocircuito.
In entrambi questi casi quindi è possibile utilizzare una linea ter-

minata su un cortocircuito o su un circuito aperto per la sintesi di ele-
menti reattivi, con valore di reattanza (o suscettanza) arbitrario, de-
terminato dalla frequenza, dall’impedenza caratteristica della linea e
dalla lunghezza fisica della stessa.
• Se l’impedenza di carico è pari all’impedenza caratteristica della

linea, ossia se:
ZL = ZC (1.42)
si ha :
Zin ≡ ZC ∀l (1.43)
In tale caso la linea è detta adattata sulla sua impedenza caratteri-
stica. Non esiste in questo caso un’onda riflessa: infatti
V− 1−1
Γ (0) == − =0 ⇒ V− =0 (1.44)
V+ 1+1
Si deve notare che, a parte le relazioni (1.42) e (1.43), tutti i casi
notevoli ora presentati sono funzione della frequenza. In altri termini,
la condizione che si impone sulla lunghezza della linea è basata sulla
lunghezza della stessa in termini di frazioni di lunghezza d’onda (lun-
ghezza elettrica) e non sulla lunghezza fisica. Quindi, data una linea
con una determinata lunghezza fisica, le condizioni esposte sono valide
ad una sola frequenza (ed a multipli interi della stessa).
1.6 Coefficiente di riflessione lungo una linea

Estendendo la definizione fornita con la (1.31), è possibile definire
un coefficiente di riflessione (in tensione) lungo la linea Γ (z) come il
rapporto tra onda di tensione riflessa e diretta alla sezione z:
∆ V − · ejβz
Γ (z) = = Γ (0) · e2jβz (1.45)
V + · e−jβz
Si noti che nel caso senza perdite cui si riferisce l’espressione testé
indicata, il modulo del coefficiente di riflessione rimane costante lungo
la linea (dipende soltanto da quello del carico), mentre la fase varia.
In generale rimane valida la coppia di relazioni:
Z (z) − ZC
Γ (z) =
Z (z) + ZC
1 + Γ (z) (1.46)
Z (z) = ZC ·
1 − Γ (z)
Si cerchi ora di determinare la potenza assorbita e quella riflessa

dal carico. Queste ultime possono essere espresse in funzione della
potenza incidente e del coefficiente di riflessione del carico (si suppone
ZC reale). Infatti:
1 ∗ 1 © ¡ ¢∗ ª
Pinc = · Re {Vinc · Iinc } = · Re V + · I + =
2 ( )2
∗ 2
1 (V + ) |V + |
= · Re V + · = (1.47)
2 ZC∗ 2ZC
1 © ∗
ª 1 © ¡ ¢∗ ª
Pref l = · Re Vref l · Iref l = · Re V − · I − =
2 2
2 2
|V − | |V + | · |ΓL |2
= = = |ΓL |2 · Pinc (1.48)
2ZC 2ZC
³ ´
Pabs = Pinc − Pref l = 1 − |ΓL |2 · Pinc (1.49)
La perdita di ritorno (return loss) è definita come il rapporto (di
solito espresso in decibel) tra potenza incidente e riflessa:
Ã !
∆ Pinc
RL|dB = 10 · log = −20 · log |ΓL | > 0 (1.50)
Pref l
Coefficiente di riflessione lungo una linea 37
Per una linea terminata con un carico ZL non adattato (cioè di va-
lore diverso da ZC ), esistono quindi onde riflesse che interferiscono con
quelle incidenti a formare una configurazione di onde stazionarie lungo
la linea. Infatti, se si considera la tensione lungo la linea, si ha:
³ ´
V (z) = V + · e−jβz + V − · ejβz = V + · e−jβz · 1 + ΓL · e2jβz (1.51)
Se poi si sostituisce
ΓL = |ΓL | · ejϕ (1.52)

e si calcola il modulo della tensione risultante, si ottiene:
¯ ¯ ¯¯ ¯
¯
|V (z)| = ¯V + ¯ ¯1 + |ΓL | · ej(2βz+ϕ) ¯ =
¯ ¯
= ¯V + ¯ |1 + |ΓL | cos (2βz + ϕ) + j |ΓL | sin (2βz + ϕ)| =
¯ ¯n o1/2
= ¯V + ¯ [1 + |ΓL | cos (2βz + ϕ)]2 + |ΓL |2 sin2 (2βz + ϕ) =
¯ ¯n o1/2
= ¯V + ¯ 1 + |ΓL |2 + 2 |ΓL | cos (2βz + ϕ) =
( Ã !)1/2
¯ ¯ ϕ
= ¯V + ¯ (1 + |ΓL |)2 − 4 |ΓL | sin2 βz +
2
(1.53)
Quindi |V (z)| è una funzione periodica, che oscilla tra il valore mas-
simo (ossia quando β · z + ϕ/2 = n · π):
¯ ¯
|V |max = ¯V + ¯ · (1 + |ΓL |) (1.54)
ed il valore minimo (quando β · z + ϕ/2 = m · π + π/2):
¯ ¯
|V |min = ¯V + ¯ · (1 − |ΓL |) (1.55)
Tale funzione si ripete con periodicità data da:
λ
β·z =π ⇒ (1.56)
2
Il rapporto di onda stazionaria in tensione (ROS o voltage standing
wave ratio, V SW R), è definito come il rapporto tra tensione massima e
minima sulla linea (si veda la Figura 1.6):
∆ |V |max 1 + |ΓL |
V SW R = = (1.57)
|V |min 1 − |ΓL |
È valida cosı̀ poi anche la relazione inversa:
V SW R − 1
|ΓL | = (1.58)
V SW R + 1
V (z)
V max
V min
z
l l z=0
4 4 ZL
Figura 1.6: Calcolo del VSWR lungo una linea terminata.
Per evidenziare l’effetto del V SW R sulla potenza riflessa, si posso-

no combinare le (1.48) e (1.58) ottenendo, per il rapporto tra potenza
riflessa ed incidente:
Ã !2
Pref l V SW R − 1
= (1.59)
Pinc V SW R + 1
La relazione (1.59) è diagrammata in forma percentuale nella Figu-

ra 1.7.
25
20
Prefl
15
Pinc
[%] 10
5
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
VSWR
Figura 1.7: Andamento della potenza riflessa da un carico in funzione

del VSWR.
Carta di Smith 39
1.7 Carta di Smith

La coppia di relazioni (1.46) consente di trasformare il piano della
variabile complessa Z = R + jX in quello della variabile Γ = Γr + jΓi
e viceversa. In tale coppia di relazioni è stata utilizzata, per la defini-
zione di coefficiente di riflessione di un carico e lungo una linea, l’impe-
denza caratteristica della linea, ZC , alla quale il carico è connesso. In
termini più generali, è possibile definire un coefficiente di riflessione ri-
ferendosi ad una impedenza di normalizzazione che verrà indicata con
Z0 . Cosı̀ facendo è possibile quindi estendere il concetto di coefficiente
di riflessione facendo a meno della linea a cui il carico è connesso. La
Z0 di norma utilizzata è di solito reale e pari a 50 Ω.
Dal punto di vista formale tale trasformazione bilineare ha due im-
portanti proprietà che si rifletteranno in quelle dell’abaco che si sta
per derivare. Da un lato la trasformazione è conforme, ossia mantie-
ne gli angoli formati da curve in un piano anche nell’altro. Inoltre la
trasformazione è analitica, ossia curve continue in un piano vengono
trasformate in curve continue nell’altro. Si vogliono determinare, in
particolare, le caratteristiche della prima trasformazione, da Z a Γ; a
tale scopo si considerino i luoghi di punti (rette) a resistenza costante
per derivare come vengono trasformati nel piano della variabile Γ. Si
noti che si ha:
R = R̄ = cost (1.60)
da cui
R̄ + jX − Z0
Γ = Γr + jΓi = (1.61)
R̄ + jX + Z0
Supponendo, senza perdita di generalità, l’impedenza di normaliz-
zazione Z0 puramente reale e normalizzando le impedenze a tale Z0 si
ottiene:
R̂ − 1 + j X̂ R̂2 − 1 + X̂ 2 2X̂
Γr + jΓi = =³ ´2 + j³ ´2 (1.62)
R̂ + 1 + j X̂ R̂ + 1 + X̂ 2 R̂ + 1 + X̂ 2
ossia:
R̂2 − 1 + X̂ 2 2X̂
Γr = ³ ´2 Γi = ³ ´2 (1.63)
R̂ + 1 + X̂ 2 R̂ + 1 + X̂ 2
Se dalle equazioni precedenti si elimina il parametro X̂, si ottiene

la famiglia di circonferenze (Figura 1.8), con parametro R̂, descritte
dall’espressione:
2R̂ 1 − R̂
Γ2r + Γ2i − · Γr − =0 (1.64)
1 + R̂ 1 + R̂
aventi centro e raggio dati da:
Ã !
R̂
C|Ẑ=R̂ = ; 0
R̂ + 1
(1.65)
1
R|Ẑ=R̂ =
R̂ + 1
Gi ^
X ^
1 R = -1.0
R = 0.0
^
R = 0.5
^ ^
R = -1.0 R = -2
^ ^
R=2 R = -5
R Gr
-1 1
^ ^
Z G -1 R = -0.5 R = -1.5
Figura 1.8: Trasformazione del piano delle impedenze nel piano dei
coefficienti di riflessione, caso a resistenza costante.
Il semipiano R̂ > 0, corrispondente ai carichi passivi, viene tra-

sformato nel cerchio |Γ| < 1, centrato nell’origine (cerchio unitario) del
piano Γ. Ciò è naturale, visto che per carichi passivi l’onda riflessa
deve essere sempre di modulo minore rispetto a quella incidente. Per
R̂ ∈ (−1, 0), le circonferenze corrispondenti contengono il cerchio uni-
tario, rimanendo tra loro tangenti nel punto (1, 0). Per R̂ = −1, l’e-
quazione della circonferenza degenera nella retta Γr = 1. Infine, per
R̂ < −1, le circonferenze, sempre tangenti nel punto (1, 0), hanno centro
nel semipiano Γr > 1.
Se si considerano ora nel piano Z i luoghi (rette) caratterizzati da:
X = X̄ = cost (1.66)
Carta di Smith 41
nel piano Γ, eliminando la variabile R̂ come nel caso precedente, si

ottiene la famiglia di circonferenze (Figura 1.9) con parametro X̂, de-
scritta dall’espressione:
2 · Γi
Γ2r + Γ2i − 2 · Γr − +1=0 (1.67)
X̂
aventi centro e raggio dati da:
Ã !
1
C|Ẑ=j X̂ = 1;
X̂
(1.68)
1
R|Ẑ=j X̂ =
X̂
Tali circonferenze, con centro sulla retta Γr = 1 sono tra loro tangen-
ti nel punto (1, 0), e giacciono nel semipiano Γi > 0 per X̂ > 0 (impeden-
ze induttive), o nel semipiano Γi < 0 per X̂ < 0 (impedenze capacitive);
per X̂ = 0 la circonferenza degenera nell’asse Γi = 0:
Gi ^
X=1
X ^
X=2
1
^
X = 0.5 ^
X=5
R ^
X=0 Gr
1
^
^ X = -5
X = -0.5
-1 ^
Z G X = -2
^
X=1
Figura 1.9: Trasformazione del piano delle impedenze nel piano dei
coefficienti di riflessione, caso a reattanza costante.
Si noti come le due famiglie di curve (circonferenze) determinate nel

piano dei coefficienti di riflessione, verifichino le proprietà della tra-
sformazione: infatti essendo le famiglie di curve trasformande (rette)
tra loro ortogonali, anche le famiglie trasformate lo sono. Parimenti

è verificata l’ipotesi di analiticità, non presentandosi alcun punto di
discontinuità nelle due famiglie determinate.
1.7.1 Carta di Smith delle impedenze

La trattazione precedentemente effettuata sulle trasformazioni dal
piano delle impedenze Z al piano dei coefficienti di riflessione Γ (fissata
l’impedenza di normalizzazione Z0 ) è alla base di uno degli strumenti
maggiormente utilizzati per lo studio di circuiti a costanti distribuite:
la Carta di Smith∗ (o Abaco di Smith). Tale carta visualizza il cerchio
unitario del piano Γ e rappresenta quindi tutte le impedenze a parte
reale positiva, corrispondenti a carichi passivi. Nella carta sono indi-
cati i luoghi di punti (tratti di circonferenze) a valore di resistenza o
reattanza costante, cosı̀ come derivati nel paragrafo precedente.
Gi
j1
j0.5 j2
X>0
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
A B C
-j0.2 -j5
X<0
-j0.5 -j2
-j1
Figura 1.10: Carta di Smith delle impedenze.

∗
La carta prende il nome da Phillip Smith, che la introdusse come metodo grafico
per visualizzare gli effetti di una linea di trasmissione su un carico nel 1939: Phillip
H. Smith, “A transmission line calculator,” Electronics, Vol. 12, No. 1, 1939, p.29.
Carta di Smith 43
Dalla Figura 1.10 è possibile riconoscere alcuni punti notevoli: il

punto (−1, 0) (indicato con A) corrisponde al cortocircuito, il punto (0, 0)
all’impedenza di normalizzazione (Z0 , punto B), mentre il punto (1, 0)
(C in figura), corrisponde al circuito aperto.
È da tenere presente che l’impedenza di normalizzazione, in appli-
cazioni a frequenze superiori al centinaio di MHz, viene di solito scelta
pari a 50 Ω (puramente reale), mentre per frequenze inferiori è usuale
il valore di 75 Ω.
1.7.2 Carta di Smith delle ammettenze

La relazione che consente di passare dal piano della variabile im-
pedenza a quello della variabile coefficiente di riflessione, può anche
essere scritta in termini di ammettenza:
1 1
−
Z (z) − Z0 Y (z) Y0 Y0 − Y (z)
Γ (z) = = = (1.69)
Z (z) + Z0 1 1 Y0 + Y (z)
+
Y (z) Y0
per cui rimane valida anche la relazione inversa
1 − Γ (z)
Y (z) = Y0 · (1.70)
1 + Γ (z)
Si può facilmente notare che la dipendenza funzionale è pressoché
identica, ad eccezione del segno del numeratore. Per ottenere quindi
la carta di Smith relativa alle ammettenze, basterà effettuare una tra-
sformazione di simmetria rispetto all’origine della carta relativa alle
impedenze, ottenendo la carta mostrata in Figura 1.11.
In tale carta, le ammettenze di tipo capacitivo (con parte immagi-
naria, o suscettanza positiva) occupano il semipiano Γi < 0, mentre
quelle di tipo induttivo (con suscettanza negativa) occupano il semipia-
no Γi > 0. Seppur scontato, vale la pena di ribadire che, nel piano dei
coefficienti di riflessione, un determinato valore di ammettenza (corri-
spondente ad una certa impedenza) occupa sempre la medesima posi-
zione, indipendentemente dalla trasformazione effettuata (tra la (1.46)
e la (1.69)) per individuarla. Si noti come nella Figura 1.11 siano stati
indicati i valori corrispondenti alle curve a suscettanza e conduttanza
costanti. Nel seguito, per convenzione si indicheranno soltanto i valori
relativi alle curve a resistenza e reattanza costante.
Gi
-j1
-j2 -j0.5
B<0
-j5 -j0.2
5 2 1 0.5 0.2 0
Gr
A B C
j5 j0.5
B>0
j2 j0.2
j1
Figura 1.11: Carta di Smith delle ammettenze.
Le due carte (delle impedenze e delle ammettenze) vengono spesso

utilizzate congiuntamente, sovrapponendole come nella Figura 1.12.
Nella Figura 1.13 viene poi mostrata una tipica implementazione
operativa della carta di Smith.
In tale carta, oltre alle due famiglie di cerchi derivanti dalle tra-
sformazioni dal piano Z e Y , sono presenti diverse altre scale utili alla
trasformazione ed alla manipolazione di un carico. In particolare, si
consideri la corona circolare più interna. Con tale scala, graduata in
gradi a partire dal circuito aperto, è possibile valutare l’effetto dell’in-
serzione (ruotando in senso orario) o della rimozione (ruotando in senso
antiorario) di un tratto di linea di trasmissione con una data lunghezza
elettrica (chiaramente fornita in gradi).
Parimenti, utilizzando le due scale più esterne, graduate in termi-
ni di frazioni di lunghezza d’onda, è possibile valutare l’effetto di una
linea muovendosi verso il generatore (toward generator, ossia aggiun-
gendo un tratto di linea, in senso orario) o muovendosi verso il carico
(toward load, ossia togliendo un tratto di linea, in senso antiorario).
Carta di Smith 45
Gi
j1
j0.5 j2
X>0 B<0
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
-j0.2 -j5
X<0 B>0
-j0.5 -j2
-j1
Figura 1.12: Carta di Smith ottenuta come sovrapposizione delle

carte dell’impedenza e dell’ammettenza.
Dalla definizione di coefficiente di riflessione lungo la linea infatti,

qui ripetuta per comodità:
V − · ejβz
Γ (z) = = Γ (0) · e2jβz = ΓL · e2jβz (1.71)
V + · e−jβz
se il sistema di riferimento viene cambiato invertendo il verso dell’asse
z, ossia considerando lunghezze positive se ci si allontana dal carico, si
ottiene:
Γ (z) = ΓL · e−2jβz (1.72)

Se, per maggiore generalità, si considera il caso con perdite, l’e-
spressione precedente diventa:
Γ (z) = ΓL · e−2αz · e−2jβz (1.73)

Quindi, se si aggiunge una linea (di impedenza caratteristica pari a
quella di normalizzazione) in serie ad un carico di coefficiente di rifles-
sione ΓL , il coefficiente di riflessione risultante avrà un modulo ridotto
Figura 1.13: Carta di Smith completa.
del fattore di attenuazione ed una fase che diminuisce, facendo ruotare

il carico in senso orario nel piano Γ.
Nel caso senza perdite, questo corrisponde ad una rotazione in sen-
so orario lungo una circonferenza di modulo |ΓL |, centrata nell’origine
(Z0 ). Si noti che la lunghezza elettrica della linea che consente di per-
correre una circonferenza completa vale π, e quindi una lunghezza pari
a λ/2. Per facilitare l’individuazione delle rotazioni di fase conseguenti
all’introduzione di una linea, quindi sulla carta di Smith è stata ag-
giunta la scala graduata esterna, normalizzata in frazioni di lunghezza
d’onda, cui si è già accennato.
Si considerino infine le espressioni che legano il V SW R lungo una
linea al coefficiente di riflessione del carico (1.57) e (1.58), e si noti la
coincidenza formale della (1.58) con la prima delle (1.46); quindi se si
Carta di Smith 47
considera una carta normalizzata sull’impedenza caratteristica di una

linea alla quale è collegato un carico di valore (normalizzato) ẐL , il
valore del V SW R risultante è direttamente ottenibile considerando la
circonferenza centrata sull’origine passante per ẐL e rilevando il valo-
re di resistenza (normalizzata) corrispondente all’intersezione di tale
circonferenza con l’asse positivo delle Γr (Figura 1.14).
Gi
j1
j0.5 j2
VSWR
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 1.14: Determinazione dei luoghi a VSWR costante.
Analogamente, un dato valore di V SW R può essere ottenuto soltan-

to se l’impedenza di carico è contenuta all’interno del cerchio centrato
sull’origine e con raggio pari alla distanza tra il centro e l’impedenza
normalizzata 1/V SW R. Tale semplice considerazione consente imme-
diatamente di verificare il valore di V SW R corrispondente ad un dato
carico (o impedenza di ingresso di una rete a due porte).
1.7.3 Comportamento in frequenza di circuiti semplici

È utile, allo scopo di individuare la natura (e quindi la costituzione)
di circuiti in fase di misura, determinare il comportamento in frequen-
za di semplici connessioni tra elementi concentrati. Infatti, come si
vedrà meglio nel seguito, ad esempio l’ingresso di un dispositivo attivo
ad effetto di campo, polarizzato in zona attiva, ha un comportamento
schematizzabile come la connessione in serie di un condensatore (Cgs ) e

di un resistore (Rgs ), mentre l’uscita ha tipicamente un comportamento
che segue quello di un condensatore (Cds ) con in parallelo un resistore
(Rds ). Quando invece si polarizza direttamente la giunzione schottky
di ingresso, il comportamento dell’ingresso rivela una componente in-
duttiva. Per riconoscere la natura del dispositivo su uno strumento di
misura che permetta di visualizzare tali comportamenti al variare del-
la frequenza, è utile saper riconoscere la presenza degli effetti citati,
a partire dal diagramma del coefficiente di riflessione corrispondente
tracciato sulla carta.
Se si considera la connessione in serie di un resistore e di un con-
densatore (circuito RC serie), e si suppone di partire da una frequenza
molto bassa, l’impedenza corrispondente sarà inizialmente molto pros-
sima al circuito aperto e, all’aumentare della frequenza, si muoverà su
una circonferenza a resistenza (normalizzata) costante e pari al valo-
re del resistore in serie. Al limite di frequenza infinita, il condensa-
tore potrà considerarsi un cortocircuito e il coefficiente di riflessione
corrispondente sarà puramente reale. La situazione è riportata nella
Figura 1.15 a sinistra, nella quale si suppone f1 << f2 .
A destra nella stessa Figura 1.15 è riportato l’andamento corrispon-
dente per un circuito RL serie.
j1 j1
Circuito Circuito
j0.5 j2 RC serie RL serie j0.5 j2
f2
j0.2 j5 j0.2 j5
f1
0 0.2 0.5 1 2 5 0 0.2 0.5 1 2 5
f1
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5

f2
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 1.15: Andamento sulla carta di Smith di circuiti serie di tipo

RC (sinistra) e RL (destra).
Considerando la connessione in parallelo di un condensatore e di

un resistore (circuito RC parallelo), è conveniente riferirsi alla rap-
presentazione in termini di ammettenza. A frequenze molto basse il
condensatore ha un’ammettenza trascurabile ed il circuito si compor-
Carta di Smith 49
ta essenzialmente come un semplice resistore, potendosi cosı̀ rappre-

sentare il coefficiente di riflessione corrispondente sull’asse reale del-
la carta. All’aumentare della frequenza, il coefficiente di riflessione
si muoverà su una circonferenza a conduttanza costante, aumentando
progressivamente la propria suscettanza, fino a raggiungere, nel limi-
te di frequenza infinita, il cortocircuito. Il comportamento risultante è
mostrato a sinistra nella Figura 1.16, a destra della quale è indicato il
corrispondente andamento per una connessione di tipo RL parallelo.
j1 j1
Circuito RC Circuito RL
j0.5 j2 parallelo parallelo j0.5 j2
f2
j0.2 j5 j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5 0 f1 0.2 0.5 1 2 5

f1
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5

f2
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 1.16: Andamento sulla carta di Smith di circuiti parallelo di

tipo RC (sinistra) e RL (destra).
Se si considera ora un circuito risonante di tipo serie (ossia costitui-

to dalla connessione in serie di un resistore, induttore e condensatore),
a frequenza molto bassa prevale il comportamento di tipo capacitivo e
l’impedenza risultante è praticamente un circuito aperto. Stesso com-
portamento si ha nel limite di frequenza infinita, in cui l’induttore apre
il circuito serie, che ancora una volta ha un’impedenza schematizzabile
con un circuito aperto. A frequenze intermedie, in ogni caso la parte
reale dell’impedenza rimane costante e pari al valore del resistore. Il
punto corrispondente in termini di coefficiente di riflessione si muoverà
cosı̀ comunque su una circonferenza a resistenza costante
√ e pari a tale
valore. Alla risonanza, ovvero quando f = 1/2π · LC, l’impedenza
risulterà puramente reale e il percorso del coefficiente di riflessione at-
traverserà quindi l’asse reale, facendo cambiare il comportamento del
circuito da capacitivo a induttivo. Il comportamento descritto è illu-
strato in Figura 1.17 a sinistra, mentre il comportamento del circuito
duale, un risonatore RLC parallelo, è mostrato a destra. In questo caso
conviene considerare ancora l’ammettenza.
j1 j1
Circuito RLC Circuito RLC
j0.5 j2 serie parallelo j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
f2 f1
0 0.2 0.5 1 2 5 0 0.2 0.5 1 2 5
f1 f2
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 1.17: Andamento sulla carta di Smith di circuiti RLC risonanti

serie (sinistra) e parallelo (destra).
Si consideri infine un tratto di linea di trasmissione caratterizzato

da un’impedenza caratteristica pari a quella di normalizzazione della
carta (ossia ZC = Z0 ), una costante di propagazione puramente imma-
ginaria (γ = j · β, linea senza perdite) ed una data lunghezza fisica l,
collegato alla porta di uscita ad un carico avente coefficiente di rifles-
sione ΓL . A frequenze basse, la lunghezza elettrica della linea, fornita
da
2πl 2πlf
βl = = (1.74)
λ c
sarà anch’essa molto piccola e quindi il coefficiente di riflessione in
ingresso alla linea coinciderà con ΓL . All’aumentare della frequenza,
in accordo con la (1.74), aumenterà la lunghezza elettrica della linea
e il coefficiente di riflessione in ingresso comincerà a ruotare, in senso
orario, su una circonferenza centrata nell’origine e di raggio pari al
modulo di ΓL , come mostrato in Figura 1.18. Un giro completo della
carta sarà percorso quando tale lunghezza elettrica avrà raggiunto π
(ossia mezza lunghezza d’onda), ossia alla frequenza data da:
c
f = f2 = (1.75)
2l
Si noti che il verso di percorrenza, all’aumentare della frequenza, di
tutti i circuiti presentati, che hanno in comune la caratteristica di pas-
sività, è di tipo orario, visto che la reattanza delle impedenze aumenta
Carta di Smith 51
j1
j0.5 j2
f2 GL
j0.2 f1 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 1.18: Andamento sulla carta di Smith dell’impedenza di in-

gresso di una linea senza perdite con impedenza carat-
teristica pari a quella di normalizzazione e carico non
adattato.
al pari della suscettanza delle ammettenze. Tale comportamento è giu-

stificabile in generale, come derivabile dal teorema della reattanza di
Foster∗ .
1.7.4 Carta di Smith per carichi attivi

Ci si è limitati, nell’introdurre la carta di Smith, a considerare ca-
richi passivi, ossia con parte reale dell’impedenza o dell’ammettenza
positiva. Nella trattazione di circuiti oscillanti o nella valutazione del-
le condizioni di innesco, si devono considerare invece anche carichi di
tipo attivo. La trasformazione (1.46) è comunque valida anche nel caso
più generale di parte reale arbitraria, effettuando una mappa comple-
ta del piano delle impedenze o ammettenze nel piano dei coefficienti di
riflessione. La regione del piano dei coefficienti di riflessione conside-
rata in questo caso non è limitata dal cerchio unitario ma comprende
l’intero piano. Le espressioni delle circonferenze a resistenza costan-
te (1.64), a reattanza costante (1.67) e le loro controparti in termini di
∗
Si può dimostrare che una rete di bipoli L e C, presenta ai morsetti di accesso A-B,
una reattanza equivalente che è sempre crescente con la pulsazione, tranne nei poli, in
cui si verifica una discontinuità di seconda specie (pulsazioni di risonanza parallelo).
Avremo quindi in un diagramma X(ω) un’alternanza di zeri – pulsazioni di risonanza
serie - e di poli – pulsazioni di risonanza parallelo.
conduttanza e suscettanza continuano ad essere valide, dando luogo

alla carta di Smith espansa mostrata in Figura 1.19.
Gi
^ ^ ^ ^
G < -1 G = -1 R = -1 R < -1
^ ^
G=0 R=0
^
R>0
^
G>0
Gr
^
R>0
^
G>0
^ ^
G = -1 R = -1
G
^ ^
-1 < G < 0 -1 < G < 0
^ ^
-1 < R < 0 -1 < R < 0
Figura 1.19: Carta di Smith per carichi attivi.
In tale carta espansa, la regione di piano a destra della retta Γr = 1

corrisponde ai carichi con resistenza R̂ < −1 (ossia carichi a parte reale
dell’impedenza negativa e minore dell’impedenza di normalizzazione);
la regione di piano a sinistra della retta Γr = −1 corrisponde ai carichi
con conduttanza Ĝ < −1 (ossia carichi a parte reale dell’ammettenza
negativa e minore dell’ammettenza di normalizzazione); la regione di
piano compresa tra le due precedenti (eccettuata la regione del cerchio
unitario, la carta di Smith tradizionale) corrisponde invece a carichi
con conduttanza −1 < Ĝ < 0 e resistenza −1 < R̂ < 0.
1.8 Carta di Carter

La carta di Smith è di gran lunga lo strumento grafico maggiormen-
te utilizzato nelle applicazioni ad alta frequenza. Essenzialmente essa
trasforma il sistema cartesiano Z = R + jX nel piano dei coefficienti di
Carta di Carter 53
riflessione. Chiaramente sono possibili altre rappresentazioni grafiche

che differiscono sia per la rappresentazione del dominio trasformando
che per quella del dominio di destinazione.
Una seconda possibilità infatti consiste nel trasformare il sistema
di coordinate polari Z = |Z| · exp (jϕz ) nello stesso piano del coefficien-
te di riflessione Γ. In questo caso la carta risultante mostrerà quindi
luoghi di punti a modulo e fase di impedenza costanti. Il diagramma
risultante prende il nome di Abaco di Carter o Carta di Carter∗ .
Per derivare tale abaco, analogamente alla procedura seguita nel
caso della carta di Smith, si considerino i luoghi di punti a modulo
di impedenza costante (circonferenze) nel piano Z. Fissato il modu-
lo dell’impedenza al valore k, un generico punto sarà caratterizzato
dall’impedenza (normalizzata):
q
Ẑ = k 2 − X̂ 2 + j X̂ (1.76)
e nel piano dei coefficienti di riflessione si avrà:
p
Ẑ − 1 k 2 − X̂ 2 + j X̂ − 1
Γr + jΓi = = p =
Ẑ + 1 k 2 − X̂ 2 + j X̂ + 1
p
k 2 − X̂ 2 − 1 + j X̂
= p =
k 2 − X̂ 2 + 1 + j X̂
k 2 − 1 + 2j X̂
= p (1.77)
k 2 + 1 + 2 k 2 − X̂ 2
Uguagliando le parti reali ed immaginaria ed eliminando il para-
metro X̂, si ottiene la famiglia di curve (circonferenze) :
k2 + 1
Γ2r + Γ2i − 2 · · Γr + 1 = 0 (1.78)
k2 − 1
caratterizzata da centro e raggio forniti rispettivamente dalle:
Ã !
k2 + 1
C||Ẑ |=k = ; 0
k2 − 1
(1.79)
2k
R||Ẑ |=k = 2
|k − 1|
∗
P.S.Carter, “Charts for Transmission Line Measurements and Computation,”
Radio Corporation of America Review, Vol. III, N.3, January 1939, pp. 355-368.
Graficamente tale famiglia di curve si presenta come nella Figu-

ra 1.20.
^
|Z| = 0
^ ^
|Z| < 1 |Z| > 1
X Gi
R Gr
^
R=0
Z G
Figura 1.20: Costruzione della famiglia di curve a modulo di impeden-

za costante nel piano dei coefficienti di riflessione.
Si noti che i centri di tale famiglia di circonferenze giacciono sul-

l’asse reale dei coefficienti di riflessione. Al limite di modulo dell’impe-
denza nullo la famiglia di circonferenze degenera nel punto corrispon-
dente al cortocircuito, mentre nel limite di modulo infinito la famiglia
degenera nel circuito aperto. Infine, i cerchi corrispondenti a moduli
superiori all’unità (ossia maggiori dell’impedenza di normalizzazione),
sono interamente contenuti nel semipiano destro del coefficiente di ri-
flessione, mentre moduli inferiori in quello sinistro. La famiglia dege-
nera nell’asse immaginario per impedenza normalizzata pari a quella
di normalizzazione.
Analogamente, si considerino i punti a fase dell’impedenza costan-
te. Fissata tale fase al valore ϕ, un generico punto sarà rappresentato
dall’espressione:
¯ ¯ ¯ ¯ ¯ ¯
¯ ¯ ¯ ¯ ¯ ¯
Ẑ = ¯Ẑ ¯ · exp (jϕ) = ¯Ẑ ¯ · cos (ϕ) + j · ¯Ẑ ¯ · sin (ϕ) (1.80)
e, trasformando tramite la (1.46),
¯ ¯ ¯ ¯
¯ ¯ ¯ ¯
¯Ẑ ¯ · cos (ϕ) − 1 + j · ¯Ẑ ¯ · sin (ϕ)
Γr + j · Γi = ¯¯ ¯¯ ¯ ¯
¯ ¯ (1.81)
¯Ẑ ¯ · cos (ϕ) + 1 + j · ¯Ẑ ¯ · sin (ϕ)
dalla quale, uguagliando
¯ ¯ le parti reale ed immaginaria ed eliminando
¯ ¯
il parametro ¯Ẑ ¯, si ottiene la famiglia di circonferenze:
Γ2r + Γ2i + 2 · cot (ϕ) · Γi − 1 = 0 (1.82)

Carta di Carter 55
caratterizzata da centro e raggio forniti dalle:
C|arg(Ẑ )=ϕ = (0; − cot (ϕ))
1 (1.83)
R|arg(Ẑ )=ϕ =
|sin (ϕ)|
Come si può facilmente verificare nella Figura 1.21, le circonferenze
di tale famiglia passano tutte per i due punti (±1; 0), ossia cortocircuito
e circuito aperto.
Gi
^ = p/2
arg(Z)
^ >0 Gr
R ^ =0 arg(Z)
arg(Z)
^ =0 ^
arg(Z) < 0
arg(Z)
^
R=0 ^ = -p/2
arg(Z)
Z G
Figura 1.21: Costruzione della famiglia di curve con fase di impeden-

za costante nel piano dei coefficienti di riflessione.
A differenza di quanto ottenuto nel caso dei luoghi a resistenza e

conduttanza costante della carta di Smith, i luoghi di punti di parten-
za (ossia circonferenze a modulo di impedenza costante e rette a fase
dell’impedenza costante) non corrispondono completamente a carichi
passivi o attivi. Di conseguenza, le circonferenze trasformate nel pia-
no del coefficiente di riflessione saranno in parte interne ed in parte
esterne al cerchio unitario (in realtà questo avveniva anche nel caso
dei luoghi a reattanza e suscettanza costante nella carta di Smith). Se
si considerano però soltanto le semirette a fase costante, è possibile
ottenere nel piano dei coefficienti di riflessione soltanto dei tratti di

circonferenza, ed in particolare quelli interni al cerchio unitario se si
considerano i soli carichi passivi.
Unendo le due famiglie di curve appena trovate e considerando sol-
tanto i luoghi a resistenza positiva (carichi passivi) interni al cerchio
unitario, si ottiene la carta di Carter (Figura 1.22), nella quale i luoghi
di punti sono parametrizzati in modulo di impedenza normalizzata e
fase dell’impedenza (in radianti).
^ Gi ^
|Z| < 1 |Z| > 1
3.0
2.0
1.5
1.0
0.75 1 0.5 1.25

0.5 2
0.3 0.0
3 Gr
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-3.0
Figura 1.22: Carta di Carter.
Si noti che, dato un carico, è possibile definire per esso un fattore

di qualità Q, che risulta essere, nel caso di carico serie o parallelo,
rispettivamente:
XL BL
Qserie = , Qparallelo = (1.84)
RL GL
Quindi le curve a fase dell’impedenza costante sulla carta di Carter
rappresentano anche curve a fattore di qualità costante, e in base a tale
valore possono essere riportate sulla carta (anziché in radianti). Tale
considerazione risulta essere particolarmente utile nell’adattamento a
Linee di trasmissione a microstriscia 57
larga banda, laddove si voglia utilizzare il metodo delle sezioni a fattore

di qualità costante, come si vedrà nel seguito.
1.9 Linee di trasmissione a microstriscia

È la forma di struttura guidante più comune nei circuiti integrati,
sia ibridi che monolitici, a microonde ed onde millimetriche. Una vista
in sezione della struttura è mostrata nella Figura 1.23.
Metallizzazione
superiore
t Substrato
h W er dielettrico
Piano di massa metallico
Figura 1.23: Schematizzazione in sezione di una linea a microstriscia.
Per la sua realizzazione, tipicamente effettuata con processi fotoli-

tografici, vengono usati sia substrati dielettrici soffici (materie plasti-
che flessibili e a basso costo) che substrati più rigidi (tipicamente con
migliori prestazioni elettriche).
I materiali più comunemente utilizzati tra quelli soffici sono di tipo
plastico (Duroid o altre denominazioni equivalenti), con costanti die-
lettriche relative variabili in un ampio intervallo di valori, da 2.2 ad
oltre 20. I materiali rigidi possono essere sia dielettrici ceramici (tra
cui l’allumina ed il quarzo) che di tipo semiconduttore, nella versio-
ne semi-isolante, ossia non drogata (Si, GaAs, InP, GaN, SiC ed altri).
Gli spessori del dielettrico sono di norma standardizzati per la realiz-
zazione di circuiti ibridi, in funzione del tipo di dielettrico utilizzato.
Gli spessori maggiormente utilizzati sono di 25, 20, 10, 5 mil (millesimi
di pollice, circa 25.4 µm) per dielettrici di tipo ceramico. Una serie di
caratteristiche di maggiore dettaglio è riportata nella Tabella 1.1.
Il metallo utilizzato per i conduttori (sia per il piano di massa che
per la metallizzazione superiore) è rame o oro, con strati di aderenza
formati da miscele di altri metalli.
Tabella 1.1: Caratteristiche dei materiali dielettrici più utilizzati.

Conducibilità
termica Emax
tan(d) K x 10
3
Materiale er -4
x 10 [W/cm K] [kV/cm]
Zaffiro 11.7 1.0 0.4 4.0

Allumina (Al2O3) 9.7 2.0 0.3 4.0
Quarzo 3.8 1.0 0.01 10.0
Polistirene 2.5 4.7 0.0015 0.28
BeO 6.6 1.0 2.5 --
GaAs (SI) 12.3 16.0 0.3 0.35
Si (SI) 11.7 50.0 0.9 0.3
3M 250 tipo GX 2.5 19.0 0.0026 0.2
Keene Dl-clad 527 2.5 19.0 0.0026 0.2
Rogers 5870 2.35 12.0 0.0026 0.2
3M Cu-clad 233 2.33 12.0 0.0026 0.2
Keene Dl-clad 870 2.33 12.0 0.0026 0.2
Rogers 5880 2.20 9.0 0.0026 0.2
3M Cu-clad 217 2.17 9.0 0.0026 0.2
Keene Dl-clad 880 2.20 9.0 0.0026 0.2
Rogers 6010 10.5 15.0 0.004 0.16
3M epsilam 10 10.2 15.0 0.004 0.16
Keene Dl-clad 810 10.2 15.0 0.004 0.16
Aria 1.0 0.0 0.00024 0.03
La struttura a microstriscia è di tipo non omogeneo (trasversalmen-

te è costituita da due dielettrici diversi) e non permette cosı̀ la propaga-
zione di modi TEM, ma soltanto di modi quasi-TEM. La configurazione
di campo elettromagnetico risultante è cosı̀ costituita da una compo-
nente elettrica diretta dal conduttore centrale al piano di massa e da
una componente magnetica le cui linee di forza avvolgono il conduttore
centrale, come schematicamente semplificato nella Figura 1.24.
E E
er
Figura 1.24: Configurazione del modo quasi-TEM per una micro-

striscia.
L’analisi elettromagnetica esatta della struttura è molto comples-

sa, ma una discreta approssimazione può essere effettuata nell’ipo-
tesi quasi-statica∗ . A tale scopo si considera la microstriscia con il

dielettrico rimosso e sostituito con aria, come in Figura 1.25.
Metallizzazione
superiore h
t
W
Piano di massa metallico
Figura 1.25: Microstriscia con dielettrico rimosso.
L’impedenza caratteristica di tale struttura guidante (ZC0 ) vale:

s
L00 1
ZC0 = = c0 · L00 =
C00 c0 · C00 (1.85)
1
con c0 = √
µ0 · ε0
ove L00 e C00 rappresentano rispettivamente induttanza e capacità

per unità di lunghezza della struttura. In presenza del dielettrico,
l’impedenza caratteristica ZC sarà:
s
L 1
ZC = = vph · L = (1.86)
C vph · C
ove ora L e C riguardano il caso con dielettrico. L’induttanza per unità

di lunghezza, non dipendendo dal dielettrico ma soltanto dalle carat-
teristiche geometriche dei conduttori, deve essere la stessa nei due
casi:
L ≡ L00 (1.87)
∗
Maggiori dettagli sull’analisi della struttura, assieme ad un’analoga analisi del-
la guida coplanare, possono trovarsi nel testo G.Ghione, M.Pirola, “Elettronica delle
Microonde,” Otto Editore, 2003.
Imponendo tale relazione, si trova, per l’impedenza caratteristica

della microstriscia con dielettrico:
1
ZC = √ (1.88)
c0 · C · C00
Quindi, per determinare l’impedenza caratteristica, si devono de-
terminare le capacità per unità di lunghezza nei due casi con o senza
dielettrico. Tale calcolo si può effettuare per mezzo di trasformazioni
conformi che trasformino la struttura lateralmente indefinita in una
struttura chiusa. Senza entrare nel dettaglio del procedimento, ven-
gono date di seguito delle espressioni di analisi (di natura empirica e
tra le tante presenti in letteratura) che permettono, fissato il rapporto
W /h e la costante dielettrica εr , di determinare ZC .
Per microstrisce strette (W /h < 3.3):
  vÃ !   

 u 4 
 2
ln  
119.9  4h u
t 4h  1 εr − 1  π
ln + π 
ZC = p ln  + + 2 −
2 (εr + 1) 
 W W 2 εr + 1  2 εr  
 
(1.89)
Per microstrisce larghe (W /h > 3.3):
119.9
√
2 εr
ZC = ( Ã ! " Ã !#)
W ln 4 eπ 2 εr − 1 εr + 1 eπ W
+ + ln + ln + ln + 0.94
2h π 16 2πε2r 2πεr 2 2h
(1.90)
Nella Figura 1.26 è mostrato l’andamento dell’impedenza caratteri-
stica al variare del rapporto W /h , per quattro materiali con differenti
costanti dielettriche relative.
Si può notare che microstrisce strette presentano un’impedenza ca-
ratteristica elevata, mentre microstrisce larghe sono caratterizzate da
una bassa impedenza caratteristica. Chiaramente questo è conseguen-
za della prevalenza, per queste ultime, della capacità per unità di lun-
ghezza, come si può notare già dalla (1.88). Dall’analisi della Figu-
ra 1.26 si può notare che, per linee realizzate su substrati con costanti
dielettriche elevate (ossia superiori a 10), un’impedenza caratteristica
vicina ai 50 Ω si ottiene per un rapporto W /h ≈ 1, ossia per linee larghe
quanto l’altezza del substrato.
3
10
5.10
2
2.102
2
10
ZC 5.101
[W]
2.10
1
er
1
10 2.5
5.10
0
5.0
7.0
2.100
9.9
100
2.10-1 5.10-1 2.100 5.100 2.10
1
10-1 100 101 5.10
1 2
10
W/h
Figura 1.26: Andamento dell’impedenza caratteristica di una micro-

striscia al variare del rapporto W/h per diverse costanti
dielettriche relative.
Per quanto riguarda la lunghezza elettrica, bisogna introdurre il

concetto di costante dielettrica efficace, εr,ef f , che tiene in conto del fat-
to che la struttura a microstriscia è formata da due dielettrici diversi
(il dielettrico tra i due conduttori e l’aria soprastante); essa è definita
come il rapporto (al quadrato) tra velocità di fase del campo nel vuoto
e nel mezzo:
Ã !2
∆ c0
εr,ef f = (1.91)
vph
Nel caso di linee molto larghe (W /h >> 1), il campo si concentra

principalmente nel dielettrico tra i conduttori, al di sotto della metal-
lizzazione superiore (similmente a quanto avviene in un condensatore
a piatti piani e paralleli):
εr,ef f ≈ εr (1.92)
Per linee strette (W /h << 1), invece il campo si distribuisce equa-
mente nel dielettrico e nell’aria soprastante:
1
εr,ef f ≈ · (εr + 1) (1.93)
2
Quindi in generale:
1
· (εr + 1) < εr,ef f < εr (1.94)
2
Esistono per la costante dielettrica efficace diverse espressioni ap-

prossimate, quali ad esempio la seguente:
Ã !−0.555
εr + 1 εr − 1 h
εr,ef f = + · 1 + 10 · (1.95)
2 2 W
A titolo di esempio, viene mostrato nella Figura 1.27 l’andamen-
to della costante dielettrica efficace al variare del rapporto W /h, per
materiali caratterizzati da tre differenti costanti dielettriche.
3.5
3.0
er, eff
2.5
e r
2.5
2.0 9.9
12.8
1.5
1.0
2.10 5.10 2.10 5.10
-1 -1 -1 0 0 0
10 10
W/h
Figura 1.27: Andamento della costante dielettrica efficace al variare

del rapporto W/h per diversi materiali.
Determinata la εr,ef f , la lunghezza d’onda nella struttura sarà:
λ0 c0
λ= √ = √ (1.96)
εr,ef f f · εr,ef f
L’espressione sopra riportata (1.96) deve tener poi conto del fat-
to che la costante dielettrica efficace è essa stessa dipendente dalla
frequenza, ossia la microstriscia è un mezzo dispersivo: nella Figu-
ra 1.28 viene mostrato l’andamento della εr,ef f al variare della fre-
quenza per due materiali differenti, caratterizzati da diversi spesso-
ri del dielettrico, costanti dielettriche e perdite (ossia spessori delle
metallizzazioni).
La lunghezza fisica l di una microstriscia di lunghezza elettrica Θ
sarà cosı̀:
2π Θ
Θ = βl = ·l ⇒ l = ·λ (1.97)
λ 2π
In un’analisi più accurata bisognerà poi tenere conto di ulteriori
effetti, finora non discussi, tra cui:
10
9
er = 9.8
8
h = 635 µm
er, eff 7 t = 35 µm
6
4
er = 2.2
h = 1565 µm
3
t = 35 µm
2
1 -1 0 1 2
10 10 10 10
f [GHz]
Figura 1.28: Andamento con la frequenza della costante dielettrica

efficace per due tipiche microstrisce.
• Perdite nel metallo e nel dielettrico: l’analisi di questi casi può

essere fatta introducendo lo spessore finito dei metalli (t) ed una
costante dielettrica complessa. A titolo di esempio si riporta in Fi-
gura 1.29 l’andamento dell’attenuazione, in dB/cm, per una tipica
linea al variare del rapporto W /h , suddivisa nelle componenti nel
metallo αc e nel dielettrico αd . Come si può facilmente notare la
prima decresce per linee larghe, mentre la seconda tende a cre-
scere. Si tenga presente che i dati sono relativi ad una frequenza
di 1 GHz.
100
10-1
a er = 2.2
[dB/cm] h = 500 µm ac
t = 35 µm
10-2 s = 4.1.107 S/m
tan(d) = 10-3 ad
10-3 -2
10
-1
10 100 10
1
W/h
Figura 1.29: Andamento delle perdite nel metallo e nel dielettrico al

variare del rapporto W/h.
• Shielding (inscatolamento): la struttura a microstriscia è ideal-

mente indefinita. Nelle applicazioni pratiche, le dimensioni so-

no ovviamente finite sia in senso longitudinale che trasversale, e
la struttura viene inoltre racchiusa in un alloggiamento (packa-
ge); gli effetti dell’inscatolamento e delle dimensioni finite devo-
no quindi essere tenuti in conto, in particolar modo se le pareti
sono ad una distanza dalle linee comparabile con le loro dimen-
sioni trasversali e/o longitudinali. Questo può essere comunque
effettuato soltanto ricorrendo a programmi di analisi che risolva-
no in maniera numerica le equazioni di Maxwell applicate alla
struttura (programmi full-wave).
1.9.1 Discontinuità a microstriscia

La struttura analizzata finora è stata considerata uniforme e in-
definita, in modo da consentire la propagazione in una direzione pre-
ferenziale al solo modo dominante (quasi-TEM). In presenza di una
variazione locale delle caratteristiche fisiche o geometriche della strut-
tura, vengono localmente eccitati modi che, in condizioni normali, non
si propagano ma si attenuano in maniera esponenziale all’allontanarsi
dalla discontinuità (sono normalmente sotto cut-off ).
Si tenga presente che l’introduzione di discontinuità è inevitabile e
talvolta voluta per progetto, in modo che il circuito nel suo complesso
abbia le dimensioni volute (è il caso dei bend o curve), abbia compor-
tamento selettivo in frequenza o si debba semplicemente provvedere
al percorso dell’alimentazione. A titolo di esempio si riporta in Figu-
ra 1.30 un layout tipico di una sezione di circuito a microstriscia vista
dall’alto (metallizzazione superiore), nel quale sono evidenziate alcune
discontinuità di uso comune.
In ogni caso la discontinuità deforma localmente la configurazione
di campo, assorbendo energia reattiva (o anche attiva, se la disconti-
nuità è generata da un elemento metallico con perdite). Inoltre, in pre-
senza di due o più discontinuità tra loro vicine (in termini di lunghezza
d’onda), i modi superiori eccitati possono tra di loro interagire a for-
mare una configurazione di campo che, per determinate frequenze, può
presentare anche fenomeni di notevole modifica delle caratteristiche
propagative (ad es. zeri di trasmissione).
L’analisi delle discontinuità nelle strutture guidanti viene effettua-
ta in maniera rigorosa isolando la discontinuità e inscatolando il tratto
di struttura trasmissiva. Le equazioni di Maxwell vengono quindi risol-
te, tipicamente con metodi numerici, a fornire i parametri di diffusione
del tratto di struttura considerato.
Bend
Giunzione a T
Salto di Gap
impedenza capacitivo
Bend
Piazzole di
taratura
Stub
aperto
Foro passante
verso la massa
(stub in corto)
Figura 1.30: Esempio di layout per un circuito a microstriscia con

evidenziate le discontinuità.
Più semplicemente, per comprendere l’effetto della discontinuità in-

trodotta o per schematizzarne il comportamento, può essere utile deri-
vare un circuito equivalente concentrato che approssimi al meglio il
comportamento della discontinuità: tale tipo di rappresentazione è ov-
viamente poco accurato, concentrando, tra l’altro, in un punto l’effetto
della discontinuità.
Di seguito vengono indicate le discontinuità più comuni a micro-
striscia, fornendone un circuito equivalente a costanti concentrate. In
particolare, sono frequentemente utilizzate:
• Circuito aperto (Figura 1.31), per la realizzazione di stub aperti o

in generale per la sintesi di elementi in parallelo con comporta-
mento reattivo.
Dl
Figura 1.31: Vista e circuito equivalente di un circuito aperto.
• Gap capacitivi (Figura 1.32), per la realizzazione di condensatori

di blocco per la continua, ottenuti semplicemente interrompendo
il conduttore della linea e riprendendolo a una distanza che fissa

il valore di capacità risultante.
jBA
jBC jBC
Figura 1.32: Vista e circuito equivalente di un gap capacitivo.
• Salti di impedenza (Figura 1.33), per la realizzazione di circuiti

di adattamento o filtraggio e consistenti in una variazione locale
della larghezza della metallizzazione superiore.
Figura 1.33: Vista e circuito equivalente di un salto di impedenza.
• Giunzioni a T ed a Croce (Figura 1.34), per provvedere all’inse-

rimento di stub di adattamento in derivazione sulla linea o per
fornire le alimentazioni in continua necessarie alla polarizzazio-
ne.
Figura 1.34: Vista e circuito equivalente di una giunzione a T.

Linee di trasmissione coplanari 67
1.10 Linee di trasmissione coplanari

La guida d’onda coplanare (coplanar waveguide, CPW) è sicuramen-
te la struttura trasmissiva più diffusa, dopo la microstriscia, per la
realizzazione di circuiti integrati a microonde ed onde millimetriche,
soprattutto in forma monolitica.
La sua struttura di base è mostrata in sezione nella Figura 1.35.
gnd gnd
t
S W S
2a h
2b
er
Figura 1.35: Struttura in sezione di una guida d’onda coplanare.
Come mostrato in figura, le metallizzazioni sono in questo caso pre-

senti su un solo lato del dielettrico. Quest’ultimo può essere un die-
lettrico isolante o più comunemente un semiconduttore, vista l’ampia
utilizzazione nei circuiti integrati monolitici. La struttura di base non
supporta modi di propagazione TEM ma quasi-TEM. I modi quasi-
TEM supportati sono due, pari e dispari, vista la simmetria rispetto al
conduttore centrale; normalmente però si cerca di far operare la strut-
tura col solo modo pari (ossia con i conduttori laterali equipotenziali e
a massa), cercando di sopprimere l’insorgenza del modo dispari∗ . Le
configurazioni di campo dei due modi quasi-TEM sono mostrate nella
Figura 1.36.
La presenza dei piani di massa laterali rende la realizzazione di cir-
cuiti basati su tale struttura trasmissiva decisamente più complessa
che nel caso della struttura a microstriscia, sia per gli ingombri risul-
tanti che per la necessità di dover ribadire l’equipotenzialità dei due
piani di massa ad ogni sezione (in generale in presenza di qualsiasi
discontinuità).
∗
L’insorgenza del modo dispari, indipendentemente dalle condizioni di lancio, è
possibile in presenza di una qualsiasi asimmetria locale della struttura, in corrispon-
denza della quale vengono di solito effettuati dei ponticelli per ribadire l’eguaglianza
del potenziale sui due conduttori laterali (air bridge).
E H E E H E
er er
Figura 1.36: Configurazione del campo elettromagnetico per i due

modi quasi-TEM in una linea coplanare, di tipo pari
(sinistra) e dispari (destra).
D’altra parte la guida coplanare ha il vantaggio indubbio di non

necessitare di fori passanti per le interconnessioni verso massa (che
in questo caso si trova sullo stesso piano), consentendo cosı̀ un facile
montaggio di componenti che debbano ivi essere connessi (si pensi a
transistori con il terminale comune a massa). Tale possibilità poi mini-
mizza anche l’effetto di eventuali parassiti introdotti dallo stesso foro
passante, oltre a semplificare dal punto di vista tecnologico la realiz-
zazione: grazie a tale caratteristica infatti, si possono evitare tutte le
operazioni di allineamento per il backside processing, che si riduce in
questo caso ad un semplice assottigliamento del dielettrico.
La struttura classica, indicata nella Figura 1.35, deve poi tener con-
to di due effetti chiave: il primo consiste nella presenza di una metalliz-
zazione inferiore (conductor-backed CPW), se non altro dovuta al mon-
taggio del circuito realizzato su un supporto metallico, e che dà origine
alla struttura modificata indicata nella Figura 1.37 a sinistra.
Inoltre, i piani di massa laterali devono necessariamente interrom-
persi (se non altro per consentire la realizzazione di circuiti compatti),
dando cosı̀ origine alla struttura indicata nella Figura 1.37 a destra.
gnd gnd gnd gnd
t t
S W S
S W S
2a
2a h 2b h
2b
er er 2c
A) B)
Figura 1.37: Struttura di una guida d’onda coplanare A) con piano di

massa inferiore e B) con piani di massa laterali finiti.
Anche nel caso della guida coplanare la struttura è analizzabile con

il metodo delle trasformazioni conformi, dal quale sono poi derivabili
espressioni che forniscono l’impedenza caratteristica della struttura.
A differenza della microstriscia, se il substrato è abbastanza spesso (ed
è questo il caso più comune), l’impedenza caratteristica non dipende,
in prima approssimazione, dallo spessore del substrato (h in figura) ma
soltanto dal rapporto W /S tra la larghezza del conduttore centrale W
e la spaziatura S che separa questo dai due piani di massa laterali.
Dalla figura, in alternativa si può utilizzare il rapporto k = 2a/2b tra
la larghezza del conduttore centrale 2a = W e la distanza complessiva
tra i piani di massa 2b.
Dipendendo l’impedenza caratteristica da tale rapporto, è possibile,
variando soltanto la spaziatura con i piani di massa, realizzare impe-
denze diverse a parità di dimensioni della striscia conduttrice centrale.
L’impedenza caratteristica della struttura classica è esprimibile co-
me:
30π K (k 0 )
ZC = √ · (1.98)
εr,ef f K (k 0 )
dove K (k) è l’integrale ellittico completo del primo tipo, per il quale si
ha
Z1
dt
K (x) = p (1.99)
(1 − t2 ) · (1 − x2 · t2 )
0
ed inoltre
p
k0 = (1 − k 2 ) (1.100)
Per linee con k ∈ (0, 0.7) si può approssimare il rapporto tra gli
integrali con:
Ã √ !
K (k 0 ) 1 1 + k0
≈ ln 2 · √ (1.101)
K (k) π 1 − k0
mentre per linee con k ∈ (0.7, 1) si può approssimare l’inverso del
rapporto tra gli integrali con:
Ã √ !
K (k) 1 1+ k
≈ ln 2 · √ (1.102)
K (k 0 ) π 1− k
100
90
80
ZC 70
[W] 60
50
40
30
20
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
a/b
Figura 1.38: Tipico andamento dell’impedenza caratteristica di una

linea coplanare in funzione del rapporto a/b.
Da tali espressioni si può diagrammare l’andamento dell’impedenza

caratteristica al variare di k per una data costante dielettrica efficace,
come mostrato nella Figura 1.38.
0.6 e = 9.8
r
W = 600 µm
t = 5 µm
0.4
s = 4.1.107 S/m
a tan(d) = 10-3
[dB/cm]
0.2
ac
ad
0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
a/b
Figura 1.39: Tipico andamento dell’attenuazione di una linea copla-

nare a 10 GHz.
Le attenuazioni risultanti della struttura sono paragonabili a quel-

le della microstriscia e comunque ancora funzioni del rapporto a/b. A
titolo di esempio si riporta in Figura 1.39 un andamento tipico del-
l’attenuazione di una linea, suddividendola nelle due componenti, nel
metallo e nel dielettrico, al variare del rapporto dimensionale a 10 GHz
per un dielettrico tipico.
Anche nel caso della guida coplanare nella realizzazione di un cir-
cuito si devono necessariamente introdurre delle discontinuità nella
struttura idealmente uniforme. Nella Figura 1.40 viene mostrato un

tipico esempio di circuito (lo stesso della Figura 1.30) realizzato utiliz-
zando la guida d’onda coplanare come struttura trasmissiva.
Air
Salto di
Giunzione a T bridge
impedenza
Bend
Gap
capacitivo
Bend
Piazzole di
taratura Air
bridge
Stub
aperto Connessione
verso la massa
(stub in corto)
Figura 1.40: Tipico esempio di layout di circuito a CPW con indicate

le principali discontinuità.
Si noti come in questo caso il collegamento a massa avvenga sem-

plicemente con un ponte in aria (air bridge) e non coinvolga fori pas-
santi verso la metallizzazione inferiore, cosı̀ facilitando il potenziale
inserimento di dispositivi attivi a tre terminali con il terminale comu-
ne connesso ad un potenziale di riferimento. Per i circuiti equivalenti
delle discontinuità in guida d’onda coplanare e una loro trattazione
dettagliata, si rimanda alla letteratura specialistica∗ .
∗
Si veda ad esempio il testo R. N. Simons, “Coplanar waveguide components,
circuits and systems,” John Wiley and Sons, 2001.
1.11 Esercizi
1. Si consideri una linea in aria senza perdite con un’impedenza ca-
ratteristica ZC = 25 Ω e di lunghezza l = 2 mm. Si calcoli il
valore dell’impedenza di ingresso se la si termina con un carico
ZL = 50 Ω ad una frequenza f = 10 GHz.
2. Nelle ipotesi dell’esercizio 1 si calcoli il valore del V SW R lungo

la linea e della perdita di ritorno. Se la frequenza considerata è
f = 20 GHz, qual è il nuovo valore del V SW R e della perdita di
ritorno?
3. Data una linea in aria supposta priva di perdite, di impedenza

caratteristica ZC = 75 Ω e terminata su un circuito aperto, deter-
minare il valore della lunghezza che consente di sintetizzare, alla
porta di ingresso, una reattanza Xin = −75 Ω per f = 10 GHz.
4. Nelle stesse condizioni dell’esercizio 3, qual è il valore della lun-

ghezza che consente di realizzare una suscettanza pari a Bin =
−0.05 S?
5. Ripetere gli esercizi 3 e 4 ipotizzando che la linea sia terminata

su un cortocircuito.
6. Localizzare, sulla carta di Smith normalizzata a 50 Ω, il punto ca-

ratterizzato da un’impedenza ZL = 50 + j50 Ω. Di detto punto de-
terminare il coefficiente di riflessione in modulo e fase o come par-
te reale ed immaginaria facendo ricorso unicamente alla carta di
Smith (ossia con soli metodi grafici). Verificare successivamente
con calcolo diretto le approssimazioni effettuate graficamente.
7. Localizzare, sulla carta di Smith, il punto caratterizzato da una

ammettenza YL = 0.025 + j0.01 S. Di detto punto determinare il
coefficiente di riflessione in modulo e fase o come parte reale ed
immaginaria facendo ricorso unicamente alla carta di Smith (os-
sia con soli metodi grafici). Verificare successivamente con calcolo
diretto le approssimazioni effettuate graficamente.
8. Si consideri la connessione in serie di un resistore RL = 15 Ω e di

un condensatore CL = 3 pF. Calcolare l’andamento del coefficien-
te di riflessione di tale connessione su carta di Smith al variare
della frequenza tra 1 e 10 GHz.
Esercizi 73
9. Si consideri la connessione in parallelo di un resistore RL = 65 Ω e

di un induttore LL = 0.5 nH. Calcolare l’andamento del coefficien-
te di riflessione di tale connessione su carta di Smith al variare
della frequenza tra 1 e 10 GHz.
10. Data una linea senza perdite, in un dielettrico con εr = 9.9, di

lunghezza fisica l = 1 mm ed impedenza caratteristica ZC = 50 Ω,
determinarne la lunghezza elettrica per f = 0.5, 3, 10 e 20 GHz.
11. Se la linea dell’esercizio 10 viene terminata su un carico di im-

pedenza ZL = 50 − j50 Ω, individuare sulla carta la posizione
dell’impedenza di ingresso risultante alle frequenze elencate.
12. Si consideri un circuito RLC serie formato da un resistore RL =

30 Ω, un induttore LL = 0.8 nH ed un condensatore CL = 1 pF.
Per tale circuito si individui la collocazione del corrispondente
coefficiente di riflessione per f = 0.5, 1, 2, 4 GHz.
13. Considerando il circuito risonante serie dell’esercizio precedente

quale carico di una linea di trasmissione senza perdite in aria
di lunghezza elettrica pari a 30◦ per f = 0.5 GHz, si determi-
ni la posizione del coefficiente di riflessione all’ingresso per f =
0.5, 1, 2, 4 GHz.
14. Dato un circuito risonante RLC parallelo con RL = 30 Ω, LL =

0.8 nH e CL = 1 pF utilizzato come terminazione di una linea di
lunghezza elettrica 90◦ a f = 0.5 GHz ed impedenza caratteristica
ZC = 50 Ω, si determini il coefficiente di riflessione in ingresso per
f = 0.5, 1, 2, 4 GHz. Discutere il risultato.
15. Dato un carico YL = 0.015 + j0.015 S connesso ad una linea senza

perdite in aria di lunghezza fisica l = 2 mm ed impedenza carat-
teristica ZC = 20 Ω, si determini l’andamento del coefficiente di
riflessione in ingresso alla linea al variare della frequenza.
16. Si ripeta l’esercizio 15 per un carico ZL = 58 − j32 Ω ed una linea

su allumina di impedenza caratteristica ZC = 80 Ω.
17. Si consideri una linea a microstriscia di impedenza caratteristica

ZC = 50 Ω su allumina spessa 25 mil. Si determini la larghezza
della linea.
18. Nelle stesse condizioni dell’esercizio 17, si determini la larghezza

di linee con ZC = 15 Ω e ZC = 90 Ω.
19. Ripetere gli esercizi 17 e 18 tenendo in conto la costante dielettri-

ca efficace.
20. Ripetere gli esercizi 17 e 18 tenendo in conto la dispersione della

linea per f = 1 GHz e f = 10 GHz.
Capitolo 2
Reti a due porte lineari,
rappresentazioni e proprietà
Indice del capitolo

2.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2.2 Rappresentazioni per reti lineari . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
2.2.1 Trasformazioni tra rappresentazioni . . . . . . . . . . . 78
2.2.2 Proprietà delle rappresentazioni . . . . . . . . . . . . . . 80
2.3 Rappresentazioni di reti autonome . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
2.4 Rappresentazione a parametri di diffusione . . . . . . . . . . . 94
2.4.1 Proprietà della rappresentazione di diffusione . . . . . . 98
2.4.2 Rappresentazione di diffusione per reti notevoli . . . . . 101
2.4.3 Rappresentazione di trasmissione di diffusione . . . . . 102
2.4.4 Rappresentazione di diffusione per reti autonome . . . . 103
2.4.5 Conversioni tra rappresentazioni a due e tre porte . . . 105
2.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
2.1 Introduzione
In questo capitolo, dopo aver richiamato le più comuni rappresenta-
zioni per reti due porte lineari e aver accennato alle relative proprietà,
si generalizzerà il concetto di coefficiente di riflessione introdotto per i
bipoli passivi, introducendo la rappresentazione in termini di matri-
ce di diffusione. Dopo aver accennato alle proprietà relative a tale
75
76 2. Reti a due porte lineari, rappresentazioni e proprietà
rappresentazione, si deriveranno le rappresentazioni di reti notevoli,

introducendo poi la rappresentazione di trasmissione di diffusione.
2.2 Rappresentazioni per reti lineari

Una rete lineare e tempo invariante a due porte, che non contenga
generatori indipendenti di tensione o corrente∗ , ammette normalmen-
te una rappresentazione matriciale† che può essere di diversi tipi. In
generale la rete è completamente individuata dalle tensioni e dalle cor-
renti alle porte di accesso e la rete stabilisce tra queste una coppia
di relazioni lineari costitutive della rete stessa. In definitiva dalla co-
noscenza di una coppia di tensioni/correnti si può risalire, tramite le
relazioni costitutive, alla coppia rimanente.
Data la rete due porte rappresentata in figura:
I1 I2
V1 1 2 V2
Figura 2.1: Rappresentazione di una rete due porte lineare.
sono possibili diverse rappresentazioni a seconda della scelta della cop-

pia di variabili indipendenti (o grandezze applicate), tra cui:
• Matrice delle ammettenze di corto circuito [Y ]: si ottiene conside-

rando le differenze di potenziale alle porte come grandezze appli-
cate (variabili indipendenti) e le correnti alle porte come grandez-
ze risultanti (variabili dipendenti):
· ¸ · ¸ · ¸
I1 y11 y12 V1
I= = · =Y ·V (2.1)
I2 y21 y22 V2
∗
Tale ipotesi sarà rimossa più tardi, considerando cosı̀ rappresentazioni che con-
tengano generatori indipendenti, dando origine a reti autonome.
†
In questa sezione si ipotizza di operare nel dominio trasformato della frequenza
(o anche di Laplace) e non nel dominio del tempo. Questo consentirà la trasformazione
delle relazioni costitutive di tipo lineare integro-differenziale in equazioni algebriche
con la conseguente riduzione di complessità.
Rappresentazioni per reti lineari 77
ove i quattro parametri che descrivono la rete sono quindi definiti ed

ottenuti cortocircuitando le porte corrispondenti:
¯ ¯
¯ ¯
∆ I1 ¯ ∆ I1 ¯
y11 = ¯ , y12 = ¯
V1 ¯ V2 ¯
V2 =0 V1 =0
¯ ¯ (2.2)
¯ ¯
∆ I2 ¯ ∆ I2 ¯
y21 = ¯ , y22 = ¯
V1 ¯ V2 ¯
V2 =0 V1 =0
• Matrice delle impedenze a vuoto [Z]: si ottiene considerando le

correnti come grandezze applicate (variabili indipendenti e le dif-
ferenze di potenziale come grandezze risultanti (variabili dipen-
denti):
· ¸ · ¸ · ¸
V1 z11 z12 I1
V = = · =Z ·I (2.3)
V2 z21 z22 I2
ove i parametri della rappresentazione sono ottenuti terminando su un
circuito aperto le porte corrispondenti per ciascun parametro:
¯ ¯
V ¯ V ¯
∆ 1¯ ∆ 1¯
z11 = ¯ , z12 = ¯
I1 ¯ I2 ¯
I2 =0 I1 =0
¯ ¯ (2.4)
V ¯ V ¯
∆ 2¯ ∆ 2¯
z21 = ¯ , z22 = ¯
I1 ¯ I2 ¯
I2 =0 I1 =0
• Matrice di Trasmissione o ABCD: si ottiene considerando le gran-

dezze alla seconda porta come applicate (variabili indipenden-
ti) e quelle alla prima porta come grandezze risultanti (variabili
dipendenti):
· ¸ · ¸ · ¸
V1 A B V2
= · (2.5)
I1 C D −I2
ove i relativi parametri sono cosı̀ ottenuti aprendo o cortocircuitando la
porta di uscita:
¯ ¯
¯ ¯
∆ V1 ¯ ∆ V1 ¯
A= ¯ , B= ¯
V2 ¯ −I2 ¯
−I2 =0 V2 =0
¯ ¯ (2.6)
¯ ¯
∆ I1 ¯ ∆ I1 ¯
C= ¯ , D= ¯
V2 ¯ −I2 ¯
−I2 =0 V2 =0
Esistono numerosi altri tipi di rappresentazione (ad esempio la ma-

trice ibrida [H], utilizzata per la descrizione dei transistori a bassa
frequenza o la matrice di trasmissione inversa).
Tipicamente è possibile trasformare una rappresentazione nell’al-
tra utilizzando le semplici equivalenze che verranno presentate nella
sezione successiva, a meno che la rappresentazione di partenza non sia
singolare. Infatti una rete può non ammettere tutte le rappresenta-
zioni possibili. Ad esempio, nella Figura 2.2 la rete due porte A non
ammette rappresentazione a matrice delle impedenze, la rete C non
consente rappresentazione a matrice delle ammettenze, mentre per la
B non è possibile quella di trasmissione.
I1 I2 I1 I2
I1 I2
Z
V1 V2 V1 Z Z V2 V1 Y V2
A B C
Figura 2.2: Esempi di reti con rappresentazione singolare.
Nel primo caso (A) infatti la rete ammette una rappresentazione

a matrice delle ammettenze, e nel terzo (C) quella a matrice delle
impedenze, ma entrambe tali matrici sono a rango non massimo:
· ¸ · ¸ · ¸
1/Z −1/Z Z 0 1/Y 1/Y
YA = ZB = ZC =
−1/Z 1/Z 0 Z 1/Y 1/Y
(2.7)
Nel caso della rete B, è possibile sia una rappresentazione in termi-
ni di matrice ammettenza che di matrice impedenza, ma è facile veri-
ficare che, essendo nullo il termine di interazione tra le due porte, la
matrice di trasmissione risulta indefinita.
2.2.1 Trasformazioni tra rappresentazioni

Le rappresentazioni introdotte sono in generale equivalenti, essen-
do possibile in genere trasformare l’una nell’altra. Ad esempio, se si
considera la rappresentazione in termini di impedenze a vuoto,
· ¸ · ¸ · ¸
V1 z11 z12 I1
= · (2.8)
V2 z21 z22 I2
e si moltiplicano entrambi i membri dell’espressione precedente per

Z −1 (ammesso che la Z sia invertibile), si ottiene:
· ¸−1 · ¸ · ¸−1 · ¸ · ¸ · ¸
z11 z12 V1 z11 z12 z11 z12 I1 I1
· = · · =
z21 z22 V2 z21 z22 z21 z22 I2 I2
(2.9)
Dal confronto della precedente con la (2.1) si ottiene la relazione
cercata tra matrice delle impedenze e ammettenze:
· ¸ · ¸
y11 y12 1 z22 −z12
Y = = Z −1 = ·
y21 y22 det (Z) −z21 z11 (2.10)
det (Z) = z11 · z22 − z12 · z21
e rimane valida anche la relazione inversa:
· ¸ · ¸
z11 z12 −1
1 y22 −y12
Z= =Y = ·
z21 z22 det (Y ) −y21 y11 (2.11)
det (Y ) = y11 · y22 − y12 · y21
Sia nella (2.10) che nella (2.11) è chiaro che, in presenza di un rango
non massimo per una delle rappresentazioni, l’altra non può essere
determinata, come verificato nel paragrafo precedente.
Applicando direttamente la definizione è possibile poi determina-
re le relazioni di conversione tra la rappresentazione ABCD e Z. Si
ottiene:
· ¸ · ¸
A B 1 z11 det (Z)
ABCD = = ·
C D z21 1 z22 (2.12)
det (Z) = z11 · z22 − z12 · z21
e per la trasformazione inversa:

· ¸ · ¸
z11 z12 1 A det (ABCD)
Z= = ·
z21 z22 C 1 D (2.13)
det (ABCD) = A · D − B · C
Allo stesso modo è possibile derivare la relazione che permette di

trasformare la rappresentazione ABCD nella Y e la sua inversa:
· ¸ · ¸
A B 1 y22 1
ABCD = =− ·
C D y21 det (Y ) y11 (2.14)
det (Y ) = y11 · y22 − y12 · y21
· ¸ · ¸
y11 y12 1 D − det (ABCD)
Y = = ·
y21 y22 B −1 A (2.15)
det (ABCD) = A · D − B · C
2.2.2 Proprietà delle rappresentazioni

Le proprietà esterne della rete si riflettono in proprietà della rap-
presentazione. Ad esempio, se si considerano reti reciproche, tale pro-
prietà si riflette nella simmetria delle matrici delle rappresentazioni Z
e Y rispetto alla diagonale principale; si ha cosı̀, per reti reciproche:
Zij = Zji i 6= j
(2.16)
Z = ZT
Yij = Yji i 6= j
(2.17)
Y =YT
La proprietà di reciprocità si riflette anche sulla rappresentazione
ABCD per la quale si ottiene:
A · D − B · C = det (ABCD) = 1 (2.18)

Se la rete di partenza è simmetrica, allora anche le rappresentazioni
Z, Y e ABCD riflettono tale proprietà nella simmetria rispetto alla
diagonale secondaria, ossia si ha:
Z11 = Z22 (2.19)
Y11 = Y22 (2.20)
A=D (2.21)
Se la rete è senza perdite (ossia non avviene né generazione né

dissipazione di potenza nella rete), allora:
Zij ∈ = ∀i, j (2.22)
Yij ∈ = ∀i, j (2.23)
A, D ∈ <
(2.24)
B, C ∈ =
Le rappresentazioni introdotte consentono di determinare immedia-
tamente la matrice risultante da connessioni semplici tra sottoreti.
Si considerino due reti A e B, connesse come in Figura 2.3, e descrit-
te dalle proprie rappresentazioni in termini di matrice delle impedenze
ZA e ZB .
I1=I1A I2=I2A
V1A 1 A 2 V2A
V1A+V1B V2A+V2B
I1=I1B I2=I2B
V1B 1 B 2 V2B
Figura 2.3: Connessione di reti in serie.
Si ottiene, per la matrice delle impedenze risultante:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸ · ¸
V1 V1A V1B I1A I1B
V = = + = ZA · + ZB · =
V2 V2A V2B I2A I2B
· ¸
I1
= (ZA + ZB ) · = ZT · I
I2
(2.25)
ossia, per una connessione in serie tra due reti, la matrice delle impe-
denze risultante si ottiene come somma delle singole matrici:
ZT = ZA + ZB (2.26)
Analogamente, se si considera la connessione in parallelo (Figu-

ra 2.4) tra due reti A e B descritte dalle rispettive matrici delle am-
mettenze di corto circuito YA e YB si ha:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸ · ¸
I1 I1A I1B V1A V1B
I = = + = YA · + YB · =
I2 I2A I2B V2A V2B
· ¸
V1
= (YA + YB ) · = YT · V
V2
(2.27)
e quindi per una connessione in parallelo tra due reti, la matrice delle
ammettenze risultante si ottiene come somma delle singole matrici:
YT = YA + YB (2.28)
I1A+I1B I1=I1A I2=I2A I2A+I2B
I1=I1B
1 A 2
I2=I2B
V1A=V1B V2A=V2B
1 B 2
Figura 2.4: Connessione di reti in parallelo.
Tra quelle presentate, la rappresentazione ABCD è particolarmen-

te utile, visto che consente di ottenere immediatamente la matrice di
più reti due porte connesse in cascata semplicemente effettuando il

prodotto delle matrici relative alle singole reti due porte.
Infatti, data la connessione in Figura 2.5,
I1=I1A I1B= -I2A I2=I2B
V1=V1A 1 A 2 V2A=V1B 1 B 2 V2=V2B
Figura 2.5: Connessione in cascata di reti a due porte.
si ottiene facilmente:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
V1 V1A AA BA V2A
= = · =
I1 I1A CA DA −I2A
· ¸ · ¸
AA BA V1B
= · =
CA DA I1B
· ¸ · ¸ · ¸
AA BA AB BB V2B
= · · =
CA DA CB DB −I2B
· ¸ · ¸
AT BT V2
= ·
CT DT −I2
(2.29)
in cui la matrice della connessione in cascata, ABCDT , è data da:
· ¸ · ¸ · ¸
AT BT AA BA AB BB
ABCDT = = · =
CT DT CA DA CB DB
= ABCDA · ABCDB
(2.30)
Verranno derivate di seguito le rappresentazioni in termini di ma-

trice ABCD per alcune reti notevoli, per successiva utilizzazione.
• Impedenza serie, ossia la rete che non ammette rappresentazione

in termini di matrice delle ammettenze (Figura 2.6).
I1 I2
Z
V1 V2
Figura 2.6: Rete due porte costituita da una impedenza serie.
In questo caso, direttamente dalla definizione dei singoli parametri,

si ottiene:
¯ ¯
V1 ¯¯ V1 ¯¯
A= ¯ = 1, B = ¯ =Z
V2 ¯ −I2 ¯
−I2 =0 V2 =0
¯ ¯
I1 ¯¯ I1 ¯¯
C= ¯ = 0, D = ¯ =1
V2 ¯ −I2 ¯ (2.31)
−I2 =0 V2 =0
⇓
· ¸ · ¸
A B 1 Z
=
C D 0 1
• Ammettenza parallelo, ossia la rete che non ammette rappresen-

tazione in termini di matrice delle impedenze (Figura 2.7).
I1 I2
V1 Y V2
Figura 2.7: Rete a due porte costituita da una ammettenza parallelo.

Ancora una volta, direttamente dalla definizione dei parametri di

trasmissione,
¯ ¯
V1 ¯¯ V1 ¯¯
A= ¯ = 1, B= ¯ =0
V2 ¯ −I2 ¯
−I2 =0 V2 =0
¯ ¯
¯
I1 ¯ ¯
I1 ¯
C= ¯ = Y, D= ¯ =1
V2 ¯ −I2 ¯ (2.32)
−I2 =0 V2 =0
⇓
· ¸ · ¸
A B 1 0
=
C D Y 1
• Cella a L, ossia costituita dalla connessione in cascata di una

impedenza serie ed una ammettenza parallelo (Figura 2.8).
I1 I2
Z
V1 Y V2
Figura 2.8: Rete due porte costituita da una resistenza serie e una
ammettenza parallelo (cella a L).
È possibile applicare in questo caso la proprietà (2.30) alla cascata

delle due reti:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
A B 1 Z 1 0 1+Z ·Y Z
= · = (2.33)
C D 0 1 Y 1 Y 1
• Cella a T, che può essere pensata come costituita dalla connes-

sione in cascata di una cella a L e di una impedenza serie (Figu-
ra 2.9).
Ancora applicando la proprietà (2.30) alla cascata delle due reti:

I1 I2
Z1 Z2
V1 Y V2
Figura 2.9: Rete due porte a T costituita da una cella a L e da una

impedenza serie.
· ¸ · ¸ · ¸
A B 1 + Z1 · Y Z1 1 Z2
= · =
C D Y 1 0 1
· ¸
1 + Z1 · Y Z1 + Z2 + Z1 · Z2 · Y
= (2.34)
Y 1 + Z2 · Y
• Cella a π, che può essere pensata come costituita dalla connessio-

ne in cascata di una ammettenza in parallelo e di una cella a L
(Figura 2.10).
I1 I2
Z
V1 Y1 Y2 V2
Figura 2.10: Rete due porte a π costituita da un’ammettenza parallelo

ed una cella a L.
Di nuovo applicando la proprietà (2.30) alla cascata delle due reti,

si ottiene:
· ¸ · ¸ · ¸
A B 1 0 1 + Z · Y2 Z
= · =
C D Y1 1 Y2 1
· ¸
1 + Z · Y2 Z
= (2.35)
Y1 + Y2 + Y1 · Y2 · Z 1 + Z · Y1
Dal confronto delle rappresentazioni (2.34) e (2.35) si possono deri-

vare le relazioni di equivalenza tra rete a T e rete a π, che consentono
di trasformare una topologia nell’altra.
Si ottiene cosı̀:


 Zπ · Y2π

 Z1T =

 Y1π + Y2π + Y1π · Y2π · Zπ



da π a T : YT = Y1π + Y2π + Y1π · Y2π · Zπ (2.36)



 Zπ · Y1π



 Z2T =
 Y1π + Y2π + Y1π · Y2π · Zπ


 Z2T · YT

 Y1π =

 Z1T + Z2T + Z1T · Z2T · YT



da T a π : Zπ = Z1T + Z2T + Z1T · Z2T · YT (2.37)



 Z1T · YT


 Y2π =

 Z1T + Z2T + Z1T · Z2T · YT
• Tratto di linea di trasmissione senza perdite, caratterizzato da

una costante di propagazione β, un’impedenza caratteristica ZC
e di lunghezza fisica l (Figura 2.11).
I1 I2
V1 ZC , l V2
Figura 2.11: Rete due porte costituita da un tratto di linea senza

perdite di lunghezza l.
Si ha, considerando le tensioni e le correnti lungo la linea,
V1 = V2 · ejβl = V2 · cos (βl) − jZC · I2 · sin (βl)

j (2.38)
I1 = −I2 · ejβl = · V2 · sin (βl) − I2 · cos (βl)
ZC
da cui, direttamente per ispezione, si ottengono i termini della matrice

di trasmissione:
 
· ¸ cos (βl) jZC · sin (βl)
A B
= j  (2.39)
C D · sin (βl) cos (βl)
ZC
Come era lecito attendersi, la matrice è simmetrica rispetto alla
diagonale secondaria (rete simmetrica), risulta verificata la (2.18) (rete
reciproca) ed infine, essendo la rete senza perdite, è valida anche la
(2.24).
L’espressione (2.39) può essere confrontata con le (2.34) e (2.35) per
derivare una rappresentazione equivalente a T o a π di un tratto di
linea di trasmissione. In particolare, considerando la (2.34), la condi-
zione di assenza di perdite impone che gli elementi della matrice di tra-
smissione soddisfino la (2.24). Ciò implica che sia l’impedenza serie che
l’ammettenza parallelo siano puramente reattive. Cercando cosı̀ l’equi-
valente a T, si può notare che le due rappresentazioni sono equivalenti
a patto che si abbia:
1 − cos (βl)
ZT = jZC · λ
sin (βl) l 6= + kπ (2.40)
j 4
YT = · sin (βl)
ZC
Se si mantiene moderata la lunghezza della linea (l < λ/4), si può
affermare che la linea diventa equivalente ad una rete a T con induttori
in serie e un condensatore in parallelo (Figura 2.12) con valori:
ZC 1 − cos (βl)
LsT = · λ
2πf sin (βl) l< (2.41)
1 4
CpT = · sin (βl)
2πf · ZC
Se si impone l’ulteriore restrizione di linea corta, ossia si approssi-
mano le funzioni trigonometriche al secondo ordine (lunghezza elettri-
ca βl piccola),
.
2
ZC (βl) 2 l/2
LsT → · = ZC ·
2πf βl vphase
(2.42)
1 1 l
CpT → · βl = ·
2πf · ZC ZC vphase
LsT LsT
CpT
Figura 2.12: Equivalente a T di un tratto di linea senza perdite di

lunghezza l.
In altri termini, gli elementi reattivi diventano indipendenti dalla

frequenza e di valore che dipende soltanto dall’impedenza caratteristi-
ca della linea e dalla sua lunghezza fisica.
Quindi, se si fa l’ulteriore ipotesi di impedenza caratteristica ele-
vata, il condensatore parallelo tende a diventare sempre più piccolo
e l’effetto complessivo della linea è quello di un induttore in serie di
valore doppio rispetto a LsT .
È possibile affermare quindi, generalizzando, che una linea in serie,
di impedenza caratteristica elevata e di modesta lunghezza elettrica, si
comporta approssimativamente come un induttore di valore:
l
Ls = ZC · (2.43)
vphase
risultato in linea con quanto ottenibile direttamente utilizzando l’e-

spressione dell’impedenza caratteristica e della velocità di fase in ter-
mini di parametri primari.
Considerando ora l’equivalente a π della linea, anche in questo caso
l’ipotesi di assenza di perdite comporta che sia l’ammettenza parallelo
che l’impedenza serie siano puramente reattive.
La rappresentazione a π della linea impone quindi che si abbia,
come si ottiene per ispezione:
Zπ = jZC · sin (βl)

λ
j 1 − cos (βl) l 6= + kπ (2.44)
Yπ = · 4
ZC sin (βl)
ed anche in questo caso, se si mantiene la lunghezza della linea al di

sotto del quarto d’onda, i componenti sono condensatori in parallelo
separati da un induttore in serie (Figura 2.13) con valori:
ZC
Lsπ = · sin (βl)
2πf λ
l< (2.45)
1 1 − cos (βl) 4
Cpπ = ·
2πf · ZC sin (βl)
Lsp
Cpp Cpp
Figura 2.13: Equivalente a π di un tratto di linea senza perdite di

lunghezza l.
Se si impone anche in questo caso l’ulteriore restrizione di lunghez-

za elettrica modesta, si approssima al secondo ordine, ottenendo:
ZC l
Lsπ → · βl = ZC ·
2πf vphase
. (2.46)
1 (βl)2 2 1 l/2
Cpπ → · = ·
2πf · ZC βl ZC vphase
In altri termini, gli elementi reattivi diventano indipendenti dalla
frequenza e di valore che dipende soltanto dall’impedenza caratteristi-
ca della linea e dalla sua lunghezza fisica. Ripetendo qui l’ulteriore
ipotesi di impedenza caratteristica elevata, il condensatore parallelo
tende a diventare sempre più piccolo e l’effetto complessivo della linea
è quello di un induttore in serie pari a Lsπ .
2.3 Rappresentazioni di reti autonome

Si sono considerate finora soltanto reti costituite da elementi passivi
(reciproci o meno) o attivi, ma non contenenti generatori indipendenti
di tensione o corrente.
Se si lascia cadere tale ipotesi, come noto, nel caso ad una porta
si arriva all’equivalente di Thevenin o di Norton di un bipolo, rappre-
sentabile quindi nel caso autonomo rispettivamente da un generatore
Rappresentazioni di reti autonome 91
di tensione con in serie un’impedenza (Figura 2.14 a sinistra) o da un

generatore di corrente con in parallelo un’ammettenza (Figura 2.14 a
destra):
ZG=RG+jXG
+
VG IG YG=GG+jBG
Figura 2.14: Equivalente di Thevenin (sinistra) o Norton (destra) di

un bipolo contenente generatori indipendenti.
I valori di tali elementi si determinano per l’impedenza (ammetten-

za) cortocircuitando i generatori indipendenti di tensione ed aprendo
quelli di corrente, e valutando successivamente l’impedenza (ammet-
tenza) di ingresso del bipolo.
Per la tensione (corrente) del generatore equivalente, questa è pari
alla tensione a vuoto (alla corrente di cortocircuito) del bipolo.
Per estensione, stesso procedimento si può applicare nel caso multi-
porta in generale o nel caso a due porte in particolare.
Se si considera quindi una rete a due porte contenente generatori in-
dipendenti, ipotizzando per prima una rappresentazione in termini di
matrice delle impedenze (e quindi generalizzando l’equivalente di The-
venin), si dovrà cercare di valutare le tensioni a vuoto delle due porte
lasciandole simultaneamente aperte (ossia annullando la corrente alle
stesse, I1 = I2 = 0), come schematicamente indicato in Figura 2.15.
I1= 0 I2= 0
V1, open 1 Z 2 V2, open
Figura 2.15: Tensioni a vuoto per una rete a due porte autonoma.
Successivamente, spegnendo tutti i generatori indipendenti interni,

essendo la rete a due porte a questo punto non autonoma, potrà per es-
sa ottenersi (se esiste) una rappresentazione a matrice delle impedenze

Zof f , come già descritto in precedenza:
· ¸ · ¸ · ¸
V1 z11 z12 I1
V = = · = Zof f · I (2.47)
V2 z21 z22 of f I2
Dalla sovrapposizione degli effetti, è cosı̀ possibile rappresentare la
rete originaria mediante la coppia di equazioni:
V1 = z11 · I1 + z12 · I2 + V1,open

(2.48)
V2 = z21 · I1 + z22 · I2 + V2,open
equivalente al circuito rappresentato in Figura 2.16 ed alla rappresen-
tazione in termini di matrici:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
V1 z11 z12 I1 V1,open
V = = · + = Zof f · I + Vopen
V2 z21 z22 of f
I2 V2,open
(2.49)
V1, open V2, open

I1 + + I2
V1 1 Z 2 V2
Figura 2.16: Equivalente a matrice delle impedenze di una rete a due

porte con generatori indipendenti.
Analogo procedimento può seguirsi nel caso della rappresentazio-

ne a matrice delle ammettenze, in cui i generatori equivalenti si ot-
tengono cortocircuitando simultaneamente le porte, come indicato in
forma schematica nella Figura 2.17 per ottenere le correnti di corto-
circuito, e spegnendo tutti i generatori indipendenti interni, con una
rappresentazione a matrice delle ammettenze Yof f :
· ¸ · ¸ · ¸
I1 y11 y12 V1
I= = · = Yof f · V (2.50)
I2 y21 y22 of f V2
Si ottiene poi, per sovrapposizione degli effetti:
I1 = y11 · V1 + y12 · V2 + I1,short

(2.51)
I2 = y21 · V1 + y22 · V2 + I2,short
Rappresentazioni di reti autonome 93
I1, short I2, short
V1= 0 1 Y 2 V2= 0
Figura 2.17: Correnti di corto circuito per una rete a due porte
autonoma.
equivalente alla rappresentazione in Figura 2.18 ed in termini di ma-

trici:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
I1 y11 y12 V1 I1,short
I= = · + = Yof f · V + Ishort
I2 y21 y22 of f
V2 I2,short
(2.52)
I1 I2
V1 1 Y 2 V2
I1, short I2, short
Figura 2.18: Equivalente a matrice delle ammettenze di una rete a

due porte con generatori indipendenti.
Infine, nel caso della matrice di trasmissione ABCD, i generatori

equivalenti si ottengono dapprima spegnendo i generatori indipendenti
della rete e misurando la matrice di trasmissione risultante:
· ¸ · ¸ · ¸
V1 A B V2
= · (2.53)
I1 C D of f
−I2
Se, corrispondentemente alla connessione in Figura 2.19, si ipotizza

una rappresentazione della rete autonoma lineare del tipo:
V1 = A · V2 + B · (−I2 ) + V1,short
(2.54)
I1 = C · V2 + D · (−I2 ) + I1,open
I1 V1, short I2
+
V1 1 ABCD 2 V2
I1, open
Figura 2.19: Equivalente a matrice di trasmissione di una rete a due

porte con generatori indipendenti.
si ottengono i generatori equivalenti cortocircuitando entrambe le porte

dalla:
V1,short = B · I2 (2.55)
e aprendo entrambe le porte dalla:
I1,open = C · V2 (2.56)
Quindi, anche nel caso della matrice di trasmissione, è possibile
una rappresentazione equivalente di reti a due porte con generatori
indipendenti∗ .
2.4 Rappresentazione a parametri di diffusio-

ne
Le rappresentazioni delle reti due porte lineari sin qui descritte non
sono direttamente misurabili a frequenze maggiori di qualche centina-
io di MHz. Si presentano infatti diversi problemi:
• Per misurare i parametri [Z] o [Y ] è necessario, in base alla defini-

zione, misurare tensioni a vuoto o correnti di cortocircuito, spesso
ai capi di dispositivi di dimensioni molto piccole (dell’ordine di
qualche centinaio di micron). Ciò comporta, viste le frequenze in
gioco, l’impossibilità di imporre direttamente tali tipi di chiusure:
imporle a qualche distanza dal piano di riferimento del disposi-
tivo significherebbe poi imporre un carico di tipo reattivo e non
∗
Si poteva, nel caso della matrice di trasmissione, utilizzare idealmente la con-
nessione della seconda porta con un nullore, ossia un elemento che garantisse
simultaneamente nulle tensioni e correnti.
Rappresentazione a parametri di diffusione 95
delle terminazioni ideali (inserzione di una linea di trasmissione

tra la terminazione e il dispositivo da misurare).
• In un circuito a microonde tensioni e correnti variano molto rapi-

damente attraversando il circuito stesso, in virtù delle dimensioni
ridotte, comparabili con la lunghezza d’onda del segnale: diventa
quindi poco significativo misurare tensione o corrente separata-
mente, ma si preferisce misurare grandezze legate ad una combi-
nazione delle due (potenza) e che non variano significativamente
lungo una linea.
• Nella misura di dispositivi attivi, le condizioni di cortocircuito o

circuito aperto corrispondono spesso a zone di potenziale instabi-
lità dei dispositivi e quindi questi ultimi non sarebbero misurabi-
li.
Per ovviare a questi problemi, per la caratterizzazione di reti a

microonde si utilizzano parametri legati alle onde (di tensione e di
corrente) incidenti e riflesse che si propagano nel circuito da misurare.
Il coefficiente di riflessione è stato introdotto in precedenza come il
rapporto tra onda riflessa e incidente di tensione. In base a tale defini-
zione, il coefficiente di riflessione sarebbe univocamente legato alla sola
onda di tensione: si potrebbe analogamente definire un coefficiente di
riflessione legato al rapporto delle onde di corrente.
Per generalizzare tale definizione, si può utilizzare la seguente:
b V − Z0∗ · I
∆
Γ= = (2.57)
a V + Z0 · I
relativa ad un’onda incidente su un carico a e riflessa dallo stesso b,
entrambe espresse come combinazione lineare di V e I:
∆ V + Z0 · I
a= p
2 · Re (Z0 )
(2.58)
∆ V − Z0∗ · I
b= p
2 · Re (Z0 )
Si noti che, con questa definizione,
£ ¤ onda incidente e riflessa hanno
entrambi le dimensioni di W1/2 , in modo tale che il loro quadrato
abbia le dimensioni di una potenza. Si tenga poi presente che nella
definizione (2.58) di onda incidente e riflessa e nelle seguenti, V ed I
devono intendersi come valori efficaci di tensione e corrente e non come
valori massimi, come sarebbe logico attendersi dalla loro utilizzazione

come fasori nel dominio della frequenza∗ . Infine nelle (2.57) e (2.58) si è
volutamente generalizzato, dando la possibilità di avere un’impedenza
di normalizzazione complessa. Il caso più comune è comunque quello
in cui tale impedenza di normalizzazione sia reale.
Indipendentemente dalla definizione adottata, il concetto di coeffi-
ciente di riflessione può essere esteso al caso multiporta in maniera
molto semplice: si consideri a tale scopo la rete due porte di Figu-
ra 2.20.
a1 a2
b1 1 S 2 b2
Figura 2.20: Onde incidenti e riflesse per la definizione dei parametri

di scattering.
Alle due porte incidono due onde a1 e a2 e da esse vengono riflesse

rispettivamente le due onde b1 e b2 . Per tali onde, estendendo quanto
definito nelle (2.57) e (2.58), possiamo scrivere:
V1 + Z01 · I1 V2 + Z02 · I2
a1 ≡ p a2 ≡ p
2 · Re (Z01 ) 2 · Re (Z02 )
(2.59)
∗ ·I
V1 − Z01 ∗ ·I
V2 − Z02
1 2
b1 ≡ p b2 ≡ p
2 · Re (Z01 ) 2 · Re (Z02 )
dove (V1 , I1 ) e (V2 , I2 ) sono le tensioni e correnti alle due porte e Z01 e
Z02 sono le impedenze di normalizzazione delle due porte. Supponendo
queste ultime reali, si ha:
V1 + Z01 · I1 V2 + Z02 · I2
a1 = √ a2 = √
2 · Z01 2 · Z02
(2.60)
V1 − Z01 · I1 V2 − Z02 · I2
b1 = √ b2 = √
2 · Z01 2 · Z02
∗
Tale apparente incongruenza è giustificata dalla volontà, come si vedrà meglio
nel seguito, di esprimere la potenza incidente e/o riflessa semplicemente come modulo
al quadrato delle onde incidenti e/o riflesse. In ogni caso la differenza risulta essere
nel solo fattore di normalizzazione tra i due casi (pari a 21 ).
Se dalla (2.60) si esplicitano le tensioni e le correnti alle porte in

funzione delle onde incidenti e riflesse dalle stesse, si ottiene:
√ √
V1 = Z01 · (a1 + b1 ) V2 = Z02 · (a2 + b2 )
¡√ ¢−1 ¡√ ¢−1 (2.61)
I1 = Z01 · (a1 − b1 ) I2 = Z02 · (a2 − b2 )
Tensioni e correnti alle porte possono essere legati ad esempio da
una delle rappresentazioni già introdotte. Si consideri ad esempio la
rappresentazione in termini di matrice delle impedenze a vuoto (2.3),
qui riportata per comodità,
· ¸ · ¸ · ¸
V1 z11 z12 I1
V = = · =Z ·I (2.62)
V2 z21 z22 I2
e si calcoli l’espressione del vettore delle tensioni nel modo seguente:
· ¸ · √ ¸ · ¸
V1 Z01 √0 a1 + b1
= · =
V2 0 Z02 a2 + b2
· √ ¸ µ· ¸ · ¸¶
Z01 √ 0 a1 b1
= · + =
0 Z02 a2 b2
· √ ¸ · ¸ · √ ¸ · ¸
Z01 √0 a1 Z01 √ 0 b1
= · + · =
0 Z02 a2 0 Z02 b2
p · ¸ p · ¸
a1 b1
= Z0 · + Z0 ·
a2 b2
(2.63)
avendo indicato con
p · √ ¸
Z01 √ 0
Z0 = (2.64)
0 Z02
Se si calcolano poi le espressioni delle correnti alle porte:
· ¸ " ¡√ ¢−1 # · ¸
I1 Z01 0 a1 − b1
= ¡√ ¢−1 · =
I2 0 Z02 a2 − b2
" ¡√ ¢−1 # µ· ¸ · ¸¶
Z01 0 a1 b1
= ¡√ ¢−1 · − =
0 Z02 a2 b2
p −1 · a1 ¸ p −1 · b1 ¸
= Z0 · − Z0 ·
a2 b2
(2.65)
e si sostituiscono tali espressioni nella (2.62), scegliendo come variabili

indipendenti le onde incidenti e come dipendenti le riflesse, la descri-
zione della rete risultante è del tipo:
· ¸ · ¸ · ¸
b1 S11 S12 a1
b= = · =S·a (2.66)
b2 S21 S22 a2
in cui
³p −1 p −1 ´−1 ³p −1 p −1 ´
S= Z0 · Z · Z0 + I · Z0 · Z · Z0 − I (2.67)
La matrice risultante viene denominata matrice di diffusione o ma-

trice di scattering. Come si può notare dalla definizione di onde in-
cidenti e riflesse, per la misura di tale rappresentazione deve essere
introdotta un’impedenza di normalizzazione Z0i per ogni porta. La
definizione dei parametri della matrice di scattering deducibile dalla
rappresentazione introdotta è quindi:
¯ ¯
¯ ¯
∆ b1 ¯ ∆ b1 ¯
S11 = ¯ S12 = ¯
a1 ¯ a2 ¯
a2 =0 a1 =0
¯ ¯ (2.68)
¯ ¯
∆ b2 ¯ ∆ b2 ¯
S21 = ¯ S22 = ¯
a1 ¯ a2 ¯
a2 =0 a1 =0
Quindi, per ottenere il coefficiente Sij bisognerà annullare l’onda

incidente alla porta opportuna, ossia chiuderla su un carico adattato:
ciò è equivalente a terminarla sull’impedenza di normalizzazione della
porta corrispondente Z0i .
Comunemente si sceglie un’impedenza di normalizzazione uguale
per tutte le porte e di solito pari a 50 Ω.
2.4.1 Proprietà della rappresentazione di diffusione

Detta Z0 l’impedenza di normalizzazione, supposta identica per le
due porte, la (2.67) diventa:
S = (Z + Z0 · I)−1 · (Z − Z0 · I) (2.69)
Si noti la congruità tra la matrice di scattering appena definita e la
definizione di coefficiente di riflessione introdotta nel primo Capitolo.
Nel caso di circuiti lineari con un numero di porte superiore a due, la
definizione è immediatamente estendibile.
Rimane poi valida anche la relazione inversa che fornisce la matrice

delle impedenze in funzione di quella di scattering:
Z = Z0 · (I + S) · (I − S)−1 (2.70)
e la relazione che permette di effettuare la conversione dalla matrice
delle ammettenze di cortocircuito e la sua inversa:
S = (Y0 · I − Y ) · (Y0 · I + Y )−1 (2.71)
Y = Y0 · (I + S)−1 · (I − S) (2.72)
Per la matrice di scattering, nel caso a due porte, valgono dunque
le trasformazioni esplicitamente indicate di seguito, immediatamente
ricavabili nell’ipotesi di impedenza di normalizzazione Z0 identica per
le due porte.
• Da Z a S e viceversa:
" #
det (Z) + (z11 − z22 ) Z0 − Z02 2z12 Z0
2z21 Z0 det (Z) + (z22 − z11 ) Z0 − Z02
S=
det (Z) + (z11 + z22 ) Z0 + Z02
(2.73)
" #
1 + S11 − S22 − det (S) 2S12
2S21 1 − S11 + S22 − det (S)
Z = Z0 (2.74)
1 − S11 − S22 + det (S)
• Da Y a S e viceversa:
" #
Y02 − det (Y ) + (y22 − y11 ) Y0 −2y12 Y0
−2y21 Y0 Y02 − det (Y ) + (y11 − y22 ) Y0
S=
Y02 + det (Y ) + (y11 + y22 ) Y0
(2.75)
" #
1 − S11 + S22 − det (S) −2S12
−2S21 1 + S11 − S22 − det (S)
Y = (2.76)
1 + S11 + S22 + det (Y )
• Da ABCD a S e viceversa:
" #
B + (A − D) Z0 − CZ02 2 det (ABCD) Z0
2Z0 B − (A − D) Z0 − CZ02
S= (2.77)
B + (A + D) Z0 + CZ02
" #
1 + S11 − S22 − det (S) Z0 [1 + S11 + S22 + det (S)]
Z0−1 [1 − S11 − S22 + det (S)] 1 − S11 + S22 − det (S)
ABCD =
2S21
(2.78)
Per la matrice di scattering valgono inoltre le seguenti proprietà:
• Per una rete reciproca,
Sij = Sji i 6= j
S = ST (2.79)
• Per una rete passiva:
|Sij | ≤ 1 (2.80)
• Per una rete senza perdite (ossia puramente reattiva),
ST · S∗ = I
che implica, per una rete reciproca e senza perdite,
n
X
|Sij |2 = 1 ∀j = 1 . . . n (2.81)
i=1
2.4.2 Rappresentazione di diffusione per reti notevoli

Utilizzando le trasformazioni introdotte nel paragrafo precedente e
i risultati già ottenuti per la rappresentazione a matrice di trasmis-
sione, si possono derivare le rappresentazioni in termini di matrice di
scattering per alcune reti semplici.
• Impedenza serie. Dalla (2.31) e dalla (2.77) si ottiene:
" #
1 Zs 2Z0
SZs = (2.82)
Zs + 2Z0 2Z0 Zs
• Ammettenza parallelo. Dalla (2.32) e dalla (2.77) si ottiene:
" #
1 −Yp 2Y0
SYp = (2.83)
Yp + 2Y0 2Y0 −Yp
• Rete a T. Se si suppongono induttivi ed uguali gli elementi serie

(Ls ) e capacitivo quello parallelo (Cp ), si ottiene dalla (2.34) e dalla
(2.77):
" £ ¡ ¢ ¤ #
jω Ls 2 − ω 2 Ls Cp − Cp Z02 2Z0
£ ¡ ¢ ¤
2Z0 jω Ls 2 − ω 2 Ls Cp − Cp Z02
ST = £ ¤
2 (1 − ω 2 Ls Cp ) Z0 + jω Ls (2 − ω 2 Ls Cp ) + Cp Z02
(2.84)
• Rete a π. Se si suppongono capacitivi ed uguali gli elementi pa-

rallelo (Cp ) e induttivo quello serie (Ls ), si ottiene dalla (2.35) e
dalla (2.77):
" £ ¡ ¢ ¤ #
jω Ls − Cp 2 − ω 2 Ls Cp Z02 2Z0
£ ¡ ¢ ¤
2Z0 jω Ls − Cp 2 − ω 2 Ls Cp Z02
Sπ = £ ¤
2 (1 − ω 2 Ls Cp ) Z0 + jω Ls + Cp (2 − ω 2 Ls Cp ) Z02
(2.85)
• Tratto di linea di trasmissione senza perdite di lunghezza l e im-

pedenza caratteristica ZC . Dalla (2.39) e dalla (2.77) si ottiene:
 Ã ! 
ZC Z0
 j sin (βl) − 2 
 Z0 ZC 
 
 Ã ! 
 ZC Z0 
 2 j sin (βl) − 
Z0 ZC
Slinea = Ã ! (2.86)
ZC Z0
2 cos (βl) + j sin (βl) +
Z0 ZC
e, se si considera l’impedenza caratteristica della linea pari a quella di

normalizzazione, ZC = Z0 ,
" #
0 exp (−jβl)
Slinea = (2.87)
exp (−jβl) 0
2.4.3 Rappresentazione di trasmissione di diffusione

Analogamente al caso della rappresentazione in termini di tensio-
ni e correnti, anche la rappresentazione che utilizza onde incidenti e
riflesse alle varie porte può differire per la scelta delle grandezze indi-
pendenti. Nel caso della rappresentazione di scattering, si sono scelte
le onde incidenti quali variabili indipendenti, ottenendo quelle rifles-
se come combinazione lineare di onde incidenti. Come nel caso della
matrice di trasmissione, è possibile scegliere le onde alla seconda por-
ta come variabili indipendenti e quelle alla prima come combinazione
lineare delle prime. La rappresentazione risultante prende il nome di
matrice di trasmissione di diffusione (o di trasmissione di scattering):
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
b1 T11 T12 a2 a2
= · =T · (2.88)
a1 T21 T22 b2 b2
con gli elementi che possono ottenersi dalle:
¯ ¯
¯ ¯
∆ b1 ¯ ∆ b1 ¯
T11 = ¯ T12 = ¯
a2 ¯ b2 ¯
b2 =0 a2 =0
¯ ¯ (2.89)
¯ ¯
∆ a1 ¯ ∆ a1 ¯
T21 = ¯ T22 = ¯
a2 ¯ b2 ¯
b2 =0 a2 =0
È facile mostrare poi che, come nel caso della matrice ABCD, la
rappresentazione di trasmissione di scattering consente di ottenere la
rappresentazione della cascata di reti come prodotto delle singole rap-

presentazioni:
· ¸ · ¸· ¸
T11T T12T T11A T12A T11B T12B
TT = = · = TA ·TB (2.90)
T21T T22T T21A T22A T21B T22B
La proprietà di reciprocità (2.79) si traduce, per la matrice di tra-
smissione di scattering, nella:
det (T ) = T11 · T22 − T12 · T21 = 1 (2.91)

La rappresentazione di trasmissione di scattering può trasformarsi
in quella di diffusione e viceversa tramite le relazioni seguenti, imme-
diatamente ottenibili:
· ¸ " #
T11 T12 1 − det (S) S11
T = = · (2.92)
T21 T22 S21 −S22 1
· ¸ " #
S11 S12 1 T12 det (T )
S= = · (2.93)
S21 S22 T22 1 −T21
Utilizzando poi la (2.87) e la (2.92) è facile ottenere la matrice di
trasmissione di scattering per una linea senza perdite con ZC = 50 Ω:
" #
exp (−jβl) 0
Tlinea = (2.94)
0 exp (jβl)
Quindi l’effetto di una linea con impedenza caratteristica pari a
quella di normalizzazione, posta eventualmente in cascata ad un cir-
cuito in fase di misura, ne modifica i parametri semplicemente inse-
rendo uno sfasamento agli stessi (tale è l’effetto della (2.94)). Questa
semplicità di rappresentazione e di schematizzazione è uno dei motivi
fondamentali dell’utilizzazione, soprattutto in fase di caratterizzazio-
ne e di misura, della rappresentazione in termini di onde incidenti e
riflesse.
2.4.4 Rappresentazione di diffusione per reti autonome

Come nel caso delle rappresentazioni per reti autonome descritte da
matrici di impedenze, ammettenze o di trasmissione, anche con la rap-
presentazione di scattering è possibile descrivere reti contenenti gene-
ratori indipendenti. In questo caso chiaramente il generatore equiva-
lente sarà un generatore di potenza. Come visto, per un bipolo esistono
le rappresentazioni equivalenti di Thevenin e Norton già ricordate. In

entrambe tali rappresentazioni, i generatori indipendenti erogano una
tensione o una corrente prefissata e l’altra grandezza (corrente o ten-
sione) verrà determinata dall’interazione dell’impedenza (ammetten-
za) interna con il circuito esterno. Dovendo caratterizzare la potenza
del generatore, una scelta possibile per questa è nella potenza che il ge-
neratore stesso erogherebbe sull’impedenza di normalizzazione. L’on-
da, di potenza, emessa quindi dal generatore, sarà legata alla potenza
da esso erogabile PG,Z0 dalla
p
|bG | = PG,Z0 (2.95)
GG
a1
PG, Z0 bG
GG .a1
Figura 2.21: Circuito equivalente ad un generatore d’onda di potenza.
Ora, se si definisce il coefficiente di riflessione equivalente ΓG come

quello che il bipolo presenterebbe spegnendo i generatori indipendenti
(sulla medesima impedenza di normalizzazione), è possibile rappresen-
tare il bipolo in termini di onde di potenza come nella Figura 2.21, e
quindi sulla base della relazione costitutiva
b1 = bG + ΓG · a1 (2.96)
Dal punto di vista circuitale risulta conveniente descrivere il solo

generatore (anche se non fisicamente significativo) come una rete a due
porte, caratterizzata dalla coppia di relazioni:
b1 = a2
(2.97)
b2 = bG + a1
corrispondente alla rete a due porte in Figura 2.22.

Ovviamente una delle due porte (la prima in questo caso) deve es-
sere connessa al coefficiente di riflessione che caratterizza il bipolo
autonomo, dando origine cosı̀ alla rappresentazione in Figura 2.23.
PG, Z0
a1 a2
b1 b2
Figura 2.22: Generatore di onda di potenza come rete a due porte.
PG,Z0
a1
GG
b1=GG.a1+bG
Figura 2.23: Circuito equivalente di un bipolo autonomo.
Da tale rappresentazione si può facilmente passare alla rappresen-

tazione multiporta per estensione. Nel caso della rappresentazione di
diffusione, l’annullamento dei generatori di onda di potenza consiste
nell’annullare il valore della potenza disponibile dagli stessi, ottenen-
do quindi come rappresentazione una normale matrice di diffusione.
Il valore dei generatori equivalenti può essere determinato andando
a misurare la potenza che la porta sotto esame cede ad un carico pa-
ri all’impedenza di normalizzazione della stessa, quando tutte le altre
porte sono terminate sulla loro impedenza di normalizzazione. Questo
implica una rappresentazione del tipo:
· ¸ · ¸ · ¸ · ¸
b1 S11 S12 a1 bG1
b= = · + = Sof f · a + bG (2.98)
b2 S21 S22 of f
a2 bG2
ossia un circuito del tipo indicato nella Figura 2.24.
2.4.5 Conversioni tra rappresentazioni a due e tre porte

In molti casi risulta necessario convertire la rappresentazione a di-
sposizione di una rete a due porte, che presenta una configurazione ti-
picamente sbilanciata, in una rappresentazione a tre porte. A titolo di
esempio, si consideri che i parametri di diffusione per i dispositivi attivi
vengono di solito misurati con uno dei terminali del dispositivo stesso
a1 a2
b1 bG1
1 S 2
bG2
b2
Figura 2.24: Equivalente a matrice di diffusione di una rete a due

porte con generatori indipendenti di potenza.
comune alle porte di ingresso e di uscita. Dalla misura di tale rete può
essere necessario determinare una rappresentazione del dispositivo a
tre porte, in cui il terzo terminale possa essere cosı̀ svincolato. La si-
tuazione è rappresentata in Figura 2.25 per una trasformazione da due
a tre porte:
I1 I2
I1 I2 Z, Y, S
V1 1 2 V2
Z, Y, S
V1 1 2 V2 I3
V3
Figura 2.25: Conversione tra reti a due e tre porte.
Indicando le variabili tensioni e correnti della rete a tre porte con

una sopralineatura, si ha:
V̄1 − V̄3 = V1
(2.99)
V̄2 − V̄3 = V2
per le tensioni e
I¯1 = I1
I¯2 = I2 (2.100)
I¯1 + I¯2 = −I¯3
per le correnti. Utilizzando la rappresentazione della rete a due porte
e le relazioni che legano i parametri di scattering con i corrisponden-
ti parametri ammettenza e impedenza insieme ai legami tra tensio-

ni e correnti e onde incidenti e riflesse (nell’ipotesi di impedenza di
normalizzazione Z0 identica per le porte e reale),
√
V = Z0 · (a + b)
(a − b) (2.101)
I= √
Z0
si ottiene:
   
b̄1 ā1
 b̄2  = X · Y ·  ā2  (2.102)
b̄3 ā3
dove X e Y sono date da:
 −1
2 0 S11 + S12 − 1
 
X= 0 2 S21 + S22 − 1 
 (2.103)
1 1 1
 
2S11 2S12 1 − S11 − S12
 
Y =
 2S21 2S22 1 − S22 − S21 
 (2.104)
1 1 1
ed in cui i parametri di scattering utilizzati sono quelli della rete a due
porte da trasformare.
Viceversa, se si vuole passare dalla rappresentazione a tre porte
a quella a due porte, chiudendone una (ad es. la terza) su un dato
coefficiente di riflessione Γ3 , si ottiene
 
S̄13 · S̄31 · Γ3 S̄13 · S̄32 · Γ3
· ¸  S̄11 + S̄12 + · ¸
b1  1 − S̄33 · Γ3 1 − S̄33 · Γ3   a1
= ·
b2  S̄23 · S̄31 · Γ3 S̄23 · S̄32 · Γ3  a2
S̄21 + S̄22 +
1 − S̄33 · Γ3 1 − S̄33 · Γ3
(2.105)
2.5 Esercizi
1. Per una rete due porte, si scelgano come variabili indipendenti la
corrente alla prima porta e la tensione alla seconda, ottenendo co-
me variabili dipendenti la tensione alla prima porta e la corrente
della seconda. Tale rappresentazione prende il nome di matri-
ce ibrida. Si derivino le espressioni per la conversione (diretta
e inversa) di quest’ultima nella rappresentazione a matrice delle
impedenze e in quella a matrice delle ammettenze.
2. La matrice di trasmissione è talvolta definita individuando come
variabili indipendenti tensione e corrente alla prima porta e ot-
tenendo quelle alla seconda come variabili dipendenti. In questo
caso, quali sono le proprietà della rappresentazione risultante?
Come è legata alla matrice ABCD introdotta?
3. Si determini la rappresentazione in termini di matrice ibrida del-
le reti in Figura 2.2.
4. Si determini la rappresentazione in termini di matrice di trasmis-
sione inversa delle reti in Figura 2.2.
5. Come si riflettono le proprietà di reciprocità, assenza di perdite e
passività sulla rappresentazione ibrida?
6. Si calcoli la rappresentazione in termini di matrice delle ammet-
tenze della rete a T-derivato (Bridged-T) mostrata in Figura 2.26:
Z3
I1 I2
Z1 Z2
V1 Y V2
Figura 2.26: Rete a T-derivato per l’esercizio 6.
7. Per la rete dell’esercizio 6 si determini la matrice di trasmissione

in maniera diretta.
Esercizi 109
8. Per la rete dell’esercizio 6 si determini la matrice delle impedenze

in maniera diretta.
9. Determinare la rappresentazione in termini di matrice di tra-

smissione di una linea con perdite di lunghezza fissata.
10. Derivare le relazioni che consentono di passare dalla matrice di

trasmissione alla matrice di trasmissione di diffusione, assieme
alle inverse.
11. Si determinino le relazioni di conversione da rappresentazione a

due porte a rappresentazione a tre porte utilizzando la rappre-
sentazione in termini di matrice delle ammettenze.
12. Si determinino le relazioni di conversione da due a tre porte utiliz-

zando la rappresentazione in termini di matrice delle impedenze.
13. Si determini la matrice di trasmissione di diffusione di una linea

di trasmissione con perdite.
14. Data una rete a due porte descritta dai suoi parametri di scatte-
ring, si consideri la connessione in Figura 2.27:
I1=I1A I2=I2A
V1A 1 S 2 V2A
V1A+V1B V2A+V2B
I1=I1B I2=I2B
V1B Zp V2B
Figura 2.27: Connessione in serie tra una rete a due porte e una
impedenza in parallelo per l’esercizio 14.
Si determinino le espressioni dei parametri di scattering della

rete risultante.
15. Si particolarizzino le espressioni trovate nell’esercizio preceden-

te considerando la rete di partenza e l’elemento in serie senza
perdite.
16. Data una rete a due porte descritta dai suoi parametri di diffusio-
ne, si consideri la connessione in Figura 2.28.
I1A+I1B I1=I1A I2=I2A I2A+I2B

Ys
I1=I1B I2=I2B
V1A=V1B V2A=V2B
1 S 2
Figura 2.28: Connessione in parallelo tra una rete a due porte ed una
ammettenza in serie per l’esercizio 16.
Si determinino le espressioni dei parametri di scattering della

rete risultante.
17. Si particolarizzino le espressioni trovate nell’esercizio precedente

considerando la rete di partenza e l’elemento in parallelo senza
perdite.
Capitolo 3
Adattamento di un carico
Indice del capitolo

3.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.2 Adattamento ad elementi concentrati . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.2.1 Connessioni di bipoli concentrati . . . . . . . . . . . . . 114
3.2.2 Connessioni in serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
3.2.3 Connessioni in parallelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
3.2.4 Sintesi della rete di adattamento a singola cella . . . . 120
3.2.5 Derivazione analitica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.2.6 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . 142
3.3 Adattamento ad elementi distribuiti . . . . . . . . . . . . . . . . 145
3.3.1 Connessioni in serie ed in parallelo . . . . . . . . . . . . 145
3.3.2 Adattamento con una sola linea . . . . . . . . . . . . . . 147
3.3.3 Sintesi della rete di adattamento con linea e stub . . . . 148
3.3.4 Derivazione analitica con linea e stub . . . . . . . . . . . 155
d’onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
3.3.6 Derivazione analitica con linea e quarto d’onda . . . . . 160
3.3.7 Adattamento a doppio stub . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
3.3.8 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . 166
3.4 Commenti conclusivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
3.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
111
112 3. Adattamento di un carico
3.1 Introduzione
Con il termine adattamento di un carico si intende il procedimento
di sintesi di una rete due porte che, chiusa sulla seconda porta con un
carico di impedenza ZL , presenti alla prima un valore di impedenza
Zin desiderato (Figura 3.1), tipicamente ma non necessariamente pari
all’impedenza di normalizzazione Z0 , e più in generale uguale al coniu-
gato di un valore di impedenza prefissato ZD (Zin = ZD ∗ , adattamento
coniugato).
Zin Rete di
ZL
adattamento
Figura 3.1: Schematizzazione dell’adattamento di un carico.
L’adattamento coniugato, sul quale ci si soffermerà nel seguito, per-

mette il massimo trasferimento di potenza attiva da un generatore ad
un carico ed è quindi la condizione operativa nella quale tutta la poten-
za a disposizione viene trasferita all’utilizzatore. È chiaro quindi che
laddove si voglia trasferire il segnale nella sua interezza si cerchi di
realizzare tale condizione di adattamento coniugato.
È possibile dimostrare che se la rete sintetizzata è composta unica-
mente da elementi reciproci e senza perdite, allora se la prima porta
viene chiusa sul carico Z0 , o più in generale sul carico ZD , cioè sulla
∗ , alla seconda porta la rete presenterà l’impedenza Z ∗ (Figura 3.2).
Zin L
*
ZD=Zin* Rete di ZL
adattamento
Figura 3.2: Adattamento con rete reciproca e senza perdite.
In generale, considerando la rete caricata al suo ingresso dall’impe-

denza Z0 e in uscita dall’impedenza ZL , in ogni sua sezione l’impedenza
Introduzione 113
presentata verso sinistra sarà pari al complesso coniugato dell’impe-

denza presentata verso destra. Tale proprietà rimane valida però sol-
tanto nell’ipotesi di reti passive, reciproche e senza perdite, perdendo
di validità anche se uno solo di tali requisiti viene a mancare.
Esempi di elementi non reciproci sono le ferriti, utilizzate nella
fabbricazione di isolatori e circolatori (il cui scopo è appunto rendere
non reciproco il circuito e rendere possibile un adattamento unilatera-
le), ma anche i generatori controllati, che schematizzano il comporta-
mento di componenti attivi quali i transistor normalmente utilizzati a
microonde.
La rete trasformatrice può essere costituita da elementi concentrati
(resistenze, condensatori, induttori, . . . ) oppure distribuiti (linee di tra-
smissione, risonatori, . . . ), o anche da una combinazione di entrambi.
Elementi concentrati vengono in genere impiegati nella gamma bassa
delle frequenze (cioè al massimo qualche GHz), ossia laddove il loro
comportamento non è pesantemente influenzato da elementi parassiti
necessariamente introdotti dalla loro realizzazione fisica. Gli elementi
distribuiti sono invece di norma utilizzati dalle basse microonde fino
alle onde millimetriche, ossia laddove le loro dimensioni fisiche non
pregiudicano la compattezza (e quindi l’ingombro ed il costo) delle reti
da realizzare. Alle frequenze intermedie tra tali due gamme vengono
utilizzati entrambi i tipi di componenti.
La sintesi di una rete di adattamento può essere effettuata in ma-
niera esatta ad una sola frequenza∗ ; in questo caso è sufficiente utiliz-
zare una rete con due soli gradi di libertà, che vengono utilizzati per
determinare i due parametri reali dell’impedenza da sintetizzare (cioè
parte reale e parte immaginaria dell’impedenza, oppure modulo e fase,
. . . ).
A tale scopo si può utilizzare ad esempio una rete a L con due soli
elementi concentrati di valore da determinare, o due linee di trasmis-
sione di lunghezza da definire ed impedenza caratteristica fissata.
Anche se può sembrare naturale, la precedente asserzione non è im-
mediatamente verificabile, in quanto i circuiti lineari, nell’ambito dei
quali viene posto il problema dell’adattamento, sono tali nei confronti
delle relazioni intercorrenti tra eccitazione e risposta (tensioni o cor-
renti o grandezze equivalenti); non sono invece lineari le relazioni che
legano il valore degli elementi del circuito (induttori, condensatori, . . . )
alla descrizione esterna dello stesso (parametri di impedenza, ammet-
∗
Più precisamente è possibile effettuare un adattamento ideale soltanto per un
insieme numerabile di frequenze discrete, a meno di casi particolari.
tenza o equivalenti, quali la funzione di trasferimento, il coefficiente di

riflessione, . . . ).
Nel dominio della frequenza (o di Laplace) tali relazioni hanno la
forma di funzioni razionali nel caso degli elementi concentrati, e fun-
zioni composte di funzioni razionali e funzioni trascendenti nel caso dei
circuiti distribuiti. Quando le incognite sono rappresentate non dalle
tensioni o correnti, come nel caso dell’analisi di un circuito, ma dai
valori degli elementi del circuito stesso, come nel caso della sintesi, il
problema non è quindi più lineare. In particolare, si vedrà che la re-
te che consente la sintesi ad una frequenza ad elementi concentrati è
sempre realizzabile ad esempio con una cella a L, composta da un con-
densatore e da un induttore, ma non sempre con la stessa topologia:
sarà quindi necessario modificare la topologia della cella a seconda del
valore del carico.
Nel caso in cui la stessa rete fisica debba adattare lo stesso carico in
un intervallo di frequenze non si può in generale risolvere il problema
in maniera esatta, neanche utilizzando un numero di parametri più
grande, ma ci si deve limitare a risolverlo in forma approssimata.
In questa sezione quindi ci si limiterà ad occuparsi del problema
dell’adattamento a singola frequenza (ossia a banda stretta), e si de-
scriveranno brevemente possibili soluzioni per il caso a banda larga
nel capitolo successivo.
Si individueranno dapprima le tecniche di adattamento in forma
concentrata, introdotte mostrando quale sia l’effetto della connessione
di bipoli elementari in serie o in parallelo. Quindi si studieranno le
tecniche più diffuse di adattamento a banda stretta ad elementi distri-
buiti, considerando dapprima l’effetto di inserzione di elementi in serie
e in parallelo al carico.
In tutto questo si cercherà sempre di visualizzare l’effetto della rete
di adattamento sul carico utilizzando la carta di Smith, sia per maggio-
re chiarezza che per praticità di utilizzazione. Laddove la complessità
del problema lo consentirà, si deriveranno anche le espressioni in forma
chiusa per gli elementi della rete di adattamento.
3.2 Adattamento ad elementi concentrati

3.2.1 Connessioni di bipoli concentrati
Si vuole affrontare il problema partendo dalla sintesi di una rete
ad elementi concentrati. In genere tale rete è del tipo a scala e, nella
Adattamento ad elementi concentrati 115
configurazione minima necessaria per una sola frequenza, consiste di

una sola cella a L, costituita da un elemento in serie ed uno in paral-
lelo. Tale rete viene normalmente sintetizzata un elemento alla volta,
aggiunto al carico in serie od in parallelo per modificare la Zin in modo
opportuno, fino ad ottenere, alla fine della sintesi, Zin = ZD ∗.
Per poter scegliere il tipo di connessione ed il tipo di elemento è

necessario innanzitutto conoscere gli effetti dell’inserimento di un ele-
mento in serie od in parallelo sull’impedenza Zin (Figura 3.1) vista
dall’ingresso della rete; a questo proposito è utilissima e normalmen-
te utilizzata la carta di Smith, sia per l’uso prevalente a microonde
dei parametri di diffusione e loro derivati (coefficiente di riflessione,
VSWR, ...), sia per la sua praticità di utilizzazione per la sintesi di reti
di adattamento.
Nel seguito si indicheranno le grandezze normalizzate all’impeden-
za di normalizzazione della carta con una sopralineatura:
F (grandezza non normalizzata) → F (grandezza normalizzata)
3.2.2 Connessioni in serie

Si consideri innanzitutto la connessione in serie. Il carico ZL è rap-
presentabile, nel dominio della frequenza, da un numero complesso e
si può quindi scrivere come somma di una parte reale ed una parte
immaginaria:
ZL = RL + j · XL (3.1)
corrispondenti alla resistenza ed alla reattanza del carico. Se si aggiun-
ge un elemento in serie con impedenza Zs = Rs + j · Xs , l’impedenza
Zin (Figura 3.3) diventa:
Zin = (RL + Rs ) + j · (XL + Xs ) (3.2)

Se si connette in serie un elemento puramente resistivo (ossia Zs =
Rs ), la Zin presenterà la stessa parte immaginaria dell’impedenza di
carico ZL , ma differente parte reale (maggiore, visto che la rete di
adattamento è supposta passiva):
Zin = (RL + Rs ) + j · XL (3.3)

Ciò significa che sulla carta di Smith il punto corrispondente all’im-
pedenza Zin si troverà sulla stessa circonferenza a parte immaginaria
Zs
Zin ZL
Figura 3.3: Inserzione di una impedenza in serie al carico.
(reattanza) costante (X = XL ) rispetto all’impedenza di carico ZL , ma

spostato all’intersezione con la circonferenza a parte reale (resistenza)
costante R = RL + Rs , come indicato in Figura 3.4.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
ZL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.4: Effetto di un resistore in serie al carico.
Analogamente, se si connette in serie una reattanza (ossia ZS =

j · Xs ), la Zin avrà la stessa parte reale dell’impedenza di carico ZL , ma
differente parte immaginaria:
Zin = RL + j · (XL + Xs ) (3.4)
In questo caso sulla carta di Smith il punto corrispondente all’im-

pedenza Zin si troverà sulla stessa circonferenza a resistenza costante
(R = RL ) rispetto all’impedenza di carico ZL , ma spostato all’interse-

zione con la circonferenza a reattanza costante X = XL + Xs .
La reattanza aggiunta in serie sarà positiva o negativa a seconda
che sia del tipo induttivo o capacitivo, ossia in particolare:
Xs = Im (jωL) = ωL
Ã !
1 1 (3.5)
Xs = Im =−
jωC ωC
e quindi la reattanza della Zin sarà maggiore o minore di quella del ca-
rico a seconda del tipo di componente connesso in serie, come illustrato
nella Figura 3.5.
j1 j1
j0.5 j2 j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j5

-j0.2
ZL -j2
ZL -j2
-j0.5 -j0.5
-j1 -j1
Figura 3.5: Effetto di un induttore (sinistra) e di un condensatore

(destra) in serie al carico.
In tutti questi casi la lunghezza dello spostamento, ovvero la diffe-

renza tra la resistenza o la reattanza iniziali e quelle finali, dipende
dal valore dell’elemento connesso in serie. In particolare, la differenza
delle resistenze è proprio pari alla resistenza Rs , mentre per quel che
riguarda la reattanza aggiuntiva la differenza è pari al valore dell’in-
duttore moltiplicato per la pulsazione ω, oppure all’inverso della capa-
cità moltiplicata per la pulsazione ω. Si deduce quindi, in linea con
l’evidenza, che un induttore in serie ha tanto meno effetto quanto più
è piccola la sua induttanza (e quanto più è bassa la frequenza), mentre
un condensatore in serie ha tanto meno effetto quanto più è grande la
sua capacità (e quanto più è alta la frequenza).
3.2.3 Connessioni in parallelo

Si consideri ora la connessione in parallelo descritta in Figura 3.6.
Conviene esprimere il carico ZL in termini di ammettenza, e rappresen-
tarlo tramite la YL = 1/ZL . Anche l’ammettenza è un numero comples-
so, che si può quindi esprimere come parte reale e parte immaginaria:
YL = GL + j · BL (3.6)
corrispondenti alla conduttanza ed alla suscettanza del carico. Se si
aggiunge un elemento in parallelo di ammettenza pari a Yp = Gp +j·Bp ,
l’ammettenza Yin diventa:
Yin = (GL + Gp ) + j · (BL + Bp ) (3.7)
Yin Yp YL
Figura 3.6: Inserzione di una ammettenza in parallelo al carico.
Se si connette in parallelo un elemento puramente conduttivo (Yp =

Gp ) la Yin avrà la stessa parte immaginaria dell’ammettenza di carico
YL , ma differente parte reale (maggiore, visto che la rete di adattamen-
to è passiva):
Yin = (GL + GP ) + j · BL (3.8)

Ciò significa che sulla carta di Smith (Figura 3.7) il punto corrispon-
dente all’ammettenza Yin si troverà sulla stessa circonferenza a parte
immaginaria (suscettanza) costante (B = BL ) rispetto all’ammettenza
di carico YL , ma spostato all’intersezione con la circonferenza a parte
reale (conduttanza) costante G = GL + Gp .
Analogamente, se si connette in parallelo una suscettanza (Yp =
j · Bp ), la Yin avrà la stessa parte reale dell’ammettenza di carico YL ,
ma differente parte immaginaria:
Yin = GL + j · (BL + Bp ) (3.9)

In questo caso sulla carta di Smith il punto corrispondente all’am-
mettenza Yin si troverà sulla stessa circonferenza a conduttanza co-
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
ZL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.7: Effetto dell’inserzione di una conduttanza in parallelo al

carico.
stante (G = GL ) rispetto all’ammettenza di carico YL , ma spostato al-

l’intersezione con la circonferenza a suscettanza costante B = BL +
Bp .
La suscettanza aggiunta in parallelo sarà positiva o negativa a se-
conda che sia del tipo capacitivo o induttivo:
Bp = Im (jωC) = ωC
Ã !
1 1 (3.10)
Bp = Im =−
jωL ωL
e quindi la suscettanza della Yin sarà maggiore o minore di quella del

carico a seconda del tipo di componente connesso in parallelo. Le due
possibilità sono indicate nella Figura 3.8.
Anche in tutti questi casi la lunghezza dello spostamento, ovvero la
differenza tra la conduttanza o la suscettanza iniziali e quelle finali,
dipende dal valore dell’elemento connesso in parallelo. In particola-
re, la differenza delle conduttanze è proprio pari alla conduttanza Gp ,
mentre per quel che riguarda la suscettanza aggiuntiva la differenza
è pari al valore della capacità moltiplicato per la pulsazione ω, oppure
all’inverso dell’induttanza moltiplicata per la pulsazione ω. Si dedu-
ce quindi, in linea con l’evidenza, che un condensatore in parallelo ha
j1 j1
j0.5 j2 j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
ZL -j2
ZL -j2
-j0.5 -j0.5
-j1 -j1
Figura 3.8: Effetto dell’inserzione di un induttore (a sinistra) e di un

condensatore (a destra) in parallelo al carico.
tanto meno effetto quanto più è piccola la sua capacità (e quanto più
è bassa la frequenza), mentre un induttore in parallelo ha tanto meno
effetto quanto più è grande la sua induttanza (e quanto più è alta la
frequenza).
3.2.4 Sintesi della rete di adattamento a singola cella

Si illustrerà ora con un esempio il metodo di sintesi di una rete ad
una cella a L, supponendo di dover sintetizzare una rete che adatti un
carico ZL a Z0 , cioè che presenti all’ingresso della rete una Zin pari a
Z0 .
Si noti che l’impedenza di adattamento (ossia quella che si deve pre-
sentare all’ingresso della rete di adattamento) viene solitamente indi-
cata come Z0 e non come Z0∗ , come sarebbe più corretto in linea di prin-
cipio, poiché Z0 è nella quasi totalità dei casi reale, e normalmente pari
a 50 Ω.
Si scelga ad esempio come valore dell’impedenza del carico:
ZL = 0.5 − j · 1
(3.11)
ZL = ZL · Z0 = (25 − j · 50) Ω
e si supponga inoltre di voler effettuare l’adattamento a 10 GHz.

Verifichiamo se sia possibile sintetizzare una cella di adattamento
costituita da un elemento reattivo in serie ed uno suscettivo in paralle-

lo, ossia con la topologia in Figura 3.9.
jXs
Zin=Z0 jBp ZL
Figura 3.9: Rete di adattamento serie / parallelo.
Con riferimento alla Figura 3.10, un possibile procedimento consiste

nell’accordare con il primo elemento serie la parte reale dell’ammetten-
za (Y1 = G0 − j · Bp , con Bp di valore non intenzionale risultante da que-
sta prima operazione), riservandosi cosı̀ con il secondo e ultimo passo di
compensare la suscettanza risultante −Bp tramite una suscettanza in
parallelo di valore uguale ed opposto Bp ; il carico finale a questo punto
sarà dunque Y0 = G0 .
jXs
Zin=Z0
jBp ZL
Yin=Y0
Y1
Figura 3.10: Definizione dell’ammettenza Y1 .
Sulla carta di Smith si cerca, in base a quanto detto in preceden-

za, di scegliere il primo elemento (in serie) in modo tale da portare la
Z1 = 1/Y1 = ZL + j · Xs sulla circonferenza a parte reale della condut-
tanza pari a G0 = 1/Z0 = 20 mS, per potere, con il passo successivo,
compensare la suscettanza residua.
Tale metodo può essere realizzato seguendo una circonferenza a
parte reale dell’impedenza costante (Figura 3.11).
La reattanza in serie utilizzata per questo primo passo in questo
caso è una induttanza, di valore tale da portare carico ZL nel punto
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Z1 ,Y1 -j5
ZL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.11: Effetto dell’inserzione dell’induttore serie fino al cerchio

a conduttanza unitaria.
Z1 . Dai valori del carico (3.11) e dalla lettura della carta di Smith che
fornisce Z1 :
Z1 = 0.5 − j · 0.5
(3.12)
Z1 = Z1 · Z0 = (25 − j · 25) Ω
si avrà:
Xs = ωLs = ∆X = X1 − XL = (−25 + 50) Ω = 25 Ω

⇓
(3.13)
∆X 25
Ls = = H = 0.398 nH
ω 2π · 10 · 109
Il punto in cui si è arrivati è situato per costruzione sulla circonfe-

renza che individua tutti i punti a parte reale della ammettenza pari
a G0 = 1/Z0 = 20 mS. Il valore della sua ammettenza si legge sul-
le circonferenze a parte reale e parte immaginaria dell’ammettenza

costanti, e vale:
Y1 = G1 + j · B1 = 1 + j · 1
Y1 = Y1 · Y0 = G1 + j · B1 = (0.02 + j · 0.02) S = (20 + j · 20) mS
(3.14)
Si vuole ora, inserendo una suscettanza in parallelo, arrivare ad
avere Yin = Y0 = 20 mS ossia reale e pari alla ammettenza di normaliz-
zazione. Dalla carta di Smith, ciò corrisponde a percorrere la circonfe-
renza a parte reale costante (e pari a G0 ), fino a raggiungere il centro
della carta, come in Figura 3.12.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Z1 , Y1 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.12: Effetto dell’inserzione dell’induttore in parallelo fino al

carico adattato.
Ciò si ottiene facilmente scegliendo Bp in modo da compensare la

parte immaginaria di Y1 :
Bp = −B1 = −1
(3.15)
Bp = Bp · Y0 = −B1 = −20 mS
L’elemento che realizza una suscettanza negativa è un induttore,

tale che sia:
1
Bp = − = −20 mS
ωLp
⇓ (3.16)
1
Lp = = 0.796 nH
2π · 10 · 109 · 20 · 10−3
In questo modo si è ottenuta un’ammettenza Yin di valore:
Yin = Y1 + j · Bp = (G1 + j · B1 ) + j · Bp = 20 mS = Y0
m
(3.17)
1
Zin = = 50 Ω = Z0
Yin
Si è quindi realizzato l’adattamento del carico ZL tramite una cella
a L del tipo L serie / L parallelo, quale quella indicata nella Figura 3.13.
Ls = 0.398 nH
Lp= 0.796 nH ZL=(25-j50) W
Figura 3.13: Rete di adattamento L serie / L parallelo sintetizzata.
che ha effettuato il percorso sulla carta di Smith indicato in Figu-

ra 3.14.
Questa non è l’unica possibilità; dalla carta di Smith (Figura 3.15)
si osserva che si può effettuare il percorso ZL → (Z2 /Y2 ) → Y0 , con
(Z2 /Y2 ) ancora sulla circonferenza a parte reale dell’ammettenza pari
a G0 , e valore pari a:
Z2 = R2 + j · X2 = 0.5 + j · 0.5
Z2 = Z2 · Z0 = R2 + j · X2 = (25 + j · 25) Ω
m (3.18)
Y2 = G2 + j · B2 = 1 − j · 1
Y2 = Y2 · Y0 = G2 + j · B2 = (20 − j · 20) mS
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Z1 ,Y1 -j5
ZL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.14: Effetto complessivo della rete di adattamento L serie / L

parallelo.
Il componente in serie necessario per trasformare la ZL in Z2 è

ancora un induttore, di valore:
Xs = ωL = ∆X = X2 − XL = (25 + 50) Ω = 75 Ω
⇓
(3.19)
∆X 75
Ls = = H = 1.19 nH
ω 2π · 10 · 109
L’induttore ha, in questo caso, un valore superiore a quello utilizzato

precedentemente.
Il passo successivo, necessario per trasformare Z2 in Z0 , si effettua
ancora con un componente in parallelo, visto che ci si deve muovere
lungo una circonferenza a parte reale dell’ammettenza (conduttanza)
costante.
In questo caso però, visto che si deve compensare una suscettanza
j1
j0.5 j2
Z2 ,Y2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
ZL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.15: Percorso di adattamento L serie / C parallelo.
negativa, si deve utilizzare un condensatore in parallelo, che ha una

suscettanza positiva:
Bp = ωCp = −B2 = 20 mS
⇓
(3.20)
20 ·10−3
Cp = F = 0.318 pF
2π · 10 · 109
In questo caso si è quindi realizzato l’adattamento del carico ZL tra-
mite una cella a L di tipo L serie / C parallelo, la cui topologia è indicata
nella Figura 3.16.
Ls= 1.19 nH
Cp= 0.318 pF ZL=(25-j50) W
Figura 3.16: Rete di adattamento L serie / C parallelo.

Esistono altre due possibilità, che conducono con il primo passo sul-
la circonferenza a parte reale della impedenza (resistenza) costante e
pari a Z0 , e con il secondo passo al centro della carta di Smith.
Ciò corrisponde ad accordare con il primo elemento, in parallelo,
la parte reale dell’impedenza (Z1 = Z0 − j · Xs , con Xs di valore non
intenzionale risultante da questa prima operazione), riservandosi cosı̀
con il secondo e ultimo passo di compensare la reattanza risultante
−Xs tramite una reattanza in serie di valore uguale ed opposto Xs
(Figura 3.17); il carico finale a questo punto sarà cosı̀ Z0 .
jXs
Yin=Y0
jBp ZL
Zin=Z0
Z1
Figura 3.17: Adattamento con reti parallelo/serie.
Utilizzando ancora la carta di Smith, si cerchi quindi di scegliere

il primo elemento (in parallelo) in modo tale da trasformare la Y1 =
YL + j · Bp sulla circonferenza a parte reale dell’impedenza pari a Z0 =
50 Ω, per potere, con il passo successivo, compensare la reattanza re-
sidua. Ciò può essere fatto seguendo una circonferenza a parte reale
dell’ammettenza costante, come in Figura 3.18.
La suscettanza in parallelo utilizzata per questo scopo in questo
caso è una induttanza, di valore tale da portare il punto YL nel punto
Y1 . Dal carico in termini di impedenza (3.11), espresso in termini di
ammettenza:
1
YL = = GL + j · BL = 0.4 + j · 0.8
ZL
(3.21)
1 1
YL = = YL · Y0 = = GL + j · BL = (8 + j · 16) mS
ZL ZL · Z0
si ottiene:
Y1 = G1 + j · B1 = 0.4 + j · 0.5
(3.22)
Y1 = Y1 · Y0 = G1 + j · B1 = (8 + j · 10) mS
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Y1 ,Z1 -j5
YL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.18: Effetto dell’induttore parallelo fino al cerchio a resisten-

za unitaria.
e quindi:
1
Bp = − = ∆B = B1 − BL = (10 − 16) mS = −6 mS
ωLp
⇓ (3.23)
1 1
Lp = = H = 2.65 nH
ω · ∆B 2π · 10 · 109 · 6 · 10−3
Il punto in cui siamo arrivati è situato per costruzione, come det-
to, sulla circonferenza che individua tutti i punti a parte reale della
impedenza pari a Z0 = 50 Ω. Il valore della sua impedenza si legge
sulle circonferenze a parte reale e parte immaginaria della impedenza
costanti, e vale:
Z1 = R1 + j · X1 = 1 − j · 1.2
(3.24)
Z1 = Z1 · Z0 = R1 + j · X1 = (50 − j · 60) Ω
Si vuole ora, inserendo una reattanza in serie, arrivare ad avere
Zin = Z0 = 50 Ω reale e pari alla impedenza di normalizzazione. Dalla
carta di Smith ciò corrisponde a percorrere la circonferenza a parte
reale della impedenza costante (e pari a Z0 ) fino a raggiungere il centro

della carta (Figura 3.19).
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Y1 ,Z1 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.19: Effetto dell’induttore serie fino al carico adattato.
Ciò si ottiene facilmente scegliendo Xs in modo da compensare la

parte immaginaria di Z1 :
Xs = −X1 = 1.2
(3.25)
Xs = Xs · Z0 = −X1 = 60 Ω
L’elemento che realizza una reattanza positiva è un induttore, di

valore:
Xs = ωLs = 60 Ω
⇓
(3.26)
60
Ls = H = 0.955 nH
2π · 10 · 109
In questo modo si è ottenuta una impedenza Zin di valore:
Zin = Z1 + j · XS = (R1 + j · X1 ) + j · Xs = 50 Ω = Z0 (3.27)

Abbiamo quindi realizzato l’adattamento del carico ZL tramite una

cella a L di tipo L parallelo / L serie, quale quella indicata nella Figu-
ra 3.20.
Ls= 0.955 nH
Lp= 2.56 nH ZL=(25-j50) W
Figura 3.20: Rete di adattamento L parallelo / L serie.
che ha effettuato il percorso sulla carta di Smith illustrato nella Figu-

ra 3.21.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 Y1 ,Z1 -j5
YL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.21: Percorso completo della rete L parallelo / L serie.
Si verifichi ora l’altra possibilità; dalla carta di Smith si osserva

che si può effettuare il percorso YL → (Y2 /Z2 ) → Z0 (Figura 3.22), con
(Y2 /Z2 ) ancora sulla circonferenza a parte reale dell’impedenza pari a
Z0 , e valore pari a:
Y2 = G2 + j · B2 = 0.4 − j · 0.5
(3.28)
Y2 = Y2 · Y0 = G2 + j · B2 = (8 − j · 10) mS
Z2 = R2 + j · X2 = 1 + j · 1.2
(3.29)
Z2 = Z2 · Z0 = R2 + j · X2 = (50 + j · 60) Ω
j1
j0.5 j2
Y2 ,Z2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
YL -j2
-j0.5
-j1
Figura 3.22: Percorso alternativo per l’adattamento parallelo/serie.
Il componente in parallelo necessario per trasformare YL in Y2 è

ancora un induttore, di valore:
1
Bp = − = ∆B = B2 − BL = (−10 − 16) mS = −26 mS
ωLp
⇓ (3.30)
1 1
Lp = = H = 0.612 nH
ω · ∆B 2π · 10 · 109 · 26 · 10−3
Si noti che l’induttore ha un valore inferiore a quello utilizzato pre-
cedentemente. Il passo successivo, necessario per trasformare Z2 in Z0 ,
si effettua ancora con un componente in serie, visto che ci si deve muo-

vere su di una circonferenza a parte reale della impedenza (resistenza)
costante; stavolta però, visto che si deve compensare una reattanza po-
sitiva, si deve utilizzare un condensatore in serie, che ha una reattanza
negativa:
1
Xs = − = −X2 = −60 Ω
ωCs
⇓ (3.31)
1
Cs = F = 0.265 pF
2π · 10 · 109 · 50
In questo caso si è quindi realizzato l’adattamento del carico ZL tra-
mite una cella a L di tipo L parallelo / C serie, indicata nella Figu-
ra 3.23.
Cs= 0.265 pF
Lp= 0.612 nH ZL=(25-j50) W
Figura 3.23: Rete alternativa L parallelo / C serie sintetizzata.
Si può facilmente osservare che non sempre è possibile utilizzare

entrambe le topologie: per esempio, se l’impedenza da adattare ZL è si-
tuata all’interno della circonferenza a conduttanza costante Y = G0 =
1, il primo elemento deve essere in serie e quindi non può essere uti-
lizzata la connessione del tipo parallelo / serie, ma solo quella del tipo
serie / parallelo; analogamente se la ZL è situata all’interno della cir-
conferenza a resistenza costante Z = R0 = 1, il primo elemento deve
essere in parallelo e quindi non può essere utilizzata la connessione del
tipo serie / parallelo, ma solo quella del tipo parallelo / serie.
Inoltre, per ogni topologia non possono essere utilizzate tutte le
combinazioni di induttori e condensatori: il primo elemento deve essere
di tipo opposto alla parte immaginaria del carico. Più esplicitamente,
se la ZL è di tipo capacitivo il primo elemento (sia in serie che in paral-
lelo) deve essere un induttore; se invece la ZL è di tipo induttivo allora
il primo elemento deve essere un condensatore.
Per ricapitolare quanto detto, si consideri la Figura 3.24.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.24: Adattamento ad elementi concentrati con celle a L,

ricapitolazione.
In dettaglio, delle otto possibili combinazioni∗ , all’interno dei cerchi

a conduttanza (resistenza) unitaria ne sono possibili soltanto due, con
elementi di tipo opposto e con il primo in serie (parallelo). Al di fuori
di tali cerchi sono possibili quattro topologie, con il primo elemento di
∗
derivanti dal considerare due elementi (induttore e condensatore), connessi in
due modi diversi (serie e parallelo) con due possibili ordini (prima l’uno e poi l’altro o
viceversa).
tipo opposto a quello del carico: induttivo se il carico è capacitivo o

capacitivo se il carico è induttivo, sia in serie che in parallelo.
Si vuole concludere questa sezione osservando che il problema del-
l’adattamento poteva essere affrontato anche da un punto di vista op-
posto rispetto a quanto descritto.
In altre parole, anziché trasformare il carico dato nell’impedenza di
normalizzazione (o meglio nel coniugato della stessa), si sarebbe potuto
trasformare l’impedenza di normalizzazione in un valore di impedenza
pari al coniugato dell’impedenza di carico, utilizzando la proprietà di
assenza di perdite e reciprocità della rete sfruttata per l’adattamento
(come descritto in Figura 3.2).
Per verifica di tale proprietà, si utilizzi la prima rete derivata per
l’adattamento, formata da un induttore in serie ed uno in parallelo, di
valori rispettivamente Ls = 0.398 nH e Lp = 0.796 nH.
Si può facilmente verificare che l’inserzione in parallelo a Z0 (in
realtà a Z0∗ = Z0 ) dell’induttore Lp e successivamente la serie dell’in-
duttore Ls trasforma tale Z0 nell’impedenza coniugata del carico, come
esemplificato nella Figura 3.25.
Ls= 0.398 nH
ZL*=(25+j50) W
Z0*= 50 W Lp= 0.796 nH
Figura 3.25: Applicazione delle proprietà di reciprocità ed assenza di

perdite della rete di adattamento.
Il percorso su carta di Smith che viene effettuato da tale trasfor-

mazione è mostrato in Figura 3.26 ed è ottenibile semplicemente per
simmetria rispetto all’asse delle Γ reali dal percorso precedentemente
derivato.
Questa proprietà è verificabile chiaramente per tutte le reti a co-
stanti concentrate finora mostrate e anche per tutte quelle che ver-
ranno derivate nel seguito. L’utilizzazione di un approccio o dell’altro è
soltanto funzione della semplicità di impiego e della praticità di calcolo.
3.2.5 Derivazione analitica

Si è finora effettuato il processo di adattamento con una cella a L
facendo uso della carta di Smith. È chiaro che in questo caso semplice
j1
j0.5 j2
ZL*
Z *,Y *
1 1
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.26: Percorso di adattamento sulla carta di Smith a partire

dall’impedenza di normalizzazione.
è possibile anche tentare una soluzione analitica del problema.

A tale scopo si consideri la sezione a sinistra nella Figura 3.27.
jXs jXs
Yin=Y0 jBp ZL=RL+jXL Zin=Z0 jBp YL=GL+jBL
Figura 3.27: Soluzione analitica dell’adattamento con celle a L, rete

serie/parallelo (sinistra) o parallelo/serie (destra).
In altri termini si deve avere
1
Yin = j · Bp + = Y0 (3.32)
RL + j · (XL + Xs )
o, se si considerano direttamente le grandezze normalizzate all’impe-
denza e ammettenza di normalizzazione:
1
Yin = j · Bp + ¡ ¢=1 (3.33)
RL + j · XL + Xs
che è equivalente a risolvere il sistema seguente, con incognite Xs e Bp :


 RL

 ¡ ¢2 = 1

 2
RL + Xs + XL
¡ ¢ (3.34)

 Xs + XL

 Bp −
 2 ¡ ¢2 = 0
RL + Xs + XL
Il sistema (3.34), non lineare nelle incognite, ammette le due solu-

zioni (reali)
 q ¡ ¢  q ¡ ¢

 X = RL 1 − RL − XL 
 X = − RL 1 − RL − XL

 s,1 
 s,2
s e s

 1 − RL 
 1 − RL

 Bp,1 = 
 Bp,2 = −
RL RL
(3.35)
a patto che si abbia
RL < 1 (3.36)
ovvero se il carico da adattare ha parte reale minore dell’impedenza di

normalizzazione e quindi il punto rappresentativo è esterno al cerchio
R = 1.
In termini denormalizzati, le soluzioni (3.35) assumono la forma:
 p  p

 Xs,1 = RL (Z0 − RL ) − XL 
 Xs,2 = − RL (Z0 − RL ) − XL
 s  s
1 Z0 − RL e 1 Z0 − RL

 Bp,1 = 
 Bp,2 = −
 
Z0 RL Z0 RL
(3.37)
L’elemento in parallelo è per Bp,1 un condensatore di valore
Bp,1
Cp,1 = (3.38)
2πf
mentre per Bp,2 è un induttore di valore
1
LP,2 = − (3.39)
2πf · BP,2
La tipologia dell’elemento serie dipende dal segno di XL , e sarà

quindi induttiva se
Xs,1
Xs,1 > 0 ⇒ Ls,1 =
2πf
(3.40)
Xs,2
Xs,2 > 0 ⇒ Ls,2 =
2πf
o capacitiva se
1
Xs,1 < 0 ⇒ Cs,1 = −
2πf · Xs,1
(3.41)
1
Xs,2 < 0 ⇒ Cs,2 =−
2πf · Xs,2
Complessivamente quindi, dato un carico che soddisfi la (3.36), ed

utilizzando una rete a L di tipo serie/parallelo (Figura 3.27 a sinistra),
abbiamo comunque due soluzioni possibili.
Se si considera invece la rete di adattamento mostrata in Figu-
ra 3.27 a destra (rete a L di tipo parallelo/serie), si deve avere:
1
Zin = j · Xs + = Z0 (3.42)
GL + j · (BL + Bp )
o, se si considerano direttamente le grandezze normalizzate
1
Zin = j · Xs + ¡ ¢=1 (3.43)
GL + j · BL + Bp
che è equivalente a risolvere il sistema non lineare seguente, ancora

con incognite Xs e Bp :

 GL

 ¡ ¢2 = 1

 2
GL + Bp + BL
¡ ¢ (3.44)

 Bp + BL

 Xs −
 2 ¡ ¢2 = 0
GL + Bp + BL
che ammette le due soluzioni (reali):
 s  s

 1 − GL 
 1 − GL

 Xs,3 = 
 Xs,4 = −
GL e GL

 q 
 q
 Bp,3 = GL 1 − GL ¢ − BL
 ¡  Bp,4 = − GL 1 − GL ¢ − BL
 ¡
(3.45)
a patto che si abbia
GL < 1 (3.46)
o, in altri termini, se il carico da adattare ha parte reale minore del-

l’ammettenza di normalizzazione e quindi il punto rappresentativo è
esterno al cerchio GL = 1.
Denormalizzando le espressioni delle soluzioni si ottiene:
 s  s

 Y0 − GL 
 Y0 − GL
 Xs,3 =  Xs,4 = −
GL e GL

 p 
 p
 
Bp,3 = GL (Y0 − GL ) − BL Bp,4 = − GL (Y0 − GL ) − BL
(3.47)
l’elemento in serie è per Xs,3 un induttore di valore
Xs,3
Ls,3 = (3.48)
2πf
mentre per Xs,4 è un condensatore di valore
1
Cs,4 = − (3.49)
2πf · Xs,4
La tipologia dell’elemento parallelo dipende dal segno di BL , e sarà

quindi capacitiva se
Bp,3
Bp,3 > 0 ⇒ Cp,3 =
2πf
(3.50)
Bp,4
Bp,4 > 0 ⇒ Cp,4 =
2πf
o induttiva se
1
Bp,3 < 0 ⇒ Lp,3 = −
2πf · Bp,3
(3.51)
1
Bp,4 < 0 ⇒ Lp,4 =−
2πf · Bp,4
Complessivamente quindi, dato un carico che soddisfi la (3.46), ed

utilizzando una rete a L di tipo parallelo/serie (Figura 3.27 a destra),
abbiamo comunque due soluzioni possibili.
Rimangono da analizzare i due casi in cui RL > 1 o GL > 1 ri-
spettivamente utilizzando una rete serie / parallelo o parallelo / serie.
Analizzando per brevità soltanto il primo, è facile verificare che
RL > 1 ⇒ GL < 1 (3.52)
e quindi che se RL > 1 il primo elemento inserito deve essere necessa-

riamente in parallelo.
Delle possibilità a disposizione in questo caso, dipendenti dal se-
gno della Bp risultante, rimangono però applicabili soltanto due, ossia
quelle in cui gli elementi di adattamento sono di tipo diverso (indut-
tore/condensatore o condensatore/induttore). Analogamente per il caso
GL > 1.
È valida quindi complessivamente la seguente tabella di sintesi:
(
2 parallelo/serie
se RL < 1 e GL < 1 ⇒ 4 soluzioni
2 serie/parallelo
se RL > 1 ⇒ 2 soluzioni parallelo/serie, con elementi diversi
se GL > 1 ⇒ 2 soluzioni serie/parallelo, con elementi diversi
Rimangono quindi confermate le topologie riassunte nel diagramma

di ricapitolazione in Figura 3.24.
Ci si potrebbe chiedere se la soluzione di utilizzare la cella a L come
elemento di adattamento sia o meno l’unica possibile.
È possibile a tale scopo generalizzare il problema considerando il
carico ed una rete a due porte ad esso connessa (Figura 3.28) descrit-
ta ad esempio da una rappresentazione a matrice delle impedenze [Z]
(normalizzata).
Rete di
Zin adattamento ZL
[Z]
Figura 3.28: Rete due porte reciproca e senza perdite connessa per
l’adattamento del carico.
Per ipotesi si supponga che la rete sia passiva, reciproca e senza

perdite. In tale caso si ottiene facilmente:
z12 = z21 = j · C  
£ ¤ j·A j·C
z11 = j · A ⇒ Z =  (3.53)
j·C j·B
z22 = j · B
con A, B, C reali e normalizzati. Calcolando l’impedenza di ingresso

alla prima porta della rete ed imponendo l’adattamento all’impedenza
di normalizzazione si ottiene:
C2
Zin = 1 = j · A + ¡ ¢ (3.54)
RL + j · B + XL
dalla quale, uguagliando le parti reale ed immaginaria, si arriva al

sistema non lineare di equazioni:

 C 2 − A · B = RL + A · XL
(3.55)
 A · RL = B + XL
È evidente che il sistema ha 3 incognite ed è quindi sottodetermina-

to. Facendo l’ipotesi (arbitraria) che

 C 2 − C · B = RL + C · XL
A=C ⇒ (3.56)
 C · RL = B + XL
da cui si ottengono le due soluzioni per i termini rimanenti B e C:

 s

 RL
 C=±


 1 − RL
s (3.57)



 RL

 B = ±RL ·
1 − RL
valide ovviamente soltanto se RL < 1. È facile verificare che tale solu-
zione dà luogo alla matrice delle impedenze di una rete a L, composta
dai medesimi elementi ottenuti in precedenza.
Stesso risultato si può ottenere se si sceglie, altrettanto arbitraria-
mente, che sia A = C, giungendo alla rete a L da utilizzare nel caso in
cui sia RL > 1.
Le scelte effettuate per condizionare il sistema sono state arbitrarie,
con lo scopo di giungere ad una configurazione che ammettesse soltan-
to due elementi per l’adattamento. È però possibile effettuare scelte
differenti, che consentono l’utilizzazione di tre (o più) elementi. In par-
ticolare, cerchiamo di determinare le configurazioni per cui nella (3.53)
siano nulli i termini A o B. Supponiamo inoltre che la rete abbia una
topologia a T (due elementi serie ed un elemento parallelo) del tipo £ in¤
Figura 3.29, dalla quale si ottiene semplicemente, per la matrice Z :
jXs1 jXs2
Yin=Y0 jBp ZL=RL+jXL
Figura 3.29: Adattamento con rete a T.
" ¡ ± ¢ ± #
£ ¤ j · Xs1 − 1 Bp −j Bp
Z = ± ¡ ± ¢ (3.58)
−j Bp j · Xs2 − 1 Bp
Se si impone
 p
( 
 Xs1 = ∓ RL
B = −XL 
 .p
A=0 ⇒ p ⇒ Bp = ∓1 RL (3.59)
C = ± RL 


 p
Xs2 = ∓ RL − XL
ossia sono possibili due reti (attenzione ai segni che determinano la

tipologia, induttiva o capacitiva, dell’elemento). Analogamente, se si
impone:
 s

 XL
2
RL + XL
2


 
 Xs1 = ∓
 XL 
 RL RL

 A= 
 s

 

RL RL
B=0 ⇒ s ⇒ Bp = ∓

 2
RL + XL
2 

2
RL + XL
2

 

 C=± 
 s
RL 
 2 2

 RL + XL

 X s2 = ∓
RL
(3.60)
e quindi di nuovo due reti distinte. Ancora una volta la scelta della
topologia (a T) è arbitraria (altrettanto efficacemente si sarebbe potuto
scegliere una topologia a π). Si noti però che, a differenza di quanto
trovato nel caso di celle a L, le soluzioni determinate esistono sempre,
essendo il termine sotto radice sempre positivo sia per le (3.59) che
per le (3.60). Tale proprietà deriva dall’aver aumentato il numero di
gradi di libertà del problema, e la si ritroverà anche nell’adattamento
a costanti distribuite a doppio stub, nel quale l’esistenza di una zona
proibita viene rimossa con l’utilizzazione di un terzo stub.
3.2.6 Comportamento in frequenza

Una differenza tra l’ultimo caso studiato e le reti a L precedente-
mente analizzate può trovarsi potenzialmente nel comportamento in
frequenza delle reti risultanti. Infatti, all’aumentare del numero di
elementi utilizzati, è possibile aumentare la larghezza di banda risul-
tante dalla sintesi. Si può cercare di verificare tale ipotesi confrontan-
do l’andamento in frequenza delle celle a L precedentemente sintetiz-
zate negli esempi. Nella Figura 3.30 viene mostrato l’andamento del
modulo del coefficiente di riflessione in ingresso (in dB∗ ) alla rete di
adattamento caricata dall’impedenza che si è voluto adattare.
Se ci si focalizza su un livello di adattamento (−20 dB in figura), si
può notare che la gamma di frequenze intorno a 10 GHz, per le quali
tale adattamento è ottenuto, è più ampia nel caso dei circuiti Ls /Lp e
∗
Si tenga presente che il modulo del coefficiente di riflessione in dB è 20log (.).
Quindi, un adattamento ideale corrisponde ad avere tele modulo che tende a -∞,
mentre un adattamento di −20 dB corrisponde a 1/10 in scala lineare.
-10
|Gin| -20
Ls / Lp
[dB] -30
Lp / Ls
Ls / Cp
-40
Lp / Cs
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 3.30: Andamento in frequenza delle quattro reti di adattamen-

to derivate nel paragrafo 3.2.4.
Lp /Ls (curve rossa e blu in figura), mentre la banda risultante è più

stretta nel caso dei circuiti Ls /Cp e Lp /Cs (curve nera e verde).
Tale comportamento è la conseguenza della minimalità di ciascuna
rete. In altri termini, tenendo presente che il carico da adattare era nel-
l’esempio di tipo capacitivo, nei circuiti di adattamento contenenti un
condensatore il valore di induttanza utilizzato (serie o parallelo nei due
casi) è stato maggiore di quanto strettamente necessario a compensare
la parte reattiva del carico, portando di conseguenza a maggiori varia-
zioni nel comportamento in frequenza e quindi ad una banda passante
più stretta.
Si può confrontare il comportamento delle celle a L con quanto otte-
nibile dai due approcci a T ora descritti, che danno origine alle quattro
reti di adattamento i cui componenti sono elencati nella Tabella 3.1
(sempre adattando a 10 GHz).
Il comportamento risultante di questi ultimi è mostrato nella Figu-
ra 3.31.
Dal confronto delle due figure, 3.30 e 3.31, è possibile effettuare
alcune considerazioni.
In primo luogo è facile osservare che, anche nel caso dell’adatta-
mento con tre elementi, le prestazioni in termini di banda risultante
possono essere molto diverse. Considerando il livello di riferimento a
−20 dB, si può notare che la rete T2 mostra prestazioni decisamente
Tabella 3.1: Parametri dei circuiti di adattamento a T ottenuti con le

relazioni derivate; capacità espresse in pF e induttanze
in nH.
Rete Xs1 Bp Xs2

T1 da (3.59) Cs1 = 0.76 Cp = 0.20 Ls2 = 1.26
T2 da (3.59) Cs1 = 0.45 Lp = 0.56 Ls2 = 0.23
T3 da (3.60) Cs1 = 0.089 Lp = 1.26 Cs2 = 0.20
T4 da (3.60) Ls1 = 0.56 Cp = 0.45 Ls2 = 1.36
-10
|Gin| -20
T1
[dB] -30
T2
T3
-40
T4
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 3.31: Andamento in frequenza per le quattro reti di adatta-

mento a T.
migliori delle altre, mentre la T3 ha una banda risultante minima.

Inoltre, dal raffronto delle due figure, si deduce che l’aumento del
numero di elementi utilizzati per l’adattamento non comporta neces-
sariamente un aumento della banda passante. In particolare, è facile
notare che le prestazioni delle due reti a L Ls /Lp e Lp /Ls risultano mi-
gliori anche di quelle delle reti a T, mentre quella della rete T3 è la
peggiore di tutte quelle mostrate. In generale si può affermare che l’a-
dattamento a maggiore banda passante si ottiene sempre considerando
il percorso minimo sulla carta a parità di numero di elementi utilizzati.
Adattamento ad elementi distribuiti 145
3.3 Adattamento ad elementi distribuiti

3.3.1 Connessioni in serie ed in parallelo
Consideriamo qui l’effetto della connessione di elementi distribuiti,
ossia essenzialmente linee di trasmissione, in serie e in parallelo.
Dato un carico ZL = RL + jXL , connesso ad una linea di impedenza
caratteristica ZC (in generale complessa) e costante di propagazione
γ = α + j · β di lunghezza d, l’impedenza di ingresso alla struttura
risultante sarà data da:
ZL · cosh (γd) + ZC · sinh (γd) ZL + ZC · tanh (γd)

Zin = ZC · = ZC ·
ZC · cosh (γd) + ZL · sinh (γd) ZC + ZL · tanh (γd)
(3.61)
Zin Z0
d ZL
Figura 3.32: Linea di trasmissione connessa ad un carico.
Se ci si limita per il momento a linee di trasmissione con impeden-

za caratteristica pari a quella di normalizzazione Z0 , l’impedenza di
ingresso sarà pari a (Figura 3.32):
ZL · cosh (γd) + Z0 · sinh (γd) ZL + Z0 · tanh (γd)

Zin = Z0 · = Z0 · (3.62)
Z0 · cosh (γd) + ZL · sinh (γd) Z0 + ZL · tanh (γd)
Nel caso di linea senza perdite, che normalmente si considera, si ha

γ = j · β, e quindi:
ZL · cos (βd) + j · Z0 · sin (βd) ZL + j · Z0 · tan (βd)

Zin = Z0 · = Z0 ·
Z0 · cos (βd) + j · ZL · sin (βd) Z0 + j · ZL · tan (βd)
(3.63)
o in maniera equivalente in termini di ammettenza:
YL · cos (βd) + j · Y0 · sin (βd) YL + j · Y0 · tan (βd)

Yin = Y0 · = Y0 · (3.64)
Y0 · cos (βd) + j · YL · sin (βd) Y0 + j · YL · tan (βd)
Se invece che in termini di impedenza si adotta la rappresentazione

in termini di coefficiente di riflessione, sul carico si ha:
bL = ΓL · aL (3.65)
mentre lungo la linea si ha:
a (x) = a (0) · e−γd (3.66)
b (x) = b (0) · eγd (3.67)

All’ingresso della linea si ha quindi:
b (−d) b (0) · e−γd

Γin = Γ (−d) = = = ΓL · e−2γd =
a (−d) a (0) · eγd (3.68)
= ΓL · e−2αd · e−j2βd
che nel caso di linea senza perdite diventa semplicemente:
Γin = ΓL · e−j2βd (3.69)

Ciò significa che il punto che rappresenta Zin , o meglio Γin , si muove
nel piano dei coefficienti di riflessione in senso orario lungo una circon-
ferenza di raggio pari al modulo di ΓL , con angoli proporzionali alla lun-
ghezza d della linea; in particolare avrà percorso tutta la circonferenza
quando:
2 · β · d = 2π
⇓
2π λ 2π (3.70)
d= = =
2·β2π 2
2·
λ
Una linea lunga mezza lunghezza d’onda farà quindi percorrere al
coefficiente di riflessione un giro completo sulla carta di Smith, fino a
tornare al punto (cioè al valore) di partenza. Lunghezze inferiori fa-
ranno compiere percorsi proporzionalmente più brevi; l’angolo da per-
correre è facilmente leggibile sul bordo esterno della carta di Smith,
che è graduata in frazioni di lunghezza d’onda. La graduazione va da
0 a λ/2, partendo dal corto circuito (Γ = −1 + j0) e percorrendo il bor-
do della carta; dopo un quarto di lunghezza d’onda (λ/4) avrà percorso
mezzo giro, corrispondente al circuito aperto (Γ = +1 + j0). Dopo un

giro completo tornerà come detto al punto di partenza (corto circuito).
Per quel che riguarda una linea di trasmissione in parallelo, si può
considerare il suo effetto semplicemente come quello di una ammet-
tenza in parallelo, di valore Yin = 1/Zin , con quest’ultima data dalla
(3.64).
3.3.2 Adattamento con una sola linea

La prima possibilità di adattamento può essere quella di cercare di
utilizzare per l’adattamento di un carico ZL = RL + j · XL ad un carico
ZS = RS + j · XS una sola linea di trasmissione, della quale è possibile
variare sia l’impedenza caratteristica che la costante di propagazione.
In questo caso, utilizzando la (3.61), e supponendo di essere nella
condizione di assenza di perdite, si deve imporre (condizione di adatta-
mento coniugato) che sia:
ZL + j · ZC · tan (βd)
Zin = ZS∗ = RS − j · XS = ZC · (3.71)
ZC + j · ZL · tan (βd)
Eguagliando le parti reali ed immaginarie dell’equazione preceden-

te si ottengono le soluzioni per le due incognite ZC e d dell’equazione
trascendente (3.71):
s ¡ ¢ ¡ 2 ¢
RL · RS2 + XS2 − RS · RL + XL2
ZC =
RS − RL
" # (3.72)
1 Z C · (RL − R S )
d = · tan−1
β RL · XS − RS · XL
Matematicamente quindi il problema dell’adattamento utilizzando

una sola linea ha sempre una soluzione data dalle equazioni preceden-
ti.
In pratica però, dovendo realizzare la linea, l’impedenza caratteri-
stica deve essere reale e di valore fisicamente realizzabile, come pure
la lunghezza elettrica della linea risultante. Questo limita l’applicabi-
lità dell’approccio, visto che la pratica realizzabilità della linea impone
valori di impedenza caratteristica in un intervallo dettato dalla tecno-
logia prescelta (e comunque di solito centrati intorno alla impedenza di
normalizzazione Z0 = 50 Ω).
3.3.3 Sintesi della rete di adattamento con linea e stub

La tipica cella di adattamento ad elementi distribuiti è costituita
dall’equivalente della rete a scala per la rete ad elementi concentrati,
e cioè dalla successione di linee in serie ed in parallelo. Affinché la
rete sia di tipo reattivo le linee devono essere senza perdite, e gli ele-
menti in parallelo devono essere caricati da elementi reattivi; tipica-
mente vengono utilizzate linee in parallelo chiuse su un circuito aperto
(Figura 3.33) o da un corto circuito (Figura 3.34).
ds
Z0
Zin Z0
dl ZL
Figura 3.33: Topologia della rete di adattamento linea / stub aperto.
ds
Z0
Zin Z0
dl ZL
Figura 3.34: Topologia della rete di adattamento linea / stub in corto.
Le linee in parallelo assumono il nome di stub, in corto o aperto a

seconda del caso. L’impedenza caratteristica delle due linee è supposta
pari a Z0 , cosicché si hanno due soli parametri liberi per la sintesi, e
cioè le due lunghezze dl e ds rispettivamente della linea e dello stub;
anche in questo caso è rispettata l’analogia con la cella ad elementi
concentrati.
Naturalmente la generica cella può avere linee di impedenza carat-
teristica differente da Z0 , ma si tende ad utilizzare questi ulteriori due
parametri liberi per ampliare la banda di frequenze di adattamento o

per compensare effetti parassiti, piuttosto che per ridurre il numero di
elementi della rete di adattamento, dato il loro effetto di secondo ordine
sull’adattamento stesso.
Si illustrerà con un esempio il metodo di sintesi di una rete ad ele-
menti distribuiti, supponendo di sintetizzare una rete che adatti il cari-
co ZL a Z0 in cui si utilizzino gli stessi valori assunti nel caso a costanti
concentrate, ovvero
ZL = 0.5 − j · 1
(3.73)
ZL = ZL · Z0 = (25 − j · 50) Ω
cercando di sintetizzare una cella con un tratto di linea in serie ed
uno in parallelo a 10 GHz, come in Figura 3.33 o Figura 3.34, cioè di
determinare le lunghezze dei due tratti di linea.
Iniziando con il tratto di linea in serie, lo si scelga di lunghezza tale
da portare la Zin sul cerchio a conduttanza (normalizzata) unitaria,
come illustrato in Figura 3.35.
La lunghezza di questo tratto di linea può leggersi sulla scala gra-
duata sul bordo della carta, e vale:
dl = d1 − dL = (0.428 − 0.365) · λ = 0.063 · λ (3.74)

I valori dell’impedenza e dell’ammettenza di ingresso (Figura 3.36)
diventano:
Z1 = 0.3 − j · 0.45
Z1 = Z1 · Z0 = R1 + j · X1 = (15 − j · 22) Ω
(3.75)
Y1 = 1 + j · 1.55
Y1 = Y1 · Y0 = G1 + j · B1 = (0.02 + j · 0.031) S
Analogamente al caso di rete ad elementi concentrati, si è cosı̀ ac-
cordata la parte reale dell’ammettenza (Y1 = G0 + j · B1 , con B1 di
valore non intenzionale risultante da questa prima operazione), riser-
vandosi cosı̀ con il secondo e ultimo passo di compensare la suscettanza
risultante B1 tramite una suscettanza in parallelo di valore uguale ed
opposto −B1 .
La suscettanza in parallelo in questo caso è realizzata tramite uno
stub, di lunghezza opportuna. La lunghezza dello stub deve essere tale
da presentare dunque in ingresso un valore reattivo pari a −j · B1 ; nel
caso in esame, essendo Y1 di tipo capacitivo, si dovrà utilizzare uno
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
Z1 ,Y1
ZL
-j0.5 -j2
d1 -j1
dl
dL
Figura 3.35: Effetto di una linea in serie al carico fino al cerchio a
conduttanza costante.
Z1 Z0
dl ZL
Y1
Figura 3.36: Impedenza di ingresso di una linea senza perdite in serie

ad un carico.
stub di tipo induttivo, che presenti cioè una ammettenza Y3 situata

nella parte superiore della carta di Smith.
Per avere una lunghezza non eccessiva è opportuno che lo stub sia
chiuso in corto circuito; partendo dal corto circuito quindi, ed aggiun-
gendo un tratto di linea opportuno, bisognerà raggiungere il punto che
rappresenta l’ammettenza Y3 = 0 − j · B1 . Per far ciò si deve anzitutto
partire dal punto Y1 , e seguire la circonferenza a suscettanza costante e
pari a B1 , fino a raggiungere il bordo della carta di Smith (Figura 3.37
a sinistra).
d3
j1 -B1 j1
j0.5 j2 j0.5 j2
ds
j0.2 j5 j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5 dCC 0.2 0.5 1 2 5

0
-j0.2 -j5 -j5

-j0.2
Z1 ,Y1
-j0.5 -j2 -j2

-j0.5
B1 -j1
-j1
Figura 3.37: Suscettanza da annullare con uno stub in parallelo (a

sinistra) e calcolo della lunghezza dello stub in parallelo
(a destra).
Si è cosı̀ arrivati al valore Y2 = 0 + j · B1 , cioè al punto che ha una

suscettanza pari a quella della Y1 , e parte reale nulla. Per ottenere il
valore Y3 = 0 − j · B1 è sufficiente prendere il punto simmetrico rispetto
all’asse delle ascisse, situato cioè all’intersezione del bordo della carta
di Smith con la circonferenza a suscettanza costante −B1 (Figura 3.37
a destra).
A questo punto, come detto, si deve calcolare la lunghezza dello
stub in corto circuito che presenti una ammettenza di ingresso pari a
Ys = −j ·B1 . Ricordando quanto detto a proposito delle linee di trasmis-
sione in serie, si deve partire dunque dal corto circuito (Z = −1 + j0), e
percorrere in senso orario una circonferenza centrata nell’origine, cioè
in questo caso il bordo della carta di Smith, fino a raggiungere il pun-
to desiderato Y3 . La lunghezza da percorrere si leggerà (in lunghezze
d’onda) sulla scala graduata all’esterno della carta, e darà:
ds = d3 − dCC = (0.092 − 0) · λ = 0.092 · λ (3.76)

L’ammettenza di ingresso risultante sarà proprio pari a quella ca-
ratteristica, in quanto la suscettanza dello stub avrà compensato la
suscettanza residua del carico con in serie la linea di trasmissione, ar-
rivando alla risoluzione del problema. Il percorso complessivo della
rete linea/stub è illustrato nella Figura 3.38.
Per determinare la lunghezza fisica delle linee è necessario cono-
scere la lunghezza d’onda del segnale, che dipende dalla frequenza del
segnale stesso e dalle caratteristiche della linea di trasmissione. Se si

suppone di considerare una linea senza alcuna dispersione, immersa
in un dielettrico con costante dielettrica relativa εr ,
c0 λ0
λ= √ =√ (3.77)
f · εr εr
e, nel caso di linea in aria (εr = 1) si ha:
c0 3 · 108
λ = λ0 = = = 0.03 m = 3 cm (3.78)
f 10 · 109
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
Z1 ,Y1
ZL
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.38: Effetto complessivo della rete linea / stub.
Analogamente al caso della rete a costanti concentrate, sono possi-

bili delle alternative.
Si può ad esempio sintetizzare l’ammettenza Y3 con uno stub in
circuito aperto anziché in corto circuito.
In questo caso la sua lunghezza sarà pari a quella determinata
in precedenza più un tratto pari ad un quarto di lunghezza d’onda,
necessario per portare dal circuito aperto al corto circuito (Figura 3.39):
ds = d3 − dCA = (0.092 + 0.25) · λ = 0.342 · λ (3.79)

d3
-B1 j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
dCA
-j0.2 -j5
ds -j0.5 -j2
-j1
Figura 3.39: Lunghezza dello stub a partire dal circuito aperto.
Un’ulteriore alternativa consiste nello scegliere la lunghezza del

tratto di linea di trasmissione in serie dl di valore tale da portare
ancora la Z1 sul cerchio a conduttanza (normalizzata) unitaria, ma
utilizzando l’altra intersezione, come illustrato nella Figura 3.40.
La lunghezza risultante della linea in serie sarà:
dl = d1 − dL = [0.072 + (0.5 − 0.365)] · λ = 0.207 · λ (3.80)
e viene letta come somma del tratto da ZL al corto circuito, dove la scala
si azzera (passa da 0.5, cioè mezza lunghezza d’onda, a zero), più il
tratto dal corto circuito a Z1 . Il valore dell’impedenza Z1 è il complesso
coniugato del valore ottenuto con il primo procedimento:
Z1 = 0.3 + j · 0.45
Z1 = (15 + j · 22) Ω
(3.81)
Y1 = 1 − j · 1.55
Y1 = (0.02 − j · 0.031) S
A questo punto bisogna ancora compensare la suscettanza B1 con

uno stub, in corto circuito o in circuito aperto. Il valore di ammettenza
j1
d2 j0.5 j2
Z2 ,Y2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
dl ZL
-j0.5 -j2
-j1
dL
Figura 3.40: Percorso alternativo di adattamento linea / stub: effetto

della linea in serie.
che deve presentare lo stub è ancora pari a Ys = −j · B1 , che è il com-

plesso coniugato di quello calcolato in precedenza, e che si trova quindi
nel punto simmetrico rispetto all’asse reale della carta (Figura 3.41 a
sinistra).
j1 j1
B2
j0.5 j2 j0.5 j2
j0.2 Z2 ,Y2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

dCA
0 0
-j5 -j0.2 -j5

-j0.2
-j2 -j0.5 -j2

-j0.5
-B2 ds
-j1 -j1
d3
Figura 3.41: Percorso alternativo linea / stub: suscettanza da annulla-

re (a sinistra) e lunghezza dello stub a partire dal circuito
aperto (destra).
Lo stub di lunghezza minima che lo sintetizza parte dal circuito

aperto, ed è lungo (Figura 3.41 a destra):
ds = d3 − dCA = (0.408 − 0.25) · λ = 0.158 · λ (3.82)
giungendo cosı̀ al percorso complessivo illustrato nella Figura 3.42.
j1
j0.5 j2
Z2 ,Y2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
ZL
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.42: Adattamento alternativo linea / stub, percorso comples-

sivo.
Se si vuole utilizzare uno stub in corto circuito bisognerà aggiungere

un quarto di lunghezza d’onda alla sua lunghezza:
ds = d3 − dCC = (0.408 − 0.0) · λ = 0.408 · λ (3.83)
3.3.4 Derivazione analitica con linea e stub
Il problema dell’adattamento a Z0 consiste nella determinazione

delle due lunghezze della linea dl e dello stub ds .
Per la prima, si deve aggiungere un tratto di linea al carico ΓL =
|ΓL | · exp (j · ϕL ) tale che l’ammettenza risultante abbia parte reale
(normalizzata) unitaria, ossia che si abbia:
1 − ΓL · exp (−j2βds )
Y1 = 1 + j · B1 = =
1 + ΓL · exp (−j2βds )
[1 − |ΓL | · cos (ϕL − 2βds )] − j · |ΓL | · sin (ϕL − 2βds )
=
[1 + |ΓL | · cos (ϕL − 2βds )] + j · |ΓL | · sin (ϕL − 2βds )
(3.84)
Uguagliando la parte reale ed immaginaria dell’espressione prece-

dente si ottiene, dopo manipolazione algebrica,
1 £ ¤ 1 £ ¤
ds = · ϕL − cos−1 (− |ΓL |) = · ϕL − π + cos−1 (|ΓL |) (3.85)
2β 2β
2 · |ΓL |
B1 = ∓ q (3.86)
1 − |ΓL |2
Si noti che esistono (come ci si aspettava) due lunghezze per la linea
risultante, corrispondenti alle due intersezioni con il cerchio a condut-
tanza unitaria. A questo punto si deve annullare con uno stub (in corto
o in aperto) di lunghezza ds la suscettanza residua B1 . Si deve cioè
imporre che si abbia:
Bs = − cot (βds ) = −B1

⇓
Ã ! (3.87)
1 ¡ ¢ 1 1
ds = · cot−1 B1 = · tan−1
β β B1
se si utilizza uno stub in corto e
Bs = tan (βds ) = −B1

⇓
(3.88)
1 ¡ ¢
ds = · tan−1 −B1
β
se si utilizza uno stub aperto.
Complessivamente, in piena sintonia con gli esempi mostrati, esi-
stono quattro possibili alternative con tale configurazione, in dipen-
denza del tipo di stub che si utilizza e della lunghezza della prima
linea.

d’onda
Vi è un altro tipo di cella che può essere utilizzato per l’adattamento,
ed è costituita da un primo tratto di linea di trasmissione in serie, con
impedenza caratteristica Z0 e lunghezza da determinare, seguito da
un secondo tratto di lunghezza pari ad un quarto di lunghezza d’onda
(quarto d’onda) ed impedenza caratteristica da determinare. I parame-
tri liberi sono ancora due, per accordare la parte reale e quella imma-
ginaria del carico. La lunghezza del primo tratto di linea si sceglie in
modo tale da avere una Z1 reale; si percorre cioè ancora una volta in
senso orario una circonferenza con centro nell’origine a partire da ZL ,
fino ad intercettare l’asse reale (Figura 3.43). Nel caso dell’esempio:
dl = d1 − dL = (0.5 − 0.365) · λ = 0.135 · λ (3.89)
Z1 = 0.25 + j · 0
(3.90)
Z1 = (12.5 + j · 0) Ω
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
d1 0 Z1 0.2 0.5 1 2 5
-j0.2 -j5
dl ZL
-j0.5 -j2
-j1
dL
Figura 3.43: Adattamento linea / linea a quarto d’onda, linea in serie.
A differenza delle procedure viste in precedenza, in cui si è accor-

data dapprima la parte reale, e poi si è compensata la residua parte
immaginaria, in questo modo si è dapprima eliminata la parte imma-
ginaria, rimanendo da accordare la parte reale. Per farlo si inserisce
in serie un tratto di linea lungo un quarto di lunghezza d’onda, e di

impedenza caratteristica Z0T da determinare, che si comporta come
un trasformatore di impedenza. Utilizzando l’espressione (3.61), si ha
infatti per un tale tratto di linea, nel caso sia priva di perdite:
ZL · cos (βd) + j · Z0T · sin (βd) Z0T2

Zin = Z0T · = (3.91)
Z0T · cos (βd) + j · ZL · sin (βd) ZL
In questo caso si vuole trasformare un’impedenza dal valore ZL =
Z1 al valore Zin = Z0 . Dall’espressione (3.91) si ottiene per Z0T :
√
Z0T = Z1 · Z0
p (3.92)
Z0T = Z1
ossia, nel caso dell’esempio:
√
Z0T = 12.5 · 50 = 25 Ω
√ (3.93)
Z0T = 0.25 = 0.5
Si dovrà quindi inserire un tratto di linea lungo un quarto di lun-
ghezza d’onda e di impedenza caratteristica pari alla metà di Z0 , cioè
25 Ω, che trasforma l’impedenza Z1 in Z0 , seguendo il percorso illustra-
to nella Figura 3.44.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5
Z1
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.44: Adattamento linea / linea a quarto d’onda, linea a quarto

d’onda.
Il problema è dunque risolto seguendo il percorso in Figura 3.45.

Il circuito di adattamento risultante è quindi quello illustrato nella
Figura 3.46.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0
Z1 0.2 0.5 1 2 5
-j0.2 -j5
ZL
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.45: Adattamento linea / linea a quarto d’onda, percorso

complessivo.
Zin Z0T Z1 Z0
l/4 dl ZL
Figura 3.46: Circuito risultante per l’adattamento linea / linea a

quarto d’onda.
Se però per motivi pratici non fosse disponibile una linea con impe-
denza caratteristica cosı̀ bassa, si potrebbero utilizzare due trasforma-
tori in quarto d’onda in cascata, aventi impedenze caratteristiche più
vicine alla Z0 , e di più facile realizzazione pratica. Per esempio, nel
caso in esame si può tentare una prima trasformazione di impedenza
con una linea di impedenza caratteristica Z0T 1 = 33 Ω, che fornisce
un’impedenza risultante pari a:
2
Z0T 1 332
Z2 = = Ω = 87 Ω (3.94)
ZL 12.5
Una seconda trasformazione da Z2 a Z0 richiede ora una linea con

impedenza caratteristica pari a:
√
Z0T 2 = 87 · 50 Ω = 66 Ω (3.95)
Le due linee hanno impedenze caratteristiche sicuramente più adat-

te ad essere realizzate nella pratica ed il percorso complessivo risul-
tante da tale doppia trasformazione di impedenza è mostrato nella
Figura 3.47.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0
Z1 0.2 0.5 1 2
Z2 5
-j0.2 -j5
ZL
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.47: Adattamento linea/linea a quarto d’onda in due sezioni.
3.3.6 Derivazione analitica con linea e quarto d’onda
Il problema dell’adattamento a Z0 con linea e linea a quarto d’onda

consiste nella determinazione della lunghezza della prima linea dl e
dell’impedenza caratteristica della seconda Z0T .
Per la prima, si deve aggiungere un tratto di linea al carico ΓL =
|ΓL | · exp (j · ϕL ) tale che l’ammettenza (normalizzata) risultante sia
puramente reale, ossia che si abbia:
1 − ΓL · exp (−j2βdl )
Y1 = G1 = =
1 + ΓL · exp (−j2βdl )
[1 − |ΓL | · cos (ϕL − 2βdl )] − j · |ΓL | · sin (ϕL − 2βdl )
=
[1 + |ΓL | · cos (ϕL − 2βdl )] + j · |ΓL | · sin (ϕL − 2βdl )
(3.96)
Uguagliando la parte reale ed immaginaria dell’espressione prece-

dente si ottiene facilmente, dopo manipolazione algebrica, la condizio-
ne∗
1
sin (ϕL − 2βdl ) = 0 ⇒ dl = · (ϕL − k · π) k = 0, ±1, ±2 . . .
2β
(3.97)
in cui il valore di k prescelto è quello che garantisce la lunghezza mi-
nima (o al più a cui viene sommato un quarto d’onda) e positiva della
linea. Al termine della linea il valore di conduttanza risultante sarà
cosı̀, a seconda del dl prescelto:
1 ∓ |ΓL |
G1 = (3.98)
1 ± |ΓL |
L’impedenza caratteristica della linea a quarto d’onda da inserire
sarà poi data dalla:
s
q
1 1 ± |ΓL |
Z0T = R1 = p = (3.99)
G1 1 ∓ |ΓL |
ossia denormalizzando:
s
1 ± |ΓL |
Z0T = Z0T · Z0 = Z0 · (3.100)
1 ∓ |ΓL |
3.3.7 Adattamento a doppio stub

Le due tecniche di adattamento a banda stretta fin qui descritte
sono basate, come visto, sulla determinazione di una coppia di lun-
ghezze (per la linea e lo stub) o di una lunghezza e di una impedenza
∗
In alternativa, più semplicemente, si può osservare che la linea deve annullare
la parte reattiva del carico, e deve introdurre cosı̀ uno sfasamento di questo tale da
essere il complemento a un angolo piatto o suoi multipli secondo π.
caratteristica (nel caso linea / quarto d’onda). Nel caso in cui si debba
adattare un carico il cui valore è suscettibile di variazioni o non im-
mediatamente accessibile (ad esempio se il carico è posto a distanza
prefissata su una linea), nelle due tecniche precedenti si deve calcolare
il circuito di adattamento, agendo in particolare sulla lunghezza delle
linee connesse al carico.
In altri termini, una variazione del carico comporta una variazio-
ne della lunghezza della linea di adattamento. Questo può essere di
difficile realizzazione pratica.
Si può ricorrere quindi alla tecnica di adattamento a doppio stub,
che comporta una configurazione del tipo indicato nella Figura 3.48.
ds2 ds1
Z0 Z0
Zin Z0 Z0
dl2 dl1 ZL
Figura 3.48: Topologia della rete di adattamento a doppio stub.
Si noti che in figura si sono indicati due stub in corto soltanto per
semplicità di presentazione, potendosi in realtà, come si vedrà in se-
guito, scegliere tali stub anche in aperto in maniera indipendente.
Le lunghezze elettriche delle due linee di accesso dl1 e dl2 sono fissa-
te o da vincoli di tipo costruttivo o da necessità progettuali. In tale sche-
ma dunque le incognite da determinare sono le lunghezze elettriche dei
due stub, ds1 e ds2 .
Ricordando l’effetto degli elementi nell’adattamento linea/stub, l’ef-
fetto dell’ultimo stub S2 è quello di muovere l’ammettenza precedente-
mente ottenuta sul cerchio a conduttanza unitaria fino ad annullarne
la parte reattiva. Quindi tale ammettenza dovrà essere su tale cerchio.
Spostandosi verso il carico (ossia muovendosi in senso antiorario
sulla carta), l’effetto della linea L2 di lunghezza fissata dl2 è semplice-
mente quello di ruotare il cerchio a conduttanza unitaria di una quan-
tità pari alla propria lunghezza elettrica. Inoltre l’effetto della prima
linea L1 è semplicemente quello di far ruotare intorno al centro della
carta il carico ZL proporzionalmente alla propria lunghezza elettrica
(precedentemente fissata).
Unendo tali due considerazioni, si può dire che il primo stub S1 deve
aggiungere in parallelo al carico ruotato una suscettanza tale da inter-
cettare in qualche punto il cerchio a conduttanza unitaria ruotato dalla
seconda linea L2 .
Analiticamente si può affrontare il problema nel modo seguente.
Detta Y1 l’ammettenza dopo il primo tratto di linea, Y2 quella ottenuta
dopo il primo stub, Y3 l’ammettenza dopo il secondo tratto di linea e Y4
quella ottenuta dopo il secondo stub, con Bs1 e Bs2 le suscettanze dei
due stub:
Y1 = G1 + j · B1
¡ ¢
Y2 = G2 + j · B2 = G1 + j · Bs1 + B1
(3.101)
Y3 = G3 + j · B3 = 1 + j · B3
¡ ¢
Y4 = G4 + j · B4 = G3 + j · Bs2 + B3 = 1
Dovremo avere, affinché il l’ammettenza Y2 venga ruotata dalla se-

conda linea sul cerchio a conduttanza unitaria:
G2 + j · B2 + j · tan (βdl2 )
Y3 = 1 + j · B3 = ¡ ¢ =
1 + j · G2 + j · B2 · tan (βdl2 )
G1 + j · B1 + j · Bs1 + j · w
= ¡ ¢ =
1 + j · G1 + j · B1 + j · Bs1 · w
¡ ¢
G1 + j · B1 + Bs1 + w
= ¡ ¢
1 − w · B1 + Bs1 + j · w · G1
(3.102)
con w = tan (β · dl2 ).

Uguagliando le parti reali ed immaginarie ed eliminando B3 si ot-
tiene l’equazione di secondo grado nell’incognita G1 :
Ã ! £ ¡ ¢ ¤2
2 1 + w2 1 − B1 + Bs1 · w
G1 − · G1 + =
w2 w2
(3.103)
2 G1 £ ¡ ¢¤2
G1 − + cot (βdl2 ) − B1 + Bs1 =0
sin2 (βdl2 )
che ha come soluzioni:
q £ ¡ ¢ ¤2
1 ± 1 − 4 · sin2 (βdl2 ) · cos (βdl2 ) − B1 + Bs1 · sin (βdl2 )
G1 =
2 · sin2 (βdl2 )
(3.104)
Le due soluzioni trovate per la conduttanza dopo il primo stub de-
vono necessariamente essere reali. Questo impone che si abbia:
£ ¡ ¢ ¤
−1 < 2 · sin (βdl2 ) · cos (βdl2 ) − B1 + Bs1 · sin (βdl2 ) < +1 (3.105)
Inoltre, il termine sotto radice è necessariamente minore dell’unità,

portando quindi al vincolo seguente:
1
0 ≤ G1 ≤ 2 (3.106)
sin (βdl2 )
Questo vincolo, imposto dalla lunghezza della seconda linea, impone
che per avere possibilità di adattamento con questo metodo, l’ammet-
tenza Y1 , ottenuta dopo la prima linea, deve essere esterna al cerchio a
conduttanza costante (zona proibita) definito dalla:
1
G= 2 (3.107)
sin (βdl2 )
Chiaramente tale vincolo risulta tale se e soltanto se non si può sce-
gliere la lunghezza della seconda linea in maniera arbitraria. Se cosı̀
non è, basta scegliere dl2 = k · λ/2 per avere la possibilità di adattare
un carico arbitrario∗ .
Avendo derivato tale vincolo, possiamo derivare le espressioni ne-
cessarie per le due suscettanze incognite dei due stub, Bs1 e Bs2 . Infatti,
determinata Y1 dall’espressione:
GL + j · BL + j · tan (βdl1 )
Y1 = G1 + j · B1 = ¡ ¢ (3.108)
1 + j · GL + j · BL · tan (βdl1 )
∗
Se si vuole modificare tale tecnica di adattamento rimuovendo ogni eventuale
limitazione, è possibile utilizzare la tecnica di adattamento a triplo stub, che consiste
nell’inserzione di una terza linea (di lunghezza fissata, e di un terzo stub (ulteriore
variabile libera).
é possibile risolvere la rispetto a Bs1 uguagliando le parti reali ed im-

maginarie ed eliminando B3 , ottenendo l’equazione di secondo grado:
¡ ¢ ¡ ¢
¡ ¢2 2 ¡ ¢ 1 − G1 · w 2 · 1 − G1
Bs1 + B1 − · Bs1 + B1 + =0 (3.109)
w w2
con B1 , G1 , w noti, che ha soluzioni:
q
2
1 ± G1 · (1 + w2 ) − G1 · w2
Bs1 = −B1 + (3.110)
w
A questo punto, per determinare Bs2 basti notare che deve essere:
q
¡ ¢ 2
1 − Bs1 + B1 w − G1 G1 ± G1 (1 + w2 ) − G1 w2
Bs2 = −B3 = − =
G1 w G1 · w
(3.111)
dove la determinazione prescelta deve essere concorde con quella scelta
nel caso del primo stub. Chiaramente la determinazione della lunghez-
za fisica dei due stub implica, a partire dalle suscettanze determinate,
la scelta del tipo di stub (in corto o in aperto) da utilizzare.
Come esempio di applicazione, si consideri il valore di carico usato
negli esempi precedenti (3.73) e si cerchi di effettuare un adattamento a
10 GHz utilizzando due linee caratterizzate dalle lunghezze, specificate
in termini di frazioni di lunghezze d’onda:
dl1 = λ/6
dl2 = λ/12
Il vincolo espresso dalla (3.107) ci dice che il carico trasformato dalla
prima linea deve essere esterno al cerchio di conduttanza normalizzata:
1 1 1
G= Ã != Ã != Ã !=4 (3.112)
λ 2π λ π
sin2 β· sin2 · sin2
12 λ 12 6
ossia la sua conduttanza normalizzata deve essere minore di 4. Nel no-

stro caso, si può calcolare o trovare sulla carta di Smith, come mostrato
in Figura 3.49.
Verificato il rispetto del vincolo, si disegni un cerchio a conduttanza
unitaria ruotato, in senso antiorario rispetto alla posizione originale,
j1
j0.5 j2
ZL
j0.2 j5
Y1
0 0.2 0.5 1 2 5
Y2
-j0.2 -j5 Y3
Y4
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.49: Posizione delle ammettenze Y1 , Y2 , Y3 , Y4 dopo l’inserzio-

ne dei vari elementi su carta di Smith delle ammettenze;
la zona proibita è mostrata in colore grigio.
di una quantità pari a dl2 . Si determini quindi il valore di suscettanza

necessario, muovendosi a conduttanza costante, dal punto Y1 fino ad
intercettare la circonferenza ruotata, come descritto in figura dal punto
a diamante. Il cerchio unitario ruotato della lunghezza della seconda
linea viene mostrato evidenziato nella Figura 3.50.
Dal punto Y2 cosı̀ determinato ci si sposti quindi di una lunghezza
elettrica pari alla lunghezza del secondo stub (questa volta normalmen-
te in senso orario), arrivando cosı̀ sul cerchio a conduttanza unitaria
originario, determinando il punto di ammettenza Y3 su questo.
A questo punto si deve annullare, come nel caso dell’adattamento
linea/stub, la parte reattiva di Y3 , come descritto nella Figura 3.50.
3.3.8 Comportamento in frequenza

Cosı̀ come visto nel caso dei circuiti a costanti concentrate, è possi-
bile valutare l’andamento in frequenza delle varie alternative ottenu-
te nel caso dell’adattamento dapprima a linea/stub, poi a linea/quarto
d’onda ed infine a doppio stub, cercando di trarre delle indicazioni di
massima.
A riguardo dell’adattamento linea/stub, nell’esempio portato si sono
j1
j0.5 j2
ZL
j0.2 j5
Y1
0 0.2 0.5 1 2 5
Y2
-j0.2 -j5 Y3
Y4
-j0.5 -j2
-j1
Figura 3.50: Determinazione della suscettanza del primo stub.
ottenute quattro configurazioni che differiscono per la lunghezza della

prima linea (prima o seconda intersezione col cerchio a conduttanza
unitaria) e per il tipo di stub (in corto o in aperto) utilizzato.
L’andamento in frequenza del modulo del coefficiente di riflessione
in ingresso alla rete formata dalla rete di adattamento caricata è mo-
strato al variare della frequenza nella Figura 3.51, mentre i valori degli
elementi delle reti corrispondenti sono riportati in Tabella 3.2.
Tabella 3.2: Reti di adattamento linea / stub derivate per l’esempio;

lunghezze elettriche espresse in gradi.
Lunghezza elettrica
Rete Configurazione
linea stub
T1 linea II int., stub aperto 74.5 57.7
T2 linea II int., stub in corto 74.5 147.7
T3 linea I int., stub aperto 22.8 122.3
T4 linea I int., stub in corto 22.8 32.3
Anche in questo caso, come si può facilmente notare, le prestazio-

ni migliori in termini di larghezza di banda si ottengono laddove la
-10
|Gin| -20
T1
[dB] -30
T2
T3
-40
T4
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 3.51: Andamento in frequenza dei quattro circuiti di adatta-

mento trovati nel caso linea/stub.
lunghezza elettrica delle linee utilizzate (siano esse linee o stub) è mi-
nima (nel caso della curva rossa, T4 , della Figura 3.51), mentre quelle
peggiori per lunghezze elettriche elevate (curva blu, T2 ).
Se si passa al caso dell’adattamento linea / quarto d’onda, nei due
casi trattati si può determinare il comportamento in frequenza illustra-
to nella Figura 3.52.
-10
|Gin| -20
T1
[dB] -30
T2
-40
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 3.52: Andamento in frequenza dei due circuiti di adattamento

trovati nel caso linea/quarto d’onda.
Anche in questo caso la seconda soluzione, determinata dall’uso di

una linea più lunga, presenta caratteristiche di larghezza di banda peg-

giori. Si noti poi, a differenza di quanto ottenuto nel caso linea/stub, la
simmetria di comportamento rispetto alla frequenza centrale, legata
alla periodicità in frequenza della struttura.
Passando al caso dell’adattamento a doppio stub, viene presentata
una delle otto reti possibili∗ in Figura 3.53, in cui i valori dei compo-
nenti sono riportati in Tabella 3.3. Come si può notare la larghezza di
banda ottenibile è in questo caso comparabile a quella del caso linea /
stub.
-10
|Gin| -20
[dB] -30
-40
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 3.53: Andamento in frequenza per una delle reti di adatta-

mento a doppio stub ottenuta.
Tabella 3.3: Valori dei componenti per la rete di adattamento a doppio

stub ottenuta; lunghezze elettriche espresse in gradi.
Lunghezza elettrica
Configurazione
primo stub secondo stub
S1 aperto, S2 aperto 61.0 44.3
∗
Le possibilità sono otto poiché per la suscettanza del primo stub abbiamo due
soluzioni (le due intersezioni col cerchio a conduttanza unitaria ruotato) e per ciascuna
di esse i due stub possono essere in corto o in aperto.
3.4 Commenti conclusivi

La scelta tra le varie alternative possibili per l’adattamento dipen-
de in genere da fattori esterni alla procedura di adattamento pura e
semplice. Si è già accennato alla scelta tra elementi concentrati e di-
stribuiti; è ovvio aggiungere a tale proposito che in realtà, laddove
possibile, sono utilizzati sia elementi concentrati che elementi distri-
buiti, fornendo quindi ulteriore versatilità all’approccio che si vuole
utilizzare.
Si vuole ora aggiungere una considerazione riguardante la scelta,
all’interno dei tanti metodi presentati, di una particolare topologia. Per
quel che riguarda le reti ad elementi concentrati la scelta della topolo-
gia può dipendere nel caso di circuiti attivi ad esempio dalla necessità
di polarizzare l’elemento attivo.
Se la tensione (o corrente) di polarizzazione è parte del segnale di
ingresso, che è quindi del tipo:
Vin = V0 + Vs · sin (ωt) (3.113)

allora è opportuna, se possibile, una scelta del tipo induttanza serie
/ capacità parallelo, che non precluda quindi il passaggio della con-
tinua dall’ingresso del circuito al morsetto di ingresso del transistor
(gate o base), isolandola dalla massa, a cui è in genere collegato il mor-
setto comune del transistor (source o emettitore), come mostrato nella
Figura 3.54.
+
-
Figura 3.54: Scelta della strategia di adattamento in base alla collo-

cazione della rete, come ausilio alla polarizzazione di un
transistore.
Se invece l’ingresso deve essere disaccoppiato in continua, e la pola-

rizzazione deve essere fornita separatamente al transistor, allora può
essere opportuna una configurazione del tipo capacità serie / induttan-
za parallelo, che isoli in continua l’ingresso del segnale dal morsetto
Commenti conclusivi 171
di ingresso del transistor, e permetta di collegare quest’ultimo ad una

batteria senza utilizzare altri elementi circuitali. Si può infatti colle-
gare la batteria all’induttanza in parallelo, comportandosi la batteria
dinamicamente come un corto circuito, e quindi come una massa ad rf
(Figura 3.55).
+
-
Figura 3.55: Scelta della strategia di adattamento in base alla collo-

cazione della rete, per ausilio alla polarizzazione di un
transistore ed al disaccoppiamento in continua.
Analoghe considerazioni si possono fare per quel che riguarda i cir-

cuiti a costanti distribuite e alla chiusura in corto o in aperto di even-
tuali stub.
Da un altro punto di vista la scelta di taluni elementi può essere
obbligata per motivi tecnologici. Ad esempio nel caso di circuiti in tec-
nologia ibrida il transistor è costituito da un ‘chip’ che viene saldato su
un supporto, e quindi collegato al resto del circuito tramite dei sottili fili
metallici di connessione (bond wires), che circuitalmente si comportano
come induttori.
È chiaro che la rete di adattamento dovrà avere come elemento vi-
cino al transistor una induttanza serie, cosa in genere tipica, visto che
il transistor si comporta in modo capacitivo fino a frequenze relativa-
mente alte, e quindi necessita di una rete di adattamento di tipo essen-
zialmente induttivo. Analogamente nel caso di tecnologia monolitica,
il transistor è fabbricato all’interno dello stesso substrato in cui è rea-
lizzato il circuito, ma richiede per motivi di spazio un piccolo tratto di
linea prima di essere connesso ad altri elementi: una topologia che ab-
bia come primo elemento una linea in serie (o un induttore in serie se
la linea è molto stretta) si adatta benissimo sia alle necessità fisiche
che a quelle elettriche di adattamento.
Considerazione finale riguarda l’uso di programmi di CAD per la
sintesi delle reti di adattamento in generale. È palese che a microon-
de la sintesi ad elementi ideali cui qui si è detto va poi finalizzata

sostituendo agli elementi ideali i loro corrispondenti reali.
In luogo di induttori ideali verranno ad esempio inseriti induttori
a spirale o tratti di linea di trasmissione, al posto dei condensatori, le
loro realizzazioni MIM (metallo-isolante-metallo) e cosı̀ via. Tali ele-
menti reali hanno chiaramente degli elementi parassiti che non posso-
no essere tenuti in conto in una sintesi in forma chiusa quale quella
presentata e non si può quindi che passare per una simulazione con
un programma di CAD opportuno. Tale simulazione va però effettuata
una volta che si è scelta la topologia della rete di adattamento, la stra-
tegia di adattamento da adottare e i valori di massima dei componenti
reali. Nei giovani progettisti è invece forte la tentazione di lasciare
ottimizzare al software una struttura con topologia non scelta ad hoc,
confidando nelle illimitate capacità del CAD di determinare comunque
una soluzione al problema.
Il più delle volte però il software, pur raggiungendo una soluzio-
ne apparentemente accettabile, seleziona un minimo locale per la fun-
zione di costo, fornendo una soluzione numericamente sensibile alle
variazioni parametriche o comunque un minimo locale.
La scelta topologica e il progetto di massima è bene siano effettuati
ricordando l’effetto dei singoli componenti sulla rete e dimensionando
la stessa con elementi ideali, come si è cercato di esporre in questo ca-
pitolo. Ovviamente, passando alla sintesi ad elementi reali, tale scelta
fornirà un ottimo punto di partenza per l’ottimizzazione finale da parte
di un programma di CAD.
Esercizi 173
3.5 Esercizi
1. Dato il carico ZL = 50 − j50 Ω lo si adatti a 50 Ω per f = 0.5, 3, 10
e 20 GHz utilizzando reti a costanti concentrate.
2. Dato il carico ZL = 15 − j20 Ω lo si adatti a 50 Ω per f = 0.5 GHz

utilizzando per primo un elemento in serie.
3. Dato il carico ZL = 70 + j10 Ω lo si adatti per f = 2 GHz utilizzan-

do per primo un elemento in parallelo.
4. Dato il carico ΓL = 0.3 + j0.2 lo si adatti a f = 6 GHz utilizzando

per primo un elemento in serie.
5. Dato il carico ΓL = 0.2 + j0.4 lo si adatti a f = 12 GHz utilizzando

tutte le reti concentrate a due elementi possibili. Si discutano i
vantaggi di ciascuna soluzione.
6. Dato il carico YL = 0.1 + j0.04 S lo si adatti utilizzando prefe-

ribilmente un elemento in serie come primo elemento per f =
6 GHz.
7. Data la connessione in serie di un resistore RL = 15 Ω e di un

induttore LL = 0.5 nH, si cerchi di adattarla con una cella a due
elementi per f = 0.5, 1, 2, 4 GHz. Si commenti il modo in cui i
valori degli elementi di adattamento si modificano al variare della
frequenza.
8. Data la connessione in parallelo di un resistore RL = 65 Ω e di

un condensatore CL = 3 pF, si determinino le reti di adattamen-
to a due elementi che la adattano a f = 0.5, 3, 10, 20 GHz. Si
commenti la variazione dei valori degli elementi del circuito di
adattamento con la frequenza.
9. Per le reti di cui all’esercizio 7 si determini l’andamento in fre-

quenza.
10. Per le reti di cui all’esercizio 8 si determini l’andamento in fre-

quenza.
11. Determinare almeno una rete a tre elementi concentrati che adat-
ti il carico ZL = 70 + j10 Ω a f = 6 GHz.
12. Determinare almeno una rete a tre elementi concentrati che adat-
ti il carico YL = 0.1 + j0.04 S a f = 12 GHz.
13. Trasformare 50 Ω nel carico YL = 0.1 + j0.04 S a f = 2 GHz

utilizzando una rete a due elementi concentrati. Verificare che la
rete risultante trasforma il coniugato dello stesso in 50 Ω.
14. Trasformare 50 Ω nel carico ΓL = 0.2 + j0.4 a f = 6 GHz utiliz-

zando una rete a due elementi concentrati. Verificare che la rete
risultante trasforma il coniugato dello stesso in 50 Ω.
15. Adattare il carico ΓL = 0.3+j0.2 utilizzando una rete linea / stub a

f = 12 GHz. Determinare le lunghezze di linea e stub nell’ipotesi
che εr = 12.9.
16. Per la rete determinata nell’esercizio 15 determinare l’andamento

in frequenza.
17. Dato il carico ZL = 70 + j10 Ω, determinare la linea in aria di

impedenza caratteristica e lunghezza incognita che adatta a 50 Ω
a f = 20 GHz.
18. Dato il carico YL = 0.1 − j0.03 S, determinare la rete composta da

linea e stub in aria che lo adatta per f = 30 GHz.
19. Supponendo di utilizzare un adattamento a linea e quarto d’onda,

determinare la rete in aria che adatta il carico ZL = 15 + j15 Ω a
f = 25 GHz.
20. Determinare l’andamento in frequenza delle reti ottenute negli

esercizi 17, 18 e 19.
21. Adattare il carico ZL = 15 + j15 Ω utilizzando una rete a doppio

stub in aria che presenti le lunghezze delle due linee entrambe a
90◦ per f = 30 GHz. Determinare anche la rete linea/stub che in
maniera equivalente riesce ad adattare il carico.
22. Adattare il carico ZL = 70 + j80 Ω utilizzando una rete a doppio

stub in aria che presenti le lunghezze delle due linee entrambe
a 30◦ per f = 12 GHz. Determinare anche la rete linea/stub che
equivalentemente riesce ad adattare il carico.
23. Determinare l’andamento in frequenza delle due reti a doppio

stub ottenute negli esercizi 21 e 22 .
24. Determinare la rete a linea quarto d’onda che adatta il carico

ZL = 2 + j10 Ω a f = 30 GHz. Supponendo non realizzabile il
livello di impedenza risultante, si determini almeno una rete a
Esercizi 175
più sezioni in grado di effettuare l’adattamento. Si tracci quindi

l’andamento in frequenza risultante.
25. Dato il carico ZL = 70 − j30 Ω, si determini una rete mista,

formata da elementi concentrati e distribuiti, che lo adatti per
f = 10 GHz. Si utilizzino gli elementi distribuiti per gli elementi
in derivazione.
26. Dato il carico ZL = 20 + j30 Ω, si determini una rete mista,

formata da elementi concentrati e distribuiti, che lo adatti per
f = 20 GHz. Si utilizzino gli elementi distribuiti per gli elementi
in serie.
Capitolo 4
Adattamento a banda larga
Indice del capitolo

4.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.2 Limitazioni di Bode-Fano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.3 Adattamento a Q costante concentrato . . . . . . . . . . . . . . 181
4.4 Adattamento a Q costante distribuito . . . . . . . . . . . . . . . 187
4.5 Adattamento a minima variazione di impedenza . . . . . . . . 191
4.6 Adattamento a quattro elementi . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
4.7 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
4.1 Introduzione
Quanto presentato nel capitolo precedente si riferisce alla possibi-
lità di adattare un carico ad un livello di impedenza predeterminato,
ricercando tale adattamento per una data frequenza. Chiaramente l’a-
dattamento, nella maggior parte delle applicazioni, deve essere efficace
non soltanto a tale frequenza, ma in una gamma più o meno ampia in-
torno ad essa. Inoltre il carico da adattare non è di solito costante al va-
riare della frequenza, ma presenta tipicamente escursioni che possono
essere anche molto pronunciate.
I metodi fin qui accennati, differenziandosi per la tipologia (a co-
stanti concentrate o distribuite) e per i valori dei componenti utilizzati,
intrinsecamente non sono applicabili quando la gamma di frequenze al-
la quale si deve ricercare l’adattamento viene ad essere allargata. Non
177
178 4. Adattamento a banda larga
si vuole qui effettuare una disamina completa delle possibilità di adat-

tamento a banda larga, ma accennare alle limitazioni intrinseche, pre-
sentando al contempo esempi di metodi di adattamento, senza alcuna
pretesa di trattare l’argomento in maniera esaustiva.
Per la soluzione del problema dell’adattamento a banda larga ven-
gono infatti mutuati dalla teoria dei filtri una serie di approcci, sia
numerici che in forma chiusa, applicabili sia nel caso a costanti con-
centrate che a quello a costanti distribuite. Alla teoria dell’approssi-
mazione ed agli approcci tipici della teoria dei filtri si rimanda quindi
per una trattazione esaustiva.
In questo capitolo quindi, dopo aver accennato alle limitazioni in-
trinseche sopra citate nell’adattamento a larga banda, si delineeranno
alcune tecniche possibili. Nella trattazione si cercherà sempre di vi-
sualizzare l’effetto della rete di adattamento sul carico utilizzando la
carta di Smith, sia per maggiore chiarezza che per praticità di utiliz-
zazione. Laddove la complessità del problema lo consentirà, si derive-
ranno anche le espressioni in forma chiusa per gli elementi della rete
di adattamento.
4.2 Limitazioni di Bode-Fano
Si consideri il carico rappresentato in Figura 4.1, schematizzabile

con una connessione R − L serie o R − C parallelo.
LL
Z*S=Zin Rete di RL Z*S=Zin Rete di CL RL
adattamento adattamento
Figura 4.1: Prima limitazione di Bode/Fano.
Se si vuole adattare tale carico ad una impedenza ZS = RS + j · XS ,

che presenti la stessa parte reale del carico (RS = RL ) allora si avrà
necessariamente:
Z∞ Ã !
1 π · ω0
ln · dω ≤ (4.1)
|Γin | QL
0
Limitazioni di Bode-Fano 179
in cui QL è il fattore di qualità del carico, dato da
ω0 · LL
QL = o QL = ω0 · RL CL (4.2)
RL
Tale relazione impone che, qualsiasi sia la rete utilizzata per l’a-
dattamento (sia essa o meno priva di perdite, ma comunque passiva),
l’area sottesa dalla curva ln (1/ |Γin |) deve essere necessariamente mi-
nore del valore π · ω0 /QL . In altri termini, supponiamo di voler effet-
tuare l’adattamento nella gamma di frequenze (f1 , f2 ), e supponiamo
di voler ottenere in tale gamma un valore minimo di adattamento cor-
rispondente a |Γin |min . Accontentandosi di ammettere un coefficiente di
riflessione unitario al di fuori della banda di adattamento, ed un valore
in banda passante pari a tale limite, allora la limitazione imposta dalla
(4.1) ci dice che
Z∞ Ã ! Z∞ Ã ! Zω2 Ã !
1 1 1
ln · dω = ln · dω = ln · dω =
|Γin | |Γin |min |Γin |min
0 0 ω1
Ã !
1 π · ω0
= (ω2 − ω1 ) · ln ≤
|Γin |min QL
(4.3)
√
Ossia, scelta la frequenza centrale ω0 = ω1 · ω2 , il coefficiente di
riflessione minimo sarà soggetto alla limitazione:
" # Ã ! Ã !
−πω0 −πf0 −π
|Γin |min ≥ exp = exp = exp (4.4)
QL (ω2 − ω1 ) QL B QL B%
In definitiva, maggiore è la banda percentuale alla quale si vuole

adattare (B% ) e maggiore sarà il coefficiente di riflessione di cui ci si
deve accontentare, a parità di fattore di qualità del carico. La relazione
(4.4) può essere anche espressa in termini di perdita di ritorno (return
loss, Capitolo 1), esprimendo entrambi i membri della stessa in dB e
cambiando di segno. Si ottiene cosı̀, esplicitamente:
27.3
RLmin |dB · B% ≤ (4.5)
QL
Analogamente, si consideri il carico rappresentato in Figura 4.2,
schematizzabile con una connessione R − L parallelo o R − C serie.
CL
Z*S=Zin Rete di
LL RL Z*S=Zin Rete di RL
adattamento adattamento
Figura 4.2: Seconda limitazione di Bode/Fano.
Se si vuole adattare tale carico ad una impedenza ZS = RS + j · XS ,

che presenti la stessa parte reale del carico (RS = RL ) allora si avrà
necessariamente:
Z∞ Ã !
1 1 QL
· ln · dω ≤ (4.6)
ω2 |Γin | π · ω0
0
in cui QL è il fattore di qualità del carico, dato da
RL 1
QL = o QL = (4.7)
ω0 · LL ω0 · RL CL
Di nuovo, se supponiamo di voler effettuare l’adattamento nella
gamma di frequenze (f1 , f2 ), e supponiamo di volere in tale gamma un
valore minimo di adattamento corrispondente a |Γin |min , ammettendo
di avere un coefficiente di riflessione unitario al di fuori della banda di
adattamento, ed un valore in banda passante pari a tale limite, allora
la limitazione imposta dalla (4.6) diventa
Z∞ Ã ! Z∞ Ã !
1 1 1 1
· ln · dω = · ln · dω =
ω2 |Γin | ω2 |Γin |min
0 0
Ã ! Zω2
1 1
= ln · · dω =
ω2
|Γin |min
ω1
Ã !
(ω2 − ω1 ) 1 QL
= · ln ≤
ω2 · ω1 |Γin |min π · ω0
(4.8)
ovvero
Ã !
−QL
|Γin |min ≥ exp (4.9)
πB%
Adattamento a Q costante concentrato 181
ossia ancora, in termini di return loss:
RLmin |dB · B% ≤ 2.77 · QL (4.10)

Le (4.1) e (4.6) rappresentano le limitazioni di Bode-Fano∗ per l’a-
dattamento a larga banda e in definitiva impongono l’invarianza del
valore massimo del prodotto adattamento/banda passante: se si vuole
migliorare l’adattamento oltre un certo limite, questo va a detrimento
della banda passante risultante, indipendentemente dalla complessità
del circuito che si realizza allo scopo.
Si tenga poi presente che tali limitazioni sono riferite ad un carico
la cui parte reale è identica a quella dell’impedenza di adattamento. Di
norma, come si è visto, anche la parte reale deve essere poi adattata, ul-
teriormente limitando la banda ottenibile o il coefficiente di riflessione
minimo a parità di banda.
4.3 Adattamento a Q costante concentrato

Ogni impedenza, espressa come parte reale (resistenza) ed imma-
ginaria (reattanza), può essere schematizzata equivalentemente come
la connessione in parallelo di una conduttanza e di una suscettanza.
Dualmente, ogni ammettenza, espressa come parte reale (conduttanza)
e immaginaria suscettanza), può essere schematizzata come la connes-
sione serie di una resistenza e una reattanza. Tale equivalenza viene
dimostrata nell’appendice A.
Al di là dell’aspetto formale, se si considera l’equivalente paralle-
lo di una impedenza, la resistenza equivalente
¡ è¢ maggiore, rispetto a
2
quella di partenza, di un valore pari a 1 + Qserie .
Analogamente, per l’equivalente serie dell’ammettenza, la condut-
tanza
³ equivalente
´ è maggiore di quella iniziale di un fattore pari a
2
1 + Qparallelo .
Quindi, data un’impedenza (serie), se si considera il suo equivalente
parallelo e si aggiunge in parallelo una reattanza di valore opposto
(alla frequenza desiderata),
¡ l’impedenza
¢ complessiva risultante sarà
2
puramente reale e pari a 1 + Qserie volte quella di partenza.
Per dualità, data un’ammettenza (parallelo), se si considera il suo
equivalente serie e si aggiunge in serie una suscettanza di valore op-
∗
Fano derivò tali limitazioni nel suo lavoro di dottorato, al Massachussetts Insti-
tute of Technology nel 1947 e nello stesso accreditò a Bode la limitazione per circuiti
del primo tipo.
posto (alla frequenza desiderata),

³ l’ammettenza´ complessiva risultante
2
sarà puramente reale e pari a 1 + Qparallelo volte quella di partenza.
Chiaramente la trasformazione nell’impedenza parallelo equivalen-
te è utile nel caso si debba aumentare la parte reale, la trasformazione
nell’ammettenza serie nel caso in cui si voglia diminuire il valore finale
di resistenza (aumentare la conduttanza).
Tale procedimento è denominato adattamento a Q costante.
Quindi, se si vuole trasformare una resistenza di carico RL nel va-
lore Z0 = R0 = 50 Ω, sono possibili due casi, a seconda che RL < R0 o
RL > R0 .
Supponendo che RL < R0 , avremo un rapporto di trasformazione χ
dato da:
R0
χ= (4.11)
RL
Tale rapporto di trasformazione dovrà essere fornito tramite una o
più trasformazioni a Q costante, in cui cioè deve aversi:
R0 ¡ ¢n
χ= = 1 + Q2serie (4.12)
RL
nella quale n rappresenta il numero di trasformazioni che si è disposti
ad effettuare, ciascuna delle quali comporta l’inserzione di due elemen-
ti reattivi di tipo opposto, il primo in serie ed il secondo in parallelo.
Fissato tale numero di trasformazioni, il fattore di qualità del cir-
cuito serie risultante è cosı̀:
v
s u
u 1
1 uÃ !
u R0 n
Qserie = ± χ n − 1 = ±t −1 (4.13)
RL
L’ambiguità di segno, come vedremo, riflette la possibilità di realiz-

zare tali celle in forma duale.
Determinato il fattore di qualità, il primo elemento, necessariamen-
te in serie, avrà il valore necessario fornito da:
v
u
u 1
uÃ !
u R0 n
Xs,1 = RL · Qserie = ±RL · t −1 (4.14)
RL
e sarà cosı̀ induttivo o capacitivo a seconda della scelta di segno ef-

fettuata, venendo il valore determinato dalla pulsazione valutata alla
frequenza centrale dell’adattamento:
v
u
uÃ ! 1
u
RL · Qserie RL u R0 n
Ls,1 = = ·t −1
ω0 2πf0 RL
1 1 (4.15)
Cs,1 = = v
ω0 · RL · Qserie u
uÃ ! 1
u
u R0 n
2πf0 · RL · t −1
RL
L’elemento che risuona tale primo componente inserito sarà in pa-

rallelo, di tipologia opposta rispetto al precedente e di valore fornito
dalla
1
Ã !
R0 n
¡ ¢ RL ·
2
RL · 1 + Qserie RL
Xp,1 = = ±v (4.16)
Qserie u
uÃ ! 1
u
u R0 n
t −1
RL
Dopo l’inserzione di tale elemento, l’impedenza di ingresso torna ad

essere reale e di valore pari a
¡ ¢
RL,1 = RL · 1 + Q2serie (4.17)
La coppia di elementi al passo k avrà reattanze fornite da:
¡ 2
¢k−1
Xs,k = RL,k−1 · Qserie = RL · 1 + Qserie · Qserie =
v
u
k−1 u 1
Ã ! uÃ !
R0 n u R0 n
= ±RL · ·t −1
RL RL
¡ ¢ ¡ ¢k
RL,k−1 · 1 + Q2serie 1 + Q2serie
Xp,k = = ±RL · =
Qserie Qserie
k
Ã !
R0 n
RL
= ±RL · v
u
uÃ ! 1
u
u R0 n
t −1
RL
(4.18)
ed il carico trasformato al passo k avrà valore:
(
¡ ¢ ¡ ¢k RL,0 = RL
RL,k = RL,k−1 · 1 + Q2serie = RL · 1 + Q2serie
RL,n = R0
(4.19)
In maniera assolutamente duale, se si è nella condizione RL > R0
dovremo utilizzare l’equivalente serie dell’ammettenza, che ci aiuterà a
trasformare la conduttanza GL = 1/RL nella conduttanza G0 = 1/R0 >
GL . A tale scopo, fissato il numero di celle che si è disposti a utilizzare
n, il fattore di qualità derivabile è dato da:
v
s u
u 1
1 uÃ !
u G0 n G0
Qparallelo = ± χ n − 1 = ±t −1 con χ= (4.20)
GL GL
I valori degli elementi, di cui il primo deve essere necessariamente

in parallelo, sono dati, al passo k dalle:
¡ ¢k−1
Xp,k = GL,k−1 · Qparallelo = GL · 1 + Q2parallelo · Qparallelo =
v
u
k−1 u 1
Ã ! uÃ !
G0 n u G0 n
= ±GL · ·t −1
GL GL
³ ´ ³ ´k
GL,k−1 · 1 + Q2parallelo 1 + Q2parallelo
Xs,1 = = ±GL · =
Qparallelo Qparallelo
k
Ã !
G0 n
GL
= ±GL · v
u
uÃ ! 1
u
u G0 n
t −1
GL
(4.21)
ed il carico trasformato al passo k sarà:
(
¡ ¢ ¡ ¢k GL,0 = GL
GL,k = GL,k−1 · 1 + Q2parallelo = GL · 1 + Q2parallelo
GL,n = G0
(4.22)
Si vuole far notare qui che le trasformazioni che vengono effettua-
te da ogni cella in entrambi i casi vanno a mantenere inalterato il Q
risultante intermedio.
Questo implica, sulla carta di Smith, che il coefficiente di riflessio-
ne risultante ad ogni passo viene ad essere completamente contenuto
entro le curve a Q costante che abbiamo definito a proposito della carta
di Carter, che risultano essere dei tratti di circonferenza passanti per
il cortocircuito ed il circuito aperto.
A titolo esemplificativo si riporta in Figura 4.3 il percorso, su carta
di Smith, effettuato per adattare un carico di RL = 5 Ω a R0 = 50 Ω
utilizzando 3 celle (il fattore di qualità risultante è pari a Qserie = 1.07).
Inoltre, per visualizzare graficamente l’effetto del numero di cel-
le sul comportamento in frequenza, nella Tabella 4.1 vengono ripor-
tati i valori dei componenti utilizzati per sintetizzare le reti di adat-
tamento fino a 5 celle per adattare a 10 GHz il carico precedente. Si
tenga presente che gli elementi sono numerati a partire dal carico da
adattare.
In Figura 4.4 vengono riportati gli andamenti in frequenza per i
cinque circuiti di adattamento.
Riferendosi ad un adattamento migliore di 20 dB, è chiaro come al-
l’aumentare del numero di celle la banda passante migliori sensibil-
mente.
j1
j0.5 j2
Q=1.1
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 4.3: Percorso dell’adattamento a Q costante con 3 celle per

l’esempio.
Tabella 4.1: Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 celle; induttanze

espresse in nH e capacità in pF.
Numero
di celle
L1 C1 L2 C2 L3 C3 L4 C4 L5 C5 Q
1 fucsia 0.2390 0.9550 3.00
2 marrone 0.1170 1.4800 0.3700 0.4680 1.47
3 rosso 0.0855 1.5875 0.1842 0.7270 0.3970 0.3420 1.07
4 blu 0.0702 1.5792 0.1248 0.8880 0.2220 0.4994 0.3948 0.2808 0.88
5 verde 0.0609 1.5360 0.0965 0.9692 0.1529 0.6115 0.2423 0.3858 0.3840 0.2434 0.76
La tecnica di adattamento mostrata è applicabile nella forma de-

scritta soltanto se il carico da adattare è puramente resistivo e costante
in frequenza. Nel caso in cui presenti variazioni in frequenza, si deve
preliminarmente cercare di rendere resistivo il carico a centro banda
utilizzando elementi di accordo serie o parallelo e quindi applicare il
metodo descritto.
Adattamento a Q costante distribuito 187
-10
|Gin| -20
[dB] -30
-40
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 4.4: Andamento in frequenza del modulo del coefficiente di

riflessione in ingresso per reti da 1 a 5 celle a Q costante.
4.4 Adattamento a Q costante distribuito

La stessa tecnica di adattamento a Q costante utilizzata facendo
uso di elementi a costanti concentrate può essere adottata per circuiti
a costanti distribuite, utilizzando come elemento di accordo unitario il
trasformatore a quarto d’onda. Come già visto a proposito dell’adat-
tamento a quarto d’onda a banda stretta, dato un carico resistivo di
valore ZL = RL che si voglia adattare all’impedenza (reale) Z0 = R0 ,
basta inserire una linea di trasmissione lunga un quarto d’onda alla
frequenza considerata e di impedenza caratteristica ZC data da:
p
ZC = R0 · RL (4.23)
ossia pari alla media geometrica tra l’impedenza iniziale e quella finale.
Se si va a calcolare il fattore di qualità in tale trasformazione, ossia
il valore massimo dello stesso lungo la linea, definito come rapporto tra
la parte immaginaria e reale dell’impedenza lungo la linea, si ottiene
l’espressione
Ã ! s s 
1 ZC RL 1 R0 RL
Q= · − = · −  (4.24)
2 RL ZC 2 RL R0
Quindi anche in questo caso il fattore di qualità del circuito neces-

sario dipende soltanto dal rapporto di trasformazione R0 /RL .
Se allora si cerca di effettuare un adattamento utilizzando più se-

zioni a quarto d’onda, per mantenere costante il fattore di qualità mas-
simo lungo ciascuna di esse, dovremo cercare di effettuare una serie di
trasformazioni con rapporto costante. In altri termini, scelto il numero
di sezioni che si è disposti ad utilizzare, n, il rapporto di trasformazione
risultante per ciascuna di esse sarà:
1
Ã !
R0 n
χ= (4.25)
RL
Durante la trasformazione, l’impedenza ottenuta al passo k sarà
cosı̀:
1 k
Ã ! Ã !
R0 n R0 n
Rk = · Zk−1 = · RL (4.26)
RL RL
e l’impedenza caratteristica della linea a quarto d’onda utilizzata nella
trasformazione corrispondente sarà:
v
u
u 1
uÃ !
p u R0 n
Zc,k = Rk · Rk−1 =t · Zk−1 · Zk−1 =
RL
k−1 1 2k − 1
Ã ! Ã ! Ã !
R0 n R0 2n R0 2n
= RL · · = · RL
RL RL RL
(4.27)
Utilizzando la (4.24) e la (4.25), il fattore di qualità ottenuto vale
cosı̀, se si utilizzano n sezioni:
 
s s  1 1
Ã ! Ã !−
1 Rk Rk−1 1  R0 2n R0 2n 
Q = · − = ·
 −

=
2 Rk−1 Rk 2  RL RL 
" #
ln (χ)
= sinh
2
(4.28)
Adattamento a Q costante distribuito 189
Nella Tabella 4.2 sono elencati i valori risultanti sia per le impe-
denze caratteristiche che per i fattori di qualità risultanti cercando di
adattare una impedenza reale di RL = 5 Ω a R0 = 50 Ω ed utilizzando
da 1 a 5 sezioni di linea a quarto d’onda.
Tabella 4.2: Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 sezioni a quarto

d’onda a Q costante con i fattori di qualità corrispondenti.
Impedenze espresse in Ω.
Numero
di sezioni
ZC1 ZC2 ZC3 ZC4 ZC5 Q
1 fucsia 15.81 1.42
2 marrone 8.89 28.12 0.61
3 rosso 7.34 15.81 34.06 0.39
4 blu 6.67 11.86 21.08 37.49 0.29
5 verde 6.29 9.98 15.81 25.06 39.72 0.23
Come è facile verificare, l’aumento del numero di celle comporta

la diminuzione del fattore di qualità massimo, a tutto vantaggio della
larghezza di banda risultante.
Si noti poi, dal raffronto della Tabella 4.2 con l’analoga a costanti
concentrate (Tabella 4.1), che i fattori di qualità ottenibili all’aumenta-
re del numero di sezioni utilizzate nel caso distribuito sono decisamen-
te più bassi.
Questo si può verificare anche diagrammando, come nella Figu-
ra 4.5 il percorso su carta di Smith di un adattamento a tre sezioni
e raffrontandolo con quello riportato in Figura 4.3.
Ad ulteriore verifica, nella Figura 4.6 viene mostrato l’andamen-
to del coefficiente di riflessione ottenuto utilizzando i circuiti di adat-
tamento da 1 a 5 sezioni a quarto d’onda, con i valori presentati in
Tabella 4.2 a 10 GHz.
Come atteso, la banda di adattamento ottenuta è più ampia di quan-
to risulta nel caso a costanti concentrate, ovviamente pagato dall’in-
gombro risultante del circuito, che a bassa frequenza può risultare
insostenibile.
L’analisi dei valori di impedenza caratteristica che vengono ad ot-
tenersi all’aumentare del numero di sezioni con l’adattamento a Q co-
stante mostra che se l’impedenza da adattare è particolarmente bassa
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
Q=0.39
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 4.5: Percorso su carta di Smith ottenuto con un adattamento a

tre sezioni a quarto d’onda a Q costante da 5 a 50 Ω.
-10
|Gin| -20
[dB] -30
-40
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]

riflessione per i cinque circuiti di adattamento a quarto
d’onda a Q costante.
(o alta), l’impedenza caratteristica risultante, in special modo per le

prime sezioni, potrebbe essere non realizzabile.
Adattamento a minima variazione di impedenza 191
4.5 Adattamento a minima variazione di impe-

denza
In alternativa al metodo a Q costante, con lo scopo di eliminare le
difficoltà tecnologiche connesse alla realizzazione di linee con impeden-
za caratteristica troppo bassa o troppo alta, si potrebbe pensare di ri-
correre ad un trasformatore multisezione che riduca progressivamente
il modulo del coefficiente di riflessione del carico facendo uso di trasfor-
matori a quarto d’onda. Le impedenze caratteristiche di questi saranno
però di valore realizzabile.
A questo scopo si consideri un carico resistivo di valore ZL = RL
che si voglia adattare all’impedenza (reale) Z0 = R0 . Supponiamo per
semplicità che tale R0 sia anche l’impedenza di normalizzazione. Il
coefficiente di riflessione del carico sarà:
RL − R0
ΓL = (4.29)
RL + R0
e dovrà annullarsi dopo l’ultima sezione di linea a quarto d’onda. Tale
coefficiente di riflessione, comunque reale, sarà positivo o negativo a
seconda che il carico sia maggiore o minore dell’impedenza di norma-
lizzazione. Detto n il numero di sezioni che si è disposti ad accettare,
ad ogni passo vogliamo che il modulo del coefficiente di riflessione si
riduca di un fattore pari a
ΓL
χ= (4.30)
n
Inoltre, dovendo cercare impedenze caratteristiche realizzabili, cia-
scuna linea a quarto d’onda dovrà trasformare il suo carico iniziale
maggiore di R0 (minore di R0 ) in un valore di resistenza minore di R0
(maggiore di R0 ), alternando cosı̀ il segno del coefficiente di riflessione
risultante. Riguardo al modulo, avremo, per il coefficiente di riflessione
al passo k:
¯ ¯
n − k ¯¯ RL − R0 ¯¯ n − k
|Γk | = ·¯ ¯= · |ΓL | = (n − k) · |χ| (4.31)
n ¯ RL + R0 ¯ n
ovvero, con il segno,
n − k RL − R0 n−k
Γk = (−1)k · · = (−1)k · ·ΓL = (−1)k ·(n − k)·χ (4.32)
n RL + R0 n
a cui corrisponde un’impedenza risultante dopo la sezione k-esima a

quarto d’onda:
n−k
1 + Γk 1 + (−1)k · · ΓL 1 + (−1)k · (n − k) · χ
Rk = R0 = R0 n = R0
1 − Γk n−k 1 − (−1)k · (n − k) · χ
1 − (−1)k · · ΓL
n
(4.33)
Ciascun tratto a quarto d’onda avrà un’impedenza caratteristica
data da:
p
Zck = Rk · Rk−1 =
v
u
u 1 + (−1)k · (n − k) · χ 1 + (−1)k−1 · (n − k + 1) · χ
= R0 t · =
1 − (−1)k · (n − k) · χ 1 − (−1)k−1 · (n − k + 1) · χ
v
u
u 1 − (−1)k · χ − (n − k) · (n − k + 1) · χ2
= R0 t
1 + (−1)k · χ − (n − k) · (n − k + 1) · χ2
(4.34)
Nella Tabella 4.3 sono elencati i valori risultanti sia per le impe-
denze caratteristiche che per i fattori di qualità massimi e minimi di
ciascuna rete cercando di adattare un’impedenza reale di RL = 5 Ω a
R0 = 50 Ω ed utilizzando da 1 a 5 sezioni di linea a quarto d’onda con
quest’ultimo approccio.
Tabella 4.3: Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 sezioni a quarto

d’onda e minima variazione dell’impedenza caratteristi-
ca. Sono indicati anche i fattori di qualità massimo e
minimo della rete. Impedenze espresse in Ω .
Numero
ZC1 ZC2 ZC3 ZC4 ZC5 Qmax Qmin
di sezioni
1 fucsia 15.81 1.42 1.42

2 marrone 24.42 77.21 2.34 0.44
3 rosso 29.15 69.69 37.80 2.83 0.28
4 blu 32.31 66.17 39.84 61.53 3.15 0.21
5 verde 34.60 63.94 41.04 59.54 42.39 3.38 0.17
Adattamento a minima variazione di impedenza 193
Come voluto, l’aumento del numero di sezioni ha l’effetto di ridurre

il campo di variabilità dell’impedenza caratteristica delle linee a quarto
d’onda, a tutto vantaggio della realizzabilità delle stesse.
Per contro, i fattori di qualità delle singole sezioni, non più uguali,
aumentano il proprio intervallo di escursione, e in particolare tendono
a divergere all’aumentare del numero di sezioni∗ .
Tale ultima considerazione porta alla conclusione che la banda pas-
sante ottenibile da questo approccio sarà decisamente inferiore a quella
che si può derivare dall’approccio a Q costante. Nella Figura 4.7 si mo-
stra il percorso del coefficiente di riflessione del carico lungo la linea
per una rete a tre sezioni nelle stesse condizioni della Figura 4.4 e del-
la Figura 4.5, mentre nella Figura 4.8 viene mostrato l’andamento in
frequenza per le reti indicate in Tabella 4.3.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 4.7: Percorso su carta di Smith ottenuto con un adattamen-

to a tre sezioni a quarto d’onda da 5 a 50 Ω a minima
variazione d’impedenza.
Come ci si poteva aspettare, l’approccio presentato non ha avuto

l’effetto di aumentare la larghezza di banda ma al contrario, all’au-
mentare del numero di sezioni aumenta il massimo fattore di qualità
∗
È la cella più vicina al carico quella che presenta il fattore di qualità più alto,
mentre l’ultima ha un fattore di qualità molto ridotto.
-10
|Gin| -20
[dB] -30
-40
-50
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]

d’onda a minima variazione d’impedenza.
della prima sezione, e tale larghezza di banda diminuisce, a vantaggio

della pratica realizzabilità.
Come ultima considerazione, si noti che mentre nel caso a Q costan-
te l’impedenza caratteristica delle linee aumenta o diminuisce gradual-
mente, nel caso appena visto esistono una serie di salti di impedenza
bruschi (High/Low). I due approcci quindi, pur avendo il medesimo
ingombro longitudinale sul circuito che li realizza, tipicamente danno
luogo a configurazioni trasversali ben riconoscibili, come mostrato in
Figura 4.9.
4.6 Adattamento a quattro elementi

Si vuole concludere questo accenno all’adattamento a larga banda
con una tecnica molto diffusa che è basata sull’utilizzazione sistematica
di reti composte da soli quattro elementi. I punti chiave della tecnica
sono illustrati di seguito.
Il primo elemento della rete di adattamento (il più vicino all’im-
pedenza da trasformare) deve essere scelto in maniera che riduca il
rapporto di onda stazionaria del carico da adattare in banda.
Nelle applicazioni a larga banda infatti è bene che non ci sia un
adattamento perfetto ad una singola frequenza, ma che il livello com-
plessivo dell’adattamento venga ridotto al di sotto di un prefissato va-
Adattamento a quattro elementi 195
(A)
(B)
Figura 4.9: Possibile layout (in pianta) di due circuiti di adattamento

a quarto d’onda a tre sezioni per A) rete a Q costante e B)
rete a minima variazione di impedenza.
lore. In generale la rete di adattamento dovrebbe essere scelta in modo

tale da fornire il valore massimo del VSWR (quindi il caso peggiore)
agli estremi della banda e alla frequenza centrale. Per questo motivo
il secondo elemento della rete di adattamento viene scelto in modo da
far corrispondere, alla frequenza di centro banda, il massimo VSWR
ammissibile.
I primi due elementi forniscono quindi un andamento del coefficien-
te di riflessione parzialmente compensato.
Gli ultimi due elementi della rete di adattamento a quattro elemen-
ti hanno la configurazione o di un risonatore serie o di un risonatore
parallelo, la cui funzione è quella di chiudere gli estremi dell’andamen-
to in frequenza (quindi le impedenze a inizio e fondo banda) all’interno
del cerchio a VSWR prefissato.
Le reti a quattro elementi che consentono quindi un adattamento a
costanti concentrate a larga banda possono essere di uno dei due tipi
mostrati nella Figura 4.10.
In particolare, il primo elemento da inserire (sia esso in serie o in
parallelo) dovrà essere di tipo opposto al carico alla frequenza centrale
(ossia capacitivo se il carico è induttivo e viceversa). Il secondo elemen-
to sarà dello stesso tipo, ma con connessione opposta (serie e/o paralle-
lo), in modo da portare l’impedenza a centro banda ad assumere valori
puramente reali e corrispondenti al massimo VSWR ammesso per pro-
getto. Nella Figura 4.11 è riportata la sintesi delle possibili scelte al
variare della posizione del carico di partenza, con evidenziato un esem-
pio della zona di VSWR massimo ammissibile, all’interno della quale
Xs LRS Xs
CRS
CRP LRP Bp ZL Bp ZL
Tipo I Tipo II
Figura 4.10: Celle a quattro elementi di tipo I e tipo II.
dovrà posizionarsi l’intero andamento in frequenza del carico una volta

adattato.
j1
j0.5 j2
j0.2
Tipo I Tipo II j5
C Parallelo C serie
C serie C Parallelo
0.2 0.5 1 2 5
0
Tipo I Tipo II
L Parallelo L serie
-j0.2 L serie L Parallelo -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 4.11: Tipologia dei primi due elementi al variare della po-
sizione del carico, con evidenziato il cerchio a VSWR
massimo.
In tale scelta si deve quindi disegnare il cerchio a VSWR massimo

(come già visto, è un cerchio centrato sull’origine e con intersezione
sull’asse reale positivo pari al VSWR massimo).
Adattamento a quattro elementi 197
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 4.12: Esempio di applicazione del metodo di adattamento a

quattro elementi.
A questo punto il risonatore, da scegliere in accordo con la tipologia

di circuito prescelta, sarà di tipo serie o parallelo ed avrà il compito
di annullare le parti immaginarie dei carichi a inizio e fondo banda,
creando cosı̀ un percorso arricciato intorno all’origine della carta e con-
tenuto nel cerchio a VSWR massimo previsto. Nella Figura 4.12 sono
mostrati gli andamenti corrispondenti ai vari passi di progetto per un
esempio.
In particolare, la curva in blu rappresenta l’andamento in frequen-
za del carico da adattare, la curva fucsia l’andamento del carico dopo
l’inserzione dei primi due elementi (induttore parallelo e induttore se-
rie), che hanno portato il coefficiente di riflessione a centro banda ad
essere reale, mentre la curva marrone rappresenta l’andamento dopo
il risonatore parallelo inserito. In termini di modulo del coefficiente di
riflessione, il risultato ottenuto è diagrammato in Figura 4.13.
Il metodo descritto in maniera sommaria è anche applicabile in for-
ma distribuita, con qualche variazione. In particolare, nel caso distri-
buito il primo elemento in serie è bene sia una linea di trasmissione
di elevata impedenza caratteristica, il cui scopo è trasformare il cari-
co di partenza in un andamento in cui le parti reali delle ammettenze
agli estremi della banda siano uguali. Il risonatore (a stub in parallelo)
-5
|Gin| -10
[dB]
-15
-20
8 9 10 11 12
f [GHz]
Figura 4.13: Tipico andamento in frequenza per un adattamento a

quattro elementi.
ha ancora una volta il compito di richiudere la curva e finalmente una

linea a quarto d’onda centra il comportamento complessivo in banda.
Esercizi 199
4.7 Esercizi
1. Dato il carico ZL = 20 − j50 Ω, determinare la rete a Q costante
concentrata che lo adatta utilizzando 2 sezioni per una frequenza
centrale f = 0.5 GHz. Determinare quindi la larghezza di banda
risultante se si assume un livello di adattamento utile di 20 dB.
2. Per l’esercizio precedente sintetizzare la rete duale e calcolarne
la larghezza di banda risultante.
3. Dato il carico ZL = 12 Ω, determinare il numero minimo di sezioni
a Q costante concentrato che consentono di effettuare un adatta-
mento intorno a f = 4 GHz di almeno 10 dB per una larghezza di
banda percentuale del 30 %.
4. Dato il carico ZL = 90 Ω, determinare il numero minimo di sezioni
a Q costante concentrato che consentono di effettuare un adatta-
mento intorno a f = 10 GHz di almeno 15 dB per una larghezza di
5. Dato il carico ZL = 10 + j35 Ω, determinare la rete di adattamen-
to a Q costante concentrato che lo adatta a f = 15 GHz utiliz-
zando 3 sezioni. Determinare la banda risultante ipotizzando un
adattamento utile di 15 dB.
6. Determinare la rete duale per l’esercizio precedente e la banda
risultante.
7. Dato il carico ZL = 80 Ω determinare la rete a Q costante distri-
buito in aria che lo adatta a f = 30 GHz utilizzando tre sezioni.
Si calcoli poi la larghezza di banda risultante.
8. Dato il carico ZL = 20 Ω determinare la rete a Q costante di-
stribuito in aria che lo adatta a f = 50 GHz utilizzando quattro
sezioni. Si calcoli poi la larghezza di banda risultante.
9. Si determini il numero minimo di sezioni a Q costante distri-
buito in aria che consente di adattare il carico ZL = 22 Ω a
f = 45 GHz ottenendo un adattamento di almeno 10 dB ed una
10. Si determini il numero minimo di sezioni a Q costante distri-
buito in aria che consente di adattare il carico ZL = 84 Ω a
f = 25 GHz ottenendo un adattamento di almeno 15 dB ed una
11. Facendo uso del metodo di adattamento a quattro elementi con-

centrati, adattare il carico costante ZL = 12 − j25 Ω a f = 8 GHz.
Determinare quindi la larghezza di banda risultante.
12. Si consideri la connessione in parallelo di un resistore RL = 25 Ω

e di un induttore LL = 0.3 nH. Si adatti tale carico nella gam-
ma di frequenze da fmin = 5 GHz a fmax = 8 GHz utilizzando
l’adattamento a quattro elementi concentrati.
13. Si consideri la connessione in serie di un resistore RL = 65 Ω

e di un condensatore CL = 0, 8 pF. Si adatti tale carico nella
gamma di frequenze da fmin = 2 GHz a fmax = 6 GHz utilizzando
l’adattamento a quattro elementi concentrati.
Capitolo 5
Dispositivi attivi per alta
frequenza
Indice del capitolo

5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.2 Dispositivi attivi a microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
5.2.1 MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
5.2.2 HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.2.3 HBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
5.3 Layout dei dispositivi attivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
5.4 Modelli a parametri di scattering . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
5.5 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.1 Introduzione
In questo capitolo si vuole accennare brevemente alle caratteristi-

che ed alla modellistica sia a circuito equivalente che in termini di pa-
rametri di diffusione, dei dispositivi attivi tipici dell’elettronica delle
microonde. Lo scopo del contributo è meramente illustrativo e di com-
pletamento rispetto alla descrizione dei meccanismi di base che si sup-
pongono acquisiti. Verranno illustrati quindi i dispositivi attivi a se-
miconduttore maggiormente utilizzati, ossia MESFET, HEMT e HBT,
che, nel contesto del presente lavoro, costituiranno la rete a due porte
201
202 5. Dispositivi attivi per alta frequenza
attiva utilizzata come elemento di base nel progetto di amplificatori di

guadagno, a basso rumore e degli oscillatori a microonde integrati.
5.2 Dispositivi attivi a microonde

L’elettronica per alta frequenza ha la necessità di utilizzare disposi-
tivi che presentino una velocità di risposta elevata e siano cosı̀ in grado
di elaborare segnali in gamme di frequenza che raggiungono, operando
a partire dal centinaio di MHz, anche centinaia di GHz. A tali fre-
quenze, i tradizionali dispositivi dell’elettronica analogica, basati su
semiconduttori quali il Silicio o il Germanio, mostrano evidenti limita-
zioni. Nonostante infatti notevoli siano i progressi nella diminuzione
delle lunghezze di gate, i moderni dispositivi MOS (o CMOS) non pre-
sentano i requisiti necessari sia in termini di rumore che di potenza
o guadagno. Chiaramente tale affermazione vuole semplicemente sot-
tolineare la tendenza attuale delle tipiche implementazioni di sistemi
e sottosistemi ad alta frequenza, nei quali è raro trovare dispositivi
basati su semiconduttori tradizionali.
Un’eccezione notevole sono senz’altro le applicazioni di potenza nel-
le stazioni radio base di telefonia cellulare, nella gamma bassa delle
microonde. In questo caso il mercato utilizza decisamente transisto-
ri di tipo LDMOS, laterally-diffused MOS, la cui struttura di base è
mostrata nella Figura 5.1. Uno dei vantaggi di questa struttura è la
connessione elettrica diretta del source alla superficie di montaggio,
mentre altre strutture a FET hanno il drain direttamente connesso al
substrato. Questo elimina la necessità di utilizzare fili di interconnes-
sione (wire bonds) o isolanti tra il chip del dispositivo e la superficie
di montaggio, minimizzando i parassiti induttivi e resistivi, oltre a mi-
gliori possibilità di smaltimento del calore. Altri vantaggi sono nella
bassa resistenza di gate e nella presenza di un’area lunga e blandamen-
te drogata tra il canale e i contatti di drain, che minimizza la capacità
gate-drain e fornisce un breakdown più elevato, tutte caratteristiche
assolutamente decisive nelle applicazioni di potenza.
Tradizionalmente i dispositivi attivi a microonde a stato solido∗ so-
no comunque basati su semiconduttori composti del tipo Arseniuro di
∗
Ci si limiterà ad accennare in questa sede ai soli dispositivi a semiconduttore. È
però da tener presente che una non trascurabile parte dell’elettronica per alte frequen-
ze viene realizzata utilizzando dispositivi a vuoto, sia per le funzioni di generazione
che amplificazione. Soltanto per citarne alcuni, ci si riferisce a Gyrotron, Klystron o
TWTA.
Dispositivi attivi a microonde 203
Dielettrico
Source Ossido Gate Drain

n-
n+
n+
Sinker p+ Base p-
Epilayer p-
Substrato p+
Figura 5.1: Vista in sezione della struttura di un dispositivo LDMOS.
Gallio (GaAs), Fosfuro di Indio (InP), Antimoniuro di Indio (InSb), Car-

buro di Silicio (SiC) e Nitruro di Gallio (GaN), o, più in generale su
composti dei gruppi III/V o IV della tabella periodica.
Tali semiconduttori presentano tutti una mobilità elettronica eleva-
ta e sono la base della realizzazione di dispositivi attivi sia in forma
discreta per il montaggio all’interno di circuiti ibridi (hybrid micro-
wave integrated circuits, HMIC), che integrata all’interno di circuiti
monolitici (monolithic microwave integrated circuits, MMIC).
I dispositivi attivi a microonde possono essere sia del tipo ad effetto
di campo che bipolari. In generale possono essere raggruppati in tre
grandi famiglie:
• MESFET (metal-semiconductor field-effect transistor): transistori

ad effetto di campo a giunzione metallo – semiconduttore in cui
tale giunzione va a formare una barriera Schottky per il terminale
di gate.
• HEMT (high electron mobility transistor): transistori ad effetto

di campo ad eterogiunzione in cui i portatori (elettroni) presen-
tano elevate mobilità. Sono anche denominati TEGFET (two-
dimensional electron-gas field-effect transistor) o MODFET (mo-
dulation-doped field-effect transistor) e devono il loro funziona-
mento alla presenza di una eterogiunzione.
• HBT (heterojunction bipolar transistor): transistori bipolari ad

eterogiunzione.
I MESFET, pur essendo stati i primi dispositivi attivi realizzati per

applicazioni ad alta frequenza, sono oramai utilizzati soltanto in ap-
plicazioni general-purpose, quali stadi di guadagno, phase shifters o at-
tenuatori controllati. Per applicazioni a basso rumore ed elevatissima
frequenza sono infatti preferite le strutture HEMT, che garantiscono
senz’altro migliori prestazioni di rumore e guadagni accettabili oltre
i 100 GHz. Sempre a PHEMT vengono realizzati, seppure con canale
multiplo, stadi di potenza integrati ad alta frequenza. Parimenti utiliz-
zati per applicazioni di potenza sono le strutture ad HBT, che peraltro
sono difficilmente integrabili con altre funzionalità. Ad HBT si prefe-
risce poi realizzare oscillatori a basso rumore di fase, vista l’intrinseca
bassa rumorosità a bassa frequenza delle strutture bipolari.
Di seguito si accennerà brevemente alla struttura ed al funziona-
mento di ciascuna di tali tipologie.
5.2.1 MESFET
I MESFET realizzati su GaAs sono stati storicamente i primi di-
spositivi utilizzati nei circuiti attivi a microonde e per lungo tempo le
prestazioni di tali dispositivi hanno fornito un punto di riferimento per
la maturità della tecnologia realizzativa, prima di essere parzialmente
sostituiti dagli HEMT. In special modo se si considerano le applicazioni
a basso rumore e di guadagno, molti sistemi a microonde tuttora ope-
ranti contengono sezioni realizzate con MESFET al GaAs, sia utilizzati
come amplificatori che come mixer o moltiplicatori di frequenza.
La struttura in sezione di un tipico MESFET è mostrata nella Figu-
ra 5.2.
Source Gate Drain
GaAs Ohmico n+
Epilayer GaAs n
Buffer GaAs SI
Substrato GaAs SI
Figura 5.2: Vista in sezione di un MESFET su GaAs con gate a “T”.

Il MESFET è realizzato crescendo uno strato di buffer molto puro

di GaAs semi-isolante (SI in figura) su un substrato anch’esso di GaAs
semi-isolante e poi crescendo per epitassia uno strato drogato n che an-
drà a realizzare il canale attivo del FET (epilayer). Quest’ultimo canale
viene contattato tramite contatti ohmici per il terminale di source e di
drain, mentre per il terminale di gate si forma una barriera Schottky
metallo-semiconduttore.
L’epilayer viene di solito cresciuto più spesso di quanto sia necessa-
rio per il canale e viene poi parzialmente rimosso per etching fino allo
spessore voluto per il canale. Tale struttura, indicata con il nome di
recessed gate ed a cui ci si riferisce nella Figura 5.2, consente di mini-
mizzare i parassiti resistivi di source e drain, con un benefico effetto
sia nelle prestazioni di rumore che nelle prestazioni in potenza.
Essendo un dispositivo ad effetto di campo, il MESFET viene pola-
rizzato da due differenze di potenziale, che nella tipica configurazione a
source comune sono applicate tra drain e source (Vds ) e tra gate e source
(Vgs ).
Queste tensioni controllano la corrente nel canale attivo andando a
variare la larghezza della zona di svuotamento sottostante al gate e il
campo elettrico longitudinale.
Si faccia riferimento in quanto segue alla Figura 5.3. Se si ipotiz-
za inizialmente di porre Vgs = 0 e si varia la Vds a partire da zero,
la regione di svuotamento sotto il gate è relativamente stretta e, al-
l’aumentare della Vds , si stabilisce un campo elettrico longitudinale e
conseguentemente una corrente tra i due terminali di drain e source.
A causa della Vds , il potenziale lungo la zona di svuotamento è più
alto dal lato del terminale di drain e quindi la zona di svuotamento è
ivi più ampia, restringendo la larghezza del canale attivo.
Il restringimento del canale, a parità di corrente, provoca un au-
mento locale della velocità degli elettroni. Globalmente, ad un aumen-
to di Vds corrisponde cosı̀ un aumento di corrente di drain Id : per bassi
valori della Vds la corrente in prima approssimazione varia in maniera
lineare.
In ogni caso, se si aumenta la polarizzazione negativa del gate a
parità di Vds , la regione di svuotamento si allarga e il canale diventa
più stretto. Quando la Vgs = Vt , con Vt tensione di soglia (threshold),
il canale diventa completamente svuotato e la corrente di drain si an-
nulla, indipendentemente da Vds . Quindi sia Vds che Vgs controllano
la Id . In questa regione di funzionamento il MESFET opera nella sua
regione lineare o ohmica (si comporta come un resistore controllato in
Id
Vgs Vds
S G D
+++++++++
+++++++
(a) Vds
Id
Vgs Vds
S G D
++++++++
+++++
- - + ++
- - - --- - -
(b) Vds
Id
Vgs Vds
S G D
++++++++
++++++
--- -----+- -+ +++
++++
(c ) Vds
Figura 5.3: Funzionamento del MESFET: (a) per basse Vds , (b) per Vds
alla saturazione, (c) saturazione della corrente di drain.
tensione).
Se si aumenta ulteriormente la Vds , la corrente nel canale aumenta,
la regione di svuotamento si allarga ulteriormente e, dalla parte del
terminale di drain, il canale conduttivo si fa sempre più stretto. La
corrente deve chiaramente rimanere costante nel canale e quindi in
tale zona gli elettroni devono muoversi sempre più velocemente.
È chiaro che la velocità elettronica non può aumentare indefinita-
mente, visto che non può superare la velocità saturata di drift, che per
il GaAs vale circa 1.3·107 cm/s. Se la Vds è aumentata oltre il valore che
causa tale saturazione di velocità (che tipicamente è qualche decimo di
V), allora si deve aumentare la concentrazione di portatori anziché la
velocità per mantenere la continuità della corrente nel canale. Quin-

di, sotto il gate, dal lato del drain, si dovrà formare una regione di
accumulo di elettroni.
Per contro, dopo aver attraversato il canale alla velocità saturata,
gli elettroni a tale velocità si muovono in una zona più ampia tra gate
e drain, dando origine ad una zona di svuotamento elettronica. Tale
zona di svuotamento è carica positivamente a causa degli ioni donori
rimanenti, andando cosı̀ a formare un dipolo o dominio di carica.
All’aumentare ulteriormente di Vds , una porzione sempre più eleva-
ta di tale differenza di potenziale si stabilisce in questa regione, fino a
raggiungere un punto in cui ulteriori aumenti di Vds vanno interamen-
te a cadere in questo dominio di carica, non aumentando apprezzabil-
mente la corrente di drain: a questo punto gli elettroni si muovono per
gran parte del canale a velocità saturata. Questa modalità operativa,
cui corrisponde il normale funzionamento del MESFET quale amplifi-
catore, è indicata come regione di saturazione o operatività satura. Si
tenga presente che il dominio di carica si viene a formare per tensio-
ni Vds ben inferiori al valore che causa la definitiva saturazione della
corrente di drain.
La regione di svuotamento dovuta alla barriera Schottky è rappre-
sentabile da una capacità la cui carica, per bassi valori di Vds ha ap-
prossimativamente l’andamento classico:
Ã !1−γ
Cj0 · φ Vg
Qg = − · 1− (5.1)
1−γ φ
da cui si discosta all’aumentare di Vds . Inizialmente la capacità di gate

è distribuita uniformemente lungo il canale, ed è modellizzata di solito
con due condensatori verso il source ed il drain (rispettivamente Cgs e
Cgd ), relativi alla variazione di carica di svuotamento al variare di Vgs e
Vgd . Se però si aumenta la Vds e il FET entra nella regione di saturazio-
ne, le variazioni della tensione di drain sono schermate dalla presenza
del dominio di carica e quindi ulteriori aumenti di Vds non causano va-
riazioni alla carica nella regione di svuotamento, facendo diminuire la
capacità gate-drain Cgd . In regime di saturazione la capacità tra gate
e source Cgs rappresenta quindi l’intera capacità di svuotamento, au-
mentando tipicamente fino al doppio del valore iniziale (ossia di quello
che aveva per basse Vds ).
Nella Figura 5.4 è mostrata la topologia di un tipico modello a circui-
to equivalente per un MESFET, utilizzabile in regime di ampio segnale
(il modello a piccolo segnale è ottenibile dallo stesso). Sono evidenziati

nel modello anche i parassiti resistivi di accesso.
Rg Cgd (Vg ,Vd ) Rd
Gate + Rgd Drain

Vg Cgs (Vg ,Vd )
- +
Vd Cds Rds
Ri Id (Vg ,Vd ) -
Rs
Source
Figura 5.4: Modello a circuito equivalente non lineare di un MESFET
in GaAs.
Nel modello indicato, come in ogni modello a circuito equivalente,

ciascun elemento circuitale è volto a rappresentare un ben preciso effet-
to fisico, cercando cosı̀ di replicare al meglio il comportamento esterno
del dispositivo. Nel caso di modelli a piccolo segnale ciascun elemento
del circuito avrà un valore numerico associato ad ogni polarizzazione,
mentre nel modello ad ampio segnale a ciascun elemento del circuito
viene associata una dipendenza funzionale,∗ tipicamente da tensioni o
correnti applicate. Sia gli elementi del circuito equivalente lineare che
non lineare vengono di solito estratti da misure opportune effettuate
dal costruttore o da laboratori specializzati di modellistica.
5.2.2 HEMT
In un HEMT il canale attivo viene formato grazie ad una eterogiun-
zione anziché ad un semplice strato epitassiale come nei MESFET. Vi-
sto che il canale non è quindi drogato, lo scattering da impurità viene
cosı̀ minimizzato, con il risultato di avere una elevatissima mobilità
elettronica. La mobilità aumenta poi al diminuire della temperatura,
∗
I numerosi modelli a circuito equivalente esistenti nella letteratura specializza-
ta, non soltanto per MESFET ma anche per HEMT, differiscono in larga parte per
tale dipendenza funzionale che implica di volta in volta o una maggiore semplicità di
estrazione dei parametri o una migliore capacità di fitting.
fornendo di conseguenza miglioramenti nel guadagno e nella cifra di

rumore tipica del dispositivo.
La struttura di base di un HEMT su GaAs è mostrata nella Figu-
ra 5.5.
Source Gate Drain
GaAs Ohmico n+
AlGaAs n+
2-DEG InGaAs non drogato
Buffer GaAs SI
Substrato GaAs SI
Figura 5.5: Vista schematica in sezione della struttura di un HEMT

in AlGaAs-InGaAs-GaAs.
Al posto dell’epilayer drogato, il dispositivo ha uno strato di lega

AlGaAs drogato n+ ed uno strato molto sottile di InGaAs non drogato
immediatamente sottostante. Di solito c’è poi uno strato molto sotti-
le, dell’ordine di 5 nm e non indicato in figura, di AlGaAs non drogato
(spacer layer) tra gli strati di AlGaAs e InGaAs che serve a non avere
scattering dagli ioni nello strato di AlGaAs. Data la struttura a bande
dei semiconduttori, gli elettroni del layer di AlGaAs si accumuleran-
no all’interfaccia con il layer di InGaAs; la densità di carica di questo
strato di elettroni sarà poi controllata dalla tensione di gate.
La densità di carica risultante di questi dispositivi è tipicamente
molto bassa, rendendo difficile la loro utilizzazione come amplificatori
di potenza∗ , mentre l’elevato valore di transconduttanza gli consente
di avere una frequenza di taglio molto elevata e cifre di rumore molto
basse. Queste caratteristiche fanno degli HEMT i dispositivi ideali per
il progetto di amplificatori a basso rumore e guadagno, oltre che di
mixer attivi a frequenze molto elevate.
Il dispositivo AlGaAs/InGaAs descritto è denominato HEMT pseu-
∗
Questo è vero se si considera la semplice struttura indicata in figura. L’utilizza-
zione di drogaggi particolari o di strutture più complesse (a canali multipli), rende gli
HEMT sicuramente utilizzabili anche per applicazioni di potenza ad alta frequenza.
domorfico o PHEMT, indicando con questo il differente passo reticolare

che si trova all’interfaccia tra i layer di AlGaAs e InGaAs. Sono possi-
bili numerosissime varianti riguardanti sia la disposizione dei layer
che i composti di base utilizzati, dando origine anche a dispositivi con
eterogiunzioni multiple. La grande varietà di combinazioni possibili fa
in modo che il canale del dispositivo sia ottimizzabile a seconda della
prestazione di punta che si vuole raggiungere o dell’applicazione in ge-
nerale; questo contrasta con quanto è possibile fare nei MESFET, in
cui l’unica variabile è lo spessore del canale e la densità di drogaggio.
I modelli degli HEMT non differiscono molto da quelli dei MESFET,
almeno topologicamente. Rimane applicabile quindi la struttura del
circuito equivalente mostrata nella Figura 5.4.
Esistono però notevoli differenze nel comportamento dei due dispo-
sitivi, che si riflettono nelle differenti rappresentazioni funzionali cor-
rispondenti agli elementi del circuito equivalente. In particolare, si
noti che di solito la transconduttanza (e quindi il guadagno di piccolo
segnale) nei MESFET è una funzione monotona della tensione di gate
(ossia cresce al crescere di questa, fino alla conduzione diretta del dio-
do gate-source). Negli HEMT invece, la transconduttanza ha un picco
massimo per poi decrescere all’aumentare della polarizzazione di gate.
Similmente, il pinch-off degli HEMT è molto più brusco che nei ME-
SFET e avviene tipicamente a tensioni di gate maggiori (tensioni di
soglia maggiori).
5.2.3 HBT
Una tipica realizzazione di HBT è mostrata in sezione nella Figu-
ra 5.6.
Emettitore
AlxGa1-xAs
Base Base
GaAs p+
Collettore GaAs n- Collettore
GaAs n+
Isolamento Substrato GaAs SI Isolamento
Figura 5.6: Struttura a mesa di un HBT AlGaAs-GaAs. L’eterogiun-

zione è formata dallo strato AlGaAs.
Layout dei dispositivi attivi 211
Vengono utilizzate essenzialmente due tipologie di transistori bipo-

lari: la versione a omogiunzione tradizionale (BJT), con applicazioni
nella gamma delle basse microonde, e la versione ad eterogiunzione
(HBT), con frequenze di taglio molto più elevate.
Come accennato, i transistori bipolari hanno intrinsecamente un
guadagno più elevato alle basse frequenze e meno rumore rispetto alle
loro controparti ad effetto di campo.
Inoltre richiedono essenzialmente una batteria a singola polarità
per la polarizzazione, a differenza dei FET, che, come vedremo, neces-
sitano tipicamente di tensioni sia negative che positive. Possono poi
essere utilizzati a tensioni di alimentazione più basse: in definitiva
quindi la scelta ricade spesso su questo tipo di transistori per applica-
zioni a radiofrequenza (gamma bassa delle microonde), in special modo
per oscillatori a basso rumore di fase.
L’operatività di un HBT non differisce di molto da quella di un tra-
dizionale bipolare ad omogiunzione. L’HBT realizza però tra base ed
emettitore una eterogiunzione al posto della tradizionale giunzione pn.
L’eterogiunzione è formata utilizzando due materiali con differente
bandgap che, costituendo una barriera tra emettitore e base, consento-
no cosı̀ alla base un pesante drogaggio: questo pesante drogaggio per-
mette di ottenere una bassa resistenza di base e massimizzare cosı̀ la
frequenza di taglio.
Si tenga presente che, a differenza dei dispositivi ad effetto di cam-
po, molto spesso gli HBT per motivi di costo vengono realizzati su SiGe
(Silicio-Germanio), ottenendo un ottimo compromesso con le prestazio-
ni risultanti.
Dalla Figura 5.6 si nota come la struttura di un HBT sia essen-
zialmente a mesa, ovvero intrinsecamente non planare, a differenza di
quanto avviene per i BJT.
Sebbene più complessa del BJT, la tecnologia realizzativa consen-
te una migliore definizione del contatto di emettitore assieme a basse
resistenze parassite e capacità di fringing.
Il modello a circuito equivalente non lineare normalmente utilizzato
è mostrato nella Figura 5.7 (modello di Gummel-Poon) che include non
soltanto la parte attiva ma anche le resistenze parassite.
5.3 Layout dei dispositivi attivi

Pur condividendo lo stesso meccanismo di funzionamento, un da-
to dispositivo attivo, sia del tipo ad effetto di campo che bipolare, può
Vbe Icf -Icr Vbc

Re Rc Collettore
Ibe Ibc
Emettitore
Ibe,I Ibc,I Cjs

Cje Cjc
Cde Cdc
Rb
Base
Figura 5.7: Modello a circuito equivalente ad ampio segnale per HBT.
essere realizzato utilizzando strutture (combinazioni di strati costrut-

tivi o layer che danno origine a differenti geometrie o layout) diffe-
renti, che ne vanno a determinare sia le prestazioni assolute che le
caratteristiche in frequenza.
In particolare, per le strutture ad effetto di campo, le più utilizzate,
sono di uso comune due differenti layout: lineare ed interdigitato.
Nella Figura 5.8 vengono mostrate le due tipologie di layout: come
evidente, tra i terminali di drain e di source viene inserito il terminale
di gate, che, vista la forma allungata, viene denominato dito (finger) di
gate. Se si seziona trasversalmente il dispositivo (vista a-a’ in figura)
nel caso di dispositivo lineare si avrà la successione tipica source-gate-
drain, che dà luogo ad un singolo canale attivo; nel caso di dispositivo
interdigitato, la successione è di tipo source-gate-drain-gate-source (per
il dispositivo a due dita in figura, estendibile al caso di più dita), dando
cosı̀ origine a due canali attivi che a tutti gli effetti sono tra loro in
parallelo.
I due layout danno origine a dispositivi che hanno come peculiarità
la compattezza (per il dispositivo interdigitato) o il basso valore dei pa-
rassiti (per il dispositivo lineare). Di conseguenza, a seconda dell’appli-
cazione prevista, si preferirà il dispositivo interdigitato se si ha bisogno
di prestazioni elevate per la potenza assieme alla compattezza del di-
spositivo, mentre si preferirà il dispositivo lineare per massimizzare le
prestazioni in frequenza.
La lunghezza trasversale del finger di gate (la dimensione minore in
a a
D D D
S G S G G
S S S
a’ Lineare a’
Lineare
D
Interdigitato
a a’
S D S
Figura 5.8: Layout di dispositivi attivi, lineari e interdigitati.
figura) determina in ultima analisi la lunghezza del canale attivo (os-

sia la regione che i portatori di carica devono attraversare per passare
dal source al drain) e viene denominata semplicemente lunghezza di
canale (gate length, Figura 5.9). Tale dimensione è responsabile delle
caratteristiche di risposta in frequenza, determinando infatti il tempo
necessario ad attraversare il canale da parte dei portatori che viaggia-
no, nel canale, alla velocità di saturazione. In altri termini, lunghezze
di canale brevi determinano, a parità di semiconduttore, tipicamen-
te frequenze caratteristiche del dispositivo più alte∗ . La dimensione
longitudinale del finger determina invece la larghezza del canale (gate
width) ed è responsabile dei valori assoluti di corrente supportati dal
dispositivo. Infatti all’aumentare di quest’ultima aumenta la quantità
∗
La corsa tecnologica è tale da spingere i dispositivi di ultima generazione a lun-
ghezze di canale al di sotto dei 100 nm, fino al valore di 35 nm, con frequenze di taglio
risultanti, per dispositivi InP, che si avvicinano ai 500 GHz.
di corrente di drain che attraversa il dispositivo, in maniera pressoché

lineare∗ .
gate
width
gate
lenght gate
width
gate
G lenght G
Lineare G
Interdigitato
Figura 5.9: Lunghezza e larghezza di gate.
Si definisce infine la periferia di gate (gate periphery), o semplice-

mente periferia, il prodotto della larghezza di gate per il numero di dita
che compone il dispositivo. Tale parametro coincide con la larghezza di
gate nel caso dei dispositivi lineari, ma può essere radicalmente diver-
so nel caso dei dispositivi interdigitati, nei quali il numero dei finger
raggiunge valori molto elevati (100 finger da 100 µm ognuno, che danno
luogo ad una periferia totale di 10 mm per il dispositivo in Figura 5.10).
Figura 5.10: Fotografia al microscopio di un dispositivo interdigitato

per alta potenza (Selex-SI).
I compromessi da effettuare per la selezione di un dato dispositivo

a parità di periferia o a parità di prestazioni desiderate per una fissata
tecnologia coinvolgono numerose variabili. A mero titolo di esempio,
nella Figura 5.11 sono riportate le caratteristiche ottenute sperimen-
talmente a partire dalla stessa famiglia di dispositivi (in questo caso
∗
In realtà, come intuitivo, non soltanto la corrente ha un andamento lineare con
la larghezza di canale, ma anche i componenti del circuito equivalente del dispositivo
stesso, le capacità e le resistenze (conduttanze).
interdigitati) al variare della lunghezza dei finger ed a parità di perife-

ria totale, mentre nella Figura 5.12 al variare del numero degli stessi,
per due diverse frequenze.
Prestazioni in potenza di un pHEMT con periferia 1.2 mm
e lunghezza di gate pari a 0.15 mm, realizzato con differenti
larghezze di gate in polarizzazione attiva
35.0 80
Pout
30.0 70
G PAE
25.0 60
[dB]
PAE
20.0 50 [%]
Pout 18 GHz
14 GHz
[dBm] 15.0
G
40
10.0 30
5.0 20
0 50 100 150 200 250
Larghezza di gate [mm]
Figura 5.11: Andamento del guadagno, della potenza di uscita e del-

l’efficienza al variare della lunghezza dei finger a parità
di periferia totale.
Prestazioni in potenza di un pHEMT lunghezza di gate

pari a 0.15 mm, larghezza unitaria del finger pari a 100 mm
e numero variabile di finger in polarizzazione attiva
40.0 70
35.0 65
Pout
G
30.0 60
PAE
[dB]
25.0 55 PAE
Pout [%]
20.0 50
18 GHz
[dBm] 14 GHz
15.0 45
G
10.0 40
5.0 35
0 5 10 15 20 25 30 35
Numero di finger
Figura 5.12: Andamento del guadagno, della potenza di uscita e

dell’efficienza al variare del numero dei finger.
5.4 Modelli a parametri di scattering

Come si è avuto modo di avvertire anche dalle precedenti brevi de-
scrizioni dei dispositivi attivi utilizzati e delle prestazioni relative, il
numero di variabili da considerare nella scelta di un dato dispositivo
è molto elevato e coinvolge una conoscenza dettagliata della tecnologia
oltre che ovviamente la possibilità di selezione del dispositivo stesso.
In molti casi però tale scelta è limitata a poche caratteristiche (di-
spositivi già selezionati, assenza di ulteriori informazioni sui parame-
tri circuitali del modello . . . ).
Malgrado tale limitazione, per effettuare un progetto, anche accu-
rato, di un amplificatore a piccolo segnale o comunque di una rete li-
neare che coinvolga l’utilizzazione di uno o più dispositivi attivi, basta
conoscere di questi ultimi soltanto le caratteristiche esterne.
Se si fissa infatti la polarizzazione del dispositivo, in base a con-
siderazioni che saranno esposte più avanti, quest’ultimo risulta esse-
re a tutti gli effetti, per un segnale di piccola entità, una rete a due
(o al massimo tre) porte, e quindi descrivibile tramite un insieme di
parametri lineari.
La rappresentazione di gran lunga più utilizzata è quella mediante
parametri di scattering normalizzati su 50 Ω, che vengono forniti, a
una o più polarizzazioni, direttamente dal costruttore dei dispositivi,
assieme alle caratteristiche di uscita, ai rating massimi di utilizzazione
ed a dati di ingombro.
In definitiva quindi, per ogni frequenza di lavoro, si hanno a dispo-
sizione i quattro parametri di scattering (in totale quindi otto numeri
reali) descritti come parte reale ed immaginaria o modulo e fase. Lo
standard di tale insieme di dati è tipicamente di tipo touchstone∗ .
Nella Figura 5.13, a parte le righe di commento (identificate da un
punto esclamativo), nella prima riga della descrizione vengono indicate
le unità di misura della frequenza, il tipo della rappresentazione (pa-
rametri di scattering), il formato dei parametri (modulo/fase o parte
reale/immaginaria) e l’impedenza di normalizzazione.
Semplicemente dalla conoscenza di tali parametri, non soltanto alle
frequenze alle quali il dispositivo si troverà ad operare, ma anche su
bande più ampie, è possibile effettuare un progetto fino alla fase di
layouting dell’intero sottosistema lineare.
La misura dei parametri di scattering dei dispositivi viene effet-
tuata utilizzando una particolare connessione dello stesso che utilizza
∗
Dal nome di un programma di CAD statunitense molto diffuso a fine anni ’80.
Modelli a parametri di scattering 217
! NEC Compound Semiconductor Devices Ltd.

! 20. August 2002
! NE321000
! N-channel HJ-FET
! Vds = 2 V Id = 10 mA
# GHz S MA R 50
! f S11 S21 S12 S22
! GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG
2.00 0.998 -13.2 4.720 170.2 0.020 81.3 0.602 -10.0
3.00 0.987 -19.3 4.700 165.6 0.030 77.3 0.599 -14.8
4.00 0.981 -25.7 4.620 160.5 0.040 73.2 0.593 -19.9
5.00 0.970 -32.7 4.500 155.7 0.050 69.4 0.588 -25.6
6.00 0.962 -38.6 4.450 151.6 0.059 65.3 0.583 -30.1
7.00 0.952 -44.4 4.370 147.4 0.067 62.2 0.574 -34.4
8.00 0.941 -50.1 4.280 143.5 0.074 58.6 0.567 -39.1
9.00 0.927 -55.6 4.170 139.7 0.081 55.2 0.564 -43.1
10.00 0.912 -61.5 4.030 135.6 0.087 51.5 0.552 -47.2
11.00 0.898 -66.9 3.900 131.5 0.094 48.0 0.541 -52.0
12.00 0.882 -71.6 3.790 128.0 0.100 44.9 0.536 -55.5
13.00 0.868 -75.9 3.660 124.9 0.104 42.0 0.526 -58.6
14.00 0.855 -80.2 3.540 121.9 0.108 39.0 0.518 -62.1
15.00 0.843 -84.2 3.420 119.0 0.111 36.2 0.509 -65.0
16.00 0.827 -88.5 3.300 115.8 0.115 33.5 0.501 -68.3
17.00 0.807 -92.6 3.160 112.9 0.116 30.5 0.494 -71.2
18.00 0.796 -95.3 3.050 110.8 0.117 28.5 0.488 -73.2
19.00 0.793 -98.0 2.970 108.7 0.120 27.9 0.489 -75.2
20.00 0.788 -101.2 2.890 106.2 0.123 26.5 0.487 -77.4
21.00 0.782 -103.8 2.790 104.1 0.125 24.9 0.484 -80.9
22.00 0.783 -106.4 2.700 101.9 0.128 23.3 0.486 -82.7
23.00 0.785 -109.9 2.620 99.5 0.132 20.7 0.477 -84.1
24.00 0.778 -113.4 2.530 97.4 0.135 18.8 0.474 -87.9
25.00 0.766 -116.0 2.460 95.8 0.135 16.8 0.481 -88.3
26.00 0.757 -118.1 2.400 93.8 0.135 15.3 0.469 -89.2
27.00 0.753 -119.9 2.330 92.5 0.133 14.3 0.463 -91.6
28.00 0.755 -121.6 2.290 90.6 0.136 14.0 0.484 -93.5
29.00 0.748 -124.2 2.230 88.4 0.135 12.6 0.481 -95.2
30.00 0.743 -126.2 2.160 86.8 0.136 11.3 0.475 -97.5
Figura 5.13: Esempio di insieme di parametri di scattering per la

descrizione di un dispositivo attivo NEC da 2 a 30 GHz.
dei pad per il posizionamento delle sonde di tipo coplanare, mentre il

dispositivo è in tecnologia a microstriscia o coplanare: in Figura 5.14
viene mostrato un esempio di dispositivo a microstriscia (riconoscibile
dai fori passanti verso il substrato).
I parametri di scattering cosı̀ ricavati devono essere poi epurati da-
gli effetti dovuti alle linee di collegamento ed alle transizioni, spostan-
do opportunamente i piani di riferimento delle misure.
Resta inteso però che se il progetto coinvolge caratteristiche del di-
spositivo non descrivibili mediante semplici parametri di scattering,
quali la potenza di uscita, il grado di linearità, il livello di compressio-
ne, si dovrà necessariamente ricorrere ad una descrizione del disposi-
tivo stesso che utilizzi quantomeno un modello fenomenologico di tipo
Via hole Linea di Linea di

Trasmissione Trasmissione
Ground
Signal
Drain
Ground
Pad
coplanari Dispositivo
Source attivo
a massa interdigitato
Figura 5.14: Layout ad hoc per effettuare misure dei parametri di

scattering.
comportamentale o, più in generale, un modello non lineare.

Esercizi 219
5.5 Esercizi
1. Si consideri il modello a circuito equivalente a piccolo segnale
della parte intrinseca di un HEMT in GaAs, descritto in figura:
Gate Drain
intrinseco C + intrinseco
gs Vg
- Cds Rds
Ri -jwt
gmVg e
Source
intrinseco
Figura 5.15: Circuito equivalente della parte intrinseca di un HEMT

per l’esercizio 1.
Per tale circuito, in cui τ rappresenta il ritardo di propagazio-

ne lungo il canale e gm la transconduttanza, si calcoli la rappre-
sentazione mediante matrice delle ammettenze di cortocircuito,
supponendo il source collegato a massa.
2. Utilizzando le proprietà delle rappresentazioni a matrice delle
ammettenze, dalla rappresentazione precedentemente derivata
si calcoli quella del circuito comprensivo della rete di reazione
interna costituita da Cgd e Rgd :
Cgd
Gate Drain
+ Rgd
intrinseco C intrinseco
gs Vg
- Cds Rds
Ri -jwt
gmVg e
Source
intrinseco
Figura 5.16: Circuito equivalente della parte intrinseca di un HEMT

con Cgd per l’esercizio 2.
3. Utilizzando le proprietà delle rappresentazioni a matrice delle

ammettenze, dalla rappresentazione precedentemente derivata si
calcoli la rappresentazione a matrice delle impedenze del circuito
comprensivo dei parassiti resistivi:
Rg Cgd Rd
Gate + Rgd Drain

Cgs Vg +
- Vd Cds Rds
Ri -jwt -
gmVg e
Rs
Source
Figura 5.17: Circuito equivalente di un HEMT con parassiti resistivi

per l’esercizio 3.
4. Per il dispositivo descritto dal circuito equivalente di cui all’eser-

cizio 1 si calcoli il guadagno in corrente di corto circuito e la fre-
quenza a cui tale guadagno diventa unitario. Si ripeta quindi il
procedimento considerando la reazione interna, ossia utilizzando
il circuito equivalente nell’esercizio 2.
5. Per il circuito equivalente di cui all’esercizio 1, si calcoli la rap-

presentazione in termini di parametri di diffusione e si derivi
l’espressione, al variare della frequenza, del massimo guadagno
disponibile. Determinare quindi la frequenza alla quale tale gua-
dagno diventa unitario.
Capitolo 6
Stabilità e guadagni di una
rete a due porte
Indice del capitolo

6.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
6.2 Trasferimento di potenza ad un carico . . . . . . . . . . . . . . . 222
6.3 Stabilità di reti lineari a due porte . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
6.3.1 Cerchi di stabilità dell’ingresso e dell’uscita . . . . . . . 230
6.3.2 Condizioni di stabilità . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
6.3.3 Fattore di stabilità per reti passive, reciproche e senza
perdite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
6.3.4 Derivazione alternativa del criterio di stabilità . . . . . 237
6.3.5 Criteri di stabilità alternativi . . . . . . . . . . . . . . . 240
6.4 Stabilità di modo dispari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
6.5 Il guadagno di una rete a due porte . . . . . . . . . . . . . . . . 245
6.5.1 Guadagno di inserzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
6.5.2 Attenuazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
6.5.3 Guadagno operativo o guadagno in potenza . . . . . . . 249
6.5.4 Guadagno disponibile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250
6.5.5 Guadagno di trasduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.5.6 Guadagni unilaterali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
6.5.7 Adattamento simultaneo coniugato di una rete a due
porte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
6.5.8 Cerchi a guadagno operativo costante . . . . . . . . . . . 259
6.5.9 Cerchi a guadagno disponibile costante . . . . . . . . . 263
6.5.10 Guadagno stabile coniugato . . . . . . . . . . . . . . . . 266
6.5.11 Massimo guadagno stabile . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
221
222 6. Stabilità e guadagni di una rete a due porte
6.5.12 Cerchi ad adattamento costante . . . . . . . . . . . . . . 270

6.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
6.1 Introduzione
In questo capitolo, dopo aver investigato il trasferimento di poten-
za tra un generatore ed un carico, verranno studiate le condizioni di
stabilità di una rete a due porte. Verranno determinate le condizioni
necessarie e sufficienti per garantire la stabilità incondizionata di una
rete due porte e introdotti gli strumenti operativi per la determinazione
delle zone di stabilità (cerchi di stabilità dell’ingresso e dell’uscita).
Si procederà quindi alla definizione dei guadagni di trasduzione,
operativo e disponibile, nonché alla determinazione delle condizioni ne-
cessarie e sufficienti per l’adattamento simultaneo coniugato. Verran-
no infine introdotte le famiglie di cerchi a guadagno costante (operativo
e disponibile).
6.2 Trasferimento di potenza ad un carico

Si consideri il caso di un generatore di tensione VG con la sua impe-
denza interna ZG che venga chiuso su un carico ZL (Figura 6.1), ove si
abbia:
ZG = RG + j · XG
(6.1)
ZL = RL + j · XL
ZG IL
+
VG VL ZL
-
Figura 6.1: Trasferimento di potenza ad un carico, rappresentazione

in termini di tensioni e correnti.
Trasferimento di potenza ad un carico 223
La differenza di potenziale sul carico e la corrente che scorre nel

circuito sono date semplicemente dalle:
ZL RL + j · XL
VL = · VG = · VG
ZG + ZL (RG + RL ) + j · (XG + XL )
(6.2)
1 1
IL = · VG = · VG
ZG + ZL (RG + RL ) + j · (XG + XL )
mentre la potenza attiva sul carico è fornita dalla∗ :
Ã !
ZL · VG VG∗
PL = Re (VL · IL∗ ) = Re · =
ZG + ZL (ZG + ZL )∗
|VG |2
= · Re (ZL ) =
|ZG + ZL |2
RL · |VG |2
= (6.3)
(RG + RL )2 + (XG + XL )2
Considerando fissato il generatore con la sua impedenza interna e

cercando il valore del carico per il quale viene ad essere massima la
potenza fornita, si deve imporre che si abbia:
∂PL
=0
∂RL
(6.4)
∂PL
=0
∂XL
da cui si ottiene il valore del carico ottimo per massimizzare la potenza
attiva fornita:
RL = RG XL = −XG (6.5)
ossia
∗
ZL = ZG (6.6)
La condizione precedente prende il nome di adattamento coniugato
e realizza il massimo trasferimento di potenza attiva tra il generatore
∗
Si ricorda che si considerano i valori efficaci dei fasori di tensione e corrente, e
quindi il fattore 21 nell’espressione della potenza non viene inserito.
ed il carico. In qualsiasi altra condizione di carico infatti, la potenza

fornita allo stesso dal generatore risulta più bassa del valore massimo,
definito come la potenza disponibile dal generatore:
∆ |VG |2
Pav,G = PL |ZL =Z ∗ = (6.7)
G 4 · RG
Come è facile notare, tale quantità è legata al solo generatore, ca-

ratterizzato da una sua impedenza interna, e non è in alcun modo le-
gato al circuito a cui il generatore è connesso. Analoga definizione e
derivazione si può ottenere, applicando la dualità, ad un generatore di
corrente.
Cerchiamo ora di esprimere gli stessi concetti in termini di onde
incidenti e riflesse. Scelta una impedenza di normalizzazione Z0 che si
suppone reale senza perdita di generalità, dalla definizione si ha per
l’onda incidente e quella riflessa dal carico:
V L + Z0 · I L VL + Z0 · IL ZL + Z0 VG ZL + Z0
aL = p = √ = IL · √ = √ ·
2 · Re (Z0 ) 2 · Z0 2 · Z0 2 · Z0 ZG + ZL
VL − Z0∗ · IL V L − Z0 · I L ZL − Z0 VG ZL − Z0
bL = p = √ = IL · √ = √ ·
2 · Re (Z0 ) 2 · Z0 2 · Z0 2 · Z0 ZG + ZL
(6.8)
mentre per il coefficiente di riflessione del carico ΓL e del generatore
ΓG , supposti normalizzati sulla stessa impedenza (reale),
ZL − Z0
ΓL =
ZL + Z0
(6.9)
ZG − Z0
ΓG =
ZG + Z0
Possiamo esprimere allora tensioni e correnti in funzione delle onde

incidente e riflessa, ottenendo:
√
VL = (aL + bL ) · Z0
aL − bL (6.10)
IL = √
Z0
La potenza fornita al carico risulterà quindi:

PL = Re (VL · IL∗ ) = Re [(aL + bL ) · (aL − bL )∗ ] = |aL |2 − |bL |2 =

³ ´
= |aL |2 · 1 − |ΓL |2
(6.11)
La relazione (6.11) ci indica che la potenza fornita al carico è la

differenza tra la potenza legata all’onda incidente (potenza incidente),
e quella legata all’onda riflessa (potenza riflessa). Le espressioni di tali
due potenze in termini di tensione ed impedenze sono ottenibili dalla
(6.8):
¯ ¯2 ¯ ¯2
¯ V ZL + Z0 ¯¯ |VG |2 ¯¯ ZL + Z0 ¯¯
¯2 G
Pinc = |aL | = ¯ √ · ¯ = ·¯ ¯ =
¯ 2 · Z0 ZG + ZL ¯ 4 · Z0 ¯ ZG + ZL ¯
|VG |2 (RL + Z0 )2 + XL2
= ·
4 · Z0 (RG + RL )2 + (XG + XL )2
¯ ¯2 ¯ ¯2
¯ V ZL − Z0 ¯¯ |VG |2 ¯¯ ZL − Z0 ¯¯
2 ¯ G
Pref = |bL | = ¯ √ · ¯ = ·¯ ¯ =
¯ 2 · Z0 ZG + ZL ¯ 4 · Z0 ¯ ZG + ZL ¯
|VG |2 (RL − Z0 )2 + XL2
= ·
4 · Z0 (RG + RL )2 + (XG + XL )2
(6.12)
Se il carico fosse puramente reale e pari a Z0 , per le potenze inci-

denti e riflesse si avrebbe:
¯ ¯2
¯ V 2 · Z0 ¯¯ |VG |2 · Z0
¯ G
Pinc |ZL =Z0 =¯ √ · ¯ =
¯ 2 · Z0 ZG + Z0 ¯ (RG + Z0 )2 + XG
2
(6.13)
Pref |ZL =Z0 = 0
In analogia con quanto fatto a proposito delle linee di trasmissione,

in questo caso non esiste onda riflessa e quindi tutta la potenza emessa
dal generatore viene a incidere e dissiparsi sul carico.
Quindi la potenza incidente nella (6.13), Pinc |ZL =Z0 , è definibile co-
me la potenza emessa dal generatore, che a sua volta è esprimibile
come il modulo al quadrato dell’onda emessa dal generatore stesso:
PG,Z0 = Pinc |ZL =Z0 = |b0 |2 (6.14)

ove l’onda emessa dal generatore è quindi:

√
VG · Z0
b0 = (6.15)
ZG + Z0
GG
bG aL
PG,Z0 GL
b0 aG bL
Figura 6.2: Trasferimento di potenza ad un carico, rappresentazione

in termini di onde incidenti e riflesse.
Avremo cosı̀ che sul carico, nel caso generale indicato in Figura 6.2,
incide un’onda aL formata da due componenti: quella emessa dal gene-
ratore b0 e quella riflessa dalla sua impedenza interna bG :
aL = b0 + bG = b0 + aG · ΓG = b0 + bL · ΓG = b0 + aL · ΓG · ΓL (6.16)
ossia, esplicitando:
b0
aL = (6.17)
1 − ΓG · ΓL
La potenza fornita al carico sarà cosı̀, dalla (6.11):
1 − |ΓL |2
PL = |b0 |2 · (6.18)
|1 − ΓG · ΓL |2
Se si cerca ora il massimo della (6.18) al variare di ΓL , si deve
imporre, ancora una volta,
∂PL
=0
∂Re (ΓL )
(6.19)
∂PL
=0
∂Im (ΓL )
che fornisce la condizione di adattamento coniugato o massimo trasfe-

rimento di potenza in termini di coefficiente di riflessione:
ΓL = Γ∗G (6.20)
che è completamente equivalente alla (6.6) nel caso in esame in cui Z0
è reale.
In condizione di adattamento coniugato, il generatore eroga la mas-
sima potenza, la sua potenza disponibile, che in termini di coefficiente
di riflessione diviene:
∆ |b0 |2
Pav,G = PL |ΓL =Γ∗ = (6.21)
G 1 − |ΓG |2
Dai risultati fin qui trovati possiamo trarre alcune importanti con-
siderazioni.
In primo luogo l’espressione della potenza disponibile nelle due rap-
presentazioni è coerente.
Infatti:
¯ ¯
¯ V · √Z ¯2
¯ G 0 ¯
¯ ¯ ¯ √ ¯
|b0 |2 ¯ ZG + Z0 ¯ ¯VG · Z0 ¯2
= ¯ ¯ = =
1 − |ΓG |2 ¯ Z − Z ¯2 |ZG + Z0 |2 − |ZG − Z0 |2
¯ G 0¯
1−¯ ¯
¯ ZG + Z0 ¯
|VG |2 · Z0 |VG |2
= = (6.22)
4 · RG · Z0 4 · RG
Inoltre, si noti che la potenza che il generatore eroga su Z0 è sempre

più bassa della sua potenza disponibile (a meno che la sua impedenza
interna non sia proprio Z0 ):
|b0 |2
Pav,G = 2 ≥ |b0 |2 = PZ0 ,L (6.23)
1 − |ΓG |
La potenza disponibile infatti assomma i contributi delle riflessio-
ni multiple dall’impedenza interna del generatore, che in questo caso
si combinano costruttivamente. Infatti, il problema della connessione
di un generatore al carico può anche essere affrontato nella maniera
seguente: il generatore emette un’onda b0 che, incidendo sul carico,
viene riflessa verso il generatore come ΓL · b0 e di nuovo verso il carico
dopo essere stata riflessa dall’impedenza interna del generatore come

ΓG · ΓL · b0 .
Se tale procedimento viene iterato, complessivamente l’onda inci-
dente sul carico sarà:
aL = b0 + (ΓG · ΓL ) · b0 + (ΓG · ΓL )2 · b0 + . . . =
∞
X 1 − (ΓG · ΓL )k+1
= (ΓG · ΓL )k · b0 = lim · b0 =
k→∞ 1 − ΓG · ΓL
k=0
1
= · b0 (6.24)
1 − ΓG · ΓL
Il limite esiste ovviamente se |ΓG · ΓL | < 1.

Analogamente l’onda riflessa verso il generatore sarà:
bL = ΓL · b0 + ΓL · (ΓG · ΓL ) · b0 + ΓL · (ΓG · ΓL )2 · b0 . . . =
∞
X k 1 − (ΓG · ΓL )k+1
= (ΓG · ΓL ) · ΓL · b0 = lim · ΓL · b0 =
k→∞ 1 − ΓG · ΓL
k=0
ΓL
= · b0 (6.25)
1 − ΓG · ΓL
giungendo alle stesse conclusioni ottenute nella (6.17).

Per evidenziare la differenza tra la potenza disponibile e quella ce-
duta al carico, si definisce la perdita per disadattamento coniugato ap-
punto come il rapporto tra la potenza disponibile dal generatore e la
potenza effettivamente ceduta al carico, ottenendo dalla (6.18) e dalla
(6.23):
∆ Pav,G |1 − ΓG · ΓL |2
Mconj = = ³ ´ ³ ´ (6.26)
PL 1 − |ΓG |2 · 1 − |ΓL |2
Per quantificare poi la differenza con la cessione di potenza nel

caso di chiusura su Z0 , si definisce una perdita per disadattamento
da Z0 come il rapporto tra la potenza emessa dal generatore e quella
effettivamente ceduta al carico, ossia:
∆ PG,Z0 |1 − ΓG · ΓL |2
MZ0 = = ³ ´ (6.27)
PL 1 − |ΓL |2
Stabilità di reti lineari a due porte 229
Si noti che a differenza di quanto si ha per la (6.26), la (6.27) può

essere maggiore o minore dell’unità.
Nel linguaggio gergale si indica poi semplicemente come perdita per
disadattamento la quantità
¯
¯
∆ PG,Z0 ¯ 1
M= ¯ =³ ´ (6.28)
PL ¯ 1 − |Γ |2
ΓG =0 L
che può pensarsi come il rapporto tra la potenza erogata dal generatore
su Z0 e quella fornita al carico quando il generatore ha un’impedenza
pari a Z0 .
Si vuole concludere questa sezione con l’osservare che il formalismo
introdotto in termini di onde incidenti e riflesse, mentre nel caso del-
le linee di trasmissione assume un significato fisico e tali onde sono
direttamente misurabili, nel caso dei circuiti a costanti concentrate,
pur descrivendo in maniera esatta le relazioni tra le variabili in gio-
co, rimane appunto un formalismo. Basti pensare che l’impedenza di
normalizzazione viene scelta in maniera finora arbitraria, e la presen-
za o meno di un’onda riflessa dipende dal valore selezionato per tale
normalizzazione.
6.3 Stabilità di reti lineari a due porte

Una rete a due o più porte con comportamento lineare rispetto ad
eccitazioni esterne contiene al suo interno una serie di componenti sia
passivi (resistori, induttori, condensatori . . . ) che attivi (schematizza-
bili sia con generatori indipendenti o dipendenti). Nel caso si voglia
utilizzare il due porte come elemento di amplificazione o di accordo,
si deve garantire che questo, in presenza di una eccitazione di ampiez-
za limitata, presenti in uscita una risposta anch’essa limitata (bounded
input-bounded output, BIBO). Tale comportamento non è evidentemen-
te quello voluto nel caso dell’utilizzazione del due porte come oscillato-
re ad una data frequenza (ossia come generatore di segnale): in que-
sto caso l’eccitazione è fisicamente anche del semplice rumore termico,
interno alla rete stessa e nelle terminazioni, che induce l’innesco di
oscillazioni, ossia di un segnale di uscita che, se non intervenissero le
limitazioni non lineari del dispositivo, tenderebbe ad assumere valori
sempre crescenti.
Si deve cosı̀ determinare una condizione di stabilità del due porte
(chiaramente estendibile al caso di una rete multiporta), che garantisca
la risposta finita e lineare della rete in qualsiasi condizione di chiusura

della rete stessa.
Indipendentemente dal numero di porte, si definisce incondiziona-
tamente stabile quella rete che è stabile per ogni condizione di chiusura
passiva delle sue porte. Ossia, qualsiasi siano le terminazioni (passive)
imposte alle porte della rete, questa, se eccitata con uno o più ingressi
finiti, risponde con una risposta finita.
Si definisce intrinsecamente instabile una rete che è instabile per
ogni condizione di chiusura passiva delle sue porte. In altri termini,
indipendentemente dalle terminazioni imposte, l’uscita non è limitata.
Si definisce infine condizionatamente stabile o potenzialmente insta-
bile se la stabilità della rete dipende dalle terminazioni passive prescel-
te.
Nel caso di una rete a due porte la condizione di stabilità incondizio-
nata si applica terminando una delle due porte con un bipolo passivo
(impedenza o ammettenza con parte reale positiva o coefficiente di ri-
flessione interno al cerchio unitario) e verificando la passività del bipolo
risultante alla porta rimanente.
Si ricorda che un bipolo è passivo se la sua rappresentazione in ter-
mini di ammettenza o impedenza ha i poli nel semipiano sinistro aperto
della variabile di Laplace s e la parte reale sull’asse immaginario (ossia
per s = jω) è non negativa.
6.3.1 Cerchi di stabilità dell’ingresso e dell’uscita

Consideriamo allora la rete a due porte descritta dai suoi parametri
di scattering S e terminata in ingresso e in uscita dai due carichi ΓG e
ΓL , come in Figura 6.3.
a1 a2
b1 1 2 b2
GG S GL
Gin Gout
Figura 6.3: Rete a due porte connessa per la determinazione delle
condizioni di stabilità.
La condizione di stabilità incondizionata alla prima porta si scrive:
|Γin | ≤ 1 ∀ |ΓL | ≤ 1 (6.29)

Il segno di uguaglianza nella (6.29) indica la possibilità di avere un
carico puramente reattivo sia come terminazione alla seconda porta
che come impedenza di ingresso alla prima porta.
Analogamente, per la stabilità incondizionata alla seconda porta:
|Γout | ≤ 1 ∀ |ΓG | ≤ 1 (6.30)

Le condizioni (6.29) e (6.30) complessivamente rappresentano la
condizione di stabilità incondizionata della rete due porte espressa in
termini di coefficiente di riflessione.
Possiamo cercare, dalle due condizioni ottenute in precedenza, di
derivare espressioni operativamente più semplici che ci consentano di
verificare la stabilità incondizionata.
Infatti, come facilmente derivabile (ad esempio si veda l’appendice
B riguardante i grafi di flusso e le tecniche connesse), i coefficienti di ri-
flessione in ingresso ed in uscita dalla rete sono esprimibili in funzione
dei parametri di scattering della rete e dei carichi imposti:
¯
¯
∆ b1 ¯ S11 − det (S) · ΓL
Γin = ¯ = (6.31)
a1 ¯ 1 − S22 · ΓL
ΓL
¯
b ¯ S22 − det (S) · ΓG
∆ 2¯
Γout = ¯ = (6.32)
a2 ¯ 1 − S11 · ΓG
ΓG
Le (6.29) e (6.30) diventano cosı̀:
¯ ¯
¯ S − det (S) · Γ ¯
¯ 11 L ¯
¯ ¯≤1 ∀ |ΓL | ≤ 1 (6.33)
¯ 1 − S22 · ΓL ¯
¯ ¯
¯ S − det (S) · Γ ¯
¯ 22 G ¯
¯ ¯≤1 ∀ |ΓG | ≤ 1 (6.34)
¯ 1 − S11 · ΓG ¯
Le (6.31) e (6.32) sono delle relazioni bilineari che trasformano un
carico (rispettivamente ΓL e ΓG ) tramite i parametri di scattering del-
la rete, in un punto corrispondente per il coefficiente di riflessione in
ingresso o in uscita.
In altri termini tali relazioni trasformano i due piani dei possibili
carichi ΓL e ΓG nei due piani dei coefficienti di riflessione in ingresso
Γin e in uscita Γout .
La trasformazione è conforme e analitica, in perfetta analogia con

quanto si è visto a proposito della carta di Smith.
In particolare, si consideri il cerchio unitario nel piano del coeffi-
ciente di riflessione in ingresso Γin : è il luogo dei punti per cui vale l’u-
guaglianza nella (6.33) e per i quali un carico nel piano ΓL ha prodotto
un coefficiente di riflessione in ingresso puramente reattivo.
Viste le proprietà della trasformazione, la circonferenza unitaria nel
piano dei Γin corrisponderà ad una circonferenza nel piano dei carichi
ΓL .
Per procedere, le (6.31) e (6.32) possono essere invertite, ottenendo:
S11 − Γin
ΓL = =
det (S) − S22 · Γin
" #
1 S12 · S21
= · det (S) +
S22 · det (S) 1 − det−1 (S) · S22 · Γin
(6.35)
S22 − Γout
ΓG = =
det (S) − S11 · Γout
" #
1 S12 · S21
= · det (S) +
S11 · det (S) 1 − det−1 (S) · S11 · Γout
(6.36)
che danno il valore del carico, in uscita e in ingresso rispettivamente,

che fornisce un dato coefficiente di riflessione in ingresso ed in uscita.
Le (6.35) e (6.36) sono ancora delle trasformazioni bilineari confor-
mi. Soffermandosi sulla (6.35), si noti che il luogo di punti definito dalla
|Γin | = 1 (ossia la circonferenza unitaria nel piano Γin ) viene trasforma-
to dal denominatore
¯ della¯ (6.35) in un cerchio centrato nel punto (1; 0)
¯ −1 ¯ £ ¤−1
e di raggio ¯det (S) · S22 ¯; quindi 1 − det−1 (S) · S22 · Γin trasforma
h ¯ −1 ¯2 i−1
|Γin | = 1 in una circonferenza di centro 1 − ¯det (S) · S22 ¯ e con
¯ ¯ h ¯ i
¯2 −1
raggio pari a ¯det−1 (S) · S22 ¯ · 1 − ¯det−1 (S) · S22 ¯ .
Infine, l’ulteriore scalatura di centro e raggio porta finalmente al
luogo dei punti nel piano ΓL descritto dalla |Γin | = 1, ossia una circon-
ferenza con centro e raggio dati da:
S11 · det∗ (S) − S22

∗
Cs, ΓL =
|det (S)|2 − |S22 |2
¯ ¯ (6.37)
¯ S12 · S21 ¯
¯ ¯
Rs, ΓL =¯ ¯
¯ |det (S)|2 − |S22 |2 ¯
Tale circonferenza prende il nome di cerchio di stabilità del carico
in uscita o semplicemente cerchio di stabilità in uscita. Esso segna
semplicemente la frontiera tra le due regioni, nel piano ΓL , nelle quali
la rete a due porte è stabile o instabile. Un esempio per il cerchio di
stabilità in uscita è mostrato in alto nella Figura 6.4.
j1 j1
Gin j0.5 j2
GL j0.5 j2
Rs,G L
j0.2 j5 j0.2 j5
Cs,G
L
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
j1 j1
Gout j0.5 j2
GG j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5

Rs,G G
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2 Cs,G

G
-j1 -j1
Figura 6.4: Generazione dei cerchi di stabilità per l’ingresso e l’uscita.
In perfetta analogia, si può determinare la stessa frontiera nel pia-

no del carico in ingresso ΓG , che è il luogo dei punti di tale piano per
cui si ha
¯ ¯
¯ S − det (S) · Γ ¯
¯ 22 G ¯
¯ ¯=1 (6.38)
¯ 1 − S11 · ΓG ¯
La frontiera è ancora una volta una circonferenza, che prende il no-
me di cerchio di stabilità del carico in ingresso o semplicemente cerchio
di stabilità dell’ingresso. Il centro e il raggio di tale cerchio sono dati

da:
S22 · det∗ (S) − S11

∗
Cs, ΓG =
|det (S)|2 − |S11 |2
¯ ¯ (6.39)
¯ S12 · S21 ¯
¯ ¯
Rs, ΓG =¯ ¯
¯ |det (S)|2 − |S11 |2 ¯
Il cerchio di stabilità del’ingresso è indicato in basso nella Figu-
ra 6.4.
6.3.2 Condizioni di stabilità

Rimane comunque da stabilire quale sia la regione di stabilità, os-
sia se questa sia l’interno del cerchio di stabilità o l’uscita dello stesso.
Si noti innanzitutto che i cerchi di stabilità possono intersecare o me-
no il cerchio unitario della carta di Smith dell’uscita o dell’ingresso.
Complessivamente, focalizzando l’attenzione sull’uscita, sono possibili
quattro posizioni relative tra il cerchio unitario del carico e il cerchio di
stabilità (Figura 6.5), ed in ciascuna di esse la regione di instabilità può
essere interna o esterna a quest’ultimo (quindi in totale 8 casi diversi).
Nei quattro casi illustrati nella Figura 6.5, sono verificate le seguen-
ti disuguaglianze:
a) |Cs, ΓL | − Rs, ΓL > 1

b) |Cs, ΓL | − Rs, ΓL < 1
(6.40)
c) |Cs, ΓL | − Rs, ΓL < 1
d) Rs, ΓL − |Cs, ΓL | > 1
In ogni caso, indipendentemente se la regione di stabilità sia quella
interna o esterna al cerchio di stabilità, nei casi b) e c) non si potrà
avere stabilità incondizionata (ossia avremo comunque stabilità condi-
zionata), visto che una regione interna al cerchio unitario sarà di sta-
bilità ed l’altra non lo sarà. Si può quindi concludere, da tali semplici
considerazioni geometriche, che per avere stabilità incondizionata la
condizione necessaria dovrà essere (casi a) e d)):
||Cs, ΓL | − Rs, ΓL | > 1 (6.41)

Per determinare se la regione di stabilità sia quella interna o ester-
na al cerchio di stabilità basta verificare il comportamento in un punto
j1 j1
a) j0.5 j2
Rs,G L b) j0.5 j2
j0.2 j5
Cs,G
L
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2
Rs,G L
-j0.5 -j2 -j0.5

Cs,G L
-j1 -j1
GL
j1 j1
c) j0.5 j2
d) j0.5 j2
j0.2 Rs,G L
j5
Rs,G j0.2
Cs,G
j5
L L
0
Cs,G L 1 2 5
0 0.2 0.5 1 2 5
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 6.5: Posizione reciproca del cerchio di stabilità dell’uscita e del

cerchio unitario.
notevole per il carico. In particolare, se si considera il punto ΓL = 0

(ossia il centro della carta), la condizione di stabilità (6.33) diventa:
¯ ¯
¯ ¯
¯ Γin |ΓL =0 ¯ = |S11 | ≤ 1 (6.42)
Dunque, se l’origine della carta è interna al cerchio di stabilità (ca-
si c) e d) in Figura 6.5), la regione interna al cerchio di stabilità sarà
stabile se |S11 | ≤ 1. Quindi nei casi a) e d) per avere stabilità incondi-
zionata dovremo avere soddisfatta la (6.42), rispettivamente indican-
te le regioni esterna e interna al cerchio di stabilità. Considerazione
assolutamente analoga in uscita per cui si dovrà avere:
¯ ¯
¯ ¯
¯ Γout |ΓG =0 ¯ = |S22 | ≤ 1 (6.43)
e la condizione necessaria sarà:
||Cs, ΓG | − Rs, ΓG | > 1 (6.44)

In definitiva, per avere stabilità incondizionata, dovrà essere verifi-
cata simultaneamente la coppia di condizioni (6.44) e (6.41). Tale cop-
pia è però di difficile determinazione pratica. È possibile trasformare

tale coppia di condizioni in condizioni più immediatamente verificabili.
In particolare, la forma maggiormente utilizzata è la seguente:
∆ 1 − |S11 |2 − |S22 |2 + det2 (S)

k= >1
2 · |S12 · S21 | (6.45)
|det (S)| < 1
Tale coppia di vincoli sono condizione necessaria e sufficiente per la
stabilità della rete a due porte.
Il fattore k, definito nella (6.45), è detto fattore di stabilità di Lin-
ville o semplicemente fattore di stabilità. Nel caso molto particolare
che la rete sia unidirezionale, ossia se |S12 · S21 | = 0, la (6.45) diventa
semplicemente:
|S11 | < 1
(6.46)
|S22 | < 1
È possibile anche avere alternative alla (6.45), ed in particolare la

seconda condizione è espressa in maniera equivalente come una delle
seguenti:
|S12 · S21 | < 1 − |S11 |2

|S12 · S21 | < 1 − |S22 |2
∆
(6.47)
B1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |det (S)|2 > 0
∆
B2 = 1 − |S11 |2 + |S22 |2 − |det (S)|2 > 0
Qualunque sia la condizione utilizzata, in ogni caso, se soddisfat-
ta ci garantisce che comunque il carico venga scelto, sia in ingresso
che in uscita, il coefficiente di riflessione in ingresso o in uscita sarà
corrispondente ad un carico passivo e quindi stabile.
Si vuole concludere questa sezione sottolineando che la condizione
di stabilità che è stata derivata è funzione dei parametri di scattering
della rete a due porte, i quali, a loro volta, sono tipicamente funzione
della frequenza. Quindi la verifica della stabilità effettuata garantisce,
se soddisfatta, la stabilità a quella data frequenza e non ad altre. Co-
me si vedrà a proposito del progetto di amplificatori o di oscillatori, tale
condizione va controllata, in entrambi i casi, al variare della frequen-
za anche inferiormente o superiormente alla gamma di frequenze alle
quali si intende effettuare il progetto.
6.3.3 Fattore di stabilità per reti passive, reciproche e

senza perdite
Come si è visto nella sezione riguardante le rappresentazioni per
reti a due porte, le reti reciproche, passive e senza perdite riflettono
tali caratteristiche sulle rispettive rappresentazioni. In particolare, a
riguardo del fattore di stabilità, questo può essere espresso anche in
funzione della rappresentazione a matrice di trasmissione o ABCD,
nella forma:
Re {A · D∗ } + Re {B · C ∗ }
k= (6.48)
|AD − BC|
Tale forma è valida per ogni tipo di rete. Se in particolare si con-
sidera una rete passiva, reciproca e senza perdite, si ha per la sua
rappresentazione ABCD:
A · D − B · C = det (ABCD) = 1 (6.49)
per la reciprocità, mentre per l’assenza di perdite:
A, D ∈ <
(6.50)
B, C ∈ =
Complessivamente quindi si può scrivere, per il fattore di stabilità:
Re {A · D∗ } + Re {B · C ∗ }
k= =1 (6.51)
|AD − BC|
Quindi in questo caso il fattore di stabilità risulta di modulo unita-
rio. Se si considera poi la rete passiva e reciproca (ed eventualmente
con perdite), rimane comunque valida la (6.49), utilizzando la quale si
ottiene:
k = Re {A · D∗ } + Re {B · C ∗ } (6.52)
6.3.4 Derivazione alternativa del criterio di stabilità

È possibile anche considerare il problema della stabilità da un se-
condo punto di vista, che porta chiaramente allo stesso risultato. In
particolare, si consideri il cerchio unitario della carta di Smith del ca-
rico in uscita o in ingresso e si determini attraverso le trasformazioni
(6.31) e (6.32) come tale cerchio viene trasformato nel piano del coeffi-
ciente di riflessione in ingresso ed in uscita, come rappresentato nella
Figura 6.6.
j1 j1
Gin j0.5 j2
Rs,G in
GL j0.5 j2
j0.2
Cs,G in j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
j1 j1
Gout j0.5 j2
GG j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5
Rs,G out
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
Cs,G out
-j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 6.6: Impostazione alternativa della condizione di stabilità.
Chiaramente la trasformazione è ancora di tipo bilineare e conforme

e quindi si otterranno ancora circonferenze nel piano dei coefficienti di
riflessione in ingresso ed in uscita. Per determinarne centro e raggio,
le (6.31) e (6.32) possono essere riscritte come:
" #
S11 − det (S) · ΓL 1 S12 · S21
Γin = = · det (S) + (6.53)
1 − S22 · ΓL S22 1 − S22 · ΓL
" #
S22 − det (S) · ΓG 1 S12 · S21
Γout = = · det (S) + (6.54)
1 − S11 · ΓG S11 1 − S11 · ΓG
Soffermandoci per il momento soltanto sulla (6.53), il cerchio uni-

tario |ΓL | = 1 viene trasformato dal denominatore della (6.53) in un
cerchio centrato nel punto (1; 0) e di raggio |S22 |; quindi [1 − S22 · ΓL ]−1
h i−1
trasforma |ΓL | = 1 in una circonferenza di centro 1 − |S22 |2 e di
h i−1
raggio |S22 | · 1 − |S22 |2 . Infine, l’ulteriore scalatura di centro e rag-
gio porta finalmente al luogo dei punti nel piano Γin descritto dalla
|ΓL | = 1, ossia una circonferenza con centro e raggio dati da:
" #
1 S12 · S21
Cs, Γin = · det (S) +
S22 1 − |S22 |2
¯ ¯ (6.55)
¯ S ·S ¯
¯ 12 21 ¯
Rs, Γin = ¯ ¯
¯ 1 − |S22 |2 ¯
In completa analogia, la (6.54) porta ad una circonferenza nel piano

Γout di centro e raggio dati da:
" #
1 S12 · S21
Cs, Γout = · det (S) +
S11 1 − |S11 |2
¯ ¯ (6.56)
¯ S ·S ¯
¯ 12 21 ¯
Rs, Γout = ¯ ¯
¯ 1 − |S11 |2 ¯
Un punto sul cerchio definito dalla (6.55) è quindi dato da:
" # ¯ ¯
1 S12 · S21 ¯ S ·S ¯
¯ 12 21 ¯ jϕ
Γin,s = · det (S) + +¯ ¯·e ϕ ∈ [0, 2π]
S22 1 − |S22 |2 ¯ 1 − |S22 |2 ¯
(6.57)
e tutti i punti, per avere stabilità incondizionata, dovranno avere mo-
dulo minore dell’unità, per qualsiasi valore di ϕ. Dovrà cioè essere
verificata la
¯ " #¯ ¯ ¯
¯ 1 S12 · S21 ¯¯ ¯¯ S12 · S21 ¯¯
¯
¯ · det (S) + ¯+¯ ¯<1 (6.58)
¯ S22 1 − |S22 |2 ¯ ¯ 1 − |S22 |2 ¯
ossia
¯ ¯ ¯ ¯
1 ¯¯ S12 · S21 ¯¯ ¯ S ·S ¯
¯ 12 21 ¯
0≤ · ¯det (S) + ¯<1−¯ ¯ (6.59)
|S22 | ¯ 1 − |S22 |2 ¯ ¯ 1 − |S22 |2 ¯
Il raffronto dell’ultima parte con lo zero ci indica che deve essere
1 − |S22 |2 > |S12 · S21 | (6.60)

ossia la seconda delle (6.47). Quadrando entrambi i membri della (6.59)
e manipolando, si ottiene la condizione riguardante il fattore di stabi-
lità, ossia:
1 − |S11 |2 − |S22 |2 + det2 (S)

=k>1 (6.61)
2 · |S12 · S21 |
e quindi si è dimostrata la condizione necessaria e sufficiente per la
stabilità nella forma rappresentata dalla prima delle (6.45) e dalla se-
conda delle (6.47). Stesso risultato può ottenersi a partire dalla (6.56).
6.3.5 Criteri di stabilità alternativi

La coppia di condizioni necessarie e sufficienti (6.45) per la stabilità
incondizionata non è l’unica forma possibile. Sono state infatti derivate
altre condizioni del tutto equivalenti.
Tali condizioni hanno il pregio di consistere in un’unica disugua-
glianza da verificare, e quindi non in una coppia come nel caso delle
(6.45).
In particolare, se si definisce la quantità
|S11 |2 + |S22 |2
L = |S12 · S21 | + (6.62)
2
si può dimostrare che se è verificata la condizione
¯ ¯
¯ 2 ¯
¯[det (S)] − L¯ + L < 1 (6.63)
allora la rete è incondizionatamente stabile.

Inoltre, è possibile mostrare che altra condizione necessaria e suffi-
ciente per la stabilità incondizionata è che si abbia:
∆ 1 − |S11 |2
µ1 = ∗ · det (S)| + |S · S | > 1 (6.64)
|S22 − S11 12 21
Stabilità di modo dispari 241
oppure
∆ 1 − |S22 |2
µ2 = ∗ · det (S)| + |S · S | > 1 (6.65)
|S11 − S22 12 21
in cui µ è detto fattore di stabilità geometrico della prima o secon-

da porta. Ciascuna delle (6.64) e (6.65) rappresenta una condizione
necessaria e sufficiente.
Pur essendo i due criteri appena esposti più comodi da utilizzare
(il primo è addirittura simmetrico rispetto alle porte), il criterio più
comunemente adottato è ancora quello che coinvolge il fattore di sta-
bilità k. Infatti quest’ultimo, come si vedrà in seguito è anche legato
alla possibilità di effettuare un adattamento coniugato simultaneo alle
porte e fornisce inoltre un’espressione compatta del massimo guadagno
disponibile.
Per tale motivo i programmi di CAD maggiormente diffusi han-
no routine di calcolo per il fattore di stabilità k e non sempre per i
parametri appena introdotti.
6.4 Stabilità di modo dispari

La stabilità che si è investigata finora è consistita nella variazione
del carico esternamente applicato alla rete e nella verifica che, al varia-
re dello stesso, l’impedenza risultante all’altra porta avesse una parte
reale non negativa. In altri termini, la variazione del carico tra tutti i
possibili valori a parte reale positiva (o al limite nulla) corrisponde ad
una condizione operativa nella quale c’è un effettivo passaggio di cor-
rente tra la porta di uscita (o di ingresso) ed il carico, cui corrisponde
una determinata differenza di potenziale in uscita (o in ingresso) lega-
ta al valore della terminazione. Se in tale modalità si cortocircuita la
porta, a tale condizione corrisponde una differenza di potenziale nulla
ma una corrente non nulla.
Tale modalità operativa non è la sola possibile. Esistono infatti mo-
dalità operative per le quali una terminazione in cortocircuito corri-
sponde sia ad una tensione che ad una corrente nulla. Tale moda-
lità operativa prende il nome di modo dispari (odd mode), mentre la
modalità sin qui discussa prende il nome di modo pari (even mode).
Per esemplificare tale modalità operativa, si consideri la connessio-
ne in parallelo di due reti descritte ciascuna dalla propria rappresen-
tazione a parametri ammettenza ed indicata nella Figura 6.7.
I1=I1A+I1B I1=I1A I2=I2A I2A+I2B=I2
I1=I1B
1 YA 2
I2=I2B
ZG
V2A=V2B=V2 ZL
V1=V1A=V1B
VG
1 YB 2
Figura 6.7: Connessione di due reti a due porte in parallelo per

evidenziare la modalità dispari.
Considerando la connessione risultante, come chiaro si ha per le

tensioni:
V1 = V1A = V1B
(6.66)
V2 = V2A = V2B
e per le correnti:
I1 = I1A + I1B
(6.67)
I2 = I2A + I2B
In realtà, la corrente in ciascuna delle sottoreti può pensarsi, per
ciascuna porta, costituita da due componenti, l’una di modo pari e
l’altra di modo dispari, ossia:
I1A = I1A,even + I1A,odd I2A = I2A,even + I2A,odd

(6.68)
I1B = I1B,even + I1B,odd I2B = I2B,even + I2B,odd
Se si ipotizza che le correnti di modo dispari siano uguali ed opposte

per le due reti, ossia che la corrente dispari uscente da una rete entri
identica nell’altra, ossia se:
I1A,odd = −I1B,odd
(6.69)
I2A,odd = −I2B,odd
allora la corrente risultante della connessione sarà comunque, come
dovuto:
Stabilità di modo dispari 243
I1 = I1A + I1B = I1A,even + I1A,odd + I1B,even − I1A,odd =

= I1A,even + I1B,even
I2 = I2A + I2B = I2A,even + I2A,odd + I2B,even − I2A,odd =
= I2A,even + I2B,even
(6.70)
e cosı̀ la corrente esterna conterrà soltanto le componenti di modo pa-

ri. Se si lascia quindi aperta una delle porte, questo garantisce che la
corrente esterna di modo pari sia nulla (quindi che sia nulla la somma
delle correnti di modo pari) ma non si dà alcuna garanzia sulle cor-
renti di modo dispari, che continuano a scorrere tra le due reti, non
influenzate dunque dalla chiusura esterna della rete.
Si osservi che non si è fatta alcuna ipotesi sull’uguaglianza delle due
reti o sulla simmetria della connessione, ma soltanto sulle proprietà
topologiche della stessa. In particolare se le due reti sono uguali, tali
saranno anche le correnti di modo pari.
In maniera assolutamente duale, si consideri la connessione serie di
due reti descritte mediante le rispettive rappresentazioni impedenza e
rappresentata in Figura 6.8.
I1=I1A I2=I2A
V1A 1 ZA 2 V2A
ZG X Y ZL
V1=V1A+V1B I1=I1B I2=I2B V2A+V2B=V2
VG
V1B 1 ZB 2 V2B
Figura 6.8: Connessione di due reti due porte in serie per evidenziare
la modalità dispari.
In questo caso, per le correnti si ha chiaramente:
I1 = I1A = I1B
(6.71)
I2 = I2A = I2B
mentre per le tensioni si ottiene per ispezione:
V1 = V1A + V1B
(6.72)
V2 = V2A + V2B
In questo caso, dualmente, la tensione in ciascuna delle sottoreti
può pensarsi, per ciascuna porta, costituita da due componenti, l’una
di modo pari e l’altra di modo dispari, ossia:
V1A = V1A,even + V1A,odd V2A = I2A,even + V2A,odd

(6.73)
V1B = V1B,even + V1B,odd V2B = V2B,even + V2B,odd
Se si ipotizza che le differenze di potenziale di modo dispari siano
uguali ed opposte per le due reti, ossia che:
V1A,odd = −V1B,odd
(6.74)
V2A,odd = −V2B,odd
allora la tensione esterna risultante della connessione sarà comunque,
come dovuto:
V1 = V1A + V1B = V1A,even + V1A,odd + V1B,even − V1A,odd =

= V1A,even + V1B,even
V2 = V2A + V2B = V2A,even + V2A,odd + V2B,even − V2A,odd =
= V2A,even + V2B,even
(6.75)
e dunque il potenziale esterno conterrà soltanto le componenti di modo
pari. Se si chiude quindi in cortocircuito una delle porte, questo ga-
rantisce che la differenza di potenziale esterna di modo pari sia nulla
(quindi che sia nulla la somma delle tensioni di modo pari) ma non for-
nisce alcuna garanzia sul potenziale al nodo (inaccessibile) interno di
connessione (punti X e Y in Figura 6.8). Ancora una volta non si è effet-
tuata nessuna ipotesi sull’uguaglianza delle due reti o sulla simmetria
della connessione, ma soltanto sulle proprietà topologiche della stessa.
Esistono delle tecniche di analisi per predire o meno la stabilità ri-
spetto ai modi dispari di reti interconnesse, che parimenti consentono
di stabilizzare la rete in caso vengano evidenziate potenziali instabi-
lità∗ .
∗
Si veda ad esempio R.J.Weber, “Even versus Odd Mode Stability,” 40th Midwest
Symposium on Circuits and Systems, August 1997, pp.607-610.
Il guadagno di una rete a due porte 245
In definitiva quindi, a riguardo della stabilità di modo dispari per

reti interconnesse in maniera serie e parallela, non si può concludere
nulla andando semplicemente a variare i carichi in ingresso ed in usci-
ta, visto che questo non modifica le proprietà dei modi dispari. Tale
comportamento è legato alle proprietà di accessibilità e di osservabi-
lità dello stato della rete interconnessa, argomento tipico della teoria
dei sistemi (lineari e non lineari).
In ogni caso, la stabilità della rete (di modo dispari), è legata nel
caso parallelo agli autovalori ed autovettori della matrice delle ammet-
tenze complessiva, ivi inclusi i nodi interni (inaccessibili), mentre nel
caso serie è legata agli autovalori ed autovettori della matrice delle
impedenze risultante (ivi incluse le maglie interne).
6.5 Il guadagno di una rete a due porte

Si consideri una rete a due porte descritta tramite i parametri di
scattering S, connessa ad un carico in uscita ΓL ed in ingresso ad un
generatore con coefficiente di riflessione ΓG e potenza disponibile Pav,G ,
come indicato in Figura 6.9.
GG a1 a2
b1 1 2 b2
b0 S GL
Pav , G
Gin Gout
Figura 6.9: Rete a due porte connessa ad un generatore ed un carico.
Si ricorda che, come già derivato, la potenza disponibile dal genera-

tore è legata all’onda emessa dallo stesso ed al coefficiente di riflessione
dalla:
∆ |b0 |2
Pav,G = PL |ΓL =Γ∗ = (6.76)
G 1 − |ΓG |2
Tale potenza emessa dal generatore viene in parte riflessa alla pri-
ma porta della rete e la parte rimanente assorbita dalla stessa, che
la trasferisce alla seconda porta dopo averla aumentata o diminuita
a seconda delle caratteristiche della rete. La potenza che emerge al-

la seconda porta verrà quindi in parte riflessa dal carico e in parte
assorbita dallo stesso. È possibile definire diversi guadagni, intesi co-
me rapporti tra le varie potenze in transito alle sezioni del circuito in
Figura 6.9, ciascuno dei quali consente di mettere in evidenza caratte-
ristiche peculiari della rete. Nel seguito si definiranno tali guadagni e
se ne discuteranno le caratteristiche.
6.5.1 Guadagno di inserzione

Una rete due porte connessa tra un generatore ed un carico modi-
fica le caratteristiche del segnale emesso dal generatore e che si va a
dissipare sul carico. Tale connessione può essere confrontata con il caso
semplice di connessione diretta tra generatore e carico. In particolare,
se si considera la potenza che un generatore fornirebbe al carico in con-
dizione di connessione diretta (ossia senza inserire la rete a due porte),
si ottiene, come già visto nella (6.18),
2 1 − |ΓL |2
PL,1 = |b0 | · (6.77)
|1 − ΓG · ΓL |2
Si calcoli ora la potenza fornita al carico in presenza della rete a due
porte. Si ha
³ ´
PL,2 = |b2 |2 · 1 − |ΓL |2 (6.78)
Ora, le equazioni costitutive della rete assieme alla condizione di

chiusura in uscita sono:
b1 = S11 · a1 + S12 · a2
b2 = S21 · a1 + S22 · a2 (6.79)
a2 = ΓL · b2
dalle quali si può ottenere semplicemente per b2 :
S21
b2 = · a1 (6.80)
1 − S22 · ΓL
A sua volta, l’onda incidente alla prima porta è legata a quella
emessa dal generatore tramite la:
b0
a1 = (6.81)
1 − ΓG · Γin
ottenendo infine, per la potenza ceduta al carico:
³ ´
|S21 |2 · 1 − |ΓL |2
PL,2 = 2 · |b0 |2 =
2
|1 − S22 · ΓL | · |1 − ΓG · Γin |
³ ´
|S21 |2 · 1 − |ΓL |2
= 2 · |b0 |2
|1 − S11 · ΓG − S22 · ΓL + det (S) · ΓG · ΓL |
(6.82)
Si definisce guadagno di inserzione il rapporto tra la potenza ceduta

al carico con la rete a due porte inserita e la potenza che sarebbe ceduta
al carico nella configurazione di connessione diretta con il generatore:
∆ PL,2 |S21 |2 · |1 − ΓG · ΓL |2
GI = = =
PL,1 |1 − S22 · ΓL |2 · |1 − ΓG · Γin |2
|S21 |2 · |1 − ΓG · ΓL |2
=
|1 − S11 · ΓG − S22 · ΓL + det (S) · ΓG · ΓL |2
(6.83)
Molto più usata del guadagno di inserzione, soprattutto se si con-

siderano reti di tipo passivo, è la perdita di inserzione (insertion loss),
definita come il reciproco del guadagno di inserzione:
∆ PL,1 |1 − S22 · ΓL |2 · |1 − ΓG · Γin |2

LI = = =
PL,2 |S21 |2 · |1 − ΓG · ΓL |2
|1 − S11 · ΓG − S22 · ΓL + det (S) · ΓG · ΓL |2
=
|S21 |2 · |1 − ΓG · ΓL |2
(6.84)
Tipicamente tale quantità viene espressa in unità logaritmiche (de-

cibel)
Ã !
PL,1
LI |dB = 10 · log10 (6.85)
PL,2
6.5.2 Attenuazione
Come evidente, la perdita di inserzione dipende dalle caratteristiche
del carico e del generatore (ossia dai loro coefficienti di riflessione), oltre
che da quelle della rete a due porte. L’attenuazione è invece definita
come la perdita di inserzione nel caso in cui sia il generatore che il
carico siano adattati (su Z0 ):
∆ 1
A = LI |ΓG =ΓL =0 = (6.86)
|S21 |2
e risulta quindi funzione del solo parametro di trasmissione dalla porta

1 alla porta 2. Anche in questo caso l’attenuazione viene espressa in
unità logaritmiche (decibel):
³ ´
A|dB = 10 · log10 |S21 |2 = −20 · log10 (|S21 |) (6.87)
In realtà l’attenuazione è decomponibile in due contributi distinti.

Infatti, se si considera la potenza in ingresso alla rete a due porte, si
ottiene:
³ ´ ³ ´
Pin,2 = |a1 |2 − |b1 |2 = |a1 |2 · 1 − |Γin |2 = |a1 |2 · 1 − |S11 |2 =
³ ´
= |b0 |2 · 1 − |S11 |2
(6.88)
mentre quella che viene ceduta al carico vale:
³ ´
PL,2 = |b2 |2 − |a2 |2 = |b2 |2 · 1 − |ΓL |2 = |b2 |2 = |S21 |2 · |a1 |2 =
= |S21 |2 · |b0 |2
(6.89)
Quindi, di tutta la potenza che il generatore invia verso la rete, di

valore |b0 |2 (che coincide in questo caso con la sua potenza disponibile),
una parte, di valore
Pref l,2 = |b1 |2 = |Γin |2 · |a1 |2 = |S11 |2 · |a1 |2 = |S11 |2 · |b0 |2 (6.90)
viene riflessa, mentre la parte in (6.88) effettivamente entra nella re-

te. Infine, la rete stessa ne cede una quantità pari alla (6.89) al cari-
co. È possibile cosı̀ fattorizzare l’espressione dell’attenuazione in due
termini:
Ã ! Ã !
1 1 1 − |S11 |2
A= = · = Ar · Ad (6.91)
|S21 |2 1 − |S11 |2 |S21 |2
dei quali il primo è denominato attenuazione per riflessione Ar e quanti-

fica l’effetto del disadattamento della prima porta della rete; il secondo,
l’attenuazione per dissipazione Ad , quantifica le perdite avvenute nella
rete a due porte e legate sia a dissipazione vera e propria (effetto Joule)
che ad eventuali fenomeni radiativi.
In unità logaritmiche,
A|dB = Ar |dB + Ad |dB (6.92)

Dal punto di vista pratico, la relazione (6.91) suggerisce che se si
vuole realizzare un attenuatore, questo può basarsi sia sul disadat-
tamento della prima porta che sulla dissipazione interna all’elemen-
to, dando luogo a due famiglie distinte di attenuatori, per riflessione
(reattivi) e per dissipazione (resistivi).
6.5.3 Guadagno operativo o guadagno in potenza

Con riferimento alla Figura 6.9, si consideri la potenza effettiva-
mente in ingresso alla rete a due porte. Tale potenza è calcolabile
come
³ ´
Pin = |a1 |2 − |b1 |2 = |a1 |2 · 1 − |Γin |2 =
 ¯ ¯2 
¯ S12 · S21 · ΓL ¯¯
¯
= |a1 |2 · 1 − ¯S11 + ¯ =
¯ 1 − S22 · ΓL ¯
 ¯ ¯ 
¯ S − det (S) · Γ ¯2
¯ 11 L¯
= |a1 |2 · 1 − ¯ ¯ 
¯ 1 − S22 · ΓL ¯
(6.93)
Quella effettivamente ceduta al carico vale invece:

³ ´
PL = |b2 |2 − |a2 |2 = |b2 |2 · 1 − |ΓL |2 =
|S21 |2 ³ ´
= |a1 |2 · · 1 − |Γ L |2
|1 − S22 · ΓL |2
(6.94)
Si definisce guadagno operativo o guadagno in potenza il rapporto

tra la potenza ceduta al carico (6.94) e quella effettivamente in ingresso
alla rete (6.93):
³ ´
∆ PL 1 1 − |ΓL |2
GP = = ³ ´ · |S21 |2 · =
Pin 1 − |Γin |2 |1 − S22 · ΓL |2
³ ´
|S21 |2 · 1 − |ΓL |2
=
|1 − S22 · ΓL |2 − |S11 − det (S) · ΓL |2
(6.95)
Dalla prima espressione nella (6.95) si può notare che tale guadagno
è fattorizzabile in tre termini, il primo legato alla sezione di ingresso,
il secondo legato al trasferimento di potenza all’interno della rete e il
terzo legato alla sezione di uscita.
Si noti poi che il guadagno in potenza è una funzione della rete (cioè
dei suoi parametri di scattering) e del carico, ma non della chiusura
dell’ingresso:
GP = GP (S, ΓL ) (6.96)
Chiaramente ciò è dovuto all’aver considerato, nella sua definizione,

non la potenza disponibile dal generatore, ma la potenza in ingresso
alla rete, indipendentemente da come tale ingresso è terminato.
6.5.4 Guadagno disponibile

Sempre con riferimento alla Figura 6.9, si consideri la potenza di-
sponibile in uscita dalla rete a due porte. Tale potenza è quella che
verrebbe erogata ad un carico qualora questo fosse adattato in maniera
coniugata con l’uscita della rete stessa, ovvero nel caso il carico venga
scelto come:
Ã !∗ Ã !∗
S12 · S21 · ΓG S22 − det (S) · ΓG
ΓL = Γ∗out = S22 + = (6.97)
1 − S11 · ΓG 1 − S11 · ΓG
Il coefficiente di riflessione in ingresso alla rete cosı̀ caricata diventa
quindi:
S11 − det (S) · ΓL

Γin |ΓL =Γ∗ = =
out 1 − S22 · ΓL
Ã !∗
S22 − det (S) · ΓG
S11 − det (S) ·
1 − S11 · ΓG
= Ã !∗ =
S22 − det (S) · ΓG
1 − S22 ·
1 − S11 · ΓG
S11 · (1 − S11 · ΓG )∗ − det (S) · [S22 − det (S) · ΓG ]∗
=
(1 − S11 · ΓG )∗ − S22 · [S22 − det (S) · ΓG ]∗
(6.98)
La potenza disponibile in uscita vale cosı̀:
|S21 |2
Pav,out = PL |ΓL =Γ∗ = |b0 |2 · (6.99)
out
|1 − S11 · ΓG |2 − |S22 − det (S) · ΓG |2
mentre quella disponibile in ingresso dal generatore è comunque:
1
Pav,G = |b0 |2 · (6.100)
1 − |ΓG |2
Si definisce guadagno disponibile della rete a due porte il rapporto
tra la potenza disponibile in uscita dalla rete e la potenza disponibile
dal generatore:
³ ´
∆ Pav,out PL |ΓL =Γ∗ 1 − |ΓG |2 1
Gav = = out
= 2 · |S21 |2 · =
Pav,G Pav,G |1 − S11 · ΓG | 1 − |Γout |2
³ ´
|S21 | · 1 − |ΓG |2
2
=
|1 − S11 · ΓG |2 − |S22 − det (S) · ΓG |2
(6.101)
Dalla prima espressione nella (6.101) si può notare che tale gua-
dagno è ancora una volta fattorizzabile in tre termini, il primo legato
alla sezione di ingresso, il secondo legato al trasferimento di potenza
all’interno della rete e il terzo legato alla sezione di uscita.
Si noti poi che il guadagno disponibile è una funzione della rete
(cioè dei suoi parametri di scattering) e del generatore, ma non della
chiusura dell’uscita, che è stata imposta in condizioni di adattamento
coniugato:
Gav = Gav (S, ΓG ) (6.102)
6.5.5 Guadagno di trasduzione

Nelle condizioni più generali di terminazione, si consideri ora, sem-
pre con riferimento alla Figura 6.9, la potenza fornita al carico. Risulta
facilmente, dalla (6.94):
|S21 |2 ³ ´
2 2
PL = |a1 | · · 1 − |Γ L | =
|1 − S22 · ΓL |2
³ ´
2 2
1 |S 21 | · 1 − |Γ L |
= |b0 |2 · · =
|1 − ΓG · Γin |2 |1 − S22 · ΓL |2
³ ´
1 1 − |ΓL |2
= |b0 |2 · 2
2 · |S21 | ·
|1 − ΓG · Γin | |1 − S22 · ΓL |2
(6.103)
Si definisce guadagno di trasduzione il rapporto tra la potenza effet-

tivamente ceduta al carico e quella disponibile dal generatore (6.100):
³ ´ ³ ´
∆ PL 1 − |ΓG |2 1 − |ΓL |2
GT = = · |S21 |2 ·
2 =
Pav,G |1 − ΓG · Γin | |1 − S22 · ΓL |2
³ ´ ³ ´
1 − |ΓG |2 · |S21 |2 · 1 − |ΓL |2
= =
|(1 − S11 · ΓG ) · (1 − S22 · ΓL ) − S12 · S21 · ΓG · ΓL |2
³ ´ ³ ´
1 − |ΓG |2 · |S21 |2 · 1 − |ΓL |2
=
|1 − S11 · ΓG − S22 · ΓL + det (S) · ΓG · ΓL |2
(6.104)
Dalla prima espressione nella (6.104) si può notare che anche in

questo caso tale guadagno è fattorizzabile in tre termini, legati alla
sezione di ingresso, al trasferimento di potenza all’interno della rete ed
alla sezione di uscita.
Il guadagno di trasduzione è una funzione della rete (cioè dei suoi
parametri di scattering), del generatore e del carico:
GT = GT (S, ΓG , ΓL ) (6.105)
Per tale generalità, il guadagno di trasduzione rappresenta la con-

dizione di connessione della rete al carico in ingresso ed in uscita sen-
za che vengano imposte ulteriori condizioni. È facile verificare che
dal guadagno di trasduzione, imponendo la condizione di adattamen-
to coniugato della porta di uscita si ottiene l’espressione del guadagno
disponibile, ossia:
Gav (S, ΓG ) = GT (S, ΓG , ΓL = Γ∗out ) (6.106)
Parimenti, se si ipotizza che tutta la potenza disponibile dal genera-

tore entri nella rete a due porte, ossia di essere in condizioni di adatta-
mento coniugato dell’ingresso, stessa relazione si applica al guadagno
operativo:
GP (S, ΓL ) = GT (S, ΓG = Γ∗in , ΓL ) (6.107)
Inoltre, se si considera che la potenza disponibile rappresenta il va-

lore massimo di potenza che può essere erogata da un generatore su un
carico, valgono chiaramente le disuguaglianze:
Gav (S, ΓG ) ≥ GT (S, ΓG , ΓL ) ∀ΓL (6.108)
GP (S, ΓL ) ≥ GT (S, ΓG , ΓL ) ∀ΓG (6.109)
in cui il segno di uguaglianza si ottiene soltanto in condizione di adat-

tamento coniugato rispettivamente dell’uscita e dell’ingresso.
6.5.6 Guadagni unilaterali

Un caso particolarmente importante per i guadagni appena defini-
ti, che è utile nel caso in cui la rete rappresenti un dispositivo attivo
fortemente unilaterale, può ottenersi se si considera unidirezionale la

rete a due porte, imponendo:
S12 = 0 (6.110)
In questo caso le espressioni dei guadagni appena definiti diventa-

no:
¯ ³ ´
∆ PL ¯
¯ 1 1 − |ΓL |2
GP,U = ¯ =³ ´ · |S21 |2 · (6.111)
Pin ¯
S12 =0 1 − |S11 |2 |1 − S22 · ΓL |2
¯ ³ ´
¯
∆ Pav,out ¯
1 − |ΓG |2 1
Gav,U = ¯ = 2 · |S21 |2 · (6.112)
Pav,G ¯
S12 =0
|1 − S11 · ΓG | 1 − |ΓL |2
¯ ³ ´ ³ ´
∆ PL ¯¯ 1 − |ΓG |2 1 − |ΓL |2
GT,U = ¯ = 2 · |S21 |2 · (6.113)
Pav,G ¯
S12 =0
|1 − ΓG · S11 | |1 − S22 · ΓL |2
Si noti in questo caso la simmetria delle espressioni risultanti, visto

che si ha, nel caso unilaterale:
Γin = S11 ∀ΓL

(6.114)
Γout = S22 ∀ΓG
In questa particolare condizione è possibile cercare in maniera sem-

plice il massimo di tali guadagni al variare delle terminazioni con cui la
rete viene chiusa. È evidente che la potenza massima fornita al carico
si ha in condizioni di adattamento coniugato dell’uscita, ossia quando
∗
ΓL = S22 (6.115)
mentre la condizione di adattamento coniugato dell’ingresso è sempli-

cemente
∗
ΓG = S11 (6.116)
Si ha cosı̀:
∆
M AGU = max [GT,U (S, ΓG , ΓL )] =
ΓG ,ΓL
= max [Gav,U (S, ΓG )] =
ΓG
= max [GP,U (S, ΓL )] =
ΓL
1 1
= ³ ´ · |S21 |2 · ³ ´
2
1 − |S11 | 1 − |S22 |2
(6.117)
Tale guadagno prende il nome di massimo guadagno disponibile in

condizioni di rete unilaterale (maximum unilateral available gain).
Soltanto la condizione di unilateralità (6.110) ha consentito di im-
porre direttamente l’adattamento simultaneo coniugato alle porte di
ingresso e di uscita della rete. Come si vedrà a breve, in assenza
di tale condizione non è sempre possibile effettuare tale adattamento
simultaneo coniugato.
6.5.7 Adattamento simultaneo coniugato di una rete a

due porte
Avendo definito diversi tipi di guadagno (operativo, disponibile, di
trasduzione), ci si pone ora l’obiettivo di determinarne il massimo, os-
sia determinare le condizioni di chiusura che garantiscano il massimo
trasferimento della potenza disponibile dal generatore verso il carico.
In particolare, questo significa cercare di realizzare l’adattamento
coniugato in uscita nel caso del guadagno operativo o l’adattamento co-
niugato in ingresso nel caso del guadagno disponibile o, infine, l’adat-
tamento coniugato simultaneamente in ingresso ed in uscita nel caso
del guadagno di trasduzione.
Analiticamente e con riferimento alla Figura 6.9, per la ricerca della
condizione di adattamento simultaneo coniugato dovranno determinar-
si quelle terminazioni, in ingresso ed in uscita, soluzioni del sistema
non lineare di equazioni:


 S12 · S21 · ΓL S11 − det (S) · ΓL

 Γin = S11 + 1 − S · Γ = = Γ∗G
22 L 1 − S22 · ΓL
(6.118)

 S12 · S21 · ΓG S22 − det (S) · ΓG

 Γout = S22 + = = Γ∗L
1 − S11 · ΓG 1 − S11 · ΓG
o, in maniera equivalente
 Ã !∗ Ã !∗

 S 12 · S 21 · Γ L S 11 − det (S) · Γ L

 ΓG = S11 + = = Γ∗in

 1 − S22 · ΓL 1 − S22 · ΓL
 Ã !∗ Ã !∗

 S · S · Γ S − det (S) · Γ
 Γ = S +
 12 21 G
=
22 G
= Γ∗out
 L 22
1 − S11 · ΓG 1 − S11 · ΓG
(6.119)
con incognite ΓG e ΓL . Il sistema è, come detto, di tipo non lineare nelle
variabili suddette e quindi la presenza e l’unicità delle soluzioni deve
essere verificata. In particolare, sostituendo la prima nella seconda e
la seconda nella prima delle (6.119) e sviluppando, si ottengono le due
equazioni di secondo grado a coefficienti complessi:

 B C∗
2 − 1·Γ + 1 =0

 Γ G
 G C1 C1
(6.120)

 ∗
 Γ2 − B2 · ΓL + C2 = 0

L
C2 C2
avendo effettuato le posizioni:
∆
B1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |det (S)|2
∆
B2 = 1 − |S11 |2 + |S22 |2 − |det (S)|2
(6.121)
∆ ∗ · det (S)
C1 = S11 − S22
∆ ∗ · det (S)
C2 = S22 − S11
Prima ancora di risolvere le (6.120), è possibile effettuare delle con-

siderazioni preliminari riguardanti le soluzioni; infatti, il termine noto
ha in entrambi i casi modulo unitario: questo significa che le due solu-
zioni di ciascuna equazione avranno moduli il cui prodotto è unitario e
saranno quindi uno il reciproco dell’altro. Questo è possibile se le due
soluzioni sono quindi l’una interna e l’altra esterna al cerchio unitario
nel piano dei ΓG e ΓL (punti A1,2 in Figura 6.10), oppure se entrambe
giacciono sulla frontiera dello stesso e hanno quindi modulo unitario
(punti B1,2 in Figura 6.10).
j1 B2 A2
j0.5
B1
j0.2
A1 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
GG , GL
-j1
Figura 6.10: Posizione relativa della coppia di soluzioni per l’adatta-

mento coniugato.
Le soluzioni delle (6.120) sono in generale:

 " s #
 C ∗ B B 2

 1 1 1

 Γ = · ± −1
 G,conj |C1 | 2 · |C1 | 4 · |C1 |2
" s # (6.122)

 C ∗ B B 2

 2 2 2
 ΓL,conj =
 · ± −1
|C2 | 2 · |C2 | 4 · |C2 |2
e, se si utilizza il fattore di stabilità precedentemente definito (6.45) e
qui riportato per comodità,
∆ 1 − |S11 |2 − |S22 |2 + det2 (S)

k= (6.123)
2 · |S12 · S21 |
le (6.122) possono essere riscritte come:
 h i

 C1∗ √
2−1

 ΓG,conj = · B1 ± 2 |S12 · S21 | · k

 2 · |C1 |2
h i (6.124)

 C2∗ √

 Γ = · B ± 2 |S · S | · k 2−1

 L,conj 2 12 21
2 · |C2 |2
A questo punto si possono trarre delle conclusioni.

Se k > 1, allora le soluzioni (6.124) sono una a modulo inferiore
all’unità e l’altra a modulo superiore all’unità. Quindi andrà accetta-
ta come soluzione la prima, visto che si vuole sintetizzare un carico a
parte reale positiva (e non un carico attivo).
La determinazione da scegliere è quindi quella con il segno negativo
se B1 , B2 > 0 o quella con il segno positivo se B1 , B2 < 0.
Se k < 1, allora le soluzioni (6.124) hanno entrambe modulo uni-
tario. Quindi nessuna delle due sarà efficace per produrre un adat-
tamento simultaneo coniugato. Infatti questo implicherebbe un carico
in uscita puramente reattivo o un generatore con impedenza interna
puramente reattiva.
È possibile cosı̀ concludere che condizione necessaria e sufficiente
affinché sia possibile effettuare l’adattamento simultaneo coniugato è
che il fattore di stabilità k sia maggiore dell’unità:
k>1 (6.125)
Si noti che la (6.125) rappresenta un sottoinsieme delle condizio-

ni derivate per la stabilità della rete due porte; in altri termini, la
stabilità incondizionata della rete, stabilita dalle (6.45) è condizione
sufficiente ma non necessaria per effettuare l’adattamento simultaneo
coniugato; in altri termini, la possibilità di adattamento simultaneo
coniugato è condizione necessaria ma non sufficiente a garantire la
stabilità incondizionata della rete a due porte.
È comunque evidente che la mancata verifica delle condizioni di sta-
bilità, nell’effettuare l’adattamento simultaneo coniugato, corrisponde
ad una condizione del tutto particolare, in cui ad esempio i coefficienti
di riflessione alle porte di ingresso e di uscita della rete possono essere
in modulo maggiori dell’unità.
Inoltre, se si considera la condizione ulteriore che porta alla stabi-
lità, indicata nella terza e quarta delle (6.47), è evidente che la deter-
minazione da scegliere, nel caso di pratica utilità di rete incondiziona-
tamente stabile per l’adattamento simultaneo coniugato risulta essere
quella con il segno negativo nella (6.122) e (6.124) (visto che in tal caso
B1 , B2 > 0).
Nel caso in cui sia possibile effettuare adattamento simultaneo co-
niugato (k > 1), il guadagno massimo ottenibile può ricavarsi in manie-
ra equivalente dalle (6.104), (6.101), o (6.96) inserendo i carichi indicati

nella (6.124) ed ottenendo:
∆ |S21 | ³ p ´
M AG = GT | = · k ± k2 − 1 (6.126)
ΓG = ΓG,conj |S12 |
ΓL = ΓL,conj
ove la determinazione positiva va utilizzata se B1 , B2 < 0 e quella

negativa se B1 , B2 > 0 (ossia nel caso la rete sia incondizionatamente
stabile, di pratica utilità).
Il guadagno definito dalla (6.126) prende il nome di massimo guada-
gno disponibile (maximum available gain) e, come detto, può ottenersi
soltanto se k > 1.
Nel caso in cui si abbia k = 1 le due soluzioni sono coincidenti e il
guadagno corrispondente prende il nome di massimo guadagno stabile
(maximum stable gain):
∆ |S21 |
M SG = (6.127)
|S12 |
È facile verificare poi che si ha:
M AG ≥ Gav , GP ≥ GT ∀ΓG , ΓL (6.128)
essendo validi i segni di uguaglianza soltanto in condizione di adatta-

mento coniugato.
6.5.8 Cerchi a guadagno operativo costante
Supponendo che sia possibile effettuare l’adattamento simultaneo

coniugato (k > 1), si consideri il guadagno operativo della rete, che è
dato da:
³ ´
1 1 − |ΓL |2
GP (ΓL ) = ³ ´ · |S21 |2 · (6.129)
1 − |Γin | 2 |1 − S22 · ΓL |2
Al variare del carico di uscita, il guadagno operativo presenterà un

massimo, come derivato nella sezione precedente, fornito dal massimo

guadagno disponibile∗
|S21 | ³ p ´
GP,max = M AG = · k ± k2 − 1 (6.130)
|S12 |
in corrispondenza al carico:
C2∗ h p i
ΓL,conj = · B ± 2 |S · S | · k 2−1 (6.131)
2 12 21
2 · |C2 |2
Se si diagramma in uno spazio tridimensionale l’andamento della
superficie definita dalla (6.129) al variare di ΓL , si ottiene un parabo-
loide con concavità rivolta verso il basso, del tipo diagrammato nella
Figura 6.11.
Figura 6.11: Andamento del guadagno operativo al variare del carico

in uscita.
∗
Ancora una volta, nel caso di pratica utilizzabilità, la determinazione da scegliere
corrisponde al caso di rete incondizionatamente stabile, ed è quindi quella con il segno
negativo, qui come nella successiva (6.137). Parimenti, la determinazione da scegliere
per la (6.130) e per la successiva (6.138) è quella con il segno negativo, corrispondente
a B1 , B2 > 0.
Se tale superficie viene sezionata con dei piani a guadagno operativo

costante, la famiglia di curve risultante è una famiglia di circonferenze.
Infatti l’equazione parametrica
³ ´
1 1 − |ΓL |2
GP = ³ ´ · |S21 |2 · (6.132)
1 − |Γin |2 |1 − S22 · ΓL |2
descrive una famiglia di circonferenze caratterizzata da un centro e un

raggio dati da:
¡ ¢ C2∗
C GP =
|S21 |2
|S22 |2 − |det (S)|2 −
GP
|S12 | |S12 |2 (6.133)
|S12 |2 − 2 · k · |S12 | · + 2
¡ ¢ GP GP
R2 GP = |S21 |2 · Ã !
2 2
|S21 |
|S22 |2 − |det (S)|2 −
GP
Riportando tale famiglia sul piano ΓL , si ottiene la famiglia cercata,

come indicato nella Figura 6.12.
Nella Figura 6.12 i punti appartenenti alla medesima circonferen-
za danno cosı̀ luogo al medesimo guadagno operativo. Inoltre, cerchi
a guadagno operativo minore contengono interamente cerchi a guada-
gno maggiore. Tutti i centri di tale famiglia sono situati in direzione
C2∗ , nella quale è anche situato il cerchio (degenere) corrispondente a
ΓL,conj . Al diminuire del guadagno i cerchi tendono al cerchio unitario
della carta, come si può verificare dalle espressioni sia del centro che
del raggio (6.133).
Si tiene a sottolineare che le curve disegnate sul piano del carico di
uscita forniscono quel dato guadagno (in potenza) a patto di terminare
in ingresso la rete con il carico che fornisce l’adattamento coniugato per
quel dato carico in uscita. È cosı̀ sottinteso che si abbia, per ogni carico:
Ã !∗
S11 − det (S) · ΓL
ΓG = Γ∗in = (6.134)
1 − S11 · ΓL
Quanto finora descritto è possibile se il fattore di stabilità è mag-

giore dell’unità. In caso contrario (k < 1) non è possibile effettuare un
*
j1 C2
GL j0.5
j0.2
GL,conj
j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 6.12: Circonferenze a guadagno operativo costante nel piano

ΓL .
adattamento simultaneo coniugato e la rete è condizionatamente stabi-

le. Le due radici che analiticamente consentono l’adattamento coniuga-
to hanno modulo unitario e giacciono sul bordo della carta di Smith del
carico. Inoltre, il cerchio di stabilità dell’uscita, come detto, in questo
caso intersecherà il cerchio unitario. Nel caso di rete condizionatamen-
te stabile, non esiste un guadagno operativo massimo, potendo questo
divergere. Le espressioni con le quali si è ricavato il centro e il raggio
dei cerchi a guadagno operativo costante (6.133) continuano comunque
ad essere valide. Se si fa divergere il guadagno operativo, tali cerchi
tendono a:
¡ ¢ C2∗
lim C GP =
GP →∞ |S22 |2 − |det (S)|2
(6.135)
¡ ¢ |S12 |2 · |S21 |2
lim R2 GP = ³ ´2
GP →∞ 2 2
|S22 | − |det (S)|
ossia al cerchio di stabilità dell’uscita (6.37), come mostrato in Figu-

ra 6.13.
Si noti che tutti i cerchi a guadagno operativo costante in questo ca-
so si intersecano negli stessi punti (le soluzioni del sistema che impone
*
j1
C2
GL j0.5
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 6.13: Andamento dei cerchi a guadagno operativo costante in

caso di potenziale instabilità.
l’adattamento coniugato) assieme al cerchio di stabilità. Tali due punti

sono ovviamente singolari per la superficie esaminata.
6.5.9 Cerchi a guadagno disponibile costante

Le considerazioni effettuate nel caso del guadagno operativo pos-
sono essere ripetute per il guadagno disponibile. Infatti, consideran-
do il caso k > 1, il guadagno disponibile della rete è funzione della
terminazione di ingresso ΓG ed è fornito dalla:
³ ´
1 − |ΓG |2 1
Gav (ΓG ) = 2 · |S21 |2 · (6.136)
|1 − S11 · ΓG | 1 − |Γout |2
la (6.136) presenterà un massimo rappresentato dal massimo guada-
gno disponibile
|S21 | ³ p ´
Gav,max = M AG = · k ± k2 − 1 (6.137)
|S12 |
in corrispondenza a:
C1∗ h p i
ΓG,conj = · B ± 2 |S · S | · k 2−1 (6.138)
1 12 21
2 · |C1 |2
La superficie definita dalla (6.136) al variare di ΓG è un parabo-

loide con concavità rivolta verso il basso, quale quello mostrato nella
Figura 6.14, al pari del caso precedente.
Figura 6.14: Andamento del guadagno disponibile come funzione del

carico in ingresso.
Se si seziona tale paraboloide con dei piani a guadagno disponibi-

le costante (Gav ), i luoghi di punti risultanti sono delle circonferen-
ze con centri che giacciono sulla congiungente il centro della carta di
Smith con il punto ΓG,conj e raggi crescenti al diminuire del valore di
guadagno considerato, fino a coincidere col cerchio unitario della carta.
Circonferenze a guadagno maggiore sono inoltre interamente con-
tenute in circonferenze a guadagno minore.
Il centro ed il raggio di tale famiglia di circonferenze sono dati dalle
(6.139) e la famiglia di circonferenze risultante, del tutto simile al caso

precedente, è mostrata in Figura 6.15.
¡ ¢ C1∗
C Gav =
|S21 |2
|S11 |2 − |det (S)|2 −
Gav
2 |S12 | |S12 |2 (6.139)
|S12 | − 2 · k · |S12 | · + 2
¡ ¢ Gav Gav
R2 Gav = |S21 |2 · Ã !
2 2
|S21 |
|S11 |2 − |det (S)|2 −
Gav
j1
GG j0.5 j0.5
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
GG,conj
*
C1 -j2
-j1
Figura 6.15: Circonferenze a guadagno disponibile costante nel piano

ΓG .
Anche in questo caso si sottolinea che le curve sul piano del carico di
ingresso forniscono quel dato guadagno (disponibile) a patto di termi-
nare in uscita la rete con il carico che fornisce l’adattamento coniugato
per quel dato carico in ingresso. È cosı̀ sottinteso che si abbia, per ogni
carico:
Ã !∗
∗ S22 − det (S) · ΓG
ΓL = Γout = (6.140)
1 − S22 · ΓG
Nel caso di rete condizionatamente stabile (k < 1), il guadagno di-

sponibile non è limitato superiormente. Le (6.139) diventano, al limite
di guadagno disponibile infinito,
¡ ¢ C1∗
lim C Gav =
Gav →∞ |S11 |2 − |det (S)|2
(6.141)
¡ ¢ |S12 |2 · |S21 |2
lim R2 Gav = ³ ´2
Gav →∞
|S11 |2 − |det (S)|2
coincidendo con il cerchio di stabilità dell’ingresso (6.39).
6.5.10 Guadagno stabile coniugato

Nel caso k < 1 esistono in definitiva due cerchi di stabilità, uno per
l’ingresso e uno per l’uscita, che corrispondono ai luoghi dei punti per
i quali il corrispondente coefficiente di riflessione, rispettivamente in
uscita ed in ingresso, assume modulo unitario.
In questa condizione non è possibile cercare il massimo trasferimen-
to di potenza ad entrambe le porte e quindi l’adattamento coniugato
simultaneo, ma ci si deve accontentare di una condizione che assicu-
ri condizioni sub-ottime, consistenti in un discreto adattamento assie-
me alla stabilità (in questo caso cioè carichi in ingresso ed in uscita
posizionati in regioni di stabilità).
Per determinare una possibile scelta di compromesso, si supponga
di considerare il carico in ingresso alla rete.
er ogni ΓG scelto come carico in ingresso, si supponga di terminare
la porta di uscita sul carico ΓL tale da adattare in maniera coniugata il
corrispondente Γout :
S12 · S21 · ΓG ¡ ¢∗
ΓG ⇒ Γout = S22 + ⇒ ΓL = Γout (6.142)
1 − S11 · ΓG
Si cerchi ora di aumentare il guadagno (disponibile) scegliendo ΓG
verso regioni a guadagno disponibile crescente (Figura 6.16 in alto a
sinistra).
In corrispondenza Γout si sposterà verso il bordo della carta di Smi-
th, ed il carico ΓL che adatta in maniera coniugata l’uscita, si muoverà
verso il cerchio di stabilità dell’uscita.
Quindi in questo caso si ammette un disadattamento dell’ingresso
(non si adatta in maniera coniugata ma si sceglie il carico indipenden-
temente) mantenendo l’adattamento coniugato dell’uscita.
j1 j1
Regione
GG j0.5
instabile Gout j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
Regione
stabile -j2 -j2
-j0.5 -j0.5
-j1 -j1
j1 j1
GL j0.5
Regione
j2
Gin j0.5 j2
stabile
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
Regione
instabile
Figura 6.16: Scelta del carico d’ingresso in una rete potenzialmente

instabile.
Avvicinandosi sempre di più con ΓG al cerchio di stabilità dell’in-

gresso, si arriverà ad un valore limite, per tale chiusura, per il quale il
coefficiente di riflessione in ingresso, ottenuto adattando l’uscita in ma-
niera coniugata, diventa in modulo unitario: il carico di uscita è giunto
sul suo cerchio di stabilità.
Questa è la condizione limite alla quale si può giungere, che corri-
sponde all’ottenimento di un valore di guadagno denominato guadagno
stabile coniugato (conjugate stable gain), introdotto da Rosemarin:
|S21 |
CSG = 2 · k · (6.143)
|S12 |
La procedura illustrata rappresenta soltanto un esempio. Si sa-
rebbe potuto infatti disadattare l’uscita anziché l’ingresso o disadat-

tare entrambi (caso più comune), sempre arrivando allo stesso valo-
re limite di guadagno ottenibile, garantendo al contempo la stabilità
complessiva della rete.
È poi possibile adottare una procedura sistematica che consente an-
che di fissare l’adattamento (o meglio il disadattamento) che si è dispo-
sti ad accettare, utilizzando un ulteriore strumento, che verrà esposto
nel paragrafo successivo.
6.5.11 Massimo guadagno stabile

Si è definito in precedenza il massimo guadagno stabile (MSG) come
|S21 |
M SG = (6.144)
|S12 |
che matematicamente rappresenta il valore del massimo guadagno di-
sponibile in condizioni di limite di stabilità (ossia per k = 1). In realtà
questa quantità riveste il ruolo di un vero e proprio indicatore delle
proprietà di guadagno di una rete, essendo infatti invariante rispetto
a trasformazioni in serie o in parallelo con elementi passivi. In altri
termini, se alla rete descritta da un insieme di parametri di scatte-
ring si aggiungono in serie o in parallelo elementi passivi alla prima
e/o alla seconda porta (ma non tra le due, quindi si esclude il caso del-
la reazione), il massimo guadagno stabile della rete risultante rimane
invariato.
Per dimostrare tale assunto, si consideri la trasformazione dalla
rappresentazione in termini di matrice di trasmissione a quella di ma-
trice di scattering. In particolare, per gli elementi sulla diagonale se-
condaria, come si è visto, si ha:
2 · det (ABCD) · Z0
S12 =
B + (A + D) · Z0 + C · Z02
(6.145)
2 · Z0
S21 =
B + (A + D) · Z0 + C · Z02
e quindi
S21 2 · Z0 1 1
= = = (6.146)
S12 2 · det (ABCD) · Z0 det (ABCD) A · D − B · C
¯ ¯
¯S ¯ 1 1
¯ 21 ¯
M SG = ¯ ¯= = (6.147)
¯ S12 ¯ |det (ABCD)| |A · D − B · C|
Ora, se si considera l’inserzione di un elemento in serie o in parallelo

in ingresso (o in uscita) alla rete, la matrice di trasmissione della rete
risultante si otterrà moltiplicando a sinistra (o a destra) la matrice di
trasmissione della rete di partenza per la matrice
" #
1 Z
(6.148)
0 1
che descrive l’elemento serie o per la matrice

" #
1 0
(6.149)
Y 1
che descrive l’elemento parallelo. Tale operazione non cambia però il

determinante della matrice risultante. Infatti:
Ã" # " #!
1 Z A B
det · = AD + CDZ − BC − CDZ = AD − BC
0 1 C D
Ã" # " #!
1 0 A B
det · = AD + ABY − ABY − BC = AD − BC
Y 1 C D
(6.150)
e quindi non cambia il massimo guadagno stabile della rete. Quindi,
di conseguenza, se si adatta in maniera reattiva o anche con elementi
con perdite (concentrati o distribuiti), la rete complessiva risultante
mantiene il medesimo guadagno stabile della rete di partenza.
Tale proprietà risulta di fondamentale importanza nel progetto di
amplificatori di guadagno, nel caso la rete da adattare risulti condizio-
natamente stabile, come si vedrà meglio in seguito.
La proprietà del rapporto tra i parametri di trasmissione diretto
e inverso consente poi di derivare altre caratteristiche interessanti.
Il massimo guadagno disponibile di una rete è espresso infatti dalla
relazione
|S21 | ³ p ´
M AG = · k − k2 − 1 (6.151)
|S12 |
nella quale, rispetto alla (6.126), si è direttamente indicata la determi-

nazione negativa. Tale guadagno massimo non varia se la rete viene
caricata in ingresso o in uscita da una rete passiva, reciproca e senza
perdite (ad esempio una rete di adattamento).
Quindi, visto che la rete addizionale non modifica il rapporto tra S21
e S12 , dovendo il M AG rimanere costante, questo implica che il fattore
di stabilità deve anch’esso rimanere costante. Detto in altri termini,
il fattore di stabilità k è invariante rispetto all’inserzione in cascata di
reti passive, reciproche e senza perdite.
Di conseguenza, non è possibile modificare le proprietà di stabilità
utilizzando elementi in cascata composti da reti passive, reciproche e
senza perdite.
6.5.12 Cerchi ad adattamento costante

Si è visto che nel caso di rete condizionatamente stabile non è possi-
bile cercare l’adattamento simultaneo coniugato. Si deve cosı̀ accettare
un disadattamento ad una o entrambe le porte, per garantire un deter-
minato livello di guadagno. Simultaneamente però è necessario con-
trollare il livello di adattamento risultante, che di norma è una delle
specifiche di progetto. Stessa situazione si avrà nel caso di compromes-
si con altre prestazioni della rete (come si vedrà nel caso degli stadi a
basso rumore).
Si rende cosı̀ necessario introdurre uno strumento che consenta una
valutazione diretta e non semplicemente a posteriori del livello di adat-
tamento che una determinata combinazione di carichi garantisce.
Se si focalizza l’attenzione sulla sezione di ingresso della connes-
sione in Figura 6.9, la potenza disponibile dal generatore e quella in
ingresso alla rete sono fornite dalle:
1
Pav,G = |b0 |2 · (6.152)
1 − |ΓG |2
³ ´
³ ´ 1 − |Γin |2
Pin = |a1 |2 − |b1 |2 = |a1 |2 · 1 − |Γin |2 = |b0 |2 · (6.153)
|1 − ΓG · Γin |2
e sono cosı̀ legate dalla
³ ´ ³ ´
1 − |ΓG |2 · 1 − |Γin |2 1
Pin = 2 · Pav,G = · Pav,G (6.154)
|1 − ΓG · Γin | Mconj,in
avendo introdotto la perdita per disadattamento coniugato in ingresso

già definita nella (6.26):
|1 − ΓG · Γin |2
Mconj,in = ³ ´ ³ ´ (6.155)
1 − |ΓG |2 · 1 − |Γin |2
Per un carico in uscita fissato ΓL , il coefficiente di riflessione in in-

gresso resta fissato al valore Γin e quindi la perdita per disadattamento
rimane funzione della sola terminazione in ingresso.
Supponendo di fissare il disadattamento ad un valore M conj,in , si
avrà:
¯ ¯
¯1 − ΓG · Γin ¯2
M conj,in =³ ´ ³ ¯ ¯2 ´ (6.156)
1 − |ΓG |2 · 1 − ¯Γin ¯
La (6.156) definisce una famiglia di circonferenze con centro e raggio

forniti dalle:
∗
¡ ¢ Γin
C M conj,in = ³ ¯ ¯2 ´ ¯ ¯2
M conj,in · 1 − ¯Γin ¯ + ¯Γin ¯
³ ¯ ¯2 ´ q ¡ ¢ (6.157)
¡ ¢ 1 − ¯Γin ¯ · M conj,in · M conj,in − 1
R M conj,in = ³ ¯ ¯2 ´ ¯ ¯2
M conj,in · 1 − ¯Γin ¯ + ¯Γin ¯
Si noti che se si è in condizioni di adattamento coniugato, M conj,in =

1, e centro e raggio fanno collassare le circonferenze nel punto che
∗
fornisce l’adattamento coniugato Γin .
Disegnando tale ulteriore famiglia di circonferenze nel piano del ca-
rico in ingresso è cosı̀ possibile immediatamente effettuare il compro-
messo necessario con il guadagno voluto.
Identica considerazione può effettuarsi alla sezione di uscita, nella
quale si individuano una potenza disponibile alla seconda porta e una
potenza ceduta al carico, fornite rispettivamente dalle:
1
Pav,out = |b1 |2 · (6.158)
1 − |Γout |2
³ ´
1 − |ΓL |2
PL = |b2 |2 − |a2 |2 = |b2 |2 · (6.159)
|1 − Γout · ΓL |2
ed è cosı̀ possibile metterle in relazione tramite la
³ ´ ³ ´
1 − |Γout |2 · 1 − |ΓL |2 1
PL = 2 · Pav,out = · Pav,out (6.160)
|1 − Γout · ΓL | Mconj,out
avendo introdotto la perdita per disadattamento coniugato in uscita:
|1 − Γout · ΓL |2
Mconj,out =³ ´ ³ ´ (6.161)
1 − |Γout |2 · 1 − |ΓL |2
Per un carico in ingresso fissato ΓG , il coefficiente di riflessione

in uscita alla rete resta fissato al valore Γout e quindi la perdita per
disadattamento rimane funzione della sola terminazione in ingresso.
Supponendo di fissare il disadattamento ad un valore M conj,out , si avrà:
¯ ¯
¯1 − Γout ΓL ¯2
M conj,out =³ ¯ ¯2 ´ ³ ´ (6.162)
1 − ¯Γout ¯ 1 − |ΓL |2
La (6.162) definisce una famiglia di circonferenze con centro e raggio

dati da:
∗
¡ ¢ Γout
C M conj,out = ³ ¯ ¯2 ´ ¯ ¯2
M conj,out · 1 − ¯Γout ¯ + ¯Γout ¯
³ ¯ ¯2 ´ q ¡ ¢ (6.163)
¡ ¢ 1 − ¯Γ out
¯ · M conj,out · M conj,out − 1
R M conj,out = ³ ¯ ¯2 ´ ¯ ¯2
M conj,out · 1 − ¯Γout ¯ + ¯Γout ¯
In condizioni di adattamento coniugato, M conj,out = 1 e centro e rag-

gio fanno degenerare le circonferenze nel punto che fornisce l’adatta-
∗
mento coniugato Γout . Disegnando tale ulteriore famiglia di circonfe-
renze nel piano del carico in uscita è cosı̀ possibile immediatamente
effettuare il compromesso cercato con il guadagno voluto.
Gli adattamenti in ingresso o in uscita sono spesso fissati a livel-
lo progettuale e definiti mediante il rapporto di onda stazionaria in
ingresso o in uscita, che valgono:
1 + |Γin |
V SW Rin = (6.164)
1 − |Γin |
1 + |Γout |
V SW Rout = (6.165)
1 − |Γout |
se il coefficiente di riflessione è normalizzato rispettivamente sul carico
in ingresso ΓG o su quello in uscita ΓL . È facile mostrare che i rapporti
di onda stazionaria sono legati al disadattamento Mconj dalle:
q
V SW Rin = 2 · Mconj,in + 2 · Mconj,in · (Mconj,in − 1) − 1 (6.166)
q
V SW Rout = 2 · Mconj,out + 2 · Mconj,out · (Mconj,out − 1) − 1 (6.167)
e dunque le curve a disadattamento costante possono essere facilmente

trasformate in curve a rapporto di onda stazionaria costante.
6.6 Esercizi
1. Dimostrare l’equivalenza tra la condizione |det (S)| < 1 necessaria
per la stabilità incondizionata ed una delle seguenti:
|S12 · S21 | < 1 − |S11 |2

|S12 · S21 | < 1 − |S22 |2
B1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |det (S)|2 > 0
B2 = 1 − |S11 |2 + |S22 |2 − |det (S)|2 > 0
2. Sia data una rete a due porte descritta dai seguenti parametri di
scattering
\# GHZ S MA R 50
2.0 0.95 -34 3.22 147 0.040 66 0.60 -24
e si verifichi se la rete è o meno incondizionatamente stabile.

Quale è il guadagno massimo ottenibile dalla rete assicurandone
comunque la stabilità?
scattering
\# GHZ S MA R 50
17.0 0.77 86 1.19 -52 0.130 -12 0.44 122
e si verifichi se la rete è o meno incondizionatamente stabile. In

caso affermativo si determinino i carichi ottimi, in ingresso ed in
uscita, che consentono di ottenere da essa il massimo guadagno.
scattering
\# GHZ S MA R 50
7.0 0.64 -126 2.66 69 0.110 21 0.41 -81
e si verifichi se la rete è o meno incondizionatamente stabile. Nel

caso la rete sia condizionatamente stabile, si determini il valo-
re del massimo guadagno ottenibile utilizzando un adattamento
reattivo.
Esercizi 275
5. Data la rete di cui all’esercizio 2, si supponga di terminarne l’u-

scita in maniera coniugata. Si determini il valore del massimo
guadagno ottenibile dalla rete assicurandone la stabilità assie-
me ad un possibile valore del carico in ingresso. Quanto vale
l’adattamento risultante della rete comprensiva delle due reti di
adattamento in ingresso ed in uscita?
6. Si determinino le espressioni del guadagno in potenza e del gua-

dagno di trasduzione utilizzando l’approccio a grafi di flusso de-
scritto in appendice.
7. Data la rete descritta dai parametri di scattering
\# GHZ S MA R 50
4.0 0.84 -68 3.07 115 0.080 47 0.54 -46
Si supponga di terminarla in uscita con un carico ΓL = 0.2 − j0.3.

Quanto vale il coefficiente di riflessione in ingresso risultante? Si
determini una rete utilizzante due elementi reattivi che adatta
l’ingresso a 50 Ω. In tali condizioni la rete è stabile?
8. Data la rete descritta dai parametri di scattering
\# GHZ S MA R 50
4.0 0.84 -68 3.07 115 0.080 47 0.54 -46
Si supponga di terminarla in ingresso con il carico YG = 0.02 −

j0.05 S. Determinato il coefficiente di riflessione in ingresso risul-
tante, lo si adatti a 50 Ω utilizzando una rete linea/stub. In tali
condizioni la rete è stabile?
9. Dato il transistore descritto dai parametri di scattering seguenti
\# GHZ S MA R 50
10.0 0.57 175 2.21 27 0.110 7 0.30 -118

11.0 0.58 156 2.05 15 0.120 3 0.27 -136
12.0 0.60 139 1.87 2 0.120 0 0.27 -157
13.0 0.64 125 1.72 -10 0.120 -1 0.27 -178
14.0 0.67 114 1.57 -20 0.120 -2 0.30 164
15.0 0.71 104 1.45 -32 0.130 -4 0.34 150
16.0 0.74 95 1.32 -41 0.130 -8 0.39 135
Determinare, a ciascuna frequenza, se esso risulta o meno incon-

dizionatamente stabile. Diagrammare di conseguenza, al variare
della frequenza, l’andamento del massimo guadagno stabile o del
massimo guadagno disponibile.
Capitolo 7
Amplificatori lineari,
definizioni e caratteristiche
Indice del capitolo

7.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
7.2 Classificazione e parametri degli amplificatori . . . . . . . . . . 279
7.2.1 Banda passante ed andamento in frequenza . . . . . . . 279
7.2.2 Adattamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
7.2.3 Fattore di rumore e minimo segnale rivelabile . . . . . . 286
7.3 Effetti delle non linearità . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
7.3.1 Test a singolo tono e compressione del guadagno . . . . 290
7.3.2 Efficienza ed efficienza aggiunta . . . . . . . . . . . . . . 293
7.3.3 Test a due toni ed intermodulazione . . . . . . . . . . . . 295
7.3.4 Range dinamico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
7.3.5 Compressione AM/AM e conversione AM/PM . . . . . . 300
7.1 Introduzione
Il termine amplificatore indica genericamente un dispositivo (o sot-
tosistema) il cui compito è aumentare il livello di potenza del segnale
al suo ingresso fino al livello desiderato in uscita.
Essendo molteplici i requisiti (o specifiche) di funzionamento che
possono essere richiesti ad un amplificatore, le metodologie di progetto
e la pratica implementazione varieranno con essi.
In una catena amplificatrice, schematicamente rappresentata in Fi-
gura 7.1, si possono in genere distinguere:
277
278 7. Amplificatori lineari, definizioni e caratteristiche
• Stadi iniziali: tipicamente utilizzati per aumentare il livello del

segnale peggiorando il meno possibile il rapporto tra la poten-
za del segnale e quella del rumore di fondo ad esso sovrapposto
(brevemente rapporto segnale/rumore), visto che tipicamente il
segnale al loro ingresso è molto vicino alla soglia di rumore. Ta-
li stadi vengono denominati quindi amplificatori a basso rumore
(low-noise amplifiers, LNA).
• Stadi intermedi: il cui compito è tipicamente quello di fornire un

guadagno più o meno elevato, assieme a funzioni di controllo del-
lo stesso (ad es. equalizzazione o variabilità del guadagno). Ta-
li amplificatori sono denominati amplificatori di guadagno o di
basso livello (low-level amplifiers, LLA o gain amplifiers, GA), o
amplificatori di media potenza (medium power amplifier, MPA), a
seconda del livello di potenza d’uscita che riescono a raggiunge-
re rimanendo nella modalità di funzionamento lineare (a piccolo
segnale) dell’amplificatore stesso.
• Stadi finali: il cui compito è di aumentare il livello di potenza

fino a quello richiesto dal sistema di trasmissione, massimizzan-
do l’efficienza di conversione del sistema e raggiungendo di con-
seguenza le non linearità del dispositivo utilizzato (modalità di
funzionamento ad ampio segnale). Mentre per gli stadi interme-
di lo scopo fondamentale è quello di massimizzare il rapporto tra
i segnali di uscita e ingresso dell’amplificatore stesso (più preci-
samente tra le potenze loro associate), gli stadi finali hanno lo
scopo di fornire un’elevata potenza d’uscita. Si parla quindi di
amplificatori di potenza (power amplifiers, PA).
LNA Gain PA
Figura 7.1: Catena di amplificazione.
A titolo si esempio, in Figura 7.2 viene riportato lo schema di un

sistema complesso, ossia di un ripetitore satellitare trasparente (detto
anche payload trasparente), nel quale sono individuabili i componenti
amplificanti di una catena di amplificazione completa.
Classificazione e parametri degli amplificatori 279
IMux CAmp/Lin TWTA OMux Antenna

Antenna
Oscillatore
locale
Downconverter
Switch di
ridondanza (tipicamente N=24 - 44)
(tipicamente M=4 - 8)
Figura 7.2: Ripetitore satellitare trasparente.
Anche se quindi lo scopo di uno stadio amplificatore è sempre e co-

munque quello di preservare le caratteristiche del segnale al suo in-
gresso durante l’amplificazione, possiamo classificare gli amplificatori
sulla base della modalità di funzionamento in lineari e non lineari,
a seconda che la loro modalità operativa comporti o meno l’insorgere
di fenomeni non lineari. Nel seguito verranno descritti solamente gli
stadi iniziali ed intermedi di una catena di amplificazione, ossia sola-
mente gli stadi di amplificazione intrinsecamente lineari della catena
stessa, accennando ai fenomeni non lineari ed ai relativi parametri di
valutazione della deviazione dall’idealità.
7.2 Classificazione e parametri degli amplifica-

tori
7.2.1 Banda passante ed andamento in frequenza
Una prima possibile classificazione degli amplificatori può effettuar-
si sulla base della larghezza di banda nella quale operano. Con riferi-
mento all’andamento in frequenza del guadagno in potenza dell’ampli-
ficatore∗ , riportato nella Figura 7.3, ed espresso in dB:
G|dB = 10 · log10 ( G|lineare ) (7.1)

si definisce banda passante B (o banda operativa) l’ampiezza dell’inter-
vallo di frequenze individuato dalla differenza tra frequenza massima
∗
Si indica qui il guadagno in potenza dell’amplificatore semplicemente come il
rapporto tra la potenza di uscita ed in ingresso all’amplificatore stesso.
Gavg
1 dB
G
[dB]
B = f2 - f1
f1 f2 f [GHz]
Figura 7.3: Andamento in frequenza del guadagno di un amplificatore

a piccolo segnale.
f2 e frequenza minima f1 , nel quale le specifiche imposte (di solito al

livello del guadagno) in fase di progetto devono essere rispettate:
∆
B = f2 − f1 [Hz] (7.2)
In genere, a differenza di quanto avviene a più bassa frequenza, le

frequenze massima e minima vengono individuate dallo scostamento
del valore del parametro in esame (in questo caso il guadagno appunto)
di 1 dB rispetto al valore nominale (o valore medio) all’interno della
banda passante∗ .
Si tenga poi presente che, nel caso degli amplificatori di alta fre-
quenza che qui si esamina, la risposta in frequenza è tipicamente del
tipo passa-banda (ossia f1 6= 0 e f2 6= ∞).
Si definisce invece banda percentuale B% (o banda frazionale) il
rapporto tra la banda operativa e il limite inferiore della stessa f1 :
∆ f2 − f1
B% = (7.3)
f1
Alternativamente, la banda percentuale viene invece definita nor-
∗
Si tenga presente che il parametro sulla base del quale viene definita la banda
passante non è necessariamente il guadagno in potenza. Ad esempio, se l’amplificatore
in esame deve amplificare una corrente in ingresso trasformandola in una tensione di
uscita, qual è il caso degli amplificatori di transimpedenza per applicazioni di comuni-
cazioni ottiche, il parametro da considerare è appunto il guadagno di transimpedenza,
ossia il rapporto tra tensione di uscita e corrente in ingresso.
malizzando la banda passante al valore centrale (f2 +f1 )/2 della stessa,
ossia:
∆ f2 − f1 f2 − f1
B% = =2· (7.4)
f2 + f1 f2 + f1
2
Sulla scorta di tali definizioni, gli amplificatori possono quindi esse-
re classificati in:
• Amplificatori a banda stretta (narrowband), caratterizzati da una

larghezza di banda percentuale inferiore al 10%.
• Amplificatori a banda larga (wideband o broadband), con una

larghezza di banda percentuale compresa tra il 10% e il 100%.
• Amplificatori a banda ultra-larga (ultra-wideband o anche ultra-

broadband), con una larghezza di banda percentuale superiore al
100%.
In riferimento agli amplificatori a banda larga e ultralarga, si è so-

liti mutuare dalla terminologia musicale il rapporto tra la frequenza
massima e minima, definendo cosı̀ banda di una ottava il caso in cui
f2 = 2f1 , multi-ottava il caso in cui f2 = nf1 , n > 2, e di decade infine il
caso f2 = 10 · f1 .
Più raramente si utilizza la notazione f2 /f1 : 1 (ad esempio, un
amplificatore con f1 = 2 GHz e f2 = 4 GHz è un amplificatore a banda
larga, con larghezza di banda di una ottava o 2 : 1).
La classificazione in termini di larghezza di banda si riflette pesan-
temente sulle modalità progettuali e topologiche delle strutture impie-
gate nella loro realizzazione.
A tal proposito è possibile per ora individuare:
• Amplificatori ad anello aperto;
• Amplificatori reazionati, utilizzati tipicamente a frequenze che

non superano qualche decina di GHz ed in particolar modo in
circuiti integrati monolitici;
che a loro volta vengono classificati in base al numero di stadi che li

compongono (monostadio o multistadio), ossia in definitiva in base al
numero di sezioni di amplificazione elementari. Si tenga presente che
un amplificatore è normalmente composto da almeno due o tre stadi,
visto che i livelli di guadagno richiesti alle frequenze elevate sono ben
difficili da ottenere utilizzando un singolo stadio di amplificazione.
In ogni stadio che compone un amplificatore lineare sono individua-
bili due blocchi funzionali: la parte in cui avviene l’amplificazione, com-
posta dal dispositivo attivo eventualmente reazionato ed alimentato, e
le sezioni di adattamento in ingresso e in uscita, tipicamente passive
e prevalentemente reattive. Queste ultime hanno lo scopo di annul-
lare le riflessioni alle due porte di ingresso e uscita e/o di introdur-
re dei disadattamenti per l’equalizzazione del guadagno nella banda
operativa.
In generale la realizzazione di amplificatori ad anello aperto è abba-
stanza critica e può presentare notevoli problemi di stabilità (in banda
passante e fuori banda). Laddove possibile vengono cosı̀ utilizzati am-
plificatori reazionati che, grazie appunto alla intrinseca stabilizzazione
introdotta dalla retroazione, sono in grado di garantire la stabilità del
dispositivo e mantenere costante il guadagno nella banda d’interesse.
Ad un amplificatore, al momento della sua progettazione o comun-
que in caso lo si debba scegliere in funzione della sua utilizzazione, è
richiesto di soddisfare un insieme di specifiche.
Tra le caratteristiche fondamentali di un amplificatore lineare si
possono annoverare, oltre alla già citata banda operativa, il valore del
guadagno a piccolo segnale (o guadagno lineare) ed una serie di para-
metri secondari, ma non per questo di minor importanza, che ne carat-
terizzano le prestazioni e come l’amplificatore possa essere integrato
all’interno di un sistema complesso: tra questi l’andamento del guada-
gno nella banda di lavoro, gli adattamenti in ingresso e in uscita e le
variazioni delle prestazioni stesse rispetto alla temperatura, assieme
alle caratteristiche di alimentazione.
Oltre a tali parametri comuni a tutte le tipologie di amplificato-
ri, vanno aggiunte poi le prestazioni caratterizzanti dell’amplificatore
stesso (quali la cifra di rumore nel caso di un LNA, la potenza ad 1 dB
di compressione nel caso di un PA e simili).
Nella Tabella 7.1 viene riportato a titolo di esempio un insieme
tipico di specifiche per un amplificatore di media potenza.
Con riferimento alla Figura 7.4, si definisce pendenza del guadagno
(o gain slope) la velocità di variazione del guadagno all’interno della
banda passante:
" #
∆∂G (f ) dB
Gain Slope = (7.5)
∂f GHz
Tabella 7.1: Esempio di specifiche tipiche per amplificatori lineari

(MPA).
Parameter Unit Performance Remarks
Operating Frequency GHz 17 - 21

Small Signal Gain dB 14 min @ 25 °C
1 dB C.P. dBm 21 Over op. freq. and temp.
Gain Stability dBpp 2.5 Over -20 / +70 °C
Gain Flatness dBpp 1 @ 25 °C
Gain Slope dB/GHz 0.5
Input Matching (S11) dB -15 Over op. freq. and temp.
Output Matching (S22) dB -15 Over op. freq. and temp.
PAE % > 30
Supply Voltage V 5
Supply Current mA 160 Max
Temperature rise °C 35 Max @ 65 °C
from backside to channel baseplate temp.
Operating Temperature °C -20 / +70 -20 / +70
Gmax
Gavg Gain Flatness
[dBpp]
Gain Slope Gmin
G [dBpp]
[dB]
B = f2 - f1
f1 f2 f [GHz]
Figura 7.4: Caratteristiche del guadagno nella banda operativa al

variare della frequenza.
Tale parametro, al quale normalmente in fase di specifica viene im-

posto un limite superiore, garantisce un comportamento graduale del
guadagno dell’amplificatore all’interno della sua banda passante∗ . Per
assicurare poi che le escursioni del valore del guadagno rimangano al-
l’interno di una fascia di variabilità prefissata, si definisce la piattezza
in banda (gain flatness) come:
∆
Gain F latness = Gmax |dB − Gmin |dB [dB] (7.6)
∗
Si tenga presente che il segnale che un dato amplificatore deve elaborare può esse-
re composto da numerosi segnali distinti (ad esempio affiancati in frequenza), ciascuno
dei quali deve essere sottoposto ad una amplificazione il più possibile uniforme.
di solito espressa evidenziando i valori massimi e minimi di escursione

ammessi intorno al valore medio del guadagno Gavg (ad esempio Gavg ±
1 dBpp, dB picco-picco).
Le prestazioni di piattezza e di pendenza del guadagno devono di
solito essere garantite non soltanto alla temperatura nominale di eser-
cizio, ma nell’intera gamma di variazione della temperatura a cui l’am-
plificatore si potrebbe trovare ad operare (intervallo Tmin ÷Tmax ∗ ). A tal
proposito si definisce stabilità del guadagno (o gain stability) il massi-
mo valore assumibile, all’interno della banda passante, dalla differenza
tra valore massimo e minimo del guadagno all’interno dell’intervallo di
temperature di utilizzazione† :
∆
Gain Stability = max [ G (f, T1 )|dB − G (f, T2 )|dB ] [dBpp] (7.7)
f,T1 ,T2
Oltre ai parametri relativi alla forma del guadagno all’interno della

banda passante, di particolare importanza per gli amplificatori ad ele-
vata linearità sono le caratteristiche del guadagno rispetto alla fase.
In particolare, se si vuole evitare di distorcere il segnale che attraversa
l’amplificatore, si deve sicuramente assicurare la costanza del modu-
lo del guadagno ma simultaneamente anche che le varie componenti
dello stesso segnale vengano sfasate in maniera proporzionale alla lo-
ro frequenza. In altri termini, l’andamento della fase del guadagno
deve essere idealmente lineare in frequenza. Per misurarne le caratte-
ristiche si introduce quindi il ritardo di gruppo (group delay), definito
come:
∂ arg [G (ω1 )]
∆
τg = − [s] (7.8)
∂ω
Tale ritardo di gruppo può interpretarsi come il ritardo tempora-
le associato all’inviluppo del segnale (supposto a banda stretta) che
transita nell’amplificatore.
7.2.2 Adattamento
I vari componenti di un sistema a rf o a microonde sono progettati
utilizzando un livello di impedenza comune e convenzionale per consen-
tire una facile integrabilità (o più semplicemente una interconnessione
∗
Tale escursione è di solito determinata dalla tipologia di applicazione, civile,
militare o spaziale, nella quale si intende utilizzare l’amplificatore.
†
Di norma il guadagno in potenza è una funzione monotona decrescente con la
temperatura. Quindi di solito nella (7.7), T1 = Tmin e T2 = Tmax .
che eviti l’utilizzo di trasformazioni di impedenza). Come più volte ri-

petuto, tale livello di impedenza è di 50 Ω. Per evitare quindi che par-
te della potenza ricevuta in ingresso venga riflessa verso la sorgente,
l’amplificatore dovrà presentare al suo ingresso un valore di impeden-
za quanto più prossimo a tale livello standard; stessa considerazione
si applica verso l’uscita dell’amplificatore, che deve necessariamente
trasferire allo stadio successivo (un ulteriore amplificatore, un mixer
o altro), il segnale amplificato. Chiaramente, al variare della frequen-
za nella banda passante, il livello di impedenza di ingresso e di uscita
si discosta da tale livello di normalizzazione, sempre raggiungibile a
singola frequenza.
Essendo in ogni caso un amplificatore una rete a due porte, il valore
dell’impedenza di ingresso (uscita) dipenderà dal valore dell’impeden-
za di carico (di sorgente) con cui viene chiusa l’uscita (l’ingresso). A tale
scopo convenzionalmente si presuppone di utilizzare come terminazio-
ne della porta di uscita (di ingresso) il valore di impedenza di norma-
lizzazione (50 Ω). Per quantificare le prestazioni di adattamento è cosı̀
possibile utilizzare diversi parametri: si può indicare (è il caso in Ta-
bella 7.1) il valore del modulo del coefficiente di riflessione (in ingresso
ρin ed in uscita ρout ):
∆
Input M atch = 20 · log10 (|ρin |)|ZL =50 Ω (7.9)
∆
Output M atch = 20 · log10 (|ρout |)|Zs =50 Ω (7.10)
Alternativamente è in uso la perdita di ritorno (return loss, RL),
definita come il rapporto, in dB, tra potenza incidente e riflessa alla
porta in esame, ossia:
Ã !¯
Pinc,1 ¯
∆ ¯
RLin = 10 · log10 ¯ =
Pref l,1 ¯
ZL =50 Ω
= − 20 · log10 (|ρin |)|ZL =50 Ω =
= −Input M atch (7.11)
Ã !¯
Pinc,2 ¯
∆ ¯
RLout = 10 · log10 ¯ =
Pref l,2 ¯
ZL =50 Ω
= − 20 · log10 (|ρout |)|Zs =50 Ω =
= −Output M atch (7.12)
Meno di frequente si utilizza per lo stesso scopo il rapporto di onda

stazionaria in tensione (ROSV , voltage standing wave ratio, VSWR), già
definito nel primo capitolo per una linea di trasmissione e specificato
sia per l’ingresso che per l’uscita; è legato al coefficiente di riflessione
dalla relazione:
¯
1 + |ρin |¯¯
V SW Rin = ¯ (7.13)
1 − |ρin |¯
ZL =50 Ω
¯
1 + |ρout |¯¯
V SW Rout = ¯ (7.14)
1 − |ρout |¯
Zs =50 Ω
ed indicandolo rapportato all’unità (ad esempio 2 : 1, 1.2 : 1 . . . ); valori

bassi di tale parametro indicano chiaramente un adattamento miglio-
re.
Si tenga infine presente che la caratteristica di adattamento, in
generale, è tanto più difficile da ottenere in fase progettuale quanto
maggiore è la banda percentuale richiesta all’amplificatore.
Le reti di adattamento necessarie per adattare su una banda am-
pia saranno quindi, in completa sintonia con quanto avviene nel caso
della teoria dei filtri, di ordine elevato, in contrasto con la semplicità
necessaria alle reti di adattamento su bande strette.
7.2.3 Fattore di rumore e minimo segnale rivelabile
Un’ulteriore importante caratteristica, soprattutto per gli amplifi-

catori che fanno parte degli stadi iniziali di una catena amplificatrice
come si vedrà nel seguito, è la prestazione nei confronti del rumore.
Tali prestazioni si quantificano attraverso il fattore di rumore (noise
factor, F ).
Senza entrare nel dettaglio delle numerose definizioni applicabili,
è possibile qui definire fattore di rumore dell’amplificatore (riservando
il nome cifra di rumore, o noise figure N F , all’espressione della stessa
quantità in dB∗ ) il rapporto dei rapporti tra le potenze disponibili del
segnale utile e del rumore in ingresso ed in uscita dall’amplificatore,
con la sorgente di ingresso a temperatura standard T0 (290 K):
∗
Essendo un rapporto di potenze, l’espressione in dB è del tipo 10 log10(.).
¯
Sin/ ¯
∆ Nin ¯
F = ¯ =
Sout/ ¯
Nout T0
¯
Sin Nout ¯¯
= · ¯ =
Sout Nin ¯
T0
1 Nadd + k · T0 · B · Gav
= · (7.15)
Gav k · T0 · B
Le quantità indicate sono potenze disponibili (sia per il segnale che

per il rumore) e k = 1, 38 · 10−23 [ J/K ] è la costante di Boltzmann.
È chiaro che l’obiettivo dell’amplificatore è aumentare il livello del
segnale aumentando soltanto di una pari entità il livello del rumore e
mantenendo cosı̀ inalterato il rapporto segnale/rumore (ottenendo cosı̀
idealmente F = 1).
In realtà l’amplificatore introdurrà del rumore aggiuntivo e questo
necessariamente peggiorerà tale rapporto (F > 1). Il rumore introdot-
to dall’amplificatore potrebbe poi mascherare un segnale presente al
suo ingresso se il livello di quest’ultimo risulta essere particolarmente
basso.
A tal proposito si definisce minimo segnale rivelabile (minimum de-
tectable signal, MDS), il livello di potenza in ingresso corrispondente
al più piccolo segnale che l’amplificatore può distinguere dal rumore al
suo ingresso.
Convenzionalmente tale livello viene scelto in modo tale che il se-
gnale risulti, in uscita, 3 dB (o 10 dB, a seconda delle applicazioni) al di
sopra del livello del rumore.
Quantitativamente si può calcolare il livello del segnale di uscita
corrispondente, per un amplificatore con banda passante B e fattore di
rumore F :
" #
2 · (k · T0 · B · Gav + Nadd )
M DSout |dBm = 10 log10 =
1 mW
" #
2 · F · k · T0 · B · Gav
= 10 log10 =
1 mW
" #
2 · F · k · T0 · B · Gav 1 Hz
= 10 log10 · =
1 mW 1 Hz
Ã !
k · T0 · 1 Hz
= 10 log10 + 10 log10 (F ) +
1 mW
Ã !
B
+10 log10 + 10 log10 (Gav ) + 10 log10 (2) =
1 Hz
= (kT0 · 1Hz)|dBm + N F + B|dBHz + Gav |dB + 3dB =
= −171 dBm + N F + B|dBHz + Gav |dB
(7.16)
essendo N F la cifra di rumore (fattore di rumore in dB) ed avendo

espresso la banda in dB sopra l’Hz (dBHz). Si ottiene cosı̀ per l’MDS
(in ingresso):
M DSin |dBm = M DSout |dBm − Gav |dB =

= −171 dBm + N F + B|dBHz (7.17)
La cifra di rumore è parametro di fondamentale importanza nella

valutazione delle prestazioni di amplificatori a basso rumore, mentre
può essere non rilevante negli stadi finali di una catena amplificatrice.
Per questi ultimi infatti rivestono particolare rilevanza le prestazio-
ni legate alla generazione di potenza di uscita, di efficienza nonché di
linearità.
Per introdurre adeguatamente tali indicatori prestazionali è oppor-
tuno analizzare, ancorché sommariamente, quali siano gli effetti su un
amplificatore della rimozione dell’ipotesi di linearità sul suo funziona-
mento.
7.3 Effetti delle non linearità

Un qualsiasi amplificatore deve il suo funzionamento ad un elemen-
to attivo cui è demandato il compito di elevare il livello del segnale
all’ingresso.
Qualsivoglia elemento attivo (sia del tipo a semiconduttore che a
vuoto) è caratterizzato da limitazioni fisiche che impediscono alle ten-
sioni e/o alle correnti che ivi insistono di assumere valori arbitraria-
mente elevati. È il caso ad esempio dei fenomeni di moltiplicazione a
valanga o di pinch-off, della conduzione del diodo gate-source o della
regione ohmica nei dispositivi ad effetto di campo.
Effetti delle non linearità 289
Di conseguenza, anche se si assume inizialmente un comportamen-

to lineare dei dispositivi attivi, susseguente all’ipotesi di piccolo segna-
le in ingresso, al crescere di quest’ultimo tale ipotesi deve necessaria-
mente essere abbandonata, lasciando il campo ad un comportamento
sempre più non lineare del dispositivo (ad ampio segnale).
Più in generale si può affermare che l’ipotesi di linearità è comun-
que un’approssimazione, tanto più valida quanto il livello del segnale
di ingresso (eccitazione) è tale da non interessare regioni nelle quali si
fanno sentire le limitazioni fisiche del dispositivo attivo.
In regime di piccolo segnale comunque possiamo ipotizzare che il
segnale di uscita sia fornito dal prodotto del segnale in ingresso per il
guadagno dell’amplificatore (ossia una relazione lineare tra ingresso ed
uscita).
Se si indicano i segnali d‘ingresso e d’uscita ed il guadagno dell’am-
plificatore rispettivamente con x (t), y (t) e G∗ , si ha:
y (t) = G · x (t) (7.18)
Come detto, per segnali d’ingresso elevati l’amplificatore produce

fenomeni di distorsione tali da non rendere più valida la relazione
(7.18).
È lecito quindi pensare che gli amplificatori siano caratterizzati da
una funzione di trasferimento non lineare.
A tale scopo il modello più semplice per la caratterizzazione non
lineare degli amplificatori è il modello polinomiale. Si supponga quin-
di di avere un amplificatore in cui siano trascurabili gli effetti reatti-
vi (ossia sia senza memoria), descrivibile dalla relazione (istantanea)
ingresso/uscita nel dominio del tempo:
£ ¤
y = G · x + k2 · x2 + k3 · x3 (7.19)
che rappresenta lo sviluppo, arrestato al terzo ordine, della caratte-

ristica di trasferimento non lineare dell’amplificatore, valido cosı̀ per
valori limitati dell’ingresso.
Si è sottintesa, per x e y nella (7.19), la dipendenza temporale.
∗
In questo caso supponiamo che x e y siano segnali di tensione o corrente norma-
lizzati su un resistore unitario e quindi con le dimensioni di W1/2 . Corrispondente-
mente il guadagno sarà in questo caso un guadagno di tensione o di corrente (e non di
potenza).
7.3.1 Test a singolo tono e compressione del guadagno

Una prima valutazione degli effetti non lineari negli amplificato-
ri può essere ricavata inviando in ingresso un segnale sinusoidale ad
ampiezza costante A, alla frequenza f (test a singolo tono):
x (t) = A · cos (2πf t) = A · cos (ωt) (7.20)

cui corrisponde la potenza (media) di ingresso Pin :
Z
1 A2
Pin = · x2 (t) · dt = (7.21)
T 2
T
L’uscita y (t) si ottiene sostituendo la (7.20) nella (7.19):
"
k2 A2
y (t) = G· +
2
Ã !
3k3 A2
+A · 1+ · cos (ωt) +
4
k2 A2
+ · cos (2ωt) +
2 #
k3 A3
+ · cos (3ωt) (7.22)
4
Si hanno cosı̀ componenti in uscita a frequenze non presenti nel se-

gnale di ingresso (dc, 2f , 3f ), assistendo cosı̀ al fenomeno della genera-
zione di armoniche. In assenza di effetti non lineari (ossia supponendo
k2 = k3 = 0), l’uscita y (t) data dalla (7.19) sarebbe:
ylin (t) = G · x (t) (7.23)

cui corrisponderebbe, nel caso lineare,una potenza di uscita Pout,f,lin ed
un guadagno in potenza Glin forniti da:
Z
1
Pout,f,lin = · y 2 (t) · dt = G2 · Pin (7.24)
T
T
∆ Pout,f,lin
Glin = = G2 (7.25)
Pin
Nel caso generale (k2 , k3 6= 0), dalla (7.22) è facile notare che il ter-
mine a frequenza fondamentale (ossia quella del segnale di ingresso)
contiene un contributo dal termine di terzo grado dello sviluppo (7.19).
Tale termine tende a far diminuire la potenza in uscita a frequenza
fondamentale all’aumentare dell’eccitazione (di solito k3 < 0). Nel caso
generale quindi le (7.24) e (7.25) diventano:
Ã !2 Ã !2
A2
2 3k3 3k3
Pout,f =G · · 1+ · A2 =G · 2
1+ · Pin · Pin (7.26)
2 4 2
Ã !2
Pout,f
∆ 3k3
Gf = = Glin · 1+ · Pin (7.27)
Pin 2
Si assiste cosı̀ alla diminuzione del guadagno all’aumentare della

potenza in ingresso (compressione del guadagno). In base a tale fe-
nomeno viene definito il punto di compressione ad 1 dB in ingresso,
Pin,1dB , ossia il livello di potenza di ingresso corrispondente ad una di-
minuzione del guadagno di 1 dB rispetto al valore in zona lineare (a
piccolo segnale, Glin ) e quello corrispondente in uscita Pout,1dB . Que-
st’ultimo è quello cui comunemente ci si riferisce se si indica il punto
ad 1 dB di compressione.
Nella Figura 7.5 che segue vengono graficamente indicati tali punti
sia sugli andamenti potenza di uscita/potenza di ingresso che guada-
gno/potenza di ingresso nelle appropriate unità logaritmiche (c) e d) )
assieme agli andamenti in scala lineare (a) e b) ).
Si noti che mentre la potenza di uscita a frequenza fondamentale
subisce una compressione (devia dall’andamento lineare), corrispon-
dentemente la potenza di uscita alle componenti armoniche di ordine n
cresce di n dB per ogni dB di aumento della potenza di ingresso. Infatti,
per la potenza a seconda e terza armonica si ottiene:
Z " #2
1 G · k2 · A2 k22 · G2 · A4
Pout,2f = · · cos (2ωt) dt = =
T 2 8
T
k22 · Glin 2
= · Pin (7.28)
2
Pout, f
Py, lin [dBm]
Pout, f 1 dB
[W] Pout, 1 dB
a) c)
Pin
Pin [W] Pin, 1 dB [dBm]
G G
[dB]
Glin Glin
1 dB
b) d)
Pin
Pin [W] Pin, 1 dB [dBm]
Figura 7.5: Definizione grafica del punto di compressione ad 1 dB del

guadagno.
Z " #2
1 1 k 2 · G2 · A6
Pout,3f = · · G · k3 · A3 · cos (3ωt) dt = 3 =
T 4 32
T
k32 · Glin 3
= · Pin (7.29)
4
Le espressioni (7.28) e (7.29) possono essere visualizzate in scala

logaritmica (dBm) in funzione della potenza di ingresso assieme al-
la potenza di uscita a fondamentale (il segnale desiderato), ottenendo
l’andamento tipico visualizzato nella Figura 7.6.
Fisicamente, l’effetto delle non linearità è quello di trasferire parte
della potenza destinata alla frequenza fondamentale in uscita verso le
armoniche, producendo cosı̀ una riduzione della potenza utile rispetto
al caso lineare ideale.
Per evidenziare l’effetto della generazione di armoniche, è spesso
Pout
[dBm]
2 3
Pin
[dBm]
Pout, f
Pout, 2f Pout, 3f
Figura 7.6: Generazione di armoniche.
introdotta la distorsione armonica di ordine n, definita come:
∆ Pout,nf
HDnf = (7.30)
Pout,f
che, utilizzando il modello cubico introdotto, fornisce per il secondo e
terzo ordine:
Glin · k22
HD2f = · Pin
2
(7.31)
Glin · k32 2
HD3f = · Pin
4
Per quantificare nel complesso la distorsione si introduce poi la di-
storsione armonica totale (total harmonic distortion, THD):
∆
X Pout,nf
T HD = (7.32)
Pout,f
n≥2
Le grandezze (7.30)÷(7.32) ora definite vengono misurate di norma

in decibel (rapporti di potenze) sopra il carrier (dBc).
7.3.2 Efficienza ed efficienza aggiunta

Le caratteristiche di alimentazione dell’amplificatore (supply volta-
ge e supply current), oltre ad evidenziare la necessità o meno di ave-
re a disposizione alimentazioni di entrambe le polarità (non è il caso

della Tabella 7.1), consentono di calcolare, se non fornita esplicitamen-
te, la potenza dissipata dall’amplificatore (o, se si tratta di specifiche
progettuali, quella a disposizione per il funzionamento).
Il fenomeno della compressione del guadagno ci consente di intro-
durre un’altra fondamentale quantità per gli amplificatori operanti in
regime di ampio segnale, ossia l’efficienza di conversione o semplice-
mente efficienza. Detta infatti Pdc la potenza in dc erogata dalle ali-
mentazioni, l’efficienza è definita da:
∆ Pout,f
η= (7.33)
Pdc
e viene di norma misurata in percentuale. Essa fornisce un chiaro in-

dicatore di quanto efficacemente la potenza fornita dalle alimentazioni
venga convertita in potenza utile in uscita, particolarmente importan-
te in tutte quelle applicazioni in cui la quantità di potenza erogabile in
continua è limitata (applicazioni mobili, satellitari, . . . ). Dal punto di
vista energetico, per un amplificatore di potenza, la situazione è quindi
quella indicata in Figura 7.7.
dc power
Pdc
output power
input power
Pout, f
Pin
PA
Figura 7.7: Flussi energetici per un amplificatore di potenza.
Se si considera costante la potenza in continua erogata, l’andamento

di η segue chiaramente quello della potenza in uscita (e quindi tende
necessariamente a comprimere). Se si vuole tenere in conto anche del
contributo della potenza in ingresso è utile definire l’efficienza aggiunta
(o power-added efficiency, PAE) come:
Ã !
Pout,f − Pin
∆ 1
P AE = =η· 1− (7.34)
Pdc G
In alternativa, ma meno comunemente, l’efficienza aggiunta è defi-

nibile come il rapporto tra la potenza in uscita e la potenza complessi-
vamente in ingresso (dall’alimentazione e dall’ingresso a radiofrequen-
za):
∆ Pout,f
P AE = (7.35)
Pin + Pdc
Un tipico andamento della PAE al variare della potenza di ingresso
è riportato nella Figura 7.8. Si tenga presente che il valore massimo
della PAE si ottiene di solito a livelli di pilotaggio di 2 ÷ 4 dB superiori
rispetto al punto di compressione ad 1 dB in ingresso, ossia per livelli
di compressione elevati.
PAE
[%]
2-4
dB
Pin , 1 dB Pin , PAE max
Pin [dBm]
Figura 7.8: Tipico andamento per la power-added efficiency al variare

della potenza in ingresso.
7.3.3 Test a due toni ed intermodulazione

Il test a singolo tono fin qui descritto evidenzia solo una parte dei
fenomeni di distorsione che avvengono in un amplificatore. In partico-
lar modo si è visto che per segnali d’ingresso sufficientemente elevati la
funzione di trasferimento (7.18) non è più rappresentativa e che le non
linearità dell’amplificatore producono in uscita segnali ad armoniche
superiori rispetto al tono fondamentale più una componente in conti-
nua. Dal punto di vista della qualità del segnale di uscita (ossia della
fedeltà dello stesso rispetto al segnale di ingresso), tale generazione di
armoniche potrebbe essere alleviata ricorrendo ad un semplice filtrag-
gio successivo che elimini appunto tali componenti. Esistono però altri
fenomeni di distorsione che possono essere evidenziati inviando in in-
gresso all’amplificatore due toni a frequenze diverse (test a due toni).
A tale scopo, utilizzando lo stesso modello polinomiale descritto dalla

(7.19), si ipotizzi un segnale d’ingresso del tipo mostrato nella (7.3), in
cui si suppongano abbastanza vicine le frequenze dei due toni compo-
nenti (tali cioè che l’amplificatore non vari apprezzabilmente il proprio
guadagno lineare):
x (t) = A1 · cos (2πf1 t) + A2 · cos (2πf2 t) =

= A1 · cos (ω1 t) + A2 · cos (ω2 t)
con ∆f = f2 − f1 << f1 , f2 (7.36)
Il segnale di uscita che si ottiene sostituendo la (7.36) nella (7.19)

presenta numerose componenti in frequenza, raggruppate in Tabel-
la 7.2 per ordine di provenienza, indicandone l’ampiezza. Le compo-
nenti elencate nella Tabella 7.2 vengono visualizzate in Figura 7.9 in
funzione della frequenza.
f1 f2
Pout
f1+f2
f2-f1 3f2
2f1-f2 2f2-f1 3f1
f
dc 2f1 2f2 2f1+f2 2f2+f1
Figura 7.9: Componenti in frequenza generate in un test a tue toni.
L’interazione tra i due toni in ingresso nell’amplificatore crea quindi

una serie di nuove componenti, che non sarebbero presenti se l’amplifi-
catore fosse alimentato separatamente dai due toni. Mentre infatti i fe-
nomeni di rettificazione (dc) e di generazione di armoniche sono eviden-
ti anche nel test a singolo tono, l’interazione tra i due toni crea nuovi
termini di intermodulazione e di soppressione. In particolare, il termi-
ne di soppressione (detto anche cattura) tende a diminuire la potenza
utile a frequenza fondamentale di uno dei due toni all’aumentare della
potenza associata all’altro tono∗ , fino potenzialmente a sopprimerlo (da
cui la denominazione).
∗
Infatti il contributo di tale termine, derivante dal terzo ordine, ha segno nega-
Tabella 7.2: Componenti prodotte da un amplificatore in un test a due

toni.
Frequenza Ampiezza Denominazione

f1 A1
x f2 A2
Lineare
2
2f1 A1
2 II armonica
2f2 A2
2
f1-f1 A1
x2 dc da
f2-f2 A2
2 dc
f2-f1
A1 A2 Intermodulazione del II ordine
f2+f2
3
3f1 A1
3 III armonica
3f2 A2
f1 da f1+f1-f1 A 13
Compressione
f2 da f2+f2-f2 A 23
3 f1 da f1+f2-f2 A1 A22
x f2 da f2+f1-f1 A 12 A 2
Soppressione
2
2f1-f2 A1 A 2
2 Intermodulazione del III ordine
2f2-f1 A1 A 2
2
2f1+f2 A1 A 2
2 Intermodulazione del III ordine
2f2+f1 A1 A 2
Dal punto di vista della fedeltà del segnale di uscita, le componen-

ti maggiormente dannose sono chiaramente quelle non eliminabili per
semplice filtraggio (ossia compressione, soppressione ed intermodula-
zione del III ordine in banda, a frequenze 2f1 − f2 e 2f2 − f1 ).
Per quantificare l’effetto dell’intermodulazione si definisce il punto
di intercetta del terzo ordine (third order intercept point, IP3,in ), ossia
il valore di potenza (in ingresso) per il quale la potenza associata ad
una delle due componenti di intermodulazione ha pari livello rispetto
alla potenza di uscita lineare dell’amplificatore. Tale punto è grafica-
mente l’intersezione di due rette ottenute estrapolando i valori delle
grandezze corrispondenti a basso livello di pilotaggio, come indicato
nella Figura 7.10. Se si utilizza il modello cubico∗ , è possibile verificare
tivo (k3 è di solito negativo) e ampiezza (vedi Tabella 7.2) che varia con il quadrato
dell’ampiezza dell’altro tono.
∗
Si tenga presente che il modello cubico ha un intervallo di validità limitato dal-
l’ordine dell’espansione. Nel caso del punto di intercetta, tale intervallo di validità è
che si ottiene:
IP3,out |dBm ≈ Pout,1dB |dBm + 10.6 dB (7.37)

Nelle realizzazioni pratiche, per un tipico amplificatore, si trova
IP3,out |dBm ≈ Pout,1 dB |dBm + 6 dB (7.38)

È chiaro poi che si ha:
IP3,out |dBm = IP3,in |dBm + Glin |dB (7.39)
IP3,out
Pout
[dBm]
1
3
Pin
IP3,in [dBm]
Pout, f PIMD
Figura 7.10: Definizione del punto di intercetta del terzo ordine.
Il livello di pilotaggio individuato da IP3,in è chiaramente troppo

elevato per consentire l’utilizzazione dell’amplificatore in tale regione.
Qui infatti cominceranno ad essere significativi termini di intermodu-
lazione di ordine superiore (in banda), quali il quinto ed il settimo or-
dine. È comunque indicativo del campo di linearità dell’amplificatore,
potendosi con esso stimare il livello di intermodulazione in uscita per
un dato livello di potenza di uscita dalla relazione seguente∗ :
¡ ¢
PIM D |dBm = IP3,out |dBm − 3 · IP3,out |dBm − Pout,f |dBm (7.40)
possibile che sia stato ampiamente superato.
∗
Si tenga presente che nel caso del test a due toni, se si suppone di aumentare in-
sieme la potenza dei due toni in ingresso, la potenza di uscita ad 1 dB di compressione
relativa ad uno dei due risulterà inferiore a quella che si misurerebbe nel caso di test
a singolo tono.
Di frequente utilizzazione è poi il rapporto tra segnale e intermo-

dulazione (carrier-to-intermodulation ratio, C/I), misurato in dBc e
definito come di seguito:
∆ Pout,f
C/I = (7.41)
PIM D
in cui PIM D è la potenza di uscita ad una delle due frequenze di inter-
modulazione in banda (2f1 − f2 o 2f2 − f1 ). È facile verificare che, per
livelli di pilotaggio moderati, il C/I decresce di 2 dB per ogni aumento
di 1 dB della potenza di ingresso. Si ha cosı̀:
¡ ¢
C/I|dBc = 2 · IP3,out |dBm − Pout,f |dBm (7.42)
7.3.4 Range dinamico

Le quantità finora definite sono utili a definire nel suo complesso
il comportamento lineare dell’amplificatore assieme ai parametri che
definiremo di seguito. Avendo infatti individuato nel minimo segna-
le rilevabile (MDS) il livello minimo di potenza in ingresso gestibile
dall’amplificatore e avendo sommariamente descritto i fenomeni che
limitano superiormente il pilotaggio dello stesso amplificatore, siamo
ora in grado di definire l’intervallo di potenze di ingresso all’interno
del quale l’amplificatore può supporsi funzionare in regime di piccolo
segnale. Tale intervallo prende il nome di range dinamico dell’amplifi-
catore. Tale range dinamico è definito come la differenza tra punto di
compressione ad 1 dB (in ingresso) e minimo segnale rivelabile:
∆
DR|dB = Pin,1dB |dBm − M DS|dBm (7.43)
Chiaramente nella parte superiore di tale intervallo sono già pre-
senti distorsioni significative dovute ai prodotti di intermodulazione
del terzo ordine. Se si vuole invece utilizzare l’amplificatore in una zo-
na in cui i segnali spuri generati dal suo funzionamento non lineare
possano essere considerati trascurabili, si utilizza l’intervallo di poten-
ze di ingresso corrispondenti al range dinamico libero da spurie (spu-
rious free dynamic range, SFDR). Quest’ultimo è definito avendo come
estremo superiore il livello di potenza di ingresso al quale la potenza
dovuta all’intermodulazione del terzo ordine emerge di 3 dB al di sopra
del rumore in uscita. È facile mostrare che si ha:
2¡ ¢
SF DR|dB ≡ IP3,in |dBm − M DS|dBm (7.44)
3
In Figura 7.11 vengono riportati graficamente sia la caratteristica

di trasferimento ingresso/uscita che il range dinamico dell’amplificato-
re ed il range dinamico libero da spurie.
Pout
PIMD
[dBm]
IP3,out
Pout, f
Pout, 1 dB
1 3
MDS IP3,in
Pin, 1 dB Pin [dBm]
3 dB
Nout
SFDR
DR
Figura 7.11: Range dinamico e range dinamico libero da spurie.
7.3.5 Compressione AM/AM e conversione AM/PM

È utile concludere questo paragrafo accennando ad una serie di in-
dicatori che vanno a caratterizzare e generalizzare le proprietà di di-
storsione di un dispositivo amplificatore. Infatti, il modello polinomiale
arrestato al terzo ordine adottato (7.19), per quanto utile alla giustifica-
zione dei fenomeni descritti, non riesce intrinsecamente ad evidenziare
altri effetti. In particolare, come accennato, il modello è senza memo-
ria e non tiene conto di quanto possa avvenire in presenza di effetti
reattivi. In generale invece, dato un segnale di ingresso del tipo:
x (t) = X (t) · cos [2πf t + ϕ (t)] (7.45)

ossia contenente un’informazione sia sull’ampiezza X (t) che sulla fase
istantanea ϕ (t), avremo in uscita un segnale del tipo:
x (t) = X (t) · cos [2πf t + ϕ (t)] (7.46)

Nel segnale di uscita è possibile quindi notare l’effetto delle non li-
nearità non soltanto sull’ampiezza che risulta in generale funzione non
lineare dell’ampiezza dell’ingresso, ma anche sulla fase, influenzata dal
valore del modulo del segnale in ingresso (e quindi dal pilotaggio). A
differenza di quanto avviene nell’ipotesi di funzionamento lineare si
avrà quindi:
G [X (t)] 6= A · X (t)
(7.47)
Φ [X (t)] 6= cost
Le due caratteristiche descritte consentono di schematizzare il com-
portamento di un amplificatore con comportamento non lineare in base
all’andamento delle ampiezze e delle fasi del segnale di uscita in fun-
zione del livello del segnale di ingresso, denominate rispettivamente
compressione AM/AM e conversione AM/PM, un esempio per le quali
è mostrato nella Figura 7.12
AM/AM
[dBm]
AM/PM
[deg]
Pin [dBm]
Figura 7.12: Tipico andamento della compressione AM/AM e della

conversione AM/PM.
Capitolo 8
Amplificatori di guadagno
Indice del capitolo

8.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
8.2 Amplificatori di guadagno ad anello aperto . . . . . . . . . . . . 305
8.2.1 Scelta del punto di lavoro . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
8.2.2 Schemi di polarizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
8.2.3 Reti di stabilizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
8.2.4 Stabilizzazione mediante reazione . . . . . . . . . . . . . 321
8.2.5 Progetto delle reti di adattamento . . . . . . . . . . . . . 325
8.2.6 Adattamento per reti condizionatamente stabili . . . . . 330
8.2.7 Progetto della rete di adattamento interstadio . . . . . . 333
8.3 Amplificatori reazionati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 335
8.4 Amplificatori bilanciati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
8.5 Amplificatori distribuiti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
8.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
8.1 Introduzione
Gli amplificatori di guadagno hanno lo scopo di aumentare il rap-
porto tra la potenza associata al segnale di uscita e quella del segnale
all’ingresso dell’amplificatore stesso, preservandone al contempo le ca-
ratteristiche. Esistono diversi approcci al progetto di un amplificatore
di guadagno, ognuno dei quali caratterizzato dalle sue peculiarità.
Il più semplice di questi approcci viene definito ad anello aperto,
intendendo con tale terminologia un amplificatore composto dal so-
303
304 8. Amplificatori di guadagno
lo dispositivo attivo, corredato dalle opportune reti di polarizzazione

(biasing) e dalle reti di adattamento (matching).
In Figura 8.1 è mostrato lo schema a blocchi di un amplificatore
lineare di guadagno ad anello aperto costituito da due stadi elementari.
Bias Bias Bias Bias
Generatore Carico
Interstage Matching
GG
Network
IMN OMN GL
Figura 8.1: Schema a blocchi di un amplificatore ad anello aperto a

due stadi.
L’impiego di più stadi di amplificazione, peraltro comune, è dettato

dall’esigenza di riuscire ad ottenere il livello di guadagno imposto dalle
specifiche di progetto.
Come mostrato in Figura 8.1, la scelta di tale topologia prevede l’in-
serimento di un’ulteriore rete di adattamento intermedia (interstage
matching network) tra i due stadi, tale da garantire il corretto adatta-
mento in uscita al primo stadio ed in ingresso al secondo.
In generale quindi il progetto di un amplificatore di guadagno pas-
sa attraverso la realizzazione di una adeguata rete di polarizzazione
(bias), di reti di adattamento in ingresso (IMN, input matching net-
work), in uscita (OMN, output matching network) e di reti di adatta-
mento interstadio. I livelli di impedenza in ingresso ed in uscita sono
di norma pari a 50 Ω, mentre per la rete di interstadio non è in genere
necessario garantire tale livello.
Le reti di polarizzazione devono garantire non soltanto che venga
fissato il punto di lavoro del dispositivo prescelto, ma al contempo an-
che assicurare il corretto filtraggio delle alimentazioni oltre ad una
bassa sensibilità del circuito a segnali spuri provenienti dai circuiti a
monte delle stesse.
In questo capitolo saranno cosı̀ analizzati i passi di progetto ne-
cessari per la realizzazione di un amplificatore di guadagno ad anello
aperto.
All’interno dei passi progettuali poi verrà anche valutato l’inseri-
mento della reazione come metodo di stabilizzazione.
Di seguito poi si accennerà brevemente alle varianti da introdurre
Amplificatori di guadagno ad anello aperto 305
per il progetto di uno stadio di amplificazione reazionato. Si descriverà

quindi la tecnica di bilanciamento che porta ad un miglioramento delle
prestazioni sia in adattamento che in banda passante.
Infine si descriverà con un certo dettaglio la topologia distribuita,
come metodo per progettare amplificatori a banda ultralarga.
8.2 Amplificatori di guadagno ad anello aperto

La progettazione di un amplificatore si può pensare consistere nella
realizzazione sequenziale dei suoi elementi costitutivi descritti nell’in-
troduzione. Assieme a questi deve essere effettuata una serie di scelte
progettuali, strettamente dipendenti dalle specifiche di funzionamen-
to richieste, e che rendono la progettazione di un amplificatore ad al-
ta frequenza un compito non semplice. Il flusso logico del progetto è
esemplificato in Figura 8.2.
Scelta della Scelta dei Scelta del

tecnologia dispositivi punto di lavoro
Progetto Stabilizzazione Scelta

delle reti di in banda e dello schema di
adattamento fuori banda polarizzazione
Sintesi ad Layouting
elementi reali
Figura 8.2: Flusso logico per il progetto di un amplificatore a piccolo

segnale.
Preliminarmente si deve cosı̀ scegliere la forma realizzativa del cir-

cuito, che può essere ibrida o monolitica. Nel primo caso la componenti-
stica che realizza il circuito è di natura variegata e viene assemblata su
di un substrato di tipo isolante; su quest’ultimo vengono realizzate le
piste metalliche di interconnessione con configurazione legata al mez-
zo trasmissivo integrato che si preferisce (microstriscia o guida d’onda
coplanare o altro). In questo caso quindi i dispositivi attivi, disponibili

sotto forma di chip o già nei loro contenitori (package) vengono collegati
alle piste di adattamento o di polarizzazione tramite dei fili conduttivi
(wire bonds in oro o alluminio tipicamente) o direttamente saldati (se
in package). Elementi discreti quali condensatori o resistori, ciascuno
realizzato separatamente, vengono anch’essi incollati mediante resine
conduttive o collegati con fili metallici. Un circuito integrato in forma
ibrida è quindi formato dall’interconnessione di materiali e componenti
eterogenei, spesso effettuata in forma manuale da un operatore esper-
to (Hybrid Microwave Integrated Circuits, HMIC, di cui un esempio è
mostrato in Figura 8.3).
Figura 8.3: Esempio di circuito ibrido nel suo package (Alenia Spazio).
Nel caso si preferisca una realizzazione monolitica (Monolithic Mi-

crowave Integrated Circuits, MMIC) invece, sia i dispositivi a semi-
conduttore che gli elementi della rete di adattamento, polarizzazione e
stabilizzazione vengono realizzati sullo stesso substrato a semicondut-
tore. In questo caso quindi anche le piste di interconnessione vengono
realizzate con tratti di linea di trasmissione integrati, fornendo come
risultato finale un circuito con dimensioni decisamente più contenute
del caso ibrido (un esempio è nella fotografia al microscopio mostrata
in Figura 8.4).
La scelta tra le due modalità realizzative è una funzione dei volumi
di produzione previsti (cioè del numero di esemplari da produrre), del-
Figura 8.4: Esempio di circuito monolitico su GaAs (ASTRON).
l’uniformità richiesta, del costo stimato per il sottosistema che si deve

progettare, oltre che ovviamente delle prestazioni da raggiungere. A
riguardo di queste ultime si tenga presente che un circuito monolitico
garantisce un controllo accurato del valore dei parassiti dei componenti
utilizzati, molto più di quanto è possibile con un progetto ibrido. Per ta-
le motivo progetti a banda larga sono più efficacemente realizzabili in
tecnologia monolitica, mentre in tecnologia ibrida, vista la possibilità
di selezione a priori dei componenti utilizzati, è possibile effettuare una
realizzazione allo stato dell’arte per quanto riguarda le prestazioni ri-
sultanti. Per contro, nel circuito ibrido è possibile procedere a eventua-
li tarature dopo la realizzazione, che nel caso monolitico non risultano
praticabili.
La scelta del dispositivo attivo e della sua tecnologia realizzativa (ad
es. GaAs, GaN, InP con una determinata lunghezza di gate) viene ef-
fettuata in base alle prestazioni desiderate sia in termini di frequenze
operative che in base al guadagno specificato. A tale scopo, tipicamente
viene diagrammato, in funzione della frequenza, l’andamento del mas-
simo guadagno del dispositivo a diverse polarizzazioni, consistente nel
massimo guadagno stabile (M SG) se k < 1∗ e nel massimo guadagno
disponibile (M AG) per k > 1 (Figura 8.5).
Il guadagno ottenibile in base al diagramma mostrato rappresenta
ovviamente il guadagno massimo teoricamente ottenibile utilizzando
∗
k rappresenta in questo caso il fattore di stabilità del dispositivo inteso come rete
a due porte lineare alla polarizzazione in esame.
40 5
30 4
MSG,
MAG 20 3
[dB] MSG k
10 MAG 2
0 1
k
-10 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 8.5: Andamento in frequenza per il guadagno massimo e per

il fattore di stabilità k di un dispositivo attivo a due
polarizzazioni differenti.
un dato dispositivo alla polarizzazione prescelta. La presenza di perdi-

te nelle reti di polarizzazione, di adattamento e di interconnessione in
generale suggerisce di stimare prudenzialmente una diminuzione dello
stesso guadagno. Tale stima deve tener conto della frequenza di pro-
getto nonché delle caratteristiche della tecnologia realizzativa (HMIC
o MMIC) selezionata. Va da sé che il guadagno da stimare va valu-
tato nella condizione peggiore in banda, ossia considerando l’estremo
superiore della gamma di frequenze previste.
Scelto il dispositivo, e quindi il livello di guadagno ottenibile da esso
nelle frequenze di interesse, è immediatamente deducibile il numero
di stadi necessari per la realizzazione dell’amplificatore. Ad esempio,
supponendo di voler progettare con il dispositivo le cui prestazioni sono
riportate in Figura 8.5 un amplificatore caratterizzato da un guadagno
medio di 25 dB a 10 GHz (a banda stretta), sarà giocoforza utilizzare
almeno 3 stadi ed alimentare il dispositivo in una delle polarizzazioni
che forniscono almeno 10 dB per stadio.
8.2.1 Scelta del punto di lavoro

Come già accennato, i dispositivi maggiormente utilizzati a micro-
onde, in special modo per amplificatori di guadagno, sono del tipo ad
effetto di campo (sia MESFET che HEMT). Tale scelta è dovuta sia
alle intrinseche migliori prestazioni in frequenza che alle caratteristi-
che del substrato a semiconduttore utilizzato (GaAs, InP o altri), che

presenta basse perdite se confrontato con i semiconduttori tradizionali
(quali il silicio).
Il punto di lavoro di questi dispositivi deve essere scelto in base
all’applicazione cui il dispositivo stesso è destinato. Se ci si focalizza
sull’amplificazione, si possono distinguere a grandi linee tre possibilità:
• amplificatori ad alto guadagno. In questo caso generalmente la

polarizzazione di drain viene selezionata lontana dalla zona li-
neare (ohmica) del dispositivo e con polarizzazione di gate vicina
alla polarizzazione massima possibile nei MESFET o alla pola-
rizzazione di massima transconduttanza negli HEMT (vicina a
Vgs = 0 V); chiaramente l’escursione del segnale di pilotaggio va
mantenuta a livello di piccolo segnale per non interessare regioni
di nonlinearità del dispositivo;
• amplificatori a basso rumore. Come si vedrà meglio nel seguito,

di solito la polarizzazione che consente il minimo rumore aggiun-
to dal dispositivo attivo si ottiene per basse tensioni di drain, che
comportano cosı̀ basse correnti di lavoro. Poiché gli HEMT pre-
sentano intrinsecamente buone caratteristiche di rumore, questa
condizione può essere coniugata con quella di massima transcon-
duttanza;
• amplificatori di potenza. Per ottenere la massima escursione di

tensione e di corrente si deve scegliere, nel caso di polarizzazio-
ne in classe A, il punto di lavoro al centro delle caratteristiche di
uscita dei dispositivi, assicurando cosı̀ al contempo delle buone
prestazioni di linearità. Se si vuole poi utilizzare classi di fun-
zionamento di tipo AB o B per aumentare l’efficienza dell’ampli-
ficatore di potenza, la tensione di gate corrispondente può essere
portata vicina (o addirittura inferiore) alla tensione di pinch-off.
In Figura 8.6 vengono riportate schematicamente le caratteristiche

di uscita di un dispositivo ad effetto di campo, con evidenziate le zone
di funzionamento descritte per ciascuna applicazione.
Ad ulteriore sottolineatura di quanto accennato, si tenga presente
che le due polarizzazioni per le quali è stato diagrammato l’andamento
del guadagno in Figura 8.5 corrispondono al guadagno di un dispositivo
ad effetto di campo in zona di alto guadagno o basso rumore: in questo
caso la differenza in guadagno tra le due polarizzazioni è di oltre 8 dB.
Id Vgs
Guadagno
Potenza
(classe A)
Basso Potenza
rumore e PAE
(classe AB/B/C)
Vds
Figura 8.6: Punto di lavoro ottimale del dispositivo attivo a seconda
dell’applicazione.
8.2.2 Schemi di polarizzazione

Una volta scelto il punto di lavoro del dispositivo attivo da utilizzare
(o dei dispositivi attivi, se si è scelto uno schema multistadio), si deve
procedere alla selezione dello schema di polarizzazione opportuno.
Per un dispositivo ad effetto di campo il punto di polarizzazione vie-
ne fissato essenzialmente dalla scelta di una coppia di tensioni, una
per il terminale di gate ed una per quello di drain, supponendo, co-
me avviene di solito, una configurazione a source comune per lo stadio
di amplificazione. Quindi in definitiva le due reti di alimentazione in
continua dovranno provvedere a fornire ai due terminali tali differenze
di potenziale Vgs e Vds , non interferendo (o comunque interferendo in
maniera controllata) con i circuiti di ingresso e di uscita nei quali si
propaga il segnale a microonde da amplificare.
In verità, soprattutto per i dispositivi di tipo HEMT, la scelta del-
la polarizzazione dovrebbe essere legata piuttosto ad una percentuale
della corrente massima, anziché ad un prefissato valore di tensione tra
gate e source. Tale considerazione è legata alla variabilità, dovuta a
motivi realizzativi e tecnologici, della tensione di soglia Vp di tali di-
spositivi: in presenza di tale fenomeno risulta difficile fissare un valore
assoluto di Vgs per la polarizzazione, ma si preferisce invece fissare
la percentuale di corrente di polarizzazione rispetto alla condizione di
Vgs = 0 V, ossia in percentuale di Idss = Ids |Vgs =0V .
Tenendo presente tale considerazione, è possibile innanzitutto indi-
viduare due schemi di principio per la polarizzazione, corrispondenti
alla disponibilità o meno di due tensioni con polarità diverse a livello

di sistema. Infatti, i dispositivi attivi utilizzati sono di norma del tipo
normally on∗ (ossia con canale attivo già formato) e non sempre sono a
disposizione del progettista due distinte tensioni di alimentazione (di
polarità differente, una negativa per il gate e una positiva per il drain).
Di conseguenza si avranno schemi a doppia (Figura 8.7 a sinistra) e a
singola alimentazione (Figura 8.7 a destra).
Vdd
Vgg Vdd Cb
Cb Cb
Lrfc
Lrfc Lrfc rf out
rf out rf in
Cdis
rf in Cdis
Cdis
Cdis Lg Rs
Cs
a) b)
Figura 8.7: Reti a doppia a) o a singola alimentazione b).
Nella rete a doppia alimentazione, a parte i condensatori di disac-

coppiamento Cdis , inclusi in figura per completezza ma non facenti par-
te della rete di polarizzazione in senso stretto, i terminali di gate e
drain sono in continua collegati direttamente all’alimentazione (rispet-
tivamente Vgg e Vdd ) tramite gli induttori di choke Lrf c . Tali induttori
assumono dinamicamente (ossia alla frequenza del segnale a microon-
de) un valore di impedenza teoricamente illimitato, cosı̀ rendendo l’in-
tera rete di alimentazione trasparente per il segnale a microonde. In
altri termini, l’effetto di tale elemento ideale è di caricare con un circui-
to aperto il percorso del segnale a microonde. In definitiva sia il gate
che il drain del transistor sono liberi di seguire cosı̀ le escursioni del
segnale. I condensatori Cb hanno lo scopo di filtrare l’alimentazione e
∗
Oltre ai dispositivi normally on (depletion mode, a svuotamento), alcune fonderie
mettono a disposizione anche dispositivi normally off (enhancement mode, ad arricchi-
mento), ma la loro diffusione, per la complessità tecnologica necessaria, è ancora molto
scarsa.
non consentire che vengano iniettati segnali spuri nell’amplificatore,

come pure di isolare gli ulteriori circuiti di alimentazione a monte da
eventuali residui del segnale a microonde.
Nella rete a singola alimentazione, la corretta polarizzazione del-
la giunzione gate/source viene fornita in continua dalla caduta di po-
tenziale, provocata dalla corrente di drain, sul resistore RS , mentre
il potenziale di gate viene tenuto staticamente a massa dall’induttore
di choke corrispondente. Dinamicamente tale induttore svincola il ga-
te dalla massa mentre il condensatore CS cortocircuita il resistore RS ,
che, se presente a microonde, provocherebbe una sensibile diminuzio-
ne del guadagno∗ . Ulteriore effetto di tale configurazione consiste nella
stabilizzazione del punto di lavoro del transistore rispetto a variazioni
di temperatura di esercizio. All’aumentare della temperatura infat-
ti diminuisce tipicamente la mobilità e con essa la corrente di drain.
Questo effetto a sua volta diminuisce la caduta di potenziale sul resi-
store, provocando cosı̀ una polarizzazione della giunzione gate/source
meno negativa, che tende a far ritornare la corrente a valori più elevati.
Effetto opposto al diminuire della temperatura.
Molto spesso, per aumentare la flessibilità dello schema a singola
alimentazione in realizzazioni ibride, il resistore RS è realizzato co-
me serie di resistori collegati tramite piazzole (pad), come mostrato in
Figura 8.8.
Rs1
Rs2
Cs
Rs3
Rs4
Figura 8.8: Realizzazione del resistore RS .
A seconda quindi del valore di resistenza necessario, si connetterà

il pad adatto a massa.
∗
Tale resistore infatti, nello schema presentato, realizza una reazione in serie
all’uscita ed in serie al circuito di ingresso.
L’utilizzazione di schemi a singola alimentazione, laddove possibile,

risolve poi problemi legati alla temporizzazione di accensione della po-
larizzazione. Se infatti il drain viene alimentato prima del gate, mante-
nendo quindi inizialmente quest’ultimo a 0 V, il transistore opererà per
un breve lasso di tempo in una condizione diversa da quella di lavoro in
una regione non sicura (ossia corrispondente ad elevate correnti e quin-
di ad elevata dissipazione, Figura 8.9), con conseguenti rischi di guasto.
Se invece il gate viene alimentato prima del drain, allora il transistore
rimarrà comunque spento e successivamente, quando viene alimentato
anche il drain, il punto di lavoro si sposterà sulla caratteristica definita
dalla tensione di gate impostata precedentemente.
Analoga considerazione può effettuarsi in fase di spegnimento dello
stadio, nella quale si dovrà dapprima annullare la tensione di drain
e successivamente quella di gate. Chiaramente lo schema a singola
alimentazione consente di evitare il problema, applicando simultanea-
mente e gradualmente le polarizzazioni desiderate.
Id Vgs
Percorso del
punto di lavoro
all’accensione
Vdd Vds
Figura 8.9: Applicazione delle tensioni di alimentazione.
Sia nello schema a doppia che a singola alimentazione, la funzio-

ne svolta dall’induttore Lrf c può essere efficacemente realizzata, nel-
le pratica, in diversi modi. È possibile infatti modificare lo schema
di polarizzazione utilizzando resistori, come schematicamente indicato
nella Figura 8.10.
È chiaro che tali resistori (in particolare quello di drain) dissipa-
no potenza dall’alimentazione, ma consentono al contempo di aiutare
nella stabilizzazione del dispositivo: tale schema è quindi preferibile
allorquando la corrente di polarizzazione sia bassa e non si debba pro-
gettare né un amplificatore di potenza né un amplificatore a basso ru-
more (i resistori si comportano da generatori di rumore termico anche
in banda).
Vgg Vdd
Cb Cb
Rgg Rdd
rf out
rf in
Cdis
Cdis
Figura 8.10: Rete a doppia alimentazione con resistori.
In alternativa le induttanze di choke possono essere sostituite con

le reattanze induttive dei circuiti di adattamento, se questi ultimi sono
stati opportunamente progettati utilizzando, quale elemento di adat-
tamento prossimo al dispositivo attivo, un induttore parallelo (tale è
l’induttore di choke dinamicamente).
Utilizzando elementi a costanti distribuite è possibile far uso di
schemi del tipo mostrato nella Figura 8.11, che utilizza tratti di linea a
quarto d’onda alla frequenza centrale di lavoro del dispositivo.
Vgg Vdd
Cb Cb
l / 4 @f0 l / 4 @f0
X
l / 4 @f0 l / 4 @f0
rf in rf out
Cdis
Cdis
Figura 8.11: Polarizzazione con reti a quarto d’onda.
In questo caso le reti a quarto d’onda sono simultaneamente in gra-

do di disaccoppiare il segnale a microonde dall’alimentazione in conti-

nua, e di separare le alimentazioni da eventuali segnali provenienti dal
circuito a microonde. Infatti lo stub a quarto d’onda chiuso su un cir-
cuito aperto a frequenza f0 trasforma quest’ultimo in un cortocircuito
nel punto X (cosı̀ isolando l’alimentazione da segnali a microonde, che
vedono un corto circuito).
Il rimanente tratto di linea a quarto d’onda trasforma tale corto
circuito ancora in un circuito aperto, cosı̀ rendendo l’intero circuito di
alimentazione trasparente per il segnale a microonde lungo la linea
principale. In continua chiaramente lo stesso tratto di linea si com-
porta come un corto circuito, direttamente imponendo sul dispositivo il
potenziale Vgg e Vdd .
È chiaro che tale circuito ha una banda di funzionamento limitata
dagli stub utilizzati, che si comportano come quarti d’onda soltanto
nella gamma di frequenze intorno a quella di progetto.
Le reti di polarizzazione sin qui presentate ed i componenti costi-
tuenti possono poi essere combinati per ottenere in maniera sinergica
i vantaggi dell’una o dell’altra. Nella maggior parte dei casi infatti, l’a-
limentazione di un circuito viene effettuata utilizzando sia componenti
distribuiti che concentrati, linee e resistori. Sarà cosı̀ possibile fissare
il punto di lavoro tramite un resistore di drain e innestare la rete di po-
larizzazione per il tramite di una linea di trasmissione in derivazione
sulla linea del segnale a microonde.
Si vuole concludere questo paragrafo accennando al fatto che le re-
ti di polarizzazione, in generale, possono costituire un elemento utile
anche ai fini sia della stabilizzazione che dell’adattamento.
A riguardo della prima funzionalità, accennata nel caso della pola-
rizzazione con resistori, si tenga presente che la massima parte delle
oscillazioni indesiderate di circuiti progettati per comportarsi da am-
plificatori sono derivanti da oscillazioni a bassa frequenza. Tali oscilla-
zioni sono particolarmente severe se si utilizzano dispositivi che, come i
MESFET e gli HEMT a microonde, presentano guadagni molto elevati
a frequenze più basse.
In questo caso è comune che effetti di accoppiamenti indesidera-
ti, che avvengono tipicamente per il tramite dei circuiti di alimenta-
zione, possano dare luogo a reazioni e quindi ad oscillazioni a bassa
frequenza.
È quindi di fondamentale importanza progettare i circuiti di alimen-
tazione ponendo una cura particolare al loro comportamento filtran-
te a bassa frequenza, che deve necessariamente tendere a smorzare
l’innesco di eventuali oscillazioni.

A tale scopo ciò che nelle figure precedenti è stato semplicemente
indicato con il condensatore Cb diviene un vero e proprio circuito fil-
trante, realizzato a partire dal punto di inserzione dell’alimentazione e
schematicamente indicato nella Figura 8.12.
Vgg Vdd
Lb2 Lb1 Lb1 Lb2
Cb2 Cb2
Cb1 Cb1
l / 4 @f0 l / 4 @f0
X
l / 4 @f0 l / 4 @f0
rf in rf out
Cdis
Cdis
Figura 8.12: Filtraggio delle alimentazioni.
La soluzione corrispondente, in tecnologia ibrida, è disegnata in Fi-

gura 8.13, nella quale si sono evidenziati i condensatori di filtraggio
dell’alimentazione di gate (l’unica mostrata) ed in cui i fili di collega-
mento svolgono, con il loro effetto parassita di tipo induttivo, funzione
di filtraggio.
Come seconda considerazione, è evidente che la rete di polarizzazio-
ne fornisce al progettista esperto un ulteriore grado di libertà per la
sintesi delle reti di adattamento. Tale approccio, ossia la progettazio-
ne simultanea di reti di alimentazione e di adattamento, però risulta
particolarmente delicato e complesso, coinvolgendo anche gli aspetti di
stabilizzazione appena citati.
Nel seguito si farà quindi riferimento alla rete di polarizzazione co-
me elemento a sé stante, disgiunto dalla rete di adattamento a mi-
croonde.
1 nF
100 pF
l/4
l/4
rf out
rf in
FET
Figura 8.13: Esempio di rete di polarizzazione in un circuito ibrido a

microonde.
8.2.3 Reti di stabilizzazione

Nel paragrafo precedente si è affermato che esistono diversi approc-
ci per risolvere i problemi legati alla stabilità del dispositivo attivo,
e si è evidenziato come il guadagno fornito da un amplificatore sia
strettamente collegato alla stabilità del dispositivo stesso.
Nella progettazione di un amplificatore il dispositivo attivo viene so-
litamente scelto anche in modo tale che, nella banda di lavoro, il dispo-
sitivo stesso sia già incondizionatamente stabile e che quindi, tramite
l’adattamento simultaneo coniugato, sia in grado di fornire le massime
prestazioni in termini di guadagno (M AG).
Può accadere però che a frequenze più basse del limite inferiore del-
la banda operativa, il fattore di stabilità k del dispositivo, comprensi-
vo della sua rete di polarizzazione, sia inferiore all’unità, rendendo il
dispositivo potenzialmente instabile al di fuori dalla banda utile. Pa-
rimenti il dispositivo, condizionatamente stabile nella banda operati-
va, potrebbe avere un fattore di stabilità inferiore all’unità anche a
frequenze superiori.
Visto che di norma il progetto delle reti di adattamento viene realiz-
zato per garantire stabilità ed adattamento nella gamma di frequenze
di lavoro, al di fuori di questa si deve invece cercare di stabilizzare
il più possibile il dispositivo, per evitare che variazioni dei parametri
del circuito o della tecnologia rendano instabile il circuito provocando
l’innesco di oscillazioni: tali oscillazioni vanificano l’efficacia dell’intero

progetto, rendendo l’amplificatore praticamente inservibile.
In Figura 8.14 viene riportato in forma schematica il grafico già pre-
sentato in Figura 8.5, in cui viene mostrato l’andamento del guadagno e
del fattore di stabilità del dispositivo attivo in funzione della frequenza,
evidenziando una possibile regione per le frequenze di lavoro. In tale
figura alla frequenza fx il fattore di stabilità k diventa superiore all’u-
nità, rendendo la rete a due porte incondizionatamente stabile∗ . A tale
frequenza nel grafico corrisponde il passaggio tra il massimo guadagno
stabile e il massimo guadagno disponibile.
Per rendere l’amplificatore risultante incondizionatamente stabile
anche al di fuori della gamma operativa, si dovrà fare in modo quindi di
innalzare il valore di k laddove questo risulta essere inferiore all’unità.
k
MSG MSG
MAG k=1
k
MAG
f
fx fmin fmax
{
banda di progetto
Figura 8.14: Andamento schematico del guadagno e del fattore di

stabilità al variare della frequenza.
L’operazione di aumento del fattore di stabilità non può effettuar-

si semplicemente introducendo elementi reattivi, come già dimostrato.
Infatti il fattore di stabilità (o più in generale la stabilità) è invariante
rispetto a trasformazioni reattive sia di tipo serie che parallelo con reti
in cascata. Per rendere evidente tale asserzione si pensi alla rappre-
sentazione del carico in ingresso (o in uscita), stavolta nel piano delle
impedenze.
L’inserimento di reattanze induttive o capacitive in serie all’ingres-
so non fa altro che traslare verticalmente il semipiano dei carichi a
∗
Si suppone qui e nel seguito che la condizione k>1 sia sufficiente a garantire la
stabilità incondizionata, ipotizzando quindi implicitamente che il determinante della
matrice di diffusione sia minore dell’unità.
Gi
GG , GL j1
zona
X j0.5
instabile
j2
ZG , ZL +X j0.2 j5
R 0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
-j0.2 -j5
zona
-X
instabile -j0.5 -j2
-j1
Figura 8.15: Effetto dell’inserimento in serie al carico esterno di una

reattanza.
parte reale positiva (Figura 8.15), non variando quindi il carico presen-
tato all’ingresso o all’uscita del dispositivo. Stesso risultato si ottiene
se si considera il piano delle ammettenze e l’effetto dell’inserimento
in parallelo di suscettanze capacitive o induttive. Il fattore di stabi-
lità (o meglio la stabilità in generale) non viene quindi influenzato da
trasformazioni reattive.
Per contro, l’inserimento di elementi resistivi in serie, provoca la
traslazione orizzontale verso destra del semipiano delle impedenze a
parte reale positiva (Figura 8.16). In definitiva l’inserzione di un ele-
mento resistivo in serie aumenta il valore minimo della parte rea-
le del carico. Considerazione duale nel caso dell’inserimento di una
conduttanza in parallelo.
Da tale rappresentazione grafica risulta anche calcolabile, operati-
vamente, il valore minimo di resistenza che rende incondizionatamente
stabile il dispositivo.
L’effetto di stabilizzazione si ottiene quindi connettendo una resi-
stenza in parallelo o in serie al terminale di ingresso (gate) oppure in
parallelo o in serie al terminale di uscita (drain). Poiché l’inserimento
delle sole resistenze provocherebbe una diminuzione del guadagno del-
l’amplificatore anche nella banda d’interesse, per garantire il massimo
guadagno ottenibile, ai resistori in serie si può connettere in parallelo
un condensatore mentre ai resistori in parallelo può affiancare in se-
rie un induttore. Tali elementi reattivi devono essere opportunamente
dimensionati in modo tale che, nella banda di interesse, l’intero grup-
Gi
GG , GL j1 zona
X j0.5
instabile
j2
ZG , ZL j0.2 j5
Rserie R 0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
+Rserie -j0.2 -j5
zona
instabile -j0.5 -j2
-j1
Figura 8.16: Effetto dell’inserimento in serie al carico esterno di una

resistenza.
po di stabilizzazione presenti impedenza trascurabile. In Figura 8.17

vengono riportate le quattro possibili reti dissipative e selettive in fre-
quenza che si possono utilizzare per la stabilizzazione del dispositivo
attivo di un amplificatore.
Per dualità è possibile derivare anche le reti che consentono la sta-
bilizzazione a frequenze più alte della gamma operativa, sostituendo ai
condensatori induttori (e viceversa), come in Figura 8.18. Si noti come
sia le reti in Figura 8.17 che in Figura 8.18 (PG e PD in particolare)
possano essere utilizzate anche come reti di polarizzazione.
SD
SG
PD
PG
Figura 8.17: Stabilizzazione in bassa frequenza del dispositivo attivo

mediante reti dissipative e selettive.
Esiste però anche la possibilità che il dispositivo attivo a disposi-

SD
SG
PD
PG
Figura 8.18: Stabilizzazione in alta frequenza del dispositivo attivo

mediante reti dissipative e selettive.
zione sia potenzialmente instabile, ossia il fattore di stabilità k risulti

essere inferiore all’unità, anche all’interno della banda di lavoro. In
questo caso, a parte la stabilizzazione fuori banda di cui si è già di-
scusso, si può accettare tale potenziale instabilità e progettare le reti
di adattamento facendo molta attenzione al posizionamento dei carichi
esterni, come si vedrà meglio in seguito. In alternativa, è possibile in-
serire reti dissipative in serie o in parallelo all’ingresso e/o all’uscita
del dispositivo per modificare radicalmente il fattore di stabilità della
rete risultante. È chiaro che in questo caso le prestazioni in termini di
guadagno potrebbero risultare degradate da tale rete dissipativa, che
ha effetti negativi anche sul rumore (in special modo se la rete è sull’in-
gresso) o sulla potenza di uscita (in special modo se la rete è sull’uscita).
Tale approccio costituisce cosı̀ una ulteriore possibilità a disposizione,
cui ricorrere nel caso non si abbiano alternative valide, quali ad esem-
pio la stabilizzazione del dispositivo mediante reti di reazione cui si
accennerà nel prossimo paragrafo.
8.2.4 Stabilizzazione mediante reazione

In applicazioni a banda larga, a frequenze comunque non molto ele-
vate, la soluzione più adottata per la stabilizzazione è senz’altro l’in-
troduzione della rete dissipativa/selettiva in reazione al dispositivo at-
tivo. L’utilizzazione della reazione riesce a garantire che il guadagno
sia abbastanza costante nella banda di utilizzo, ed inoltre contribuisce
a facilitare l’adattamento del dispositivo risultante.
Si consideri lo schema di Figura 8.19, in cui viene riportato un di-
spositivo attivo al quale si sono aggiunte le due tipologie di reazione
possibili: reazione parallela (di tipo parallelo/parallelo), fornita dal

resistore Rp , e reazione serie (di tipo serie/serie), fornita da Rs .
Rp
Rs
Figura 8.19: Dispositivo attivo con reazione serie e parallelo.
Per l’analisi della stabilità a bassa frequenza, basta considerare un

modello del dispositivo attivo molto semplificato, del tipo riportato in
Figura 8.20.
Rp
gate drain
gm Vgs
source
Rs
Figura 8.20: Modello a bassa frequenza del FET con reazione serie e
parallelo.
La matrice delle ammettenze del circuito sarà:

 
1 1
 − 
 Rp Rp 
Ybf =  Ã !  (8.1)
 gm 1 1 
 
−
1 + gm · Rs Rp Rp
Dalla (8.1), considerando le porte entrambe normalizzate su Z0 ,

si possono ottenere i parametri di scattering a bassa frequenza del
dispositivo reazionato:
 
gm · Z02 2 · Z0
 1 − 
1  Rp (1 + gm · Rs ) Rp 
Sbf = ·  (8.2)
∆  −2 · gm · Z0 2 · Z0 gm · Z02 
+ 1−
1 + gm · Rs Rp Rp (1 + gm · Rs )
con:
2 · Z0 gm · Z02
∆=1+ + (8.3)
Rp Rp (1 + gm · Rs )
Come accennato, alle porte di ingresso e di uscita l’utilizzo della
reazione aiuta a portare il coefficiente di riflessione verso l’impedenza
di normalizzazione. Imponendo quindi la condizione di adattamento:
S11 = S22 = 0 (8.4)
si ottiene la relazione
Z02 1
Rs = − (8.5)
Rp gm
Sostituendo la (8.5) nella (8.2) si ricavano le espressioni di S12 e S21
della rete reazionata in bassa frequenza:
Z0
S12,bf = (8.6)
Z0 + Rp
Z0 − Rp Rp
S21,bf = =1− (8.7)
Z0 Z0
Assumendo che il dispositivo attivo sia unidirezionale ed annullan-
do quindi il termine S12 nelle espressioni del guadagno, poiché si sta
stabilizzando il dispositivo (fattore di stabilità almeno unitario), allo-
ra il massimo guadagno ottenibile sarà il massimo guadagno stabile
(M SG):
M SG = |S21,bf |2 (8.8)
Si tenga presente che la (8.8) non esprime il guadagno nella banda

operativa dell’amplificatore reazionato. Se infatti la reazione è desti-
nata a stabilizzare il dispositivo fuori dalla banda operativa, poiché in
essa è già stabile, allora, come si vedrà nel paragrafo 8.2.6, la reazio-
ne introdotta non intaccherà il guadagno, che rimarrà pari al massimo
guadagno disponibile (M AG).
Se invece la stabilizzazione innalza il valore del fattore di stabi-
lità anche nella banda operativa allora il guadagno dell’amplificatore
sarà pari al M SG e dato dalla (8.8). Quindi, a partire dalla (8.7), che
rappresenta l’espressione del guadagno voluto, è possibile ricavare il
valore del resistore di reazione parallelo Rp :
Rp = Z0 (1 − S21,bf ) = Z0 (1 + |S21,bf |) (8.9)
Il resistore Rs impone un vincolo sulla transconduttanza gm del di-

spositivo. Infatti affinché sia valida l’ipotesi di adattamento alle porte
del FET, la minima transconduttanza possibile è quella per la quale Rs
sia nullo (assenza di reazione serie). Si ha quindi:
Rp
gm ≥ (8.10)
Z02
Considerando che per un FET senza reazione si ottiene un S21 a

bassa frequenza fornito dalla:
S21,bf,nf = −2 · gm · Z0 (8.11)
combinando la (8.11) con la (8.10) si ricava:
|S21,bf,nf | Rp 1 + |S21,bf |
gm = ≥ 2= (8.12)
2 · Z0 Z0 Z0
|S21,bf,nf | ≥ 2 (1 + |S21,bf |) (8.13)
ossia il guadagno del FET reazionato sarà circa la metà del guadagno
del FET in assenza di reazione.
Per limitare il numero dei componenti è comunque preferibile non
utilizzare il resistore Rs . Di conseguenza si dovrà scegliere un disposi-
tivo a gm minima, tale che sia rispettato il segno di uguaglianza nella
(8.10).
8.2.5 Progetto delle reti di adattamento

Nel corso del progetto di un amplificatore per piccoli segnali il pro-
getto della rete di adattamento rappresenta l’elemento caratterizzante,
con il quale vengono a determinarsi le prestazioni a microonde del-
l’amplificatore complessivo. A questo punto del progetto infatti, scelto
il dispositivo ed il numero di stadi necessari, determinata la rete di
polarizzazione e di stabilizzazione (in banda e/o fuori banda), il dispo-
sitivo risultante è schematizzabile con un insieme di parametri lineari
che di norma è un set di parametri di scattering. Tale rappresentazio-
ne contiene quindi non soltanto il dispositivo attivo, ma anche la rete
di polarizzazione e stabilizzazione. Di tale rete è possibile determi-
nare, come per ogni rete a due porte, sia la stabilità all’interno della
gamma di frequenze di lavoro che all’esterno della stessa, insieme al
massimo guadagno da essa ottenibile. Siamo a questo punto interes-
sati al comportamento nella banda di progetto, supponendo che le reti
di stabilizzazione precedentemente realizzate abbiano provveduto alla
stabilizzazione fuori banda.
Il problema di progetto è a questo punto riassunto schematicamente
nella Figura 8.21, nella quale ci si riferisce al progetto di un singolo
stadio amplificatore.
GG,ext GG GL GL,ext
Sorgente Carico
IMN OMN
FET + bias Gout,ext

Gin,ext Gin + stabilizzazione
Gout
Figura 8.21: Schema a blocchi di un amplificatore lineare di guada-

gno, monostadio, con reti di adattamento in ingresso e in
uscita.
Quindi lo scopo di questa fase progettuale è quello di sintetizzare

due reti, di adattamento in ingresso (input matching network, IMN)
e di adattamento in uscita (output matching network, OMN), aven-
ti il duplice scopo di adattare l’intero amplificatore alla sorgente, di

impedenza ZG,ext , e al carico, di impedenza ZL,ext , assicurandone al
contempo la stabilità in banda.
Di solito tali livelli di impedenza sono pari a quella di normalizza-
zione, ossia:
ZG,ext = ZL,ext = 50 Ω (8.14)
Ciò implica che il massimo trasferimento di potenza dal generatore

all’amplificatore e dall’uscita di questo si ottiene se e solo se:
Zin,ext = Zout,ext = (50 Ω)∗ = 50 Ω (8.15)
È chiaro che tale risultato potrà ottenersi idealmente ad un numero

limitato di frequenze distinte, e, come già discusso, a livello di spe-
cifiche di progetto viene fornito il valore massimo in banda passante
della perdita di ritorno (return loss) o del rapporto di onda stazionaria
(V SW R).
Si è poi già visto che tali specifiche sono riportabili in maniera del
tutto equivalente in termini di coefficiente di riflessione in ingresso e
in uscita:
1 + |Γin,ext |
RLin = −20 · log10 (|Γin,ext |) ⇐⇒ V SW Rin =
1 − |Γin,ext |
1 + |Γout,ext |
RLout = −20 · log10 (|Γout,ext |) ⇐⇒ V SW Rout =
1 − |Γout,ext |
(8.16)
ossia come modulo del coefficiente di riflessione espresso in dB.
La soluzione del problema di adattamento assume forme diverse a
seconda che il dispositivo (comprensivo della rete di stabilizzazione e
polarizzazione) sia o meno incondizionatamente stabile nella banda di
interesse.
Nel primo caso infatti (dispositivo incondizionatamente stabile), al-
lora k > 1 ed è quindi possibile effettuare un adattamento simultaneo
coniugato alle porte di uscita e di ingresso.
Esistono quindi, come si è visto, due terminazioni ottime che for-
niscono l’adattamento simultaneo coniugato, in ingresso ed in uscita,

determinate dalle

 C1∗ h √ i

 Γ = · B − 2 |S · S | · k 2−1

 G,conj 1 12 21
2 · |C1 |2
(8.17)

 C2∗ h √ i

 2
 ΓL,conj = · B2 − 2 |S12 · S21 | · k − 1
2 · |C2 |2
con
B1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |det (S)|2

B2 = 1 − |S11 |2 + |S22 |2 − |det (S)|2
(8.18)
∗ · det (S)
C1 = S11 − S22
∗ · det (S)
C2 = S22 − S11
Si sottolinea che i parametri di scattering da utilizzare per il calcolo
sono quelli del dispositivo attivo a cui è stata aggiunta la rete di pola-
rizzazione ed eventuale stabilizzazione. In questo caso quindi, deter-
minate tali terminazioni ottime, il problema di progetto si traduce in
quello della sintesi separata di due reti (IMN, Figura 8.22 a sinistra e
OMN, Figura 8.22 a destra) che trasformino il valore coniugato di tali
carichi ottimi in 50 Ω (corrispondenti a Γin,ext e Γout,ext ).
GG,ext = 0 GG,conj GL,conj GL,ext = 0

Sorgente Carico
IMN OMN
Gin,ext = 0 *
Gin = GG,conj *
Gout = GL,conj Gout,ext = 0
Figura 8.22: Problema di sintesi nel caso k>1.
In maniera equivalente tale problema di sintesi potrebbe anche es-

sere descritto come la trasformazione, ad opera delle IMN e OMN, del-
l’impedenza di sorgente e di carico rispettivamente nei carichi ottimi
ΓG,conj e ΓL,conj . In realtà i due modi di affrontare il problema sono sol-

tanto apparentemente equivalenti, e l’equivalenza rimane valida sol-
tanto per il caso in cui le reti di adattamento siano reciproche e senza
perdite (o approssimabili come tali).
In caso contrario, semplicemente se si considerano le perdite degli
elementi reali utilizzati per l’adattamento (perdite delle linee di tra-
smissione, perdite degli induttori integrati, dei condensatori integrati
. . . ), l’equivalenza non sussiste più e bisogna controllare l’andamento
dei coefficienti di riflessione ad entrambe le porte della rete di adat-
tamento. In particolare, se non si è disposti ad accettare neanche lie-
vi disadattamenti dell’amplificatore, si preferirà, sintetizzando la rete
di adattamento con elementi reali, trasformare il coniugato del carico
ottimo in 50 Ω.
Se invece si vuole imporre uno specifico valore di coefficiente di ri-
flessione alle porte del dispositivo attivo (come conviene fare nel caso
di progettazione a basso rumore che vedremo più avanti), converrà tra-
sformare i 50 Ω della sorgente o del carico in uscita nel carico ottimo
delle (8.1).
In ogni caso, se le reti sintetizzate sono opportunamente progetta-
te, il risultato sarà che l’amplificatore mostrerà, tra il generatore ed il
carico un guadagno pari al M AG alla frequenza di progetto:
|S21 | ³ p ´
M AG = · k − k2 − 1 (8.19)
|S12 |
Si noti che per l’amplificatore completo, se le reti di adattamento
sintetizzate sono reciproche e senza perdite, il guadagno risultante,
fornito numericamente dalla (8.19), può ottenersi dai parametri di dif-
fusione dell’amplificatore e considerando ZG,ext = ZL,ext = 50 Ω da
una qualsiasi delle espressioni tra quelle del guadagno di inserzione o
di trasduzione o disponibile o di potenza, sempre che le condizioni di
adattamento siano state soddisfatte.
GT,amp |ΓG,ext =ΓL,ext =0 = Gav,amp |ΓG,ext =ΓL,ext =0 =

= GP,amp |ΓG,ext =ΓL,ext =0 =
= GI,amp |ΓG,ext =ΓL,ext =0 = |S21,amp |2
(8.20)
L’adattamento deve essere effettuato chiaramente nella banda di

funzionamento prevista per l’amplificatore. Se si adottano tecniche di
adattamento a banda stretta, del tipo discusso nel capitolo relativo al-
l’adattamento, tipicamente si effettua invece un adattamento ad una
singola frequenza, e le caratteristiche in banda della rete risultante
saranno dipendenti dalla tipologia, dal numero di elementi utilizzati e
dalla complessità della rete stessa.
Di solito, nel caso di amplificatori a banda stretta, l’adattamento
alle sezioni d’ingresso e d’uscita dell’amplificatore viene effettuato al-
l’estremo superiore della banda operativa di frequenze. Viene eseguita
quindi un’ottimizzazione numerica per rispettare le specifiche di return
loss su tutta la banda specificata.
Tale situazione viene riassunta in Figura 8.23, ipotizzando di im-
porre un return loss di ingresso e di uscita superiore a 20 dB.
0
Adattamento
-10 a fmax
-20
|S11|
|S22| -30 Adattamento
a centro banda
[dB]
-40
-50
fmin fmax
f [GHz]
Figura 8.23: Andamento del modulo dei parametri di scattering S11 e

S22 dell’intero amplificatore al variare della frequenza.
Il raggiungimento di un adattamento ottimale non esaurisce però il

problema di progettazione della rete di adattamento in ingresso ed in
uscita.
L’altra specifica da rispettare, ossia un guadagno il più costante pos-
sibile su tutta la banda d’interesse, comporta necessariamente il peg-
gioramento delle prestazioni di adattamento in ingresso o in uscita.
Infatti, se idealmente si riuscisse ad adattare in maniera perfetta su
tutta la banda di interesse, il guadagno risultante sarebbe il MAG su
tutta tale banda, e presenterebbe, come mostrato più volte (ad esem-
pio in Figura 8.5) un naturale roll-off (diminuzione all’aumentare della
frequenza).
Risulta quindi naturale disadattare in maniera controllata l’ampli-
ficatore in ingresso o in uscita in maniera tale da equalizzare l’anda-
mento in frequenza del guadagno. Visto che il guadagno è naturalmen-

te più alto a bassa frequenza, si preferisce in tale gamma disadattare,
cercando cosı̀ di mantenere un adattamento migliore a più alta fre-
quenza (sempre nella banda passante). Viene inserita a tale scopo una
rete di equalizzazione, come mostrato in Figura 8.24. La realizzazione
della rete di equalizzazione può avvenire utilizzando elementi reatti-
vi (RMA, Reactively Matched Amplifiers) o tramite una rete resistiva
(LMA, Lossy Matched Amplifiers).
Nel primo approccio si ha il vantaggio di non introdurre perdite e
di non peggiorare le eventuali caratteristiche di bassa rumorosità del-
l’amplificatore, ma non rende possibile il contemporaneo adattamento
all’ingresso, o all’uscita, dell’amplificatore (a seconda del punto prescel-
to per la rete di equalizzazione). Questo perché tale rete ha lo scopo di
riflettere parte della potenza al suo ingresso (o all’uscita), e questo è
ottenibile proprio disadattando l’ingresso (l’uscita) stesso.
Il secondo caso (lossy match) consente l’adattamento in quanto la
potenza non viene riflessa ma dissipata su una rete resistiva: ciò ha
ripercussioni sul guadagno ottenibile e sulle prestazioni nei confronti
del rumore.
fmin fmax fmin fmax fmin fmax
IMN
+ OMN
equal.
FET + bias
+ stabilizzazione
Figura 8.24: Struttura di un amplificatore ad anello aperto, a banda

larga, singolo stadio con equalizzazione in ingresso.
8.2.6 Adattamento per reti condizionatamente stabili

Nel caso in cui la rete composta dal dispositivo attivo completato
dalla sua rete di polarizzazione e stabilizzazione fuori banda sia condi-
zionatamente stabile (k < 1), non è possibile effettuare l’adattamento

simultaneo coniugato. È possibile procedere in due modi distinti e con
impatti notevolmente differenti sulle prestazioni risultanti:
• si stabilizza in banda il dispositivo, aggiungendo elementi dissi-

pativi (resistori) in serie o in parallelo all’ingresso e/o all’uscita
oppure si effettua una stabilizzazione a controreazione, come de-
scritto precedentemente; effettuata la stabilizzazione, il fattore di
stabilità sarà k 0 > 1 e sarà possibile applicare le metodologie e le
procedure descritte nel paragrafo precedente;
• si ammette la potenziale instabilità e si progettano le reti di adat-

tamento in ingresso ed in uscita in modo che i carichi presentati
al dispositivo instabile rimangano comunque nella regione di sta-
bilità del dispositivo (definita dai cerchi di stabilità in ingresso ed
in uscita).
Il primo approccio ha comunque il vantaggio di portare ad un pro-

getto incondizionatamente stabile, robusto rispetto alle variazioni pa-
rametriche del processo di realizzazione, caratteristica che invece po-
trebbe portare all’instabilità nel caso si scelga il secondo approccio.
Chiaramente le prestazioni in termini di guadagno potrebbero degra-
dare, in special modo per progetti ad alta frequenza. Inoltre, utilizzan-
do la prima modalità di progetto si arriva comunque ad ottenere un
buon adattamento sia all’ingresso che all’uscita dell’intero amplificato-
re, caratteristica alla quale intrinsecamente, come si vedrà a breve, si
deve rinunciare nel caso di progettazione con dispositivo condizionata-
mente stabile.
Si tenga comunque presente, come chiarito nella discussione del
massimo guadagno stabile, che quest’ultimo è invariante rispetto all’in-
serzione, in serie o in parallelo, di elementi passivi e reciproci (anche
con perdite). Quindi, se si modifica il fattore di stabilità mediante l’in-
serzione di elementi dissipativi, il massimo guadagno stabile non varia
(non varia il rapporto S21 /S12 ), progressivamente però migliorando la
stabilità della rete.
Se si considera il secondo approccio, come discusso nella sezione ri-
guardante i guadagni delle reti a due porte e la loro stabilità, il massi-
mo guadagno ottenibile è pari al massimo guadagno stabile coniugato
(CSG), fornito dalla:
|S21 |
CSG = 2 · k · (8.21)
|S12 |
Tale valore di guadagno è stato ottenuto, nella sua derivazione, por-

tando al limite di stabilità (ossia sul bordo del cerchio di stabilità) l’in-
gresso o l’uscita e facendo cosı̀ arrivare sul bordo della carta di Smith
rispettivamente il coefficiente di riflessione in uscita o in ingresso alla
rete. In tale condizione, anche se teoricamente utilizzabile, non si ha
trasferimento di potenza attiva (l’ingresso o l’uscita sono puramente
reattivi). Quindi si deve cercare di disadattare sia l’ingresso che l’u-
scita in maniera da tenere entrambi al di fuori del cerchio di stabilità
corrispondente. A tale scopo risulta particolarmente conveniente l’uti-
lizzazione dei cerchi a guadagno disponibile o a guadagno in potenza
costante, che nel caso di rete condizionatamente stabile assumono la
forma in Figura 8.25.
GG , GL j1
j0.5
CSG
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 8.25: Andamento dei cerchi a guadagno operativo o disponibile

costante in caso di stabilità condizionata.
La scelta di un determinato valore di carico (in uscita o in ingresso)

comporta da un lato la selezione del guadagno corrispondente, e dall’al-
tro la determinazione del disadattamento, ottenibile tramite i cerchi a
disadattamento costante in ingresso o in uscita, definiti precedente-
mente e che possono essere diagrammati nello stesso piano.
Come accennato, in questo caso bisogna porre particolare attenzione
alle fluttuazioni del processo tecnologico di realizzazione del circuito.
Infatti la stabilità condizionata potrebbe trasformarsi in instabilità se,
a causa di fluttuazioni realizzative, venisse a modificarsi la collocazione
e le dimensioni dei cerchi di stabilità dell’ingresso e dell’uscita.
Riassumendo le due possibilità a disposizione, nel primo caso si ot-
tiene, come guadagno massimo, l’M SG, mentre nel secondo si ottiene
il CSG = 2 · k · M SG. In entrambi i casi bisognerà disadattare (an-

corché leggermente) entrambe le porte per ottenere trasferimento di
potenza. È chiaro che se si vuole puntare al massimo guadagno, il pri-
mo approccio sarà da preferire per fattori di stabilità k < 0.5, mentre il
secondo fornirà un guadagno maggiore per k > 0.5. Dal punto di vista
della stabilità, il primo approccio è senz’altro più robusto rispetto alle
variazioni parametriche del dispositivo e della tecnologia realizzativa
dei passivi.
8.2.7 Progetto della rete di adattamento interstadio

Nel caso di progettazione di un amplificatore multistadio, oltre al
progetto delle reti di adattamento in ingresso ed in uscita, è necessario
procedere al progetto della rete di adattamento tra i diversi stadi.
GG1,conj GL1,conj GG2,conj GL2,conj

Generatore Carico
Interstage Matching
GG
Network
IMN OMN GL
*
Gin1 = GG1,conj *
Gin2 = GG2,conj
*
Gout1 = GL1,conj *
Gout2 = GL2,conj
Figura 8.26: Schema a blocchi di un amplificatore ad anello aperto a

due stadi.
Con riferimento alla Figura 8.6, nella quale viene rappresentato un

amplificatore a doppio stadio, si supponga che i dispositivi siano incon-
dizionatamente stabili nella gamma di frequenze di lavoro (k > 1 per
entrambi) e che esista quindi la possibilità di adattamento coniugato
simultaneo per entrambi, fornita dalle coppie di carichi:

 ∗
C1,1 h p i

 Γ = · B − 2 |S · S | · k 2−1

 G1,conj 1,1 12,1 21,1 1
2 · |C1,1 |2
(8.22)

 ∗
C2,1 h p i

 2−1
 ΓL1,conj = · B 2,1 − 2 |S12,1 · S21,1 | · k 1
2 · |C2,1 |2

 ∗
C1,2 h p i

 Γ = · B − 2 |S · S | · k 2−1

 G2,conj 1,2 12,2 21,2 2
2 · |C1,2 |2
(8.23)

 ∗
C2,2 h p i

 Γ = · B − 2 |S · S | · k 2−1
 L2,conj 2,2 12,2 21,2 2
2 · |C2,2 |2
rispettivamente per il primo ed il secondo dispositivo. La rete di adat-

tamento interstadio avrà quindi il compito di mostrare al primo di-
spositivo un coefficiente di riflessione pari a ΓL1,conj alla sua porta di
ingresso e al secondo dispositivo un coefficiente di riflessione pari a
ΓG2,conj alla sua porta di uscita. In termini progettuali quindi, la re-
te di interstadio dovrà trasformare il carico Γ∗L1,conj nel carico Γ∗G2,conj .
Tale procedura può essere attuata semplicemente ricorrendo alle tecni-
che di adattamento descritte nel capitolo corrispondente, e preferendo
come realizzazione una rete risultante che presenti una capacità serie,
che possa svolgere anche la funzione di disaccoppiamento in continua
dei due stadi.
Il progetto delle reti di adattamento in ingresso ed in uscita viene
poi effettuato come nel caso del singolo stadio, progettando la rete IMN
in modo che mostri all’ingresso del primo dispositivo un coefficiente di
riflessione pari a ΓG1,conj e la rete OMN in modo che mostri all’uscita
del secondo ΓL2,conj .
La rete di adattamento interstadio può poi anche essere usata come
rete di equalizzazione del guadagno: in questo caso infatti si può cerca-
re di disadattare l’interstadio senza compromettere drammaticamente
l’adattamento dell’intero amplificatore.
Per concludere e dimostrare l’utilizzazione dei concetti esposti nel
caso di amplificatori monolitici, si consideri l’amplificatore integrato
monolitico a due stadi la cui fotografia al microscopio è mostrata in
Figura 8.27.
In tale amplificatore il segnale in ingresso viene applicato al pad
coplanare a sinistra e quello di uscita, dopo una lunga linea a 50 Ω,
prelevato dal pad coplanare di destra. In questo caso è visibile la rete
di adattamento in ingresso del primo stadio (essenzialmente induttore
parallelo/induttore serie), la rete di adattamento di uscita del secondo
stadio (induttore parallelo/capacità serie e linee) e la rete di interstadio.
Il secondo stadio è progettato utilizzando lo schema a controreazio-
ne che verrà discusso nel paragrafo successivo, mentre il primo stadio
è un classico stadio ad anello aperto.
Amplificatori reazionati 335
Figura 8.27: Fotografia di un amplificatore a piccolo segnale mono-

litico a due stadi (MECSA – Università di Roma Tor
Vergata).
Sono poi chiaramente identificabili, in alto ed in basso nella fotogra-

fia, le reti di polarizzazione e di filtraggio dell’alimentazione.
8.3 Amplificatori reazionati

Gli amplificatori reazionati trovano un largo impiego nei circuiti in-
tegrati monolitici, ma il loro uso è confinato a frequenze relativamente
basse (qualche decina di GHz come limite massimo). Infatti il guada-
gno ad anello aperto dei dispositivi utilizzati nella gamma di frequen-
ze delle microonde è relativamente basso e diminuisce all’aumentare
della frequenza di impiego. Quindi, poiché la reazione ha l’effetto di
diminuire il guadagno, questa non può essere adottata quando si ope-
ra a frequenze troppo elevate, per non parlare di inevitabili potenziali
problemi introdotti dalla stessa reazione.
In Figura 8.28 è mostrato uno schema a blocchi di massima di un
amplificatore lineare reazionato a due stadi.
Come si nota la struttura di questa topologia di amplificatori è ana-
loga a quella degli amplificatori ad anello aperto con l’aggiunta delle
reti di reazione per il dispositivo attivo.
Per la realizzazione delle reti di polarizzazione si faccia riferimento
a quanto già detto nel paragrafo 8.2.2.
L’inserimento della reazione ha il vantaggio di stabilizzare il dispo-
Rete di reazione Rete di reazione
Generatore Carico
Interstage Matching
GG
Network
IMN OMN GL
Figura 8.28: Schema a blocchi di un amplificatore reazionato a doppio

stadio.
sitivo e di provvedere anche ad una equalizzazione del guadagno, in

modo tale che esso sia il più possibile costante nella banda operativa
dell’amplificatore (che risulta aumentata per effetto della reazione).
Esistono due tipi di reazione tipicamente applicate agli amplificato-
ri ad alta frequenza: la reazione serie (Series Feedback) e la reazione
parallelo (Shunt Feedback).
La reazione parallelo è la più utilizzata nella realizzazione di ampli-
ficatori di media potenza o di guadagno. Essa consiste nell’inserimento
di un percorso che colleghi il terminale di gate al terminale di drain.
L’elemento di reazione che viene inserito al solo scopo di incrementare
il fattore di stabilità k è una resistenza.
L’uso della sola resistenza porta però ad un deterioramento del gua-
dagno dell’amplificatore all’aumentare della frequenza, e per tale mo-
tivo nel percorso di reazione vengono cosı̀ introdotti elementi reattivi,
come riportato in Figura 8.29.
Cdcb Rf Lf
Figura 8.29: Rete di reazione di tipo shunt feedback.
Il condensatore Cdcb ha lo scopo di disaccoppiare le tensioni di pola-

rizzazione di gate e di drain del dispositivo, mentre l’induttanza Lf con-
Amplificatori bilanciati 337
tribuisce a rendere piatto il guadagno all’aumentare del range di fre-

quenze in cui deve operare l’amplificatore, in maniera tale che l’impat-
to della reazione diminuisca all’aumentare della frequenza e tendendo
cosı̀ a compensare il roll-off naturale del guadagno del dispositivo.
Il corretto dimensionamento dell’induttanza è di fondamentale im-
portanza per l’ottenimento delle prestazioni volute dell’amplificatore e
viene effettuato tipicamente mediante l’ausilio di strumenti CAD.
La reazione serie è generalmente utilizzata nella progettazione di
amplificatori a basso rumore utilizzando un induttore tra il termina-
le di source e massa. Tuttavia in alcuni casi tale reazione può essere
sfruttata anche nella realizzazione di amplificatori di guadagno. In
questo caso la reazione serie è di tipo resistivo ed è introdotta insieme
alla reazione parallelo in modo tale da facilitare l’adattamento in in-
gresso ed in uscita dell’amplificatore e per rendere ancora più piatto il
guadagno nella banda di lavoro.
Come esempio di stadio amplificatore progettato con una reazione,
si consideri il secondo stadio dell’amplificatore in Figura 8.27.
8.4 Amplificatori bilanciati

Nella progettazione di amplificatori a banda larga, una delle prin-
cipali difficoltà è quella di garantire buoni valori di adattamento in
ingresso ed in uscita dall’amplificatore stesso e contemporaneamente
un guadagno il più possibile costante all’interno della banda operativa.
Una possibile soluzione a tale problema è data dalla configurazione
ad amplificatori bilanciati, di cui una schematizzazione è mostrata in
Figura 8.30.
rf in 1 4 1 4
A Z0
Ampl. X
rf out
Z0 2 3 A 2 3
Ibrida 1 Ampl. Y Ibrida 2

3 dB, 90° 3 dB, 90°
Figura 8.30: Schema a blocchi di un amplificatore bilanciato.
Questa struttura è formata da due amplificatori, idealmente iden-

tici, collegati mediante due accoppiatori direzionali a 3 dB (giunzioni

ibride) a 90◦ .
Di seguito viene descritto il principio di funzionamento di questa
struttura. Il segnale in ingresso alla porta 1, Ein , dell’amplificatore
bilanciato viene suddiviso in parti uguali ma sfasate di 90◦ dall’accop-
piatore:
Ein Ein
E3,1 = j · √ E4,1 = √ (8.24)
2 2
Questi due segnali andranno rispettivamente in ingresso ai due am-
plificatori X e Y . I segnali riflessi da questi ultimi, tramite il coefficien-
te di riflessione dell’amplificatore, ρin,amp , uguali in quanto anche i due
amplificatori lo sono, verranno riportati sia alla porta 1 che alla porta
2 dell’ibrida di ingresso, alle quali si avrà:
Ã !
E3,1 E4,1 Ein Ein
E1,1 = j · √ · ρin,amp + √ · ρin,amp = − + · ρin,amp =
2 2 2 2
= 0 (8.25)
Ã !
E3,1 E4,1 Ein Ein
E2,1 = √ · ρin,amp + j · √ · ρin,amp = j · + · ρin,amp =
2 2 2 2
= j · Ein · ρin,amp (8.26)
Dunque su quest’ultima i due segnali riflessi sono in fase e verran-

no sommati e dissipati sulla resistenza di terminazione Z0 . Sulla porta
1 invece i segnali riflessi dagli amplificatori verranno riportati in oppo-
sizione di fase e la loro somma, che sarà zero, porterà all’adattamento
della porta d’ingresso∗ .
I segnali trasmessi dagli amplificatori, ciascuno caratterizzato da
un ugual guadagno S21,amp , incideranno alle porte 1 e 2 della seconda
ibrida:
S21,amp
E1,2 = S21,amp · E4,1 = √ · Ein (8.27)
2
∗
In realtà in tale approssimazione non si considera il coefficiente di riflessione non
ideale dell’ibrida: infatti, anche in condizioni di perfetto bilanciamento, l’adattamento
dell’amplificatore bilanciato non può essere migliore di quello dell’ibrida stessa alla
porta di ingresso (o di uscita rispettivamente).
S21,amp
E2,2 = S21,amp · E3,1 = j · √ · Ein (8.28)
2
Verranno cosı̀ a combinarsi infine sulle porte 3 e 4 della seconda
ibrida fornendo:
E1,2 E2,2 S21,amp S21,amp

E3,2 = √ +j· √ = · Ein − · Ein =
2 2 2 2
= 0 (8.29)
E1,2 E2,2 S21,amp S21,amp

E4,2 = j · √ + √ = j · · Ein + j · · Ein =
2 2 2 2
= j · S21,amp · Ein = Eout (8.30)
Si sommeranno quindi in opposizione di fase sulla porta isolata del-

l’ibrida di uscita, chiusa sulla terminazione adattata Z0 , mentre si som-
meranno in fase sulla porta di uscita. Come chiaro dalla (8.30), il se-
gnale d’uscita risulterà quindi essere il segnale d’ingresso amplificato,
con amplificazione pari a quella del singolo amplificatore, e sfasato di
90◦ . La situazione descritta viene evidenziata in Figura 8.31.
Analogamente, se si stacca la sorgente di ingresso e si ipotizza che
un segnale sia iniettato dalla porta d’uscita dell’amplificatore bilan-
ciato, è possibile verificare che anche l’adattamento d’uscita è ideale
(ossia la porta di uscita della struttura è adattata). Tale situazione è
riportata in Figura 8.32.
Infatti, detto ancora Ein il segnale supposto in ingresso alla por-
ta di uscita dell’ibrida,
√ questo√ si suddividerà nelle due componenti
E1,2 = j · Ein / 2 e E2,2 = Ein / 2, incidenti sui circuiti di uscita dei due
amplificatori. Tali circuiti di uscita, caratterizzati dallo stesso coeffi-
ciente di riflessione ρout,amp , produrranno alle porte isolata e di uscita
dell’ibrida in uscita i due segnali:
1 j
E3,2 = √ · ρout,amp · E1,2 + √ · ρout,amp · E2,2 = j · ρout,amp · Ein (8.31)
2 2
j 1
E4,2 = √ · ρout,amp · E1,2 + √ · ρout,amp · E2,2 = 0 (8.32)
2 2
Ein 1 4 1 4
Z0 0° A 0°
Z0
90° 90° rin, amp S 90° 90°
21, amp
0° 0°
Z0 A Z0
2 3 2 3
rin, amp S
21, amp
Figura 8.31: Funzionamento dell’amplificatore bilanciato.
1 4 1 4
Z0 0° A 0°
Z0
90° 90° rout, amp 90° 90°
S12, amp
0° 0°
Ein
Z0 A
2 3 2 3
rout, amp
S12, amp
Figura 8.32: Adattamento in uscita dell’amplificatore bilanciato.
ossia complessivamente un segnale riflesso alla porta di uscita nul-

lo, con riflessioni interne che vanno a dissiparsi sulla terminazione
adattata dell’ibrida di uscita.
La configurazione bilanciata porta ad avere cosı̀ un amplificatore
adattato all’ingresso ed all’uscita anche se i singoli stadi di amplifica-
zione della struttura risultano essere disadattati, purché siano comun-
que identici (non abbiamo infatti fatto ipotesi sui valori dei coefficien-
ti di riflessione in ingresso ed uscita dei due amplificatori). Per tale
motivo questi amplificatori vengono utilizzati in applicazioni in cui è
richiesto un basso coefficiente di riflessione in ingresso ed in uscita, ma
possono peraltro essere utilizzati anche come amplificatori di potenza
(utilizzando la caratteristica proprietà di sommare le potenze di uscita
dei due stadi).
La banda di lavoro degli amplificatori bilanciati è strettamente di-
pendente dalla limitazione in frequenza degli accoppiatori direzionali
utilizzati. La massima banda ottenibile può raggiungere e superare
l’ottava nel caso in cui vengano adoperati degli accoppiatori di Lange.
È da considerare inoltre che, a parità di guadagno ottenibile, questa

topologia necessita di una potenza d’ingresso doppia in confronto ad
una tradizionale ad anello aperto. In tali condizioni però, la potenza
di uscita della configurazione è il doppio di quella ottenibile dal singolo
dispositivo.
La complessità circuitale degli amplificatori bilanciati ne sfavorisce
l’utilizzazione nel caso in cui tra le caratteristiche del sistema che li
contiene venga richiesto un minimo ingombro (area occupata). Chiara-
mente tale considerazione va pesata con la frequenza di utilizzazione e
le modalità realizzative dell’ibrida∗ .
Quale esempio realizzativo di un amplificatore bilanciato, si consi-
deri la versione monolitica in Figura 8.33.
Figura 8.33: Amplificatore monolitico bilanciato per la banda Ku

(Alenia Spazio – Università di Roma Tor Vergata).
∗
È possibile infatti realizzare l’ibrida sia in forma concentrata (preferibile nella
gamma delle basse microonde) che in forma distribuita. In quest’ultimo caso all’au-
mentare della frequenza operativa le dimensioni dell’ibrida, spesso legate a sezioni a
quarto d’onda, vengono a ridursi sensibilmente.
Nell’amplificatore, che è un esempio bilanciato in banda Ku, pos-

sono riconoscersi le due ibride in ingresso ed in uscita (accoppiatori a
3 dB di Lange), che vanno a combinare gli ingressi e le uscite di due
amplificatori composti ciascuno da due stadi.
8.5 Amplificatori distribuiti

Fra le caratteristiche che si richiedono ad un amplificatore c’è tal-
volta quella di avere una banda di funzionamento molto più ampia di
quelle ottenibili con gli approcci fin qui descritti. Anche la stessa con-
figurazione a controreazione in ogni caso presenta la limitazione, in-
trinseca ad ogni dispositivo attivo, legata al prodotto Banda-Guadagno
dello stesso: qualsiasi sia la configurazione che si adotta per il dispo-
sitivo (source comune, drain comune, gate comune o altra da essi de-
rivabile), il prodotto della banda passante dell’amplificatore realizzato
per il guadagno in banda rimane una costante. L’allargamento della
banda passante quindi porta con sé una diminuzione del guadagno fino
a livelli che, nel caso di bande ultralarghe, può diventare inaccettabile.
In questi casi si deve ricorrere a configurazioni alternative. La
soluzione basata sull’utilizzazione di configurazioni bilanciate infat-
ti, se da un lato risolve il problema dell’adattamento su una banda
più ampia, riesce ad arrivare alle larghezze di banda della struttura
di combinazione/divisione, ma non può essere portata a coprire deca-
di di funzionamento come avviene invece nel caso della Amplificazione
Distribuita.
Il concetto di amplificazione distribuita fu introdotto inizialmente
nel 1937 da Percival, con successivi sviluppi e applicazioni negli ampli-
ficatori a microonde grazie ai miglioramenti della tecnologia relativa a
partire dal lavoro di Niclas.
Per cercare di comprendere il meccanismo di funzionamento del-
l’amplificazione distribuita, si focalizzi l’attenzione sui motivi che ren-
dono limitato il prodotto banda-guadagno di un dispositivo attivo, ed
in particolare la diminuzione del guadagno dello stesso con la frequen-
za all’aumentare di quest’ultima. A tale scopo si faccia riferimento al
circuito equivalente semplificato a piccolo segnale di un dispositivo ad
effetto di campo (MESFET o HEMT) mostrato nella Figura 8.34.
Si sono omessi nella figura per semplicità i componenti parassiti
(estrinseci), inessenziali nella trattazione semplificata seguente. Al-
l’aumentare della frequenza, l’impedenza associata alla capacità di in-
gresso Cgs diminuisce, di fatto tendendo a cortocircuitare l’ingresso del
Amplificatori distribuiti 343
Iin Cgd Iout
Gate Drain
+
Cgs Vgs
- gmVgs Cds Rds
Ri
Source
Figura 8.34: Circuito equivalente a piccolo segnale semplificato per

un dispositivo ad effetto di campo.
dispositivo. Parimenti la capacità di uscita Cds tende a cortocircuitare

l’uscita del dispositivo. Infine il condensatore Cgd (tratteggiato in fi-
gura per ipotizzare successivamente l’unilateralità del funzionamento)
tende a mettere in comunicazione diretta ingresso e uscita, cosı̀ va-
nificando l’effetto del generatore controllato gm . Da tali osservazioni
risulta chiaro che la diminuzione del guadagno è ascrivibile all’effet-
to delle capacità intrinseche del dispositivo e alla loro interazione con
gli elementi di amplificazioni. In dettaglio, supponendo il dispositivo
unilaterale, le correnti di ingresso e di uscita sono fornite da:
Iin = jωCgs · Vgs (8.33)
Igm = gm · Vgs (8.34)

Il guadagno in corrente risultante è quindi:
Igm gm
|h21 | = = (8.35)
Iin ωCgs
Definendo la frequenza di cut-off fT del dispositivo come quella alla
quale il guadagno in corrente dello stesso diventa unitario, ossia:
gm
fT = f ||h21 |=1 = (8.36)
2πgs
è possibile ottenere, per il massimo guadagno in potenza del dispositi-
vo, l’espressione:
Ã !2 Ã !2
I gm Rds ft Rds
Gav,max = · = · (8.37)
Iin 4 · Ri f 4 · Ri
da cui si ottiene, per la massima frequenza di oscillazione fmax , os-

sia quella alla quale il guadagno in potenza del dispositivo diventa
unitario:
s
fT Rds
fmax = · (8.38)
2 Ri
Dalle espressioni appena determinate, è chiaro il roll-off del gua-
dagno per un dato dispositivo. Sempre considerando tali reattanze,
risulta evidente come sia possibile sintetizzare delle strutture di adat-
tamento che riescano a effettuare il massimo trasferimento di potenza
ad una data frequenza (con una singola cella), mentre è sempre più
difficile effettuare l’adattamento all’aumentare della banda richiesta:
diventa infatti insostenibile la complessità delle reti di adattamento e
aumentano con essa le perdite connesse.
D’altro canto, se si considera una linea di trasmissione ideale, ca-
ratterizzata da capacità C ed induttanza L per unità di lunghezza
(F/m e H/m), è noto che tale struttura, in assenza di perdite (resisten-
za R e conduttanza G per unità di lunghezza entrambe nulle) presen-
ta una impedenza caratteristica ZC e una costante di propagazione γ
rispettivamente fornite dalle:
s
L
ZC = ∈< (8.39)
C
√
γ =j·ω· L·C =j·β ∈= (8.40)
Siamo quindi in presenza di una struttura che consente propagazio-
ne senza perdite e senza limitazioni in frequenza di sorta (non c’è, in
questo caso, una frequenza di taglio superiore). Inoltre, se si termina la
struttura sulla sua impedenza caratteristica ZC , l’ingresso della strut-
tura rimane a tale valore costante al variare della frequenza, rendendo
l’adattamento in ingresso molto semplice.
L’idea essenziale nell’amplificazione distribuita è quella di cercare
di utilizzare proprio gli elementi che determinano il comportamento
degradato del guadagno del dispositivo all’aumentare della frequenza
(ossia gli elementi reattivi) per costruire con essi delle strutture che
possano, seguendo lo stesso principio delle linea di trasmissione ideale,
essere utilizzate su bande molto ampie∗ . Chiaramente a tali elementi
∗
Si tenga presente che lo stesso principio viene applicato non soltanto nel caso
dell’amplificazione, ma anche nel caso del mescolamento, andando a realizzare mixer
attivi distribuiti con bande istantanee di funzionamento superiori alla decade.
andranno aggiunti elementi esterni per la costruzione della struttu-

ra, in particolare che sostituiscano il ruolo dell’induttanza per unità di
lunghezza di una linea di trasmissione. È evidente poi che per cerca-
re di realizzare una struttura a cascata di celle, saranno necessari più
dispositivi attivi.
La struttura essenziale di un amplificatore distribuito è mostrata
in Figura 8.35 per il caso di quattro dispositivi attivi.
linea di drain, Z0,d rf output
Z0,d
rf input linea di gate, Z0,g Z0,g
Figura 8.35: Schema di un amplificatore distribuito a quattro dispo-

sitivi attivi.
In tale configurazione, se si analizza la parte inferiore della connes-

sione, i gate dei singoli transistori risultano connessi con delle indut-
tanze esterne∗ , andando in definitiva a realizzare una rete a scala com-
posta da una cascata di celle elementari e terminata sull’impedenza
Z0,G .
Nell’ipotesi di induttori esterni e transistori identici, tale rete a sca-
la replica, su base discreta e finita, la cascata di infinite celle elementa-
ri proprie di una linea di trasmissione, sintetizzando una rete del tipo
mostrato in Figura 8.36.
Nella parte superiore dell’amplificatore in Figura 8.35 invece, vie-
ne a costituirsi una cascata di celle a T anch’esse identiche, termina-
ta a sinistra da un’impedenza Z0,D e la cui uscita somma i contributi
elementari forniti da tutti i generatori controllati dei dispositivi attivi.
Le due strutture cosı̀ costituite sono denominate rispettivamente li-
nea di gate e linea di drain, e risultano accoppiate, nell’ipotesi di unila-
∗
Al posto delle induttanze possono utilizzarsi dei tratti di linea di trasmissione con
opportuna impedenza caratteristica, costituendo cosı̀ una struttura semi-distribuita.
Le proprietà e le caratteristiche risultanti non si allontanano significativamente da
quelle che verranno esposte di seguito.
L/2 L/2 L/2 L/2 L/2 L/2
C C C
Figura 8.36: Rete a scala ottenuta tramite la configurazione distribui-

ta.
teralità del dispositivo attivo, dalla sola transconduttanza di quest’ul-

timo.
Il segnale di ingresso viaggia cosı̀ sulla linea di gate e pilota ciascun
dispositivo attivo con una fase differente, determinata dalla costante di
propagazione βg su tale linea, per andare poi ad essere dissipato sulla
terminazione della linea stessa.
Ciascun generatore di uscita dei singoli dispositivi, pilotato con se-
gnali a fase differente, inietterà sulla linea di drain un segnale a fase
diversa che si propagherà quindi verso la terminazione di tale linea
e verso l’uscita con una costante di propagazione βd . Chiaramente si
dovrà cercare di far sommare i vari contributi in fase verso l’uscita.
Abbiamo finora tacitamente supposto che le due terminazioni Z0,g e
Z0,d fossero di valore pari all’impedenza caratteristica delle due linee
sintetiche di gate e drain rispettivamente.
In dettaglio, per una rete formata da elementi discreti quale quelle
che stiamo analizzando (e quindi non per una linea di trasmissione di-
stribuita) possiamo definire un’impedenza caratteristica come quel va-
lore su cui chiudere la rete a due porte in modo da ottenere in ingresso
il medesimo valore∗ .
In questo caso tale impedenza, per una rete due porte è determina-
bile dall’espressione:
p
Z0 = Zoc · Zsc (8.41)
dove Zoc e Zsc sono rispettivamente le impedenze di ingresso con uscita

chiusa in aperto e corto circuito.
Nel nostro caso, ipotizzando di rimanere nell’ipotesi di assenza per-
∗
In realtà questa per una linea di trasmissione è una proprietà dell’impedenza
caratteristica e non una definizione.
dite, se si assume per le celle unitarie delle linee di gate e drain una
tipica configurazione a T desumibile dalla Figura 8.36, si ottiene:
 Ã !

 1 ω 2 Lg Cgs

 Zoc,g = · 1−

 jωCgs 2


  
ω 2 Lg Cgs (8.42)

 jωL  2− 
 g 2


 Zsc,g = · 2L C 


 2 ω g gs
 1−
2
 Ã !
 1 2
ω Ld Cds


 Zoc,d =
 · 1−

 jωCds 2

  
ω 2 Ld Cds (8.43)

 jωLd  2 − 
 2


 Zsc,d = ·


 2 ω 2 Ld Cds 
 1−
2
da cui
v Ã ! s s
u
u Lg L C
g gs L g ω2
Z0,g =t · 1 − ω2 · = · 1− 2 (8.44)
Cgs 4 Cgs ωc,g
v Ã ! s s
u
u Ld L C
d ds L d ω2
Z0,d =t · 1 − ω2 · = · 1− 2 (8.45)
Cds 4 Cds ωc,d
in cui ωc,g e ωc,d sono rispettivamente le frequenze di cut-off delle linee

di gate e drain, pari a:
2
ωc,g = p (8.46)
Lg Cgs
2
ωc,d = √ (8.47)
Ld Cds
Quindi, fintanto che la frequenza operativa rimane distante da ωc,g
e ωc,d , l’impedenza caratteristica delle due linee è reale e praticamente
costante, pari a:
s s
Lg Ld
Z0,g ≈ Z0,d ≈ (8.48)
Cgs Cds
Per determinare le caratteristiche di trasferimento dell’amplificato-

re, si faccia riferimento alla Figura 8.37, nella quale si sono omessi per
semplicità i componenti resistivi del circuito equivalente del dispositi-
vo.
Si è ipotizzata inoltre la linea di gate pilotata da un generatore di
tensione (Eg ) con impedenza interna pari a quella di terminazione della
linea di gate (Z0,g non indicata) e un carico esterno della linea di drain
pari all’impedenza di terminazione di quest’ultima (Z0,d ).
cella 1 cella 2 cella 3 cella n
Lg Lg Lg Lg
Eg Cgs Cgs Cgs Cgs Z0,g
Z0,d Cds I1 Cds I2 Cds I3 Cds In Vout
Ld Ld Ld Ld
Figura 8.37: Circuito equivalente dello schema distribuito, con linee

di gate e drain risultanti.
La corrente totale nel carico sarà la somma delle singole correnti

I1 , I2 , . . . In , ossia:
n
1 X
Itot = · Ii · exp [−j · (n − i + 1) · ϑd ] (8.49)
2
i=1
dove il fattore 1/2 presuppone che la corrente emessa da ciascun gene-

ratore si suddivida equamente verso la terminazione della linea Z0,d e
verso l’uscita, e ϑd è lo sfasamento introdotto sul segnale dall’attraver-
samento della cella unitaria della linea di drain.
A sua volta, l’onda di tensione che si propaga lungo la linea di
gate produrrà delle differenze di potenziale V1 , V2 , . . . Vn in ingresso a
ciascun dispositivo fornite dalle:
V1 = Vin · exp (−j · ϑg )

V2 = Vin · exp (−j · 2 · ϑg )
..
.
Vn = Vin · exp (−j · n · ϑg ) (8.50)
in cui ϑg è lo sfasamento introdotto sul segnale dall’attraversamento

della cella unitaria della linea di gate. Ora, per ciascuna corrente di
uscita:
I1 = gm · V1
I2 = gm · V2
..
.
In = gm · Vn (8.51)
Dall’assunzione di linee senza perdite si ha chiaramente:
|V1 | = |V2 | = . . . = |Vn | = |Vin |

|I1 | = |I2 | = . . . = |In | = gm · |Vin | (8.52)
Dalle (8.49)-(8.52) si ottiene per la corrente totale:
n
1 X
Itot = · Ii · exp [−j · (n − i + 1) · ϑd ] =
2
i=1
n
1 X
= · gm · Vi · exp [−j · (n − i + 1) · ϑd ] =
2
i=1
n
X
1
= · gm · Vin · exp [−j · (n − i + 1) · ϑd − j · i · ϑg ] =
2
i=1
n
X
1
= · gm · Vin · exp (−j · (n + 1) · ϑd ) · exp [j · i · (ϑd − ϑg )] =
2
i=1
n−1
X
1
= · gm · Vin · exp [−j · (n · ϑd + ϑg )] · exp [j · k · (ϑd − ϑg )] =
2
k=0
1 1 − exp [j · n · (ϑd − ϑg )]
= · gm · Vin · exp [−j · (n · ϑd + ϑg )] ·
2 1 − exp [j · (ϑd − ϑg )]
(8.53)
Il modulo di tale corrente vale poi:
¯ " Ã !#¯
¯ ¯
¯ sin n · ϑd − ϑg ¯
¯ 2 ¯
1 ¯ ¯
¯
|Itot | = · gm · Eg · ¯ Ã ! ¯¯ (8.54)
4 ¯ ϑd − ϑg ¯
¯ sin ¯
¯ 2 ¯
fornendo, per la potenza dissipata sul carico Z0,d :
1
PL = · |Itot |2 · Re (Zd ) =
2
¯ " Ã !#¯2
¯ ϑ − ϑ ¯
¯ sin n · d g ¯
¯ 2 ¯
1 2 2 ¯
¯ ¯
= · gm · |Eg | · ¯ Ã ! ¯¯ · Re (Z0,d )
32 ¯ ϑd − ϑg ¯
¯ sin ¯
¯ 2 ¯
(8.55)
che, tenuto conto della potenza disponibile dal generatore Pav,g :
1 |Eg |2 |Eg |2
Pav,g = · = (8.56)
2 4 · Re (Z0,g ) 8 · Re (Z0,g )
fornisce il guadagno disponibile della struttura Gav,twa :
PL
Gav,twa = =
Pav,g
¯ " Ã !#¯2
¯ ϑ − ϑ ¯
¯ sin n · d g ¯
¯ 2 ¯
1 2 ¯ ¯
= · gm · Re (Z0,g ) · Re (Z0,d ) · ¯¯ Ã ! ¯¯
4 ¯ ϑd − ϑg ¯
¯ sin ¯
¯ 2 ¯
(8.57)
Se si ipotizza che sia applicabile la condizione di sincronismo tra le

due linee, ossia che si abbia
βg = βd −→ ϑg = ϑd (8.58)
allora
1 2
Gav,twa = · g · Re (Z0,g ) · Re (Z0,d ) · n2 (8.59)
4 m
Quindi in definitiva il guadagno della struttura distribuita può es-
sere considerato, in prima approssimazione, costante in frequenza (fin-
tanto che tali rimangono le due impedenze di terminazione) e può es-
sere accresciuto aumentando il numero di stadi.
È chiaro che tale risultato dipende dall’ipotesi di aver considerato

le due linee prive di perdite. Rimuovendo tale approssimazione e con-
siderando le attenuazioni per unità di cella Ag e Ad per le due linee di
gate e drain rispettivamente, si ottiene invece l’espressione:
¯ ¯
1 2 ¯ exp (−n · A ) − exp (−n · A )¯2
¯ d g ¯
Gav,twa = · gm · Re (Z0,g ) · Re (Z0,d ) · ¯ ¯
4 ¯ Ad − Ag ¯
(8.60)
Quindi l’effetto dell’introduzione delle perdite è duplice: da un lato
il segnale di ingresso nel progredire lungo la linea di gate verrà at-
tenuato e piloterà ciascun dispositivo con una ampiezza decrescente.
Dall’altro le correnti uscenti da ciascun terminale di drain dovranno
attraversare, per raggiungere l’uscita, un numero più alto di celle e
quindi verranno ulteriormente attenuate.
Il risultato è che esiste un numero ottimale di celle per la massimiz-
zazione del guadagno, oltre il quale quest’ultimo ritorna a diminuire,
dato da:
Ã !
Ad
ln
Ag
nopt = (8.61)
Ad − Ag
Senza entrare nel dettaglio della loro derivazione, le attenuazioni

della linea di gate e di drain sono date rispettivamente da:
Ã !2 ! Ã
ωωc
·
ωg
ωc
Ag = v (8.62)
u  Ã !2  Ã !2 
u ωc ω 
u  
t 1− 1− ·
 ωg ωc 
Ã !
ωd
ωc
Ad = v (8.63)
u Ã !2 
u ω
u 
t 1−
ωc
in cui si è posto:
1 1
ω = 2πf ωg = ωd = (8.64)
Ri · Cgs Rds · Cds
essendo ωg e ωd legate alle costanti di tempo dei circuiti di ingresso
ed uscita del dispositivo e, nell’ipotesi di rispetto della condizione di
sincronismo, ωc è la frequenza di cut-off (identica) delle due linee:
2 2
ωc = p =√ (8.65)
Lg Cgs Ld Cds
Dai tipici valori estraibili per un dispositivo attivo si può ottenere
una attenuazione per la linea di gate di solito maggiore della corrispon-
dente per la linea di drain.
Le prestazioni in frequenza dell’amplificatore distribuito ed il nu-
mero ottimo di stadi sono cosı̀ determinati dall’attenuazione della li-
nea di gate, mentre quella di drain andrà ad influenzare il valore del
guadagno massimo ottenibile. Nella Figura 8.38 sono riportati gli an-
damenti tipici della risposta in frequenza di un amplificatore distri-
buito al variare del numero di stadi. I valori degli elementi del circuito
equivalente del dispositivo attivo utilizzato e degli elementi addizionali
inseriti sono indicati all’interno della stessa figura.
15
n = 2, 3, 4, 5
10
G
[dB]
5
Cgs= 0.25 pF Ri = 5 W
Cds= 0.1 pF Rds= 240 W
0 Lg = 0.3 nH gm = 60 mS
Z0 = 50 W
-5
0 5 10 15 20 25 30 35
f [GHz]
Figura 8.38: Andamenti caratteristici del guadagno in funzione della

frequenza al variare del numero di stadi.
Come si può notare, all’aumentare del numero di stadi il guadagno

complessivo a bassa frequenza aumenta (anche se in misura progressi-
vamente minore), mentre la larghezza di banda va diminuendo. Nell’e-

sempio riportato, anche lo stesso guadagno oltre cinque stadi diminuirà
a causa delle perdite associate alla linea di gate.
Abbiamo finora tralasciato la parte di potenza che, sulla linea di
drain, viaggia e si dissipa nella terminazione della stessa. Con passag-
gi analoghi a quanto effettuato nel caso del guadagno verso il carico, si
può ottenere per il guadagno verso la terminazione:
¯ " Ã !#¯2
¯ ϑ + ϑ ¯
¯ sin n · d g ¯
¯ 2 ¯
PZd 1 2 ¯ ¯
Gav,twa,rev = = · gm · Re (Z0,g ) · Re (Z0,d ) · ¯¯ Ã ! ¯¯
Pav,g 4 ¯ ϑd + ϑg ¯
¯ sin ¯
¯ 2 ¯
(8.66)
Se si suppone di operare nella condizione di sincronismo, che mas-
simizza il guadagno verso il carico esterno, possiamo porre:
βg = βd = β −→ ϑg = ϑd = ϑ (8.67)
da cui
¯ ¯
PZd 1 2 ¯ sin (n · ϑ)¯2
¯ ¯
Gav,twa,rev = = · gm · Re (Z0,g ) · Re (Z0,d ) · ¯ ¯ (8.68)
Pav,g 4 ¯ sin (ϑ) ¯
che risulta essere decisamente trascurabile, a patto che si abbia ϑ 6=

k · π, k = 0, 1, 2 . . ., caso nel quale i due guadagni (diretto e inverso)
sono numericamente uguali.
Si tenga poi presente che di norma l’amplificatore distribuito andrà
inserito in un sistema in cui necessariamente ingresso ed uscita do-
vranno essere adattate su 50 Ω, ossia si dovrà avere la chiusura delle
linee di gate e drain sulle loro impedenze caratteristiche pari a 50 Ω,
corrispondenti alla coppia di vincoli:
 s

 Lg

 Z ≈ = 50 Ω

 0,g Cgs
s (8.69)



 Z ≈ Ld

 0,d = 50 Ω
Cds
Si deve poi garantire la condizione di sincronismo, ossia che si abbia:

p p
Lg Cgs = Ld Cds (8.70)
Dal punto di vista progettuale, i tre vincoli non possono essere sod-
disfatti simultaneamente con le sole variabili libere a disposizione, os-
sia i valori degli induttori esterni Lg e Ld . Si può ricorrere allora ad
una modifica dello schema topologico di base inserendo delle capacità
esterne al dispositivo attivo in serie al gate (Cgs,ext ) ed in parallelo al
drain (Cds,ext ).
Chiaramente, insieme al benefico effetto dal punto di vista proget-
tuale, ne risulterà una diminuzione del guadagno∗ e difficoltà nella
polarizzazione.
Per concludere la trattazione dell’amplificatore distribuito, di segui-
to sono riportate alcune tra le caratteristiche di maggior rilievo della
topologia analizzata.
• L’amplificatore distribuito è più facilmente adattabile rispetto ad

altre strategie progettuali, vista la relativa invarianza in frequen-
za della sua impedenza di ingresso ed uscita.
• C’è un buon isolamento uscita-ingresso unito alla natura intrin-

secamente non risonante delle singole celle, il che comporta una
buona stabilità dell’intero amplificatore, soprattutto in banda.
• La configurazione distribuita è sicuramente versatile e ben si pre-

sta alla realizzazione anche di altre funzioni oltre all’amplificazio-
ne, quali la divisione e combinazione di potenza, la moltiplicazio-
ne, il mescolamento e la generazione di frequenza.
• La topologia è relativamente robusta rispetto alle variazioni pa-

rametriche del processo realizzativi, sia per i componenti passivi
che per gli elementi attivi.
• La variazione in temperatura è blanda ed uniforme.
• Infine, l’amplificatore distribuito consente il funzionamento della

struttura anche se uno degli stadi componenti cessasse di funzio-
nare (graceful degradation).
∗
Dovuta sia alla diminuzione del segnale che pilota ciascun gate, in presenza di un
partitore capacitivo, che alla diminuzione della corrente utile sul carico, in presenza,
sul drain, di un partitore di corrente.
Chiaramente la trattazione effettuata qui è semplicemente intro-

duttiva e non vuole essere esaustiva delle possibilità dell’amplificazio-
ne distribuita. Molte varianti sul tema sono state proposte in letteratu-
ra, a riguardo sia dell’utilizzazione di dispositivi con periferie differen-
ti che a schemi di alimentazione alternativi. Solo a titolo di esempio
si riporta di seguito una possibile soluzione per aumentare il guada-
gno della struttura distribuita, realizzando una configurazione detta a
matrice.
linea di drain, Z0,d rf output
Z0,d
linea di
gate/drain
Z0,gd
Z0,gd
rf input linea di gate, Z0,g Z0,g
Figura 8.39: Amplificatore distribuito a matrice.
Nella Figura 8.39 è riportato un esempio di amplificatore distribui-

to a matrice a due righe. L’amplificatore coniuga, con tale topologia,
il principio del guadagno additivo tipico dell’amplificazione distribuita
a quello del prodotto dei guadagni, classico nella cascata di amplifica-
tori. In prima approssimazione infatti, si può stimare il guadagno di
tale struttura come pari al prodotto dei guadagni di due amplificatori
distribuiti posti in cascata. Ovviamente si possono realizzare ampli-
ficatori a più di due righe, anche se oltre un certo numero di stadi le
perdite conseguenti iniziano ad essere consistenti maggiori dei guada-
gni ottenibili e non è quindi più vantaggioso aumentare ulteriormente
il numero di righe.
Per concludere questo paragrafo, si vuole presentare un esempio
di realizzazione di amplificatore distribuito monolitico, mostrato nel-
la Figura 8.40. L’amplificatore è composto da tre stadi ed opera nella
gamma bassa delle frequenze delle microonde (0.5 − 6.5 GHz). Sono fa-
cilmente individuabili le due linee di gate (in basso) e di drain (in alto),
che sono state realizzate utilizzando dei tratti di linea a microstriscia
Figura 8.40: Amplificatore distribuito monolitico a tre stadi (Elettro-

nica SpA – Università di Roma Tor Vergata).
per avere il necessario comportamento induttivo.

Esercizi 357
8.6 Esercizi
1. Sia dato il transistore caratterizzato dai seguenti parametri di
scattering:
# GHZ S MA R 50
8.0 .61 -145 2.51 55 .110 16 .37 -92
9.0 .58 -165 2.37 42 .110 10 .33 -104
10.0 .57 175 2.21 27 .110 7 .30 -118
11.0 .58 156 2.05 15 .120 3 .27 -136
12.0 .60 139 1.87 2 .120 0 .27 -157
Si determinino le reti di adattamento in ingresso ed in uscita al

dispositivo che consentono di adattarlo a 50 Ω per f = 10 GHz,
eventualmente aggiungendo elementi resistivi per stabilizzarlo.
Si diagrammi quindi il guadagno e si determini la banda passante
risultante da tale selezione per l’intero stadio.
2. Sia dato il transistore caratterizzato dai seguenti parametri di

scattering:
# GHZ S MA R 50
3.0 .90 -51 3.15 131 .060 57 .58 -35
4.0 .84 -68 3.07 115 .080 47 .54 -46
5.0 .77 -86 2.97 99 .090 37 .50 -58
6.0 .70 -106 2.83 84 .100 28 .45 -70
7.0 .64 -126 2.66 69 .110 21 .41 -81
Si determinino le reti di adattamento in ingresso ed in uscita al

dispositivo che consentono di adattarlo a 50 Ω per f = 5 GHz,
eventualmente aggiungendo elementi resistivi per stabilizzarlo.
Si diagrammi quindi il guadagno e si determini la banda passante

risultante da tale selezione per l’intero stadio.
3. Utilizzando il transistore dell’esercizio 1, si progetti un amplifica-

tore a doppio stadio con frequenza centrale f = 10 GHz dapprima
come cascata di due stadi identici e successivamente progettando
ad hoc la rete di adattamento di interstadio.
4. Utilizzando il transistore dell’esercizio 2, si progetti un amplifica-

tore a doppio stadio con frequenza centrale f = 5 GHz dapprima
come cascata di due stadi identici e successivamente progettando
ad hoc la rete di adattamento di interstadio.
Capitolo 9
Rumore ed amplificatori a
basso rumore
Indice del capitolo

9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360
9.1.1 Rumore Termico (Johnson noise) . . . . . . . . . . . . . 360
9.1.2 Densità di potenza del rumore termico . . . . . . . . . . 362
9.1.3 Rumore Shot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 364
9.1.4 Rumore Flicker e Rumore 1/f . . . . . . . . . . . . . . . 364
9.2 Grandezze caratterizzanti il rumore nei bipoli . . . . . . . . . . 365
9.2.1 Resistenza, conduttanza e temperatura equivalente di
rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366
9.2.2 Connessioni di bipoli rumorosi . . . . . . . . . . . . . . 368
9.3 Grandezze caratterizzanti il rumore nelle reti multiporta . . . 370
9.3.1 Temperatura equivalente, fattore e cifra di rumore . . . 371
9.3.2 Temperatura equivalente di un attenuatore . . . . . . . 373
9.3.3 Temperatura di rumore di sistema . . . . . . . . . . . . 374
9.4 Rappresentazioni per reti a due porte rumorose . . . . . . . . . 376
9.4.1 Derivazione dei parametri di rumore delle reti lineari a
due porte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
9.4.2 Parametri di rumore delle reti lineari a due porte . . . . 383
9.4.3 Cascata di reti due porte rumorose . . . . . . . . . . . . 386
9.4.4 Misura di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 387
9.5 Amplificatori a basso rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 389
9.5.1 Tecnologie per dispositivi attivi a basso rumore . . . . . 390
9.5.2 Prestazioni di rumore dei dispositivi attivi . . . . . . . . 391
9.5.3 Progettazione di stadi amplificatori a basso rumore . . 398
359
360 9. Rumore ed amplificatori a basso rumore
9.6 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404
9.1 Introduzione
Il rumore può essere definito come una fluttuazione statistica delle

proprietà elettriche dei dispositivi, causata da fenomeni spontanei. Ta-
li fenomeni possono essere di diversa natura ed una breve descrizione
verrà data nel seguito.
Non si vuole qui infatti effettuare una trattazione esaustiva dell’ar-
gomento ma soltanto fornire gli strumenti necessari per la caratteriz-
zazione esterna e la modellistica di reti rumorose, per dotare il lettore
degli strumenti necessari alla progettazione di amplificatori a basso
rumore.
9.1.1 Rumore Termico (Johnson noise)
È riferito all’energia cinetica di un insieme di particelle come risul-

tato della sua temperatura finita (> 0 K). Se alcune particelle sono ca-
riche (ad esempio a causa di una ionizzazione), l’energia cinetica di tipo
vibrazionale si può accoppiare elettricamente con un altro dispositivo,
se esiste un percorso per la sua trasmissione.
La potenza disponibile, cioè la massima energia che si può essere
estrarre da tale corpo nell’unità di tempo, vale k · T · B, come noto.
In quest’ambito, B è la banda in Hz del percorso di trasmissione
dell’energia (o del sistema di misura), k, costante di Boltzmann (1.38 ·
10−23 J/K), fornisce l’energia meccanica media per particella per grado
di temperatura che si può elettricamente accoppiare.
Si ricordi che la legge dei gas (P ·V = n·R·T ) fornisce la costante uni-
versale R, che è legata alla costante di Boltzmann tramite il numero di
Avogadro (R/k = 6.02 · 10−26 ). La costante k può essere cosı̀ considerata
come un coefficiente di conversione tra le due forme di energia.
La dipendenza lineare della potenza disponibile dalla temperatura
è poi ovvia: maggiore è l’energia sotto forma di vibrazioni microscopi-
che, maggiore è l’energia che si può rimuovere per unità di tempo.
Se si considera ora un conduttore di resistenza R, in cui il valore
di resistenza dipende dalla frequenza (cioè R = R (f )), il moto rando-
mico degli elettroni causato dall’agitazione termica darà luogo ad una
Introduzione 361
differenza di potenziale ai capi del conduttore, il cui valore quadratico

medio è dato da:
Zf2
£ ¤
e2n =4·k·T · R (f ) · p (f ) · df V2 (9.1)
f1
ove p (f ) è la funzione densità di probabilità del processo aleatorio

descritta dalla statistica di Fermi
h·f 1
p (f ) = · Ã ! (9.2)
k·T h·f
exp −1
k·T
e f1 ed f2 sono gli estremi della banda alla quale en è osservata; h è la
costante di Planck (6.62 · 10−34 J · s).
Normalmente, a temperatura ambiente (T0 = 290 K) e per frequenze
inferiori a 100 GHz, si ha
0.992 < p (f ) < 1

e quindi, approssimando p (f ) con l’unità, si ottiene, se R = cost nella
banda B = f2 − f1 ,
e2n = 4 · k · T · R · (f2 − f1 ) = 4 · k · T · R · B (9.3)

La potenza di rumore disponibile da tale resistore è quella che si
ottiene se lo si termina sulla sua impedenza coniugata, ossia:
e2n
Pav = =k·T ·B (9.4)
4·R
ritrovando cosı̀ quanto precedentemente assunto.
Tale potenza disponibile rappresenta cosı̀ la potenza ceduta dal re-
sistore R rumoroso ad un resistore di pari valore ma non rumoroso,
come illustrato nella Figura 9.1.
Se il resistore di carico è di valore diverso da R, ad esempio con
coefficiente di riflessione Γ, si ha, per la potenza di rumore ceduta a Γ,
Pabs :
³ ´
Pabs = 1 − |Γ|2 · Pav (9.5)
ove Γ è normalizzata su R, assunta come impedenza di normalizzazio-

ne.
R
T>0
+ R
en Pav T=0
Figura 9.1: Potenza di rumore disponibile da un bipolo rumoroso.
9.1.2 Densità di potenza del rumore termico

È istruttivo, per concludere la descrizione riguardante il rumore di
tipo termico, illustrare l’elegante derivazione teorica, dovuta a Nyquist,
dell’espressione del rumore di tipo termico (1927).
Si consideri una linea di trasmissione ideale e senza perdite, di lun-
ghezza fisica l e impedenza caratteristica Z0 , terminata da entrambi i
capi in due impedenze rumorose di valore Z0 , come nella Figura 9.2.
1 l , Z0 2
Z0 N21 Z0
T N12 T
Figura 9.2: Esperimento per il calcolo della densità di potenza del

rumore termico.
I due interruttori sono supposti ideali (senza perdite) ed inizialmen-

te aperti. Se si assume che il sistema sia in equilibrio termico alla
temperatura T , la potenza di rumore che viaggia lungo la linea dal re-
sistore alla porta 1 verso la porta 2 (N21 ) deve coincidere con la potenza
di rumore che viaggia lungo la linea in direzione opposta (N12 ).
Se i due interruttori vengono simultaneamente chiusi, le due po-
tenze di rumore saranno ora riflesse al termine della linea, e l’ener-
gia viene cosı̀ intrappolata nella linea di trasmissione, dando origine
Introduzione 363
a oscillazioni alla frequenza fondamentale ed alle sue armoniche, con

un nodo di tensione ai terminali della linea (ove è presente un corto
circuito). Le frequenze di oscillazione dipendono dalla lunghezza della
linea, e valgono:
c
fn = n · f1 = n · (9.6)
2·l
ove c è la velocità della luce nel mezzo. Per ogni frequenza esistono
due gradi di libertà (legati al campo elettrico e magnetico nella linea) e
quindi, in base alla teoria classica della termodinamica, ad ogni grado
di libertà è associata un’energia k · T /2.
Il numero di frequenze comprese nella banda B = fn − fm è pari a:
2·l
n − m = (fn − fm ) · (9.7)
c
L’energia in tale banda vale cosı̀:
1 2·l
[En ]ffnm = 2 · · k · T · (n − m) = k · T · (fn − fm ) · (9.8)
2 c
Tale energia è pari all’energia di rumore fornita dalle due resisten-
ze nel tempo τ = l/c impiegato dalla potenza per viaggiare da un’estre-
mità all’altra della linea:
l
[En ]ffnm = 2 · [N ]ffnm · τ = 2 · [N ]ffnm · (9.9)
c
La potenza di rumore da un resistore nella banda da fn a fm vale
cosı̀:
[N ]ffnm = k · T · (fn − fm ) = k · T · B (9.10)
Ad analogo risultato si può pervenire se non si effettua l’approssi-

mazione di bassa frequenza e si sostituisce al k · T l’espressione quan-
tistica dell’energia, ottenendo:
Zfn
h·f
[N ]ffnm = Ã ! · df (9.11)
h·f
fm exp −1
k·T
9.1.3 Rumore Shot

Il rumore di tipo shot è causato dalla natura quantizzata e rando-
mica della corrente elettrica, quale somma di un numero molto grande
di contributi elementari.
La corrente non varia con continuità ma è quantizzata, in base all’u-
nità minima della carica dell’elettrone (q = 1.602·10−19 C). Le particelle
cariche inoltre hanno un flusso non necessariamente uniforme. Laddo-
ve sia presente una barriera di potenziale, l’attraversamento della stes-
sa da parte di particelle cariche è un fenomeno statistico, legato all’e-
nergia dei portatori, dando origine quindi ad un rumore caratterizzato
da una sua distribuzione.
Il superamento della barriera da parte di un’unità di carica è cioè
statisticamente indipendente da quello di particelle in istanti prece-
denti. Nel caso di una corrente continua pari a I0 , tale valore indica
semplicemente la corrente media, ma non indica le variazioni statisti-
che intorno a tale valore o quali frequenze siano coinvolte nelle suddet-
te variazioni. L’analisi statistica di tale fenomeno porta alla conclusio-
ne che il valore quadratico medio di della corrente di rumore ha una
distribuzione fornita dalla:
£ ¤
i2n = 2 · q · I0 · B A2 (9.12)
a cui corrisponde uno spettro di densità di potenza costante in fre-

quenza come nel caso del rumore termico.
Tale relazione rimane comunque valida per frequenze cui corrispon-
de un periodo (T = 1/f ) molto più piccolo del tempo di transito dei
portatori nel dispositivo.
Altri fenomeni legati alla natura quantizzata dei portatori possono
essere descritti in termini di shot noise: ad esempio, il rumore di ge-
nerazione/ricombinazione di coppie elettrone/lacuna nei semicondut-
tori (G-R noise) e la divisione della corrente di emettitore tra base e
collettore nei transitori bipolari (partition noise).
9.1.4 Rumore Flicker e Rumore 1/f

È associato a processi il cui spettro di densità di potenza è inver-
samente proporzionale alla frequenza, ossia diminuisce all’aumentare
di questa. È particolarmente importante a frequenze audio o nei ME-
SFET al GaAs per frequenze inferiori a 100 MHz. Le cause di questo
tipo di rumore sono ancora non completamente note; nei transistori,
Grandezze caratterizzanti il rumore nei bipoli 365
il rumore 1/f è ascritto alla disomogeneità del reticolo e ad effetti di

superficie (centri di ricombinazione o trappole).
Esistono quindi diversi tipi di rumore, originantesi da cause fisiche
diverse. In generale, se un fenomeno trae origine da un elevato numero
di fenomeni elementari, la sua funzione di densità di probabilità ten-
de ad essere di tipo gaussiano, in base al teorema del limite centrale
della teoria della probabilità. Questo significa che la distribuzione di
probabilità è del tipo:
Ã !
1 x2
p (x) = √ · exp − 2
σ 2π 2σ
Sia il rumore termico che quello di tipo shot hanno cosı̀ distribuzioni
di tipo gaussiano.
Dal punto di vista della distribuzione spettrale delle componenti, il
rumore si dice bianco (white noise in analogia al caso cromatico) se il
suo spettro di densità di potenza è uniforme (costante). Il rumore ter-
mico è quindi, al di sotto del centinaio di GHz, di tipo bianco. Nel caso
contrario, il rumore si dice rosa (pink noise): è questo il caso del rumore
in uscita da un filtro selettivo al di fuori della sua banda passante, o
del rumore 1/f .
9.2 Grandezze caratterizzanti il rumore nei bi-

poli
Il rumore in un bipolo di impedenza Z = R + j · X o ammettenza
Y = G + j · B può essere rappresentato da un circuito equivalente di
Thevenin o Norton, quale quello illustrato nella Figura 9.3.
Z+jX
+ 2
en2 in G+jB
Figura 9.3: Rappresentazione di impedenze o ammettenze rumorose.

Se si considera soltanto il rumore di tipo termico, nell’ipotesi di es-

sere a frequenze tali da poter considerare il rumore a distribuzione
uniforme (bianco), la potenza di rumore disponibile nella banda B vale
k · T · B, come già mostrato.
Tale potenza è quella dissipabile su una impedenza (ammettenza)
non rumorosa di valore pari al coniugato dell’impedenza (ammettenza)
del bipolo.
Si ha∗ :
e2n i2n
Pav = kT B = = [W] (9.13)
4R 4G
da cui si ottiene:
e2n = 4 · k · T · R · B
(9.14)
i2n = 4 · k · T · G · B
ove T è la temperatura fisica del bipolo in K.
Visto che il rumore può avere cause fisiche diverse da quelle termi-
che per le quali non sono applicabili direttamente le espressioni (9.14),
queste ultime andranno opportunamente modificate per essere poi ap-
plicate ai diversi tipi di rumore.
9.2.1 Resistenza, conduttanza e temperatura equivalen-

te di rumore
Una prima possibile rappresentazione, applicabile anche al caso ge-
nerale di rumore non soltanto di tipo termico, consiste nel tenere fissa-
ta al valore fisico la temperatura del bipolo e cambiare il valore di re-
sistenza (o conduttanza) fino ad ottenere il valore di rumore misurato;
i valori di resistenza (conduttanza) cosı̀ ottenuti vengono denominati
resistenza Rn (conduttanza Gn ) equivalente di rumore del bipolo.
La seconda possibilità consiste nel tenere fissati i valori di resisten-
za (conduttanza) del bipolo e variare la temperatura fino ad ottenere
il valore di rumore misurato: la temperatura cosı̀ ottenuta prende il
nome di temperatura di rumore del bipolo.
∗
Si noti che si è usata finora la media temporale di una realizzazione del proces-
so aleatorio. Verrà però studiato il rumore quale processo ergodico, ossia nel quale
la media temporale su una realizzazione particolare del processo coincide con la me-
dia d’insieme su un numero infinito di realizzazioni del processo stesso: si supporrà
cioè, se non specificatamente indicato, che si abbia per ogni realizzazione del pro-
cesso. Verranno quindi utilizzate le medie temporali o quelle d’insieme in maniera
equivalente.
In termini formali, definita T0 = 290 K come la temperatura di ru-

more standard, si ha:
• resistenza equivalente di rumore Rn : è definita da:
∆ e2n
Rn = [Ω] (9.15)
4 · k · T0 · B
• conduttanza equivalente di rumore Gn : è definita da:
∆ i2n
Gn = [S] (9.16)
4 · k · T0 · B
Si noti che in entrambe le definizioni non compare la temperatura
fisica della rete ma quella standard T0 : l’eventuale dipendenza dalla
temperatura fisica determina cambiamenti nei valori quadratici medi
di tensione e corrente di rumore e quindi nei corrispondenti Rn e Gn .
Si noti inoltre che Rn e Gn non danno alcuna informazione diretta sui
valori di impedenza (ammettenza) del bipolo.
Il circuito equivalente di rumore di un bipolo descritto da Rn o Gn è
lo stesso equivalente di Thevenin o Norton già mostrati in Figura 9.3,
ove però i valori quadratici medi della tensione o corrente di rumore
sono ora dati da:
e2n = 4kT0 Rn B (9.17)
i2n = 4kT0 Gn B (9.18)
• temperatura equivalente di rumore Te : detta pav la densità di

potenza di rumore disponibile dal bipolo, è definita dalla:
∆ pav
Te = [K] (9.19)
k
perfettamente equivalente, se R (o G) è la resistenza (conduttanza)
fisica, alle:
∆ e2n
Te = (9.20)
4·k·R·B
∆ i2n
Te = (9.21)
4·k·G·B
Il circuito equivalente di rumore di un bipolo descritto da Te è l’equi-
valente di Thevenin o Norton già mostrato in Figura 9.3, ove i valori
quadratici medi della tensione o corrente di rumore sono dati da:
e2n = 4 · k · Te · R · B (9.22)
i2n = 4 · k · Te · G · B (9.23)
Si noti ancora che la temperatura equivalente di rumore non for-
nisce alcuna informazione sulla temperatura fisica del bipolo, a meno
che non si consideri il solo rumore di tipo termico, caso nel quale la
temperatura equivalente coincide con quella fisica.
È facile poi dimostrare le seguenti identità:
Te Rn Gn
= = (9.24)
T0 R G
9.2.2 Connessioni di bipoli rumorosi

Bipoli caratterizzati tramite una delle grandezze testé definite pos-
sono essere connessi in serie o in parallelo e le proprietà di rumore dei
bipoli risultanti possono essere dedotte da quelle dei singoli costituenti.
Per derivare le proprietà della connessione in serie ed in parallelo di
più bipoli, si suppongano innanzitutto stocasticamente indipendenti (e
quindi non correlati) i corrispondenti generatori di rumore dei singoli
bipoli.
Quindi, il valore quadratico medio della tensione di rumore equiva-
lente della connessione in serie di N bipoli vale:
N X
X N N
X
e2n = eni · enj = e2ni (9.25)
i=1 j=1 i=1
mentre il valore quadratico medio della corrente equivalente di rumore

della connessione di N bipoli in parallelo vale:
N X
X N N
X
i2n = ini · inj = i2ni (9.26)
i=1 j=1 i=1
Sulla base delle relazioni precedenti, la resistenza equivalente di

rumore della connessione di N bipoli in serie descritti dalle loro resi-
stenze equivalenti di rumore Rn,i vale:
P
N
4 · k · T0 · Rn,tot · B = 4 · k · T0 · Rn,i · B
i=1
⇓ (9.27)
P
N
Rn,tot = Rn,i
i=1
La conduttanza equivalente di rumore della connessione di N bipoli

in parallelo descritti dalle loro conduttanze equivalenti di rumore Gn,i
è data da:
P
N
4 · k · T0 · Gn,tot · B = 4 · k · T0 · Gn,i · B
i=1
⇓ (9.28)
P
N
Gn,tot = Gn,i
i=1
Per la temperatura equivalente di rumore della connessione in serie

di N bipoli con parte reale dell’impedenza Ri e temperatura di rumore
equivalente Te,i si ha:
P
N P
N
e2n = 4 · k · Te,tot · B · Ri = 4 · k · Te,i · Ri · B
i=1 i=1
⇓
(9.29)
P
N
Te,i · Ri
i=1
Te,tot =
P
N
Ri
i=1
mentre per la temperatura equivalente di rumore della connessione di

N bipoli con parte reale dell’ammettenza Gi e temperatura di rumore

equivalente Te,i in parallelo si ottiene:
P
N P
N
i2n = 4 · k · Te,tot · B · Gi = 4 · k · Te,i · Gi · B
i=1 i=1
⇓
(9.30)
P
N
Te,i · Gi
i=1
Te,tot =
P
N
Gi
i=1
9.3 Grandezze caratterizzanti il rumore nelle

reti multiporta
È bene chiarire che per rete multiporta si intende qui sia una rete
a più porte isofrequenziale (con ingressi e uscite alla stessa frequenza)
che multifrequenziale (con ingressi e uscite a frequenze diverse, come
nei mixer).
Nel primo caso il numero delle porte della rete coincide con il nume-
ro delle porte fisiche, mentre nel secondo il numero di porte della rete
è il prodotto tra porte fisiche e numero di frequenze in esame.
In ogni caso, la porta fisica di uscita sarà necessariamente soltanto
una, come pure la frequenza alla quale caratterizzare le proprietà di
rumore.
Inoltre si ricordi, come già definito nel capitolo riguardante il gua-
dagno di una rete a due porte, che la potenza disponibile da una sorgen-
te è il valore massimo di potenza che può essere estratto dalla stessa.
Tale valore è ottenuto variando arbitrariamente la tensione (o corren-
te) ai suoi terminali, e quindi al variare del carico. Tale potenza è la
massima trasferita ad un carico quando l’impedenza di questo è pari al
coniugato di quella della sorgente.
Il guadagno disponibile di una rete (due porte) è poi pari al rapporto
tra la potenza disponibile alla porta di uscita e la potenza disponibile
alla sorgente in ingresso.
Il guadagno di trasduzione di una rete (due porte), infine, è pa-
ri al rapporto tra la potenza effettivamente ceduta al carico e quella
disponibile al generatore.
Grandezze caratterizzanti il rumore nelle reti multiporta 371
9.3.1 Temperatura equivalente, fattore e cifra di rumore

Per una rete multiporta rumorosa è definibile una
• temperatura equivalente (efficace) di rumore Te : è il rapporto tra

la densità di potenza di rumore disponibile in uscita con gli in-
gressi considerati non rumorosi ed il prodotto tra la costante di
Boltzmann k e la somma di tutti i guadagni disponibili da tutte le
porte di ingresso che forniscono un’uscita alla porta di uscita ed
alla frequenza in esame:
∆ pav,out
Te = P [K] (9.31)
k · Gav,i
i
Si noti che nella definizione si considera una sola porta di uscita

ad una sola frequenza; visto che la definizione parla di potenza dispo-
nibile, un eventuale rumore dal carico non influenza la temperatura
equivalente.
Ogni porta diversa da quella di uscita è poi considerata come porta
di ingresso e deve quindi venir caricata dall’impedenza di sorgente ad
essa connessa. Tale impedenza di sorgente influenzerà quindi il valore
di Te .
La definizione potrebbe anche essere riproposta nei termini seguen-
ti (IRE): Te è la temperatura di rumore equivalente che, assegnata con-
temporaneamente a tutte le porte di ingresso della rete supposta non
rumorosa, fornisce la stessa densità di potenza di rumore disponibi-
le in uscita alla porta di uscita considerata della rete rumorosa. Ad
esempio, se si considera il caso di un amplificatore lineare rumoroso, la
situazione è quella descritta nella Figura 9.4.
rete rete
Z a due porte pav, out Z a due porte pav, out
T=0K rumorosa T = Te K non rumorosa
Figura 9.4: Temperatura equivalente di rumore di una rete a due

porte lineare.
• Fattore di Rumore F : è definito come il rapporto tra la densità di

potenza disponibile in uscita dalla rete rumorosa alla frequenza
considerata e con le porte di ingresso alla temperatura standard

di rumore T0 e la densità di potenza di rumore disponibile in usci-
ta alla frequenza considerata supponendo la rete non rumorosa e
le porte di ingresso alla temperatura standard T0 .
Si noti che per reti due porte con un ingresso ed una uscita, la den-
sità di potenza disponibile in ingresso vale semplicemente k · T0 , men-
tre quella in uscita è composta da due contributi: una parte k · T0 · Gav
originantesi dall’ingresso supposto a temperatura T0 , ed una parte de-
rivante dalla rumorosità della rete in esame; è facile quindi per reti
due porte trovare il legame tra temperatura equivalente di rumore e
fattore di rumore:
¯
pav,out ¯ kT0 Gav + kTe Gav Te
¯
F = ¯ = =1+
pav,out,noiseless ¯ kT0 Gav T0
TS =T0 =290K
(9.32)
m
Te = (F − 1) · T0
La definizione è consistente con quella di H.T. Friis (1944) che de-
finı̀ il fattore di rumore come il rapporto tra i rapporti segnale/rumore
in ingresso ed in uscita, intesi come potenze disponibili∗ ; questo ovvia-
mente considerando la sorgente alla temperatura standard di rumore
T0 :
³ ´ ¯
Sav/ ¯
Nav in ¯
FF riis = ³ ´ ¯¯ =
Sav/
Nav out ¯T
S =T0
Sav,in
kT0 B
= =
Sav,out
(kT0 Gav + kTe Gav ) · B
Sav,in kT0 Gav + kTe Gav
= · =
Sav,out kT0
Te
= 1+ (9.33)
T0
∗
Questa è la definizione che si è utilizzata finora in questo testo nel calcolo delle
proprietà esterne di un amplificatore, nella definizione di minimo segnale rivelabile e
di range dinamico. Tale definizione, per i nostri scopi, è completamente equivalente
alle precedenti.
Il fattore di rumore, come già detto, viene spesso espresso in unità

logaritmiche (dB), e denominato cosı̀ cifra di rumore (noise figure) della
rete:
FdB = N F = 10 · log10 (F ) (9.34)
Allorquando si debbano considerare dispositivi aventi ingressi ed

uscite a frequenze diverse (quali i mixer ad esempio), per l’applicazione
della definizione iniziale di temperatura equivalente di rumore si deve
in ogni caso specificare la posizione e l’impatto delle sorgenti in ingres-
so, arrivando alle definizioni di temperatura equivalente a singola e
doppia banda laterale (si consulti per approfondimento l’appendice C).
9.3.2 Temperatura equivalente di un attenuatore
Un interessante esempio di applicazione della definizione di fatto-

re di rumore consiste nella determinazione del fattore di rumore di un
attenuatore passivo (ossia che generi soltanto rumore di tipo termi-
co). L’attenuatore sia caratterizzato da un guadagno disponibile Gav =
1/L < 1 e sia in equilibrio termico alla temperatura fisica Tamb . Si sup-
ponga l’attenuatore terminato su entrambe le porte da impedenze alla
stessa temperatura Tamb , come in Figura 9.5.
attenuatore
Z rumoroso Z
T = Tamb K L T = Tamb K
T = Tamb
Figura 9.5: Temperatura equivalente di un attenuatore.
Il sistema è in equilibrio termico e quindi la potenza disponibile in

uscita dall’attenuatore deve essere uguale a quella disponibile dalla
terminazione in uscita:
k · Tamb · B
k · Tamb · B · Gav + Pav,att = + Pav,att ≡ k · Tamb · B (9.35)
L
da cui si ricava la potenza disponibile di rumore generata in uscita

dall’attenuatore, Pav,att :
Ã !
1
Pav,att = k · Tamb · B · 1 − (9.36)
L
e la temperatura equivalente di rumore dell’attenuatore, Te,att :
Pav,att Ã !
B 1
Te,att = = Tamb · L · 1 − = Tamb · (L − 1) (9.37)
k · Gav L
ed infine il fattore di rumore Fatt :
Te,att Tamb
Fatt = 1 + =1+ · (L − 1) (9.38)
T0 T0
Dalla relazione precedente, il fattore di rumore di un attenuatore,
se la temperatura fisica dello stesso è pari alla temperatura standard
T0 , coincide numericamente con l’attenuazione (disponibile).
9.3.3 Temperatura di rumore di sistema

Deve ora essere introdotta un’ulteriore quantità che caratterizza il
rumore di reti multiporta: la temperatura di rumore di sistema (o Ope-
rating Noise Temperature), Top . Tale grandezza ha lo scopo di caratte-
rizzare le proprietà rumorose di un sistema nelle specifiche condizioni
operative, tenendo conto non soltanto delle proprietà di rumore della
rete multiporta, ma anche di quelle delle sorgenti e del carico in uscita
(Figura 9.6). Vale a tal proposito la seguente definizione:
• Temperatura di Rumore di Sistema, Top : è definita come il rap-

porto tra la densità di potenza totale fornita al carico reso non
rumoroso (pL,tot ) e il prodotto tra la costante di Boltzmann k e la
sommatoria di tutti i guadagni di trasduzione da tutte le porte
cui viene applicato il segnale verso la porta di uscita (GT,i ):
∆ pL,tot
Top = (9.39)
PI
k· GT,i
i=1
rete a N porte
T = Te,N
kTe,L
T = Te,G K kTe,GGT T = Te,L K
kTe,NGT
Figura 9.6: Definizione di temperatura equivalente di sistema.
Si noti che in questo caso esiste una sola porta ed una sola frequenza
di uscita. Inoltre, il rumore generato nel carico e riflesso indietro dalla
porta di uscita verso l’equivalente non rumoroso del carico è incluso nel
numeratore della definizione. Infine, tutte le porte diverse da quella di
uscita sono considerate ingressi ed il denominatore della definizione
include soltanto i guadagni di trasduzione da quelle porte di ingresso
cui è applicato un segnale.
Dalla definizione è possibile poi dedurre:
P
I P
I+J P
I+J
pL,tot = k · Top · GT,i = k · Te,G,i · GT,i + k · Te,N · GT,i + pΓ
i=1 i=1 i=1
pΓ = |Γ|2 · k · Te,L
(9.40)
ove pΓ è la densità di potenza di rumore generata dal carico e riflessa
indietro su di esso dalla porta di uscita. Si ha cosı̀:
P
I+J
Te,G,i · GT,i
i=1 pΓ
Top = < · Te,N + +
P
I P
I
GT,i GT,i
i=1 i=1
(9.41)
P
I+J
Gav,i
i=1
<=
PI
Gav,i
i=1
ove < è detto fattore di risposta. L’ultimo termine dell’espressione
è solitamente trascurabile rispetto agli altri due. Se poi si considerano
soltanto reti a singola risposta (due porte), l’espressione precedente si
semplifica ulteriormente ottenendo (< = 1):
Top ≈ Te,N + Te,G (9.42)

9.4 Rappresentazioni per reti a due porte ru-

morose
Il comportamento elettrico di reti lineari a due porte è, come noto
e dettagliato nel secondo capitolo, completamente caratterizzato dalla
conoscenza di quattro parametri complessi, che individuano una parti-
colare rappresentazione della rete. Sono cosı̀ possibili rappresentazioni
tramite matrice Z, Y , ABCD, di scattering S o altre ancora.
Il comportamento delle reti a due porte lineari nei confronti del ru-
more è completamente caratterizzabile, come si vedrà nel seguito, me-
diante quattro ulteriori parametri: tipicamente due numeri reali ed
uno complesso.
Come nel caso della rappresentazione a piccolo segnale della rete,
tali parametri possono essere posti in forme diverse, ed il tipo di rap-
presentazione più conveniente dipenderà dall’applicazione specifica e
dalle connessioni della rete.
In generale, data una rete a due porte rumorosa, le sorgenti di ru-
more in essa operanti daranno luogo a contributi di rumore sia alla
porta di ingresso che a quella di uscita. Tali contributi di rumore sono
in generale schematizzabili con dei generatori di tensione e/o corrente
di rumore, a seconda del tipo di rappresentazione prescelto per la rete
due porte. Ad esempio, se la rete è descritta in termini di parametri Y
(Figura 9.7), ossia se
I1 = Y11 · V1 + Y12 · V2
(9.43)
I2 = Y21 · V1 + Y22 · V2
allora i contributi di rumore possono essere posti nella forma di due
generatori di corrente di rumore aggiuntivi del tipo:
I1 = Y11 · V1 + Y12 · V2 + ia
(9.44)
I2 = Y21 · V1 + Y22 · V2 + ib
analogamente per la rappresentazione a parametri Z (Figura 9.8):
V1 = Z11 · I1 + Z12 · I2 + ea
(9.45)
V2 = Z21 · I1 + Z22 · I2 + eb
o tramite matrice di trasmissione ABCD (Figura 9.9):
V1 = A · V2 − B · I2 + en
(9.46)
I1 = C · V2 − D · I2 + in
Rappresentazioni per reti a due porte rumorose 377
I1 I2
rete non
V1 rumorosa V2
ia ib
Y
Figura 9.7: Equivalente di una rete a due porte rumorosa descritta

con parametri Y .
I1 + ea eb
+ I2
rete non
rumorosa
V1 V2
Z

con parametri Z.
I1 + en I2
rete non
V1 rumorosa V2
in
ABCD

con parametri ABCD.
9.4.1 Derivazione dei parametri di rumore delle reti li-

neari a due porte
In ogni caso, qualunque sia la rappresentazione prescelta, visto che
il rumore viene generato internamente alla rete e rappresentato da
due generatori esterni, i processi aleatori associati a tali generatori
non sono stocasticamente indipendenti e saranno quindi parzialmen-
te correlati. È necessario quindi conoscere la correlazione tra i due
generatori.
La correlazione tra due variabili aleatorie X e Y viene data dal
coefficiente di correlazione γ, definito da:
∆ hX · Y ∗ i
r
γ= D E D E (9.47)
|X|2 · |Y |2
il cui modulo risulta quindi sempre minore dell’unità.

Se si considera la rappresentazione tramite matrice di trasmissio-
ne ABCD, seguendo Rothe e Dahlke (1955), entrambi i generatori di
rumore vengono riportati in ingresso alla rete: ciò è in accordo con le
definizioni di grandezze di rumore date in precedenza, tutte riferite
all’ingresso.
Il generatore di corrente di rumore in può essere considerato come la
somma di due contributi, uno parzialmente correlato con il generatore
di tensione en (in2 ) e l’altro non correlato (in1 ), come esemplificato nella
Figura 9.10:
in = in1 + in2 (9.48)
con
hin1 · i∗n2 i = 0 (9.49)
en
+
YG in1 in2
Figura 9.10: Circuito equivalente per il rumore di un due porte in

ingresso (1).
Questo implica che in2 è proporzionale a en tramite il fattore di

proporzionalità complesso Yγ , detto ammettenza di correlazione:
in2 = Yγ · en (9.50)
Per il coefficiente di correlazione si ottiene:
vD E
u 2
hen · i∗n i hen · i∗n2 i u |en |
∗ u
γ = rD E D E = rD E D E = Yγ · t D 2 E (9.51)
|en |2 · |in |2 |en |2 · |in |2 |in |
ed inoltre
hen · i∗n2 i he∗n · in2 i

|γ|2 = rD E D E · r D E D E=
2 2 2 2
|en | · |in | |en | · |in |
D E
® 2
∗ ∗ ∗
en · Yγ · en · hen · Yγ · en i |i n2 |
= D E D E = D E
|en |2 · |in |2 |in |2
(9.52)
Per l’ammettenza di correlazione:
vD E vD E
u u
u |in |2 u |in |2
u u
Yγ = Gγ + j · Bγ = Re (γ) · t D E − j · Im (γ) · t D E (9.53)
2
|en | |en |2
In definitiva, il comportamento rumoroso della rete può essere de-

scritto in maniera equivalente dai due insiemi di parametri:
D E D E
|en |2 |in |2 γ
D E D E (9.54)
|en |2 |in1 |2 Yγ
e quindi da quattro parametri (due reali ed uno complesso). Le relazio-
ni che permettono di passare dall’uno all’altro insieme sono facilmente
ricavabili dalle espressioni precedenti.
La rappresentazione in termini di circuito equivalente della par-
te rumorosa della rete due porte è quindi descrivibile come in Figu-
ra 9.11, ove i generatori di tensione e corrente sono descritti dai loro
valori quadratici medi.
Tali generatori possono poi essere descritti in base alla rappresenta-
zione di bipoli rumorosi in termini di conduttanza e resistenza di rumo-
re equivalente, giungendo al circuito equivalente di rumore mostrato
nella Figura 9.12, nel quale si ha:
en
+
YG Yg in1 -Yg

ingresso (2).
Rn
+
YG Yg -Yg
T=0 Gn T=0

ingresso (3).
D E
|en |2
Rn =
4kT0 B
D E (9.55)
|in1 |2
Gn =
4kT0 B
dando origine ad una nuova rappresentazione in termini di Rn , Gn e
Yγ .
La scelta di suddividere il generatore di corrente in una componente
correlata ed una indipendente è peraltro arbitraria: si potrebbe simil-
mente partizionare il generatore di tensione en = en1 + en2 , ottenen-
do infine una rappresentazione in termini di altri quattro parametri:
rn (associato a en1 ), gn (associato a in ) e Zγ (impedenza di correlazio-
ne), che corrisponde ad un circuito equivalente di rumore del tipo in
Figura 9.13.
È possibile, in base alle rappresentazioni di rumore derivate, otte-
nere l’espressione del fattore di rumore della rete due porte.
L’amplificatore che segue la rete due porte di rumore è ora non ru-
moroso e quindi non altera i rapporti tra potenze di rumore in ingresso
e in uscita.
Zg -Zg
T=0 rn T=0
+
YG
gn

ingresso (4).
La terminazione alla prima porta è supposta alla temperatura stan-

dard T0 .
Per ottenere l’espressione della densità di potenza disponibile in
uscita dalla rete di rumore, si noti che i tre generatori di rumore so-
no tra loro non correlati: la densità di potenza disponibile si ottiene
cosı̀ determinando la corrente di corto circuito in uscita come somma
(sovrapposizione degli effetti) delle singole correnti originantesi da cia-
scun generatore e calcolandone il valore quadratico medio come somma
dei valori quadratici medi dovuti a ciascun generatore.
Si avrà cosı̀, per il valore quadratico medio del generatore iRn ,sc :
iRn ,sc = eRn · (YG + Yγ )

⇓
D E D E
2
|iRn ,sc | = |eRn |2 · |YG + Yγ |2 =
= 4 · k · T0 · Rn · B · |YG + Yγ |2 (9.56)
per il valore quadratico medio del generatore iGn ,sc :
iGn ,sc = iGn

⇓
D E D E
2
|iGn ,sc | = |iGn |2 =
= 4 · k · T0 · Gn · B (9.57)
e infine per il valore quadratico medio del generatore iYG ,sc :

iYG ,sc = −iYG

⇓
D E D E
2
|iYG ,sc | = |iYG |2 =
= 4 · k · T0 · Re (YG ) · B =
= 4 · k · T 0 · GG · B (9.58)
ottenendo cosı̀ complessivamente come corrente di corto circuito isc :
isc = iRn ,sc + iGn ,sc + iYG ,sc

⇓
D E D E D E D E
2
|isc | = |iRn ,sc |2 + |iGn ,sc |2 + |iYG ,sc |2 =
h i
= 4 · k · T0 · B · Rn · |YG + Yγ |2 + Gn + GG (9.59)
In base a tale circuito equivalente di Norton, l’ammettenza di uscita

vale:
YOU T = YG + Yγ − Yγ = YG (9.60)
e quindi la densità di potenza disponibile in uscita è semplicemente:
D E
|isc |2
pav = =
4 · B · Re (YOU T )
h i
4 · k · T0 · B · Rn · |YG + Yγ |2 + Gn + GG
= =
4 · B · GG
" #
Gn Rn
= k · T0 · 1 + + · |YG + Yγ |2
GG GG
(9.61)
mentre la densità di potenza disponibile in uscita considerando la rete

non rumorosa vale semplicemente k · T0 . Si ottiene cosı̀, per il fattore
di rumore della rete a due porte:
" #
Gn Rn
k · T0 · 1 + + · |YG + Yγ |2
GG GG
F = =
k · T0
Gn Rn
= 1+ + · |YG + Yγ |2
GG GG
(9.62)
Il fattore di rumore, come ci si attendeva, dipende dall’ammettenza

della sorgente YG . In particolare, tale funzione presenta un minimo per
s
Gn
YG = YG,opt = + G2γ − j · Bγ (9.63)
Rn
in corrispondenza del quale si ottiene il fattore di rumore minimo, Fmin :

· q ¸
2
Fmin = 1 + 2 · Rn · Gγ + Rn · Gn + (Rn · Gγ ) (9.64)
9.4.2 Parametri di rumore delle reti lineari a due porte

In base alle quantità determinate, l’espressione del fattore di rumo-
re può essere posta nella forma seguente:
Rn
F = Fmin + · |YG − YG,opt |2 (9.65)
GG
Quindi, un’ulteriore rappresentazione delle proprietà rumorose può

ottenersi dalla conoscenza dei quattro parametri Fmin , Rn e YG,opt .
Le trasformazioni da una rappresentazione all’altra sono ricavabili
dalle relazioni trovate.
Rappresentazioni equivalenti possono ottenersi considerando la sor-
gente descritta in termini di impedenza ZG o in termini di coefficien-
te di riflessione ΓG (definito su un’impedenza di normalizzazione Z0
supposta reale):
gn
F = Fmin + · |ZG − ZG,opt |2 (9.66)
RG
Rn |ΓG − ΓG,opt |2
F = Fmin + 4 · · ³ ´=
Z0 |1 + Γ |2
· 1 − |Γ |2
G,opt G
|ΓG − ΓG,opt |2
= Fmin + Qn · ³ ´ (9.67)
1 − |ΓG |2
Tale ultima espressione è senza dubbio la più usata ad alta frequen-

za, ove si preferisce la rappresentazione in termini di coefficienti di
riflessione anziché quella in termini di impedenze o ammettenze.
In altre parole, tale rappresentazione consiste nei quattro parame-
tri Fmin , Rn (Qn ) e ΓG,opt .
La funzione F (ΓG ) rappresenta un paraboloide con concavità rivol-
ta verso l’alto e con un minimo in corrispondenza di ΓG = ΓG,opt di
valore Fmin del tipo di quello indicato nella Figura 9.14.
Figura 9.14: Paraboloide di rumore e derivazione della famiglia di

circonferenze a fattore di rumore costante.
In perfetta analogia con quanto effettuato a proposito della deriva-

zione della famiglia di circonferenze a guadagno operativo o disponibile
costante, è possibile sezionare tale superficie con dei piani a fattore di
rumore costante F = F̄ . Se si proiettano sul piano dei coefficienti di
riflessione ΓG (carta di Smith dell’ingresso) le curve risultanti a fattore
di rumore costante, si ottengono ancora una volta delle circonferenze
con centro e raggio forniti dalle:
ΓG,opt
CF =F̄ =
F̄ − Fmin
1+
Qn
vÃ !
u
u F̄ − F min F̄ − Fmin (9.68)
t 1+ − |ΓG,opt |2 ·
Qn Qn
RF =F̄ =
F̄ − Fmin
1+
Qn
Si noti che i centri dei cerchi giacciono sul vettore ΓG,opt e si avvi-
cinano al centro della Carta di Smith al crescere di F̄ , mentre il loro
raggio aumenta al crescere di F̄ fino a tendere all’unità. Si può dimo-
strare inoltre che cerchi a F̄ minore sono contenuti interamente entro
cerchi a F̄ maggiore.
Quanto determinato per il fattore di rumore delle reti due porte
può essere facilmente esteso alla temperatura equivalente di rumore
utilizzando la relazione:
Te = (F − 1) · T0 (9.69)
ed ottenendo quindi le rappresentazioni equivalenti seguenti:
Ã !
Rn
Te = Fmin + · |YG − YG,opt |2 − 1 · T0 =
GG
Rn T0
= Te,min + · |YG − YG,opt |2 (9.70)
GG
Ã !
gn 2
Te = Fmin + · |ZG − ZG,opt | − 1 · T0 =
RG
gn T0
= Te,min + · |ZG − ZG,opt |2 (9.71)
RG
 
2
|ΓG − ΓG,opt |
Te = Fmin + Qn · ³ ´ − 1 · T0 =
2
1 − |ΓG |
|ΓG − ΓG,opt |2
= Te,min + Qn T0 · ³ ´ (9.72)
1 − |ΓG |2
con Te,min = (Fmin − 1) · T0 .
9.4.3 Cascata di reti due porte rumorose
Un amplificatore (o più in generale una rete a due porte) è spes-

so costituito da una cascata di stadi amplificatori (o reti due porte
quali quelle nella Figura 9.15), ciascuno dei quali presenta una pro-
pria rumorosità, caratterizzata da un fattore di rumore Fk o da una
temperatura equivalente di rumore Te,k e da un guadagno disponibile
Gav,k .
rete rete rete

a due porte a due porte a due porte
rumorosa rumorosa rumorosa
Gav,1 Te,1 Gav,2 Te,2 Gav,n Te,n
Figura 9.15: Cascata di reti due porte rumorose.
La densità di potenza disponibile all’uscita della cascata, in base

alla definizione di temperatura equivalente di rumore, vale:
N
Y
pav = k · Te,tot · Gav,tot = k · Te,tot · Gav,i (9.73)
i=1
visto che il guadagno disponibile della cascata è pari al prodotto dei

guadagni disponibili∗ .
∗
Soltanto nel caso del guadagno disponibile infatti il guadagno della cascata è pari
al prodotto dei guadagni delle reti a due porte. Nel caso più generale bisognerebbe
considerare le condizioni di terminazione di ciascuna rete sia all’ingresso che all’uscita.
D’altra parte, se si sommano i contributi di rumore dai singoli stadi,

si deve ottenere la stessa quantità, ossia deve essere:
N
Ã N
!
Y Y
Te,tot Gav,i = Te,N Gav,N + Te,N −1 Gav,N −1 Gav,N + · · +Te,,1 Gav,i
i=1 i=1
(9.74)
ottenendo cosı̀, per la temperatura equivalente di rumore della cascata
Te,tot
Te,,2 Te,,3 Te,N

Te,tot = Te,,1 + + + · · · + N −1 =
Gav,1 Gav,1 · Gav,2 Q
Gav,i
i=1
N
X Te,i
= Te,,1 + (9.75)
Q
i−1
i=2 Gav,k
k=1
Da tale espressione è facile ottenere il fattore di rumore della casca-

ta Ftot in funzione dei fattori di rumore dei singoli amplificatori:
F2 − 1 F3 − 1 FN − 1
Ftot = F1 + + + · · · + N −1 =
Gav,1 Gav,1 · Gav,2 Q
Gav,i
i=1
XN
Fi − 1
= F1 + (9.76)
Q
i−1
i=2 Gav,k
k=1
Dalle espressioni precedenti risulta chiaro che il contributo di ru-

more più alto al rumore complessivo della rete viene fornito dal pri-
mo stadio, che di solito viene scelto (o progettato) in modo da avere il
fattore di rumore più basso; cionondimeno, anche gli stadi successivi
contribuiscono alla rumorosità totale, con il proprio rumore pesato dal
guadagno degli stadi precedenti: se quindi quest’ultimo non è parti-
colarmente elevato, anche il contributo degli stadi successivi al primo
può essere rilevante.
9.4.4 Misura di rumore

Si abbiano ora a disposizione due amplificatori rumorosi, caratteriz-
zati da un fattore di rumore F1 e F2 e da un guadagno disponibile Gav,1
e Gav,2 rispettivamente. Si vuole determinare, nella cascata dei due

amplificatori, quale combinazione sia la migliore per ottenere il fattore
di rumore minimo, ossia la 1 → 2 o la 2 → 1.
A tale scopo, in base all’espressione derivata per la cascata di reti
rumorose, basta verificare o meno la disequazione seguente:
F2 − 1 F1 − 1
F1 + > F2 + (9.77)
Gav,1 Gav,2
che risulta equivalente, con semplici passaggi algebrici (se entrambe le

reti sono amplificatrici, ossia se Gav,1 Gav,2 > 1), alla:
F1 − 1 F2 − 1
> (9.78)
1 1
1− 1−
Gav,1 Gav,2
In entrambi i membri sono ora presenti quantità riferite allo stesso

amplificatore. Ciò rende spontanea la definizione di un ulteriore fattore
di merito che tenga in conto non soltanto le proprietà rumorose della
rete, ma anche il suo guadagno disponibile.
Vale a tal proposito la seguente definizione
• misura di rumore di una rete due porte, M : è definita dall’espres-

sione
∆ F −1
M= (9.79)
1
1−
Gav
La risposta quindi alla questione precedente è che la sequenza di

amplificatori sia tale da avere gli amplificatori ordinati per misura di
rumore crescente: tale risultato rimane valido anche se la cascata è
composta da un numero di amplificatori maggiore di due.
La misura di rumore può anche essere interpretata in base al fat-
tore di rumore di una cascata infinita di amplificatori identici; si ha
infatti:
Amplificatori a basso rumore 389
F −1 F −1 F −1
Ftot = lim F + + + · · · + N −1 =
N →∞ Gav Gav · Gav Q
Gav
i=1
N
X F −1
= 1 + lim =
N →∞
i=1
Gi−1
av
1
1−
GN
av
= 1 + lim (F − 1) · =
N →∞ 1
1−
Gav
= 1+M (9.80)
Si noti inoltre che, essendo definita in base al fattore di rumore ed
al guadagno disponibile, anche la misura di rumore è una funzione
dell’impedenza di sorgente (e non del carico in uscita), oltre ad incor-
porare la dipendenza dai parametri di rumore e dai parametri lineari
della rete a due porte.
9.5 Amplificatori a basso rumore

Nel capitolo che ha introdotto gli amplificatori di piccolo segnale
ed i parametri tipici degli stessi, si è evidenziato come, in una cate-
na amplificatrice, l’elemento a basso rumore sia comunque il primo,
possibilmente dopo l’antenna ricevente (o in generale l’elemento sensi-
bile in ricezione). Tale scelta è chiaramente motivata dalla necessità
di rivelare il più piccolo segnale possibile, senza peggiorare in maniera
apprezzabile il rapporto tra il segnale utile ed il rumore che sempre lo
accompagna. In particolare, dalla definizione di fattore di rumore in
termini di rapporto dei rapporti segnale / rumore, si ha:
³ ´ ¯
Sav/ ¯
Nav in ¯
FLN A = ³ ´ ¯¯
Sav/
Nav out ¯T =T
S 0
⇓ (9.81)
³ ´ 1 ³ ´
Sav/ · Sav/Nav
Nav out = F in
LN A
³ ´ ¯ ³ ´ ¯
Sav/ ¯ Sav/ ¯
Nav out ¯dB = Nav in ¯dB − N F
e quindi il rapporto segnale/rumore in uscita (in dB) viene diminuito

esattamente della cifra di rumore dell’amplificatore.
D’altro canto, se si considera l’espressione del fattore di rumore
di una cascata di reti rumorose, fornito dalla (9.76), appare evidente
che il primo stadio determina in massima parte il fattore di rumore
complessivo, a patto che il suo guadagno sia abbastanza elevato.
In definitiva quindi un amplificatore a basso rumore (Low Noise
Amplifier, LNA) deve essere caratterizzato da un lato da un fattore di
rumore basso e dall’altro da un guadagno elevato. Tali due prerogative
sono, come si vedrà meglio nel seguito, tra loro in parziale contrasto,
e si dovrà cosı̀ ricorrere a compromessi di progetto, riguardanti anche
l’adattamento in ingresso.
Il fattore di rumore minimo ottenibile da uno stadio amplificato-
re è determinato, in ultima istanza, dalla tecnologia prescelta per il
dispositivo attivo, dalle dimensioni dello stesso e dalla qualità degli
elementi passivi del circuito di adattamento/polarizzazione, come sarà
dettagliato nel paragrafo successivo.
9.5.1 Tecnologie per dispositivi attivi a basso rumore

Tra i dispositivi attivi ad alta frequenza che sono stati brevemente
descritti nel quinto capitolo, senza dubbio il migliore per la progetta-
zione di stadi a basso rumore è il transistore ad elevata mobilità elet-
tronica (HEMT). Tale caratteristica deriva dalla separazione tra canale
attivo (e quindi i portatori di carica) e gli ioni fissi del reticolo cristalli-
no (ioni donori), che porta da un lato ad un’elevata mobilità nel canale e
dall’altro ad una bassa rumorosità dovuta all’interazione dei portatori
con gli ioni fissi (minori fenomeni di scattering).
Gli HEMT possono essere realizzati in diverse tecnologie di base
(leghe di semiconduttori), essendo possibile formare il gas di elettro-
ni bidimensionale con una eterogiunzione tra due semiconduttori con
diversa bandgap. In particolare, sono realizzati in GaAs (con etero-
giunzione AlGaAs/GaAs), InP (InAlAs/InGaAs/InP), GaN (HEMT Al-
GaN/GaN) ed altre leghe di semiconduttori. Dal punto di vista del-
la velocità (prestazioni in frequenza) e delle prestazioni nei confronti
del rumore, i migliori risultati riportati sono per transistori su fosfu-
ro di indio, con funzionamento fino ad oltre 300 GHz e cifre di rumore
inferiori a 3 dB per l’intera banda W (ossia fino a 110 GHz).
A parità di lega utilizzata, le proprietà di rumore (come pure quelle
in frequenza) sono determinate dalla lunghezza del canale attivo (os-
sia dalla lunghezza di gate), determinata dalla litografia utilizzata per
la realizzazione del contatto di gate. Minori le dimensioni realizzabili,

minore il rumore del dispositivo, cui contribuiscono anche i parassiti
resistivi derivanti dalla forma dello stesso contatto. I risultati migliori
si ottengono tipicamente con contatti di gate a fungo (mushroom, visi-
bile a sinistra nella Figura 9.16), che simultaneamente minimizzano
i parassiti e le dimensioni trasversali del canale, ottenuti realizzan-
do il gate con litografia a fascio elettronico (Electron-Beam Litography,
EBL).
Figura 9.16: Fotografia al microscopio elettronico a scansione (SEM)

della sezione di un gate a fungo (a sinistra) e di un dispo-
sitivo a quattro dita di gate realizzato con tale litografia
(a destra).
A titolo informativo, si tenga presente che la litografia comunemen-

te utilizzata per applicazioni di basso rumore porta a dimensioni del
piede di gate (la parte bassa del fungo, che determina le dimensioni
del canale) dell’ordine di 0.1 ÷ 0.2 µm, mentre le applicazioni di punta
arrivano a definizioni molto più spinte (fino a 35 nm).
9.5.2 Prestazioni di rumore dei dispositivi attivi

Indipendentemente dalla tecnologia prescelta per la realizzazione
del dispositivo attivo, quest’ultimo viene caratterizzato, nei confronti
del rumore, come si è visto, da due parametri reali ed uno complesso:
Fmin Rn ΓG,opt (9.82)
ossia rispettivamente dal fattore di rumore minimo Fmin , dalla resi-

stenza di rumore Rn e dal carico ottimo per il rumore ΓG,opt (descrit-
to come parte reale e immaginaria o modulo e fase). Con riferimento
alla espressione del fattore di rumore in funzione del coefficiente di

riflessione del generatore, qui riportata per comodità
F = Fmin + 4 · · ³ ´=
Z0 |1 + Γ 2 2
G,opt | · 1 − |ΓG |
|ΓG − ΓG,opt |2
= Fmin + Qn · ³ ´ (9.83)
1 − |ΓG |2
il fattore di rumore minimo determina le prestazioni massime ottenibili

in termini di rumorosità aggiuntiva del dispositivo e quindi una data
tecnologia va selezionata in base ai valori ottenibili per tale parametro.
Il carico ottimo per il rumore ΓG,opt va a stabilire il grado di difficoltà
per l’adattamento a minimo rumore con la sua posizione sulla carta di
Smith dell’ingresso. In altri termini, per ottenere il rumore minimo
fornito da Fmin bisogna mostrare in ingresso al dispositivo ΓG,opt , carico
che può essere anche molto difficile da sintetizzare con la tecnologia
passiva a disposizione.
La resistenza di rumore Rn determina poi la sensibilità del dispo-
sitivo a disadattamenti dell’ingresso rispetto a ΓG,opt . Un basso valore
per tale parametro è indicativo di una minore sensibilità e quindi con-
sente più facilmente una sintesi a banda larga o migliori prestazioni
di guadagno e adattamento, come si vedrà meglio in seguito. Tale mi-
nore sensibilità inoltre consente una maggiore tolleranza delle presta-
zioni di rumorosità rispetto a fluttuazioni parametriche del processo
realizzativo dell’intero circuito integrato.
I quattro parametri (9.82) non sono valori costanti, ma dipendono
da molti fattori tra cui:
• Polarizzazione del dispositivo
• Frequenza di lavoro
• Temperatura di esercizio
La dipendenza dei parametri di rumore dalla polarizzazione del di-

spositivo è ascrivibile da un lato alla natura dei processi di generazione
del rumore: si pensi al rumore di tipo shot, direttamente proporzionale
al livello di corrente in continua e quindi alla polarizzazione. Dall’altro
il guadagno del dispositivo dipende anch’esso dalla polarizzazione, tipi-
camente diminuendo quando si passa da canale completamente aperto
alla situazione di canale strozzato. Quindi, per un dispositivo di tipo

depletion-mode (ossia con il canale già formato), il guadagno diminui-
sce al diminuire della tensione di gate verso la tensione di pinch-off.
Questa diminuzione del guadagno porta con sé una maggiore influen-
za dei fenomeni di rumore legati alla sezione di uscita del dispositivo
e quindi, in ultima analisi, ad un aumento del fattore di rumore al
diminuire ulteriore della polarizzazione.
I due effetti descritti sono quindi tra loro contrastanti e danno luo-
go tipicamente ad un andamento, al variare della polarizzazione, che
presenta un minimo (del fattore di rumore minimo) in prossimità della
regione di strozzamento del canale, come descritto nella Figura 9.17.
NF
G
[dB]
G
NF
NFopt Id / Idss [%]
0 pol. ottima 100
per il rumore
Figura 9.17: Andamento tipico della cifra di rumore minima di un

FET variare della polarizzazione.
In base a quanto detto quindi, si preferisce di solito polarizzare il

dispositivo per applicazioni di basso rumore in una regione prossima al
pinch-off, riducendo simultaneamente anche la polarizzazione di drain,
per ridurre poi anche la dissipazione in potenza dello stadio, come già
accennato.
Inoltre, anche se a tutti gli effetti il dispositivo viene polarizzato
applicando una tensione di gate (oltre a quella di drain), si preferisce
poi accordarla per mantenere inalterato il livello di corrente, per tener
conto di eventuali dispersioni realizzative derivanti dalla fluttuazione
della tensione di pinch-off. Il valore della polarizzazione è quindi di
solito indicato, in special modo per gli stadi a basso rumore, in termini
di percentuale di Idss .
I parametri di rumore dipendono poi, come i parametri a piccolo se-
gnale, dalla frequenza di lavoro. In generale, l’andamento in frequenza
del rumore per un dispositivo attivo può suddividersi in tre regioni,

come schematicamente indicato nella Figura 9.18.
rumore
1/f
Densità di
Potenza di
rumore
[W/Hz] rumore
Johnson
e shot
corner
frequency f [GHz]
Figura 9.18: Andamento tipico della densità di potenza di rumore al

variare della frequenza.
Nella prima il rumore generato è dominato dal contributo di rumo-

re colorato dovuto al rumore 1/f , che diminuisce però rapidamente, di-
ventando inferiore a quello termico e shot al di sopra di una frequenza
tipica della tecnologia, denominata corner frequency. Per le moderne
tecnologie GaAs e InP, tale frequenza è intorno alla decina di MHz,
mentre è molto più bassa per i transistori di tipo bipolare∗ .
Oltrepassata tale frequenza, il rumore è essenzialmente di tipo shot
e termico, con uno spettro di densità di potenza approssimativamente
costante.
Al di sopra poi del centinaio di GHz, ed in funzione della geometria
e della tecnologia del dispositivo, le approssimazioni riguardanti il ru-
more termico e shot non sono più applicabili ed essi stessi diventano
funzione della frequenza, oltre ad essere rilevanti ulteriori fenomeni di
accoppiamento di rumore generato nel canale. La zona di tipica uti-
lizzazione nel campo delle microonde è dunque quella centrale, i cui
lo spettro di densità di potenza si può ritenere approssimativamente
costante.
In tale regione comunque, vengono a variare i parametri del dispo-
sitivo e con essi i parametri di rumore.
∗
Motivo per il quale, come si vedrà nel prossimo capitolo, questi ultimi vengono
preferiti laddove sia necessario un basso rumore 1/f .
In particolare, di seguito sono riportati nelle figure 9.19 e 9.20 alcu-

ni andamenti tipici dei quattro parametri di rumore fino a 30 GHz, per
un dispositivo, in questo caso, di tipo HEMT su GaN.
2 100
NFmin Rn
[dB] [W]
1 85
0 70
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 9.19: Andamento in frequenza del fattore di rumore minimo

(scala di sinistra) e della resistenza di rumore (destra)
per un HEMT in GaN a due polarizzazioni.
1.00 30
|GG,opt| arg(GG,opt)
[gradi]
0.85 15
0.70 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
f [GHz]
Figura 9.20: Andamento in frequenza del modulo (scala di sinistra) e

della fase (destra) del carico ottimo per il rumore per un
HEMT in GaN a due polarizzazioni.
L’andamento mostrato è esemplare: la cifra di rumore minima au-

menta in maniera pressoché lineare con la frequenza, mentre la resi-
stenza di rumore tende a diminuire con essa.
Il modulo del carico ottimo diminuisce anch’esso, a partire da valori
molto alti (prossimi all’unità).
Come poi è facile notare, il carico ottimo per il rumore è di solito
di tipo induttivo, in accordo con la considerazione che l’impedenza di
ingresso del dispositivo è invece tipicamente capacitiva, ruotando li-
nearmente intorno al centro della carta di Smith in senso antiorario
(la fase aumenta). Chiaramente tale andamento già prospetta la diffi-
coltà di realizzare una rete in ingresso che sintetizzi tale carico ottimo
in una gamma di frequenze estesa, visto che, come più volte sottolinea-
to nella sezione riguardante l’adattamento, carichi passivi tendono a
percorrere la carta di Smith in senso orario.
La temperatura di esercizio determina l’energia cinetica media dei
portatori ed è tra le cause prime di rumorosità: il suo effetto quin-
di sulle prestazioni di rumore è essenzialmente sul fattore di rumore
minimo, che diminuisce al diminuire della temperatura di lavoro.
Anche gli altri parametri variano con la temperatura, ancorché in
misura minore: tipicamente la resistenza di rumore diminuisce (e con
essa la sensibilità rispetto a variazioni del carico in ingresso) mentre il
carico ottimo assume una posizione che dipende dalla tecnologia realiz-
zativa. Nelle due figure 9.21 e 9.22 sono mostrati, a titolo di esempio,
gli andamenti della cifra di rumore minima e della resistenza di rumore
a differenti temperature, al variare della frequenza per un dispositivo
commerciale.
Da quanto sopra esposto risulta evidente che le prestazioni di ru-
morosità di un dispositivo migliorano sensibilmente al diminuire della
temperatura.
Questo suggerisce, nel caso si voglia puntare ad ottenere prestazioni
allo stato dell’arte o comunque sensibilità elevatissime, di raffreddare
lo stadio a basso rumore a temperature criogeniche.
Come esempio di tale tecnica, si pensi che le moderne stazioni ra-
dio base per telefonia cellulare sono provviste di piccoli criogenera-
tori ad azoto liquido (e quindi con temperature di esercizio di circa
−200 ◦ C), che raffreddano la sezione ricevente composta da un filtro
superconduttore∗ e da un LNA.
∗
Il filtro in questo caso è realizzato mediante materiali superconduttori ad eleva-
ta temperatura critica (High-Tc Superconductor, HTS), e che garantiscono selettività
elevatissime, non ottenibili con normali tecnologie integrate.
2.50
NF
[dB] T = 90 - 290 K
1.00
0.00
6 12 18
f [GHz]
Figura 9.21: Andamento della cifra di rumore minima per un disposi-

tivo commerciale al variare della frequenza per differenti
temperature di esercizio, da 90 K a 290 K.
20
Rn
[W]
10
T = 90 - 290 K
0
6 12 18
f [GHz]
Figura 9.22: Andamento della resistenza di rumore di un dispositi-

vo commerciale al variare della frequenza per differenti
temperature di esercizio, da 90 K a 290 K.
Quale ulteriore esempio, si pensi ai ricevitori per applicazioni di ra-

dioastronomia, che vengono di norma raffreddati a 20 K (ma anche più
in basso se necessario), con i quali si devono rivelare livelli di segna-
le molto deboli che sarebbero, in ogni altro caso, immersi nel rumore
termico generato dagli apparati di ricezione convenzionali.
9.5.3 Progettazione di stadi amplificatori a basso rumore
La progettazione di un amplificatore a basso rumore segue essen-

zialmente le linee già descritte a proposito degli amplificatori di gua-
dagno, badando comunque a soddisfare le peculiarità che la specifica di
bassa rumorosità impone.
In particolare, a riguardo della progettazione della rete di polariz-
zazione, particolare cura dovrà porsi ad evitare l’inserzione di qual-
sivoglia elemento di tipo resistivo o comunque dissipativo che abbia
effetti alla frequenza di lavoro, visto che questo tipo di componenti
introdurrebbe rumore di tipo termico, peggiorando cosı̀ le prestazioni
intrinseche del dispositivo prescelto.
Sarà cosı̀ preferibile utilizzare schemi di tipo reattivo o distribuito,
annullando dinamicamente in banda l’effetto degli elementi dissipati-
vi.
Come già accennato, nella progettazione di amplificatori a basso ru-
more, tipicamente bisogna ricorrere ad un compromesso tra le presta-
zioni di rumore e quelle di guadagno/adattamento dello stadio.
Infatti, scelto il punto di lavoro e la frequenza di progetto, sono di
solito a disposizione del progettista sia i parametri lineari che quelli di
rumore del dispositivo (considerando inclusi in quest’ultimo le reti di
polarizzazione).
Dai parametri lineari (ad esempio sotto forma di parametri di diffu-
sione) possono derivarsi le espressioni ed i valori del guadagno otteni-
bile.
Visto che il rumore non impone alcun vincolo sulla chiusura del-
l’uscita del dispositivo, quest’ultima può ipotizzarsi in adattamento
coniugato.
Sotto tale ipotesi risulta naturale ricorrere, tra le varie espressio-
ni di guadagno, a quella del guadagno disponibile, qui ripetuta per
comodità:
³ ´
1 − |ΓG |2 1
Gav (ΓG ) = 2 · |S21 |2 · (9.84)
|1 − S11 · ΓG | 1 − |Γout |2
al quale corrisponde la famiglia di circonferenze a guadagno disponibile

costante con centro e raggio dati da:
¡ ¢ C1∗
C Gav =
2 2 |S21 |2
|S11 | − |det (S)| −
Gav
|S12 | |S12 |2 (9.85)
|S12 |2 − 2 · k · |S12 | · + 2
¡ ¢ Gav Gav
R 2 Gav = |S21 |2 · Ã !
2 2
|S21 |
|S11 |2 − |det (S)|2 −
Gav
Il guadagno disponibile massimo coincide con il M AG del dispositi-

vo, e si ottiene terminando in adattamento coniugato anche l’ingresso,
ovviamente ipotizzando che questo sia possibile, ossia se k > 1.
Esiste quindi un carico ottimo in ingresso ΓG,conj che fornisce tale
adattamento coniugato e il guadagno massimo:
C1∗ h p i
ΓG,conj = · B − 2 |S · S | · k 2−1 (9.86)
1 12 21
2 · |C1 |2
Dal punto di vista del rumore, si è derivato che il fattore di rumore
è funzione, oltre che dei parametri della rete a due porte, dei quattro
parametri di rumore e della terminazione in ingresso secondo la
F (ΓG ) = Fmin + 4 · · ³ ´ (9.87)
Z0 |1 + Γ 2 2
G,opt | · 1 − |ΓG |
dando poi origine ad una famiglia di circonferenze a fattore di rumore

costante, caratterizzate da centro e raggio forniti dalle (9.68).
In generale le due terminazioni ottime per il rumore ed il guadagno,
rispettivamente ΓG,opt e ΓG,conj , non coincidono.
Non si può quindi ottenere simultaneamente il minimo rumore e
il massimo guadagno, ma si deve effettuare una scelta di compromes-
so, per la quale le due famiglie di circonferenze (9.85) e (9.68) sono
estremamente utili.
Infatti, si supponga di avere una specifica di rumore fissata (cor-
rispondente comunque ad un livello di cifra di rumore maggiore del
valore minimo ottenibile dalla N Fmin del dispositivo). Ci si posizionerà
quindi su una circonferenza a fattore di rumore costante F̄ .
Ciascun punto su tale circonferenza, seppur caratterizzato dalla

stessa cifra di rumore, corrisponderà ad un guadagno disponibile di-
verso.
La scelta migliore si ottiene ovviamente in corrispondenza di quel
valore di carico in ingresso che è il punto di tangenza tra la curva a
rumore costante selezionata e la famiglia di circonferenze a guadagno
costante, fissando in tal modo anche il valore di quest’ultimo.
Se tale procedura viene ripetuta per ogni valore possibile di cifra di
rumore voluta, si ottiene il luogo dei punti ottimali sulla carta di Smith
dell’ingresso (mostrato in verde nella Figura 9.23), a ciascuno dei quali
corrisponde la combinazione ottimale di rumore e guadagno.
j1
GG, opt j0.5 -j0.5

GG, conj
Fmin MAG
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
GG -j0.5 -j2
-j1
Figura 9.23: Compromesso tra rumore e guadagno nella scelta del

carico in ingresso.
Allo stesso risultato si giunge se, fissata la specifica sul guadagno

comunque minore del M AG, si voglia minimizzare il fattore di rumore
ottenibile.
Una volta scelto il carico in ingresso Γ̄G , il carico in uscita sarà

ottenuto tramite l’adattamento coniugato corrispondente, ossia:
ΓG
⇓
S12 · S21 · ΓG
Γout = S22 + (9.88)
1 − S11 · ΓG
⇓
¡ ¢∗
ΓL = Γout
A questo punto quindi il problema del progetto si riduce ancora una
volta alla sintesi, separata, di due reti di adattamento, una in ingresso
ed una in uscita, che sintetizzino tali due carichi, come nel caso degli
amplificatori di guadagno.
Se invece il dispositivo (comprensivo della rete di polarizzazione) ri-
sulta essere condizionatamente stabile (ossia si è nel caso di k < 1), bi-
sogna porre particolare attenzione a rimanere adeguatamente lontani,
nella scelta del carico, dalla regione di instabilità.
Si tenga però comunque presente che in questo caso si è reso neces-
sario effettuare un compromesso, comunque non adattando l’ingresso
in maniera coniugata. Questo comporta, in ingresso all’intero ampli-
ficatore, un disadattamento che può valutarsi facendo uso dei cerchi a
disadattamento costante già introdotti.
In ogni caso quindi la progettazione di amplificatori a basso rumore
porta, in assenza di ulteriori accorgimenti, ad un adattamento ridotto
alla porta di ingresso.
Una possibilità, alla quale spesso si ricorre nel progetto di stadi a
basso rumore, consiste nell’inserimento di un induttore in serie al sour-
ce del dispositivo, cosı̀ effettuando una controreazione di tipo serie (la
tecnica viene spesso individuata dal termine degenerazione di source).
L’effetto di tale elemento è quello, se opportunamente dimensionato,
di avvicinare le due famiglie di cerchi a rumore e guadagno costanti,
rendendo cosı̀ più semplice il necessario compromesso.
Non sempre comunque l’applicazione di tale tecnica è possibile, vi-
sto che la pratica realizzazione dell’induttore comporta l’utilizzo di ele-
menti concentrati (induttori a spirale ad esempio) o distribuiti (trat-
ti molto brevi di linee di trasmissione) che presentano perdite non
trascurabili e che quindi peggiorano la cifra di rumore risultante.
A livello architetturale invece, uno degli approcci più diffusi in tal
senso consiste nel realizzare lo stadio a basso rumore come combina-
zione di due stadi singoli, ottimizzati nei confronti del rumore e combi-
narli, sia in ingresso che in uscita tramite delle giunzioni ibride a 90◦
(del tipo Lange coupler o equivalenti), come in Figura 9.24.
rf in 1 4 1 4
LNA Z0
rf out
Z0 2 3 LNA
2 3
Ibrida 1 Ibrida 2
3 dB, 90° 3 dB, 90°
Figura 9.24: Schema a blocchi di un amplificatore bilanciato a basso

rumore.
In questo caso, con l’unica ipotesi di amplificatori identici, l’adatta-

mento in ingresso risulta essere pari a quello dell’ibrida utilizzata, in-
dipendentemente dal livello di adattamento raggiunto dai singoli stadi
a basso rumore. Purtroppo però l’ibrida introduce delle perdite e si
comporta quindi come un attenuatore posto direttamente sull’ingresso,
andando cosı̀ a peggiorare la cifra di rumore complessiva di un valo-
re pari alla sua perdita di inserzione. L’utilizzazione di uno schema
siffatto è quindi decisamente funzione delle specifiche di progetto.
Un approccio dello stesso tipo consiste nella realizzazione di un am-
plificatore a basso rumore come cascata di un isolatore e di uno stadio
integrato a basso rumore. Anche in questo caso l’adattamento risultan-
te è quello dell’isolatore e la cifra di rumore dell’amplificatore comples-
sivo è quella dello stadio a basso rumore, peggiorata della perdita di in-
serzione dell’isolatore (che può raggiungere anche livelli ragguardevoli
se l’isolatore è di tipo integrabile, drop-in).
Se l‘amplificatore a basso rumore da progettare deve presentare un
guadagno molto più elevato di quanto ottenibile da un singolo stadio,
anche in questo caso i diversi stadi vengono dimensionati opportuna-
mente. È chiaro che il primo stadio della cascata sarà il più possibile
ottimizzato tenendo conto delle prestazioni di rumore richieste, men-
tre quelli successivi avranno il compito di fornire l’adeguato livello di
guadagno da un lato e dall’altro di equalizzare lo stesso nella banda
passante richiesta.
Si vuole concludere questo capitolo mostrando un esempio di ampli-
ficatore a basso rumore in tecnologia monolitica composto da tre stadi

(e quindi utilizzante tre dispositivi attivi). In Figura 9.25 è mostrata la
fotografia del chip risultante (2x3 mm2 ).
Figura 9.25: Amplificatore a basso rumore a tre stadi per la banda C

(MECSA – Università di Roma Tor Vergata).
In tale amplificatore il primo stadio è progettato per ottenere il mi-

nimo rumore possibile, il secondo si occupa del raggiungimento di un
adeguato livello di guadagno mentre il terzo, in configurazione a feed-
back, aggiunge ulteriormente guadagno, opportunamente poi equaliz-
zando le prestazioni in frequenza. La gamma di frequenze risultante è
in questo caso di una ottava (l’intera banda C).
9.6 Esercizi
1. Si consideri la connessione in serie di due resistori rumorosi a
temperatura T = T0 K di valore uguale e pari a R = 25 Ω. Si
determini la potenza di rumore disponibile da tale connessione,
nonché la resistenza e la temperatura di rumore equivalente.
2. Si consideri la connessione in parallelo di due resistori rumorosi

a temperatura T = T0 K di valore uguale e pari a R = 100 Ω. Si
determini la potenza di rumore disponibile da tale connessione,
nonché la resistenza e la temperatura di rumore equivalente.
3. Sia dato un attenuatore rumoroso in equilibrio a temperatura

T = T0 K, con valore di attenuazione A = 3 dB. Pensando di
raffreddarlo a T = T0 /2 K, si determini la variazione della tempe-
ratura equivalente di rumore e della cifra di rumore con l’ipotesi
che l’attenuazione sia costante con la temperatura.
4. Si consideri la cascata di un attenuatore e di un amplificatore,

caratterizzato il primo da una attenuazione disponibile pari a
A = 10 dB ed il secondo da un guadagno disponibile pari a Gav =
10 dB ed una cifra di rumore di N Famp = 2 dB. I due bloc-
chi sono in equilibrio a temperatura T = T0 K. Si calcoli la
temperatura equivalente della cascata amplificatore/attenuatore
e attenuatore/amplificatore.
5. Si determini il minimo segnale rilevabile in ingresso da un am-

plificatore caratterizzato da un guadagno Gav = 30 dB, una cifra
di rumore N Famp = 2 dB e con una banda passante B = 3 GHz.
Di quanto peggiora tale livello se all’amplificatore si premette un
attenuatore caratterizzato da A = 3 dB?
6. Si determini l’espressione della misura di rumore in funzione del

coefficiente di riflessione in ingresso, partendo dalle espressioni
del guadagno disponibile e del fattore di rumore di un due porte.
7. Si verifichi che la misura di rumore presenta un minimo e che le

curve a misura di rumore costante sono rappresentate, nel caso
di stabilità incondizionata, da circonferenze.
8. Si consideri il transistore descritto dai seguenti parametri di dif-

fusione:
Esercizi 405
# GHZ S MA R 50
6.0 0.70 -106 2.83 84 0.100 28 0.45 -70}
Per tale transistore i parametri di rumore risultano essere
6.0 1.10 0.55 101 0.50
nella forma
< freq > < NFmin(dB) > < mag(gopt) > < ang(gopt) > < rn/R0 >
Si determini se il transistore è o meno incondizionatamente sta-
bile e successivamente, considerando l’uscita adattata in manie-
ra coniugata, si progetti la rete di adattamento in ingresso ed
in uscita in modo da ottenere per lo stadio amplificatore risul-
tante almeno una cifra di rumore di 1.5 dB. Qual è il guadagno
disponibile risultante e l’adattamento in ingresso dello stadio?

fusione:
# GHZ S MA R 50
16.0 0.74 95 1.32 -41 0.130 -8 0.39 135
16.0 2.30 0.70 -87 0.15

ra coniugata, si progetti la rete di adattamento in ingresso ed
in uscita in modo da ottenere per lo stadio amplificatore risul-
tante almeno una cifra di rumore di 2.5 dB. Qual è il guadagno
disponibile risultante e l’adattamento in ingresso dello stadio?

fusione:
# GHZ S MA R 50
10.0 0.57 175 2.21 27 0.110 7 0.30 -118
10.0 1.60 0.48 -166 0.31


ra coniugata, si progetti la rete di adattamento in ingresso ed in
uscita in modo da ottenere per lo stadio amplificatore risultante
una cifra di rumore di almeno 2.5 dB insieme ad un adattamen-
to, su una banda del 10%, di almeno 15 dB. Qual è il guadagno
disponibile risultante?

fusione:
# GHZ S MA R 50}
14.0 0.67 114 1.57 -20 0.120 -2 0.30 164
14.0 2.10 0.63 -105 0.20
Si determini se il transistore è o meno incondizionatamente stabi-

le. Si progetti quindi un amplificatore a doppio stadio caratteriz-
zato da almeno 2.5 dB di cifra di rumore ed un guadagno di alme-
no 25 dB su una banda percentuale del 10 %. Qual è l’adattamento
in ingresso risultante?
Capitolo 10
Oscillatori a microonde
Indice del capitolo

10.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
10.2 Classificazione degli oscillatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
10.3 Parametri degli oscillatori a microonde . . . . . . . . . . . . . . 410
10.4 Il rumore di fase degli oscillatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . 415
10.5 Risonatori a microonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422
10.5.1 Risonatori dielettrici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
10.5.2 Risonatori a YIG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426
10.5.3 Risonatori a varactor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428
10.6 Condizioni di oscillazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430
10.6.1 Condizioni di oscillazione per la connessione di bipoli . 430
10.6.2 Condizioni di oscillazione per reti multiporta . . . . . . 432
10.7 Condizioni di innesco delle oscillazioni . . . . . . . . . . . . . . 437
10.7.1 Innesco per la rappresentazione impedenza o
ammettenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
10.7.2 Innesco nella rappresentazione di diffusione . . . . . . . 442
10.7.3 Condizioni di innesco su carta di Smith . . . . . . . . . 447
10.7.4 Stabilità delle condizioni di oscillazione . . . . . . . . . 449
10.7.5 Stabilità delle oscillazioni in forma grafica . . . . . . . 452
10.8 Progettazione di oscillatori a microonde . . . . . . . . . . . . . . 456
10.8.1 Scelta del dispositivo e topologia della reazione . . . . . 458
10.8.2 Selezione della terminazione per la porta di ingresso e
di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462
10.9 Esercizi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 467
407
408 10. Oscillatori a microonde
10.1 Introduzione
Gli oscillatori a microonde rappresentano indubbiamente uno dei
componenti fondamentali di ogni sistema ad alta frequenza, visto che
ad essi è di solito demandata la generazione di segnali di riferimento
come oscillatori locali, la generazione ad alta frequenza negli anelli ad
aggancio di fase, la sintesi di frequenza nei modulatori diretti e molte
altre funzioni.
Un oscillatore rappresenta essenzialmente un convertitore della po-
tenza fornita dalle alimentazioni in continua in potenza a microonde,
sotto forma di un segnale (sinusoidale o con un certo contenuto spettra-
le) ad alta frequenza. Non necessita quindi di un segnale in ingresso∗ ,
ma utilizza piuttosto il rumore internamente generato o le condizioni
iniziali per dar luogo all’innesco delle oscillazioni.
I metodi di analisi di un oscillatore sono tradizionalmente di tipo
lineare, anche se a rigore un oscillatore costituisce un sistema che è in-
trinsecamente non lineare. Nella trattazione successiva quindi si cer-
cherà sempre di ricorrere sia a schematizzazioni che a metodi di pro-
getto di tipo lineare, non descrivendo tecniche (essenzialmente basate
su CAD) per l’analisi e la sintesi non lineare di oscillatori.
In questo capitolo ci si focalizzerà sugli oscillatori non forzati (free-
running oscillators). Quindi, dopo averne definiti i parametri fonda-
mentali e una prima classificazione, si cercherà di descrivere i mec-
canismi che portano all’insorgenza del rumore di fase. Saranno poi
presentati alcuni tipici risonatori a microonde, elementi fondamentali
di ogni oscillatore e che ne determinano le prestazioni. Verranno infine
individuate le condizioni di oscillazione e di innesco nella connessio-
ne di reti, per poi descrivere le tecniche di progetto per oscillatori a
microonde utilizzanti elementi a tre terminali.
10.2 Classificazione degli oscillatori

Un oscillatore può in generale schematizzarsi come la combinazio-
ne di un elemento caratterizzato, in determinate condizioni operati-
ve, da una resistenza differenziale negativa (l’elemento attivo), di un
∗
Questo chiaramente a meno del caso di oscillazioni forzate o di injection locked
oscillators
Classificazione degli oscillatori 409
risonatore ad elevato fattore di qualità e di una rete di adattamen-

to/stabilizzazione che comprende il carico (l’utilizzatore passivo).
A microonde storicamente i circuiti di generazione del segnale sono
stati realizzati inizialmente mediante tubi a vuoto (klystron a rifles-
sione) fino ai primi anni ’70, per poi essere soppiantati, laddove non
siano necessarie potenze elevate o sia richiesto un elevato grado di mi-
niaturizzazione, da versioni a stato solido dapprima a due terminali e
successivamente a tre terminali.
A seconda del tipo di elemento attivo, si possono cosı̀ distinguere
oscillatori utilizzanti dispositivi a due terminali e oscillatori con dispo-
sitivi a tre terminali. I primi sono realizzati utilizzando la resisten-
za differenziale negativa presentata, con l’opportuna polarizzazione,
da diodi∗ Gunn, IMPATT, tunnel, TRAPATT o loro combinazioni e per
questo motivo sono anche detti oscillatori a resistenza negativa† . A tali
oscillatori si ricorre di norma in realizzazioni ad altissima frequenza,
laddove i dispositivi a tre terminali fornirebbero una potenza di usci-
ta troppo bassa, o in generale per oscillatori con prestazioni di punta.
Essi non sono però facilmente integrabili con altri elementi di sistema.
Gli oscillatori con elementi a tre terminali (detti anche oscillatori a
controreazione, feedback oscillators) sono invece realizzati utilizzando
la stessa tecnologia dei dispositivi attivi normalmente impiegata per
la realizzazione degli amplificatori a microonde: rappresentano cosı̀ la
scelta preferita per elevati livelli di integrazione o per produzioni di
grande serie.
Nel caso di realizzazioni con transistori si preferisce, a parità di al-
tre prestazioni, utilizzare la tecnologia dei bipolari ad eterogiunzione
(HBT), che sono caratterizzati, come già accennato in precedenza, da
un rumore di fase tipicamente molto più basso rispetto a tecnologie ad
effetto di campo (sia MESFET che HEMT). Nella Figura 10.1 è mostra-
to un esempio di oscillatore controllato in tensione (VCO) integrato in
tecnologia HBT coplanare.
Una seconda classificazione può effettuarsi sulla base della banda
operativa di un oscillatore, ossia sulla possibilità di accordare o me-
no la frequenza di uscita in un intervallo di frequenze. Si distinguono
cosı̀ oscillatori a frequenza fissa (fixed-tuned oscillators) e oscillatori a
∗
Non si vogliono trattare in questa sede i dispositivi a due terminali a resistenza
differenziale negativa. Per una trattazione dei meccanismi di funzionamento e della
loro costituzione, si rimanda alla letteratura specializzata (ad esempio, S.M.Sze, “High
Speed Semiconductor Devices,” Wiley, New York, 1990).
†
In realtà qualsiasi oscillatore deve, per operare, presentare una resistenza
differenziale negativa, e quindi questa denominazione può risultare fuorviante.
Figura 10.1: Esempio di VCO integrato in tecnologia coplanare ad

HBT (FBH Berlin).
frequenza variabile (frequency-tunable oscillators), questi ultimi tipi-

camente realizzati con un risonatore che consente di accordare la fre-
quenza di oscillazione variando la sua frequenza di risonanza in base
a meccanismi diversi (effetti ferromagnetici o capacità variabili).
Nella pratica esiste una suddivisione degli oscillatori in base al tipo
di risonatore utilizzato. Si parla quindi di oscillatori a risonatore dielet-
trico (dielectric resonator oscillator, DRO), a varactor (voltage control-
led oscillator, VCO), a YIG (YIG-tuned oscillators, YTO, con la versio-
ne a magnete permanente PMYTO), a onda acustica superficiale o di
bulk (SAWO e BAWO), a risonatore ceramico (coaxial ceramic resona-
tor oscillator, CRO), con cavità risonanti caricate allo zaffiro (sapphire
loaded cavity resonator oscillator (SLCO) e molte altre varianti. Come
si può notare, il numero di possibili realizzazioni è molto alto, rispec-
chiando l’elevata diversificazione possibile per il tipo di risonatore da
adottare.
10.3 Parametri degli oscillatori a microonde

I due parametri più importanti per un oscillatore sono ovviamen-
te la frequenza di oscillazione f0 , sia essa fissa o variabile, e la po-
tenza di uscita Pout in corrispondenza a tale frequenza e in condizioni
di carico nominale (tipicamente ipotizzando un carico reale e pari a
Parametri degli oscillatori a microonde 411
50 Ω). Entrambi tali valori vengono forniti alla temperatura nominale

di esercizio (di solito fissata a 25 ◦ C).
Per il corretto funzionamento, l’elemento attivo deve essere polariz-
zato in un punto di lavoro appropriato, specificando cosı̀ la tensione e
la corrente di alimentazione nominale, Vdc e Idc , insieme alla potenza
di alimentazione Pdc . È definibile cosı̀ una efficienza di conversione,
come il rapporto tra la potenza ottenuta in uscita a rf e la potenza
dall’alimentazione:
∆ Pout
η= [%] (10.1)
Pdc
con valori che si aggirano, al variare della tipologia dell’oscillatore, da

qualche unità fino al massimo a qualche decina nel caso degli oscillato-
ri a frequenza fissa. Per gli oscillatori a frequenza variabile di norma
viene fornita una curva di trasferimento tra il parametro di controllo
(tipicamente una tensione o una corrente) e la frequenza di uscita, os-
sia un andamento che deve il più possibile tendere a realizzare una di-
pendenza funzionale lineare (per facilitare il controllo dell’oscillatore),
del tipo indicato nella Figura 10.2.
fout , max
fout
fout , min
Xc , min Xc , max
Xcontrollo
Figura 10.2: Esempio di una curva di controllo per un oscillatore a
frequenza accordabile.
La curva di controllo di solito viene specificata alla temperatura no-

minale di esercizio, anch’essa indicata, e fornisce anche i valori massi-
mi e minimi del parametro di controllo (tuning voltage/current range)
in corrispondenza ai quali si ottengono i valori massimi e minimi del-
la frequenza di uscita. In base a tali valori è possibile cosı̀ definire il

range di frequenza (o tuning range, TR) dell’oscillatore:
∆
T R = fout,max − fout,min [Hz] (10.2)
All’interno di tale intervallo di frequenza viene fornito il valore del-

la massima deviazione della potenza di uscita (Pout,max dev , in dB) ri-
spetto al valore nominale (più di rado l’andamento della stessa con la
frequenza):
Pout (f ) = Pout,nom ± Pout,max dev [dBm] (10.3)
Chiaramente un ruolo fondamentale è rivestito dalla dipendenza

dei parametri con la temperatura nel suo intervallo di valori di eserci-
zio. A tale scopo si specifica di solito il valore della variazione della fre-
quenza di uscita (frequency drift) con la temperatura, o della stabilità
in temperatura (temperature stability). La prima grandezza è di solito
utilizzata per oscillatori accordabili, mentre la seconda per oscillatori
a frequenza fissa:
¯ ¯ ¯ ¯ " #
¯ ∂f ¯ ¯ ∆f ¯ MHz
¯ out ¯ ¯ out ¯
∆
FD = ¯ ¯'¯ ¯ ◦C
(10.4)
¯ ∂T ¯ ¯ ∆T ¯
¯ ¯
¯ ∆f ¯
∆¯ out ¯
TS = ¯ ¯ [%] (10.5)
¯ fout ¯
Il modulo, nell’espressione precedente, è di solito introdotto poi-

ché la frequenza può aumentare o diminuire a seconda della tipologia
dell’elemento risonante.
La frequenza di uscita, oltre che in funzione della temperatura, può
variare a seguito di fluttuazioni del carico e della tensione di alimenta-
zione. Nel primo caso, il parametro utilizzato a descrivere tale compor-
tamento è la pulling figure∗ , definita come la variazione in frequenza di
uscita susseguente ad una variazione del carico dai 50 Ω nominali ad
un prefissato valore di modulo del coefficiente di riflessione (di solito
intorno alla decina di dB):
∆
P ull F = fout ||ΓL |=−10 dB − fout ||ΓL |=0 [MHz] (10.6)
∗
La traduzione italiana, letteralmente cifra di tiro, come pure nel caso della
pushing figure, non è praticamente utilizzata.
Parametri degli oscillatori a microonde 413
Nel secondo caso, si parla di pushing figure, definita come la varia-

zione della frequenza di uscita rispetto ad una variazione dell’alimen-
tazione intorno al valore nominale:
" #
fout |V =Vnom +∆V − fout |V =Vnom
∆ MHz
P ush F = (10.7)
∆V V
La qualità del segnale di uscita è specificabile utilizzando diverse

cifre di merito. È bene premettere che, a differenza di quanto può av-
venire a frequenze più basse, gli oscillatori a microonde sono essen-
zialmente oscillatori sinusoidali e dunque la deviazione va misurata
rispetto a tale caratteristica ideale.
Un primo indicatore di purezza spettrale, essendo l’oscillatore un
sistema che va ad interessare le non linearità dell’elemento attivo, è
il livello delle armoniche rispetto a quello della frequenza fondamen-
tale (harmonic level below carrier), tipicamente specificato come valore
massimo al variare dell’indice di armonica:
∆ Pout,nf
HLmax = max [dBc] (10.8)
n Pout,f
Oltre a generare armoniche, l’oscillatore mostra alla sua uscita una
serie di segnali spuri. Tali segnali possono essere generati interna-
mente o derivanti da effetti accessori del risonatore o dall’interazione
dell’oscillatore con segnali esterni. La purezza spettrale del segnale
generato dipende ovviamente anche dal livello di tali spurie ed a que-
sto scopo si definisce il livello delle spurie al di sotto della portante
(spurious output below carrier) come:
∆ Pout,spurious
SLmax = max [dBc] (10.9)
Pout,f
e graficamente riconoscibile come nella Figura 10.3.
Altra fondamentale quantità che definisce la purezza spettrale di un
oscillatore è il suo rumore di fase, grandezza sulla quale si ritornerà in
maggiore dettaglio tra breve. In sintesi, lo spettro di densità di potenza
di uscita di un oscillatore non è formato dalla sola frequenza nomina-
le, ma presenta intorno a questa un contenuto spettrale continuo e che
tende a degradare all’allontanarsi dalla frequenza di esercizio. Tale
contenuto spettrale rappresenta il rumore di fase, il cui livello viene
specificato indicando la potenza in uscita, in dB al di sotto della por-
tante, misurata ad una certa distanza (offset) dalla stessa. Tale misura
Pout HL
[dBm] SL
f
fout 2fout 3fout 4fout
Figura 10.3: Definizioni del livello delle armoniche e delle spurie.
viene di norma fornita per almeno due valori di offset tra di loro molto
diversi (di solito 10 e 100 kHz). Visto che ci si riferisce ad uno spettro
di densità di potenza, in questa misura si deve chiaramente specificare
la banda di integrazione utilizzata per misurare la potenza ad un da-
to offset. Un andamento tipico per il rumore di fase è riportato nella
Figura 10.4.
P / Pout
[dBc]
PN@Df1
PN@Df2
fout fout+Df1 fout+Df2 f

Figura 10.4: Livelli del rumore di fase a due offset diversi.
Il rumore di fase presenta una dipendenza molto pronunciata sia

dall’elemento attivo (a due o tre terminali) che dal risonatore utilizzato.
Ad esempio, per un oscillatore a YIG valori tipici, intorno a 5 GHz, sono
di −110 dBc @10 kHz e −130 dBc@100 kHz. Per un oscillatore a varactor
si ottengono valori, nella stessa gamma, intorno a −85 dBc@10 kHz
e −100 dBc@100 kHz: tale maggiore valore del rumore di fase riflette
anche lo scarso fattore di qualità dell’oscillatore a varactor. Per un
Il rumore di fase degli oscillatori 415
oscillatore a frequenza fissa (DRO), i valori sono dello stesso ordine

di grandezza di quelli ottenuti per lo YIG, ossia −100 dBc@10 KHz e
−125 dBc@100 kHz.
Ultima cifra di merito che si vuole introdurre è il fattore di qua-
lità dell’oscillatore, o Qext , definito come il rapporto tra l’energia me-
dia immagazzinata dallo stesso e l’energia fornita ad un carico in un
periodo:
∆ energia media immagazzinata

Qext = 2π · (10.10)
energia f ornita in un periodo
Quest’ultimo indicatore viene solitamente misurato andando a va-
riare il carico ma mantenendone costante il modulo (VSWR costante), e
misurando la variazione di frequenza risultante (funzione quindi della
pulling figure), ed utilizzando l’espressione
Ã !
f0 1
Qext = · V SW R − (10.11)
2 · ∆f V SW R
10.4 Il rumore di fase degli oscillatori

Come accennato introducendo i parametri caratteristici degli oscil-
latori, il segnale di uscita di un oscillatore sinusoidale non è mai una
semplice riga spettrale, ma contiene delle bande laterali che degradano
all’aumentare della distanza dalla frequenza centrale di uscita.
Per meglio comprendere l’insorgere di tali bande laterali e i mecca-
nismi che le determinano, si consideri dapprima un generico segnale
modulato, x (t), sia in entità (A (t)) che in fase (φ (t)) intorno ad una
frequenza portante fc = ωc /2π, rappresentabile come∗ :
x (t) = A (t) · cos [ωc t + φ (t)] (10.12)

La frequenza (pulsazione) istantanea del segnale è chiaramente
d [ωc t + φ (t)] d [φ (t)]

ω (t) = = ωc + (10.13)
dt dt
Se si considera per ora la sola modulazione di entità, di tipo sinu-
soidale ad una pulsazione abbastanza bassa, ωm , il segnale modulato
può essere espresso nella forma
∗
Come già utilizzato nel caso del test ad un tono o a due toni di un amplificatore,
il segnale in esame può essere considerato come un segnale in tensione o in corrente,
normalizzato su un resistore unitario.
x (t) = [A + ∆A · cos (ωm t)] · cos (ωc t) =

∆A
= A cos (ωc t) + {cos [(ωc − ωm ) t] + cos [(ωc + ωm ) t]}
2
(10.14)
ossia come una portante monocromatica con due bande laterali di pari
ampiezza e distanti ωm dalla portante stessa. La densità spettrale di
potenza del segnale modulato (sulla singola banda laterale), rapportata
al segnale di portante, vale:
Ã !2
∆A
S∆A = (10.15)
2A
Analogamente, se si considera il segnale con la sola modulazione
sinusoidale d’angolo, ad una pulsazione ωm , con una piccola deviazione
di fase ∆φ,
x (t) = A · cos [ωc t + ∆φ · sin (ωm t)] =

= A · {cos (ωc t) · cos [∆φ · sin (ωm t)] +
− sin (ωc t) · sin [∆φ · sin (ωm t)]} =
≈ A · {cos (ωc t) − sin (ωc t) · [∆φ · sin (ωm t)]} =
= A · cos (ωc t) − A · ∆φ · sin (ωc t) · sin (ωm t) =
A · ∆φ
= A · cos (ωc t) − · {cos [(ωc + ωm ) t] − cos [(ωc − ωm ) t]}
2
(10.16)
e dunque, anche in questo caso, se la modulazione d’angolo è piccola,
il segnale modulato è rappresentabile da una portante con due bande
laterali equidistanti a distanza ωm dalla portante a pulsazione ωc . Lo
spettro di densità di potenza normalizzato a quello della portante varrà
in questo caso:
Ã !2
∆φ
S∆φ = (10.17)
2
Dalla (10.13) poi,
d [ωc t + ∆φ · sin (ωm t)]

ω (t) = = ωc + ∆ω · cos (ωm t) (10.18)
dt
dove la massima deviazione in frequenza è ∆ω = ωm · ∆φ. Ora, se

si torna al segnale generato dall’oscillatore e si immagina di andare a
misurare ad una certa distanza il livello del segnale modulato in fase,
questo fornirà la densità di potenza appena determinata, che è definita
come rumore di fase dell’oscillatore ad una distanza fm dalla portante:
Ã !2 Ã !2 Ã !2
∆ ∆φ ∆ω ∆f
L (fm ) = S∆φ = = = (10.19)
2 2 · ωm 2 · fm
Si tenga presente che tale definizione ipotizza l’assenza di modula-

zioni in entità e che la modulazione d’angolo sia di tipo sinusoidale∗ ,
ipotesi in realtà arbitraria. Con maggiore generalità si può introdur-
re lo spettro di densità di potenza delle fluttuazioni di fase (processo
aleatorio) mediando su entrambe le bande laterali, ossia
∆ ®
S (fm ) = ∆φ2 (fm ) = ∆φ2rms (fm ) (10.20)
Nel caso di segnali modulati precedentemente descritto tale valore

risulterebbe esattamente il doppio (3 dB superiore) rispetto al prece-
dente.
Si consideri ora un sistema reazionato, quale è quello rappresen-
tato da un oscillatore, in cui il guadagno ad anello aperto è unitario
alla frequenza di oscillazione e la reazione è effettuata dall’elemento
risonante, secondo lo schema in Figura 10.5.
C L
Df
RL
Hol (w)
Figura 10.5: Rappresentazione a controreazione di un oscillatore.
∗
Tale ipotesi implica l’uguaglianza tra le due bande laterali di rumore, che sono in
questo caso completamente correlate.
La funzione di trasferimento del semplice risonatore serie in figura

vale, in prossimità della risonanza (ω0 + ∆ω ≈ ω0 ):
1 1
Hol (ω) = Ã !≈ (10.21)
ω0 L ω ω0 2Q∆ω
1+j· · − 1+j·
RL ω0 ω ω0
e supponendo non interagenti l’amplificatore e la rete di reazione, la

funzione di trasferimento ad anello chiuso della connessione sarà cosı̀
(supponendo l’amplificatore invertente):
1 ω0
Hcl (ω) = =1−j· (10.22)
1 − Hol (ω) 2Q∆ω
Quindi, se all’ingresso dell’anello è presente la densità di potenza
fornita dalla (10.19) (o dalla (10.17)), in uscita lo spettro di densità di
potenza sarà fornito dalla:
Ã !
2 ω02
Lout (ω) = Lamp (ω) · |Hcl (ω)| = Lamp (ω) · 1+ (10.23)
4Q2 ω 2
espressione valida nella banda passante del risonatore, vista l’appros-

simazione effettuata nella (10.21).
La banda passante del risonatore (definita come l’intervallo di fre-
quenze nel quale la funzione di trasferimento è al più 3 dB al di sotto
del valore a frequenza centrale) vale, come noto:
f0
f−3 dB = (10.24)
2 · QL
in cui ora il fattore di qualità è quello che incorpora anche l’eventuale
carico del risonatore rappresentato dal circuito esterno. A frequenze
maggiori della frequenza definita dalla (10.24), il sistema si comporta
come se fosse ad anello aperto, visto che il risonatore introduce una
attenuazione notevole e minimizza cosı̀ la l’ammontare della reazione.
Di conseguenza, il rumore di fase a offset molto elevati dovrà coincidere
con quello del sistema amplificatore (l’elemento a resistenza negativa
o il dispositivo a tre porte non reazionato).
Per derivare ora l’andamento effettivo dello spettro di densità di
potenza descritto dalla (10.23), si deve ora ottenere un’espressione per
quello dell’amplificatore non reazionato Lamp (ω).
A tale scopo si consideri che ogni dispositivo attivo presenta un an-

damento, brevemente descritto nella discussione generale sul rumore
nel capitolo precedente, che a frequenze non troppo elevate è la compo-
sizione di un rumore colorato di bassa-bassissima frequenza (rumore
1/f ) e di un rumore termico essenzialmente a spettro bianco. Al va-
riare del dispositivo attivo che si considera, la frequenza di corner del
rumore 1/f (f1/f ) può variare di molto, dai pochi kHz dei transistori
bipolari (sia al silicio che HBT, ad omogiunzione ed a eterogiunzione),
al centinaio di kHz per i MOSFET fino alla decina di MHz per dispo-
sitivi ad effetto di campo in GaAs (MESFET o HEMT). Tale rumore di
bassa frequenza viene in un oscillatore riportato intorno alla frequenza
di uscita, creando cosı̀ un rumore di fase a spettro più o meno esteso.
È questo il motivo per cui, in genere, si preferisce non utilizzare ME-
SFET al GaAs nel progetto di oscillatori a basso rumore di fase. Oltre
al rumore 1/f c’è chiaramente anche un contributo di rumore termico
di tipo bianco, al quale il dispositivo contribuisce per il tramite del suo
fattore di rumore F . Il contributo termico ha uno spettro di densità di
potenza, come noto, caratterizzato da
Pth = k · T + Nadd = F · k · T (10.25)
Tale rumore, al una frequenza distante fm da quella di oscillazione

f0 , può considerarsi equivalente ad√una coppia (le due bande laterali) di
vettori con ampiezza media pari √a F · k · T che si vanno a sovrapporre
al segnale utile (di ampiezza Pu , essendo Pu la densità di potenza
del segnale utile). Nel piano dei fasori relativi al segnale utile, tali
vettori possono immaginarsi ruotare ad una frequenza pari a fm . La
rappresentazione grafica dell’effetto del rumore di fase è cosı̀ quella
mostrata nella Figura 10.6.
In definitiva quindi la variazione massima della fase prodotta dal
rumore termico vale, considerando incorrelate le due bande di rumore
laterali:
s
F ·k·T
∆φrms = (10.26)
Pu
A tale contributo va aggiunto quello dovuto al rumore di tipo 1/f ,
ottenendo complessivamente:
Ã !
F ·k·T 2π · f1/f
Lamp (ω) = · 1+ (10.27)
2 · Pu ω
1/2
(FkT)
fm
1/2
(FkT)
1/2
(Pu)
Df
Figura 10.6: Rappresentazione, nel piano dei fasori, dell’effetto del

rumore termico su un segnale nell’elemento attivo.
Lo spettro di densità di potenza del rumore di fase, rapportato a

quello della portante sarà cosı̀, ad un offset ωm :
Ã ! Ã !
F ·k·T f1/f ω02
Lout (ωm ) = · 1+ · 1+ =
Pu fm 4 · Q2L · ωm
2
Ã ! Ã !
F ·k·T f1/f 1 f02
= · 1+ · 1+ ·
2 4 · Q2
=
Pu fm fm L
Ã ! Ã !
f1/f 2
f−3 dB
F ·k·T
= · 1+ · 1+ 2
Pu fm fm
(10.28)
Se si diagramma tale andamento in scala semilogaritmica per la fre-
quenza di offset, si ottiene il grafico tipico riportato nella Figura 10.7,
nella quale è mostrato anche l’andamento del rumore 1/f e termico del
dispositivo attivo a sé stante.
Come si può notare dalla (10.28) e peraltro già evidenziato, il rumo-
re di fase si immerge in quello termico in corrispondenza della frequen-
za a −3 dB del risonatore caricato dal circuito esterno. Tale frequenza,
dalla (10.24), risulta essere una funzione del fattore di qualità del riso-
natore. Se si ipotizza, a partire da una data situazione di riferimento,
schematizzata dalla curva scura in Figura 10.7, di raddoppiare il fat-
tore di qualità del risonatore caricato (QL ), allora questo dimezza la
frequenza di taglio a −3 dB del risonatore, e di conseguenza trasla ver-
so il basso l’andamento del rumore di fase, che risulta cosı̀ diminuito di
3
Lout (fm) 1/f
[dBc]
2
Samp (fm) 1/f
[dBc]
f1/f f-3 dB fm
Figura 10.7: Tipico andamento del rumore di fase in scala semiloga-
ritmica; sono indicati due andamenti corrispondenti a
due diversi valori del fattore di qualità del risonatore, e
lo spettro di densità di potenza del rumore del dispositivo
attivo.
6 dB. Da tale effetto deriva la fondamentale importanza, in un oscilla-

tore a basso rumore di fase, di utilizzare risonatori ad elevato fattore
di qualità.
Tali risonatori sono disponibili, e il loro fattore di qualità può ad-
dirittura essere tale da rendere la frequenza di taglio del risonatore
caricato minore della frequenza f1/f del dispositivo, specialmente nel
caso dei MESFET. Tale ipotesi può essere evidenziata esplicitando la
(10.28),
Ã ! Ã !
F ·k·T f1/f 1 f02
Lout (ωm ) = · 1+ · 1+ 2 · =
Pu fm fm 4 · Q2L
" #
F ·k·T f1/f 1 f02 1 f1/f · f02
= · 1+ + 2 · + 3 ·
Pu fm fm 4 · Q2L fm 4 · Q2L
(10.29)
L’espressione precedente fornisce le cause maggiori, raggruppate,

del rumore di fase ed in dettaglio, da sinistra verso destra, il rumore
termico, il rumore 1/f , il rumore termico modulato in frequenza ed il
rumore 1/f modulato in frequenza. Se si è in presenza di oscillatori
con risonatori ad alto fattore di qualità, allora la Figura 10.8 mostra

come gli andamenti del rumore di fase presentino pendenze che van-
no come 1/f e 1/f 3 , con pendenze rispettivamente di 10 dB/decade e
30 dB/decade.
Lout (fm) 3
1/f
[dBc]
1/f
Samp (fm) A
[dBc]
B
f-3 dB f1/f fm
Figura 10.8: Tipico andamento del rumore di fase in scala semiloga-

ritmica; B rappresenta l’andamento corrispondente ad
un fattore di qualità elevato del risonatore, A lo spettro
di densità di potenza del rumore del dispositivo attivo.
In Figura 10.9 sono riportati gli andamenti del rumore di fase di

oscillatori free-running ottenuti dalla letteratura∗ e realizzati con riso-
natori e dispositivi attivi diversi, normalizzando quindi le prestazioni
per una frequenza centrale di 10 GHz.
10.5 Risonatori a microonde

Si è più volte accennato alla necessità, per avere condizioni di oscil-
lazione stabili, di utilizzare circuiti esterni ad elevato fattore di qua-
lità. Nel caso degli oscillatori a microonde, tale comportamento viene
realizzato mediante risonatori costruiti e realizzati per mezzo di tec-
niche assolutamente peculiari dell’elettronica delle microonde (o più
in generale legati alle proprietà elettromagnetiche dei mezzi propa-
gativi). Nel seguito di questo paragrafo si cercherà di descrivere, in
breve, i risonatori più comunemente utilizzati per la realizzazione di
oscillatori.
∗
G.D.Vendelin, A.M.Pavio e U.L.Rohde, “Microwave Circuit Design using Linear
and Non Linear Techniques,” John Wiley and Sons, New Jersey, 2005.
Risonatori a microonde 423
Figura 10.9: Andamenti del rumore di fase per oscillatori differen-

ti al variare dell’offset (sinistra) e normalizzati per una
frequenza di uscita di 10 GHz.
Risonatori SAW
I risonatori ad onda acustica superficiale (surface acoustic wave,

SAW), insieme ai risonatori ad onda acustica di bulk (bulk acoustic
wave, BAW), sono tra i più utilizzati nella gamma bassa delle frequen-
za delle microonde (fino al massimo alla decina di GHz), e garantisco-
no un fattore di qualità molto elevato, superiore a quello ottenibile da
risonatori dielettrici o a cristallo.
Il meccanismo di funzionamento del risonatore, dal nome, è basato
sull’effetto piezoelettrico. In Figura 10.10 è mostrata una schematiz-
zazione di un dispositivo SAW ad una porta realizzato con il pattern
indicato, in alluminio deposto su materiale piezoelettrico.
l0=2p
W V
Ngp Npl0 Ngp
Figura 10.10: Esempio di pattern realizzativo per un dispositivo SAW.

Senza voler entrare nel dettaglio del funzionamento, il meccanismo

di base consiste nell’eccitazione tramite elettrodi (trasduttori elettro-
meccanici) di un’onda acustica sulla superficie del materiale, che si ac-
coppia con altri elettrodi a seconda della spaziatura, del numero, della
lunghezza e della distanza tra di essi. Nella Figura 10.11 è mostrata la
realizzazione di un dispositivo ad onda acustica di bulk a membrana,
assieme ad un tipico andamento in frequenza.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
piezo elettrodi -j0.2 -j5
aria
substrato
-j0.5 -j2
-j1
Figura 10.11: Esempio di BAW a membrana, con le prestazioni in

frequenza a destra.
Il circuito equivalente di un risonatore SAW ad una porta (è pos-

sibile anche una versione a due porte), è del tipo RLC serie, con una
capacità parassita ulteriore, come schematicamente indicato in Figu-
ra 10.12. A destra nella stessa figura viene mostrato l’andamento
della perdita di inserzione e della perdita di ritorno al variare della
frequenza nell’intorno della frequenza nominale di risonanza.
10.5.1 Risonatori dielettrici

Sono dei risonatori di costruzione molto semplice, consistenti essen-
zialmente in un cilindretto di materiale dielettrico che viene tipicamen-
te affiancato ad una microstriscia, alla quale si accoppia tramite il suo
modo fondamentale di risonanza (un modo TE) con il modo quasi-TEM
della microstriscia (Figura 10.13).
L’accoppiamento tra le due strutture avviene per il tramite del cam-
po magnetico. Immaginando il risonatore come un dipolo magnetico, si
deve far sı̀ che il suo momento sia orientato perpendicolarmente al pia-
0 0
RS RL IL
CS CP [dB] [dB]
LS
-5 -30
306.2 f [MHz] 306.4
Figura 10.12: Circuito equivalente (a sinistra) e prestazioni di in-

sertion loss e return loss (a destra) per un risonatore
SAW.
er h
Figura 10.13: Accoppiamento del campo magnetico del modo quasi-

TEM della microstriscia con il risonatore dielettrico
no della microstriscia. Il risonatore si comporta cosı̀ come una cavità

risonante che riflette energia alla frequenza di risonanza, in pratica si-
mile ad un circuito aperto alla risonanza, con un massimo di tensione
nel piano di riferimento (di inserzione).
L’accoppiamento dipende fortemente dalle dimensioni geometriche
del risonatore, dalla distanza dello stesso dalla microstriscia, oltre che
dallo spessore del substrato e da molti altri parametri, quali ad esem-
pio la distanza del circuito dalle pareti del contenitore in cui è alloggia-
to (che evita perdite di tipo radiativo).
Il circuito equivalente di un risonatore dielettrico, realizzato in ma-
teriali quali (Zr-Sn)Ti2 O5 o BaTi2 O5 , con costanti dielettriche relative
molto elevate che concentrano anche il campo elettrico adiacente, è ab-
bastanza complesso, del tipo di quello rappresentato in Figura 10.14,
assieme alla versione semplificata nei pressi della risonanza (circuito
risonante parallelo in serie alla linea a cui è accoppiato).
Rr
R
Cr Lr
L
Lm
R1 L1
C1 C
Figura 10.14: Circuito equivalente di un risonatore dielettrico (si-

nistra) nel punto di inserzione della microstriscia, e
circuito semplificato (destra).
Il fattore di qualità del risonatore risultante può essere molto ele-

vato, adatto in ogni caso alla realizzazione di oscillatori a frequenza
fissata in gamme di frequenza anche moderatamente elevate (fino al
millimetrico).
Il punto cruciale è la scarsa integrabilità della tecnologia, assieme
all’elevata sensibilità rispetto a parametri quali la distanza o le dimen-
sioni che infatti, per maggiore versatilità vengono spesse volte varia-
ti da un operatore manualmente per trovare l’accordo alla frequenza
desiderata.
Il risonatore a dielettrico può essere utilizzato in diversi punti di
un circuito oscillante, per selezionarne la frequenza sia sul ramo di
reazione che sulle porte di ingresso o uscita.
10.5.2 Risonatori a YIG

Un risonatore a YIG (acronimo di yittrium iron garnet, granato di it-
trio e ferro, Y2 Fe2 (FeO4 )3 ), è costituito da una sfera di questo materiale
ferrimagnetico la cui frequenza di risonanza può essere variata da un
campo magnetico esterno applicato da un magnete. Proprio per que-
sta possibilità di accordo, i risonatori di questo tipo possono accordarsi
in una gamma di frequenze estremamente ampia, dando cosı̀ luogo ad
oscillatori con frequenze di uscita che possono variare per intere decadi,
fino ad oltre 50 GHz. Per tale motivo oscillatori a sfere di YIG formano
il cuore di molti sintetizzatori per strumentazione, quali quelli inseriti
nei moderni analizzatori di spettro a supereterodina.
I fattori di qualità risultanti superano il migliaio, e per tale mo-

tivo tale tipo di risonatori viene utilizzato anche in filtri accordabi-
li elettronicamente (ad esempio nei preselettori degli analizzatori di
spettro)∗ .
riscaldamento e supporto
spira di alimentazioni in continua

accoppiamento
sfera
di YIG
componenti SMD
su ceramica
elemento
a resistenza negativa connettore di uscita
(sul retro)
Figura 10.15: Montaggio semplificato di una sferetta di YIG.
Per l’accordo grossolano della risonanza dello YIG si utilizza sem-

plicemente una corrente continua in un avvolgimento per la polariz-
zazione del magnete, mentre per una regolazione fine viene impiegato,
insieme alla precedente, un segnale FM in un avvolgimento secondario,
sovrapposto alla continua e di ampiezza variabile (Figura 10.15). Va-
lori tipici delle sensibilità di ciascun avvolgimento sono di 20 MHz/mA
per l’avvolgimento primario e di 300 KHz/mA per l’avvolgimento secon-
dario.
Il circuito equivalente di un risonatore a YIG è mostrato nella Fi-
gura 10.16, ed è essenzialmente assimilabile ad un risonatore di tipo
parallelo, con una induttanza parassita Ls . I valori dei parametri del
circuito equivalente (e quindi la frequenza di risonanza) sono determi-
nati praticamente dalla corrente di polarizzazione del magnete (Lp e
C). In più, Lp è direttamente proporzionale al volume della sferetta di
YIG ed inversamente proporzionale alla frequenza di risonanza della
sfera stessa.
Chiaramente il grosso inconveniente di tale risonatore cosı̀ versatile
è la sua scarsissima integrabilità in circuiti complessi ad elevato livello
di integrazione e la necessità di circuiti non soltanto di polarizzazione,
ma anche di riscaldamento (decine di W di assorbimento) e stabiliz-
zazione in temperatura. Si hanno quindi richieste notevoli di potenza
∗
U. L. Rohde, “Microwave and Wireless Synthesizers,” John Wiley and Sons, 1997.
Ls
R Lp C
Figura 10.16: Circuito equivalente di un risonatore a YIG.
in continua, che ne sconsigliano l’utilizzazione in applicazioni portatili.

Inoltre, come per ogni materiale magnetico, lo YIG presenta fenomeni
di isteresi che devono essere opportunamente tenuti in conto.
10.5.3 Risonatori a varactor

Il risonatore a varactor è essenzialmente duale rispetto a quello a
YIG, visto che è basato su una giunzione di tipo pn che, al variare della
polarizzazione in tensione applicata, produce una reattanza variabile
in un ampio intervallo di valori. Tale possibilità di accordo, ottenuta
con elementi esterni di tipo opposto e tipicamente prefissati, è alla base
del progetto degli oscillatori controllati in tensione (voltage-controlled
oscillators, VCO).
La giunzione è di solito polarizzata inversamente ed è caratteriz-
zata da bassissime correnti di leakage, che contribuiscono a rendere a
basse perdite la reattanza ottenuta, garantendo cosı̀ elevati fattori di
qualità, soprattutto se realizzati in GaAs.
Come noto, il circuito equivalente di un diodo in polarizzazione in-
versa è composto da una capacità e da una resistenza entrambe funzio-
ne della polarizzazione, oltre che di una resistenza serie parassita che
domina e determina i valori delle perdite.
L’andamento della capacità e della resistenza dinamica per un tipico
diodo varactor è mostrato nella Figura 10.17.
La possibilità di accordare il risonatore al variare della tensione
applicata dipende dal rapporto tra la massima e la minima capacità
ottenibile, che si aggira intorno alla decina per normali varactor ed a
qualche decina per varactor a giunzione di tipo hyperabrupt.
In ogni caso comunque il fattore di qualità ottenibile non supera
qualche centinaio, essendo limitato sia dalle resistenze parassite del
diodo, sia da quelle dell’elemento di accordo (che di solito è un tratto di
linea a simulare un andamento induttivo).
2 20
Cp Rs
[pF] [W]
0 0
0 10
-Vd [V]
Figura 10.17: Andamento della capacità inversa e della resistenza
dinamica di un varactor su GaAs.
Inoltre, come in ogni giunzione, volendo diminuire la resistenza di-

namica, si può provare ad aumentare la tensione di polarizzazione, ma
questa viene comunque limitata dal breakdown della giunzione.
Per contro, le frequenze massime di utilizzazione possono essere an-
che molto elevate, dipendendo dalla tecnologia costruttiva del diodo e
dalla corrispondente diminuzione ottenibile per i valori dei parassiti.
L’integrabilità del varactor non è immediata come potrebbe imma-
ginarsi, visto che le normali tecnologie per circuiti monolitici non si
coniugano con i livelli di drogaggio necessari per realizzare giunzioni
per varactor.
Chiaramente comunque si possono integrare più facilmente di ogni
altro tipo di risonatore, ad esempio utilizzando come giunzione quelle
di un MESFET, anche se caratterizzate da parassiti non trascurabili.
Oltre a quelle citate, sono possibili numerose altre tipologie di riso-
natore, a partire da quelli ceramici, consistenti essenzialmente in un
tratto di cavo a quarto d’onda con dielettrico a bassissime perdite ed
elevata costante dielettrica, raggiungendo valori di fattore di qualità
di svariate centinaia per frequenze di poco superiori a qualche GHz.
In generale, tratti di linea di trasmissione a basse perdite, terminati
su reattanze pure o comunque di elevata qualità, producono dei riso-
natori con fattori di qualità non paragonabili a quelli precedentemente
descritti, ma sicuramente utilizzabili nei circuiti integrati a microonde.
Tale considerazione è tanto più applicabile se non è essenziale rag-
giungere prestazioni di stabilità, rumore di fase e purezza spettrale
troppo elevate.
10.6 Condizioni di oscillazione

10.6.1 Condizioni di oscillazione per la connessione di
bipoli
Si consideri la connessione di due bipoli non autonomi (ossia privi
di generatori indipendenti), descritti mediante le rispettive impedenze
e schematizzata nella Figura 10.18.
IS ID
+
ZS = RS + jXS V ZD = RD + jXD
Figura 10.18: Connessione di due bipoli non autonomi.
L’unica maglia del circuito impone che si abbia:
ZS · IS = (RS + j · XS ) · IS = V = (RD + j · XD ) · ID = ZD · ID (10.30)
e, visto che le due correnti sono uguali ed opposte,
IS = −ID (10.31)
si ottiene
(ZD + ZS ) · ID = 0 (10.32)
La relazione precedente ha due possibili soluzioni. La prima è che
la corrente ID sia nulla, portando con sé anche una differenza di poten-
ziale V nulla, e quindi rappresenta la soluzione banale.
Una seconda possibilità, che consente una corrente non nulla, è
possibile soltanto se
(
RS = −RD
ZS = −ZD ⇔ (10.33)
XS = −XD
Quindi, se l’impedenza di destra ZD è un comune bipolo di tipo pas-
sivo, quella di sinistra ZS , per avere soluzioni non banali, dovrà essere
uguale ed opposta: dovrà quindi essere attiva, a parte reale negativa.
Condizioni di oscillazione 431
Analogamente, se si considera la connessione di due ammettenze

non autonome, YS = GS + j · BS e YD = GD + j · BD , la condizione per
avere soluzione non banale sarà:
(
GS = −GD
YS = −YD ⇔ (10.34)
BS = −BD
e dunque, analogamente al caso delle impedenze, se YD è un’ammetten-
za passiva, a parte reale positiva, YS dovrà essere attiva, se si esclude
la soluzione banale.
Nel caso in cui si considerino due carichi descritti dai rispettivi coeffi-
cienti di riflessione (Figura 10.19), supponendo che siano normalizzati
sulla medesima impedenza Z0 ,
b
GS GD
a
Figura 10.19: Connessione di due bipoli non autonomi descritti da

coefficienti di riflessione.
si avrà
a = ΓS · b = ΓS · ΓD · a
⇓ (10.35)
(1 − ΓS · ΓD ) · a = 0
che ammette una soluzione non banale (a 6= 0) soltanto se si ha:


 1
|ΓS | =
ΓS · ΓD = 1 ⇔ |ΓD | (10.36)


arg (ΓS ) = − arg (ΓD )
e dunque, se ΓD rappresenta un carico passivo (e quindi a modulo in-
feriore all’unità), ΓS dovrà essere a modulo superiore all’unità, ossia
dovrà essere ancora una volta attivo.
In definitiva, qualunque sia la rappresentazione utilizzata per i bi-
poli che si connettono, condizione per non avere una soluzione banale
è che i due bipoli siano l’uno passivo e l’altro attivo, secondo le condi-
zioni imposte, a seconda della rappresentazione, dalle (10.33), (10.34)
o (10.36). Sotto tali ipotesi, un eventuale segnale presente nella rete

formata dai due bipoli, ivi generato o iniettato in qualche modo, per-
siste inalterato nella rete stessa. Tale condizione di persistenza di un
eventuale segnale è la condizione di oscillazione. Come evidente tale
condizione non riguarda la generazione del segnale, ma soltanto la sua
persistenza nella rete.
10.6.2 Condizioni di oscillazione per reti multiporta

La condizione derivata per due bipoli interconnessi può estendersi
anche al caso a più porte; ci si soffermerà soltanto sul caso a due porte,
ma il risultato che si otterrà rimane valido anche nel caso più generale.
Si consideri a tale proposito la rete a due porte in Figura 10.20 de-
scritta dai suoi parametri impedenza, terminata sulla prima e sulla
seconda porta dalle impedenze z1 e z2 .
I1 I2
+ +
z1 V1 1 Z 2 V2 z2
Figura 10.20: Rete a due porte terminata e descritta dai parametri

impedenza.
Le equazioni costitutive della rete, insieme alle condizioni di chiu-

sura sono:
V1 = z11 · I1 + z12 · I2 V1 = −z1 · I1

(10.37)
V2 = z21 · I1 + z22 · I2 V2 = −z2 · I2
La Figura 10.20 può essere modificata come in Figura 10.21, evi-

denziando cosı̀ due reti a due porte ZD ≡ Z e ZS , ove la rete di sinistra
ZS è descritta da:
" #
z1 0
ZS = (10.38)
0 z2
zin I1
+
z1 V1 12
ZS zout I2 Z=ZD
+
z2 V2 2
Figura 10.21: Rete a due porte terminata e descritta dai parametri

impedenza.
Considerando la connessione delle due reti, si ha facilmente:
V1 = z11 · I1 + z12 · I2 = −z1 · I1

(10.39)
V2 = z21 · I1 + z22 · I2 = −z2 · I2
ovvero, in termini di matrici,
" # " # " # " #

z11 z12 I1 z1 0 I1
· + · = (ZD + ZS ) · I = ZT · I = 0
z21 z22 I2 0 z2 I2
(10.40)
avendo definito
" #
z11 + z1 z12
ZT = ZD + ZS = (10.41)
z21 z22 + z2
Condizione per avere una soluzione non banale (correnti nulle ad

entrambe le porte) è che il determinante della matrice dei coefficienti
ZT sia a rango non massimo, ossia che
det (ZT ) = (z11 + z1 ) · (z22 + z2 ) − z12 · z21 = 0 (10.42)
Dividendo ambo i membri dell’espressione precedente dapprima per

z11 + z1 e poi per z22 + z2 (supposti non nulli) si ottiene la coppia di

equazioni:
" #
z12 · z21
z1 + z11 − = z1 + zin = 0
z22 + z2
" # (10.43)
z12 · z21
z2 + z22 − = z2 + zout = 0
z11 + z1
avendo riconosciuto l’impedenza di ingresso zin e di uscita zout della

rete a due porte caricata. La soluzione non banale si otterrà quindi se
si sceglie:
(
R1 = −Rin
z1 = −zin ⇔ (10.44)
X1 = −Xin
ovvero se si ha
(
R2 = −Rout
z2 = −zout ⇔ (10.45)
X2 = −Xout
Il soddisfacimento di una tra le (10.44) e (10.45) implica chiaramen-
te anche quello dell’altra, visto che entrambe derivano dalla (10.42).
Basta dunque che una delle due sia verificata per avere la condizione
soddisfatta anche all’altra porta: la condizione di oscillazione si tra-
smette quindi a tutte le porte della rete. Ad analogo risultato si può
arrivare se la rete di partenza viene descritta in termini di parametri
ammettenza e terminata su due ammettenze y1 e y2 . In questo caso
infatti le equazioni della connessione sono
" # " # " # " #

y11 y12 V1 y1 0 V1
· + · = (YD + YS ) · V = YT · V = 0
y21 y22 V2 0 y2 V2
(10.46)
avendo definito
" #
y11 + y1 y12
YT = YD + YS = (10.47)
y21 y22 + y2
La condizione di soluzione non banale diventa:
det (YT ) = (y11 + y1 ) · (y22 + y2 ) − y12 · y21 = 0 (10.48)

e quindi equivalente alla coppia
Ã ! (
y12 · y21 G1 = −Gin
y1 = −yin = − y11 − ⇔ (10.49)
y22 + y2 B1 = −Bin
Ã ! (
y12 · y21 G2 = −Gout
y2 = −yout = − y22 − ⇔ (10.50)
y11 + y1 B2 = −Bout
Ancora una volta il soddisfacimento di una delle (10.49) e (10.50)

implica quello dell’altra, visto che entrambe sono derivate dalla (10.48).
Se si passa alla descrizione della rete in termini di rappresentazione
di diffusione e si considerano le terminazioni descritte dai rispettivi
coefficienti di riflessione, tutti normalizzati sulla medesima impedenza
di normalizzazione Z0 , la situazione è descritta nella Figura 10.22.
Gin
b1
G1 12
a1
SS Gout S=SD
b2
G2 2
a2
Figura 10.22: Rete a due porte terminata e descritta dai parametri di

scattering.
Le relazioni che descrivono la connessione sono:
b1 = s11 · a1 + s12 · a2 a1 = Γ1 · b1
(10.51)
b2 = s21 · a1 + s22 · a2 a2 = Γ2 · b2
ossia, tenendo in conto della modalità di connessione, in termini di
matrici
· ¸ · ¸ · ¸
b1 s11 s12 a1
b = = · =
b2 s21 s22 a2
· ¸ · ¸ · ¸
s11 s12 Γ1 0 b1
= · · =
s21 s22 0 Γ2 b2
= SD · SS · b = ST · b
⇓
(I − ST ) · b = 0 (10.52)
avendo definito
" #
Γ1 0
SS =
0 Γ2
" # (10.53)
s11 · Γ1 s12 · Γ2
ST =
s21 · Γ1 s22 · Γ2
La condizione per avere soluzione non banale è che si abbia
det (I − ST ) = (1 − s11 · Γ1 ) · (1 − s22 · Γ2 ) − s12 · s21 · Γ1 · Γ2 = 0 (10.54)
e quindi, dividendo la (10.54) dapprima per 1−s11 ·Γ1 , e poi per 1−s22 ·Γ2 ,
si ottengono le due condizioni:

Ã !  1
s12 s21 Γ2  |Γ1 | =
Γ1 · s11 + = Γ1 · Γin = 1 ⇔ |Γin |
1 − s22 · Γ2 

arg (Γ1 ) = − arg (Γin )
(10.55)

Ã !  1
s12 s21 Γ1  |Γ2 | =
Γ2 · s22 + = Γ2 · Γout = 1 ⇔ |Γout |
1 − s11 · Γ1 

arg (Γ2 ) = − arg (Γout )
(10.56)
Anche in questo caso, la verifica di una delle (10.55) o (10.56) implica
l’automatico soddisfacimento anche dell’altra.
Ricapitolando quindi, per verificare la possibilità di oscillazioni, os-
sia che se sia presente un segnale nella rete questo vi permanga inal-
terato, basta che sia verificata una delle sei condizioni (10.44), (10.45),
Condizioni di innesco delle oscillazioni 437
(10.49), (10.50), (10.55) o (10.56), indipendentemente dalla modalità di

rappresentazione della rete.
Un’ultima considerazione riguarda le condizioni trovate per la rap-
presentazione in termini di coefficienti di riflessione (parametri di dif-
fusione). In questo caso si è imposta una soluzione non banale suppo-
nendo diverse da zero le onde riflesse dalla rete a due porte.
In realtà tale condizione potrebbe implicare, oltre alla effettiva as-
senza di onde, anche che il coefficiente di riflessione della porta corri-
spondente sia nullo (adattamento su Z0 ).
Ciò si riflette anche sulle condizioni finali (10.55) o (10.56), che per-
derebbero di significato. Tale situazione merita una analisi diretta, che
conviene effettuare direttamente in termini di impedenza o ammetten-
za, visto che in questi casi l’ambiguità non sussiste. Ovviamente, la
circostanza che
zin = Z0 oppure zout = Z0 (10.57)
implica semplicemente, per le condizioni di oscillazione, che le impe-

denze esterne siano di valore opposto a quella dell’impedenza di nor-
malizzazione:
z1 = −Z0 oppure z2 = −Z0 (10.58)
10.7 Condizioni di innesco delle oscillazioni

Le condizioni derivate nel paragrafo precedente garantiscono, se
soddisfatte, che se esiste un segnale nella rete, ad una frequenza pre-
fissata, tale segnale vi permane inalterato indefinitamente.
Le stesse condizioni non forniscono alcuna informazione sulle mo-
dalità in base alle quali tale segnale si sia sviluppato nella rete, ossia
se sia di origine interna o risultante da sollecitazioni esterne.
In questa sezione si cercherà di derivare le condizioni di innesco nel
caso di risonanza serie e parallelo, sia in termini di rappresentazione
impedenza che ammettenza, estendendole poi alla rappresentazione in
termini di coefficiente di riflessione. Successivamente si deriverà la
condizione di stabilità di tali oscillazioni, ossia se un disturbo limi-
tato nel tempo, sia in ampiezza che in frequenza, lascia inalterate le
oscillazioni a regime permanente.
10.7.1 Innesco per la rappresentazione impedenza o am-

mettenza
Per investigare il meccanismo di generazione del segnale e quindi
la condizione di innesco delle oscillazioni, si consideri la connessione
in serie di due bipoli, o, in maniera equivalente, la connessione tra
la porta di ingresso di una rete due porte, opportunamente terminata
sulla rimanente, con un bipolo. Si supponga di essere in prossimità
della frequenza alla quale siano valide le condizioni di oscillazione.
Si ipotizzi inoltre che nell’intorno di tale frequenza, il comportamen-
to risonante della connessione sia di tipo serie. Questa ipotesi consente
di schematizzare la connessione stessa come nella Figura 10.23∗ .
IS ID
+ CD LD
RS V RD
Figura 10.23: Connessione di due bipoli in prossimità della risonanza

di tipo serie.
Dall’analisi del circuito nel dominio di Laplace per l’unica maglia in

figura, si ottiene l’equazione caratteristica
£ ¤
LD CD · s2 + (RS + RD ) · CD · s + 1 · I = 0 (10.59)
che ha per soluzioni, escludendo quella banale I = 0,
vÃ !2
u
RS + RD u R + R 1
±t
S D
s1,2 = − − =
2 · LD 2 · LD LD CD
vÃ !2
u
RT OT u R 1
±t
T OT
= − −
2 · LD 2 · LD LD CD
(10.60)
∗
Si noti che aver ascritto l’intera parte reattiva della connessione ad uno soltanto
dei due bipoli non fa perdere di generalità alla schematizzazione.
con
RT OT = RS + RD (10.61)
Tali due soluzioni danno origine ad andamenti differenti a seconda

del segno di RT OT . In particolare, se RT OT > 0, un eventuale segnale
presente nel circuito si attenua progressivamente fino ad annullarsi;
se invece RT OT = 0 il segnale presente permane inalterato nella rete,
mentre infine se RT OT < 0 il segnale aumenta progressivamente la
propria ampiezza (Figura 10.24).
t t t
RTOT > 0 RTOT = 0 RTOT < 0
Figura 10.24: Andamento nel tempo di un eventuale segnale presente

nella rete per diversi valori di RT OT .
La frequenza del segnale in esame risulta essere quindi:

v Ã !2
u
1 u t 1 RT OT
fser = · − (10.62)
2π LD · CD 2 · LD
che viene a coincidere con la frequenza di risonanza (serie) del circui-

to per RT OT = 0, ritrovando in questo caso le condizioni di oscillazio-
ne. La condizione di innesco sarà quindi ottenuta, nel caso di circuito
risonante serie, per
RT OT < 0 ⇔ RS < −RD (10.63)
o, in termini più generali:
Re (ZS ) + Re (ZD ) < 0 (10.64)
La somma delle parti reali delle impedenze connesse deve esse-

re quindi negativa affinché un segnale presente nel circuito aumenti
progressivamente la propria ampiezza.
Se ora si considera la connessione di due bipoli e si ipotizza un

comportamento risonante di tipo parallelo (Figura 10.25), l’equazione
caratteristica risultante sarà
£ ¤
LD CD · s2 + (GS + GD ) · LD · s + 1 · V = 0 (10.65)
IS ID
+
GS CD LD GD
V
Figura 10.25: Connessione di due bipoli in prossimità della risonanza

di tipo parallelo.
che ha per soluzioni, escludendo quella banale V = 0,
vÃ !2
u
GS + GD u G + G 1
±t
S D
s1,2 = − − =
2 · CD 2 · CD LD CD
vÃ !2
u
GT OT u G 1
±t
T OT
= − −
2 · CD 2 · CD LD CD
(10.66)
con
GT OT = GS + GD (10.67)
A seconda del segno di GT OT avremo ancora soluzioni che si atte-
nuano, rimangono di ampiezza costante o divergono. La condizione di
innesco sarà ottenuta, nel caso di circuito risonante parallelo, per
GT OT < 0 ⇔ GS < −GD (10.68)

o, in termini più generali:
Re (YS ) + Re (YD ) < 0 (10.69)

La somma delle parti reali delle ammettenze connesse deve essere
quindi negativa. Si noti che le due condizioni (10.68) e (10.63) portano
a condizioni numericamente differenti. Si supponga infatti di essere

alla risonanza e di connettere due bipoli di resistenza 100 Ω e −200 Ω.
Se il comportamento risonante della connessione è di tipo serie, allora
dovrà verificarsi la (10.63), che in questo caso è soddisfatta: si è in
condizione di innesco delle oscillazioni. Se invece la risonanza è di tipo
parallelo, allora dovrà verificarsi la (10.68). Per l’esempio, GT OT =
1/100+(−1/200) = 0.005S > 0, e quindi non si è in condizioni di innesco.
La tipologia di risonanza può individuarsi valutando il comporta-
mento della connessione subito prima della risonanza e subito dopo la
stessa. Nel caso serie si avrà infatti, all’aumentare della frequenza, il
passaggio da un comportamento capacitivo ad uno induttivo, mentre
nel caso parallelo il passaggio da quello induttivo a capacitivo.
In definitiva, se nel circuito è presente un segnale (anche lo stesso
rumore termico con componenti praticamente a tutte le frequenze) e se
almeno una delle sue componenti è alla frequenza di risonanza del cir-
cuito, se la risonanza è di tipo opportuno per verificare le condizioni di
innesco, allora tale componente comincerà ad aumentare in ampiezza.
L’aumento dell’ampiezza proseguirà fino a che le escursioni del pun-
to di lavoro nel dispositivo a resistenza negativa non saranno cosı̀ am-
pie da interessare le non linearità del dispositivo stesso. A questo pun-
to saranno proprio tali limitazioni fisiche a vincolare le escursioni del
punto di lavoro, andando progressivamente a ridurre il valore dell’im-
pedenza negativa presentata e riportando il circuito dalla condizione di
innesco a quella di oscillazione.
Sulla base di tale meccanismo, si tenga presente che l’analisi qui
effettuata è basata semplicemente su una rappresentazione lineare dei
componenti del circuito e non può rendere conto degli effetti appena
descritti. Per verificare tale fenomeno è opportuno cosı̀ utilizzare una
simulazione non lineare del circuito che faccia uso dei modelli ad ampio
segnale dei dispositivi interessati∗ .
Per mezzo di tale analisi sarà possibile poi anche stimare l’ampiezza
finale e il contenuto spettrale del segnale risultante dall’oscillazione,
al variare della posizione nel circuito della sonda (di tensione e/o di
corrente) utilizzata. Tali informazioni non sono infatti desumibili da
un’analisi lineare (per di più semplificata) quale quella qui descritta.
∗
I simulatori da utilizzare a tale scopo possono essere o basati su analisi nel domi-
nio del tempo, con i quali è possibile seguire l’evoluzione dei segnali nel circuito dal-
l’accensione, o basati su analisi nel dominio misto tempo/frequenza, di tipo harmonic
balance, con i quali è possibile, se opportunamente modificati, verificare la condizio-
ne di innesco delle oscillazioni e derivare gli andamenti a regime permanente delle
tensioni e delle correnti nel circuito.
Si vuole infine sottolineare che la frequenza a cui avviene l’innesco

può essere anche abbastanza diversa da quella alla quale poi il circui-
to si troverà finalmente ad oscillare. Infatti la prima (all’innesco), a
seconda del tipo di risonanza risulta essere la (10.62) per il caso serie e
v Ã !2
u
1 u t 1 GT OT
fpar = · − (10.70)
2π LD CD 2 · CD
per il caso parallelo; la frequenza di oscillazione è invece quella di

risonanza del circuito, in ogni caso pari a:
s
1 1
fres = · (10.71)
2π LD CD
10.7.2 Innesco nella rappresentazione di diffusione
Si vogliono ora determinare le condizioni di innesco nel caso il cir-

cuito sia descritto in termini di rappresentazione di diffusione, ossia
considerando onde incidenti e riflesse nella connessione di due bipoli
descritti mediante i corrispondenti coefficienti di riflessione, entrambi
normalizzati sulla medesima impedenza caratteristica Z0 = R0 , sup-
posta reale per semplicità. Si consideri dapprima un circuito del ti-
po in Figura 10.23, in cui i due bipoli sono descritti dai coefficienti di
riflessione
ZD − Z0 LD CD · s2 + (RD − R0 ) · CD · s + 1
ΓD = = (10.72)
ZD + Z0 LD CD · s2 + (RD + R0 ) · CD · s + 1
ZS − Z0 RS − R0
ΓS = = (10.73)
ZS + Z0 RS + R0
Dalle condizioni di innesco determinate nel caso di risonanza serie,

ipotizzando che RS > 0 e RD < 0, si avrà
RS + RD = − |RD | + RS < 0 ⇔ |RD | > RS (10.74)

In base alla posizione relativa rispetto a R0 , potranno distinguersi

tre casi, graficamente rappresentati nella Figura 10.26:
A |RD | > RS > R0

B R0 > |RD | > RS (10.75)
C |RD | > R0 > RS
R0 RS |RD| RS |RD| R0 RS R0 |RD|
A B C
Figura 10.26: Espressione grafica delle posizioni relative delle parti
reali rispetto a R0 .
Nel caso A, alla risonanza si avrà
RS − R0
|ΓS | =
RS + R0
(10.76)
|RD | + R0
|ΓD | =
|RD | − R0
da cui, se si calcola il prodotto dei moduli:
RS − R0 |RD | + R0
|ΓS · ΓD | = |ΓS | · |ΓD | = · <1 (10.77)
RS + R0 |RD | − R0
e quindi per avere innesco nel caso A serie, il prodotto dei moduli dovrà
essere inferiore all’unità. Nel caso B, alla risonanza,
R0 − RS
|ΓS | =
RS + R0
(10.78)
|RD | + R0
|ΓD | =
R0 − |RD |
Calcolando il prodotto dei moduli,
R0 − RS |RD | + R0
|ΓS · ΓD | = |ΓS | · |ΓD | = · >1 (10.79)
RS + R0 R0 − |RD |
per avere dunque innesco nel caso B serie, il prodotto dei moduli dovrà
essere superiore all’unità. Nel caso C, alla risonanza,
R0 − RS
|ΓS | =
RS + R0
(10.80)
|RD | + R0
|ΓD | =
|RD | − R0
Il prodotto dei moduli vale in questo caso
( p
R0 − RS |RD | + R0 > 1 se R0 > RS · |RD |
|ΓS · ΓD | = · p
RS + R0 |RD | − R0 < 1 se R0 < RS · |RD |
(10.81)
ossia è maggiore p o minore dell’unità a seconda della posizione di R0
rispetto al valore RS · |RD |.
Possiamo quindi ricapitolare la condizione di innesco nella rappresen-
tazione a coefficienti
p di riflessione nel caso di risonanza serie: se R0 è
inferiore al valore RS · |RD |, allora si avrà innesco se il prodotto dei
moduli dei coefficienti di p
riflessione della connessione è inferiore all’u-
nità; se R0 è maggiore di RS · |RD |, allora si avrà innesco se il prodot-
to dei moduli dei coefficienti di riflessione della connessione è maggiore
dell’unità. Graficamente è possibile riassumere le conclusioni ottenute
come mostrato nella Figura 10.27.
|GS .GD|< 1
(RS.|RD|)
1/2 R0
RS |RD|
|GS .GD|> 1
Figura 10.27: Condizioni di innesco per la risonanza serie in funzio-

ne del valore della resistenza di normalizzazione R0
rispetto alle parti reali delle impedenze.
Si tenga presente comunque che si deve essere alla risonanza, ovve-

ro i coefficienti di riflessione devono essere all’innesco reali.
Passando alla condizione di risonanza parallelo, si ipotizzi una con-
nessione del tipo mostrato in Figura 10.25, con bipoli descritti dai ri-
spettivi coefficienti di riflessione.
Si dovrà avere, come derivato dalla condizione di innesco in questo
caso,
GS + GD = − |GD | + GS < 0 ⇔ |GD | > GS (10.82)
avendo ipotizzato GS > 0 e GD < 0. Sono possibili anche qui tre casi,
a seconda della posizione relativa dell’ammettenza di normalizzazio-
ne, G0 rispetto alle due conduttanze e riprodotti graficamente nella
Figura 10.28:
A |GD | > GS > G0

B G0 > |GD | > GS (10.83)
C |GD | > G0 > GS
G0 GS |GD| GS |GD| G0 GS G0 |GD|
A B C
Figura 10.28: Espressione grafica delle posizioni relative delle parti
reali rispetto a G0 .
Utilizzando lo stesso procedimento descritto nel caso della risonan-

za serie, anche in questo caso, la condizione di innesco, oltre che es-
sere verificata sulle parti immaginarie dei coefficienti di riflessione,
coinvolge il prodotto dei moduli. p
In particolare, se G0 è inferiore al valore GS · |GD |, allora si avrà
innesco se il prodotto dei moduli dei coefficienti di p
riflessione della con-
nessione è inferiore all’unità; se G0 è maggiore di GS · |GD |, allora si
avrà innesco se il prodotto dei moduli dei coefficienti di riflessione della
connessione è maggiore dell’unità.
Graficamente le conclusioni sono riassunte nella Figura 10.29.
Nella pratica, come si vedrà più avanti, un oscillatore è ottenuto
partendo da un elemento che mostri una parte reale differenziale ne-
gativa. Chiaramente, anche la parte immaginaria di tale bipolo dovrà
|GS .GD|< 1
(GS.|GD|)
½ G0
GS |GD|
|GS .GD|> 1
Figura 10.29: Condizioni di innesco per la risonanza parallelo in fun-

zione del valore della conduttanza di normalizzazione
G0 rispetto alle parti reali delle ammettenze.
essere accordata, ad esempio con una opportuna rete di adattamento,

per essere infine caricato con una terminazione reale e positiva, che di
solito è pari all’impedenza di normalizzazione Z0 = R0 = 50 Ω.
Applicando la schematizzazione adottata a tale situazione, RS =
R0 (GS = G0 ), mentre il dispositivo a parte reale dell’impedenza (o
ammettenza) negativa sarà rappresentato, alla risonanza, da RD (GD ).
Per avere innesco, se la risonanza è di tipo serie si dovrà avere cosı̀:
RD < −R0 (10.84)
mentre se è di tipo parallelo dovrà essere:
GD < −G0 (10.85)
Nel caso si considerino le condizioni trovate per l’innesco in termini

dei coefficienti di riflessione, si è di fronte all’ambiguità di avere ΓS ≡ 0,
che rende identicamente nullo il prodotto con ΓD , indipendentemente
dal valore di quest’ultimo. Graficamente però, nel caso di risonanza
serie (Figura 10.27) comunque si deve avere, per l’innesco:
p p
R0 < RS · |RD | = R0 · |RD | (10.86)
e quindi la condizione sul prodotto dei moduli è che questi siano infe-
riori all’unità, come difatti risulta:
|ΓS · ΓD | = |0 · ΓD | = 0 < 1 (10.87)

Nel caso di risonanza parallelo (Figura 10.29) si deve avere, per
verificare le condizioni di innesco:
p p
G0 < GS · |GD | = R0 · |RD | (10.88)
e di nuovo la condizione sul prodotto dei moduli è che questi siano
inferiori all’unità, come risulta dalla
|ΓS · ΓD | = |0 · ΓD | = 0 < 1 (10.89)

La consistenza delle condizioni determinate in termini di coefficien-
ti di riflessione anche nel caso particolare di carico adattato, è però
fuorviante, in quanto, essendo il prodotto comunque nullo (indipenden-
temente dal valore del modulo di ΓD ), potrebbe dare luogo a risultati
non corretti. Ad esempio, se si considera la connessione, in presenza
di risonanza serie, tra una RS = R0 = 50 Ω e una RD = −20 Ω, tale
connessione non verifica le condizioni di innesco. Per contro, il prodotto
dei moduli è comunque nullo. In questo caso però, la posizione relativa
delle varie impedenze non corrisponde a nessuno dei casi analizzati in
Figura 10.26, essendo RS > |RD |.
In definitiva quindi, si suggerisce di verificare le condizioni di in-
nesco utilizzando le stesse nella forma di condizioni sulla parte reale
dell’impedenza o dell’ammettenza, utilizzando quelle sul coefficiente di
riflessione con estrema cautela.
10.7.3 Condizioni di innesco su carta di Smith

Si consideri la connessione tra due bipoli (ancora una volta corri-
spondente alla connessione tra un carico e una porta di un dispositi-
vo a resistenza negativa). Si ipotizzi che uno dei due bipoli sia una
terminazione adattata,
ZS = Z0 = R0 = 50 Ω
(10.90)
YS = Y0 = G0 = 0.02 S
Il bipolo a parte reale dell’impedenza o ammettenza negativa ZD
(YD ) sarà rappresentato, su carta di Smith, all’esterno del cerchio uni-
tario, e quindi si dovrà ricorrere alla carta di Smith espansa.
Al variare della frequenza in un intorno della risonanza, il coeffi-

ciente di riflessione del bipolo ΓD dovrà variare il proprio comporta-
mento da induttivo a capacitivo (nel caso di risonanza parallelo) o da
capacitivo ad induttivo (nel caso di risonanza serie). In corrispondenza
alla sua frequenza di risonanza fr , dovrà cosı̀ attraversare l’asse rea-
le della carta, e si potranno avere cosı̀ i quattro casi possibili mostrati
nella Figura 10.30.
In particolare, in figura gli andamenti di tipo A e D corrispondono
ad una risonanza di tipo parallelo, mentre gli andamenti di tipo B e
C ad una risonanza serie. Nel caso di risonanza serie, la condizione
di innesco recita che la parte reale negativa dell’impedenza del carico
debba essere in modulo superiore a quella positiva, ossia, in termini
normalizzati, per la risonanza serie la condizione di innesco diventa:
R̂D < −1 (10.91)
e quindi l’attraversamento dell’asse reale deve avvenire a destra del

circuito aperto. Tale condizione è verificata per il caso C ma non per il
caso B.
^ ^
G < -1 R < -1
j1
Gi
j0.5 j2
f1 f2 f2 f1
j0.2
j5
D
A
0 0.2 0.5 1 2 5
Gr
B C
-j5
-j0.2
f1 f2
f2 f1
-j0.5 -j2
GD ^
G = -1 ^
-j1
^
R = -1
-1 < R < 0
^
-1 < G < 0
Figura 10.30: Casi possibili per la verifica delle condizioni di innesco.
Nel caso di risonanza parallelo, per avere innesco la parte reale del-
l’ammettenza del carico deve essere in modulo superiore a quella po-
sitiva. In termini normalizzati la condizione di innesco per risonanza

parallelo diventa:
ĜD < −1 (10.92)

e quindi l’attraversamento dell’asse reale deve avvenire a sinistra del
corto circuito. La condizione è verificata per il caso A ma non per il caso
D.
In definitiva quindi, per le quattro tipologie di carico mostrate in
Figura 10.30, soltanto la A (risonanza parallelo) e la C (risonanza serie)
verificano le condizioni di innesco.
C’è da osservare che semplici trasformazioni reattive non possono
cambiare la natura del circuito: in altri termini, una trasformazione
effettuata tramite elementi passivi, reciproci e senza perdite (ad es.
una rete di adattamento del tipo di quelle studiate) non rende stabile
un circuito che è all’innesco, né porta all’innesco un circuito che non
verifica le condizioni necessarie (esercizi 8 e 9 al termine del capitolo).
10.7.4 Stabilità delle condizioni di oscillazione

Se si suppone che la connessione che si considera sia in oscillazio-
ne, quest’ultima è da considerare stabile se a seguito di una qualsiasi
perturbazione (nel valore di tensione o di corrente nel circuito) di tipo
sinusoidale e limitata nel tempo, il circuito ritorna nella sua condizione
di equilibrio(ossia di oscillazione) all’esaurirsi della perturbazione.
In effetti, se una rete del tipo descritto in Figura 10.18 è all’oscilla-
zione, saranno presenti nel circuito una tensione V ed una corrente I,
definite alla porta di interconnessione, ad una data frequenza fres , al-
la quale sono verificate le condizioni di oscillazione (in una delle varie
forme prima determinate).
In realtà l’impedenza (o l’ammettenza) totale del circuito è funzione
sia dell’ampiezza dei segnali (ad esempio della corrente per il circui-
to serie e della tensione per il circuito parallelo), sia della frequenza
(complessa, ossia di attenuazione e frequenza). Si può cioè scrivere:
¯ ¯
∂ZT ¯¯ ∂ZT ¯¯
ZT = ZT (I, s) ≈ ZT (I0 , fres ) + ¯ · δI + ¯ · δs
∂I ¯ ∂s ¯
I0 ,fres I0 ,fres
¯ ¯
∂YT ¯¯ ∂YT ¯¯
YT = YT (V, s) ≈ YT (V0 , fres ) + ¯ · δV + ¯ · δs
∂V ¯ ∂s ¯
V0 ,fres V0 ,fres
(10.93)
avendo approssimato al primo ordine intorno all’ampiezza e alla fre-

quenza di oscillazione. Tenendo conto che si è all’oscillazione, ossia
ZT (I0 , s0 ) = 0
(10.94)
YT (V0 , s0 ) = 0
e si vuole che l’oscillazione continui dopo la sollecitazione effettuata da
δI (δV ) e δs,
ZT (I, s) = ZT (I0 + δI, s + δs) = 0

(10.95)
YT (V, s) = YT (V0 + δV, s + δs) = 0
esprimendo la frequenza complessa come δs = δα + jδω = δα + j2πδf ,
l’oscillazione sarà stabile se, in corrispondenza ad un aumento dell’am-
piezza dell’oscillazione, la parte reale della variazione della frequenza
complessa è negativa, cioè se δα < 0. Questo garantisce che la va-
riazione corrisponda ad un segnale che si attenua fino ad annullar-
si e consente cosı̀ al circuito di ritornare al punto di equilibrio (ossia
all’oscillazione precedente).
Se si sostituiscono le (10.94) e (10.95) nelle (10.93), si ottengono cosı̀
le due condizioni di stabilità dell’ampiezza delle oscillazioni nei casi
serie e parallelo:
¯ ¯ ¯ ¯
∂RT ¯¯ ∂XT ¯¯ ∂RT ¯¯ ∂XT ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ >0
∂I ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂I ¯
I0 ,fres I0 ,fres I0 ,fres I0 ,fres
¯ ¯ ¯ ¯ (10.96)
∂GT ¯¯ ∂BT ¯¯ ∂GT ¯¯ ∂BT ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ >0
∂V ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂V ¯
V0 ,fres V0 ,fres V0 ,fres V0 ,fres
Assieme a tali condizioni, si deve ovviamente anche garantire che la

frequenza ritorni a quella iniziale, ossia che δf = 0. Tale vincolo porta
quindi alla coppia di condizioni (ancora una volta valide la prima nel
caso serie e la seconda nel caso parallelo):
¯ ¯ ¯ ¯
∂RT ¯¯ ∂RT ¯¯ ∂XT ¯¯ ∂XT ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ =0
∂I ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂I ¯
¯ ¯ ¯ ¯ (10.97)
∂GT ¯¯ ∂GT ¯¯ ∂BT ¯¯ ∂BT ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ =0
∂V ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂V ¯
Nei paragrafi precedenti si è supposto che il carico a sinistra nella

connessione sia una pura resistenza, ascrivendo cosı̀ la variazione in
frequenza e la resistenza (conduttanza) negativa al bipolo di sinistra.
Modifichiamo ora tale ipotesi per tener conto che nei casi reali, di
norma, l’elemento a resistenza (conduttanza) differenziale negativa∗
presenta una blanda dipendenza dalla frequenza, mentre non trascu-
rabile è la dipendenza del valore di resistenza differenziale dal livello
del segnale.
Per contro, l’elemento passivo è in massima parte responsabile della
variabilità in frequenza e quindi della selettività, mentre non presenta
di norma variazioni rispetto all’ampiezza del segnale (è cioè fondamen-
talmente lineare)† .
Sotto tali ulteriori assunzioni, si potrà porre:
ZT (I0 , fres ) = ZS (fres ) + ZD (I0 , fres ) =

= RS (fres ) + RD (I0 , fres ) + j · [XS (fres ) + XD (I0 , fres )]
YT (V0 , fres ) = YS (fres ) + YD (V0 ) =

= GS (fres ) + GD (V0 , fres ) + j · [BS (fres ) + BD (V0 , fres )]
(10.98)
Ipotizzando poi che le variazioni con la frequenza della parte a re-

sistenza negativa siano molto meno rilevanti di quelle della sezione
passiva, ossia
¯ ¯
∂RS ¯¯ ∂RD ¯¯
¯ À ¯
∂f ¯ ∂f ¯
I0 ,fres I0 ,fres
(10.99)
¯ ¯
∂XS ¯¯ ∂XD ¯¯
¯ À ¯
∂f ¯ ∂f ¯
I0 ,fres I0 ,fres
∗
Ci si riferisce in questo caso agli elementi a due terminali, diodi Gunn, IMPATT,
tunnel o simili e non a elementi a tre terminali opportunamente caricati. Anche per
questi ultimi comunque l’ipotesi indicata è applicabile.
†
A conferma di tale affermazione si pensi che dell’elemento passivo si pensa far
parte il risonatore e l’eventuale rete di adattamento passiva, con brusche e decisive
variazioni in frequenza.
le (10.97) diventano, in questa condizione:
¯ ¯ ¯ ¯
∂RD ¯¯ ∂XS ¯¯ ∂RS ¯¯ ∂XD ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ >0
∂I ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂I ¯
¯ ¯ ¯ ¯ (10.100)
∂GD ¯¯ ∂BS ¯¯ ∂GS ¯¯ ∂BD ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ >0
∂V ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂V ¯
Di norma, all’aumentare del segnale in un elemento a resistenza

negativa, tale resistenza aumenta (ossia diventa meno negativa), co-
me risultato della naturale limitazione imposta dai vincoli fisici dei
dispositivi reali. Si ha cioè di solito
¯
∂RD ¯¯
¯ >0 (10.101)
∂I ¯
I0 ,fres
Tale andamento suggerisce, per avere un’elevata stabilità, di realiz-

zare l’andamento della reattanza con la frequenza del tipo:
¯
∂XS ¯¯
¯ À0 (10.102)
∂f ¯
I0 ,fres
ossia cercare di ottenere un fattore di qualità del circuito il più eleva-

to possibile per garantire la stabilità delle oscillazioni ottenute. Ta-
le compito è lasciato al risonatore esterno, la cui selettività in fre-
quenza determina cosı̀ la stabilità del circuito oscillante. Nelle ipotesi
summenzionate poi, le (10.97) diventano
¯ ¯ ¯ ¯
∂RD ¯¯ ∂RS ¯¯ ∂XS ¯¯ ∂XD ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ =0
∂I ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂I ¯
¯ ¯ ¯ ¯ (10.103)
∂GD ¯¯ ¯
∂GS ¯ ∂BS ¯¯ ∂BD ¯¯
¯ · ¯ − ¯ · ¯ =0
∂V ¯ ∂f ¯ ∂f ¯ ∂V ¯
10.7.5 Stabilità delle oscillazioni in forma grafica

La condizione di oscillazione, tenendo conto della suddivisione del
circuito e delle dipendenze dall’ampiezza e dalla frequenza introdotte,
può essere quindi riscritta, per circuiti serie e trascurando la blanda

dipendenza dalla frequenza dell’elemento a resistenza negativa, come:
ZT (I0 , fres ) = RS (fres ) + RD (I0 ) + j [XS (fres ) + XD (I0 )] = 0 (10.104)
ossia
(
RD (I0 ) = −RS (fres )
(10.105)
XD (I0 ) = −XS (fres )
L’andamento dell’impedenza a parte reale negativa, cambiato di se-

gno (ossia l’andamento di −ZD (I0 )), al variare dell’ampiezza I0 nel pia-
no delle impedenze o nel piano dei coefficienti di riflessione (e quindi
sulla carta di Smith), prende il nome di curva del dispositivo (device
line).
Si noti che in tale rappresentazione la curva del dispositivo risulta
interna alla carta di Smith (grazie al cambiamento di segno).
L’andamento dell’impedenza a parte reale positiva ZS (f ), nel pia-
no delle impedenze o in quello dei coefficienti di riflessione, al variare
della frequenza, è indicato come curva di carico (load line). La condi-
zione di oscillazione è quindi rappresentata dal punto di intersezione
delle due curve, fornendo sia l’ampiezza che la frequenza di oscillazione
risultante. Entrambe le curve sono di norma visualizzate con un ver-
so che indica l’aumento del parametro (ampiezza o frequenza nei due
casi).
La curva di carico mostra tipicamente una risonanza (visto che le
variazioni in frequenza sono essenzialmente concentrate nell’elemento
passivo) come indicato in Figura 10.31.
Se si cerca di applicare la prima delle (10.100) a tali andamenti, si
deve verificare la stabilità delle oscillazioni nei punti 1, 2 e 3.
Nel punto 1, per ispezione visiva, si ha:
¯ ¯
∂RD ¯¯ ∂XS ¯¯
¯ >0 ¯ <0
∂I ¯ ∂f ¯
I0 ,fres I0 ,fres
¯ ¯ (10.106)
∂RS ¯¯ ∂XD ¯¯
¯ ≈0 ¯ ≈0
∂f ¯ ∂I ¯
I0 ,fres I0 ,fres
j1 Gi
j0.5 j2
3
2
j0.2 j5
0 0.2 0.5 1 2 5 Gr
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 10.31: Curva del dispositivo (tratteggiata) e curva di carico

(continua).
e quindi, in base alla (10.100), l’oscillazione nel punto 1 non è stabile

rispetto a disturbi, anche di entità e durata piccola. Nel caso 2,
¯ ¯
∂RD ¯¯ ∂XS ¯¯
¯ >0 ¯ >0
∂I ¯ ∂f ¯
I0 ,fres I0 ,fres
¯ ¯ (10.107)
¯
∂RS ¯ ∂XD ¯¯
¯ >0 ¯ ≈0
∂f ¯ ∂I ¯
I0 ,fres I0 ,fres
in base alla (10.100), l’oscillazione nel punto 2 è stabile. Nel punto 3,

¯ ¯
∂RD ¯¯ ∂XS ¯¯
¯ >0 ¯ >0
∂I ¯ ∂f ¯
I0 ,fres I0 ,fres
¯ ¯ (10.108)
∂RS ¯¯ ∂XD ¯¯
¯ ≈0 ¯ >0
∂f ¯ ∂I ¯
I0 ,fres I0 ,fres
e quindi anche in questo caso l’oscillazione nel punto 3 è stabile.

Più in generale è possibile dimostrare∗ che se si misura l’angolo, a

partire dalla device line in senso orario tra quest’ultima e la load line,
si ha stabilità delle oscillazioni per angoli compresi tra 0 e π, mentre le
oscillazioni non sono stabili per angoli maggiori.
Parimenti si può dimostrare che il comportamento ottimo per un
oscillatore stabile, nei confronti del rumore di fase si ottiene quando
tale angolo è prossimo a π/2.
La rappresentazione esemplificata in termini di load line e device
line è anche molto utile per identificare l’andamento e la sensibilità
delle oscillazioni rispetto a variazioni parametriche sia del circuito che
dell’elemento attivo. Si pensi ad esempio a variazioni in temperatura,
che spostano leggermente la posizione della device line, con conseguen-
te possibile variazione della frequenza e ampiezza delle oscillazioni.
Inoltre si può valutare anche la sensibilità delle oscillazioni rispetto a
variazioni del risonatore utilizzato con il processo realizzativo, che spo-
stano la load line e di conseguenza ancora sia la frequenza di risonanza
che l’ampiezza, fino, potenzialmente, a spegnere le oscillazioni. A titolo
di esempio, si consideri la Figura 10.32, in cui si sono diagrammati tre
possibili andamenti della device line per tre temperature di esercizio
diverse:
3
2
1 T3
T1 T2
Figura 10.32: Stabilità delle oscillazioni rispetto a variazioni della

temperatura.
A T1 c’è una sola oscillazione stabile, mentre a T2 le oscillazioni sta-

bili sono due in corrispondenza a due frequenze diverse. A T3 c’è poi
una oscillazione stabile ed una al limite di stabilità.
∗
K. Kurokawa, “Injection Locking of Microwave Solid-state Oscillators,” IEEE
Proceedings, Vol.61, N.10, October 1973, pp. 1386-1410.
10.8 Progettazione di oscillatori a microonde

Come accennato nell’introduzione, gli oscillatori possono utilizzare
sia elementi a due che a tre terminali, ossia diodi o transistori (più in
generale elementi amplificatori a due porte). In entrambi i casi comun-
que la progettazione vera e propria consiste nell’accoppiamento di un
elemento a resistenza differenziale negativa con un risonatore ed un
carico, comprensivo di eventuale rete di adattamento.
Nel caso di elementi a due terminali, gli ingredienti a disposizione
sono già stati descritti in questo capitolo. Data infatti una resistenza
differenziale negativa (ossia un diodo Gunn, Tunnel o IMPATT, pola-
rizzato in un punto di lavoro in cui mostri una resistenza negativa),
questa viene posta in prossimità di un risonatore (o di una cavità ri-
sonante) al quale viene accoppiato mediante un tratto di linea di tra-
smissione a basse perdite (per non diminuire il fattore di qualità del
risonatore). Il risonatore viene accordato in modo che il suo fattore
di qualità sia massimo alla frequenza desiderata di oscillazione, e la
lunghezza della linea di accoppiamento viene variata in modo da mas-
simizzarne l’interazione con l’elemento attivo. Il circuito complessivo
cosı̀ ottenuto viene poi accoppiato con un carico esterno caratterizzato
da una parte reale che soddisfi le condizioni di innesco (a seconda del ti-
po di risonanza) e una parte immaginaria che compensi quella residua
della combinazione risonatore/resistenza negativa.
Nella Figura 10.33 viene mostrata una realizzazione semplice che
utilizza un risonatore cilindrico coassiale nel quale è montato un dio-
do Gunn, accoppiato con una guida rettangolare da cui viene prele-
vato il segnale sinusoidale risultante. Dalla fotografia dell’oscillato-
re appaiono chiaramente i micro-manipolatori utilizzati per l’accordo
della frequenza di oscillazione (posizione del corto circuito) e per la
compensazione reattiva (laterale).
In realtà, almeno dal punto di vista teorico, il progetto di oscillatori
a resistenza negativa non pone il progettista di fronte a particolari scel-
te di compromesso. La difficoltà principale in questo caso è essenzial-
mente di tipo tecnologico e di accuratezza nella costruzione meccanica
dell’assieme.
Se ci si focalizza sul progetto di oscillatori con elementi a tre ter-
minali, sono invece qui possibili diverse strategie. Dato l’elemento a
tre terminali, le topologie possibili sono tutte riconducibili a quella a
reazione serie (series feedback) o a quella a reazione parallelo (parallel
feedback), come indicato nella Figura 10.34.
Nella Figura 10.34 si è volutamente evitato di connettere i termina-
Progettazione di oscillatori a microonde 457
cavità
Vbias risonante
coassiale
guida d’onda
di uscita
corto circuito
accordabile diodo Gunn
Figura 10.33: Tipica realizzazione di un oscillatore a Gunn (U. of St.

Andrews).
Y3
Z1 Z3 Z2 Y1 Y2
Figura 10.34: Possibili topologie per oscillatori a tre terminali: series

feedback (sinistra) e parallel feedback (destra).
li dei transistor (che possono essere sia del tipo ad effetto di campo che
bipolari) alle impedenze esterne, poiché le configurazioni possibili com-
prendono sia montaggi a source (emettitore) comune che a gate (base)
comune.
Generalmente quindi, almeno dal punto di vista esterno, le confi-
gurazioni possibili sembrano seguire quanto avviene a più bassa fre-
quenza (nel caso degli oscillatori a tre punti, con configurazioni a stella
ed a triangolo). In realtà, a parità di topologia, il flusso di progetto è
differente.
Fissato il carico dell’oscillatore su una delle tre impedenze (ammet-
tenze), ad esempio Z2 (Y2 ), la scelta delle altre due viene effettuata per
selezionare la frequenza di oscillazione (e quindi per accoppiare l’ele-
mento attivo con il risonatore) e per mostrare di conseguenza una resi-
stenza (o conduttanza) differenziale negativa alla porta di uscita (ossia

quella a cui il carico è connesso).
Esiste poi una fondamentale distinzione tra oscillatori a frequenza
fissa (fixed tuned) e oscillatori a frequenza variabile (wideband tunea-
ble). Nel caso dei primi sono possibili molteplici configurazioni, sia di
tipo serie che di tipo parallelo, con transistore montato a gate o source
comune e risonatore in posizioni differenti. Nel caso accordabile invece,
la maggior parte delle realizzazioni utilizza una configurazione di tipo
serie, con l’elemento di reazione Z3 atto a massimizzare la resisten-
za negativa e l’elemento di chiusura della prima porta che contiene il
risonatore.
Viste le possibili numerose varianti, ci si soffermerà nel seguito
sulla configurazione di tipo serie a frequenza fissa, selezionando una
particolare topologia e generalizzando laddove possibile.
10.8.1 Scelta del dispositivo e topologia della reazione

Indipendentemente dalla topologia prescelta, i transistori vengono
di solito caratterizzati a piccolo segnale in uno o più punti di pola-
rizzazione, ottenendo quindi una descrizione degli stessi in termini di
parametri di scattering.
Tale caratterizzazione è effettuata normalmente montando il dispo-
sitivo con uno dei terminali (di norma il source per i dispositivi ad ef-
fetto di campo e l’emettitore nel caso dei bipolari) in comune tra le porte
di ingresso e di uscita. La rappresentazione risultante è quindi sbilan-
ciata e a due porte. Il primo passo da effettuare è quindi trasforma-
re tale rappresentazione in una descrizione a tre porte, svincolando il
terminale comune dal potenziale di riferimento.
Questo è possibile utilizzando la trasformazione da due a tre porte
che si è derivata nel secondo capitolo, e qui riportata per comodità.
Data una rete a due porte descritta dai suoi parametri di scattering Sij ,
la rete a tre porte da essa ottenibile svincolando il terminale comune è
caratterizzata dalla seguente matrice di diffusione:
 −1  
2 0 S11 + S12 − 1 2S11 2S12 1 − S11 − S12
  
S̄ 3p = 
 0 2 S21 + S 22 − ·
1

2S21 2S22 1 − S22 − S21


1 1 1 1 1 1
(10.109)
essendo il terminale comune rappresentato dalla terza porta, che è
quindi di solito quella di source (o emettitore), mentre la prima e la

seconda sono rispettivamente quella di gate e drain (base e collettore).
Il dispositivo prescelto è di norma un dispositivo che alla frequenza
di oscillazione deve presentare un elevato guadagno ed essere condizio-
natamente stabile. Esistono cioè terminazioni ad una delle due porte
a seguito delle quali il carico visto dall’altra risulta essere a parte rea-
le negativa, condizione necessaria per l’oscillazione (e l’innesco). Tale
effetto è in realtà conseguenza delle reazioni interne sia di tipo pa-
rallelo (attraverso la capacità Cgd nei FET o Cb0 c nei bipolari) sia di
tipo serie (attraverso gli elementi parassiti intrinseci Ls /Rs nei FET ed
equivalenti nei bipolari).
Chiaramente il dispositivo potrebbe anche essere incondizionata-
mente stabile, nel qual caso la reazione esterna (inserita per il tramite
di Z3 nel caso serie o Y3 nel caso parallelo) ha il compito di rendere in-
stabile la rete alla frequenza di oscillazione, potenziando l’effetto della
reazione interna. La rete di reazione esterna ha cosı̀ in ogni caso il
compito di esaltare l’instabilità intrinseca del dispositivo attivo. A tale
scopo è facile desumere che tale reazione debba essere realizzata per
mezzo di elementi non dissipativi (reattivi), siano essi concentrati o
distribuiti.
In pratica gli schemi di reazione utilizzati sono essenzialmente tre,
schematicamente indicati nella Figura 10.35.
Y3
L3 C3
Figura 10.35: Soluzioni maggiormente utilizzate, con reazione serie

(destra e sinistra) e reazione parallelo (centrale).
La soluzione al centro della figura, di tipo parallel feedback, con-

siste nell’inserzione dell’elemento risonante (risonatore dielettrico, a
microstriscia o altro) in parallelo tra gate e drain (collettore e base) del
transistore.
Negli altri due casi la reazione è di tipo series feedback e viene ot-
tenuta, nel circuito di sinistra, con un induttore in serie al gate (alla
base) o un condensatore in serie al source (all’emettitore) del transistor.

In alternativa a tali due schemi, anche un risonatore, accoppiato con
una linea di trasmissione o direttamente realizzato in microstriscia,
può realizzare la reazione opportuna.
Con riferimento agli ultimi due casi, l’elemento reattivo (che può
risultare anche più complesso nella realizzazione effettiva, grazie al-
la necessità di dover simultaneamente polarizzare il transistore) ha il
compito di aumentare l’instabilità del transistore. Per visualizzarne
l’effetto, i parametri di scattering a due porte del FET (bipolare) sono
convertiti dapprima in parametri a tre porte con la (10.109). La porta
sulla quale verrà inserita la reazione sarà, nel caso della Figura 10.35
a sinistra, la 1 (gate o base), mentre in quella di destra la 3 (source o
emettitore). Detto Γ3 il coefficiente di riflessione dell’elemento di reazio-
ne in questo caso, è possibile convertire la rappresentazione a tre porte
in quella a due porte utilizzando la trasformazione seguente:
 
" # S̄13 S̄31 Γ3 S̄13 S̄32 Γ3 " #
b1  S̄11 + 1 − S̄ Γ S̄12 + 1 − S̄ Γ  a1
 33 3 33 3 
b= = · = SF · a
b2  S̄23 S̄31 Γ3 S̄23 S̄32 Γ3  a2
S̄21 + S̄22 +
1 − S̄33 Γ3 1 − S̄33 Γ3
(10.110)
in cui i parametri con sopralineatura S̄ij sono riferiti alla rappresenta-
zione a tre porte.
La rete a due porte risultante è comunque un due porte per il qua-
le è possibile determinare le caratteristiche di stabilità, ovvero sia il
fattore di stabilità che i corrispondenti cerchi di stabilità dell’ingres-
so e dell’uscita. Entrambe tali caratteristiche dipenderanno quindi dal
coefficiente di riflessione del carico sulla terza porta, Γ3 .
Si è visto che conviene utilizzare, sia per minimizzare le perdite che
per rendere instabile il dispositivo, un elemento puramente reattivo,
ossia in pratica dovrà essere |Γ3 | = 1. Quindi potremo porre
Γ3 = ejϕ ϕ ∈ [0, 2π] (10.111)

Si può variare quindi la fase del coefficiente di riflessione Γ3 otte-
nendo di conseguenza un fattore di stabilità funzione di tale angolo ad
una data frequenza.
L’obiettivo è determinare il valore della fase (e da questa quindi il
valore del carico reattivo) che consente di rendere instabile il disposi-
tivo alla frequenza desiderata, alla quale il dispositivo mostrerà cosı̀
dei cerchi di stabilità che entrano nella carta di Smith del carico in
ingresso e dell’uscita.
A titolo di esempio si consideri un transistore caratterizzato dai pa-
rametri di scattering elencati nella Tabella 10.1 ad una frequenza di
10 GHz.
Tabella 10.1: Parametri di diffusione per un transistore di prova.

Freq S11 S21 S12 S22
(GHz) (mag) (ang) (mag) (ang) (mag) (ang) (mag) (ang)
10.0 0.641 -167.50 1.736 58.19 0.081 -14.93 0.406 -160.50
È possibile verificare che per questo transistore, i cui parametri

sono forniti nella configurazione a source comune, si ha k ≈ 1.55 e
B1 ≈ 1.23: quindi la rete è incondizionatamente stabile, con un guada-
gno massimo M AG = 8.9 dB (in condizioni di adattamento simultaneo
coniugato). Se si introduce una reazione di source di tipo capacitivo
(Figura 10.35 a destra), con una capacità serie di C3 = 2 pF si ottie-
ne k ≈ 0.314 e si è quindi reso instabile il dispositivo, con un massimo
guadagno stabile pari a M SG ≈ 10 dB.
Nella Figura 10.36 è riportata la posizione del cerchio di stabilità
per l’ingresso e per l’uscita della rete modificata, nonché, nella Figu-
ra 10.37, l’andamento in frequenza del guadagno e del fattore di stabi-
lità del dispositivo prima e dopo l’inserzione dell’elemento di reazione.
j1 j1
j0.5 j2 j0.5 j2
j0.2 j5 j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5 0.2 0.5 1 2 5

0 0
-j0.2 -j5 -j0.2 -j5
GG -j0.5 -j2
GL -j0.5 -j2
-j1 -j1
Figura 10.36: Cerchi di stabilità dell’ingresso (sinistra) e dell’uscita

(destra) del dispositivo con reazione. La zona stabile è
l’esterno dei cerchi di stabilità in entrambi i casi.
20 4.0
MSG
MAG k
[dB]
10
1.0
0 -1.0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
f [GHz]
Figura 10.37: Guadagno massimo e fattore di stabilità del dispositivo

con e senza reazione in funzione della frequenza.
10.8.2 Selezione della terminazione per la porta di in-

gresso e di uscita
A questo punto si deve scegliere come terminare la porta di ingresso
(ossia la porta dalla quale non verrà prelevata l’uscita dell’oscillatore).
Di solito su tale porta viene inserito l’elemento risonante, atto cioè
a rendere valide le condizioni di oscillazione (in realtà di innesco) alla
porta di uscita.
Si ricordi che i valori del carico in ingresso (ΓG ) nella zona instabile
(interni al cerchio di instabilità) del dispositivo corrispondono ad un
coefficiente di riflessione in uscita (Γout ) a parte reale negativa, come si
vuole nel progetto di oscillatori.
È chiaro che l’obiettivo è far oscillare il dispositivo soltanto in cor-
rispondenza della frequenza prescelta. Quindi il carico in ingresso
deve entrare nel cerchio di instabilità idealmente alla sola frequen-
za di oscillazione, per uscirne immediatamente a frequenze inferiori
e superiori a questa. Tale comportamento può realizzarsi utilizzando
un comportamento risonante, che dipende appunto dalla tipologia di
risonatore utilizzato.
Dall’analisi del cerchio di stabilità dell’ingresso in Figura 10.36 a
sinistra, il risonatore deve, alla risonanza, presentarsi come un corto
circuito (entrando cosı̀ nel cerchio di stabilità), con un fattore di qua-
lità molto elevato che consenta di allontanarsi immediatamente dalla
regione di instabilità, superata la frequenza di risonanza.
Inoltre, a frequenze diverse dalla frequenza di risonanza (assimila-

bile a quella di oscillazione), è possibile introdurre un comportamen-
to dissipativo, per evitare la verifica delle condizioni di innesco a fre-
quenze diverse da quella di progetto. A tale scopo si può utilizza-
re ad esempio una delle topologie di circuito risonante indicate nella
Figura 10.38.
Cp Lp
Ls Rp
Cs
Rs
Figura 10.38: Esempi di configurazioni risonanti per l’introduzione

di comportamenti dissipativi al di fuori della banda di
progetto.
Chiaramente nel caso dell’esempio si doveva realizzare un corto cir-

cuito (o comunque un comportamento ad esso simile) alla risonanza.
In altri casi, il medesimo comportamento può ottenersi inserendo una
linea di trasmissione di lunghezza opportuna tra il risonatore e la pri-
ma porta, cosı̀ agendo sulla distanza fisica tra l’elemento a resistenza
negativa e il risonatore.
Caricata la prima porta in tal modo, alla seconda porta, quella alla
quale si intende prelevare il segnale di uscita, si otterrà un coefficiente
di riflessione in uscita a modulo superiore all’unità, con un andamento,
intorno alla frequenza specificata, del tipo indicato nella Figura 10.39.
La rete di uscita dovrà ora essere sintetizzata in modo da compensa-
re eventuali parti reattive (capacitiva in figura) ed introdurre il carico
opportuno a parte reale positiva.
Volendo caricare la rete con un carico adattato 50 Ω, ci si dovrà
porre in una delle condizioni di innesco evidenziate nella Figura 10.30.
In particolare quindi, per avere innesco, dovremo trasformare, nel caso
dell’esempio, l’impedenza di uscita in circuito risonante di tipo serie con
l’inserimento di un induttore in parallelo, con il quale la traiettoria del
coefficiente di riflessione in uscita al variare della frequenza diventa
quella mostrata nella Figura 10.40.
Oppure potremo trasformare l’impedenza di uscita in un risonatore
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
^
-j1
Zout = -0.58-j0.91
Figura 10.39: Tipico andamento del coefficiente di riflessione in usci-

ta della rete caricata in ingresso con un circuito riso-
nante. Si è evidenziato il valore del coefficiente di ri-
flessione (espresso come impedenza normalizzata) alla
frequenza di risonanza.
di tipo parallelo, con l’inserimento in serie di un induttore, e trasfor-

mando cosı̀ la traiettoria in quella mostrata nella Figura 10.41.
Le considerazioni appena accennate sono chiaramente indicative.
Infatti, come si è potuto notare, la scelta del valore di carico da inserire
nella rete di reazione, per massimizzare l’instabilità del dispositivo, è
stata alquanto arbitraria.
Sono possibili altre scelte, che possono venir dettate da vincoli pro-
gettuali. Uno dei più frequenti è la necessità di ottenere, dal dispositi-
vo attivo, un segnale sinusoidale caratterizzato da un’elevata potenza.
A tale scopo il carico esterno con cui caricare la rete deve essere tale
da massimizzare le escursioni di tensione e di corrente all’uscita, in
maniera molto simile a quanto avviene nel caso degli amplificatori di
potenza polarizzati in classe A.
Il carico ottimo quindi si ottiene, conoscendo le curve di uscita del
dispositivo montato nella configurazione prescelta (a source/emettitore
comune o gate/base comune) e da queste determinando il carico otti-
mo come il rapporto tra le escursioni massime di tensione e di corrente
j1
j0.5 j2
j0.2 j5 ^
Zout = -2.0+j0
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
-j0.5 -j2
-j1
Figura 10.40: Traiettoria corrispondente alla Figura 1.39, intorno al-

la frequenza di oscillazione, ottenuta con un induttore
in parallelo all’uscita.
j1
j0.5 j2
j0.2 j5
0.2 0.5 1 2 5
0
-j0.2 -j5
^
Yout = -2.0+j0 -j2
-j0.5
-j1
Figura 10.41: Traiettoria corrispondente alla Figura 1.39, intorno al-

la frequenza di oscillazione, ottenuta con un induttore
in serie all’uscita.
all’uscita del dispositivo. Con tale carico ottimo, con cui si suppone ca-
ricata la rete, si varia la reazione (di source/emettitore o di gate/base)
in modo che tale carico sia interno al cerchio di stabilità dell’uscita.
A questo punto la rete alla porta rimanente (quindi gate/base o sour-
ce/collettore) dovrà contenere la rete di compensazione reattiva e il

risonatore alla frequenza desiderata di oscillazione.
Con le configurazioni discusse, mentre il progetto di oscillatori fi-
xed frequency può avvenire utilizzando una grande varietà di topologie
differenti, quello per oscillatori a larga banda è di solito effettuato me-
diante l’inserzione dell’elemento risonante sulla porta di source (emet-
titore) nel caso della configurazione a reazione di gate (base) o sulla
porta di gate (base) nel caso della configurazione a reazione di source
(emettitore).
Le possibili scelte nel caso di oscillatori a frequenza variabile, per
l’elemento risonante sono essenzialmente due: risonatori a varactor o
risonatori a YIG, preferendo la prima nel caso sia richiesto un buon
livello di integrazione con altri componenti a stato solido.
Esercizi 467
10.9 Esercizi
1. Si consideri la connessione tra due bipoli descritta nella Figu-
ra 10.42,
IS ID
CS + LD
RS V RD
Figura 10.42: Connessione di due bipoli per l’esercizio 1.
in cui RS = 20 Ω, CS = 1 pF, RD = −30 Ω, LD = 1 nH. Si

determini la tipologia della risonanza e la frequenza della stessa,
e si verifichi se le condizioni di innesco sono o meno soddisfatte.
2. Si consideri la connessione tra due bipoli dell’esercizio 1, in cui
GS = 1/RS = 0.02 S, CS = 3 pF, GD = 1/RD = −0.03 S, LD =
2 nH. Si determini la tipologia della risonanza e la frequenza
della stessa, e si calcoli se le condizioni di innesco sono o meno
verificate.
3. Si consideri la connessione tra due bipoli in Figura 10.43,
IS ID
+
GS CS V LD GD
Figura 10.43: Connessione di due bipoli per l’esercizio 2.
in cui GS = 0.01 S, CS = 1 pF, GD = −0.02 S, LD = 1 nH. Si

determini la tipologia della risonanza e la frequenza della stessa,
e si verifichi se le condizioni di innesco sono o meno soddisfatte.
4. Si consideri la connessione tra due bipoli dell’esercizio 3, in cui

RS = 1/GS = 10 Ω, CS = 3 pF, RD = 1/GD = −20 Ω, LD =
2 nH. Si determini la tipologia della risonanza e la frequenza
della stessa, e si calcoli se le condizioni di innesco sono o meno
verificate.
5. Sia data la connessione tra un carico adattato e il bipolo ΓD il
cui andamento in frequenza da f1 a f2 > f1 è mostrato nella
Figura 10.44.
j1
G D j0.5 j2
f2
j0.2 j5
fr1 0
fr3
0.2 0.5 1 2 5
fr2
-j0.2 -j5
f1 -j2
-j0.5
-j1
Figura 10.44: Andamento in frequenza di un bipolo per l’esercizio 5.
Si determini per ciascun punto di risonanza la tipologia della

stessa e si verifichi se la connessione è in condizioni di innesco
o meno.
6. Sia data la connessione tra un carico adattato e il bipolo ΓD il cui
andamento in frequenza da f1 a f2 > f1 è mostrato nella figura
Figura 10.45.
o meno.
7. Sia data la connessione tra un carico adattato e il bipolo ΓD il

cui andamento in frequenza da f1 a f2 > f1 è mostrato nella
Figura 10.46.
Esercizi 469
j1
G D
j0.5 j2
f2
j0.2 j5
0
fr1 fr2 fr3
0.2 0.5 1 2 5
-j0.2 -j5
-j0.5 f1
-j1
j1
G D
j0.5 j2
f2
j0.2 j5
fr3 fr2 0
0.2 0.5 1 2 5
fr1
-j0.2 -j5
f1 -j2
-j1

o meno.
8. Si consideri la connessione descritta nell’esercizio 5, e si suppon-
ga di essere in prossimità della terza risonanza, fr3 . Si introduca,
tra le due impedenze, una rete C parallelo/ L serie alla frequenza

di risonanza che trasformi la resistenza negativa in una condut-
tanza a parte reale ĜD ∈ (−1; −∞). Il circuito risultante verifica
o meno le condizioni di innesco?
9. Si consideri la connessione descritta nell’esercizio 7, e si suppon-

ga di essere in prossimità della risonanza, fr3 . Si introduca, tra
le due impedenze, trasformatore a quarto d’onda alla frequenza
di risonanza che trasformi la conduttanza negativa in una resi-
stenza a parte reale R̂D ∈ (−1; −∞). Il circuito risultante verifica
o meno le condizioni di innesco?
10. Si considerino la device e la load line mostrate nella Figura 10.47.
3
2
1
Figura 10.47: Device e Load Line per la connessione dell’esercizio 10.
Si verifichi la stabilità delle oscillazioni nei tre punti indicati.

Appendice A
Equivalente serie e parallelo
per ammettenze e impedenze
Si consideri un’impedenza ZL = RL + j · XL , ossia esprimibile come

la connessione in serie di un resistore di valore RL e di una reattanza
XL . Ricordando che il fattore di qualità di un circuito di questo tipo è
esprimibile come:
XL
Qserie = (A.1)
RL
allora si potrà indicare, in maniera assolutamente equivalente, l’impe-

denza come
ZL = RL + j · XL = RL + j · RL · Qserie = RL · (1 + j · Qserie ) (A.2)
Se di tale impedenza si calcola l’ammettenza corrispondente, si ot-

tiene semplicemente:
1 1
YL = GL + j · BL = = =
ZL RL · (1 + j · Qserie )
1 − j · Qserie
= ¡ ¢ (A.3)
RL · 1 + Q2serie
471
472 A. Equivalente serie e parallelo per ammettenze e impedenze
ossia
1
GL = ¡ ¢
RL · 1 + Q2serie
(A.4)
Qserie
BL = − ¡ ¢
RL · 1 + Q2serie
In altri termini, l’impedenza di partenza, costituita dalla serie di
un resistore e di una reattanza è completamente equivalente ad una
impedenza ottenuta come la connessione in parallelo di un resistore e
di una reattanza di valore (Figura A.1):
¡ ¢
RLp = RL · 1 + Q2serie
¡ ¢
RL · 1 + Q2serie (A.5)
XLp =
Qserie
jXL
RL jXLp RLp
ZL ZLp
Figura A.1: Equivalente parallelo di una impedenza.
In maniera assolutamente duale, se si considera una ammettenza

YL = GL + j · BL , ossia esprimibile come la connessione in parallelo di
una conduttanza di valore GL e di una suscettanza BL . Ricordando che
il fattore di qualità di un circuito parallelo è:
BL
Qparallelo = (A.6)
GL
allora si potrà indicare, in maniera assolutamente equivalente, l’am-
mettenza come
YL = GL + j · BL = GL + j · GL · Qparallelo = GL · (1 + j · Qparallelo ) (A.7)
Se di tale ammettenza si calcola l’impedenza, si ottiene semplice-

mente:
A. Equivalente serie e parallelo per ammettenze e impedenze 473
1 1
ZL = RL + j · XL = =
YL GL · (1 + j · Qparallelo )
1 − j · Qparallelo
= ³ ´ (A.8)
GL · 1 + Q2parallelo
ossia
1
RL = ³ ´
(A.9)
Qparallelo
XL = − ³ ´
In altri termini, l’ammettenza di partenza, costituita dal paralle-

lo di una conduttanza e di una suscettanza è completamente equiva-
lente ad un’ammettenza ottenuta come la connessione in serie di una
conduttanza e di una suscettanza di valore (Figura A.2):
³ ´
GLs = GL · 1 + Q2parallelo
³ ´
GL · 1 + Q2parallelo (A.10)
BLs =
Qparallelo
jBLs
jBL GL GLs
YL YLs
Figura A.2: Equivalente serie di una ammettenza.
Si noti che, come deve essere, la ‘trasformazione’ accennata dà ori-

474 A. Equivalente serie e parallelo per ammettenze e impedenze
gine ad un circuito equivalente che ha lo stesso fattore di qualità del

circuito di partenza in entrambi i casi:
XL BL 1/XLp XL
Qserie = ⇒ Qparallelo = = =
RL GL 1/RLp RL
(A.11)
BL XL 1/BLp BL
Qparallelo = ⇒ Qserie = = =
GL RL 1/GLp GL
I valori dell’equivalente parallelo dell’impedenza e dell’equivalente

serie dell’ammettenza sono ottenibili direttamente dalla carta di Smi-
th: basta infatti considerare, per l’impedenza o l’ammettenza in esame,
rispettivamente i valori di ammettenza o impedenza forniti, per quel
punto, dalla carta.
Appendice B
Grafi di flusso per l’analisi di
circuiti
Si vuole qui introdurre una tecnica che consente di derivare in ma-

niera agevole e sistematica le funzioni di trasferimento di una rete li-
neare comunque complessa dalla conoscenza delle variabili in gioco,
delle relazioni costitutive della rete e della connessione topologica del-
la stessa agli elementi esterni. Sulla base di questa tecnica, tra l’altro,
possono risolversi, in forma automatizzata, problemi di determinazione
simbolica della funzione di trasferimento.
Si consideri a tal proposito una rete in cui sono definite un certo
numero di variabili X (siano esse tensioni, correnti, onde incidenti,
onde riflesse . . . ). A ciascuna di esse si associ un nodo di rete, cui si
assegna il nome della variabile.
Le relazioni costitutive della rete, nonché quelle topologiche di inter-
connessione, stabiliscono dei legami tra le varie grandezze tramite dei
coefficienti (pesi) che legano le grandezze l‘una all’altra. Ad esempio,
nell’espressione:
X4 = A · X1 + B · X2 + C · X3 (B.1)
La variabile X4 è legata alle variabili X1 , X2 e X3 rispettivamente

tramite i pesi A,B e C. Si associ a ciascuna delle relazioni suddette un
ramo orientato dalla variabile di partenza (X1 , X2 e X3 nell’esempio) a
quella di arrivo (X4 ), assegnando a ciascun ramo il peso corrisponden-
te (rispettivamente A,B e C). Per la relazione (B.1) si avrà quindi il
segmento di grafo orientato mostrato nella Figura B.1.
475
476 B. Grafi di flusso per l’analisi di circuiti
X1 A
X4
B C
X2 X3
Figura B.1: Costruzione di un grafo orientato, nodi e rami orientati.
Se si ripete tale procedimento per ogni relazione tra le grandezze

della rete, alla fine si è costruito un insieme di nodi e rami interconnes-
si che prende il nome di grafo orientato.
Come semplice esempio di applicazione, si consideri il caso di un
generatore con la propria impedenza caratteristica connesso ad un ca-
rico. Le relazioni costitutive sia del carico che dell’impedenza interna
del generatore sono:
bL = ΓL · aL
(B.2)
bG = ΓG · aG
Inoltre, esistono le due condizioni di connessione delle due sezioni

tra di loro:
aL = b0 + bG
(B.3)
aG = bL
Quindi si avranno 5 nodi (corrispondenti alle 5 variabili aL , aG , bL ,

bG , b0 ) e 5 rami, che daranno luogo al grafo orientato rappresentativo
mostrato nella Figura B.2.
Un percorso è una successione continua di rami ed un percorso orien-
tato dal nodo Xi al nodo Xj è un percorso che, partendo dal nodo Xi lo
connette al nodo Xj senza che nessun nodo venga attraversato più di
una volta. Ad ogni percorso orientato è associabile un guadagno Pji for-
nito dal prodotto dei pesi dei rami attraversati lungo il percorso. Dati
due nodi, chiaramente possono esistere più percorsi che li connettono.
Un anello del primo ordine è un percorso che inizia e termina nello
stesso nodo. Anche all’anello è associabile un guadagno d’anello L1
calcolato nello stesso modo.
Un anello del secondo ordine L2 è dato dal prodotto dei guadagni di
due anelli del primo ordine che non hanno rami in comune. Per anelli
B. Grafi di flusso per l’analisi di circuiti 477
b0
1
bG 1 aL
GG GL
1
aG bL
Figura B.2: Grafo orientato associabile all’esempio di connessione
generatore / carico.
di ordine superiore, un anello di ordine n, Ln , è dato dal prodotto di n

anelli del primo ordine senza rami in comune.
Si può a questo punto enunciare la regola di Mason, che consente
di determinare il rapporto Rji tra le due grandezze Xj e Xi (ossia la
funzione di trasferimento tra Xi e Xj ) tramite l’espressione:
P
Pji,k · Ak
k
Rji = (B.4)
A
in cui:
• Pji,k è il guadagno del percorso k-esimo dal nodo Xi al nodo Xj ;

P P P
• A = 1 − L1 + L2 − L3 · · ·
• Ak è calcolato come A, ma non considerando gli anelli con rami in

comune col percorso Pji,k .
Si cerchi di applicare la regola di Mason all’esempio in Figura B.2.

In questo caso, esiste un solo percorso da b0 a aL , con PaL −b0 = 1. Esiste
un solo anello del primo ordine, che tocca aL , con valore di guadagno
d’anello pari a L1 = ΓG · ΓL . Si ha cosı̀:
A = 1 − ΓG · ΓL
X
Pji,k · Ak = 1 · (1 − 0) = 1
k
da cui
aL 1
= (B.5)
b0 1 − ΓG · ΓL
come ci si aspettava. Si applichi ora la regola di Mason alla connessione
di una rete a due porte dapprima con un carico in uscita e successiva-
mente con un carico in ingresso, cercando di determinarne il coefficien-
te di riflessione alla prima ed alla seconda porta in tale condizione. La
situazione è descritta nella Figura B.3.
a1 a2
b1 1 2 b2
GG S GL
Gin Gout
Figura B.3: Rete a due porte connessa ad una terminazione in uscita
o all’ingresso.
La rete viene descritta dalle relazioni costitutive,
b1 = S11 · a1 + S12 · a2
(B.6)
b2 = S21 · a1 + S22 · a2
alle quali si aggiungono le condizioni di connessione per le due porte

nelle due condizioni:
a2 = ΓL · b2 (B.7)
a1 = ΓG · b1 (B.8)
Per determinare il coefficiente di riflessione in ingresso alla rete, si

sostituisca la (B.5) nelle (B.5), ottenendo:
b1 = S11 · a1 + S12 · ΓL · b2
(B.9)
b2 = S21 · a1 + S22 · ΓL · b2
B. Grafi di flusso per l’analisi di circuiti 479
Dalla seconda delle (B.7) si può esplicitare b2 , ottenendo:
S21
b2 = · a1 (B.10)
1 − S22 · ΓL
che, sostituita nella prima delle (B.7) fornisce finalmente per il coeffi-
ciente di riflessione in ingresso alla rete:
¯
¯
∆ b1 ¯ S12 · S21 · ΓL
Γin = ¯ = S11 + (B.11)
a1 ¯ 1 − S22 · ΓL
ΓL
Analogamente, ricavando a1 dalla (B.6) e quindi b1 , si può ottenere

l’espressione del coefficiente di riflessione in uscita, ossia:
¯
b ¯ S12 · S21 · ΓG
∆ 2 ¯
Γout = ¯ = S22 + (B.12)
a2 ¯ 1 − S11 · ΓG
ΓG
Volendo ora applicare la (B.4), dobbiamo innanzitutto costruire il

grafo della rete. Abbiamo chiaramente 4 nodi (per le 4 variabili a1 , a2 ,
b1 , b2 ) e dalle relazioni (B.5) e (B.5) si deduce il grafo orientato mostrato
in Figura B.4 per la determinazione del coefficiente di riflessione in
ingresso.
a1 S21 b2
S11 S22 GL
b1 S12 a2
Figura B.4: Grafo orientato rappresentativo di una rete due porte
caricata in uscita.
In questo grafo, da a1 a b1 esistono due percorsi,
P1 = S11
(B.13)
P2 = S21 · ΓL · S12
ed un anello del primo ordine,
L11 = S22 · ΓL (B.14)

e quindi si ottiene direttamente
¯
∆ b1 ¯¯ S11 · [1 − (S22 · ΓL )] + S12 · S21 · ΓL · [1]
Γin = ¯ = =
a1 ¯ 1 − (S22 · ΓL )
ΓL
S11 + det (S) · ΓL
= (B.15)
1 − (S22 · ΓL )
che coincide con la (B.9). Per il coefficiente di riflessione in uscita, il
grafo corrispondente è indicato nella Figura B.5.
a1 S21 b2
GG S11 S22
b1 S12 a2
Figura B.5: Grafo orientato rappresentativo di una rete due porte
caricata in ingresso.
In questo grafo, da a2 a b2 sono possibili due percorsi,
P1 = S22
(B.16)
P2 = S12 · ΓG · S21
ed un anello del primo ordine,
L11 = S11 · ΓG (B.17)

e quindi si ottiene direttamente
¯
∆ b2 ¯¯ S22 · [1 − (S11 · ΓG )] + S12 · S21 · ΓG · [1]
Γout = ¯ = =
a2 ¯ 1 − (S11 · ΓG )
ΓG
S22 + det (S) · ΓG
= (B.18)
1 − (S11 · ΓG )
che coincide con la (B.10). Chiaramente si poteva ottenere la (B.16) di-
rettamente dalla (B.13) considerando la simmetria del problema, ossia
scambiando gli indici 1 → 2 e 2 → 1 e ΓL → ΓG .
Appendice C
Temperature di rumore SSB e
DSB di un mixer
Le definizioni di temperatura equivalente di rumore e di fattore di

rumore fornite nel capitolo 9 sono state volutamente generalizzate, per
poter includere anche il caso del rumore generato in sistemi con più di
un ingresso anche a frequenze diverse, come nel caso dei mixer o anche
dei moltiplicatori di frequenza.
Nel caso dei mixer, in particolare infatti il segnale in ingresso vie-
ne applicato alla porta a radio frequenza (rf ) ma il rumore in usci-
ta viene originato sia da questa che dalla frequenza immagine (im),
considerata, in base alle premesse fatte, come una diversa porta di
ingresso.
Ci sono poi situazioni (radioastronomia) in cui il segnale di ingresso
è presente sia a frequenza frf che fim . È necessario quindi distinguere
le due situazioni.
Supponiamo inizialmente che delle I + J porte di ingresso, soltanto
I siano alimentate con dei segnali di ingresso.
Detta Te la temperatura equivalente di rumore, la densità di poten-
za disponibile in uscita dovuta alla rete sarà data da:
I+J
X
pav = k · Te · Gav,i (C.1)
i=1
ove Gav,i rappresenta il guadagno disponibile dalla porta di ingresso

i-esima all’uscita considerata.
481
482 C. Temperature di rumore SSB e DSB di un mixer
Il fattore di rumore sarà dato quindi da:
P
I+J
Ã !
k · T0 · Gav,i + pav
i=1 Te
F = =<· 1+
P
I T0
k · T0 · Gav,i
i=1
(C.2)
P
I+J
Gav,i
i=1
<=
PI
Gav,i
i=1
ove < è il fattore di risposta.
Particolarizzando l’espressione ad un mixer in cui si considerino le
sole due porte di ingresso rf e im con guadagni disponibili verso la porta
if pari rispettivamente a Gav,rf e Gav,im , si avranno due possibilità:
• nel caso in cui si consideri soltanto l’ingresso a rf si definisce
un fattore di rumore a singola banda laterale (Single Side Band,
SSB):
k · T0 · (Gav,rf + Gav,im ) + pav

FSSB = (C.3)
k · T0 · Gav,rf
Te,SSB
rf
T = T0
if
Te,SSB
im
T=0
Figura C.1: Temperatura equivalente di rumore SSB di un mixer.
• nel caso in cui l’ingresso venga applicato sia alla porta rf che
a quella im, si definisce un fattore di rumore a doppia banda
laterale (Double Side Band, DSB):
C. Temperature di rumore SSB e DSB di un mixer 483
kT0 · (Gav,rf + Gav,im ) + pav

FDSB = (C.4)
kT0 · (Gav,rf + Gav,im )
Te,DSB
rf
T = T0
if
Te,DSB
im
T = T0
Figura C.2: Temperatura equivalente di rumore DSB di un mixer.
Si noti che si ha
Gav,rf + Gav,im
FSSB = · FDSB = < · FDSB (C.5)
Gav,rf
La temperatura equivalente di rumore utilizzata nelle due definizio-
ni precedenti è univocamente determinata dalla definizione. Talvolta
però anche per la temperatura equivalente di rumore vengono defini-
te le due grandezze a singola e doppia banda laterale. In particolare,
quella finora utilizzata, ascrivendo la generazione del rumore a tutte
le porte di ingresso, viene anche detta a doppia banda laterale, Te,DSB ;
se invece non si considerano tutte le porte di ingresso, si parla di una
temperatura equivalente a singola banda laterale, Te,SSB .
Elenco delle figure
1 Denominazione delle bande di frequenza secondo differenti

convenzioni. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2 Esempio di circuito ibrido (Alenia Spazio). . . . . . . . . . . 19
3 Vista al microscopio di una parte di circuito monolitico. . . . 20
1.1 Strutture guidanti a microonde. . . . . . . . . . . . . . . . 24

1.2 Cella unitaria di una linea di trasmissione uniforme e
indefinita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.3 Onde di tensione progressive e regressive lungo la linea. . . 29
1.4 Tratto di linea di trasmissione terminato su un carico. . . . 32
1.5 Andamento della reattanza di ingresso di una linea chiusa
su un cortocircuito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.6 Calcolo del VSWR lungo una linea terminata. . . . . . . . . 38
1.7 Andamento della potenza riflessa da un carico in funzione
del VSWR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.8 Trasformazione del piano delle impedenze nel piano dei
coefficienti di riflessione, caso a resistenza costante. . . . . 40
1.9 Trasformazione del piano delle impedenze nel piano dei
coefficienti di riflessione, caso a reattanza costante. . . . . . 41
1.10 Carta di Smith delle impedenze. . . . . . . . . . . . . . . . 42
1.11 Carta di Smith delle ammettenze. . . . . . . . . . . . . . . 44
1.12 Carta di Smith ottenuta come sovrapposizione delle carte
dell’impedenza e dell’ammettenza. . . . . . . . . . . . . . . 45
1.13 Carta di Smith completa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.14 Determinazione dei luoghi a VSWR costante. . . . . . . . . 47
1.15 Andamento sulla carta di Smith di circuiti serie di tipo RC
(sinistra) e RL (destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.16 Andamento sulla carta di Smith di circuiti parallelo di tipo
RC (sinistra) e RL (destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
485
486 ELENCO DELLE FIGURE
1.17 Andamento sulla carta di Smith di circuiti RLC risonanti

serie (sinistra) e parallelo (destra). . . . . . . . . . . . . . . 50
1.18 Andamento sulla carta di Smith dell’impedenza di ingresso
di una linea senza perdite con impedenza caratteristica
pari a quella di normalizzazione e carico non adattato. . . . 51
1.19 Carta di Smith per carichi attivi. . . . . . . . . . . . . . . . 52
1.20 Costruzione della famiglia di curve a modulo di impedenza
costante nel piano dei coefficienti di riflessione. . . . . . . . 54
1.21 Costruzione della famiglia di curve con fase di impedenza
costante nel piano dei coefficienti di riflessione. . . . . . . . 55
1.22 Carta di Carter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
1.23 Schematizzazione in sezione di una linea a microstriscia. . . 57
1.24 Configurazione del modo quasi-TEM per una microstriscia. 58
1.25 Microstriscia con dielettrico rimosso. . . . . . . . . . . . . . 59
1.26 Andamento dell’impedenza caratteristica di una
microstriscia al variare del rapporto W/h per diverse
costanti dielettriche relative. . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
1.27 Andamento della costante dielettrica efficace al variare del
rapporto W/h per diversi materiali. . . . . . . . . . . . . . 62
1.28 Andamento con la frequenza della costante dielettrica
efficace per due tipiche microstrisce. . . . . . . . . . . . . . 63
1.29 Andamento delle perdite nel metallo e nel dielettrico al
variare del rapporto W/h. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
1.30 Esempio di layout per un circuito a microstriscia con
evidenziate le discontinuità. . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
1.31 Vista e circuito equivalente di un circuito aperto. . . . . . . 65
1.32 Vista e circuito equivalente di un gap capacitivo. . . . . . . 66
1.33 Vista e circuito equivalente di un salto di impedenza. . . . . 66
1.34 Vista e circuito equivalente di una giunzione a T. . . . . . . 66
1.35 Struttura in sezione di una guida d’onda coplanare. . . . . . 67
1.36 Configurazione del campo elettromagnetico per i due modi
quasi-TEM in una linea coplanare, di tipo pari (sinistra) e
dispari (destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
1.37 Struttura di una guida d’onda coplanare A) con piano di
massa inferiore e B) con piani di massa laterali finiti. . . . . 68
1.38 Tipico andamento dell’impedenza caratteristica di una
linea coplanare in funzione del rapporto a/b. . . . . . . . . 70
1.39 Tipico andamento dell’attenuazione di una linea coplanare
a 10 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
ELENCO DELLE FIGURE 487
1.40 Tipico esempio di layout di circuito a CPW con indicate le

principali discontinuità. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.1 Rappresentazione di una rete due porte lineare. . . . . . . . 76

2.2 Esempi di reti con rappresentazione singolare. . . . . . . . 78
2.3 Connessione di reti in serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
2.4 Connessione di reti in parallelo. . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.5 Connessione in cascata di reti a due porte. . . . . . . . . . . 83
2.6 Rete due porte costituita da una impedenza serie. . . . . . . 84
2.7 Rete a due porte costituita da una ammettenza parallelo. . . 84
2.8 Rete due porte costituita da una resistenza serie e una
ammettenza parallelo (cella a L). . . . . . . . . . . . . . . . 85
2.9 Rete due porte a T costituita da una cella a L e da una
impedenza serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
2.10 Rete due porte a π costituita da un’ammettenza parallelo ed
una cella a L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
2.11 Rete due porte costituita da un tratto di linea senza perdite
di lunghezza l. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
2.12 Equivalente a T di un tratto di linea senza perdite di
lunghezza l. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
2.13 Equivalente a π di un tratto di linea senza perdite di
lunghezza l. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
2.14 Equivalente di Thevenin (sinistra) o Norton (destra) di un
bipolo contenente generatori indipendenti. . . . . . . . . . 91
2.15 Tensioni a vuoto per una rete a due porte autonoma. . . . . 91
2.16 Equivalente a matrice delle impedenze di una rete a due
porte con generatori indipendenti. . . . . . . . . . . . . . . 92
2.17 Correnti di corto circuito per una rete a due porte autonoma. 93
2.18 Equivalente a matrice delle ammettenze di una rete a due
2.19 Equivalente a matrice di trasmissione di una rete a due
2.20 Onde incidenti e riflesse per la definizione dei parametri di
scattering. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
2.21 Circuito equivalente ad un generatore d’onda di potenza. . . 104
2.22 Generatore di onda di potenza come rete a due porte. . . . . 105
2.23 Circuito equivalente di un bipolo autonomo. . . . . . . . . . 105
2.24 Equivalente a matrice di diffusione di una rete a due porte
con generatori indipendenti di potenza. . . . . . . . . . . . 106
2.25 Conversione tra reti a due e tre porte. . . . . . . . . . . . . 106
2.26 Rete a T-derivato per l’esercizio 6. . . . . . . . . . . . . . . 108

2.27 Connessione in serie tra una rete a due porte e una
impedenza in parallelo per l’esercizio 14. . . . . . . . . . . 109
2.28 Connessione in parallelo tra una rete a due porte ed una
ammettenza in serie per l’esercizio 16. . . . . . . . . . . . . 110
3.1 Schematizzazione dell’adattamento di un carico. . . . . . . 112

3.2 Adattamento con rete reciproca e senza perdite. . . . . . . . 112
3.3 Inserzione di una impedenza in serie al carico. . . . . . . . 116
3.4 Effetto di un resistore in serie al carico. . . . . . . . . . . . 116
3.5 Effetto di un induttore (sinistra) e di un condensatore
(destra) in serie al carico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.6 Inserzione di una ammettenza in parallelo al carico. . . . . 118
3.7 Effetto dell’inserzione di una conduttanza in parallelo al
carico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
3.8 Effetto dell’inserzione di un induttore (a sinistra) e di un
condensatore (a destra) in parallelo al carico. . . . . . . . . 120
3.9 Rete di adattamento serie / parallelo. . . . . . . . . . . . . 121
3.10 Definizione dell’ammettenza Y1 . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.11 Effetto dell’inserzione dell’induttore serie fino al cerchio a
conduttanza unitaria. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.12 Effetto dell’inserzione dell’induttore in parallelo fino al
carico adattato. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.13 Rete di adattamento L serie / L parallelo sintetizzata. . . . 124
3.14 Effetto complessivo della rete di adattamento L serie / L
parallelo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.15 Percorso di adattamento L serie / C parallelo. . . . . . . . . 126
3.16 Rete di adattamento L serie / C parallelo. . . . . . . . . . . 126
3.17 Adattamento con reti parallelo/serie. . . . . . . . . . . . . . 127
3.18 Effetto dell’induttore parallelo fino al cerchio a resistenza
unitaria. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.19 Effetto dell’induttore serie fino al carico adattato. . . . . . . 129
3.20 Rete di adattamento L parallelo / L serie. . . . . . . . . . . 130
3.21 Percorso completo della rete L parallelo / L serie. . . . . . . 130
3.22 Percorso alternativo per l’adattamento parallelo/serie. . . . 131
3.23 Rete alternativa L parallelo / C serie sintetizzata. . . . . . . 132
3.24 Adattamento ad elementi concentrati con celle a L,
ricapitolazione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
3.25 Applicazione delle proprietà di reciprocità ed assenza di
perdite della rete di adattamento. . . . . . . . . . . . . . . 134
3.26 Percorso di adattamento sulla carta di Smith a partire

dall’impedenza di normalizzazione. . . . . . . . . . . . . . 135
3.27 Soluzione analitica dell’adattamento con celle a L, rete
serie/parallelo (sinistra) o parallelo/serie (destra). . . . . . . 135
3.28 Rete due porte reciproca e senza perdite connessa per
l’adattamento del carico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
3.29 Adattamento con rete a T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
3.30 Andamento in frequenza delle quattro reti di adattamento
derivate nel paragrafo 3.2.4. . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
3.31 Andamento in frequenza per le quattro reti di adattamento
a T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3.32 Linea di trasmissione connessa ad un carico. . . . . . . . . 145
3.33 Topologia della rete di adattamento linea / stub aperto. . . . 148
3.34 Topologia della rete di adattamento linea / stub in corto. . . 148
3.35 Effetto di una linea in serie al carico fino al cerchio a
conduttanza costante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
3.36 Impedenza di ingresso di una linea senza perdite in serie ad
un carico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
3.37 Suscettanza da annullare con uno stub in parallelo (a
sinistra) e calcolo della lunghezza dello stub in parallelo (a
destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
3.38 Effetto complessivo della rete linea / stub. . . . . . . . . . . 152
3.39 Lunghezza dello stub a partire dal circuito aperto. . . . . . 153
3.40 Percorso alternativo di adattamento linea / stub: effetto
della linea in serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
3.41 Percorso alternativo linea / stub: suscettanza da annullare
(a sinistra) e lunghezza dello stub a partire dal circuito
aperto (destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
3.42 Adattamento alternativo linea / stub, percorso complessivo. 155
3.43 Adattamento linea / linea a quarto d’onda, linea in serie. . . 157
3.44 Adattamento linea / linea a quarto d’onda, linea a quarto
d’onda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
3.45 Adattamento linea / linea a quarto d’onda, percorso
complessivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
3.46 Circuito risultante per l’adattamento linea / linea a quarto
d’onda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
3.47 Adattamento linea/linea a quarto d’onda in due sezioni. . . 160
3.48 Topologia della rete di adattamento a doppio stub. . . . . . 162
3.49 Posizione delle ammettenze Y1 , Y2 , Y3 , Y4 dopo l’inserzione

dei vari elementi su carta di Smith delle ammettenze; la
zona proibita è mostrata in colore grigio. . . . . . . . . . . . 166
3.50 Determinazione della suscettanza del primo stub. . . . . . . 167
3.51 Andamento in frequenza dei quattro circuiti di
adattamento trovati nel caso linea/stub. . . . . . . . . . . . 168
3.52 Andamento in frequenza dei due circuiti di adattamento
trovati nel caso linea/quarto d’onda. . . . . . . . . . . . . . 168
3.53 Andamento in frequenza per una delle reti di adattamento
a doppio stub ottenuta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
3.54 Scelta della strategia di adattamento in base alla
collocazione della rete, come ausilio alla polarizzazione di
un transistore. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
3.55 Scelta della strategia di adattamento in base alla
collocazione della rete, per ausilio alla polarizzazione di un
transistore ed al disaccoppiamento in continua. . . . . . . . 171
4.1 Prima limitazione di Bode/Fano. . . . . . . . . . . . . . . . 178

4.2 Seconda limitazione di Bode/Fano. . . . . . . . . . . . . . . 180
4.3 Percorso dell’adattamento a Q costante con 3 celle per
l’esempio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4.4 Andamento in frequenza del modulo del coefficiente di
riflessione in ingresso per reti da 1 a 5 celle a Q costante. . . 187
4.5 Percorso su carta di Smith ottenuto con un adattamento a
tre sezioni a quarto d’onda a Q costante da 5 a 50 Ω. . . . . . 190
d’onda a Q costante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
4.7 Percorso su carta di Smith ottenuto con un adattamento a
tre sezioni a quarto d’onda da 5 a 50 Ω a minima variazione
d’impedenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
d’onda a minima variazione d’impedenza. . . . . . . . . . . 194
4.9 Possibile layout (in pianta) di due circuiti di adattamento a
quarto d’onda a tre sezioni per A) rete a Q costante e B) rete
a minima variazione di impedenza. . . . . . . . . . . . . . 195
4.10 Celle a quattro elementi di tipo I e tipo II. . . . . . . . . . . 196
4.11 Tipologia dei primi due elementi al variare della posizione
del carico, con evidenziato il cerchio a VSWR massimo. . . . 196
4.12 Esempio di applicazione del metodo di adattamento a

quattro elementi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.13 Tipico andamento in frequenza per un adattamento a
quattro elementi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
5.1 Vista in sezione della struttura di un dispositivo LDMOS. . 203

5.2 Vista in sezione di un MESFET su GaAs con gate a “T”. . . 204
5.3 Funzionamento del MESFET: (a) per basse Vds , (b) per Vds
alla saturazione, (c) saturazione della corrente di drain. . . 206
5.4 Modello a circuito equivalente non lineare di un MESFET
in GaAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.5 Vista schematica in sezione della struttura di un HEMT in
AlGaAs-InGaAs-GaAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
5.6 Struttura a mesa di un HBT AlGaAs-GaAs.
L’eterogiunzione è formata dallo strato AlGaAs. . . . . . . . 210
5.7 Modello a circuito equivalente ad ampio segnale per HBT. . 212
5.8 Layout di dispositivi attivi, lineari e interdigitati. . . . . . . 213
5.9 Lunghezza e larghezza di gate. . . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.10 Fotografia al microscopio di un dispositivo interdigitato per
alta potenza (Selex-SI). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.11 Andamento del guadagno, della potenza di uscita e
dell’efficienza al variare della lunghezza dei finger a parità
di periferia totale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
5.12 Andamento del guadagno, della potenza di uscita e
dell’efficienza al variare del numero dei finger. . . . . . . . 215
5.13 Esempio di insieme di parametri di scattering per la
descrizione di un dispositivo attivo NEC da 2 a 30 GHz. . . 217
5.14 Layout ad hoc per effettuare misure dei parametri di
scattering. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
5.15 Circuito equivalente della parte intrinseca di un HEMT per
l’esercizio 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.16 Circuito equivalente della parte intrinseca di un HEMT con
Cgd per l’esercizio 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.17 Circuito equivalente di un HEMT con parassiti resistivi per
l’esercizio 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.1 Trasferimento di potenza ad un carico, rappresentazione in

termini di tensioni e correnti. . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
6.2 Trasferimento di potenza ad un carico, rappresentazione in

termini di onde incidenti e riflesse. . . . . . . . . . . . . . . 226
6.3 Rete a due porte connessa per la determinazione delle
condizioni di stabilità. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
6.4 Generazione dei cerchi di stabilità per l’ingresso e l’uscita. . 233
6.5 Posizione reciproca del cerchio di stabilità dell’uscita e del
cerchio unitario. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
6.6 Impostazione alternativa della condizione di stabilità. . . . 238
6.7 Connessione di due reti a due porte in parallelo per
evidenziare la modalità dispari. . . . . . . . . . . . . . . . 242
6.8 Connessione di due reti due porte in serie per evidenziare
la modalità dispari. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
6.9 Rete a due porte connessa ad un generatore ed un carico. . . 245
6.10 Posizione relativa della coppia di soluzioni per
l’adattamento coniugato. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 257
6.11 Andamento del guadagno operativo al variare del carico in
uscita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
6.12 Circonferenze a guadagno operativo costante nel piano ΓL . . 262
6.13 Andamento dei cerchi a guadagno operativo costante in
caso di potenziale instabilità. . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
6.14 Andamento del guadagno disponibile come funzione del
carico in ingresso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
6.15 Circonferenze a guadagno disponibile costante nel piano ΓG . 265
6.16 Scelta del carico d’ingresso in una rete potenzialmente
instabile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
7.1 Catena di amplificazione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278

7.2 Ripetitore satellitare trasparente. . . . . . . . . . . . . . . 279
7.3 Andamento in frequenza del guadagno di un amplificatore
a piccolo segnale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
7.4 Caratteristiche del guadagno nella banda operativa al
variare della frequenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
7.5 Definizione grafica del punto di compressione ad 1 dB del
guadagno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292
7.6 Generazione di armoniche. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
7.7 Flussi energetici per un amplificatore di potenza. . . . . . . 294
7.8 Tipico andamento per la power-added efficiency al variare
della potenza in ingresso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
7.9 Componenti in frequenza generate in un test a tue toni. . . 296
7.10 Definizione del punto di intercetta del terzo ordine. . . . . . 298
7.11 Range dinamico e range dinamico libero da spurie. . . . . . 300

7.12 Tipico andamento della compressione AM/AM e della
conversione AM/PM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301
8.1 Schema a blocchi di un amplificatore ad anello aperto a due

stadi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
8.2 Flusso logico per il progetto di un amplificatore a piccolo
segnale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 305
8.3 Esempio di circuito ibrido nel suo package (Alenia Spazio). . 306
8.4 Esempio di circuito monolitico su GaAs (ASTRON). . . . . . 307
8.5 Andamento in frequenza per il guadagno massimo e per il
fattore di stabilità k di un dispositivo attivo a due
polarizzazioni differenti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
8.6 Punto di lavoro ottimale del dispositivo attivo a seconda
dell’applicazione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
8.7 Reti a doppia a) o a singola alimentazione b). . . . . . . . . 311
8.8 Realizzazione del resistore RS . . . . . . . . . . . . . . . . . 312
8.9 Applicazione delle tensioni di alimentazione. . . . . . . . . 313
8.10 Rete a doppia alimentazione con resistori. . . . . . . . . . . 314
8.11 Polarizzazione con reti a quarto d’onda. . . . . . . . . . . . 314
8.12 Filtraggio delle alimentazioni. . . . . . . . . . . . . . . . . 316
8.13 Esempio di rete di polarizzazione in un circuito ibrido a
microonde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
8.14 Andamento schematico del guadagno e del fattore di
stabilità al variare della frequenza. . . . . . . . . . . . . . 318
8.15 Effetto dell’inserimento in serie al carico esterno di una
reattanza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
8.16 Effetto dell’inserimento in serie al carico esterno di una
resistenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320
8.17 Stabilizzazione in bassa frequenza del dispositivo attivo
mediante reti dissipative e selettive. . . . . . . . . . . . . . 320
8.18 Stabilizzazione in alta frequenza del dispositivo attivo
mediante reti dissipative e selettive. . . . . . . . . . . . . . 321
8.19 Dispositivo attivo con reazione serie e parallelo. . . . . . . . 322
8.20 Modello a bassa frequenza del FET con reazione serie e
parallelo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 322
8.21 Schema a blocchi di un amplificatore lineare di guadagno,
monostadio, con reti di adattamento in ingresso e in uscita. 325
8.22 Problema di sintesi nel caso k>1. . . . . . . . . . . . . . . 327
8.23 Andamento del modulo dei parametri di scattering S11 e S22

dell’intero amplificatore al variare della frequenza. . . . . . 329
8.24 Struttura di un amplificatore ad anello aperto, a banda
larga, singolo stadio con equalizzazione in ingresso. . . . . . 330
8.25 Andamento dei cerchi a guadagno operativo o disponibile
costante in caso di stabilità condizionata. . . . . . . . . . . 332
8.26 Schema a blocchi di un amplificatore ad anello aperto a due
stadi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333
8.27 Fotografia di un amplificatore a piccolo segnale monolitico a
due stadi (MECSA – Università di Roma Tor Vergata). . . . 335
8.28 Schema a blocchi di un amplificatore reazionato a doppio
stadio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
8.29 Rete di reazione di tipo shunt feedback. . . . . . . . . . . . 336
8.30 Schema a blocchi di un amplificatore bilanciato. . . . . . . . 337
8.31 Funzionamento dell’amplificatore bilanciato. . . . . . . . . 340
8.32 Adattamento in uscita dell’amplificatore bilanciato. . . . . . 340
8.33 Amplificatore monolitico bilanciato per la banda Ku (Alenia
Spazio – Università di Roma Tor Vergata). . . . . . . . . . . 341
8.34 Circuito equivalente a piccolo segnale semplificato per un
dispositivo ad effetto di campo. . . . . . . . . . . . . . . . . 343
8.35 Schema di un amplificatore distribuito a quattro dispositivi
attivi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345
8.36 Rete a scala ottenuta tramite la configurazione distribuita. . 346
8.37 Circuito equivalente dello schema distribuito, con linee di
gate e drain risultanti. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 348
8.38 Andamenti caratteristici del guadagno in funzione della
frequenza al variare del numero di stadi. . . . . . . . . . . 352
8.39 Amplificatore distribuito a matrice. . . . . . . . . . . . . . 355
8.40 Amplificatore distribuito monolitico a tre stadi (Elettronica
SpA – Università di Roma Tor Vergata). . . . . . . . . . . . 356
9.1 Potenza di rumore disponibile da un bipolo rumoroso. . . . . 362

9.2 Esperimento per il calcolo della densità di potenza del
rumore termico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 362
9.3 Rappresentazione di impedenze o ammettenze rumorose. . . 365
9.4 Temperatura equivalente di rumore di una rete a due porte
lineare. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
9.5 Temperatura equivalente di un attenuatore. . . . . . . . . . 373
9.6 Definizione di temperatura equivalente di sistema. . . . . . 375
9.7 Equivalente di una rete a due porte rumorosa descritta con

parametri Y . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
parametri Z. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
parametri ABCD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
9.10 Circuito equivalente per il rumore di un due porte in
ingresso (1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 378
ingresso (2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380
ingresso (3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380
ingresso (4). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
9.14 Paraboloide di rumore e derivazione della famiglia di
circonferenze a fattore di rumore costante. . . . . . . . . . 384
9.15 Cascata di reti due porte rumorose. . . . . . . . . . . . . . 386
9.16 Fotografia al microscopio elettronico a scansione (SEM)
della sezione di un gate a fungo (a sinistra) e di un
dispositivo a quattro dita di gate realizzato con tale
litografia (a destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 391
9.17 Andamento tipico della cifra di rumore minima di un FET
variare della polarizzazione. . . . . . . . . . . . . . . . . . 393
9.18 Andamento tipico della densità di potenza di rumore al
variare della frequenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 394
9.19 Andamento in frequenza del fattore di rumore minimo
(scala di sinistra) e della resistenza di rumore (destra) per
un HEMT in GaN a due polarizzazioni. . . . . . . . . . . . 395
9.20 Andamento in frequenza del modulo (scala di sinistra) e
della fase (destra) del carico ottimo per il rumore per un
HEMT in GaN a due polarizzazioni. . . . . . . . . . . . . . 395
9.21 Andamento della cifra di rumore minima per un dispositivo
commerciale al variare della frequenza per differenti
temperature di esercizio, da 90 K a 290 K. . . . . . . . . . . 397
9.22 Andamento della resistenza di rumore di un dispositivo
commerciale al variare della frequenza per differenti
temperature di esercizio, da 90 K a 290 K. . . . . . . . . . . 397
9.23 Compromesso tra rumore e guadagno nella scelta del carico
in ingresso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400
9.24 Schema a blocchi di un amplificatore bilanciato a basso

rumore. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
9.25 Amplificatore a basso rumore a tre stadi per la banda C
(MECSA – Università di Roma Tor Vergata). . . . . . . . . 403
10.1 Esempio di VCO integrato in tecnologia coplanare ad HBT

(FBH Berlin). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410
10.2 Esempio di una curva di controllo per un oscillatore a
frequenza accordabile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
10.3 Definizioni del livello delle armoniche e delle spurie. . . . . 414
10.4 Livelli del rumore di fase a due offset diversi. . . . . . . . . 414
10.5 Rappresentazione a controreazione di un oscillatore. . . . . 417
10.6 Rappresentazione, nel piano dei fasori, dell’effetto del
rumore termico su un segnale nell’elemento attivo. . . . . . 420
10.7 Tipico andamento del rumore di fase in scala
semilogaritmica; sono indicati due andamenti
corrispondenti a due diversi valori del fattore di qualità del
risonatore, e lo spettro di densità di potenza del rumore del
dispositivo attivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421
10.8 Tipico andamento del rumore di fase in scala
semilogaritmica; B rappresenta l’andamento
corrispondente ad un fattore di qualità elevato del
risonatore, A lo spettro di densità di potenza del rumore del
dispositivo attivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422
10.9 Andamenti del rumore di fase per oscillatori differenti al
variare dell’offset (sinistra) e normalizzati per una
frequenza di uscita di 10 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . 423
10.10 Esempio di pattern realizzativo per un dispositivo SAW. . . 423
10.11 Esempio di BAW a membrana, con le prestazioni in
frequenza a destra. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
10.12 Circuito equivalente (a sinistra) e prestazioni di insertion
loss e return loss (a destra) per un risonatore SAW. . . . . . 425
10.13 Accoppiamento del campo magnetico del modo quasi-TEM
della microstriscia con il risonatore dielettrico . . . . . . . . 425
10.14 Circuito equivalente di un risonatore dielettrico (sinistra)
nel punto di inserzione della microstriscia, e circuito
semplificato (destra). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426
10.15 Montaggio semplificato di una sferetta di YIG. . . . . . . . 427
10.16 Circuito equivalente di un risonatore a YIG. . . . . . . . . . 428
10.17 Andamento della capacità inversa e della resistenza

dinamica di un varactor su GaAs. . . . . . . . . . . . . . . 429
10.18 Connessione di due bipoli non autonomi. . . . . . . . . . . . 430
10.19 Connessione di due bipoli non autonomi descritti da
coefficienti di riflessione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
10.20 Rete a due porte terminata e descritta dai parametri
impedenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432
10.21 Rete a due porte terminata e descritta dai parametri
impedenza. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
10.22 Rete a due porte terminata e descritta dai parametri di
scattering. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 435
10.23 Connessione di due bipoli in prossimità della risonanza di
tipo serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
10.24 Andamento nel tempo di un eventuale segnale presente
nella rete per diversi valori di RT OT . . . . . . . . . . . . . . 439
10.25 Connessione di due bipoli in prossimità della risonanza di
tipo parallelo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440
10.26 Espressione grafica delle posizioni relative delle parti reali
rispetto a R0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 443
10.27 Condizioni di innesco per la risonanza serie in funzione del
valore della resistenza di normalizzazione R0 rispetto alle
parti reali delle impedenze. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 444
10.28 Espressione grafica delle posizioni relative delle parti reali
rispetto a G0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
10.29 Condizioni di innesco per la risonanza parallelo in funzione
del valore della conduttanza di normalizzazione G0 rispetto
alle parti reali delle ammettenze. . . . . . . . . . . . . . . 446
10.30 Casi possibili per la verifica delle condizioni di innesco. . . . 448
10.31 Curva del dispositivo (tratteggiata) e curva di carico
(continua). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 454
10.32 Stabilità delle oscillazioni rispetto a variazioni della
temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 455
10.33 Tipica realizzazione di un oscillatore a Gunn (U. of St.
Andrews). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 457
10.34 Possibili topologie per oscillatori a tre terminali: series
feedback (sinistra) e parallel feedback (destra). . . . . . . . 457
10.35 Soluzioni maggiormente utilizzate, con reazione serie
(destra e sinistra) e reazione parallelo (centrale). . . . . . . 459
10.36 Cerchi di stabilità dell’ingresso (sinistra) e dell’uscita

(destra) del dispositivo con reazione. La zona stabile è
l’esterno dei cerchi di stabilità in entrambi i casi. . . . . . . 461
10.37 Guadagno massimo e fattore di stabilità del dispositivo con
e senza reazione in funzione della frequenza. . . . . . . . . 462
10.38 Esempi di configurazioni risonanti per l’introduzione di
comportamenti dissipativi al di fuori della banda di progetto. 463
10.39 Tipico andamento del coefficiente di riflessione in uscita
della rete caricata in ingresso con un circuito risonante. Si è
evidenziato il valore del coefficiente di riflessione (espresso
come impedenza normalizzata) alla frequenza di risonanza. 464
10.40 Traiettoria corrispondente alla Figura 1.39, intorno alla
frequenza di oscillazione, ottenuta con un induttore in
parallelo all’uscita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 465
10.41 Traiettoria corrispondente alla Figura 1.39, intorno alla
frequenza di oscillazione, ottenuta con un induttore in serie
all’uscita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 465
10.42 Connessione di due bipoli per l’esercizio 1. . . . . . . . . . . 467
10.43 Connessione di due bipoli per l’esercizio 2. . . . . . . . . . . 467
10.44 Andamento in frequenza di un bipolo per l’esercizio 5. . . . 468
10.47 Device e Load Line per la connessione dell’esercizio 10. . . . 470
A.1 Equivalente parallelo di una impedenza. . . . . . . . . . . 472

A.2 Equivalente serie di una ammettenza. . . . . . . . . . . . . 473
B.1 Costruzione di un grafo orientato, nodi e rami orientati. . . 476

B.2 Grafo orientato associabile all’esempio di connessione
generatore / carico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477
B.3 Rete a due porte connessa ad una terminazione in uscita o
all’ingresso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 478
B.4 Grafo orientato rappresentativo di una rete due porte
caricata in uscita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 479
B.5 Grafo orientato rappresentativo di una rete due porte
caricata in ingresso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 480
C.1 Temperatura equivalente di rumore SSB di un mixer. . . . 482

C.2 Temperatura equivalente di rumore DSB di un mixer. . . . 483
Elenco delle tabelle
1.1 Caratteristiche dei materiali dielettrici più utilizzati. . . . . . 58
3.1 Parametri dei circuiti di adattamento a T ottenuti con le

relazioni derivate; capacità espresse in pF e induttanze in nH. 144
3.2 Reti di adattamento linea / stub derivate per l’esempio;
lunghezze elettriche espresse in gradi. . . . . . . . . . . . . . 167
3.3 Valori dei componenti per la rete di adattamento a doppio
stub ottenuta; lunghezze elettriche espresse in gradi. . . . . . 169
4.1 Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 celle; induttanze

espresse in nH e capacità in pF. . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4.2 Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 sezioni a quarto d’onda a
Q costante con i fattori di qualità corrispondenti. Impedenze
espresse in Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
4.3 Valori sintetizzati per le reti da 1 a 5 sezioni a quarto d’onda e
minima variazione dell’impedenza caratteristica. Sono
indicati anche i fattori di qualità massimo e minimo della
rete. Impedenze espresse in Ω . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
7.1 Esempio di specifiche tipiche per amplificatori lineari (MPA). . 283

7.2 Componenti prodotte da un amplificatore in un test a due toni. 297
10.1 Parametri di diffusione per un transistore di prova. . . . . . . 461
499
AREE SCIENTIFICO–DISCIPLINARI
Area 01 – Scienze matematiche e informatiche
Area 02 – Scienze fisiche
Area 03 – Scienze chimiche
Area 04 – Scienze della terra
Area 05 – Scienze biologiche
Area 06 – Scienze mediche
Area 07 – Scienze agrarie e veterinarie
Area 08 – Ingegneria civile e Architettura
Area 09 – Ingegneria industriale e dell’informazione
Area 10 – Scienze dell’antichità, filologico–letterarie e storico–artistiche
Area 11 – Scienze storiche, filosofiche, pedagogiche e psicologiche
Area 12 – Scienze giuridiche
Area 13 – Scienze economiche e statistiche
Area 14 – Scienze politiche e sociali
Le pubblicazioni di Aracne editrice sono su
www.aracneeditrice.it
Finito di stampare nel mese di ottobre del 2011
dalla « Ermes. Servizi Editoriali Integrati S.r.l. »
00040 Ariccia (RM) – via Quarto Negroni, 15
per conto della « Aracne editrice S.r.l. » di Roma

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via Raffaele Garofalo, 133 A/B

I diritti di traduzione, di memorizzazione elettronica,

Non sono assolutamente consentite le fotocopie

I edizione: febbraio 2007

2 Reti a due porte lineari, rappresentazioni e proprietà 75

2.3 Rappresentazioni di reti autonome . . . . . . . . . . . . . . . 90

3 Adattamento di un carico 111

4 Adattamento a banda larga 177

4.6 Adattamento a quattro elementi . . . . . . . . . . . . . . . . 194

5 Dispositivi attivi per alta frequenza 201

6 Stabilità e guadagni di una rete a due porte 221

6.5.12 Cerchi ad adattamento costante . . . . . . . . . . . . 270

7 Amplificatori lineari, definizioni e caratteristiche 277

8 Amplificatori di guadagno 303

9 Rumore ed amplificatori a basso rumore 359

9.2 Grandezze caratterizzanti il rumore nei bipoli . . . . . . . . . 365

10 Oscillatori a microonde 407

10.7.4 Stabilità delle condizioni di oscillazione . . . . . . . . 449

A Equivalente serie e parallelo per ammettenze e

B Grafi di flusso per l’analisi di circuiti 475

C Temperature di rumore SSB e DSB di un mixer 481

Elenco delle figure 485

Elenco delle tabelle 499

La riforma degli studi universitari, l’introduzione del sistema dei

La riforma universitaria ha, di fatto, fornito l’impulso ad una forma-

di fornire un metro di auto-valutazione delle tecniche e dei concetti

Roma, 10 Novembre 2006

Il termine microonde ed onde millimetriche viene utilizzato generi-

250 MHz 1.2 m A HF

9 GHz 3.33 cm I X 33 GHz

Figura 1: Denominazione delle bande di frequenza secondo differenti

in cui εr è la costante dielettrica relativa del mezzo nel quale il segnale

so, dovendo di conseguenza essere rappresentati mediante elementi a

• I circuiti elettronici, in special modo quelli non lineari, andranno

• I componenti elettronici andranno descritti con rappresentazio-

• Grazie alla loro natura tridimensionale (o almeno bidimensiona-

• L’effetto di elementi sistematicamente trascurati a bassa frequen-

ad esempio ai fili di interconnessione dei circuiti con le reti di ali-

• I metodi di caratterizzazione e di misura in generale devono te-

Complessivamente quindi, sia la fase di modellistica che quelle di

no molto diversificati e per ciascuno di questi l’elemento a microonde

Figura 2: Esempio di circuito ibrido (Alenia Spazio).

Figura 3: Vista al microscopio di una parte di circuito monolitico.

In questo testo si focalizzerà l’attenzione, dopo aver fornito le neces-

Indice del capitolo

A bassa frequenza, due elementi di un circuito vengono connessi

in cui µ e σ rappresentano rispettivamente la permeabilità magnetica

effetto Joule e gli effetti di autoinduzione connessi, mentre il sistema

Figura 1.1: Strutture guidanti a microonde.

I(z) Rdz Ldz I(z+dz)

Figura 1.2: Cella unitaria di una linea di trasmissione uniforme e

oggetto di successivo approfondimento. Verranno infine sommariamen-

1.2 Impedenza caratteristica e costante di pro-

che vengono denominati rispettivamente resistenza serie (Ω/m) e in-

Essendo il tratto di linea di lunghezza infinitesima, è possibile ap-

Il fattore di attenuazione è legato alle perdite nella struttura, deter-

V (z) = V + · e−γz + V − · eγz

V (z) = V + · e−γz + V − · eγz

Si noti che nel caso di alta frequenza, nel quale normalmente le

1.3 Onde progressive e regressive

Le due parti della soluzione possono essere interpretate come onde

Figura 1.3: Onde di tensione progressive e regressive lungo la linea.