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Struttura Struttura
Difetti cristallina reale
cristallina Ideale
Vacanze
Difetti di punto
Auto-interstiziali
(~ un atomo)
Impurità
Mono-dimensionali
Difetti (~ una linea di atomi)
Dislocazioni
Geminati
Bi-dimensionali
(~ una superficie di Bordi Grano
atomi)
Superfici Esterne
Vacanza
Auto-interstiziale
N = # di atomi / m3
N A A= peso atomico
N= ρ = densità
NA = Numero di Avogadro
A Nv = # vacanze / m3
QV Qv = energia di attivazione richiesta
− per creare una vacanza
NV = N e kT k = Costante di Boltzmann
1.38 (10)-23 J/atomo-k
◼ La relazione (1) che definisce il numero di difetti all’equilibrio per una certa P e
T si ricava attraverso una forte semplificazione di tipo termodinamico; non si
tiene cioè conto della cinetica del processo di cristallizzazione né dell’entità
finita dei cristalli reali.
◼ La concentrazione reale dei difetti un cristallo è sempre maggiore di quella
ricavabile applicando la (1) che pertanto rappresenta un limite minimo teorico.
◼ Nel caso, ad esempio, di un raffreddamento rapido di una lega metallica
(tempra) la cinetica del processo è troppo rapida per consentire il
raggiungimento degli stati di equilibrio termodinamico, portando ad ottenere
una sovrassaturazione dei difetti (i.e. una concentrazione più elevata di quella
calcolabile termodinamicamente).
◼ Per poter ridurre i difetti è necessario riportare il materiale ad una temperatura
elevata (inferiore però a quella di fusione) per un certo tempo (ricottura
isoterma), aumentando quindi la mobilità degli atomi così da consentire la
riorganizzazione del cristallo (riduzione dei difetti).
Auto-Interstiziali
Un atomo dello stesso materiale che si è
posizionato in un sito interstiziale.
Impurezze
Impurezza
Impurezza interstiziale sostituzionale
Interstizi tetraedrici
Gli interstizi tetraedrici
sono circondati da
quattro atomi, che
formano un tetraedro
Interstizi Ottaedrici
Gli interstizi tetraedrici
sono circondati da sei
atomi, che formano un
ottaedro
Interstizi
Ottaedrici nella
cella CCC
Interstizi
tetraedrici nella
cella CCC
Introduzione di Incremento
atomi estranei delle
a formare proprietà
soluzioni
solide
meccaniche
Trasporto di
Difetti
materia
puntiformi
(diffusione)
Si immagini
di inserire un
semipiano
aggiuntivo di
atomi
Dislocazione a spigolo
Semipiano
aggiuntivo di
atomi
Dislocazione a vite
Taglio con un
semipiano ed
applicazione di
uno sforzo di
taglio
Dislocazione a vite
E. Bemporad Scienza e Tecnologia dei Materiali AA19-20 37
Difetti nei solidi: difetti di linea
Dislocazione a
vite
Dislocazione mista
E. Bemporad Scienza e Tecnologia dei Materiali AA19-20 41
Difetti nei solidi: difetti di linea
Dislocazioni Plasticità
FA
r0
FR
y t b
d r0 r x
campo di stress
nell’intorno di una
dislocazione a
spigolo
◼ Gli ostacoli sono gli atomi di soluto => deformano il reticolo del
solvente => interagiscono con le dislocazioni ostacolandone il
movimento
◼ RAFFORZAMENTO PER
PRECIPITAZIONE
◼ Le nano-strutture a forma di
«conchiglia» sono in realtà
il campo di deformazione
indotto da particelle di
soluto finemente disperse in
una lega Pt-Cu
◼ Le linee nere sono le
dislocazioni, il cui moto è
ostacolato dalla presenza
dei precipitati
TEM, 500000x
Difetti di interfaccia
Superfici Esterne : non c’è il massimo numero di
atomi vicini e quindi sono ad un livello energetico
più elevato.
Bordi grano: sono caratterizzati da un piccolo
aumento delle distanze interatomiche e da un
disallineamento cristallografico. Possono essere
ad alto angolo e a basso angolo
Bordi geminati: bordi grano che presentano una
specifica simmetria cristallografica. Possono
essere di origine meccanica(BCC & HCP) e di
ricottura (FCC).
Bordi di Grano:
Bordi grano a
piccolo e grande
angolo
Geminati
Microstruttura policristallina di una lega Pt-Rh (filo di diametro 0.5 mm, tagliato in
sezione, lucidato e osservato tramite sonda ionica focalizzata, FIB)
Altri Difetti
Altri difetti interfacciali : domini ferromagnetici.