Díodo Zener

• Para funcionar com polarização

inversa.
• Modelo mais simples assume rz=0
Electrónica 1
 …exemplo

• …como é que calcula I, IZ e IL?

Electrónica 1
 Díodo Zener

• Ef. Zener (Vz <5V)

Especificações:
• Avalanche (Vz >7V) corrente máxima (ou potência)
tensão de Zener

Variação com a temperatura

∆Vz ∆v
≈ +2mV/ºC ≈ - (directa)
∆T ∆T
sugere uma combinação simples pouco sensível à temperatura
ex: Vz = 6.8V ∧ VD = 0.7V → Vz _ eq = 7.5V
Electrónica 1

• Rectificador
– Rectificador de meia onda
– Rectificador de onda
completa
– Ponte de Graetz
Electrónica 1
Aplicações
Fontes de Alimentação
• Filtro (passa-baixo)
• Reguladores de tensão
– Com díodo de Zener
– série
 o
Rectificador de meia-onda

• Transformador
– Isolamento galvânico
– Abaixamento da tensão
– vs alternada, v unidirecional

Electrónica 1
 o
Rectificador de meia-onda

Desprezando a queda de tensão no díodo

vO = arcadas positivas de vs
n2
VS max ≈ V1m
n1
Valor médio da sinusoide simplesmente rectificada
π
1 1
( vo )av = ∫ VOm sin α dα = VOm
2π 0 π
sentido do díodo trocado
vO = arcadas nagativas de vs
Electrónica 1
 Rectificador de Onda Completa

• Transformador com tomada no

ponto médio do secundário.

vS > 0 D1 conduz vO = vS 
 vO = vS
D2 cortado 
 2
vS < 0 D1 cortado vO = −vS  ( vO )av = VOm
 π
D2 conduz 
(desprezando a queda de tensão no díodo quando conduz)
sentido dos díodos trocados → vO = − vS
Electrónica 1
 Rectificador em Ponte de Graetz

vvs<0;
s>0;vv
OO=-v
=vss

• Vantagens :
– Secundário do transformador sem tomada central com
metade da tensão

Electrónica 1

• Rectificador
– Rectificador de meia onda
– Rectificador de onda
completa
– Ponte de Graetz
Electrónica 1
Aplicações
Fontes de Alimentação
• Filtro (passa-baixo)
• Reguladores de tensão
– Com díodo de Zener
– série
 Filtro (passa-baixo)

Tensão alternada – rectificador –

tensão rectificada – filtro LP – tensão
≅ contínua (com tremor, “ripple”)

RC »T → vO ≈ VIm
desprezando a queda de tensão no díodo
carga perdida = carga reposta
V V
C ∆V = Im T → ∆V = Im amplitude do tremor
R fCR
Electrónica 1
 Regulador de tensão com
díodo Zener

Regulador paralelo (díodo Zener // carga) i 1 R1 i2

vI vO
vI > Vz → vO = VZ R2

independente de vI e de R2
VZ vI − VZ i 1 R1 i2
i2 = ; i1 = ; iZ = i1 − i2
R2 R1 rz
vI vO R2
VZ
Usa-se para potências muito baixas
normalmente i2 ≈ 0, gerador de tensão de referência.
Electrónica 1
Receptor
de Satélite
 Vários circuitos
limitadores

Electrónica 1
 Transistor MOS

• Estrutura: D-Dreno, G-Porta, S-Fonte,

B-Substrato ou corpo

Electrónica 1
 Transistor MOS

• Porta com tensão positiva cria zona de

deplecção:
• IG=0 Porta isolada
• IB=0 Junções BD e BS
Polarização inversa.
• ID=IS (KCL)
• Se VBS=0
terminal B não intervém.
Electrónica 1
 Zonas de Funcionamento
Corte

• vGS < Vt → iD =0 Corte

– Não há portadores endre D e S
– Vt tensão de limiar “threshold” 1~3V típico, >1V em CIs
• vGS > Vt → iD ≠0 Condução
– Forma-se canal (dentro da zona de deplecção): electrões atraídos
para debaixo da porta – inversão de p para n
– Transistor NMOS ou de canal n (electrões livres), pode
conduzir (iD ≠0 ) se vDS ≠0
• Condução:
– Tríodo
– Saturação
Electrónica 1
 Tríodo

vGS > Vt ∧ vDS ≥ 0( ≈ 0)

iD proporcional a vDS
≡ resistência comandada por tensão
0 < vDS << vGS − Vt
→ iD = kn [2(vGS − Vt ) vDS − vD2 S ]
14 4244 3 {
−1
Req ≈0

1 W
kn = µ nCOX ≡ definição varia com os livros
2 L
vGS > Vt ∧ 0 < vDS < vGS − Vt
0 < vDS < vGS − Vt
→ iD = kn [2(vGS − Vt )vDS − vDS
2
]
Electrónica 1
 Saturação

vGS > Vt ∧ vDS ≥ vGS − Vt > 0

→ iD = k (vGS − Vt ) 2
iD não depende de vDS (aprox.)
gerador de corrente comandado por tensão
VCCS não linear (quadrático)

Saturação → amplificador
Tríodo e corte → interruptor
Electrónica 1
 Resumo: NMOS

Corte: vGS < Vt → iD = 0

Condução:
Saturação 0 < vGS − Vt < vDS → iD = kn (vGS − Vt ) 2
Tríodo 0 < vDS < vGS − Vt → iD = k n [2(vGS − Vt )vDS − vDS
2
]

Electrónica 1
 definições

1 W
kn = µn COX  AV -2 
2 L
µn → mobilidade dos electrões no canal
ε OX
COX = → capacidade por unid. área
tOX
ε OX = 3.97ε 0 → const. dielétrica do SiO 2
tOX → espessura do óxido "thickness"
W → largura do canal "width"
L → comprimento do canal "length"
W
→ "aspect ratio"
L
tecnologia actual (2004): tOX = 10nm; L min = 0.13μm
Electrónica 1
 Curvas características

Sat.

Electrónica 1
NMOS

PMOS

Electrónica 1
 CMOS →NMOS+PMOS

Electrónica 1
 Resumo: NMOS e PMOS
(reforço)

NMOS
Corte: vGS < Vt → iD = 0
Condução:
Saturação 0 < vGS − Vt < vDS → iD = kn (vGS − Vt ) 2
Tríodo 0 < vDS < vGS − Vt → iD = kn [2(vGS − Vt )vDS − vDS
2
]
PMOS (mesmo funcionamento que NMOS, troca sentido das correntes e tensões)
Corte: vSG < Vt → iD = 0
Condução:
Saturação 0 < vSG − Vt < vSD → iD = k p (vSG − Vt ) 2
Tríodo 0 < vSD < vSG − Vt → iD = k p [2(vSG − Vt )vSD − vSD
2
]
Electrónica 1
 NMOS e PMOS
(deplecção)

Mesmas equações que transistor NMOS

ou PMOS de reforço com Vt<0

Electrónica 1
 Andar de Fonte Comum

(a) vI = 0.3V < Vt → Corte

VDD=5V iD = 0; vO = VDD − RD iD = VDD
(b) vI = 2V vGS = 2V > Vt → Condução: Saturação? Tríodo?
Hipótese: Sat. iD = kn (vGS − Vt )2 =100µ A
RD=20kΩ vO = VDD − RD iD = 3V > vGS − Vt Confirma hipótese ?: Sat þ
(c) vI = 5V vGS = 5V > Vt → Condução: Saturação? Tríodo?
Hipótese: Sat. iD = kn (vGS − Vt )2 =1.6mA
Vt=1V vO = VDD − RD iD = −2.7V < vGS − Vt Confirma hip.? Sat ý→ Tríodoþ
Hipótese:Tríodo
k=100µAV-2
iD = kn [2(vGS − Vt )vDS − vDS
2
]

 VDD − vO → vO2 − ( 2vI − 1.5) vO + 2.5 = 0
 iD =
 RD
iD = kn (vGS − Vt )2 =1.6mA
 8.18V ý
vO = vDS = 
0.305V < vGS − Vt Confirma Tríodoþ
Electrónica 1
 Andar de Fonte Comum
Circuito analógico básico

∆vO

Sinais = variações de tensão

∆vO = Av ∆vI → AMPLIFICADOR
• PFR: O que sucede se o PFR {
ganho
estiver em VI=0V ou VI=5V? de
tensão

sinais fracos: troço ≈ linear

Electrónica 1 ∆vI ∆vO ≈ proporcional ∆vI
 Andar de Fonte Comum
Circuito digital básico

• Se vI = 0V (0 lógico)→ vO = 5V (1 lógico)
• Se vI = 5V (1 lógico) → vO ≈ 0V (0 lógico)
– INVERSOR

NAND
NOR

Electrónica 1