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ESAME DI ELETTRONICA

MODULO - DIGITALE
06/07/2011
1) Dato che le soglie dei transistori sono simmetriche, allora le funzioni F(r) del
pmos e del nmos saranno tra loro uguali.

. ( +2
!V $ 1 0 r 1 2 1− r − 0.1-0 ( )
()
F r = F ## T && = / + ln *
" VDD % 1− r 011− r 2 *) 0.1
3⇒
-,0
4
2COUT 2COUT
⇒ tf =
βn6 SnVDD
()
F r = tr =
β 6p S pVDD
F r ⇒ ()
Sp βn6
βn6 Sn = β 6p S p ⇒ α = =
Sn β 6p
β p βn (VDD +VTP ) +VTN (V
DD
+VTP +VTN)
VLT = =
1+ β p βn 2

. ( +2
!V $ 1 0 0.16 1 * 2 1− 0.16 − 0.1-0 ( )
()
F r = F ## T
&& = / + ln
" VDD % 1− 0.16 011− 0.16 2 *) 0.1
3
-,04
2COUT 2COUT
tf =
βn5 SnVDD
()
F r ⇒ Sn =
βn5 t f VDD
F r ()
S p = α Sn

Fissando entrambe le lunghezze ad Lmin si ottengono i valori di L e W.

2) C L = Sn−out + S p−out L2minCox


( )
Affinché gli stadi del buffer siano simmetrici il rapporto α tra Sp ed Sn deve
essere pari al valore calcolato nel punto precedente.

C IN = Sn−1 1+ α L2minCox =
( )
!C $ ! 1p $
N = ln # L & = ln # & = 4.8 ≅ 5
" CIN % "8 f %

A questo punto esistono due approcci molto simili:


a) Siccome il fattore di step-up u migliore è pari ad e, approssiamo per semplicità
u=3.

b) Il fattore di step-up u è definito come il rapporto tra i dimensionamenti di uno


stadio e quelli dello stadio precedente. Possiamo quindi calcolarlo come:

CL
u=N
C IN

3) Il circuito realizzato è un oscillatore ad anello.

4)

tr + t f
tp ≈ = tf
2
C L = Sn 1+ α L2minCox
( )
2C L
tf =
βn" SnVDD
F r ()
1
T = 2N ⋅ t p ⇒ f osc =
T
CTOT = 3C L
2
PDIN = CTOTVDD f osc