LABORATORIO I

YESETH CASTRO MENESES. JORGE ENRIQUEZ BLANCHAR. LUIS BORRERO PELARES

(estudiantes de ing. electrónica)
considerable. En este caso el transistor entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta
forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra
I. MARCO TEORICO en la carga conectada en el Colector.

ACTIVA, Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o

TRANSISTOR BJT: El transistor de unión bipolar es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, Los tres electrodos principales
son emisor, colector y base. La conducción entre estos
electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El
germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente
utilizados para la fabricación de los elementos
semiconductores. Los transistores pueden efectuar
prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos
electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con
muchísimas ventajas.
menos corriente.
II. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Es importante la investigación, análisis e interpretación del
funcionamiento de polarización en el BJT en sus diferentes
configuraciones de los circuitos electrónicos. Entender el
comportamiento del transistor y que sucede al realizar dichas
variaciones, comparando los cálculos teóricos con los
adquiridos en el laboratorio y así conclusiones de dicho
circuito y ver si está saturado sí o no.

ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR,
El transistor es un dispositivo semiconductor fabrica sobre un
mono cristal de material semiconductor como el germanio, el III. OBJETIVOS
silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son
intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un
 Construir un circuito de polarización del BJT Y
aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma
determinar el comportamiento real de un transistor
muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
(CD).
lugar a dos uniones PN.

EMISOR, que emite los portadores de corriente. Su labor es

la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas"
IV. PLAN DE INVESTIGACIÓN PROCEDIMIENTO
electrónicas.

BASE, que controla el flujo de la corriente. Su labor es la 1. Armar el circuito planteado.

equivalente a hacer un filtro en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.

COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos

por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los
tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

ZONAS DE TRABAJO

CORTE, No circula intensidad por la Base, por lo que, la

intensidad de Colector y Emisor también es nula.La tensión
entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. Figura 1. Circuito a realizar.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

SATURACION, Cuando por la Base circula una intensidad,

se aprecia un incremento de la corriente de colector 2. Encontrar los datos especificados en la guía tales
como IB, IC, IE, VBE, VCE Y B=IC/IB.
 4.7 kΩ∗390 Ω
RTH = =360.118 Ω
4.7 kΩ+390 Ω

20 V∗390 Ω
VTH = =1.532 V Como visualizamos en la imagen vemos que el
4.7 kΩ+390 Ω
datacheet varia dependiendo del transistor por
ende escogemos uno al azar en nuestro caso
escogimos el de 250.
β=250 , VBE=0,7V

Se encuentra en zona activa

−VTH +360,118 IB+0.7 v +100 IB ( β +1)=0
−1.532 V + 360,118 IB+0.7 v+ 100 IB ( 250+1 )=0
IB= 32.40 μA
IC= βIB =250*32.40 μA =8.1ma
−VCC +1 KΩIC+ VCE+100 IC=0
−20 V +1 K (8.1 mA )+VCE +100(8.1 mA )=0
VCE=20 V −8.1V −0.81V =11.09 V
1. Ubicar el punto de trabajo en la recta de carga
del dispositivo.
2. Comparar la recta de los datos teóricos con la
obtenida en el laboratorio.
3. Determinar porcentajes de error y en que afecta
la resistencia de 560 ohm y condensador.
4. Reemplazar por resistencia variable la R1 y
mirar el comportamiento en la entrada y salida
del circuito.
5. Varias los valores de las resistencias y tomar
valores hasta que v0 salga distorsionada en la
señal.
6. Graficar intensidad de colector frente a tensión
de colector emisor, y responder las diferentes
preguntas.

3. Determinar en qué región se

encuentra el transistor.
VE=100 ΩIB ( β +1 )=8.1mA∗( 250+1 )
VE=0.810V
V. MATERIALES
Protoboard, condensadores, resistencias, transistores 2N2222,
voltímetro digital, fuentes cd, generador de señales,
osciloscopio.

VTH=1.532V¿VE=0.800V

Datasheet transistor:

RECTA DE CARGA PRACTICO

Vcc/rc=20ma
 3

16.3ma

Q
Icq=8.55m
A

5.14ma

0.074ma

0.51v Vceq=10.59v 14.3v 19. Vcc=20v

9v
2)
 5

RECTA DE CARGA TEORICA

Vcc/rc=20ma

Q
Icq=8.1m
A

Vceq=11.09v Vcc=20v